TW201440276A - 透明電極及相關製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種多層導電性透明電極，其包含：-基板層，-導電層，其包含：o至少一種隨意地經取代之聚噻吩導電聚合物，及o金屬奈米絲之滲透網絡，該導電層係與該基板層直接接觸，且該導電層亦包含至少一種疏水性黏著聚合物或黏著共聚物。本發明亦關於製造此種多層導電性透明電極之方法。

Description

透明電極及相關製造方法
本發明關於在有機電子裝置之一般領域中的導電性透明電極以及製造彼之方法。
兼具高透射率與導電率性質之導電性透明電極係目前電子設備領域中的重要發展主題，該類型電極日益增加地用於諸如光伏打電池、液晶螢幕、有機發光二極體(OLED)或聚合物發光二極體(PLED)及觸控螢幕之裝置。
為了獲得具有高透射率及導電率性質之透明電極，已知之實務係具有多層導電性透明電極，該多層導電性透明電極在第一級中包含基板層，於該基板層上沉積黏著層、金屬奈米絲之滲透網絡及由導電聚合物製成之封裝層，其中該導電聚合物為例如聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)(PEDOT)及聚(苯乙烯磺酸)鈉(PSS)混合物，形成已知為PEDOT：PSS者。
專利申請案US2009/129004提出使得可能獲致所有所希望性質，尤其是透射率及表面電阻率之多層透明電極。 然而，此種電極具有包含基板、黏著層、由金屬奈米絲組成之層、包含奈米碳管及導電聚合物之電均一層的複雜構造。此層之添加意味著該方法成本相當高。此外，使用黏著層之需求意味著光透射喪失。最後，該均一層係以奈米碳管為底質，其造成分散問題。
因此希望發展包含最少層且不包含任何奈米碳管之導電性透明電極。
因此，本發明目的之一係至少部分克服先前技術缺點，且提供具有高透射率及導電率性質的多層導電性透明電極以及製造彼之方法。
因此，本發明關於一種多層導電性透明電極，其包含：-基板層，-導電層，其包含：￮至少一種隨意地經取代之聚噻吩導電聚合物，及￮金屬奈米絲之滲透網絡，該導電層係與該基板層直接接觸，且該導電層亦包含至少一種疏水性黏著聚合物或黏著共聚物。
根據本發明之多層導電性透明電極符合以下要求及性質：-小於100Ω/□之表面電阻R，-大於或等於75%之在可見光譜中的平均透射率T平均， -與基板直接黏著，及-無光學瑕疵。
根據本發明一方面，導電層亦包含至少一種額外聚合物。
根據本發明另一方面，該額外聚合物為聚乙烯吡咯啶酮。
根據本發明另一方面，該多層導電性透明電極具有大於或等於75%之在可見光譜中的平均透射率。
根據本發明另一方面，該多層導電性透明電極具有小於100Ω/□之表面電阻。
根據本發明另一方面，該基板係選自玻璃及透明撓性聚合物。
根據本發明另一方面，該金屬奈米絲為貴金屬之奈米絲。
根據本發明另一方面，該金屬奈米絲為非貴金屬之奈米絲。
根據本發明另一方面，該黏著聚合物或黏著共聚物係選自聚乙酸乙烯酯聚合物或丙烯腈-丙烯酸酯共聚物。
本發明亦關於製造多層導電性透明電極之方法，其包括下列步驟：-在基板層上直接製備並施加導電層之步驟，其中該導電層包含：￮至少一種隨意地經取代之聚噻吩導電聚合物，￮金屬奈米絲之滲透網絡，及 ￮至少一種疏水性黏著聚合物或黏著共聚物，-使該導電層交聯之步驟。
根據本發明方法之一方面，該在基板層上直接製備並施加導電層之步驟包括下列子步驟：-製備形成導電層之組成物的子步驟，該組成物包含：￮至少一種隨意地經取代之聚噻吩導電聚合物的分散液或懸浮液，￮至少一種疏水性黏著聚合物或黏著共聚物，-將金屬奈米絲之懸浮液添加至該形成該導電層的組成物中之子步驟，及-將該混合物直接施加至該基板層之子步驟。
根據本發明方法之另一方面，該在基板層上直接製備並施加導電層之步驟包括下列子步驟：-製備形成導電層之組成物的子步驟，該組成物包含：￮至少一種隨意地經取代之聚噻吩導電聚合物的分散液或懸浮液，￮至少一種疏水性黏著聚合物或黏著共聚物，-將金屬奈米絲之懸浮液直接施加至該基板層上，以形成金屬奈米絲之滲透網絡之子步驟，-將該形成該導電層之組成物施加至該金屬奈米絲的滲透網絡上之子步驟。
根據本發明方法之另一方面，該形成該導電層之組成 物亦包含至少一種額外聚合物。
根據本發明之方法的另一方面，該額外聚合物為聚乙烯吡咯啶酮。
根據本發明之方法的另一方面，該基板層之基板係選自玻璃及透明撓性聚合物。
根據本發明之方法的另一方面，該金屬奈米絲為貴金屬之奈米絲。
根據本發明之方法的另一方面，該金屬奈米絲為非貴金屬之奈米絲。
根據本發明之方法的另一方面，該黏著聚合物或黏著共聚物係選自聚乙酸乙烯酯聚合物或丙烯腈-丙烯酸酯共聚物。
1‧‧‧基板層
2‧‧‧導電層
3‧‧‧金屬奈米絲
i/ii‧‧‧步驟i/ii
101/103/105/107/109/111‧‧‧子步驟
本發明之其他特徵及優點於閱及以下以非限制性範例實例提供之說明及其附圖時會更清楚浮現，該等圖式中：-圖1係多層導電性透明電極之各層的橫斷面之示意圖，-圖2係根據本發明之製造方法的各步驟之流程圖。
本發明關於圖示於圖1之多層導電性透明電極。該類型之電極較佳具有在0.05μm與20μm之間的厚度。
該多層導電性透明電極包含： -基板層1，及-與該基板層1直接接觸之導電層2。
為了保持該電極之透明性質，基板層1必須為透明的。其可為撓性或剛性，在必須為剛性的情況下可有利地選自玻璃，或者選自透明撓性聚合物，諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚碸(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚碸(PSU)、酚樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚酯樹脂、聚醚醯胺樹脂、聚(乙酸乙烯酯)、硝酸纖維素、乙酸纖維素、聚苯乙烯、聚烯烴、聚醯胺、脂族聚胺基甲酸酯、聚丙烯腈、聚四氟乙烯(PTFE)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯酸酯、聚醚醯亞胺、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)及聚偏二氟乙烯(PVDF)，最佳之撓性聚合物為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)及聚醚碸(PES)。
該導電層2包含：(a)至少一種隨意地經取代之聚噻吩導電聚合物，(b)至少一種黏著聚合物或黏著共聚物，(c)金屬奈米絲3之滲透網絡。
該導電層2亦可包含：(d)至少一種額外聚合物。
該導電聚合物(a)為聚噻吩，後者為最熱安定且電子安定之聚合物。較佳之導電聚合物為聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸酯)(PEDOT：PSS)，後者對光及熱具有安定性，容易分散在水中，及不具任何環境缺點。
該黏著聚合物或黏著共聚物(b)較佳為疏水性化合物，且可選自聚乙酸乙烯酯聚合物或丙烯腈-丙烯酸酯共聚物。該黏著聚合物或黏著共聚物(b)尤其使能獲得金屬奈米絲3之滲透網絡與導電聚合物(a)之間的較佳黏著。
金屬奈米絲3之滲透網絡較佳係由貴金屬，諸如銀、金或鉑之奈米絲構成。金屬奈米絲3之滲透網絡亦可由非貴金屬，諸如銅之奈米絲構成。
金屬奈米絲3之滲透網絡可由一或更多個金屬奈米絲3的疊置層組成，從而形成導電性滲透網絡，及可具有在0.01μg/cm2與1mg/cm2之間的金屬奈米絲3之密度。
該額外聚合物(d)係選自聚乙烯醇(PVOH)、聚乙烯基吡咯啶酮(PVP)、聚乙二醇或者纖維素或其他多醣之醚及酯。該額外聚合物(d)為黏度增強劑且在導電層2施加至基板層1之期間有助於良好品質之膜的形成。
該導電層2可包含以下重量比例(總重為100重量%)之各組分(a)、(b)、(c)及(d)：(a)10重量%至65重量%之至少一種隨意地經取代的聚噻吩導電聚合物，(b)20重量%至85重量%之至少一種黏著聚合物或黏著共聚物，(c)5重量%至40重量%之金屬奈米絲3，(d)及0至15重量%之至少一種額外聚合物。
因此，根據本發明之多層導電性透明電極包含：-小於100Ω/□之表面電阻R， -大於或等於75%之在可見光譜中的平均透射率T平均，-與基板直接黏著，及-無光學瑕疵。
本發明亦關於製造多層導電性透明電極之方法，其包括下列步驟：該製造方法之步驟係圖示於圖2之流程圖中。
i)在基板層1上之導電層2的製備
於本步驟i中，在基板層1上製備導電層2。
為了保持該電極之透明性質，基板層1必須為透明的。其可為撓性或剛性，在必須為剛性的情況下可有利地選自玻璃，或者選自透明撓性聚合物，諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚碸(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚碸(PSU)、酚樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚酯樹脂、聚醚醯胺樹脂、聚(乙酸乙烯酯)、硝酸纖維素、乙酸纖維素、聚苯乙烯、聚烯烴、聚醯胺、脂族聚胺基甲酸酯、聚丙烯腈、聚四氟乙烯(PTFE)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯酸酯、聚醚醯亞胺、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)及聚偏二氟乙烯(PVDF)，最佳之撓性聚合物為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)及聚醚碸(PES)。
該導電層2包含：(a)至少一種隨意地經取代之聚噻吩導電聚合物，(b)至少一種疏水性黏著聚合物或黏著共聚物， (c)金屬奈米絲3之滲透網絡。
該導電層2亦可包含：(d)至少一種額外聚合物。
該導電聚合物(a)為聚噻吩，後者為最熱安定且電子安定之聚合物。較佳之導電聚合物為聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸酯)(PEDOT：PSS)，後者對光及熱具有安定性，容易分散在水中，及不具任何環境缺點。
該黏著聚合物或黏著共聚物(b)為疏水性化合物，且選自聚乙酸乙烯酯聚合物或丙烯腈-丙烯酸酯共聚物。該黏著聚合物或黏著共聚物(b)尤其使能獲得金屬奈米絲3之滲透網絡與導電聚合物(a)之間的較佳黏著。
因該黏著聚合物或黏著共聚物(b)為疏水性化合物，其在溶劑中形成懸浮液，且此使得後者在該溶液內分散較佳。
該額外聚合物(d)係選自聚乙烯醇(PVOH)、聚乙烯基吡咯啶酮(PVP)、聚乙二醇或者纖維素或其他多醣之醚及酯。
因此，用於製備該導電層2之步驟i)的第一子步驟101係製備形成該導電層2之組成物。為此，將組分(a)、(b)及隨意的(d)混合在一起以形成該組成物。
為進行此，該導電聚合物(a)可為在水中及/或在溶劑中之分散液或懸浮液形式，該溶劑較佳為選自以下之極性有機溶劑：二甲亞碸(DMSO)、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、乙二醇、四氫呋喃(THF)、乙酸二甲酯(DMAc)、 二甲基甲醯胺(DMF)，該導電聚合物(b)較佳為在水、二甲亞碸(DMSO)或乙二醇中之分散液或懸浮液形式。
該額外聚合物(d)本身可為在水及/或在溶劑中之分散液或懸浮液形式，該溶劑較佳為選自以下之有機溶劑：二甲亞碸(DMSO)、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、乙二醇、四氫呋喃(THF)、乙酸二甲酯(DMAc)或二甲基甲醯胺(DMF)。
形成該導電層之組成物的製備可包括混合及攪拌之連續步驟，例如，如在下述實驗部分中實例A至D之組成物實例所說明使用磁性攪拌器進行。
根據本發明之製造方法的第一具體實例，在子步驟103期間，將為懸浮液形式之金屬奈米絲3直接添加至形成該導電層2的組成物。該等金屬奈米絲3(例如由貴金屬組成，諸如銀、金或鉑)較佳為在異丙醇(IPA)中之溶液形式。
然後根據熟悉本技術之人士已知的任何方法，在子步驟105期間將形成該導電層2之組成物沉積至該基板層1上，且因此獲得包含金屬奈米絲3之滲透網絡的膜，最常使用之技術為：噴霧塗覆、噴墨塗覆、浸塗、膜塗布機塗覆、旋塗、藉由浸漬塗覆、狹縫模具式塗覆、刮刀塗覆或柔版塗覆。
根據本發明製造之第二具體實例，該金屬奈米絲3係在子步驟107期間事先沉積至該基板層1上，以形成金屬奈米絲3之滲透網絡。
為進行此，將金屬奈米絲3之懸浮液直接添加至基板層1。
為了形成金屬奈米絲3之懸浮液，將該金屬奈米絲3預分散在容易蒸發之有機溶劑(例如乙醇)中或於界面活性劑(較佳為離子導體)之存在下分散於水性介質中。其即為金屬奈米絲3於溶劑(例如異丙醇(IPA))中之懸浮液，將其施加至該基板層1。
該金屬奈米絲3可由貴金屬，例如銀、金或鉑組成。該金屬奈米絲3亦可由非貴金屬，例如銅組成。
金屬奈米絲3之懸浮液可根據熟悉本技術之人士已知的任何方法沉積在該基板層1上，最常使用之技術為：噴霧塗覆、噴墨塗覆、浸塗、膜塗布機塗覆、旋塗、藉由浸漬塗覆、狹縫模具式塗覆、刮刀塗覆或柔版塗覆。
在懸浮液中之該金屬奈米絲3的分散液之品質調整蒸發後所形成之滲透網絡的品質。例如，在以單次通過製備之滲透網絡的情況下，該分散液之濃度可介於0.01重量%與10重量%之間，較佳係介於0.1重量%與2重量%之間。
所形成之滲透網絡的品質亦藉由存在該滲透網絡中之金屬奈米絲3的密度界定，該密度係在0.01μg/cm2與1mg/cm2之間，較佳係在0.01μg/cm2與10μg/cm2之間。
金屬奈米絲3之最終滲透網絡可由數個金屬奈米絲3之疊置層組成。為此，該沉積步驟可重複所希望之次數以獲得金屬奈米絲3的層。例如，在金屬奈米絲3之分散液 為0.1重量%的情形下，金屬奈米絲3之滲透網絡可包含1至800個疊置層，較佳少於100層。
在金屬奈米絲3之滲透網絡沉積至該基板層1的子步驟107之後，於子步驟109期間，根據熟悉本技術之人士已知的任何方法將該形成該導電層2之組成物施加至金屬奈米絲3之該滲透網絡，如此獲得厚度可在50nm與15μm之間且包含金屬奈米絲3之滲透網絡的膜；最常使用之技術為：噴霧塗覆、噴墨塗覆、浸塗、膜塗布機塗覆、旋塗、藉由浸漬塗覆、狹縫模具式塗覆、刮刀塗覆或柔版塗覆。
然後進行乾燥之子步驟111以從該導電層2蒸發各種不同溶劑。該乾燥步驟111可在20與50℃之間的溫度於空氣中進行1至45分鐘。
ii)該導電層2之交聯
在該步驟ii期間，進行該導電層2之交聯，例如藉由在150℃之溫度下硫化5分鐘之時間。
該導電層2可包含以下重量比例(總重為100重量%)之各組分(a)、(b)、(c)及(d)：(e)10重量%至65重量%之至少一種隨意地經取代的聚噻吩導電聚合物，(f)20重量%至85重量%之至少一種黏著聚合物或黏著共聚物，(g)5重量%至40重量%之金屬奈米絲3，及 (h)0重量%至15重量%之至少一種額外聚合物的分散液或懸浮液。
以下實驗結果顯示由根據本發明之多層導電性透明電極所獲得的值，基本參數係諸如在波長為550nm下之透射率T550、平均透射率T平均、表面電阻R、該導電層2對基板層1之黏著，以及光學瑕疵存在或不存在。
使該等結果放置與從根據下文詳述之先前技術的反例所導出之多層導電性透明電極所獲得的值相關。
1)測量方法： 總透射率之測量
可見光譜中之總透射率(即，通過膜之光強度)係在50×50mm之試樣上，使用配備有積分球(integration sphere)之Perkin Elmer Lambda 35 ©分光光度計，在UV-可見光譜[300nm至900nm]測量。
記錄兩個透射率值：-在550nm下之透射率值T550，及-在整個可見平均光譜中之平均透射率值T平均，該值對應於在可見光譜中之透射率的平均值。每10nm測量該值。
表面電阻之測量
表面電阻(以Ω/□計)可由下式定義： e：導電層之厚度(以cm計)，σ：該層之導電率(以S/cm計)(σ=1/ρ)，ρ：該層之電阻率(以Ω.cm計)。
表面電阻係在20×20mm之試樣上，使用Keithley 2400 SourceMeter ©歐姆計並在兩點上以進行測量。金觸點係先藉由CVD沉積在電極上，以促進該等測量。
瑕疵存在之評估
透明電極中之瑕疵存在的評估係在50×50mm之試樣上，使用Olympus BX51 ©光學顯微鏡以(100倍、200倍、400倍)放大倍率進行。各試樣係藉由顯微鏡在不同放大倍率下觀察其整體。所有不具大於5μm之試樣均視為有效。
電極對基板之黏著的評估
電極對基板之黏著的評估係在50×50mm之試樣上，使用ASTMD3359 ©黏著測試進行。此測試之原理係由使用圓鋸刮擦工具在塗層中製造平行及垂直切口來產生格柵所組成。該等切口必須向下穿透至該基板。接著，將壓敏性膠帶施加至該格柵上。然後迅速移除該膠帶。所有未顯示任何剝離之試樣均視為有效。
2)實例之組成： 說明：
實施例A：
將0.8g之於異丙醇(IPA)中濃度為0.19重量%的銀奈米絲之分散液刮刀塗覆至玻璃基板上以形成銀奈米絲的滲透網絡。
將10g之DMSO添加至5g之含1.2%乾燥萃取物的PEDOT：PSS Clevios PH1000 ©中。使用磁性攪拌器在600rpm下攪拌該混合物。攪拌10分鐘後，將0.6g之Emultex 378 ©(乾燥萃取物45%，Tg=40℃)添加至該溶液並攪拌30分鐘。
然後將所獲得之混合物刮刀塗覆至銀奈米絲的滲透網絡上。此網絡係在150℃下硫化5分鐘時間。
實施例B：
將0.8g之於IPA中濃度為0.19重量%的銀奈米絲之分散液刮刀塗覆至撓性基板(PET、PEN)上以形成銀奈米絲的滲透網絡。
將10g之DMSO添加至30mg之PVP(以去離子水稀釋 至20%)，然後使用磁性攪拌器在600rpm下攪拌10分鐘。然後將5g之含1.2%乾燥萃取物的PEDOT：PSS Clevios PH1000 ©添加至該滲透混合物。再攪拌10分鐘後，將0.6g之Revacryl 272 ©(乾燥萃取物45%，Tg=-30℃)添加至該溶液並攪拌30分鐘。
然後將所獲得之混合物刮刀塗覆至銀奈米絲的滲透網絡上。此網絡係在150℃下硫化5分鐘時間。
實施例C：
將20g之DMSO添加至20mg之PVP(以去離子水稀釋至20%)，然後使用磁性攪拌器在600rpm下攪拌10分鐘。然後將5g之含1.2%乾燥萃取物的PEDOT：PSS Clevios PH1000 ©添加至該滲透混合物。再攪拌10分鐘後，將0.6g之Emultex 378 ©(乾燥萃取物45%，Tg=40℃)及4g之於IPA中濃度為2.48重量%的銀奈米絲之分散液添加至該溶液且攪拌30分鐘。
然後將所獲得之混合物刮刀塗覆至玻璃基板上。然後該沉積物係在150℃下硫化5分鐘時間。
實施例D：
將0.6g之於IPA中濃度為0.19重量%的銀奈米絲之分散液刮刀塗覆至玻璃基板上以形成銀奈米絲的滲透網絡。
將10g之DMSO添加至30mg之PVP(以去離子水稀 釋至20%)，然後使用磁性攪拌器在600rpm下攪拌10分鐘。然後將5g之含1.2%乾燥萃取物的PEDOT：PSS Clevios PH1000 ©添加至該滲透混合物。再攪拌10分鐘後，將0.6g之Revacryl 272©(乾燥萃取物45%，Tg=-30℃)添加至該溶液並攪拌30分鐘。
然後將所獲得之混合物刮刀塗覆至銀奈米絲的滲透網絡上。此網絡係在150℃下硫化5分鐘時間。
根據先前技術之反例：
根據以下參數，使用旋塗器將2g之係自交聯且以蒸餾水預稀釋至15%之腈橡膠(NBR)Synthomer 5130 ©沉積在撓性基板(PET、PEN)上：加速度200rpm/s，速度為2000rpm為時100s。然後該乳膠膜係在烘箱中於150℃下硫化5分鐘。
然後藉由旋塗(加速度500rpm.s，速度：5000rpm，時間：100s)將2g之於乙醇中濃度為0.16重量%的銀奈米絲之分散液沉積在該經硫化乳膠層上。該操作係重複6次(6個銀奈米絲層)以形成銀奈米絲之滲透網絡。
使用高切力混合器(Silverson L5M ©)，在800轉/分鐘之速度下2小時，將8.5mg之MWNTs Graphistrength C100 ©奈米碳管分散在14.17g之PEDOT：PSS Clevios PH1000 ©的分散液中及分散在17g之DMSO中。
將31.1g之先前製備之奈米碳管的分散液添加至3.76g之於水性懸浮液中的Synthomer ©。然後使用磁性攪拌 器攪拌該混合物30分鐘。
然後使用不鏽鋼柵欄(=50μm)過濾該獲得之混合物，以移除分散不良之奈米碳管的粉塵及大型聚集體。
然後使用旋塗器(加速度500rpm.s，速度：5000rpm，時間：100s)將該混合物施加至該銀奈米絲之滲透網絡。此網絡係在150℃下硫化5分鐘。
結果：
黏著聚合物或黏著共聚物(b)直接存在於導電層2中使得後者可直接接觸且直接黏著至基板層1，而不必事先將額外黏著層施加至該基板層1上。於是此做法可獲得高透射率。此外，該導電層2之組成使得具有低表面電阻，因此不存在「降低」導電率之元件，例如先前技術中所使用之奈米碳管。
因此該多層導電性透明電極具有高透射率、低表面電阻，因該組成較簡單及需要較少製造步驟而降低成本。
1‧‧‧基板層
2‧‧‧導電層
3‧‧‧金屬奈米絲

Claims (18)

  1. 一種多層導電性透明電極，其包含：-基板層(1)，-導電層(2)，其包含：￮至少一種隨意地經取代之聚噻吩導電聚合物，及￮金屬奈米絲(3)之滲透網絡，其特徵在於該導電層(2)係與該基板層(1)直接接觸，且該導電層(2)亦包含至少一種疏水性黏著聚合物或黏著共聚物。
  2. 如申請專利範圍第1項之多層導電性透明電極，其中該導電層(2)亦包含至少一種額外聚合物。
  3. 如申請專利範圍第2項之多層導電性透明電極，其中該額外聚合物為聚乙烯吡咯啶酮。
  4. 如申請專利範圍第1至3項其中一項之多層導電性透明電極，其具有大於或等於75%之在可見光譜中的平均透射率。
  5. 如申請專利範圍第1至3項其中一項之多層導電性透明電極，其具有小於100Ω/□之表面電阻。
  6. 如申請專利範圍第1至3項其中一項之多層導電性透明電極，其中該基板(1)係選自玻璃及透明撓性聚合物。
  7. 如申請專利範圍第1至3項其中一項之多層導電性透明電極，其中該金屬奈米絲(3)為貴金屬之奈米絲。
  8. 如申請專利範圍第1至3項其中一項之多層導電性 透明電極，其中該金屬奈米絲(3)為非貴金屬之奈米絲。
  9. 如申請專利範圍第1至3項其中一項之多層導電性透明電極，其中該黏著聚合物或黏著共聚物係選自聚乙酸乙烯酯聚合物或丙烯腈-丙烯酸酯共聚物。
  10. 一種製造多層導電性透明電極之方法，其包含下列步驟：-步驟(i)：在基板層(1)上直接製備並施加導電層(2)，該導電層(2)包含：￮至少一種隨意地經取代之聚噻吩導電聚合物，￮金屬奈米絲(3)之滲透網絡，及￮至少一種疏水性黏著聚合物或黏著共聚物，-步驟(ii)：使該導電層(2)交聯。
  11. 如申請專利範圍第10項之製造多層導電性透明電極的方法，其中在基板層(1)上直接製備並施加導電層(2)之步驟(i)包括下列子步驟：-子步驟(101)：製備形成導電層(2)之組成物，該組成物包含：￮至少一種隨意地經取代之聚噻吩導電聚合物的分散液或懸浮液，￮至少一種疏水性黏著聚合物或黏著共聚物，-子步驟(103)：將金屬奈米絲(3)之懸浮液添加至該形成該導電層(2)的組成物中，-子步驟(105)：將該混合物直接施加至該基板層(1)，及 -子步驟(111)：乾燥。
  12. 如申請專利範圍第10項之製造多層導電性透明電極的方法，其中在基板層(1)上直接製備並施加導電層(2)之步驟(i)包括下列子步驟：-子步驟(101)：製備形成導電層(2)之組成物，該組成物包含：￮至少一種隨意地經取代之聚噻吩導電聚合物的分散液或懸浮液，￮至少一種疏水性黏著聚合物或黏著共聚物，-子步驟(107)：將金屬奈米絲(3)之懸浮液直接施加至該基板層(1)上，以形成金屬奈米絲(3)之滲透網絡，-子步驟(109)：將該形成該導電層(2)之組成物施加至該金屬奈米絲(3)的滲透網絡上，及-子步驟(111)：乾燥。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之製造多層導電性透明電極的方法，其中該形成該導電層(2)之組成物亦包含至少一種額外聚合物。
  14. 如申請專利範圍第13項之製造多層導電性透明電極的方法，其中該額外聚合物為聚乙烯吡咯啶酮。
  15. 如申請專利範圍第10至12項其中一項之製造多層導電性透明電極的方法，其中該基板層(1)之基板係選自玻璃及透明撓性聚合物。
  16. 如申請專利範圍第10至12項其中一項之製造多層導電性透明電極的方法，其中該金屬奈米絲(3)為貴金 屬之奈米絲。
  17. 如申請專利範圍第10至12項其中一項之製造多層導電性透明電極的方法，其中該金屬奈米絲(3)為非貴金屬之奈米絲。
  18. 如申請專利範圍第10至12項其中一項之製造多層導電性透明電極的方法，其中該黏著聚合物或黏著共聚物係選自聚乙酸乙烯酯聚合物或丙烯腈-丙烯酸酯共聚物。
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