TW201436857A - Ｐｔｆｅ膜 - Google Patents
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Abstract
本發明揭示多孔PTFE膜，其包含第一多孔表面及第二多孔表面，及介於該第一多孔表面與該第二多孔表面之間的主體，其中該膜具有約2奈米至約50奈米之孔隙等級，且該第一及第二多孔表面各包含約1或大於1之非熔融結節面積與熔融結節面積比率，以及製造及使用該等膜之方法。
Description
本發明係關於多孔PTFE膜以及製造及使用該等膜之方法。
膨脹PTFE(ePTFE)膜被用於多種液體及氣體過濾應用中。然而，需要具有奈米範圍內之孔隙等級、展現高過濾效率、同時提供低流動阻力的多孔PTFE膜。
根據下文所列之描述將顯而易知本發明之此等及其他優點。
本發明之一個具體實例提供多孔PTFE膜，其包含第一多孔表面及第二多孔表面，及介於該第一多孔表面與該第二多孔表面之間的主體，其中該膜具有約2奈米至約50奈米範圍內之孔隙等級，且該第一及第二多孔表面各包含約1或大於1，較佳約2或大於2之非熔融結節面積與熔融結節面積比率。
在另一個實施例中，提供一種製造多孔PTFE膜之方法，該方法包括(a)使多孔PTFE膜經受高壓力持續指定的暴露時間；及(b)隨後使多孔PTFE膜經受高溫持續至少約10秒之暴露時間，其中該高溫為至少約200℃且小於325℃，且其中多孔膜在經受高溫時不與加熱元件接觸。
較佳地，(b)包含使多孔PTFE膜經受約200℃至約320℃範圍內之高溫持續至少約20秒之暴露時間，且其中該膜在經受高溫時不與加熱元件接觸。
根據本發明之具體實例，亦提供包括該等膜之裝置及物品，及使用該等膜的方法。
圖1為根據本發明之PTFE膜之多孔表面之一部分的示意圖，其顯示非熔融原纖維及結點，該膜藉由包括以下之方法製備：使該膜之多孔表面在約200℃至低於PTFE熔點範圍內之溫度下受熱，但不使該膜表面與加熱元件接觸。
圖2為比較性PTFE膜之多孔表面之一部分的示意圖，其顯示熔融原纖維及結點，該膜藉由包括以下之方法製備：使該膜之表面在接近PTFE熔點之溫度下受熱，其中使該膜之表面與加熱元件接觸，同時使該膜之表面受熱。
圖3顯示原生PTFE之表面。圖3A顯示頂表面之掃描電子顯微照片(亦顯示一些深度)，且圖3B顯示僅顯示頂表面的修改圖(使用MATLAB軟體創建，MathWorks,Natic,MA)。
圖4顯示已經壓光且與已加熱至至少315℃持續20分鐘之金屬元件直接接觸的PTFE膜之表面。圖4A顯示頂表面之SEM(亦顯示一些深度)，圖4B顯示僅顯示頂表面的修改圖。
圖5顯示根據本發明之一個具體實例的PTFE膜之表面，該膜藉由包括以下之方法製備：將該膜壓光且在至少約200℃、但低於PTFE熔點下受熱兩分鐘，但不使該膜之表面與加熱元件接觸。圖5A顯示頂表面
之SEM(亦顯示一些深度)，圖5B顯示僅顯示頂表面的修改圖。
根據本發明之一個具體實例，提供一種多孔PTFE膜，其包含第一多孔表面及第二多孔表面，及介於該第一多孔表面與該第二多孔表面之間的主體，其中該膜具有約2奈米至約50奈米範圍內之孔隙等級，且第一及第二多孔表面各包含約1或大於1，較佳約2或大於2之非熔融結節面積與熔融結節面積比率。在一個具體實例中，該膜具有約5奈米至約20奈米範圍內之孔隙等級。
根據本發明之一個具體實例，一種製造多孔PTFE膜的方法包括(a)使多孔PTFE膜經受高壓力持續指定的暴露時間；及(b)隨後使多孔PTFE膜經受高溫持續至少約10秒之暴露時間，其中該高溫為至少約200℃且小於325℃，且其中多孔膜在經受高溫時不與加熱元件接觸。較佳地，(b)包含使多孔PTFE膜經受約200℃至約320℃範圍內之高溫至少約20秒之暴露時間，且其中該膜在經受高溫時不與加熱元件接觸。
在另一個具體實例中，一種製造根據本發明之一個具體實例之多孔PTFE膜的方法包括(a)使包含PTFE之片材經受高壓力持續指定的暴露時間；視情況移除片材上之滑潤劑；(b)在片材中形成初始孔隙度以提供多孔PTFE膜；(c)使多孔PTFE膜經受高壓力持續指定的暴露時間；及(d)隨後使多孔PTFE膜經受高溫持續至少約10秒之暴露時間，其中高溫為至少約200℃且小於325℃，且其中多孔膜在經受高溫時不與加熱元件接觸。
製造多孔PTFE膜之方法的又一個具體實例包含(a)使包
含PTFE之片材經受高壓力持續指定的暴露時間；視情況移除片材上之滑潤劑；(b)在片材中形成初始孔隙度以提供多孔PTFE膜；(c)使多孔PTFE膜經受高溫持續指定的暴露時間，其中溫度與暴露時間之組合未使PTFE膜結構穩定化；(d)使未穩定之PTFE膜經受高壓力持續指定的暴露時間；及(e)隨後使多孔PTFE膜經受高溫持續至少約10秒之暴露時間，其中高溫為至少約200℃且小於325℃，且其中多孔膜在經受高溫時不與加熱元件接觸。
在其他具體實例中，提供膜，其中膜係藉由根據本發明之方法製備。
根據本發明之多孔PTFE膜有利地在奈米孔隙等級範圍內提供高過濾效率與低流動阻力之組合，且適用於多種液體及氣體(包括空氣)過濾應用，包括無菌過濾。例示性應用包括過濾半導體工業中所用之各種流體，諸如蝕刻劑浴液，包括例如酸、臭氧及/或過氧化物添加劑；用於清潔矽晶圓(例如作為SC-1及/或SC-2清潔之一部分)之流體，及排放，例如同時防止細菌通過。本發明膜在尺寸上穩定。在一些具體實例中，多孔PTFE膜可個別地加以使用，例如作為無支撐膜使用，且在其他具體實例中，多孔PTFE膜可與其他多孔元件及/或另一組件組合以提供例如物品，諸如複合物、過濾元件及/或過濾器。
根據製造本發明之多孔PTFE膜之方法的一個具體實例，使多孔PTFE膜經受高壓力持續指定的暴露時間，且隨後經受約200℃至低於PTFE之熔融溫度或熔點範圍內之高溫持續指定的暴露時間，其中使多孔PTFE膜經受高溫(以使膜穩定化)不包括使膜與加熱元件(諸如加熱輥或加熱板或加熱金屬元件)接觸，從而製得本發明之多孔PTFE膜。根據本發
明方法之較佳具體實例，使多孔PTFE膜經受高溫但不使該膜與加熱元件接觸包含：使該膜之至少一個表面暴露於例如對流熱或輻射熱，包括紅外線、微波或熱空氣，例如使該膜在熱空氣室(諸如輸送機式烘箱或其類似物)中暴露於熱空氣，同時至少在相對邊緣上限制膜，以在至少約200℃且低於325℃之溫度下通過烘箱時防止收縮。高溫下之指定暴露時間典型地為至少約10秒，較佳為至少約60秒或大於60秒。
有利地，根據本發明具體實例之方法適合於連續性膜製造與分批製造。另外，根據本發明具體實例之方法可為「可調的」，從而有效製造不同孔隙等級、孔隙級別及/或效率之膜。
多孔PTFE膜，較佳為雙軸膨脹多孔PTFE膜，在暴露於高溫之前，在高壓力下被壓縮(例如壓光或藉由此項技術中已知之其他方法壓縮)。該等膜之初始孔隙度可藉由例如拉伸、膨脹、穿孔及/或此項技術中已知之其他方法形成。典型地，在至少約30磅/平方吋(psi)(約207kPa)，例如在約50psi(約345kPa)至約600psi(約4140kPa)或大於600psi範圍內之壓力下壓縮該膜；或更佳地，在約225psi(1552kPa)至約350psi(2415kPa)或大於350psi範圍內之壓力下壓縮該等膜。
膜典型地以約5呎/分鐘(fpm)(約0.03公尺/秒(mps))至約30fpm(約0.15mps)範圍內之速率通過壓光輥。然而，速率可更快或更慢。速率較佳為至少約10fpm(約0.05mps)。
在壓縮多孔膜之後，使其經受高溫持續指定的暴露時間以使膜穩定化，其中高溫為約200℃至小於325℃，此溫度小於PTFE之熔點(未改質之純PTFE之熔點為約345℃)，且暴露時間典型地為至少10秒，例
如在約20秒至約35分鐘範圍內，暴露時間較佳為至少約45秒，例如在約60秒至約20分鐘範圍內。高溫典型地為至少約200℃(然而小於325℃)，例如在約220℃至約320℃範圍內，但溫度可更高(然而小於325℃)或更低。需要時，在使膜經受高溫時，膜可單向膨脹(例如在橫向上自約5%拉伸至約50%)且/或雙軸膨脹。
膜典型地以約5fpm(約0.03mps)至約30fpm(約0.15mps)範圍內之速率通過熱空氣室。然而，速率可更快或更慢。速率較佳為至少約10fpm(約0.05mps)。
高溫下之暴露時間可與高壓力下之暴露時間不同。使膜經受高溫(以使膜穩定化)，但不使膜之主要表面(上及下表面)與諸如加熱輥之加熱元件直接接觸；更確切而言，使膜之至少一個主要表面暴露於例如如上所述的對流熱或輻射熱，例如在輸送機式烘箱中；同時至少在相對邊緣上限制膜，以在通過烘箱時防止收縮。不受任何特定機制束縛，咸信使多孔膜經受低於PTFE熔點之高溫但不使膜之主要表面與加熱元件直接接觸類似於退火過程，從而減少孔隙熔融及/或閉合，同時使晶體結構穩定化(參見圖1，及圖5A至圖5B)。相比之下，且不受任何特定機制束縛，咸信使多孔膜經受等於或高於PTFE熔點之高溫、同時使膜之任一或兩個主要表面與加熱元件直接接觸類似於燒結過程，結果導致孔隙熔融及/或閉合增多(參見圖2，及圖4A至圖4B)。
根據本發明之膜具有良好機械穩定性，舉例說明，與加熱至150℃維持30分鐘且加以冷卻而展現約40%至約50%之尺寸變化的未處理膜相比，根據本發明之一個具體實例的膜展現約1%至約30%範圍內之尺
寸變化。膜穩定性亦可根據例如ASTM D2838-09「塑膠膜及薄片材之收縮張力及定向釋放應力之標準測試方法(Standard Test Method for Shrink Tension and Orientation Release Stress of Plastic Film and Thin Sheeting)」所展示。
典型地，在根據本發明之具體實例使膜之主要表面(亦即膜之上及下表面)經受高溫及高壓力之後，非熔融結節面積與熔融結節面積之比率為約1或大於1(例如在約1至約5範圍內)，更典型地為約1.5或大於1.5，較佳為約2或大於2，例如在約2至約5範圍內。
存在有測定非熔融結節面積與熔融結節面積之比率的多種方法。在本申請案之實施例2中，獲得膜表面之SEM影像，且使用AUTOCAD軟體(AutoDesk公司，San Rafael,CA)複製。圍繞扁平化且熔化在一起(熔融)之結點之周長繪製線條，且軟體計算所有熔融結點之總面積。類似地，圍繞未熔融結點之周長繪製線條(使用不同線條類型)，且軟體計算所有扁平化熔融結點之總面積。軟體計算非熔融結節面積與熔融結節面積之比率。
用於多孔PTFE膜之孔隙結構取決於欲自流體中移除之顆粒尺寸、欲處理之流體之組成，及所處理流體中之所要排出物含量。多孔PTFE膜可具有奈米範圍內之任何適合之孔隙結構，例如孔隙等級、孔隙尺寸(例如，如依據起泡點所證明，或依據如例如美國專利4,340,479中所述的KL(例如在約65psi至約100psi範圍內)所證明，或依據毛細管冷凝流式測孔術所證明)、平均流量孔隙(MFP)尺寸(例如，當使用氣孔計表徵時，例如Porvair氣孔計(Porvair plc,Norfolk,UK)或以商標POROLUX(Porometer.com；Belgium)獲得的氣孔計)、孔隙直徑(例如，當使用如例如
美國專利4,925,572中所述之經修改OSUF2測試表徵時)、移除等級或金顆粒過濾效率或金顆粒挑戰測試等級(例如，如Mizuno,T.等人，「A Novel Filter Rating Method Using Less Than 30-nm Gold Nanoparticle and Protective Ligand,」IEEE Transactions of Semiconductor Manufacturing,22(4),452,(2009)中一般性所述)。
根據Mizuno,T.等人，IEEE Transactions of Semiconductor Manufacturing,22(4),452,(2009)中之測定金顆粒過濾效率的典型方法可總結如下。材料：超純水(UPW)源；金膠體奈米顆粒，單分散性，NIST可追蹤源；較佳地，表面處理劑，諸如巰基丁二酸或2-胺基-2-羥基甲基-1,3-丙二醇；用於濾芯之過濾器外殼或平片盤；流量控制及量測、壓力控制及量測；注射或針筒泵；pH值、電阻率、TOC、UPW之溫度量測；及用於量測Au濃度之感應耦合電漿質譜儀(ICP-MS)儀器。測試方案：安裝濾芯或平片樣品、同時最小化污染；過濾器用酒精預濕潤，隨後用UPW沖洗；過濾器用表面處理劑預處理30分鐘以允許所有表面被塗佈；起始UPW流動以濕潤過濾器；對外殼進行排氣以排除夾帶的空氣；監測UPW之TOC、電阻率、pH值及溫度；收集過濾器下游樣品作為UPW對照(同時最小化污染)及收集代表性樣品；注射Au膠體懸浮液(適當濃度，在含有適當表面處理劑之UPW中稀釋)；利用最低濃度產生ICP-MS之3個對數降低值(LRV)解(對於平片樣品而言，可補足整個體積以達成Au NP挑戰濃度且使用泵或N2壓力使挑戰懸浮液流經平片樣品)；收集上游及下游樣品之等分樣品，例如在10分鐘、30分鐘及60分鐘時；使用充當空白對照之UPW對照樣品、用於校準之市購可追蹤Au標準物且核查Au膠體濃度範圍之線性度(上游
樣品可能需要稀釋)，經由ICP-MS量測Au濃度；根據ICP-MS Au量測結果計算Au膠體NP濃度(例如，Au膠體可為AuCl3)；及計算60分鐘樣品之LRV：LRV=log(上游/下游)。
較佳地，根據本發明之多孔PTFE膜之孔隙等級在約1奈米至約50奈米範圍內，典型地在約2奈米至約35奈米範圍內，較佳在約5奈米至約20奈米範圍內。
典型地，膜厚度在約0.2密耳(mil)至約3.0密耳(約5微米至約76微米)範圍內，較佳在約0.5密耳至約0.8密耳(約13微米至約20微米)範圍內，然而膜可比彼等值更厚或更薄。
多孔PTFE膜可具有任何所要的臨界濕潤表面張力(CWST，如例如美國專利4,925,572中所定義)。可如此項技術中所知，例如如美國專利5,152,905、5,443,743、5,472,621及6,074,869中另外所揭示來選擇CWST。典型地，膜具有約19達因/公分(dynes/cm)(約19×10-5N/cm)至約25達因/公分(約25×10-5N/cm)範圍內之CWST。
膜之表面特徵可藉由濕式或乾式氧化，藉由在表面上塗佈或沈積聚合物，或藉由接枝反應而加以改質(例如以影響CWST；以包括表面電荷，例如正或負電荷，及/或以改變表面極性或親水性)。改質包括例如照射、極性或帶電單體、用帶電聚合物對表面進行塗佈及/或固化，及進行化學改質以在表面上連接官能基。接枝反應可藉由暴露於能源(諸如氣體電漿、蒸氣電漿、電暈放電、熱、範德格萊夫發電機(Van der Graff generator)、紫外光、電子束)或暴露於各種其他形式之輻射或藉由使用電漿處理進行沈積而活化。
包括多孔PTFE膜之物品(諸如過濾器、過濾元件及/或複合物)可包括其他元件、層或組件，此等元件、層或組件可具有不同結構及/或功能，例如以下任一或多項中之至少一項：預過濾、支撐、排泄、間隔及緩衝。作為例證，過濾器亦可包括至少一個其他元件，諸如網篩及/或篩網。
根據本發明之具體實例，膜、過濾元件、複合物及/或過濾器可具有多種組態，包括平面式、褶疊式、螺旋及/或中空圓筒形。
膜、過濾元件、複合物及/或過濾器典型地安置於外殼中，該外殼包含至少一個入口及至少一個出口且界定至少一個位於該入口與該出口之間的流體流徑，其中該膜跨越流體流徑，以提供過濾裝置。較佳地，對於交叉流應用而言，膜、複合物及/或過濾器係安置於外殼中，該外殼包含至少一個入口及至少兩個出口且至少界定位於入口與第一出口之間的第一流體流徑及位於入口與第二出口之間的第二流體流徑，其中膜跨越第一流體流徑，以提供過濾裝置。過濾裝置可為可滅菌的。可使用具有適合形狀且提供至少一個入口及至少一個出口之任何外殼。
外殼可由與所處理之流體相容的任何適合硬質不滲透材料(包括任何不滲透熱塑性材料)製成。舉例而言，外殼可由金屬(諸如不鏽鋼)或由聚合物製成。在一個具體實例中，外殼為聚合物，諸如丙烯酸系樹脂、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯樹酯。
包含PTFE之適合片材(隨後可如上所述加工)可如此項技術中所知來製備。典型地，將細粉末PTFE樹脂與液體潤滑劑摻合，形成坯料，且加壓而形成預成型坯，經由縮減比在25：1至100：1範圍內的扇形模擠
出而形成扁平片材。將扁平化片材壓光至目標厚度，且較佳自扁平化片材移除滑潤劑，例如使用高壓蒸汽接觸表面來蒸發掉滑潤劑。除去滑潤劑之壓光片材較佳藉由通過一組經加熱(100℃至175℃)之可變速控制的輥而在加工方向上伸展，其中拉伸比典型地為最初長度的約1.1倍至約20倍。較佳地，經加工方向定向之片材(或條帶)接著在橫向上被拉伸以達成所要拉伸比，典型地為約12至約30倍寬度之拉伸比。較佳地，使條帶在橫向拉伸期間或之後立即通過加熱區(典型溫度在約550℉至約875℉(約288℃至468℃)範圍內)(然而，與此項技術中已知之方法(其中加熱使膜結構穩定化)相比，根據本發明之具體實例，加熱進行的時間短暫，例如小於約60秒，較佳在約10秒至約40秒範圍內，以使得結構未穩定化)。根據本發明之具體實例，所得多孔PTFE膜隨後可經受高壓力持續指定的暴露時間，且隨後經受高溫持續至少約10秒之暴露時間(以使膜穩定化)，其中高溫為至少約200℃且小於325℃，且其中膜在經受高溫時不與加熱元件接觸。
就上文所概述之使條帶在橫向拉伸期間或之後立即通過加熱區(典型溫度在約550℉至約875℉(約288℃至468℃)範圍內)而言，與此項技術中已知之製備相比，在根據本發明之一個較佳具體實例中，此係在不接觸加熱元件的情況下進行。
以下實施例進一步說明本發明，但當然不應視為以任何方式限制本發明範疇。
此實施例展示根據本發明之一個具體實例製備單層膜。
將細粉末PTFE樹脂與烴類液體潤滑劑混合且隨後形成坯
料。經由氣動壓機向坯料施加約70psi至90psi(約483kPa至約621kPa)且保持1分鐘以形成預成型坯。預成型坯經由液壓柱塞擠壓機，在650psi壓力下經扇形模組合件擠壓至50：1之縮減比，從而形成約54密耳(約1372微米)厚度之扁平化片材。
將扁平化片材壓光至8密耳(約203微米)之最終目標厚度。接著使用高壓蒸汽接觸表面蒸發掉滑潤劑而自扁平化片材移除滑潤劑。
除去滑潤劑之壓光片材藉由通過一組在150℃加熱的可變速(快速及緩慢)控制之輥而在加工方向上伸展。中間物(Media)被拉伸至最初長度之3.0倍。經加工方向定向之中間物隨後在橫向上如下被拉伸：在橫向上夾住經加工方向定向之中間物的邊緣且增加夾子之間的距離以達成21：1之拉伸比。條帶在橫向拉伸之後立即通過343℃加熱烘箱(輻射熱，與加熱元件無接觸)持續20秒。
隨後，將多孔PTFE膜在室溫下、在300psi之高壓力(約2068kPa)下壓光至0.5密耳(約13微米)之最終目標厚度。使中間物以10fpm(0.05mps)之速率通過壓光輥。
在壓縮多孔膜之後，使其在不拉伸的情況下通過熱空氣室(烘箱)且暴露於300℃之溫度60秒。使膜以10fpm(0.05mps)之速率通過熱空氣室。
膜特性如下：
如美國專利4,340,479中所述之在65psi至100psi範圍內之
異丙醇(IPA)KL為42.6至62.6，且金顆粒效率值(如Mizuno,T.等人，「A Novel Filter Rating Method Using Less Than 30-nm Gold Nanoparticle and Protective
Ligand,」IEEE Transactions of Semiconductor Manufacturing,22(4),452,(2009)中所述且如早期所概述)為1.5-2.4個對數移除值，相當於10nm孔隙等級。△P為6.8至12.4吋汞，厚度在0.4密耳至1.6密耳(約10.2微米至約40.6微米)範圍內。
在加熱至150℃維持30分鐘且冷卻之後，膜收縮3.2%至24.2%。
此實施例展示根據本發明之一個具體實例的膜(如實施例1中一般性描述所製備)之表面上的結節熔融百分比，其中與原生膜及經受高溫，包括使膜表面與315℃溫度之加熱元件接觸的膜相比，該膜之主要表面在該等表面不與加熱元件接觸的情況下在輸送機式烘箱中經受高溫(經受300℃溫度之熱空氣兩分鐘)。
在處理之前(原生；參見圖3A及圖3B)、在壓光且無接觸加熱之後(參見圖5A及圖5B)及在壓光且接觸加熱之後(參見圖4A及圖4B)的膜表面如下進行分析：使用AUTOCAD軟體(AutoDesk公司，San Rafael,CA)描繪結節輪廓且利用軟體程式計算熔融及非熔融結點之總面積。
結果提供於下表中：
實施例顯示，壓縮及加熱、但膜之主要表面不與加熱元件接觸可使得膜之多孔表面具有約2.2之非熔融結節面積與熔融結節面積比率。
本文引用之所有參考文獻，包括公開案、專利申請案及專利，皆以引用的方式併入本文中，其引用程度就如同個別及特別說明將各參考文獻以引用的方式併入且在本文中對其全文進行闡述一般。
除非本文中另有說明或上下文明顯抵觸，否則在描述本發明之上下文(特別是以下申請專利範圍之上下文)中使用術語「一(a/an)」及「該(the)」及「至少一個(at least one)」及類似指示詞應解釋為涵蓋單數與複數。除非本文中另有說明或上下文明顯抵觸，否則在一或多項之列項之後使用術語「至少一者」(例如「A與B中之至少一者」)應解釋為意謂選自所列項中的一項(A或B)或所列項中之兩者或兩者以上之任何組合(A與B)。除非另有說明，否則術語「包含(comprising)」、「具有(having)」、「包括(including)」及「含有(containing)」應理解為開放式術語(亦即意謂「包括(但不限於)(including,but not limited to)」。除非本文中另有指示，否則本文中引述值之範圍僅意欲充當簡寫方法來個別提及屬於該範圍之每一各別值，且每一各別值併入本說明書中，就如同在本文中個別引述了該值一般。除非本文中另有說明或另外上下文明顯抵觸，否則本文所述之所有方法可以任何適合順序進行。除非另有聲明，否則使用本文所提供之任何及所有實例或例示性語言(例如「諸如」)僅用於更好地說明本發明，且對本發明之範疇不構成限制。本說明書中所有語言均不應視為表明任何未主張要素為實施本發明所必需。
本文描述了本發明之較佳具體實例，包括本發明人已知用於實施本發明的最佳方式。一般熟習此項技術者在閱讀前述描述後可顯而易知彼等較佳具體實例之變化形式。本發明人預期熟習此項技術者會視需要使用此等變化形式，且本發明人希望本發明可以除本文特定描述以外之方式實施。因此，本發明包括隨附申請專利範圍中所述標的之所有修改及等效形式，如適用法律所允許。此外，除非本文另外指出或上下文明顯抵觸，否則本發明涵蓋上述要素之所有可能變化形式之任何組合。
Claims (9)
- 一種多孔PTFE膜，其包含第一多孔表面及第二多孔表面，及介於該第一多孔表面與該第二多孔表面之間的主體，其中該膜具有約2奈米至約50奈米範圍內之孔隙等級，且該第一及第二多孔表面各包含約1或大於1之非熔融結節面積與熔融結節面積比率。
- 如申請專利範圍第1項之PTFE膜，其中該第一及第二多孔表面各包含約1.5或大於1.5之非熔融結節面積與熔融結節面積比率。
- 如申請專利範圍第1項之PTFE膜，其中該第一及第二多孔表面各包含約1至約5範圍內之非熔融結節面積與熔融結節面積比率。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之PTFE膜，其具有約5奈米至約20奈米範圍內之孔隙等級。
- 一種製造多孔PTFE膜之方法，該方法包括：(a)使多孔PTFE膜經受高壓力持續指定的暴露時間；及(b)隨後使該多孔PTFE膜經受高溫持續至少約10秒之暴露時間，其中該高溫為至少約200℃且小於325℃，且其中該膜在經受該高溫時不與加熱元件接觸。
- 如申請專利範圍第5項之方法，其中(b)包含使該多孔PTFE膜經受約200℃至約320℃範圍內之高溫持續至少約20秒之暴露時間，且其中該膜在經受該高溫時不與加熱元件接觸。
- 如申請專利範圍第5項或第6項之方法，其中(b)中之該暴露時間為至少約45秒。
- 一種藉由如申請專利範圍第5項或第6項之方法所製造的膜。
- 一種藉由如申請專利範圍第7項之方法所製造的膜。
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