TW201436661A - 硬化體、硬化體之製造方法、積層體、印刷配線板及半導體裝置 - Google Patents

硬化體、硬化體之製造方法、積層體、印刷配線板及半導體裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種在印刷配線板之製造中，即使是為了使層薄型化而使用薄的樹脂組成物層時，仍可實現保有充分之乾膜密著性的表面起伏小之硬化體，並且可抑制粗糙度不均發生之技術。本發明提供一種硬化體，其係將樹脂組成物層積層於電路基板上且使該樹脂組成物層熱硬化而得之設置於電路基板上之硬化體，其中將樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度設為Tv(℃)時，樹脂組成物層之積層溫度為Tv-35℃~Tv+35℃，且將樹脂組成物層之厚度設為x(μm)，將電路基板之位於電路配線上之硬化體厚度設為y(μm)時，為0.3＜y/x≦1且y≦15。

Description

硬化體、硬化體之製造方法、積層體、印刷配線板及半導體裝置
本發明係關於硬化體、硬化體之製造方法、積層體、印刷配線板及半導體裝置。
於各種電子設備中廣泛使用之多層印刷配線板、可撓性印刷配線板等印刷配線板，為了電子設備之小型化、高功能化，而要求層之薄型化或電路之微細配線化。
作為印刷配線板之製造技術已知有利用交互層合重疊絕緣層與導體層之增層(build up)方式之製造方法。利用增層方式之製造方法中，一般係使樹脂組成物熱硬化而形成絕緣層。例如，專利文獻1中揭示使用含樹脂組成物之接著薄片將樹脂組成物層積層於電路基板上，並使該樹脂組成物層熱硬化獲得硬化體後，使該硬化體進行粗化處理而形成絕緣層之技術。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-37957號公報
形成絕緣層後，可藉由半加成法(semi additive method)或全加成法等技術形成具有期望圖型之導體層(配線層)。一般，於絕緣層上配置圖型形成用乾膜並顯像期望之圖型後，藉由鍍敷而形成具有期望圖型之導體層。此時，就微細配線形成性之觀點而言，形成圖型之乾膜較好充分密著於絕緣層上。
然而，本發明人等發現為了使層薄型化而使用薄的樹脂組成物層形成絕緣層時，藉由樹脂組成物層之硬化而形成之硬化體表面會有成為與底層的電路基板之表面起伏(起因於有無電路配線)對應之起伏的傾向，而有因該起伏使圖型形成用乾膜之密著性下降之情況。該硬化體表面之起伏可藉由操作樹脂組成物層之積層條件等而變得稍減小，但本發明人發現於該情況下起伏的凸部(亦即，電路基板之電路配線上之絕緣層表面)與凹部(亦即，電路基板之無電路配線的部分上之絕緣層表面)在粗化處理後會有呈現大為不同的表面粗糙度之情況(以下，亦稱該現象為「粗糙度不均」)。該粗糙度不均有時係歸結於絕緣層表面之局部微細配線形成不良。
因此，印刷配線板之製造中，對於兼具層的 薄型化與電路的微細配線化尚有改善之餘地。
本發明之課題係提供一種印刷配線板之製造中，即使為了使層薄型化而使用薄的樹脂組成物層時，仍可實現保有充分之乾膜密著性且表面起伏小之硬化體，並且可抑制粗糙度不均發生之技術。
本發明人等針對上述課題而積極檢討之結果，發現藉由將樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度設為Tv(℃)時，樹脂組成物層之積層溫度為Tv-35℃~Tv+35℃之範圍，同時將樹脂組成物層之厚度設為x(μm)，將電路基板之位於電路配線上之硬化體厚度設為y(μm)時，x與y滿足0.3<y/x≦1且y≦15之關係可解決上述課題，因而完成本發明。
亦即，本發明包含以下之內容。
[1]一種硬化體，其係將樹脂組成物層積層於電路基板上且使該樹脂組成物層熱硬化而得之設置於電路基板上之硬化體，其中將樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度設為Tv(℃)時，樹脂組成物層之積層溫度為Tv-35℃~Tv+35℃，將樹脂組成物層之厚度設為x(μm)，將電路基板之位於電路配線上之硬化體厚度設為y(μm)時，為0.3<y/x≦1且y≦15。
[2]如[1]所記載之硬化體，其中x≦25。
[3]如[1]或[2]所記載之硬化體，其中硬化體表面之最大剖面高度Rt為3.5μm以下。
[4]如[1]~[3]中任一項所記載之硬化體，其係使樹脂組成物層在未達Tv之溫度保持10分鐘以上後，在Tv以上之溫度保持10分鐘以上進行熱硬化而得。
[5]一種粗化硬化體，其係將如[1]~[4]中任一項所記載之硬化體進行粗化處理所得。
[6]如[5]所記載之粗化硬化體，其中電路基板之位於電路配線上之粗化硬化體表面的算術平均粗糙度，與電路基板之無電路配線之部分上之粗化硬化體表面的算術平均粗糙度之差為160nm以下。
[7]一種積層體，其係具備如[5]或[6]所記載之粗化硬化體、與形成於該粗化硬化體表面之導體層。
[8]一種硬化體之製造方法，其包含下列步驟：(A)將樹脂組成物層積層於電路基板上之步驟，及(B)使樹脂組成物層熱硬化而於電路基板上設置硬化體之步驟，且將樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度設為Tv(℃)時，樹脂組成物層之積層溫度為Tv-35℃~Tv+35℃，將樹脂組成物層之厚度設為x(μm)，將電路基板之位於電路配線上之硬化體厚度設為y(μm)時，為0.3<y/x≦1且y≦15。
[9]如[8]所記載之硬化體之製造方法，其中x≦25。
[10]如[8]或[9]所記載之硬化體之製造方法，其中硬 化體表面之最大剖面高度Rt為3.5μm以下。
[11]如[8]~[10]中任一項所記載之硬化體之製造方法，其中步驟(B)中，使樹脂組成物層在未達Tv之溫度保持10分鐘以上後，在Tv以上之溫度保持10分鐘以上而進行熱硬化。
[12]一種印刷配線板，其係藉由如[1]~[4]中任一項所記載之硬化體形成有絕緣層者。
[13]一種半導體裝置，其係包含如[12]所記載之印刷配線板。
依據本發明，在印刷配線板之製造中，即使為了使層薄型化而使用薄的樹脂組成物層時，仍可實現保有充分之乾膜密著性且表面起伏小的硬化體，同時可抑制粗糙度不均之發生。
1‧‧‧樹脂組成物層
2‧‧‧硬化體
3‧‧‧電路基板
4‧‧‧電路配線
5‧‧‧基板
圖1係概略顯示樹脂組成物層剖面之圖。
圖2係概略顯示本發明之一實施形態中之設置於電路基板上之硬化體剖面之圖。
以下，就本發明之較佳實施形態詳細說明本 發明。
[硬化體]
本發明之硬化體係將樹脂組成物層積層於電路基板上且使該樹脂組成物層熱硬化而得之設置於電路基板上之硬化體，其特徵為將樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度設為Tv(℃)時，樹脂組成物層之積層溫度為Tv-35℃~Tv+35℃，且將樹脂組成物層之厚度設為x(μm)，將電路基板之電路配線上之硬化體厚度設為y(μm)時，為0.3<y/x≦1且y≦15。
其上設置本發明的硬化體之所謂「電路基板」係指單面或兩面上具有經圖型加工之電路配線之基板。電路基板所使用之基板列舉為例如玻璃環氧樹脂基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等。且製造印刷配線板時，進一步欲形成絕緣層及/或導體層之中間製造物的內層電路基板亦包含於本發明之「電路基板」中。
基板之單面或兩面上之經圖型加工之電路配線之厚度並無特別限制，但就層之薄型化之觀點而言，較好為70μm以下，更好為30μm以下，又更好為20μm以下。電路配線厚度下限並無特別限制，但較好為1μm以上，更好為3μm以上，又更好為5μm以上。
基板之單面或兩面上之經圖型加工之電路配線之線/間隔比並無特別限制，但為抑制硬化體表面之起 伏，故較好為200/200μm以下，更好為100/100μm以下，又更好為40/40μm以下，再更好為20/20μm以下，最好為8/8μm。電路配線之線/間隔比之下限並無特別限制，但為了使樹脂良好地埋入於間隔間，較好為0.5/0.5μm以上，更好為1/1μm以上。
本發明之硬化體係將樹脂組成物層積層於該電路基板上，使該樹脂組成物層熱硬化而得。
就印刷配線板之層薄型化之觀點而言，期望使用薄的樹脂組成物層。然而，使用薄的樹脂組成物層時，所形成之硬化體表面會有成為與底層的電路基板之電路配線圖型對應之較大起伏之傾向。該種硬化體表面之較大起伏係歸結於圖型形成用乾膜之密著性降低之微細配線形成性惡化。
就抑制該硬化體表面起伏之觀點而言，將樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度設為Tv(℃)時，將樹脂組成物層積層於電路基板上時之溫度(以下亦稱為「積層溫度」)為Tv-35℃~Tv+35℃之範圍，較好為Tv-30℃~Tv+30℃之範圍，更好為Tv-25℃~Tv+25℃之範圍，又更好為Tv-20℃~Tv+20℃之範圍，再更好為Tv-15℃~Tv+15℃之範圍。
此處，樹脂組成物層之所謂「最低熔融黏度溫度」係指樹脂組成物層顯示最低熔融黏度時之溫度。且，樹脂組成物層之所謂「最低熔融黏度」係指使樹脂組成物層之樹脂熔融時樹脂組成物層所呈現之最低黏度。詳 言之，以一定之升溫速度加熱樹脂組成物層使樹脂熔融時，初期階段熔融黏度隨著溫度上升而下降，隨後，超過某一溫度時隨著溫度上升熔融黏度上升時，所謂「最低熔融黏度」係指該極小點之熔融黏度。樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度可藉動態黏彈性法測定。具體而言，樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度可藉由在測定開始溫度60℃、升溫速度5℃/分鐘及震動數1Hz、應變(strain)1度之條件進行動態黏彈性測定而得。至於動態黏彈性測定裝置列舉為例如UBM(股)公司製之「Rheosol-G3000」。
硬化體表面之起伏可利用硬化體表面之最大剖面高度Rt進行評價。硬化體表面之最大剖面高度Rt超過4μm時，會有圖型形成用乾膜之密著性顯著下降之傾向。就實現圖型形成用乾膜之充分密著性之觀點而言，本發明之硬化體之表面最大剖面高度Rt較好為3.5μm以下，更好為3.3μm以下，又更好為3.1μm以下，再更好為2.9μm以下、2.7μm以下、2.5μm以下、2.3μm以下、2.1μm以下、或1.9μm以下。
硬化體表面之最大剖面高度Rt可使用非接觸型表面粗糙度計測定。非接觸型表面粗糙度計之具體例列舉為Veeco Instruments製之「WYKO NT3300」。
藉由抑制硬化體表面之起伏而提高圖型形成用乾膜之密著性。然而，使用薄的樹脂組成物層形成硬化體時，需要注意粗糙度不均之發生。亦即，使用薄的樹脂組成物層於電路基板上設置表面起伏小的硬化體時，會有 起伏之凸部(亦即，電路基板之位於電路配線上之硬化體表面)與凹部(亦即，電路基板之無電路配線部分上之硬化體表面)在粗化處理後呈現大為不同之表面粗糙度之情況。該粗糙度不均可藉由粗化處理後之硬化體表面中之起伏之凸部的算術平均粗糙度(Ra1)與起伏之凹部的算術平均粗糙度(Ra2)之差(|Ra1-Ra2|)予以評價。|Ra1-Ra2|之值高到超過160nm時，在形成導體層(電路配線)時會有歸結於局部微細配線形成不良之傾向。該粗糙度不均容易發生於使用薄的樹脂組成物層於電路基板上設置表面起伏小之硬化體時，其中，本發明人等發現在下述情況等時特別容易引起粗糙度不均：i)使用無機填充材含量高的樹脂組成物層時，ii)使用具有樹脂組成物層/支撐體層之層構成之接著薄片形成硬化體時，在使附有支撐體之狀態使樹脂組成物層熱硬化時等。
又，硬化體表面之算術平均粗糙度Ra可使用非接觸型表面粗糙度計測定。非接觸型表面粗糙度計之具體例列舉為Veeco Instruments製之「WYKO NT3300」。
就一面實現層之薄型化一面抑制粗糙度不均發生之觀點而言，重要的是將樹脂組成物層之厚度設為x(μm)，將電路基板之位於電路配線上之硬化體厚度設為y(μm)時，以使x及y滿足0.3<y/x≦1且y≦15之方式，進行樹脂組成物層之積層及熱硬化。又，樹脂組成物層之厚度x係指積層於電路基板前之樹脂組成物層之厚度，電路基板之位於電路配線上之硬化體厚度y係指電路基板之 位於電路配線正上方之硬化體之厚度。
x及y滿足上述關係時，即使使用薄的樹脂組成物層形成硬化體時，仍可有利地抑制粗糙度不均發生。例如，樹脂組成物層之厚度x可設為未達50μm。再者使用具有40μm以下、35μm以下、30μm以下、或25μm以下之厚度x之樹脂組成物層時，亦可有利地抑制粗糙度不均之發生。樹脂組成物層之厚度x之下限並無特別限制，但較好為1μm以上，更好為2μm以上，又更好為5μm以上。
就一面實現層之薄型化一面抑制粗糙度不均發生之觀點而言，y≦15時，較好為0.35≦y/x≦1，更好為0.4≦y/x≦1，又更好為0.5≦y/x≦1，最好為0.6≦y/x≦1。
就層之薄型化之觀點而言，較好為y≦14，更好為y≦12，又更好為y≦10，最好為y≦9、y≦8、y≦7或y≦6。y為該範圍時，且y/x比處於上述範圍時亦可有利地抑制粗糙度不均之發生。y之下限只要能發揮使本發明之硬化體作為絕緣層之功能即無特別限制，但通常為0.5≦y，較好為1≦y。又，y/x比之上限亦可未達1。
就減小硬化體表面之起伏並且抑制粗糙度不均發生之觀點而言，積層於電路基板上之樹脂組成物層較好在未達該樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度Tv之溫度保持10分鐘後，在Tv以上之溫度保持10分鐘進行熱硬化。針對樹脂組成物層之熱硬化之細節敘述於後。
本發明之硬化體，如上述，有助於在電路配線上之厚度薄如15μm以下之層的薄型化，並且具有起伏小之表面亦可抑制粗糙度不均之發生，故而亦有助於電路之微細配線化。因此，本發明之硬化體係在印刷配線板之製造中，明顯有助於層的薄型化與電路之微細配線化二者。
又，圖1係概略顯示用於形成本發明之硬化體所使用之樹脂組成物層之剖面。上述x係指積層於電路基板上之前的樹脂組成物層1之厚度。
又，圖2係概略顯示本發明之一實施形態中之設置於電路基板上之硬化體之剖面。圖2中，電路基板3係於基板5上具備經圖型加工之配線電路4，硬化體2係設置於該電路基板3上。上述y係指電路基板之電路配線4上之硬化體2的厚度。
以下，針對用以形成本發明之硬化體所使用之樹脂組成物層加以說明。
〈樹脂組成物層〉
樹脂組成物層中所用之樹脂組成物並無特別限制，只要使形成之硬化體具有充分硬度與絕緣性者即可。就降低所得之硬化體(絕緣層)之熱膨脹率，且防止因絕緣層與導體層之熱膨脹差所致之龜裂或電路變形發生之觀點而言，樹脂組成物層中所用之樹脂組成物較好含有無機填充材。
如前述，本發明人等發現使用無機填充材含 量高的樹脂組成物層形成硬化體時特別容易引起粗糙度不均，但依據本發明，即使使用無機填充材含量高的樹脂組成物時仍可有利地抑制粗糙度不均之發生。
樹脂組成物中之無機填充材之含量，就充分地降低所得硬化體之熱膨脹率之觀點而言，較好為50質量%以上，更好為60質量%以上，又更好為65質量%以上。
又，本發明中，樹脂組成物中之各成分之含量係以樹脂組成物中之不揮發成分之合計作為100質量%時之值。
本發明中，可一面抑制粗糙度不均之發生，一面進而提高樹脂組成物中之無機填充材含量。例如，樹脂組成物中之無機填充材之含量亦可高至66質量%以上、68質量%以上、或70質量%以上。
樹脂組成物中之無機填充材之含量上限，就藉由樹脂組成物層之熱硬化所得之硬化體之機械強度之觀點而言，較好為95質量%以下，更好為90質量%以下。
無機填充材列舉為例如二氧化矽、氧化鋁、硫酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、鋯酸鋇、及鋯酸鈣等。該等中以無定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等二氧化矽最佳。且二氧化矽較好為球狀二氧化矽。無機填充材可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。市售之球狀熔融二氧化矽 列舉為Admatechs(股)製之「SOC2」、「SOC1」。
無機填充材之平均粒徑較好為0.01μm~2μm之範圍，更好為0.05μm~1.5μm之範圍，又更好為0.07μm~1μm之範圍，再更好為0.1μm~0.8μm。無機填充材之平均粒徑可基於Mie散射理論，藉由雷射繞射．散射法測定。具體而言，可藉由雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置，以體積基準作成無機填充材之粒度分佈，以其中值直徑作為平均粒徑而測定。測定樣品可較好地使用以超音波將無機填充材分散於水中者。雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置可使用堀場製作所股份有限公司製之LA-500等。
為提高耐濕性，無機填充材較好以胺基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等之1種以上之表面處理劑予以處理。表面處理劑之市售品列舉為例如信越化學工業(股)製之「KBM403」(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製之「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製之「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(股)製之「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製之「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)等。
又，以表面處理劑進行表面處理之無機填充材可在以溶劑(例如，甲基乙基酮(MEK))洗淨處理後，測定無機填充材之每單位表面積之碳量。具體而言，將作為 溶劑之充分量的MEK添加於以表面處理劑進行表面處理之無機填充材中，在25℃進行超音波洗淨5分鐘。去除上澄液，使固體成分乾燥後，可使用碳分析計測定無機填充材之每單位表面積之碳量。至於碳分析計可使用堀場製作所製之「EMIA-320V」等。
無機填充材之每單位表面積之碳量，就提高無機填充材之分散性之觀點而言，較好為0.02mg/m2以上，更好為0.1mg/m2以上，又更好為0.2mg/m2以上。另一方面，就防止樹脂漆料之熔融黏度或於薄片形態之熔融黏度上升之觀點而言，較好為1mg/m2以下，更好為0.8mg/m2以下，又更好為0.5mg/m2以下。
樹脂組成物層中所用之樹脂組成物包含熱硬化性樹脂作為樹脂。至於熱硬化性樹脂可使用形成印刷配線板之絕緣層時所使用之以往習知之熱硬化性樹脂，其中以環氧樹脂較佳。樹脂組成物另亦可視需要含硬化劑。於一實施形態中，可使用含無機填充材、環氧樹脂及硬化劑之樹脂組成物。樹脂組成物層中所用之樹脂組成物亦可進一步含有熱可塑性樹脂、硬化促進劑、難燃劑及橡膠粒子等添加劑。
以下，針對可作為樹脂組成物之材料使用之環氧樹脂、硬化劑及添加劑加以說明。
(環氧樹脂)
作為環氧樹脂列舉為例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F 型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚環氧樹脂、萘酚酚醛清漆環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、第三丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、鏈狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含螺環之環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂及三羥甲基型環氧樹脂等。環氧樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
環氧樹脂較好為1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂。以環氧樹脂之不揮發成分作為100質量%時，較好至少50質量%以上為1分子中具有2個以上之環氧基之環氧樹脂。其中，較好包含1分子中具有2個以上環氧基且於溫度20℃為液狀之環氧樹脂(以下稱為「液狀環氧樹脂」)、與1分子中具有3個以上環氧基且於溫度20℃為固體狀之環氧樹脂(以下稱為「固體狀環氧樹脂」)。藉由併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為環氧樹脂，獲得了具有優異可撓性之樹脂組成物。且，亦提高使樹脂組成物硬化形成之硬化體之破裂強度。
至於液狀環氧樹脂，較好為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、或萘型環氧樹脂，更好為雙酚A型環氧樹脂或萘型環氧樹脂。液狀環氧樹脂之具體例列舉為DIC(股)製之「HP4032」、 「HP4032D」、「EXA4032SS」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「jER828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「jER807」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(酚酚醛清漆型環氧樹脂)等。該等可單獨使用1種，或亦可併用2種以上。
至於固體狀環氧樹脂較好為4官能萘型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、或萘醚型環氧樹脂，更好為4官能萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、或萘醚型環氧樹脂。固體狀環氧樹脂之具體例列舉為DIC(股)製之「HP-4700」、「HP-4710」(4官能萘型環氧樹脂)、「N-690」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「HP-7200」(二環戊二烯型環氧樹脂)、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」、「HP6000」(萘醚型環氧樹脂)、日本化藥(股)製之「EPPN-502H」(三酚環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚酚醛清漆環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新日鐵化學(股)製之「ESN475V」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「ESN485」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「YX4000H」、「YX4000HK」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、大阪氣體化學(股)製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學(股)製造之「YL7800」(茀型環氧樹脂)等。
併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為環氧樹脂時，該等之量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)以質量比計較好為1：0.1~1：4之範圍。藉由使液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比成為該範圍，可獲得下述效果：i)以後述之接著薄片之形態使用時保有適度之黏著性，ii)以接著薄片之形態使用時獲得充分之可撓性，提高了作業性，以及iii)可獲得具有充分破裂強度之硬化體等。就上述i)~iii)的效果之觀點而言，液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)以質量比計，更好為1：0.3~1：3.5之範圍，又更好為1：0.6~1：3之範圍，最好為1：0.8~1：2.8之範圍。
樹脂組成物中之環氧樹脂含量較好為3質量%~50質量%，更好為5質量%~45質量%，又更好為5質量%~40質量%，最好為7質量%~35質量%。
環氧樹脂之環氧當量較好為50~3000，更好為80~2000，又更好為110~1000。藉由成為該範圍，而保有硬化物之交聯密度充分之表面粗糙度低的絕緣層。又，環氧當量可根據JIS K7236測定，係含1當量環氧基之樹脂質量。
(硬化劑)
硬化劑只要具有使環氧樹脂硬化之功能即無特別限制，列舉為例如酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯并噁嗪系硬化劑及氰醛酯系硬化劑。硬化劑可單 獨使用1種，或亦可併用2種以上。
就耐熱性及耐水性之觀點而言，酚系硬化劑及萘酚系硬化劑較好為具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑，或具有酚醛清漆構造之萘酚系硬化劑。且，就與導體層之密著性(剝離強度)之觀點而言，以含氮酚系硬化劑較佳，更好為含有三嗪骨架之酚系硬化劑。其中，就高度滿足耐熱性、耐水性及與導體層之密著性(剝離強度)之觀點而言，較好使用含有三嗪骨架之酚酚醛清漆樹脂作為硬化劑。
酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例列舉為例如明和化成(股)製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥(股)製之「NHN」、「CBN」、「GPH」、東都化成(股)製之「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN375」、「SN395」、DIC(股)製之「LA7052」、「LA7054」、「LA3018」等。
就與導體層之密著性(剝離強度)之觀點而言，亦較好為活性酯系硬化劑。至於活性酯系硬化劑雖無特別限制，但較好使用一般之酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之1分子中具有2個以上反應活性高的酯基之化合物。該活性酯系硬化劑較好係藉由使羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應而得者。尤其就提高耐熱性之觀點而言，較好為由羧酸化合物與羥基化合物獲得之活性酯系硬 化劑，更好為由羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物獲得之活性酯系硬化劑。至於羧酸化合物列舉為例如苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、衣康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、連苯四酸等。酚化合物或萘酚化合物列舉為例如氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、鄰-甲酚、間-甲酚、對-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、均苯三酚(phloroglucin)、苯三酚、二環戊二烯二酚化合物、酚酚醛清漆等。此處，所謂「二環戊二烯二酚化合物」係指於1分子之二環戊二烯中縮合2分子酚而得之二酚化合物。
具體而言，較好為含二環戊二烯二酚構造之活性酯化合物、含萘構造之活性酯化合物、含酚酚醛清漆之乙醯化物之活性酯化合物、含酚酚醛清漆之苯甲醯化物之活性酯化合物，其中更好為含萘構造之活性酯化合物、含二環戊二烯二酚構造之活性酯化合物。
至於活性酯系硬化劑之市售品，作為含二環戊二烯二酚構造之活性酯化合物列舉為「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」(DIC(股)製)，作為含萘構造之活性酯化合物列舉為「EXB9416-70BK」(DIC(股)製)，作為含酚酚醛清漆之乙醯化物之活性酯化合物列舉為「DC808」(三菱化學(股)製)，作為酚酚醛清漆之苯甲醯化物之活性酯化合物列舉 為「YLH1026」(三菱化學(股)製)等。
至於苯并噁嗪系硬化劑之具體例列舉為昭和高分子(股)製之「HFB2006M」、四國化成工業(股)製之「P-d」、「F-a」。
至於氰酸酯系硬化劑列舉為例如雙酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯(寡聚(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯基)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯基苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯基-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯基苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯基苯基)硫醚、及雙(4-氰酸酯基苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂，由酚酚醛清漆及甲酚酚醛清漆等衍生之多官能氰酸酯樹脂，該等氰酸酯樹脂一部分經三嗪化而成之預聚物等。至於氰酸酯系硬化劑之具體例列舉為日本LONZA(股)製之「PT30」及「PT60」(均為酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂)、「BA230」(雙酚A二氰酸酯之一部分或全部經三嗪化成三聚物之預聚物)等。
環氧樹脂與硬化劑之量比以[環氧樹脂之環氧基合計數]：[硬化劑之反應基合計數]之比率計，較好為1：0.2~1：2之範圍，更好為1：0.3~1：1.5，又更好為1：0.4~1：1。此處，所謂硬化劑之反應基為活性羥基、活性酯基等，係隨各硬化劑之種類而異。且，所謂環氧樹脂之環氧基合計數係針對所有環氧樹脂將各環氧樹脂之固體成分質量除以環氧當量之值合計而得之值，所謂硬化劑 之反應基合計數係針對所有硬化劑合計各硬化劑之固體成分質量除以反應基當量之值所得之值。藉由使環氧樹脂與硬化劑之量比成為該範圍，而進一步提高樹脂組成物之硬化物的耐熱性。
於一實施形態中，用以形成本發明之硬化體所使用之樹脂組成物包含上述無機填充材、環氧樹脂及硬化劑。樹脂組成物較好分別含有二氧化矽作為無機填充材，含有液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之混合物(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂之質量比較好為1：0.1~1：4之範圍，更好為1：0.3~1：3.5之範圍，又更好為1：0.6~1：3之範圍，最好為1：0.8~1：2.8之範圍)作為環氧樹脂，含有由酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯系硬化劑所組成群組選出之1種以上作為硬化劑。關於組合含有該特定成分之樹脂組成物層，無機填充材、環氧樹脂及硬化劑之較佳含量亦如上述，但其中，較好無機填充材之含量為50質量%~95質量%，環氧樹脂含量為3質量%~50質量%，更好無機填充材含量為50質量%~90質量%，環氧樹脂含量為5質量%~45質量%。關於硬化劑之含量，係以使環氧樹脂之環氧基之合計數與硬化劑之反應基之合計數之比，較好為1：0.2~1：2之範圍，更好為1：0.3~1：1.5之範圍，又更好為1：0.4~1：1之範圍之方式含有。
樹脂組成物亦可視需要進一步含熱可塑性樹脂、硬化促進劑、難燃劑及橡膠粒子等添加劑。
(熱可塑性樹脂)
熱可塑性樹脂列舉為例如苯氧樹脂、聚乙烯乙縮醛樹脂、聚烯烴樹脂、聚丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯醚樹脂及聚碸樹脂等。熱可塑性樹脂可單獨使用1種，或亦可併用2種以上。
熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量較好為8,000~70,000之範圍，更好為10,000~60,000之範圍，又更好為20,000~60,000之範圍。熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量係以凝膠滲透層析(GPC)法測定。具體而言，熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算之重量平均分子量可使用島津製作所(股)製之LC-9A/RID-6A作為測定裝置，使用昭和電工(股)製之Shodex K-800P/K-804L/K-804L作為管柱，使用氯仿作為移動相，以管柱溫度40℃進行測定，且使用標準聚苯乙烯之校正線算出。
至於苯氧樹脂列舉為例如具有由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、茀骨架、二環戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架、及三甲基環己烷骨架所組成群組選出之1種以上之骨架的苯氧樹脂。苯氧樹脂之末端可為酚性羥基、環氧基等之任一官能基。苯氧樹脂可單獨使用1種，或亦可併用2種以上。苯氧樹脂之具體例列舉為三菱化學(股)製之「1256」及 「4250」(均為含雙酚A骨架之苯氧樹脂)、「YX8100」(含雙酚S骨架之苯氧樹脂)、及「YX6954」(含雙酚苯乙酮骨架之苯氧樹脂)，此外列舉為東都化成(股)製之「FX280」及「FX293」、三菱化學(股)製之「YL7553」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」等。
聚乙烯乙縮醛樹脂之具體例列舉為電化學工業(股)製之電化丁醛4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP，積水化學工業(股)製之S-LEC BH系列、BX系列、KS系列、BL系列、BM系列等。
聚醯亞胺樹脂之具體例列舉為新日本理化(股)製之「RIKACOAT SN20」及「RIKACOAT PN20」。聚醯亞胺樹脂之具體例又列舉為使2官能性羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四元酸酐反應獲得之直鏈狀聚醯亞胺(日本特開2006-37083號公報記載者)、含聚矽氧烷骨架之聚醯亞胺(日本特開2002-12667號公報及日本特開2000-319386號公報等所記載者)等之改質聚醯亞胺。
聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例列舉為東洋紡績(股)製之「VYLOMAX HR11NN」及「VYLOMAX HR16NN」。聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例且列舉為日立化成工業(股)製之含有聚矽氧烷骨架之聚醯胺醯亞胺「KS9100」、「KS9300」等之改質聚醯胺醯亞胺。
聚醚碸樹脂之具體例列舉為住友化學(股)製之「PES5003P」等。
聚碸樹脂之具體例列舉為Solvay Advanced Polymers(股)製之聚碸「P1700」、「P3500」等。
樹脂組成物中之熱可塑性樹脂之含量較好為0.1質量%~20質量%。藉由使熱可塑性樹脂之含量成為該範圍，可使樹脂組成物之黏度適度，可形成厚度或塊性狀之均一樹脂組成物。樹脂組成物中之熱可塑性樹脂含量更好為0.5質量%~10質量%。
作為硬化促進劑，列舉為例如磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑等，較好為磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑，更好為胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑。
磷系硬化促進劑列舉為例如三苯膦、硼酸鏻化合物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、正丁基鏻四苯基硼酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫代氰酸鹽、四苯基鏻硫代氰酸鹽、丁基三苯基鏻硫代氰酸鹽等，較好為三苯膦、四丁基鏻癸酸鹽。
胺系硬化促進劑列舉為例如三乙胺、三丁胺等之三烷胺、4-二甲胺基吡啶、苄基二甲胺、2,4,6-參(二甲胺基甲基)苯酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一碳烯等，較好為4-二甲胺基吡啶、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一碳烯。
咪唑系硬化促進劑列舉為例如2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2- 乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸鹽、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異氰尿酸加成物、2-苯基咪唑異氰尿酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加成物，較好為2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑。
胍系硬化促進劑列舉為例如二氰二醯胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(鄰-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-正丁基雙胍、1-正十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(鄰-甲苯基)雙胍等，較好為二氰二醯胺、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯。
硬化促進劑可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。較佳之一實施形態中，樹脂組成物中所含有之硬化促進劑為選自由磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑及咪唑系硬化促進劑所組成群組選出之1種以上。樹脂組成物中之硬化促進劑含量，以環氧樹脂與硬化劑之不揮發成分合計量作為100質量%時，較好在0.05質量%~3質量%之範圍使用。
難燃劑列舉為例如有機磷系難燃劑、有機系含氮磷化合物、氮化合物、聚矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等。難燃劑可單獨使用1種，或亦可併用2種以上。樹脂組成物層中之難燃劑之含量並無特別限制，但較好為0.5質量%~10質量%，更好為1質量%~9質量%，又更好為1.5質量%~8質量%。
作為橡膠粒子係使用例如不溶解於後述有機溶劑中，且與上述環氧樹脂、硬化劑及熱可塑性樹脂等不相溶者。該橡膠粒子一般係以橡膠成分之分子量大到不溶解於有機溶劑或樹脂中之程度，成為粒狀而調製。
作為橡膠粒子列舉為例如芯殼型橡膠粒子、交聯丙烯腈丁二烯橡膠粒子、交聯苯乙烯丁二烯橡膠粒子、丙烯酸橡膠粒子等。芯殼型橡膠粒子為具有芯層與殼層之橡膠粒子，列舉為例如外層之殼層以玻璃狀聚合物構成，內層之芯層以橡膠狀聚合物構成之2層構造，或外層之殼層以玻璃狀聚合物構成，中間層以橡膠狀聚合物構成，芯層以玻璃狀聚合物構成之3層構造者等。玻璃狀聚 合物層以例如甲基丙烯酸甲酯聚合物等構成，橡膠狀聚合物層以例如丙烯酸丁酯聚合物(丁基橡膠)等構成。橡膠粒子可單獨使用1種，或亦可併用2種以上。
橡膠粒子之平均粒徑較好為0.005μm~1μm之範圍，更好為0.2μm~0.6μm之範圍。橡膠粒子之平均粒徑可使用動態光散射法測定。例如，可利用超音波等將橡膠粒子均一分散於適當有機溶劑中，且使用濃厚系粒徑分析儀(FPAR-1000；大塚電子(股)製)，以質量基準作成橡膠粒子之粒度分佈，以其中值直徑作為平均粒徑而測定。樹脂組成物中之橡膠粒子含量較好為1質量%~10質量%，更好為2質量%~5質量%。
用以形成本發明之硬化體所使用之樹脂組成物亦可視需要含其他添加劑，該其他添加劑列舉為例如有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等有機金屬化合物，以及有機填料、增黏劑、消泡劑、勻化劑、密著性賦予劑、著色劑及硬化性樹脂等之樹脂添加劑等。
本發明之硬化體可使用作為用以形成印刷配線板之絕緣層的硬化體(印刷配線板之絕緣層用硬化體)。其中，可較好地使用作為利用增層方式之印刷配線板之製造中，用以形成絕緣層之硬化體(印刷配線板之增層絕緣層用硬化體)，且可進一步使用作為使用圖型形成用乾膜以形成經圖型加工之導體層之硬化體(使用圖型形成用乾膜形成經圖型加工之導體層之印刷配線板的增層絕緣層用硬化體)。
用以形成本發明之硬化體所使用之樹脂組成物層就可簡便且有效地進行對電路基板之積層之觀點而言，較好以接著薄片之形態使用該樹脂組成物層。
於一實施形態中，該接著薄片包含支撐體、與該支撐體接合之樹脂組成物層(接著層)。
支撐體可較好地使用由塑膠材料所成之薄膜。至於塑膠材料列舉為例如聚對苯二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二酯(以下有時簡稱為「PEN」)等聚酯，聚碳酸酯(以下有時簡稱為「PC」)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯酸、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(TAC)、聚醚硫醚(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，較好為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯，最好為便宜之聚對苯二甲酸乙二酯。較佳之一實施形態中，支撐體為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。
支撐體亦可對與樹脂組成物層接合之側的表面施以霧面處理、電暈處理。且，作為支撐體，亦可使用與樹脂組成物層接合之側的表面具有脫模層之附脫模層之支撐體。
支撐體之厚度並無特別限制，但較好為5μm~75μm之範圍，更好為10μm~60μm之範圍。又，支撐體為附脫模層之支撐體時，附脫模層之支撐體整體之厚度較好在上述範圍。
接著薄片可藉由使樹脂組成物溶解於有機溶劑中調製樹脂漆料，使用模嘴塗佈器等將該樹脂漆料塗佈 於支撐體上，再經加熱，或者吹以熱風等使有機溶劑乾燥而形成樹脂組成物層加以製造。
有機溶劑可列舉為例如丙酮、甲基乙基酮及環己酮等酮類，乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖素乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等乙酸酯類，溶纖素及丁基卡必醇等卡必醇類、甲苯及二甲苯等芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺及N-甲基吡咯啶酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑可單獨使用1種，或亦可併用2種以上。
乾燥條件並無特別限制，但較好乾燥至樹脂組成物層中之有機溶劑含量(殘留溶劑量)成為10質量%以下，較好成為5質量%以下。殘留溶劑量之下限並無特別限制，但就樹脂組成物層之作業性或防止以薄片形態之熔融黏度上升之觀點而言，較好為0.5質量%以上，更好為1質量%以上。雖亦隨著樹脂漆料中之有機溶劑之沸點而異，但使用例如含30質量%~60質量%的有機溶劑之樹脂組成物時，可藉由在50℃~150℃乾燥3~10分鐘，而形成樹脂組成物。
接著薄片中，樹脂組成物層之未與支撐體接合之面(亦即，與支撐體相反之面)上可進一步根據支撐體而積層保護薄膜。保護薄膜之厚度並無特別限制，但可為例如1μm~40μm。藉由積層保護薄膜，可防止污垢等附著於樹脂組成物層之表面或防止傷痕。接著薄片可捲成滾筒狀保存，且於製造本發明之硬化體時，可藉由剝離保護 薄膜而使用。
[硬化體之製造方法]
本發明之硬化體之製造方法，其特徵為包含(A)將樹脂組成物層積層於電路基板上之步驟，及(B)使樹脂組成物層熱硬化，於電路基板上形成硬化體之步驟，且將樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度設為Tv(℃)時，樹脂組成物層之積層溫度為Tv-35℃~Tv+35℃，將樹脂組成物層之厚度設為x(μm)，將電路基板的電路配線上之硬化體厚度設為y(μm)時，為0.3<y/x≦1且y≦15。
步驟(A)中，將樹脂組成物層積層於電路基板上。步驟(A)中使用之電路基板及樹脂組成物層之構成係如上述。
本發明之硬化體之製造方法中，就抑制電路基板上形成之硬化體表面起伏之觀點而言，係在Tv-35℃~Tv+35℃之溫度範圍將樹脂組成物層積層於電路基板上。就抑制電路基板上形成之硬化體表面起伏之觀點而言，步驟(A)中之樹脂組成物層之積層溫度較好為Tv-30℃~Tv+30℃之範圍，更好為Tv-25℃~Tv+25℃之範圍，又更好為Tv-20℃~Tv+25℃之範圍，最好為Tv-15℃~Tv+15℃之範圍。
樹脂組成物層對電路基板之積層較好在上述 積層溫度條件下，以輥壓著或加壓壓著等，以使樹脂組成物層與電路基板接合之方式進行層合處理。其中，更好為在減壓下進行層合或真空層合法。
較佳之一實施形態中，樹脂組成物層對電路基板之積層可使用上述接著薄片進行。詳言之，可進行層合處理以使接著薄片之樹脂組成物層與電路基板接合。接著薄片具有保護薄膜時，可在去除保護薄膜後供給於步驟(A)中。又，支撐體之剝離可在步驟(A)與步驟(B)之間實施，亦可在步驟(B)之後實施，但就抑制粗糙度不均之觀點而言，較好在步驟(A)與步驟(B)之間實施。
層合處理較好一面考慮前述之x及y之關係，一面將壓著壓力設在1kgf/cm2~11kgf/cm2(0.098MPa~1.078MPa)之範圍，將壓著時間設為5秒~180秒之範圍，空氣壓力設為20mmHg(26.7hPa)以下之減壓下實施。
層合處理後，亦可藉由金屬板之熱加壓，進行經層合處理之接著薄片之平滑化處理。該平滑化處理可在常壓下(大氣壓下)，以經加熱之SUS鏡板等金屬板，藉由加熱或加壓接著薄片而實施。加熱及加壓條件可為與上述層合處理相同之條件。
層合處理(及平滑化處理)可使用市售之真空層合機實施。市售之真空層合機列舉為例如名機製作所(股)製之真空加壓式層合機、Nichigo Morton(股)製之真空塗佈機等。
步驟(B)中，使樹脂組成物層熱硬化，於電路 基板上形成硬化體。
就減小所形成之硬化體表面起伏並且抑制粗糙度不均發生之觀點而言，步驟(B)中，較好使樹脂組成物層在溫度T1保持一定時間後，在比溫度T1高之溫度T2下保持一定時間進行熱硬化。
溫度T1較好為未達Tv之溫度(℃)，更好為Tv-10℃以下，又更好為Tv-20℃以下，最好為Tv-25℃以下。溫度T1之下限較好為Tv-60℃以上，更好為Tv-50℃以上，又更好為Tv-40℃以上。
在溫度T1保持之時間係隨溫度T1之值而定，但較好為10分鐘以上，更好為10分鐘~150分鐘，又更好為15分鐘~120分鐘。
溫度T2較好為Tv以上之溫度(℃)，更好為Tv+10℃以上，又更好為Tv+20℃以上，再更好為Tv+30℃，最好為Tv+40℃以上。溫度T2之上限較好為Tv+100℃以下，更好為Tv+90℃以下，又更好為Tv+80℃以下，再更好為Tv+70℃以下，最好為Tv+60℃以下。
在溫度T2保持之時間係隨溫度T2之值而定，但較好為10分鐘以上，更好為10分鐘~100分鐘，又更好為10分鐘~80分鐘。
就減小所形成之硬化體表面起伏並且抑制粗糙度不均發生之觀點而言，步驟(B)中之樹脂組成物層之熱硬化較好在未達Tv之溫度保持10分鐘以上後，在Tv以上之溫度保持10分鐘以上而實施，更好在Tv-60℃以上 且未達Tv之溫度保持10分鐘以上後，在Tv以上且Tv+100℃以下之溫度保持10分鐘而實施，又更好在Tv-60℃以上且未達Tv之溫度保持10分鐘以上後，在Tv+10℃以上且Tv+100℃以下之溫度保持10分鐘而實施，再更好在Tv-50℃以上且在Tv-10℃以下之溫度保持10分鐘以上後，在Tv+10℃以上且Tv+90℃以下之溫度保持10分鐘而實施，又再更好在Tv-40℃以上且在Tv-20℃以下之溫度保持10分鐘以上後，在Tv+20℃以上且在Tv+80℃以下之溫度保持10分鐘而實施。
步驟(B)可在加壓下實施、可在常壓下實施或亦可在減壓下實施，但就減小所形成之硬化體表面起伏並且抑制粗糙度不均發生之觀點而言，較好以0.075mmHg~3751mmHg(0.1hPa~5000hPa)之範圍，更好為1mmHg~1875mmHg(1.3hPa~2500hPa)之範圍之空氣壓實施。其中，步驟(B)較好在常壓下實施。
自溫度T1到溫度T2之升溫速度並無特別限制，但較好為1.5℃/分鐘~30℃/分鐘，更好為2℃/分鐘~30℃/分鐘，又更好為4℃/分鐘~20℃/分鐘，再更好為4℃/分鐘~10℃/分鐘。
如先前所述，就一面實現層之薄型化一面抑制粗糙度不均發生之觀點而言，重要的是於將樹脂組成物層之厚度設為x(μm)，將電路基板的電路配線上之硬化體厚度設為y(μm)時，以使x及y滿足0.3<y/x≦1且y≦15之方式，實施樹脂組成物層之積層及熱硬化。x、y及y/x 比之較佳範圍如上述。
[粗化硬化體]
本發明之粗化硬化體可使本發明之硬化進行粗化處理而形成。
粗化處理之順序、條件並無特別限制，可採用形成印刷配線板之絕緣層時通常使用之習知順序、條件。例如，可依序實施以膨潤液之膨潤處理、以氧化劑之粗化處理、以中和液之中和處理，使硬化體表面進行粗化處理。至於膨潤液並無特別限制，但可列舉為鹼溶液、界面活性劑溶液等，較佳為鹼溶液，至於該鹼溶液更好為氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液。市售之膨潤液列舉為例如日本ATOTECH(股)製之Sweeling Dip Securiganth P、Sweeling Dip Securiganth SBU等。以膨潤液之膨潤處理並無特別限制，可藉由例如將硬化體浸漬在30~90℃之膨潤液中1分鐘~20分鐘而進行。就將硬化體之樹脂之膨潤抑制至適度程度之觀點而言，較好使硬化體浸漬在40~80℃之膨潤液中5秒~15分鐘。至於氧化劑並無特別限制，列舉為例如將過錳酸鉀或過錳酸鈉溶解於氫氧化鈉之水溶液中而成之鹼性過錳酸溶液。利用鹼性過錳酸溶液等氧化劑之粗化處理較好將硬化體浸漬在加熱至60℃~80℃之氧化劑溶液中10分鐘~30分鐘而進行。且，鹼性過錳酸溶液中之過錳酸鹽之濃度較好為5質量%~10質量%。市售之氧化劑列舉為例如日本ATOTECH(股)製之Concentrate． Compact CP、Doesing Solution Securiganth P等之鹼性過錳酸溶液。且，中和液較好為酸性水溶液，市售品列舉為例如日本ATOTECH(股)製之Reduction Solution Securigant P。利用中和液之處理可藉由將經氧化劑溶液施以粗化處理之處理面浸漬在30~80℃之中和液中5分鐘~30分鐘而進行。就作業性之觀點而言，較好為將以氧化劑溶液施以粗化處理之對象物浸漬在40~70℃之中和液中5分鐘~20分鐘之方法。
過去，使用薄的樹脂組成物層且將表面起伏小的硬化體設置在電路基板上時，起伏之凸部(亦即，電路基板之電路配線上之硬化體表面)與凹部(亦即，電路基板之無電路配線之部分上之硬化體表面)會有因粗化處理後呈現大為不同之表面粗糙度而發生粗糙度不均問題之情況。相對於此，本發明之硬化體經粗化處理所得之本發明之粗化硬化體之粗糙度不均發生受到抑制。亦即，本發明之粗化硬化體之特徵為電路基板之電路配線上之粗化硬化體表面之算術平均粗糙度(Ra1)與電路基板之無電路配線部分之上之粗化硬化體表面之算術平均粗糙度(Ra2)之差(|Ra1-Ra2|)較小。本發明之粗化硬化體中，|Ra1-Ra2|之值，就微細配線形成性之觀點而言，較好為160nm以下，更好為140nm以下，又更好為120nm以下，最好為100nm以下、90nm以下、80nm以下、70nm以下、60nm以下、或50nm以下。|Ra1-Ra2|之值愈低愈好，其下限可為0nm。
將使用薄的樹脂組成物層將表面起伏小的硬化體設置於電路基板上時，電路基板之電路配線上之粗化硬化體表面之算術平均粗糙度(Ra1)會有比電路基板之無電路配線部分上之粗化硬化體表面之算術平均粗糙度(Ra2)高之傾向。就微細配線形成性之觀點而言，本發明之粗化硬化體中，Ra1較好為300nm以下，更好為270nm以下，又更好為240nm以下，最好為210nm以下、200nm以下、190nm以下、180nm以下、170nm以下、或160nm以下。本發明之粗化硬化體中，Ra2與Ra1之關係中，較好|Ra1-Ra2|之值係成為上述範圍之值。又，本發明之粗化硬化體中，Ra1及Ra2之下限並無特別限制，但為了使該粗化硬化體與於其上形成之導體層之剝離強度安定，而設為10nm以上、30nm以上等。
本發明之粗化硬化體係將本發明之硬化體進行粗化處理而得，其表面之最大剖面高度Rt或厚度等物性值係依據本發明之硬化體之該等。例如，本發明之粗化硬化體之特徵為表面最大剖面高度Rt為3.5μm以下，且表面起伏小。本發明之粗化硬化體之表面最大剖面高度Rt較好為3.3μm以下，更好為3.1μm以下，又更好為2.9μm以下、2.7μm以下、2.5μm以下、2.3μm以下、2.1μm以下、或1.9μm以下。又，本發明之粗化硬化體中，電路基板之電路配線上之粗化硬化體之厚度為15μm以下，較好為14μm以下，更好為12μm以下，又更好為10μm以下，再更好為9μm以下、8μm以下、7μm以下或6 μm以下。電路基板之電路配線上之粗化硬化體之厚度下限通常為0.5μm以上，較好為1μm以上。
[積層體]
本發明之積層體具備本發明之粗化硬化體及於該粗化硬化體之表面形成之導體層。
導體層係由金屬層所成，導體層中使用之金屬並無特別限制，但較佳之一實施形態中，導體層包含由金、鉑、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鉭、鐵、錫及銦所組成群中選出之1種以上之金屬。導體層可為單金屬層亦可為合金層，合金層列舉為例如由上述之群中選出之2種以上之金屬的合金(例如，鎳．鉻合金、銅．鎳合金及銅．鈦合金)所形成之層。其中，就金屬層形成之泛用性、成本、利用蝕刻去除之容易性等之觀點而言，較好為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、銀或銅之單金屬層，或鎳．鉻合金、銅．鎳合金、銅．鈦合金之合金層，更好為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、銀或銅之單金屬層，或鎳．鉻合金之合金層，又更好為銅之單金屬層。
導體層可為單層構造，亦可為積層2層以上之由不同種類之金屬或合金所成之單金屬層或合金層所成之多層構造。導體層為多層構造時，與粗化硬化體鄰接之層較好為鉻、鋅或鈦之單金屬層，或鎳．鉻合金之合金層。
導體層之厚度，就印刷配線板之微細配線化 之觀點而言，較好為40μm以下，更好為1~35μm，又更好為3~20μm。金屬層為多層構造時，金屬層整體之厚度亦較好為上述範圍。
導體層可藉由半加成法、全加成法等習知技術，以期望之配線圖型而形成。一般可將圖型形成用乾膜配置於粗化硬化體(絕緣層)上且顯像期望圖型後，藉由鍍敷而形成具有期望圖型之導體層。
過去之技術中，使用薄的樹脂組成物層於電路基板上形成硬化體時，所得硬化體之表面會有具有與底層的電路基板之電路配線圖型對應之較大起伏之傾向，而導致圖型形成用乾膜之密著性降低之問題。且過去之技術中，使用薄的樹脂組成物層將表面起伏小的硬化體設置於電路基板上時，會有發生粗糙度不均問題之情況。相對於此，本發明之技術中，如前所述，由於不會發生圖型形成用乾膜之密著性降低問題也不會發生粗糙度不均之問題，故可於粗化硬化體表面有利地形成具有微細配線圖型之導體層。
本發明之積層體中，粗化硬化體之表面上形成之導體層之線/間隔比較好為20/20μm以下，更好為15/15μm以下，又更好為10/10μm以下，最好為8/8μm以下。
[印刷配線板]
本發明之印刷配線板之特徵係利用本發明之硬化體形 成絕緣層。
一實施形態中，本發明之印刷配線板可使用上述之接著薄片而製造。該實施形態中，可實施如使接著薄片之樹脂組成物層與電路基板接合之上述「步驟(A)」及「步驟(B)」，於電路基板上形成本發明之硬化體。又，接著薄片具有保護薄膜時，可於去除保護薄膜後供於製造。
接著，對於在電路基板上形成之硬化體，實施上述之「粗化處理」形成粗化硬化體後，於該粗化硬化體之表面形成導體層。又，印刷配線板之製造中，亦可進而包含於絕緣層上形成通孔(via)之步驟、去除通孔內部之樹脂殘渣(膠渣)之步驟等。該等步驟係業界所習知且可依據印刷配線板之製造所用之各種方法進行。
本發明之印刷配線板係高度兼具層的薄型化與電路之微細配線化者。
[半導體裝置]
使用上述之印刷配線板，可製造半導體裝置。
該半導體裝置列舉為提供於電氣製品(例如電腦、行動電話、數位相機及電視等)及載具(例如機車、汽車、電車、船舶及飛機等)等之各種半導體裝置。
[實施例]
以下，以實施例具體說明本發明，但本發明 並不受限於該等實施例。又，以下之記載中，「份」及「%」只要沒有另外說明，則分別意指「質量份」及「質量%」。
首先針對各種測定方法．評價方法加以說明。
[測定．評價用樣品之調製] (1)電路基板之底層處理
於玻璃布基材環氧樹脂兩面貼銅積層板(銅箔厚度18μm，基板厚度0.3mm，松下電工(股)製之「R5715ES」之兩面上，依據IPC MULTI-PURPOSE TEST BOARD NO.IPC B-25之圖型(線/間隔比=175/175μm之梳齒圖型(殘銅率50%)形成電路。將所得之電路基板之兩面浸漬於Merck(股)製之「CZ8100」中進行銅表面之粗化處理。
(2)樹脂組成物層之積層
使用批式真空加壓層合機(名機製作所(股)製之「MVLP-500」)，以使樹脂組成物層與電路基板鄰接之方式，將實施例及比較例中製作之接著薄片積層於電路基板之兩面。樹脂組成物層之積層，關於實施例1~3及比較例2，係藉由30秒減壓使氣壓成為13hPa以下後，在120℃、壓力0.74MPa下層合處理30秒而進行。接著，在120℃、壓力0.5MPa熱加壓60秒而進行平滑化處理。
關於比較例1，除將層合處理及平滑化處理之溫度變 更為90℃以外，餘以與實施例1~3及比較例2同樣之條件進行層合處理及平滑化處理。
(3)樹脂組成物層之熱硬化
樹脂組成物層積層後，剝離支撐體的PET薄膜。隨後，使樹脂組成物層在100℃保持30分鐘後，在180℃保持30分鐘進行熱硬化，而於電路基板上形成硬化體。
關於所得硬化體，針對硬化體表面之最大剖面高度Rt、電路配線上之硬化體厚度、及樹脂埋入性進行評價。
(4)通孔之形成
使用日立VIA MECHANICS(股)製之CO2雷射加工機「LC-2E21B/1C」，對硬化體進行穿孔加工，形成通孔。硬化體表面之通孔之頂端直徑(直徑)為50μm。又，穿孔加工之條件為遮罩直徑1.60mm，偏焦(focus offset)值0.050，脈衝寬25μs，能量0.33mJ/發射(輸出0.66W，頻率2000Hz)、光圈(aperture)13，發射數2，爆發模式(burst mode)。
(5)粗化處理
形成通孔後，依據下述順序使形成硬化體之電路基板進行粗化處理獲得粗化硬化體。亦即，將形成硬化體之電路基板浸漬於60℃之膨潤液(日本ATOTECH(股)製之「Sweeling Dip Securiganth P」、二乙二醇單丁基醚及氫 氧化鈉之水溶液)中5分鐘，接著浸漬於80℃之氧化劑溶液(日本ATOTECH(股)製之「Concentrate．Compact CP」，過錳酸鉀濃度約6%，氫氧化鈉濃度約4%之水溶液)中15分鐘，最後浸漬於40℃之中和液(日本ATOTECH(股)製之「Reduction Solution Securigant P」，硫酸水溶液)中5分鐘，浸漬後，在130℃乾燥15分鐘。
針對所得粗化硬化體評價粗糙度不均。
(6)導體層之形成
根據半加成法於粗化硬化體表面形成導體層。
亦即，將形成粗化硬化體之電路基板浸漬於含PdCl2之無電解銅鍍敷液中之後，在150℃加熱30分鐘進行退火處理。藉此，於粗化硬化體表面形成鍍敷晶種層。
所得鍍敷晶種層之表面以5%硫酸水溶液處理30秒後，將圖型形成用乾膜(Nichigo Morton(股)製之「ALPHO 20A263」、厚度20μm)積層於鍍敷晶種層上。圖型形成用乾膜之積層係使用批式真空加壓層合機(名機製作所(股)製之「MVLP-500」，減壓30秒使氣壓成為13hPa以下後，在70℃、壓力0.1MPa層合處理20秒而進行。接著，將形成L(乾膜線)/S(間隔)=8/8μm之16μm間距之梳齒圖型(配線長15mm，16條線)之玻璃遮罩配置於乾膜之保護層的PET膜上，藉UV燈以照射強度150mJ/cm2進行UV照射。UV照射後，使用30℃之1%碳酸鈉水溶液，以噴射壓0.15MPa進行噴霧處理30秒。隨後，進行水洗，進行 乾膜之顯像(形成圖型)。乾膜顯像後，評價乾膜之密著性。
對於乾膜密著性良好之基板進行電解銅鍍敷，形成厚度15μm之導體層。接著，使用50℃之3%氫氧化鈉溶液以噴射壓0.2MPa進行噴霧處理，且剝離乾膜。隨後，以荏原電產(股)製之SAC製程去除多餘之鍍敷晶種層，形成印刷配線板。
針對所得印刷配線板評價微細配線形成性。
〈樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度Tv之測定〉
實施例及比較例中製作之接著薄片之樹脂組成物層的最低熔融黏度溫度Tv係使用動態黏彈性測定裝置(UBM(股)公司製之「Rheosol-G3000」測定。針對試料樹脂組成物量1g，使用直徑18mm之平行板(parallel plate)，以升溫速度5℃/分鐘自開始溫度60℃升溫至200℃，且以測定溫度間隔2.5℃、振動數1Hz、應變1度之條件測定最低熔融黏度時之溫度。
〈硬化體表面之最大剖面高度Rt之測定〉
電路基板上之硬化體表面之最大剖面高度Rt係自使用非接觸型表面粗糙度計(Veeco Instruments公司製之「WYKO NT3300」)，藉由利用VSI接觸模式、10倍透鏡，將測定範圍設為0.82mm×1.1mm而得之數值求得。又，測定係針對設置有線/間隔比=175/175μm之梳齒圖型 (殘銅率50%)之電路配線之區域，以跨及具有電路配線之部分與無電路配線之部分之方式，求出3部位之平均值而實施。
又，表1中，以最大剖面高度Rt為3.5μm以下之情況記為「○」，超過3.5μm之情況記為「×」。
〈電路基板之位於電路配線上之硬化體厚度之測定〉
電路基板之位於電路配線上之硬化體厚度(y)係將設置有線/間隔比=175/175μm之梳齒圖型之電路配線之區域切斷成邊長1cm之正方形，以透明密封樹脂(Marumoto Struers(股)製之不飽和聚酯樹脂)密封，研磨剖面後，以掃描型電子顯微鏡(日立高科技(股)製之「S4800」)觀察而測定。測定係以求出5點之平均值進行。
〈樹脂之埋入性評價〉
樹脂之埋入性係以掃描型電子顯微鏡(日立高科技(股)製之「S4800」)觀察硬化體表面予以評價。
又，表1中，埋入成未發生孔洞或樹脂滲出者記為「○」，有孔洞發生或樹脂滲出者記為「×」。
〈粗糙度不均之評價〉
粗化硬化體之表面粗糙度不均係測定電路基板之位於電路配線上之粗化硬化體表面之算術平均粗糙度(Ra1)，與電路基板之無電路配線部分上之粗化硬化體表面之算術平 均粗糙度(Ra2)，且求出|Ra1-Ra2|之值而進行。粗化硬化體表面之算術平均粗糙度(Ra1及Ra2)係自使用非接觸型表面粗糙度計(Veeco Instruments公司製之「WYKO NT3300」，藉由VSI接觸模式、50倍透鏡，將測定範圍設為92×123μm所得之數值求得。分別針對Ra1及Ra2求出3點之平均值。
又，表1中，|Ra1-Ra2|之值為160nm以下時記為「○」，超過160nm時記為「×」。
〈圖型形成用乾膜之密著性評價〉
圖型形成用乾膜之密著性係針對設有線/間隔比=175/175μm之梳齒圖型之電路配線之區域，以掃描型電子顯微鏡(日立高科技(股)製之「S4800」)觀察粗化硬化體(鍍敷晶種層)與乾膜之密著狀態而評價。
又，表1中，乾膜上膜無剝離．隆起之情況記為「○」，有剝離．隆起之情況記為「×」。
〈微細配線形成性之評價〉
微細配線形成性係以光學顯微鏡確認有無導體層之剝離，且測定梳齒圖型之絕緣電阻以確認有無不必要之鍍敷晶種層殘留。
表1中，導體層未剝離且未殘留鍍敷晶種層者記為「○」，有導體層剝離及/或殘留鍍敷晶種層者記為「×」。
[製作例1] (1)樹脂漆料之調製
將液狀雙酚A型環氧樹脂(環氧當量180，三菱化學(股)製之「jER828EL」)10份、聯苯型環氧樹脂(環氧當量269，日本化藥(股)製之「NC3000L」)20份、4官能萘型環氧樹脂(環氧當量163，DIC(股)製之「HP4700」)6份、及苯氧樹脂(三菱化學(股)製之「YL7553BH30」、固體成分30質量%之MEK與環己酮之1：1溶液)10份於MEK 5份、環己酮5份及溶劑石油腦(solvent naphtha)15份之混合溶劑中邊攪拌邊加熱溶解。冷卻至室溫後，於其中混合含三嗪之酚酚醛清漆系硬化劑(羥基當量125、DIC(股)製之「LA7054」、固體成分60質量%之MEK溶液)15份、萘酚系硬化劑(羥基當量215、東都化成(股)製之「SN-485」、固體成分60%之MEK溶液)15份、胺系硬化促進劑(4-二甲胺基吡啶(DMAP)、固體成分5質量%之MEK溶液)1份、咪唑系硬化促進劑(1-苄基-2-苯基咪唑，四國化成工業(股)製之「1B2PZ」、固體成分5質量%之MEK溶液)0.3份、難燃劑(三光(股)製之「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)5份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製之「KBM573」)進行表面處理之球形二氧化矽(平均粒徑0.5μm，ADMATECHS製之「SOC2」，每單位面積之碳量為0.39mg/m2)140份、聚乙烯基縮丁醛樹脂(積水化學工業 (股)製之「KS-1」，固體成分15重量%之乙醇與甲苯之1：1溶液)15份，以高速旋轉混練機均勻分散，調製樹脂漆料。
(2)接著薄片1之調製
準備附脫模層之PET薄膜(LINTEC(股)製，附醇酸型脫模劑(AL-5)之聚對苯二甲酸乙二醇薄膜))作為支撐體。以使乾燥後之樹脂組成物層厚度成為15μm之方式，利用模嘴塗佈器將上述(1)獲得之樹脂漆料均一塗佈於該支撐體之脫模面上，在80~110℃(平均100℃)乾燥2~4分鐘，形成接著薄片1。接著薄片1之樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度Tv為130℃。
[製作例2]
除了以使乾燥後之樹脂組成物層厚度成為20μm之方式，以模嘴塗佈器均一塗佈樹脂漆料以外，餘與製作例1同樣製作接著薄片2。接著薄片2之樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度Tv為127℃。
[製作例3]
除了以使乾燥後之樹脂組成物層厚度成為25μm之方式，以模嘴塗佈器均一塗佈樹脂漆料以外，餘與製作例1同樣製作接著薄片3。接著薄片3之樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度Tv為127℃。
[製作例4]
除了以使乾燥後之樹脂組成物層厚度成為15μm之方式，以模嘴塗佈器均一塗佈樹脂漆料以外，餘與製作例1同樣製作接著薄片4。接著薄片4之樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度Tv為130℃。
[製作例5]
除了以使乾燥後之樹脂組成物層厚度成為10μm之方式，以模嘴塗佈器均一塗佈樹脂漆料以外，餘與製作例1同樣製作接著薄片5。接著薄片5之樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度Tv為140℃。
〈實施例1〉
使用接著薄片1，根據上述[測定．評價用樣品之調製]之順序，製造印刷配線板。各評價結果示於表1。
〈實施例2〉
使用接著薄片2，根據上述[測定．評價用樣品之調製]之順序，製造印刷配線板。各評價結果示於表1。
〈實施例3〉
使用接著薄片3，根據上述[測定．評價用樣品之調製]之順序，製造印刷配線板。
各評價結果示於表1。
〈比較例1〉
使用接著薄片4，根據上述[測定．評價用樣品之調製]之順序，製造印刷配線板。又，如上述[測定A評價用樣品之調製]所示，比較例1之樹脂組成物層之積層溫度為90℃。各評價結果示於表1。
〈比較例2〉
使用接著薄片5，根據上述[測定．評價用樣品之調製]之順序，製造印刷配線板。各評價結果示於表1。
為使層之薄型化而使用薄的樹脂組成物層 時，確認若使樹脂組成物層之積層溫度在Tv-35℃~ Tv+35℃之範圍進行時，則歸結於表面起伏大之硬化體而使乾膜之密著性差(比較例1)。且確認藉由使樹脂組成物層之積層溫度成為Tv-35℃~Tv+35℃之範圍雖可抑制硬化體表面之起伏，但若x與y未滿足0.3<y/x≦1且y≦15之關係，則顯著發生粗糙度不均(比較例2)。
另一方面，樹脂組成物層之積層溫度在Tv-35℃~Tv+35℃之範圍，並且x與y滿足0.3<y/x≦1且y≦15之關係之實施例1~3，即使為了層之薄型化而使用薄的樹脂組成物層時，仍可實現保有充分之乾膜密著性且表面起伏小的硬化體，同時可抑制粗糙度不均之發生。

Claims (13)

  1. 一種硬化體，其係將樹脂組成物層積層於電路基板上且使該樹脂組成物層熱硬化而得之設置於電路基板上之硬化體，其中將樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度設為Tv(℃)時，樹脂組成物層之積層溫度為Tv-35℃~Tv+35℃，將樹脂組成物層之厚度設為x(μm)，將電路基板之位於電路配線上之硬化體厚度設為y(μm)時，為0.3<y/x≦1且y≦15。
  2. 如請求項1之硬化體，其中x≦25。
  3. 如請求項1之硬化體，其中硬化體表面之最大剖面高度Rt為3.5μm以下。
  4. 如請求項1之硬化體，其係使樹脂組成物層在未達Tv之溫度保持10分鐘以上後，在Tv以上之溫度保持10分鐘以上進行熱硬化而得。
  5. 一種粗化硬化體，其係將如請求項1之硬化體進行粗化處理所得。
  6. 如請求項5之粗化硬化體，其中電路基板之位於電路配線上之粗化硬化體表面的算術平均粗糙度，與電路基板之無電路配線之部分上之粗化硬化體表面的算術平均粗糙度之差為160nm以下。
  7. 一種積層體，其係具備如請求項5或6之粗化硬化體、與形成於該粗化硬化體表面之導體層。
  8. 一種硬化體之製造方法，其包含下列步驟： (A)將樹脂組成物層積層於電路基板上之步驟，及(B)使樹脂組成物層熱硬化而於電路基板上形成硬化體之步驟，且將樹脂組成物層之最低熔融黏度溫度設為Tv(℃)時，樹脂組成物層之積層溫度為Tv-35℃~Tv+35℃，將樹脂組成物層之厚度設為x(μm)，將電路基板之位於電路配線上之硬化體厚度設為y(μm)時，為0.3<y/x≦1且y≦15。
  9. 如請求項8之硬化體之製造方法，其中x≦25。
  10. 如請求項8之硬化體之製造方法，其中硬化體表面之最大剖面高度Rt為3.5μm以下。
  11. 如請求項8~10中任一項之硬化體之製造方法，其中步驟(B)中，使樹脂組成物層在未達Tv之溫度保持10分鐘以上後，在Tv以上之溫度保持10分鐘以上而進行熱硬化。
  12. 一種印刷配線板，其係藉由如請求項1~4中任一項之硬化體形成有絕緣層者。
  13. 一種半導體裝置，其係包含如請求項12之印刷配線板。
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