TW201435348A - 探針卡、探針結構及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提出一探針結構，其包含：一金屬探針、一軟性絕緣管及一金屬層。金屬探針具有相對設置的一第一端部及一第二端部，而第一端部具有一尖端；軟性絕緣管具有一貫穿孔，金屬探針部分地插置於貫穿孔中，而金屬探針的尖端伸出於貫穿孔之外；金屬層塗佈於軟性絕緣管的一外緣面上，且與金屬探針相電性隔離，並具有一不大於十微米的厚度。藉此，探針結構可同時具有良好的彈性及訊號完整性。本發明另提出一探針卡，其包含多個上述的探針結構。本發明又提出一探針結構的製造方法，用以製造上述的探針結構。

Description

探針卡、探針結構及其製造方法/
本發明有關一種探針卡、探針結構及其製造方法，特別關於一種具有屏蔽功能的探針卡、探針結構及其製造方法。
探針卡係作為待測電子元件(例如晶圓或晶片等)與測試機器之間的連接媒介，以使得測試機器可透過探針卡將測試訊號傳遞至尺寸微小的電子元件，進而測試電子元件的電性特性。實際在選用探針卡時，會考量探針卡的三個特性來做選用，該三個特性即為：空間轉換能力(space transformer)、訊號完整性(signal integrity)及實際生產能力(practical production)。
空間轉換能力越佳，表示探針卡的金屬探針可排列越密集、金屬探針之間的間距可越小，使得探針卡可測試排列越密集的金屬焊墊的電子元件。訊號完整性越佳，表示測試訊號在通過探針卡的金屬探針時，測試訊號較不會被干擾，使得測試結果的可靠性較佳。而實際生產能力越佳，表示探針卡的生產、組裝、更換或維修成本較低，使得使用者可用較合宜的價格購買或使用該探針卡。
探針卡可初步區分為水平式(lateral)及垂直式(vertical)探針卡，水平式探針卡可依據製造方法來區分為「Blade」及「Epoxy」等，垂直式探針卡可依據製造方法來區分為「Cobra」、「Pogo」、「Membrane」及「MEMS」等；每種探針卡還可區分為有遮蔽功能/結構(shielded)的探針卡及無遮蔽功能/結構(unshielded)的探針卡。每種的探針卡的特性可表列如下：
對於無遮蔽的探針卡而言，測試訊號在通過探針卡的金屬探針時，金屬探針本身的阻抗、金屬探針之間的訊號耦合或測試空間中的雜訊會干擾測試訊號，使得測試結果的可靠性降低。當待測電子產品(例如積體電路晶片)的運作速度增加、或訊號頻率增高時，上述的測試訊號干擾問題需要更加注意及改善。改善方案即為在探針卡加入一遮蔽結構，而常用者有微帶線(microstrip)及同軸電纜(coaxial cable)等；舉例而言，美國專利號US 4,871,964、US 5,525,911、US 5,565,788、US 6,420,889及US 6,727,716提出了同軸電纜形式的遮蔽結構，其在一金屬探針的外緣面上依序包覆一絕緣層及一金屬層，以使得金屬探針成為一同軸探針(coaxial probe)。另外，美國專利號US 4,791,363及US 5,382,898與歐洲專利號EP 0361779 A1則提出微帶線形式的遮蔽結構。
在應用同軸電纜形式的遮蔽結構時，為了維持金屬探針的前端部的彈性，該前端部會大幅地伸出於絕緣層及金屬層外、不被絕緣層及金屬層包覆，這是因為：金屬層的厚度較大，若金屬探針的前端部被金屬層包覆時，前端部的彈性會大幅降低，進而使得前端部難以變形來吸收或緩衝金屬探針的尖端撞擊到電子元件的力量。
由於金屬探針的前端部無法被絕緣層及金屬層包覆，金屬探針的前端部之間仍會造成測試訊號被干擾。另一方面，當金屬探針被絕緣層及金屬層包覆後，其厚度會大幅增加，使得金屬探針之間的間隔增大，進而降低探針卡的空間轉換能力。再者，金屬探針被厚的絕緣層及金屬層包覆後，其較容易損壞，使得使用者需較頻繁替換金屬探針，進而造成使 用成本增加。再者，同軸電纜形式的遮蔽結構應僅適用於水平式探針，應難以用於垂直式探針。
有鑑於此，提供一種更佳的改善方案，乃為此業界待解決的問題。
本發明之一目的在於提供一種探針卡、探針結構及其製造方法，其能改善測試訊號的完整性(integrity)、維持探針結構的彈性、且能適用於垂直式探針結構。
為達上述目的，本發明所揭露的探針結構包含：一金屬探針，具有相對設置的一第一端部及一第二端部，而該第一端部具有一尖端；一軟性絕緣管，具有一貫穿孔，該金屬探針部分地插置於該貫穿孔中，而該金屬探針的該尖端伸出於該貫穿孔之外；以及一金屬層，塗佈於該軟性絕緣管的一外緣面上，且與該金屬探針相電性隔離，該金屬層具有一不大於十微米的厚度。
本發明所揭露的探針卡包含：一探針座；以及多個如上所述的探針結構，被該探針座固持，而該些探針結構的該些尖端露出於該探針座之外。
本發明所揭露的探針結構的製造方法，包含：提供一軟性絕緣管，該軟性絕緣管具有一貫穿孔；塗佈一厚度不大於十微米的一金屬層於該軟性絕緣管的一外緣面上；以及將一金屬探針插置於該軟性絕緣管的該貫穿孔中，並使得該金屬探針的一尖端伸出於該貫穿孔外。
為讓上述目的、技術特徵及優點能更明顯易懂，下文係以較佳之實施例配合所附圖式進行詳細說明。
1、2、3‧‧‧探針卡
10、10’‧‧‧探針結構
11‧‧‧金屬探針
111‧‧‧第一端部
1111‧‧‧尖端
112‧‧‧第二端部
113‧‧‧彎曲部
12‧‧‧軟性絕緣管
121‧‧‧貫穿孔
122‧‧‧外緣面
13‧‧‧金屬層
T‧‧‧厚度
20‧‧‧探針座
21‧‧‧基板
211‧‧‧金屬焊墊
212‧‧‧穿孔
22‧‧‧固持結構
23‧‧‧上板
231‧‧‧導電塊
232‧‧‧金屬焊墊
24‧‧‧下板
241‧‧‧貫穿孔
30‧‧‧傳輸線
40‧‧‧半剛性導電管、編織網導電管
50‧‧‧電晶體
51、52、55、56‧‧‧源極接點
53‧‧‧閘極接點
54‧‧‧汲極接點
第1圖為依據本發明的第一較佳實施例的探針結構的一立體圖。
第2圖為依據本發明的第一較佳實施例的探針結構的一剖視圖。
第3圖為依據本發明的第二較佳實施例的探針結構的一剖視圖。
第4A圖為依據本發明的第三較佳實施例的探針卡的一仰視圖。
第4B圖為依據本發明的第三較佳實施例的探針卡的另一仰視圖(第4A圖的局部放大圖)。
第5圖為依據本發明的第三較佳實施例的探針卡的一側視圖。
第6A圖至第6D圖分別為依據本發明的第四較佳實施例的探針卡的四側視圖。
第7A圖及第7B圖分別為依據本發明的第五較佳實施例的探針卡的二側視圖。
第8A圖至第8C圖為依據本發明的第六較佳實施例的探針結構的製造方法的三示意圖。
第9A圖顯示本發明的第一較佳實施例的探針結構的彈性的測試結果。
第9B圖顯示本發明的第三較佳實施例的探針卡的訊號完整性的測試結果。
第10圖為待測試的電晶體的一示意圖。
請參閱第1圖及第2圖所示，分別為依據本發明的第一較佳實施例的探針結構的一立體圖及一剖視圖。於本發明的第一實施例中，一探針結構(probe structure)10被提出，該探針結構10係為一水平式探針結構，且可用於一探針卡(例如後述的第4A圖所示的探針卡1)中。
該探針結構10可包含：一金屬探針11、一軟性絕緣管(或稱軟性介電管)12及一金屬層13，各部分的技術內容將依序說明如下。
該金屬探針11可為一桿狀結構，並可由導電性佳及彈性良好的金屬來製成，例如鈹銅、錸鎢或Paliney 7(P7合金，其組成材料包含：鈀、銀、金及鉑等)等。該金屬探針11具有相對設置的一第一端部111及一第二端部112，而第一端部111還具有一尖端1111，該尖端1111可用以接觸待測電子元件的金屬焊墊(例如後述的第4B圖所示者)。金屬探針11的第二端部112則可與一傳輸線(例如後述的第6A圖所示者)連接，以與探針卡的基板等元件(圖未示)電性連接，或不透過傳輸線等方式(例如後述的第5圖所示者)做電性連接。
該軟性絕緣管12係由絕緣性佳(或是介電常數低)的材料所 製造，該製造材料還可使軟性絕緣管12易於撓曲，也就是說，該製造材料可使軟性絕緣管12具有良好的撓性；該製造材料舉例而言，可為聚亞胺(polyimide)或聚四氟乙烯(PTFE)。
該軟性絕緣管12在結構上具有一貫穿孔121，該貫穿孔121的直徑可大於或等於該金屬探針11的外徑，使得該金屬探針11可部分地插置於貫穿孔121中；或可說，金屬探針11被軟性絕緣管12部分地包覆。金屬探針11的尖端1111伸出於貫穿孔121之外，不被軟性絕緣管12包覆；除了尖端1111外，第一端部111的其他部分也可依據應用情況，選擇是否伸出貫穿孔121外(例如第6A圖所示者)。於本實施例中，第一端部111僅有其尖端1111伸出貫穿孔121外。
該金屬層13係由導電性佳的金屬(例如鎳、金或鈀等)製造，且金屬層13可藉由電解電鍍、化鍍、蒸鍍、濺鍍等方式塗佈於軟性絕緣管12的一外緣面122，並與金屬探針11相電性隔離；也就是說，金屬層13難以與金屬探針11相電性導通。金屬層13具有一不大於1十微米(micrometer)(約等同0.39密耳(mils))的厚度T，也就是說，金屬層13的厚度T的最大值為十微米。。
藉由金屬層13及軟性絕緣管12包覆金屬探針11，可使得測試訊號在金屬探針11傳輸時，較不會受到干擾或失真。另一方面，由於金屬層13的厚度T僅最多十微米、且軟性絕緣管12易於彎曲，金屬層13及軟性絕緣管12難以影響或減少金屬探針11的彈性。如此，縱使金屬探針11的第一端部111僅有尖端1111未被金屬層13及軟性絕緣管12包覆，金屬探針11的整體彈性依然不受影響，仍可緩衝尖端1111撞擊到待測電子元件的衝擊，或是減少尖端1111在待測電子元件上的接觸力量。此探針結構10在接觸金屬焊墊會吸收釋放力量不至於造成型變及毀損，但是當探針結構10接觸金屬焊墊超過某種程度的一定力量時，仍會發生各種可復原或不可復原之形變或毀損。
請參閱第9A圖所示，將四種探針結構進行彈性測試，第一種為習知的具有較厚金屬層的探針結構(圖中標號為A)，第二種為本實施例的探針結構10(圖中標號為B)、第三種及第四種為不具有遮蔽功能的金屬探針(圖中標號為C及D)；各探針結構的參數如下表所載。
於測試中，各種探針結構被放置於一探針分析儀中(本實施例是使用型號「Applied Precision point vx3」的探針分析儀)，探針結構的尖端接著碰觸探針分析儀的一壓力感測裝置，然後尖端漸漸擠壓壓力感測裝置。從壓力感測裝置所量測到的數值可知，習知的探針結構(編號A)的彈性不佳，無法減少尖端在壓力感測裝置上的平衡接觸力(balance contact force,BCF)，而本實施例的探針結構10及編號C與D的金屬探針皆具有良好的彈性，可有效減少尖端在壓力感測裝置上的平衡接觸力。由此可知，本實施例的探針結構10的金屬探針11縱使被包覆了金屬層13及軟性絕緣管12，金屬探針11的彈性與未被包覆任何材料的金屬探針的彈性無明顯差異。
請參閱第3圖所示，為依據本發明的第二較佳實施例的探針結構的一剖視圖。於本發明的第二實施例中，另一探針結構10’被提出，該探針結構10’係為一垂直式探針結構，而其與第一實施例中的探針結構10的主要差異在於：探針結構10’的金屬探針11除了具有第一端部111及第二端部112外，尚具有一彎曲部113，而該彎曲部113設置於第一端部111及第二端部112之間；彎曲部113還可全部或局部設置於軟性絕緣管12的貫穿孔121中。該探針結構10’也可稱為「Cobra」形式的探針結構。
由於金屬層13的厚度T僅最多十微米、且軟性絕緣管12易於彎曲，彎曲部113的彈性仍可維持；如此，彎曲部113在金屬探針11垂直撞擊到待測電子元件時，仍可變形(即壓縮)，以緩衝金屬探針11撞擊到待測電子元件的力量。另一方面，由於探針結構10’的金屬探針11也是被軟性絕緣管12及金屬層13包覆，測試訊號在金屬探針11中傳輸時，較不會受到干擾或失真。
請參閱第4A圖、第4B圖及第5圖所示，分別為依據本發明的第三較佳實施例的探針卡的二仰視圖及一側視圖。於第三實施例中，一探針卡1被提出，該探針卡1可包含多個第一實施例中的探針結構10以及一探針座20。該些探針結構10被探針座20固持(holded)，而該些探針結 構10的該些尖端1111則露出於探針座20外。
更詳細地說，該探針座20可具有一基板21及一固持結構22；該基板21可為一電路板或可傳遞電訊號的板體，且基板21具有多個金屬焊墊(pads)211，該些金屬焊墊211可設置於基板21的頂面及底面上；固持結構(或為固持環，ring)22則設置於基板21上，而其外型可為一環狀；固持結構22可為一陶瓷、金屬、固化後的環氧樹脂(epoxy)或上述材料之組合，且固持結構22可固持該些探針結構10，使得該些探針結構10維持傾斜(即非垂直)。
被固持後的該些探針結構10的金屬探針11的第二端112可分別電性連接於基板21的金屬焊墊211，以使得測試訊號可經由基板21傳遞至金屬探針11。第二端112與金屬焊墊211的電性連接可透過兩者的直接焊接(如第5圖所示)來達成，然後金屬焊墊211再透過基板21的導電穿孔(via hole)212與一傳輸線(例如同軸纜線或微帶線)30來電性連接。
另一方面，該些探針結構10的軟性絕緣管12及金屬層13可部分地被固持結構22包覆；換言之，軟性絕緣管12及金屬層13包覆於固持結構22中。
請參閱第9B圖所示的探針卡的訊號完整性測試，於測試中，該探針卡1首先量測兩電晶體的汲極電流(drain current)Id在-2V至-0.4V閘極電壓(gate voltage)Vg之間的變化，而此時汲極電壓(drain voltage)Vd為3.5V，源極(source)為接地；探針卡1的其中六根探針結構10(如第4B圖所示位於右方的六根探針結構)會接觸到其中一個電晶體的六個接點，以同時量測該電晶體(如第10圖所示，電晶體50的六個接點51至56中，接點51、52、55及56各為一源極接點，接點53為一閘極接點，而接點54為一汲極接點)；而另外六根探針結構10(如第4B圖所示位於左方的六根探針結構)會接觸到另外一個電晶體的六個接點，以同時量測該電晶體。然後，探針卡1再以同樣電性條件來量測單一個電晶體，此時，探針卡1可只有六根探針結構10。
測試結果顯示，探針卡1同時量測兩電晶體所得到的汲極電流Id(如第9B圖中帶有圓點之實線所示)，與只量測單一個電晶體所得到的汲極電流Id(如第9B圖中帶有方塊之實線所示)，兩者係非常接近；另一 方面，習知的探針卡(即未有遮蔽功能的探針卡)同時量測兩電晶體所得到的汲極電流Id(如第9B圖中虛線所示)，與只量測單一個電晶體所得到的汲極電流Id(如第9B圖中帶有方塊之實線所示)，兩者有明顯的差異。
由上述測試結果可知，因為金屬層13及軟性絕緣管12的關係，探針卡1的各探針結構10之間不易產生訊號耦合，故測試訊號的完整性較佳；換言之，探針卡1所測量到的電子產品的電性特性係較為準確。因此，探針卡1同時量測兩個或多個待測物時，也可得到準確的測試結果。
另說明的是，探針卡1也具有良好的空間轉換能力，這是因為：探針結構10的金屬層13的厚度僅最多十微米，故每根探針結構10的整體直徑仍小，使得該些探針結構10可密集地排列。探針卡1的實際生產能力也為良好，這是因為：探針結構10的軟性絕緣管12及金屬層13的製造方式容易，且軟性絕緣管12與金屬探針11的組裝方式也容易、不需藉由特殊的機器來為之。再者，軟性絕緣管12的內徑(inner diameter,d)及外徑(outer diameter,D)皆可調整，以使軟性絕緣管12具有不同的特徵阻抗Z0；該內徑、外徑及特徵阻抗的關係式可為下者(其中，ετ為軟性絕緣管12的介電常數)：
請參閱第6A圖所示，為依據本發明的第四較佳實施例的探針卡的一側視圖。於第四實施例中，另一探針卡2被提出，該探針卡2與探針卡1相似，而兩者的差異在於：探針卡2的探針結構10的軟性絕緣管12及金屬層13未被固持結構22包覆，而是位於固持結構22之外；取而代之的是，探針卡2的探針結構10的金屬探針11的第一端部111被該固持結構22部分地包覆。另一方面，金屬探針11的第二端112則透過另一傳輸線30來與金屬焊墊211達成電性連接。
在此種配置下，探針卡2的金屬探針11可先與固持結構22相固定後，軟性絕緣管12再套於伸出固持結構22外的金屬探針11的第二端部112上。
請參閱第6B圖至第6C圖所示，分別為依據本發明的第四較佳實施例的探針卡的三側視圖。除了第6A圖所示者，探針卡2還可有其 它變化，舉例而言：如第6B圖所示，探針卡2的探針結構10的金屬探針11的第一端部111伸出於軟性絕緣管12外，且伸出距離較第5圖所示者長。如第6C圖所示，探針卡2的探針結構10的軟性絕緣管12及金屬層13被固持結構22包覆，但軟性絕緣管12及金屬層13並未進一步向下穿出固持結構22；換言之，此時固持結構22同時接觸軟性絕緣管12、金屬層13及金屬探針11的第一端部111。如第6D圖所示，在探針卡2的探針結構10的金屬層13外，還進一步被包覆一半剛性導電管(semi-rigid condcutive tube)或一編織網導電管(mesh conductive tube)40，以使得探針結構10之間更不易產生訊號耦合或增加探針結構10的訊號損失。
由上述可知，金屬探針11、軟性絕緣管12、金屬層13與固持結構22之間的固定方式有多種變化；此外，軟性絕緣管12包覆金屬探針11的長度也可有多種變化；如此，使用者可依據待測物的不同，來彈性選用所需的固定方式或包覆長度，使得探針卡具有相應該待測物的空間轉換能力。
請參閱第7A圖及第7B圖所示，為依據本發明的第五較佳實施例的探針卡的二側視圖。於第五實施例中，又一探針卡3被提出，該探針卡3係為一垂直式探針卡，且包含多個第二實施例中的探針結構10’以及另一種探針座20。
詳言之，該探針座20可具有相分隔的一上板23及一下板24，上板23及下板24皆可由一陶瓷層及一金屬層來構成，而上板23更具有多個導電塊(例如金屬焊墊)231、下板24更具有多個貫穿孔241；該些探針結構10’則是設置於上板23及下板24之間，該些探針結構10’的尖端1111從下板24的貫穿孔241伸出於下板24，而探針結構10’的第二端部112可接觸導電塊231，以與導電塊231達成電性連接。
如第7A圖所示，導電塊231可與一傳輸線(例如同軸纜線)30連接；如此，測試訊號可經由傳輸線30及導電塊231傳遞給金屬探針11。如第7B圖所示，該傳輸線30還可連接至上板23的一金屬焊墊232上，然後該金屬焊墊231再與另一傳輸線(例如微帶線)30連接；如此，測試訊號可經由傳輸線30、金屬焊墊232及導電塊231傳遞給金屬探針11。
探針卡3在功效上可如探針卡1或2般，具有較佳的測試 訊號完整性、空間轉換能力及實際生產能力。探針卡1至3的特性與習知的探針卡的特性，係表列如下。從下表可知，與習知者相比，探針卡1至3可有效地改善測試訊號的電性，探針卡1至3的生產成本僅增加少許，且探針卡1至3的空間轉換能力僅降低少許。
請參閱第8A圖至第8C圖所示，各為依據本發明的第六較佳實施例的探針結構的製造方法的一示意圖。於本發明的第六實施例中，一探針結構的製造方法被提出，其可使前述第一實施例或第二實施例的探針結構被製造出，而以下的說明將以第一實施例的探針結構為例示。
如第8A圖所示，於第一步驟中，一軟性絕緣管12首先被提供，而該軟性絕緣管12具有一貫穿孔121。如第8B圖所示，於第二步驟中，接著藉由電解電鍍、化鍍、蒸鍍、濺鍍等方式塗佈一厚度T不大於十微米的一金屬層13於該軟性絕緣管12的一外緣面122上。如第8C圖所示，於第三步驟中，最後將一金屬探針11插置於軟性絕緣管12的貫穿孔121中，並使得金屬探針11的一尖端1111伸出於該貫穿孔121外。藉此，具有良好彈性及訊號完整性的探針結構10(10’)可被製造出，且製造方式容易及製造成本合宜。
需說明的是，也可在第一步驟後，先執行第三步驟，再執行第二步驟；也就是，先將金屬探針11插置於軟性絕緣管12的貫穿孔121中，然後再塗佈金屬層13於軟性絕緣管12的外緣面122上。
上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣，以及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可 輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍，本發明之權利保護範圍應以申請專利範圍為準。
10‧‧‧探針結構
11‧‧‧金屬探針
111‧‧‧第一端部
1111‧‧‧尖端
112‧‧‧第二端部
12‧‧‧軟性絕緣管
121‧‧‧貫穿孔
13‧‧‧金屬層

Claims (15)

  1. 一種探針結構，包含：一金屬探針，具有相對設置的一第一端部及一第二端部，而該第一端部具有一尖端；一軟性絕緣管，具有一貫穿孔，該金屬探針部分地插置於該貫穿孔中，而該金屬探針的該尖端伸出於該貫穿孔之外；以及一金屬層，塗佈於該軟性絕緣管的一外緣面上，且與該金屬探針相電性隔離，該金屬層具有一不大於十微米(micrometer)的厚度。
  2. 如請求項1所述的探針結構，其中該軟性絕緣管的製造材料係為聚亞胺(polyimide)或聚四氟乙烯(PTFE)。
  3. 如請求項1所述的探針結構，其中該金屬層的製造材料係為鈀、鎳或金。
  4. 如請求項1所述的探針結構，其中該金屬探針的該第一端部僅有其該尖端伸出於該貫穿孔外。
  5. 如請求項1所述的探針結構，其中該金屬探針更具有一彎曲部，該彎曲部設置於該第一端部及該第二端部之間，且設置於該軟性絕緣管的該貫穿孔中。
  6. 如請求項1所述的探針結構，更包括一半剛性導電管或一編織網導電管，而該半剛性導電管或該編織網導電管包覆該金屬層。
  7. 一種探針卡，包含：一探針座；以及多個如請求項1至6的任一項所述的探針結構，被該探針座固持，而該些探針結構的該些尖端露出於該探針座之外。
  8. 如請求項7所述的探針卡，其中該探針座具有一基板及一固 持結構，該基板具有多個金屬焊墊，該固持結構設置於該基板上、且固持該些探針結構，而該些探針結構的該些第二端部分別電性連接該些金屬焊墊。
  9. 如請求項8所述的探針卡，其中該些探針結構的該些軟性絕緣管及該些金屬層被該固持結構部分地包覆。
  10. 如請求項8所述的探針卡，其中該些金屬探針的該些第一端部被該固持結構部分地包覆，而該些軟性絕緣管及該些金屬層位於該固持結構之外。
  11. 如請求項8所述的探針卡，其中該些金屬探針的該些第一端部、該些軟性絕緣管及該些金屬層皆被該固持結構部分地包覆。
  12. 如請求項8所述的探針卡，其中該固持結構為一陶瓷、金屬、固化後的環氧樹脂或上述材料之組合。
  13. 如請求項7所述的探針卡，其中該探針座具有相分隔的一上板及一下板，該下板具有一貫穿孔，該些探針結構設置於該上板及該下板之間，且該些探針結構的該些尖端從該下板的該貫穿孔伸出於該下板。
  14. 一種探針結構的製造方法，包含：提供一軟性絕緣管，該軟性絕緣管具有一貫穿孔；塗佈一厚度不大於十微米的一金屬層於該軟性絕緣管的一外緣面上；以及將一金屬探針插置於該軟性絕緣管的該貫穿孔中，並使得該金屬探針的一尖端伸出於該貫穿孔外。
  15. 如請求項14所述的探針結構的製造方法，其中藉由電解電鍍、化鍍、蒸鍍或濺鍍，將該金屬層塗佈於該軟性絕緣管的該外緣面上。
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