JP2012122905A - コンタクトプローブ - Google Patents
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Abstract
【課題】低抵抗で耐久性が高く、電極間の狭ピッチ化に対応可能な高周波デバイス検査用のコンタクトプローブを提供する。
【解決手段】電極に接触する第1のプランジャーと、第1のプランジャーと連結する第2のプランジャーとからなり、第1のプランジャーは、電極に接触する先端部と、先端部から延設され、第2のプランジャーと連結する連結部と、フランジ部と、連結部から延出する胴体部とを備え、第2のプランジャーは、一端が開放した有底円筒状の鞘部であって、開放端側筒部と、底側筒部と、底側筒部と開放端側筒との間に配置されるコイル状のバネ部とを含み、長手方向に収縮可能な収縮鞘部と、収縮鞘部と一体に形成され、先端が前記端子に接触する接触部とからなり、第1のプランジャーと第2のプランジャーとは、胴体部を収縮鞘部に収容させつつ連結し、バネ部が収縮した際に、前記胴体部の端部外周が前記底側筒部の内周に接触する。
【選択図】図2
【解決手段】電極に接触する第1のプランジャーと、第1のプランジャーと連結する第2のプランジャーとからなり、第1のプランジャーは、電極に接触する先端部と、先端部から延設され、第2のプランジャーと連結する連結部と、フランジ部と、連結部から延出する胴体部とを備え、第2のプランジャーは、一端が開放した有底円筒状の鞘部であって、開放端側筒部と、底側筒部と、底側筒部と開放端側筒との間に配置されるコイル状のバネ部とを含み、長手方向に収縮可能な収縮鞘部と、収縮鞘部と一体に形成され、先端が前記端子に接触する接触部とからなり、第1のプランジャーと第2のプランジャーとは、胴体部を収縮鞘部に収容させつつ連結し、バネ部が収縮した際に、前記胴体部の端部外周が前記底側筒部の内周に接触する。
【選択図】図2
Description
本発明は、IC等の電子デバイスの電気特性を測定し、検査する際に用いられるコンタクトプローブに関し、例えば数10MHz〜数10GHz等の高周波帯域で駆動する高周波デバイスの検査用のコンタクトプローブに関する。
従来、このような電子デバイスは、ICチップを例えばBGA(Ball Grid Arrey)等のパッケージに収容されて形成される。そして、テスター等の検査装置が備える配線基板に設けられた複数の信号端子と、パッケージに設けられた複数の電極との間にそれぞれコンタクトプローブを配置し、このコンタクトプローブを介して信号を伝達しつつ電子デバイスの検査が行われる。
このようなコンタクトプローブとして、例えば図6(a)に示すように、金属パイプ2内にスプリング3を配置し、金属パイプ2の両端のそれぞれにプランジャー4,5を挿入し、スプリング3によってプランジャー4,5の先端を外方に向けて付勢しつつ、金属パイプ2の両端から突出させたコンタクトプローブ1が知られている。
そして、検査時には、プランジャー4の先端を電極に接触させ、プランジャー5の先端を信号端子に接触させ、例えば配線基板を電極側に近づけてスプリング3を収縮させることでプランジャー5をコンタクトプローブの長手方向に押し込んで使用する。すると、高周波信号は、金属パイプ2を伝達路として伝達される。(以下、このようにして押し込むことを「オーバードライブを加える。」という。また、押し込まれる量を「ストローク量」という。)
ところが、最近のIC等の高集積化にともない、上述した電極の狭ピッチ化が進むことにより、細い外径のコンタクトプローブに対するニーズが高まっている。しかしながら、上述した金属パイプ内にスプリングを配置するタイプのものは、コンタクトプローブの外径を細く形成することが困難という問題があった。
上記問題に対し、金属パイプを除いたタイプのコンタクトプローブに関していくつかの提案がされている(例えば特許文献1参照)。
特許文献1によれば、パターン形成されたコンタクト部に先端部が接触する複数の導電性の針状体と、各針状体と同軸的に連結され、針状体を前記コンタクト部との接触方向に付勢する複数の導電性のコイルばねと、少なくともコイルばね又は針状体の鍔部を個々に収容する収容孔が形成されると共に、抜け止め状態で針状体の先端部が抜き出されるガイド孔が各収容孔と連通するように形成された絶縁性のホルダとを備える導電性接触子が開示されている。
特許文献1によれば、信号はコイルばねを介して伝達されるため、例えばコイルばねによるインダクタンス成分により高周波信号が減衰する虞がある。そのため、特許文献1の導電性接触子によれば、高周波デバイスの検査が困難になる虞があるという問題があった。
また、特許文献1によれば、針状体は双方とも、コイルばねの端部に圧入或いは半田付けされてコイルばねと連結している。そのため、例えば連結箇所の接触面積が少なくて導電性接触子の抵抗値が高くなりやすいという傾向や、上述したオーバードライブを複数回繰返すことにより圧入或いは半田付け箇所が劣化して抵抗値が上昇する等、耐久性が低くなる虞があるという問題があった。
そこで、本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、低抵抗で耐久性が高く、電極間の狭ピッチ化に対応可能な高周波デバイス検査用のコンタクトプローブを提供することにある。
請求項1の発明は、IC等の電子デバイスに設けられた電極と、前記電極と対向配置される配線基板の端子との間に配置されるコンタクトプローブにおいて、前記電極に接触する棒状の第1のプランジャーと、前記第1のプランジャーと連結しつつ前記端子に接触する第2のプランジャーとからなり、前記第1のプランジャーは、前記電極に接触する先端部と、前記先端部から延設され、前記第2のプランジャーと連結する連結部と、前記先端部と前記連結部との間に配置されるフランジ部と、前記連結部から延出する胴体部とを備え、前記第2のプランジャーは、一端が開放した有底円筒状の鞘部であって、開放端側筒部と、底側筒部と、前記開放端側筒部と前記底側筒部との間に配置されるコイル状のバネ部とを含み、長手方向に収縮可能な収縮鞘部と、前記収縮鞘部と一体に形成され、先端が前記端子に接触する接触部であって、前記収縮鞘部の底から前記収縮鞘部の長手方向に延出する接触部とからなり、前記第1のプランジャーと前記第2のプランジャーとは、前記胴体部を前記収縮鞘部に収容させつつ、前記開放端側筒部が前記連結部にかしめられて連結し、前記バネ部が収縮した際に、前記胴体部の端部外周が前記底側筒部の内周に接触することを特徴とするコンタクトプローブある。
請求項2の発明は、請求項1に記載のコンタクトプローブにおいて、前記接触部は、前記収縮鞘部の底に延設される円柱状の基部を含むことを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1又は2に記載のコンタクトプローブにおいて、前記胴体部の外径は、前記収縮鞘部の内径より5μm以下に形成されていることを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれかに記載のコンタクトプローブにおいて、前記胴体部は、前記端部と前記連結部との間に本体部を含み、前記本体部の外径は前記端部の外径より細く形成され、前記バネ部が収縮した際に前記本体部の外周に前記バネ部が接触しないことを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載のコンタクトプローブにおいて、前記第1のプランジャーは、Pd合金、Ir、Rh及びRuのうちいずれかにより形成され、しかも表面にAuメッキが施されたことを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項4又は5に記載のコンタクトプローブにおいて、前記本体部の外周は絶縁膜で被覆されてなることを特徴とする。
本発明によれば、IC等の電子デバイスに設けられた電極と、前記電極と対向配置される配線基板の端子との間に配置されるコンタクトプローブにおいて、前記電極に接触する棒状の第1のプランジャーと、前記第1のプランジャーと連結しつつ前記端子に接触する第2のプランジャーとからなり、前記第1のプランジャーは、前記電極に接触する先端部と、前記先端部から延設され、前記第2のプランジャーと連結する連結部と、前記先端部と前記連結部との間に配置されるフランジ部と、前記連結部から延出する胴体部とを備え、前記第2のプランジャーは、一端が開放した有底円筒状の鞘部であって、開放端側筒部と、底側筒部と、前記開放端側筒部と前記底側筒部との間に配置されるコイル状のバネ部とを含み、長手方向に収縮可能な収縮鞘部と、前記収縮鞘部と一体に形成され、先端が前記端子に接触する接触部であって、前記収縮鞘部の底から前記収縮鞘部の長手方向に延出する接触部とからなり、前記第1のプランジャーと前記第2のプランジャーとは、前記胴体部を前記収縮鞘部に収容させつつ、前記開放端側筒部が前記連結部にかしめられて連結し、前記バネ部が収縮した際に、前記胴体部の端部外周が前記底側筒部の内周に接触する構成であるから、高周波信号は、先端部と接触部との間で主に胴体部を介して伝達されるのでコイル状のバネ部に起因したインダクタンス成分により高周波デバイスの検査を妨げられることがない。また第2のプランジャーは一体に形成されているため連結箇所に起因してコンタクトプローブの抵抗値が高くなる虞が減る。さらに、繰り返しオーバードライブを加えて検査した場合でも連結箇所に起因した劣化も発生し難く耐久性が延びる。このように、本発明によれば、低抵抗で耐久性が高く、電極間の狭ピッチ化に対応可能な高周波デバイス検査用のコンタクトプローブを提供できる。
また、前記接触部は、前記収縮鞘部の底に延設される円柱状の基部を含む構成であるから、例えば収縮鞘部の長さを所定のストローク量に必要とされる最低の長さとし、基部の長さでコンタクトプローブの長さを調整することで、コンタクトプローブの全長に関わらず略同じ低抵抗値を得ることができる。
また、前記胴体部の外径は、前記収縮鞘部の内径より5μm以下に形成されている構成であるから、胴体部の端部外周が前記底側筒部の内周に接触しやすくなり、コンタクトプローブの低抵抗化をさらに図ることができるとともに、胴体部を介して高周波信号を確実に伝達可能なコンタクトプローブを提供できる。
また、前記胴体部は、前記端部と前記連結部との間に本体部を含み、前記本体部の外径は前記端部の外径より細く形成され、前記バネ部が収縮した際に前記本体部の外周に前記バネ部が接触しない構成であるから、例えばオーバードライブ毎のバネ部の収縮状態の相違等によって、オーバードライブ毎にバネ部の長さ方向の異なる部分と本体部外周とが接触することもなく、バネ部と本体部との接触状態のバラツキに起因したインダクタンスのバラツキが低減されることにより、高周波信号に対するコンタクトプローブの特性インピーダンスが安定する。
また、前記第1のプランジャーは、Pd合金、Ir、Rh及びRuのうちいずれかにより形成され、しかも表面にAuメッキが施された構成であるから、Auメッキ層によって第1のプランジャーの抵抗値や胴体部の端部と前記底側筒部の内周面との接触抵抗が更に低下するのでコンタクトプローブの低抵抗化をさらに図ることができる。
また、前記本体部の外周は絶縁膜で被覆されてなる構成であるから、バネ部と本体部とが絶縁膜で絶縁されるため、バネ部と本体部との接触状態のバラツキに起因したインダクタンスのバラツキが確実に低減されることにより、高周波信号に対するコンタクトプローブの特性インピーダンスが更に安定する。
本発明のコンタクトプローブは、例えばソケット等に垂直に貫通した収容孔に保持され、IC等の電子デバイスに設けられた電極と、その電極と対向配置される配線基板の端子との間に配置されるコンタクトプローブである。
以下、本発明の好適な実施形態について図1〜図4を用いて説明する。
先ず、本発明の第1実施形態に係るコンタクトプローブ10について図1及び図2を用いて説明する。図2(a)は、本実施形態のコンタクトプローブ10に対してオーバードライブが加えられていない状態を示す断面説明図であり、図2(b)は、オーバードライブが加えられた状態を示す断面説明図である。図2(b)において、符号28は、電極の例を示し、符号29は端子の例を示す。
以下、本発明の好適な実施形態について図1〜図4を用いて説明する。
先ず、本発明の第1実施形態に係るコンタクトプローブ10について図1及び図2を用いて説明する。図2(a)は、本実施形態のコンタクトプローブ10に対してオーバードライブが加えられていない状態を示す断面説明図であり、図2(b)は、オーバードライブが加えられた状態を示す断面説明図である。図2(b)において、符号28は、電極の例を示し、符号29は端子の例を示す。
本実施形態のコンタクトプローブ10は、図1及び図2に示すように、第1のプランジャー11と、第2のプランジャー12とからなる。
第1のプランジャー11は、例えばPd(パラジウム)合金からなる円柱状の無垢棒材を、旋盤装置等の適宜な装置を用いて加工して形成される。
このように形成される第1のプランジャー11は、図1及び図2に示すように、先端部13と、連結部15と、フランジ部14と、胴体部16とを備え、一体で形成される。
第1のプランジャー11は、例えばPd(パラジウム)合金からなる円柱状の無垢棒材を、旋盤装置等の適宜な装置を用いて加工して形成される。
このように形成される第1のプランジャー11は、図1及び図2に示すように、先端部13と、連結部15と、フランジ部14と、胴体部16とを備え、一体で形成される。
まず、先端部13は、図1及び図2に示すように、例えば略0.2〜0.22mmの外径で略0.6〜1.1mmの長さを有する円柱状に形成され、複数の突起を含むクラウン状の頭部17を備える。そして、電子デバイスの検査の際に、頭部17が、図2(b)に示すように、電子デバイスの電極28に接触する。
次に、フランジ部14は、図1及び図2に示すように、先端部13の外径よりやや大きい直径と例えば略0.2mmの厚みを有する円盤状に形成され、先端部13と、後述する連結部15との間に配置される。
次に、連結部15は、図1及び図2に示すように、先端部13の外径よりやや小さい外径と例えば略0.35mmの長さを有する円柱状で、しかもその中間部分が更に縮径した縮径部18を備える円柱状に形成され、先端部13からフランジ部14を介して延設される。なお、第1のプランジャー11は、後述する第2のプランジャー12と連結部15を介して連結するが、この点に関しては後述する。
次に、胴体部16は、図1及び図2に示すように、所定の長さを有し、その長さ方向に亘って略一定の外径を有する円柱状に形成され、連結部15の底部から延出される。胴体部16の長さ及び外径は、後述する収縮鞘部20が収縮した際に胴体部16の端部34の外周部分が、後述する底側筒部22の内周面に接触する程度であればよい(図2(b)参照)。その際、胴体部16の外径は、収縮鞘部20の内径より5μm以下、すなわち胴体部16の外径は、収縮鞘部20の内径とのクリアランスが5μm以下に形成されると望ましい。胴体部16の端部34外周が底側筒部22の内周に接触しやすくなり、コンタクトプローブ10の低抵抗化をさらに図ることができるとともに、胴体部16を介して高周波信号を確実に伝達できるからである。
このように、第1のプランジャー11は、図1及び図2に示すように、例えばフランジ部14と胴体部16等の様に異なる外径を有する部分、を含んだ円柱棒状に形成される。そして、第1のプランジャー11は、図2(a)に示すように、その長手方向の中心軸31が、先端部13、連結部15及び胴体部16の中心軸を形成するとともに、フランジ部14の中心を通過するように形成される。
なお、第1のプランジャーは、上述したPd合金に限るものではなく、Ir(イリジウム)又はRh(ロジウム)又はRu(ルテニウム)で形成されてもよい。さらに、これらの金属で上述の形状に加工した後、その表面に、Ni(ニッケル)を例えば0.5〜5μmの厚さでメッキし、さらにその上にAu(金)を例えば0.5〜5μmの厚さでメッキした構成でもよい。コンタクトプローブの抵抗値をさらに低抵抗化できるからである。
また、頭部の形状は、本実施形態のクラウン状に限るものではなく、例えば先端が円錐状に先鋭化された形状でもよい。
また、頭部の形状は、本実施形態のクラウン状に限るものではなく、例えば先端が円錐状に先鋭化された形状でもよい。
次に、本実施形態の第2のプランジャー12は、例えばBeCu(ベリリウム銅)等の円柱状の無垢棒材を、旋盤装置等の適宜な装置で、加工して所定形状に形成し、表面にAuメッキを施して形成される。このように形成される第2のプランジャー12は、図1及び図2に示すように、収縮鞘部20と、収縮鞘部20と一体に形成され、先端が、上述した配線基板の端子に接触する接触部21とからなる。
本実施形態の収縮鞘部20は、図1及び図2に示すように、例えば外径が略0.3mm〜0.38mmで内径が略0.2mm〜0.24mmで長さが略2mm〜3mmの有底円筒状に形成される。そして、収縮鞘部20は、図1及び図2に示すように、開放端側筒部24と、底側筒部22と、底側筒部22と開放端側筒部24との間に配置されるコイル状のバネ部23とを含み、バネ部23により長手方向に収縮可能な構成となっている。なお、バネ部23の幅や間隔、角度、巻き数等を、例えばストローク量等に応じて調整して加工するとよい。
次に、接触部21は、図1及び図2に示すように、基部25と、針状部26とを備える。
基部25は、円柱状の前記無垢棒材の部分であり、図1及び図2に示すように、底側筒部22の外径を維持しつつ収縮鞘部20の底27に配置される円柱状部分である。このように、接触部21は、収縮鞘部20の底27に延設される円柱状の基部を含む構成となっている。
基部25は、円柱状の前記無垢棒材の部分であり、図1及び図2に示すように、底側筒部22の外径を維持しつつ収縮鞘部20の底27に配置される円柱状部分である。このように、接触部21は、収縮鞘部20の底27に延設される円柱状の基部を含む構成となっている。
次に、針状部26は、上述した円柱状の無垢棒材の先端部分を削成して形成される。具体的には、針状部26は、図1及び図2に示すように、例えば略0.15mm〜0.2mmの外径と略0.4mm〜0.6mmの長さを有する円柱状で、しかも先端は尖った円錐状に形成される。そして、検査の際に、この先端が、図2(b)に示すように、端子29に接触する。
このように、本実施形態の第2のプランジャー12は、収縮鞘部20と一体に形成され、先端が端子29に接触する接触部であって、収縮鞘部20の底27から収縮鞘部20の長手方向に延出する接触部21を備える構成となっているのである。
このように、本実施形態の第2のプランジャー12は、収縮鞘部20と一体に形成され、先端が端子29に接触する接触部であって、収縮鞘部20の底27から収縮鞘部20の長手方向に延出する接触部21を備える構成となっているのである。
なお、図1及び図2に示す孔32は、表面のAuメッキの際に、メッキ液が第2のプランジャー12の内側に侵入しやすいための貫通孔である。
このように形成される第1のプランジャー11と第2のプランジャー12とは、図2に示すように、胴体部16を収縮鞘部20に収容させつつ、開放端側筒部24が連結部15にかしめられて連結する。より詳しくは、図2に示すように、開放端側筒部24の中途が縮径部18にかしめられて連結する。このように連結することで、第1のプランジャー11の中心軸31と第2のプランジャー12の中心軸(31)とが略一致し、しかも上述したクリアランスに設定しているため、図2(b)に示すように、バネ部23が収縮した際に、胴体部16の端部34の外周部分が底側筒部22の内周面に接触する。その際、上述したようにクリアランスを5μm以下に設定することで、バネ部23の内周面略全体が、胴体部16の外周に接触する。従って、検査の際に高周波信号は、図2(b)に示すように、先端部13と接触部21との間で胴体部16を介して伝達されるのでコイル状のバネ部23によるインダクタンス成分を略無視できる。
次に、本発明の第2実施形態に係るコンタクトプローブ40について図3を用いて説明する。なお、図3において、第1実施形態と同様の部材及び部分については、第1実施形態と同じ符号、又は、第1実施形態の符号に「´」を付した符号とし、その説明を省略する。
第2実施形態は、図3に示すように、基部25を含まない点で第1実施形態と相違する。具体的には、図3に示すように、収縮鞘部20´の底27´から針状部26´を延出して形成される。本実施形態のコンタクトプローブ40は、例えば全長が短いコンタクトプローブの場合等に好適である。
第2実施形態は、図3に示すように、基部25を含まない点で第1実施形態と相違する。具体的には、図3に示すように、収縮鞘部20´の底27´から針状部26´を延出して形成される。本実施形態のコンタクトプローブ40は、例えば全長が短いコンタクトプローブの場合等に好適である。
次に、本発明の第3実施形態に係るコンタクトプローブ85について図4を用いて説明する。なお、図4において、第1実施形態と同様の部材及び部分については、第1実施形態と同じ符号、又は、第1実施形態の符号に「´」を付した符号とし、その説明を省略する。
本実施形態のコンタクトプローブ85は、図4に示すように、端部34´と連結部15´との間に円柱状の本体部83を含み、本体部83の外径は端部34´の外径より細く形成される。具体的には、本体部83の長さは、図4に示すように、収縮した状態のバネ部23´の長さと略同じ長さで、また本体部83の外径は、バネ部23´が収縮した際に本体部83の外周にバネ部23´が接触しない程度に細く形成される。
本実施形態のコンタクトプローブ85は、図4に示すように、端部34´と連結部15´との間に円柱状の本体部83を含み、本体部83の外径は端部34´の外径より細く形成される。具体的には、本体部83の長さは、図4に示すように、収縮した状態のバネ部23´の長さと略同じ長さで、また本体部83の外径は、バネ部23´が収縮した際に本体部83の外周にバネ部23´が接触しない程度に細く形成される。
前記構成とすることにより、コンタクトプローブ85のオーバードライブ毎の、すなわち測定毎の特性インピーダンスが安定する。その理由は、例えばオーバードライブ毎のバネ部23´の収縮状態の相違等によって、バネ部23´が、オーバードライブ毎にバネ部23´の内周部分であって長さ方向の異なる部分で本体部83(図4参照)外周に接触することもなく、バネ部23´と本体部83との接触状態のバラツキに起因したインダクタンスのバラツキが低減されるためである。そのため、高周波デバイスの測定に、より好適なコンタクトプローブ85を提供できる。
なお、上述した本体部83は、絶縁膜で被覆された構成であってもよい。バネ部23´と本体部83とが絶縁膜で絶縁されるため、バネ部23´と本体部83との接触状態のバラツキに起因したインダクタンスのバラツキが確実に低減されることにより、高周波信号に対するコンタクトプローブの特性インピーダンスが更に安定するからである。
次に、本発明に係るコンタクトプローブの耐久性を評価する評価装置70について図5を用いて説明する。なお、図5においては、コンタクトプローブ40を例にしている。
評価装置70は、図5に示すように、第1基板57、ソケット体62、第2基板55、荷重検知センサー52、昇降手段51、抵抗測定器53、電源(図示しない)、制御部54等を備える。
第1基板57は、公知のプリント基板で形成され、その上面に端子(29)としての例えばAuメッキ等により形成された薄い電極パッド59を複数備える。そして、第1基板57は、図5に示すように、テーブル61上に設置される。
評価装置70は、図5に示すように、第1基板57、ソケット体62、第2基板55、荷重検知センサー52、昇降手段51、抵抗測定器53、電源(図示しない)、制御部54等を備える。
第1基板57は、公知のプリント基板で形成され、その上面に端子(29)としての例えばAuメッキ等により形成された薄い電極パッド59を複数備える。そして、第1基板57は、図5に示すように、テーブル61上に設置される。
次に、ソケット体62は、公知のICソケット等に用いられる絶縁ブロックで形成され、コンタクトプローブ40を収納する複数の貫通孔63を備える。そして、ソケット体62は、図5に示すように、第1基板57上に配置され、コンタクトプローブ40は、例えば接触部21´が電極パッド59に接触する態様で貫通孔63に保持される。
次に、第2基板55は、公知のプリント基板で形成され、その底面の略全体を皮膜する金属プレート56を備える。そして、第2基板55は、図5に示すように、ソケット体62の上方位置に配置される。本実施形態において金属プレート56はAuプレートよりなる。
次に、荷重検知センサー52は、例えば公知のロードセル等で形成され、図5に示すように、例えば第2基板55の上面に設置される。
次に、昇降手段51は、例えば公知のサーボモータで形成され、第2基板55及び荷重検知センサー52と連結されこれらを上下方向に移動させる。
次に、制御部54は、CPU、メモリ、タイマー、カウンター等を備えており、昇降手段51や荷重検知センサー52と接続される。そして、例えば荷重検知センサー52からの信号や、昇降手段51による第2基板55の昇降速度等を基に、第2基板55の下降量を制御し、また上下往復回数を制御する等、昇降手段51の稼動を制御する。
次に、抵抗測定器53は、公知の4端子抵抗測定器等で構成され、図5に示すように、第1基板57及び第2基板55に接続される。そして、これらの基板間の抵抗を測定可能な構成となっている。
次に、評価装置70の動作例について説明する。
まず、昇降手段51が第2基板55を下降させて金属プレート56が先端部13´に接触すると、荷重検知センサー52が荷重を検知し制御部54に検出信号を送る。次に、前記検出信号を受けた制御部54は、更に第2基板55を下降させることにより収縮鞘部20´が収縮する、すなわちオーバードライブを加える。そして、所定の下降量になったところで、昇降手段51が第2基板55を上昇させる。この下降時と上昇時に荷重検知センサー52が荷重を検知するとともに、抵抗測定器53がコンタクトプローブ40の抵抗値を測定する構成となっている。耐久試験は、オーバードライブを複数回繰返すことにより行われる。
まず、昇降手段51が第2基板55を下降させて金属プレート56が先端部13´に接触すると、荷重検知センサー52が荷重を検知し制御部54に検出信号を送る。次に、前記検出信号を受けた制御部54は、更に第2基板55を下降させることにより収縮鞘部20´が収縮する、すなわちオーバードライブを加える。そして、所定の下降量になったところで、昇降手段51が第2基板55を上昇させる。この下降時と上昇時に荷重検知センサー52が荷重を検知するとともに、抵抗測定器53がコンタクトプローブ40の抵抗値を測定する構成となっている。耐久試験は、オーバードライブを複数回繰返すことにより行われる。
ここで、本実施形態に係る実施例及び比較例を製作し評価を行った結果を説明する。
以下、実施例1〜3において第1のプランジャーの素材は同じPd合金で、表面にAuメッキがほどこされていないものを用いた。また、第2のプランジャーは、BeCuを素材とし、形状を形成後に表面にAuメッキを施した。
〔実施例1〕
上述したコンタクトプローブ10の第1のプランジャー11の頭部を円錐状(図1及び図3参照)とした形状とし、主要寸法を以下の寸法で製作した。
全長5.7mm、先端部(13)の外径略0.3mm、先端部(13)の長さ略1.1mm、収縮鞘部20及び基部25の外径略0.38mm、収縮鞘部20の長さ略3.1mm、基部25の長さ略0.6mm、針状部26の外径略0.2mm、針状部26の長さ略0.6mm。
以下、実施例1〜3において第1のプランジャーの素材は同じPd合金で、表面にAuメッキがほどこされていないものを用いた。また、第2のプランジャーは、BeCuを素材とし、形状を形成後に表面にAuメッキを施した。
〔実施例1〕
上述したコンタクトプローブ10の第1のプランジャー11の頭部を円錐状(図1及び図3参照)とした形状とし、主要寸法を以下の寸法で製作した。
全長5.7mm、先端部(13)の外径略0.3mm、先端部(13)の長さ略1.1mm、収縮鞘部20及び基部25の外径略0.38mm、収縮鞘部20の長さ略3.1mm、基部25の長さ略0.6mm、針状部26の外径略0.2mm、針状部26の長さ略0.6mm。
〔実施例2〕
図3に示すコンタクトプローブ40の形状で、主要寸法を以下の寸法で製作した。
全長3.0mm、先端部13´の径略0.3mm、先端部13´の長さ0.6mm、連結部15´の長さに胴体部16´の長さを加算した長さ略1.4mm、収縮鞘部20´の外径略0.38mm、収縮鞘部20´の長さ略2.0mm、針状部26´の外径略0.2mm、針状部26´の長さ略0.25mm。
図3に示すコンタクトプローブ40の形状で、主要寸法を以下の寸法で製作した。
全長3.0mm、先端部13´の径略0.3mm、先端部13´の長さ0.6mm、連結部15´の長さに胴体部16´の長さを加算した長さ略1.4mm、収縮鞘部20´の外径略0.38mm、収縮鞘部20´の長さ略2.0mm、針状部26´の外径略0.2mm、針状部26´の長さ略0.25mm。
〔実施例3〕
図1及び図2に示すコンタクトプローブ10の形状で、主要寸法を以下の寸法で製作した。
全長4.5mm、第1のプランジャーの先端部13の長さ略0.9mm、胴体部16の長さ略1.3mm、収縮鞘部20及び基部25の外径略0.3mm、収縮鞘部20と基部25を加算した長さ略3.1mm、針状部26の外径略0.15mm、針状部26の長さ略0.4mm。
図1及び図2に示すコンタクトプローブ10の形状で、主要寸法を以下の寸法で製作した。
全長4.5mm、第1のプランジャーの先端部13の長さ略0.9mm、胴体部16の長さ略1.3mm、収縮鞘部20及び基部25の外径略0.3mm、収縮鞘部20と基部25を加算した長さ略3.1mm、針状部26の外径略0.15mm、針状部26の長さ略0.4mm。
以下、比較例1〜3においてプランジャーは、実施例1〜3の第1のプランジャーと同様に、Pd合金で、表面にAuメッキがほどこされていないものを用いた。また、金属パイプは、実施例1〜3の第2のプランジャーと同様に、BeCu材のパイプの表面にAuメッキを施したものを用いた。
〔比較例1〕
図6(a)で示す、両側摺動タイプのコンタクトプローブ1で、全長が略5.7mmで、金属パイプ2の外径が略0.38mmのものを用いた。その際、プランジャー4の外径は実施例1の先端部(13)の外径と略同じで、プランジャー5の先端部部分の外径は実施例1の針状部26の外径と略同じものを用いた。
〔比較例1〕
図6(a)で示す、両側摺動タイプのコンタクトプローブ1で、全長が略5.7mmで、金属パイプ2の外径が略0.38mmのものを用いた。その際、プランジャー4の外径は実施例1の先端部(13)の外径と略同じで、プランジャー5の先端部部分の外径は実施例1の針状部26の外径と略同じものを用いた。
〔比較例2〕
図6(b)で示す、片側摺動タイプのコンタクトプローブ7で、全長が略3.0mmで、金属パイプ2´の外径が略0.3mmのものを用いた。その際、プランジャー4´の外径は実施例2の先端部13´の外径と略同じで、プランジャー5´の先端部部分の外径は実施例2の針状部26´の外径と略同じものを用いた。
図6(b)で示す、片側摺動タイプのコンタクトプローブ7で、全長が略3.0mmで、金属パイプ2´の外径が略0.3mmのものを用いた。その際、プランジャー4´の外径は実施例2の先端部13´の外径と略同じで、プランジャー5´の先端部部分の外径は実施例2の針状部26´の外径と略同じものを用いた。
〔比較例3〕
比較例3では、胴体部16の効果確認のため、実施例3のコンタクトプローブ10から、第1のプランジャー11の胴体部16を取り除いた形状、すなわち第1のプランジャーは先端部13と連結部15のみで構成された形状で製作した。
比較例3では、胴体部16の効果確認のため、実施例3のコンタクトプローブ10から、第1のプランジャー11の胴体部16を取り除いた形状、すなわち第1のプランジャーは先端部13と連結部15のみで構成された形状で製作した。
〔耐久性評価〕
上述した評価装置70を用い、0.4mmのストローク量でオーバードライブを繰り返しながらコンタククトプローブの抵抗値を測定した結果を図7及び図8に示す。図7及び図8において横軸はオーバードライブの繰返し回数を示し、縦軸はコンタクトプローブの抵抗値(mΩ(ミリオーム))を示す。また、図7及び図8において、「Max」は、各母集団のうち最も高い抵抗値のデータを示し、「Min」は、最も低い抵抗値のデータを示し、「Ave」は、それぞれの母集団の平均抵抗値を示し、「σ」は、各母集団の標準偏差値を示す。
上述した評価装置70を用い、0.4mmのストローク量でオーバードライブを繰り返しながらコンタククトプローブの抵抗値を測定した結果を図7及び図8に示す。図7及び図8において横軸はオーバードライブの繰返し回数を示し、縦軸はコンタクトプローブの抵抗値(mΩ(ミリオーム))を示す。また、図7及び図8において、「Max」は、各母集団のうち最も高い抵抗値のデータを示し、「Min」は、最も低い抵抗値のデータを示し、「Ave」は、それぞれの母集団の平均抵抗値を示し、「σ」は、各母集団の標準偏差値を示す。
実施例1のコンタクトプローブを10本製作し、これを一つの母集団としてそれぞれの抵抗値を評価装置70で測定した結果を図7(a)に示す。また、比較例1のコンタクトプローブを45本製作し、これを一つの母集団としてそれぞれの抵抗値を評価装置70で測定した結果を図7(b)に示す。
図7(a)及び図7(b)から明らかな様に、比較例1では、オーバードライブの繰返し回数が増加するに従って抵抗値が上昇したりバラツキが大きくなって行く傾向があるが、実施例1では、比較例1より低い抵抗値を示すとともに、オーバードライブの繰返し回数が増加しても抵抗値が安定していることが解かる。
図7(a)及び図7(b)から明らかな様に、比較例1では、オーバードライブの繰返し回数が増加するに従って抵抗値が上昇したりバラツキが大きくなって行く傾向があるが、実施例1では、比較例1より低い抵抗値を示すとともに、オーバードライブの繰返し回数が増加しても抵抗値が安定していることが解かる。
次に、実施例2のコンタクトプローブを20本製作し、これを一つの母集団としてそれぞれの抵抗値を評価装置70で測定した結果を図8(a)に示す。また、比較例2のコンタクトプローブを25本製作し、これを一つの母集団としてそれぞれの抵抗値を評価装置70で測定した結果を図8(b)に示す。
図8(a)及び図8(b)から明らかな様に、比較例2に比べて実施例2の方が抵抗の平均値が低く、また標準偏差も小さいことから、実施例2のコンタクトプローブは低抵抗でその値も安定していることが解かる。
このように、本実施例のコンタクトプローブは、低抵抗で耐久性に優れることが確認できた。
図8(a)及び図8(b)から明らかな様に、比較例2に比べて実施例2の方が抵抗の平均値が低く、また標準偏差も小さいことから、実施例2のコンタクトプローブは低抵抗でその値も安定していることが解かる。
このように、本実施例のコンタクトプローブは、低抵抗で耐久性に優れることが確認できた。
また、図7及び図8(又は図9)からわかるように、比較例1の平均抵抗値は64mΩで、比較例2の平均抵抗値は47mΩである。これは、比較例1の全長5.7と比較例2の全長3mmと差によるものと考えられる。一方、実施例1の平均抵抗値は44mΩで、実施例2の平均抵抗値は42mΩで、略同じである。すなわち、実施例1の全長5.7mmと実施例2との全長3.0mmで全長差はあるもの、略同じ抵抗値を示している。これは、実施例1のコンタクトプローブが備える基部25のため、全長差にかかわらず略同じ抵抗値を示すためと考えられる。
〔高周波特性評価〕
上述した実施例1、実施例2、比較例1及び比較例2のコンタクトプローブを1本ずつ、ネットワークアナライザーを用いて高周波特性を測定した結果を図9に示す。
図9の表において、「インサーションロス」は、入射電力と出力電力との比を示し単位は「dB(デシベル)」であり、「リターンロス」は、入射電力と反射電力との比を示し単位は「dB(デシベル)」であり、「インダクタンス」の単位は「nH(ナノヘンリー)」であり、「キャパシタンス」の単位は「pF(ピコファラッド)」であり、「特性インピーダンス」の単位は「Ω(オーム)」である(図10において同じ)。
上述した実施例1、実施例2、比較例1及び比較例2のコンタクトプローブを1本ずつ、ネットワークアナライザーを用いて高周波特性を測定した結果を図9に示す。
図9の表において、「インサーションロス」は、入射電力と出力電力との比を示し単位は「dB(デシベル)」であり、「リターンロス」は、入射電力と反射電力との比を示し単位は「dB(デシベル)」であり、「インダクタンス」の単位は「nH(ナノヘンリー)」であり、「キャパシタンス」の単位は「pF(ピコファラッド)」であり、「特性インピーダンス」の単位は「Ω(オーム)」である(図10において同じ)。
図9で示すように、実施例1のインサーションロスが1dBとなる周波数は7.7GHzで、比較例1のインサーションロスが1dBとなる周波数7.5GHzと略同じである。また、実施例1のリターンロスが10dBとなる周波数は7.5GHzで、比較例1のリターンロスが10dBとなる周波数7.6GHzと略同じである。すなわち、実施例1の構成のコンタクトプローブであれば、比較例1の金属パイプ2がなくても比較例1の高周波特性と略同じ高周波特性を得ることができた。
また、図9で示すように、実施例2のインサーションロスが1dBとなる周波数は12.4GHzで、比較例2のインサーションロスが1dBとなる周波数は10.0GHzであり、実施例1の方が高周波帯域までインサーションロスが少なかった。また、実施例2のリターンロスが10dBとなる周波数は10.6GHzで、比較例2のリターンロスが10dBとなる周波数10.0GHzと略同じである。すなわち、実施例2の構成のコンタクトプローブであれば、比較例2の金属パイプ2´がなくても比較例2の高周波特性と略同じか、やや高周波特性の改善がみられた。
なお、図9において、「抵抗値(Ave)」は、上述した「Ave」を再掲したものであり、「抵抗値バラツキ」は、上述した「σ」を3倍にした値を示す。
なお、図9において、「抵抗値(Ave)」は、上述した「Ave」を再掲したものであり、「抵抗値バラツキ」は、上述した「σ」を3倍にした値を示す。
次に、上述した実施例3及び比較例3のコンタクトプローブを1本ずつ、ネットワークアナライザーを用いて高周波特性を測定した結果を図10に示す。
図10(a)は、測定対象のコンタクトプローブを中心として十字の端にそれぞれGNDピン(接地ピン)を配置した状態、すなわちGNDピンが4本の状態で高周波特性を測定した結果を示す。また、図10(b)は、測定対象のコンタクトプローブを中心とした対向位置にGNDピン(接地ピン)を配置した状態、すなわちGNDピンが2本で高周波特性を測定した結果を示す。その際、コンタクトピンとGNDピンの間隔を0.4mmとした。
図10(a)は、測定対象のコンタクトプローブを中心として十字の端にそれぞれGNDピン(接地ピン)を配置した状態、すなわちGNDピンが4本の状態で高周波特性を測定した結果を示す。また、図10(b)は、測定対象のコンタクトプローブを中心とした対向位置にGNDピン(接地ピン)を配置した状態、すなわちGNDピンが2本で高周波特性を測定した結果を示す。その際、コンタクトピンとGNDピンの間隔を0.4mmとした。
図10(a)で示すように、比較例3では、周波数が2.9GHzで既に1dBのインサーションロスが発生し、周波数が3GHzで10dBのリターンロスが発生しているのに対して、実施例3では周波数が10GHzでインサーションロスが0.7dBで、周波数が10GHzでリターンロスが12.2dBと、明らかに実施例3の高周波特性が比較例3の高周波特性より優れていることがわかる。また、インダクタンスは比較例3が3.53nHで、実施例3が0.9nHと明らかに実施例3の方が低い。これは、実施例3の場合、高周波成分19が主に胴体部16を介して伝達されるのに対して(図2(b)参照)、比較例3の場合、高周波成分がバネ部23を介して伝達されるためと考えられる。
また、図10(b)でも同様に、実施例3の高周波特性が比較例3の高周波特性より優れていることがわかる。また、インダクタンスも実施例3の方が低いことが確認できた。
また、図10(b)でも同様に、実施例3の高周波特性が比較例3の高周波特性より優れていることがわかる。また、インダクタンスも実施例3の方が低いことが確認できた。
これまで述べてきたように、本実施形態のコンタクトプローブ10,40,85によれば、低抵抗で耐久性が高く、また従来のコンタクトプローブにおける金属パイプ2,2´を省略した構成のため電極間の狭ピッチ化に対応可能な高周波デバイス検査用のコンタクトプローブを提供できる。
以上、本発明の実施形態のうちのいくつかを図面に基づいて詳細に説明したが、これらはあくまでも例示であり、当業者の知識に基づいて種々の変形、改良を施した他の形態で本発明を実施することが可能である。
10,40,85 コンタクトプローブ
11,11´ 第1のプランジャー
12,12´ 第2のプランジャー
13,13´ 先端部
14,14´ フランジ部
15,15´ 連結部
16,16´ 胴体部
20,20´ 収縮鞘部
21,21´ 接触部
22,22´ 底側筒部
23,23´ バネ部
24,24´ 開放端側筒部
25 基部
27,27´ 底
28 電極
29 端子
34,34´ 端部
83 本体部
11,11´ 第1のプランジャー
12,12´ 第2のプランジャー
13,13´ 先端部
14,14´ フランジ部
15,15´ 連結部
16,16´ 胴体部
20,20´ 収縮鞘部
21,21´ 接触部
22,22´ 底側筒部
23,23´ バネ部
24,24´ 開放端側筒部
25 基部
27,27´ 底
28 電極
29 端子
34,34´ 端部
83 本体部
Claims (6)
- IC等の電子デバイスに設けられた電極と、前記電極と対向配置される配線基板の端子との間に配置されるコンタクトプローブにおいて、
前記電極に接触する棒状の第1のプランジャーと、
前記第1のプランジャーと連結しつつ前記端子に接触する第2のプランジャーとからなり、
前記第1のプランジャーは、
前記電極に接触する先端部と、
前記先端部から延設され、前記第2のプランジャーと連結する連結部と、
前記先端部と前記連結部との間に配置されるフランジ部と、
前記連結部から延出する胴体部とを備え、
前記第2のプランジャーは、
一端が開放した有底円筒状の鞘部であって、開放端側筒部と、底側筒部と、前記開放端側筒部と前記底側筒部との間に配置されるコイル状のバネ部とを含み、長手方向に収縮可能な収縮鞘部と、
前記収縮鞘部と一体に形成され、先端が前記端子に接触する接触部であって、前記収縮鞘部の底から前記収縮鞘部の長手方向に延出する接触部とからなり、
前記第1のプランジャーと前記第2のプランジャーとは、前記胴体部を前記収縮鞘部に収容させつつ、前記開放端側筒部が前記連結部にかしめられて連結し、前記バネ部が収縮した際に、前記胴体部の端部外周が前記底側筒部の内周に接触することを特徴とするコンタクトプローブ。 - 前記接触部は、前記収縮鞘部の底に延設される円柱状の基部を含むことを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブ。
- 前記胴体部の外径は、前記収縮鞘部の内径より5μm以下に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のコンタクトプローブ。
- 前記胴体部は、前記端部と前記連結部との間に本体部を含み、前記本体部の外径は前記端部の外径より細く形成され、前記バネ部が収縮した際に前記本体部の外周に前記バネ部が接触しないことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のコンタクトプローブ。
- 前記第1のプランジャーは、Pd合金、Ir、Rh及びRuのうちいずれかにより形成され、しかも表面にAuメッキが施されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のコンタクトプローブ。
- 前記本体部の外周は絶縁膜で被覆されてなることを特徴とする請求項4又は5に記載のコンタクトプローブ。
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WO2022085483A1 (ja) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | 株式会社ヨコオ | コンタクトプローブ |
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