TW201432836A - 基板位置檢測裝置及使用其之基板處理裝置、以及成膜裝置 - Google Patents

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Abstract

從設置於基板處理用之腔室上面的窗體來拍攝腔室內部既定的拍攝對象，而從該既定拍攝對象之影像便可檢測出基板的位置之基板位置檢測裝置；其具有：設於較該窗體要上方，並可從該窗體拍攝該既定拍攝對象之拍攝裝置；設於較該窗體要上方，並可朝向上方照射光線之照明裝置；設於較該照明裝置要上方，並具有可將從該照明裝置之該光線朝向該窗體反射之反射面的照明反射板；以及設於該照明反射板之該反射面上，並用以在包含該既定拍攝對象之既定區域上形成陰影的反射限制部。

Description

基板位置檢測裝置及使用其之基板處理裝置、以及成膜裝置
本發明係有關基板位置檢測裝置及使用其之基板處理裝置，以及成膜裝置。
從以往係已知具備有拍攝為位置檢測對象之基板的拍攝部；配置於拍攝部與基板之間，並具有確保對基板之拍攝部視野的第1開口部之光散射性面板構件；對面板構件照射光線之第1照明部；以及從拍攝部所拍攝之基板的影像來求出基板位置之處理部的基板位置檢測裝置(例如，參照日本特開2010-153769號公報)。
日本特開2010-153769號公報所記載之基板位置檢測裝置係配置於成膜裝置之腔室上面所形成的窗體上方，並通過窗體來檢測腔室內之晶圓(基板)的位置。日本特開2010-153769號公報所記載之基板位置檢測裝置中，係以塗布有白色顏料之壓克力板來製作面板構件，並對其照射光線而讓面板構件發出白光，而讓晶圓看起來是白色。另一方面，載置晶圓之晶座亦由碳或SiC碳塗層所製作，並被自面板構件之光線照射而看起來是黑色，而藉由相關對比來清楚地辨識晶圓的邊緣，以減低檢測誤差。
然而，上述之日本特開2010-153769號公報所記載之基板位置檢測裝置中，會隨著腔室內的成膜進行，而亦使得腔室所設置之窗體內側成膜，而在膜為具有反射性之有色膜的情況，便會有藉由窗體來反射光線，而降低 影像之對比的問題。
於是，本發明其中一個目的，係提供一種即便在窗體成為反射光線之狀態的情況，仍可以高對比來拍攝在腔室內之某拍攝對象，而檢測出基板位置的基板位置檢測裝置及使用其之基板處理裝置，以及成膜裝置。
根據本發明之一樣態，係從設於基板處理用之腔室的上面之窗體來拍攝腔室內部既定的拍攝對象，而從該既定拍攝對象的影像便可檢測出基板的位置之基板位置檢測裝置；其具有：設於較該窗體要上方，並可從該窗體拍攝該既定拍攝對象之拍攝裝置；設於較該窗體要上方，並可朝向上方照射光線之照明裝置；設於較該照明裝置要上方，並具有可將從該照明裝置之該光線朝向該窗體反射之反射面的照明反射板；以及設於該照明反射板之該反射面上，並用以在包含該既定拍攝對象之既定區域上形成陰影的反射限制部。
根據本發明之其他樣態，基板處理裝置係具有：在上面具有窗體之基板處理用的腔室；設於該腔室內，並可載置基板的晶座；以及該基板位置檢測裝置；其中該晶座係在該第2標記的周邊，進一步地具有將該晶座的一部分切除的第3標記。
根據本發明之其他樣態，成膜裝置係具有：在上面具有窗體，並用以進行成膜之基板處理的腔室；設於該腔室內，並可載置基板的晶座；該基板位置檢測裝置；設於該腔室內，並可供給第1反應氣體的第1處理區域；與該第1處理區域分離而加以設置，並可供給第2反應氣體的第2處理區域；以及設於該第1處理區域與該第2處理區域之間，並具有較該第1處理區域及該第2處理區域要低之頂面，而可藉由供給分離氣體來防止該第1反應氣體與該第2反應氣體之混合的分離區域。
根據本發明之其他樣態，成膜裝置係具有：該基板處理裝置；設於該基板處理裝置之該腔室內，並可供給第1反應氣體的第1處理區域；與該第1處理區域分離而加以設置，並可供給第2反應氣體的第2處理區域；以及設於該第1處理區域與該第2處理區域之間，並具有較該第1處理區 域及該第2處理區域要低之頂面，而可藉由供給分離氣體來防止該第1反應氣體與該第2反應氣體之混合的分離區域。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧晶座
5‧‧‧突出部
7‧‧‧加熱單元
11‧‧‧頂板
12‧‧‧容器本體
14‧‧‧底部
16‧‧‧孔
18‧‧‧腔室標記
20‧‧‧外殼體
20a‧‧‧凸緣部分
21‧‧‧核心部
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧驅動部
24‧‧‧凹部
25‧‧‧有色晶座標記
45‧‧‧頂面
50‧‧‧空間
51‧‧‧分離氣體供給管
71‧‧‧外罩構件
71a‧‧‧內側構件
72、73‧‧‧沖淨氣體供給管
100‧‧‧控制部
110‧‧‧窗體
120‧‧‧照明
130‧‧‧照明反射板
131‧‧‧反射面
132‧‧‧反射部
133‧‧‧反射限制部
140‧‧‧照相機
150‧‧‧框體
160‧‧‧處理部
161‧‧‧晶座標記選擇判定處理部
162‧‧‧開關
170‧‧‧基板位置檢測裝置
180‧‧‧基板處理裝置
C‧‧‧中心區域
W‧‧‧晶圓
圖1係顯示包含本發明實施形態1相關之基板位置檢測裝置的基板處理裝置之一範例的圖式。
圖2係顯示包含本發明實施形態1相關之基板位置檢測裝置的基板處理裝置之一範例的腔室之上面的圖式。
圖3係顯示包含本發明實施形態1相關之基板位置檢測裝置的基板處理裝置之窗體與腔室之孔的關係之放大圖。
圖4A及4B係顯示實施形態1相關之基板位置檢測裝置的一範例之照明反射板的反射面之構成的圖式。
圖5A、5B及5C係顯示對應於成膜的進行狀態之晶座標記的拍攝影像之圖式。
圖6A及6B係顯示實施形態1相關之基板處理裝置之一範例的腔室內之各標記的配置關係之圖式。
圖7A及7B係顯示將實施形態1相關之基板位置檢測裝置的標記之拍攝影像，與以往的基板位置檢測裝置之拍攝影像的比較之圖式。
圖8A及8B係顯示將實施形態1相關之基板位置檢測裝置的晶圓之邊緣的拍攝影像，與以往的基板位置檢測裝置之拍攝影像的比較之圖式。
圖9係用以說明用以本發明實施形態1相關的基板位置檢測裝置中用以防止晶圓的反射之照明反射限制部的配置位置之設定方法的圖式。
圖10係用以說明本發明實施形態1相關的基板位置檢測裝置中用以防止照明反射限制部的窗體之反射的配置位置之設定方法的圖式。
圖11係顯示本發明實施形態1相關之基板位置檢測裝置及基板處理裝置之一範例的各構成要素之配置的圖式。
圖12A及12B係為了比較，而顯示以往的基板處理裝置之有色晶座標記的對比變化之一範例的圖式。
圖13A及13B係顯示本發明實施形態1相關之基板處理裝置的切口晶 座標記的對比變化之一範例的圖式。
圖14A、14B及14C係顯示本發明實施形態2相關之基板處理裝置的一範例之圖式。
圖15係本發明實施形態3相關之成膜裝置的立體圖。
圖16係顯示本發明實施形態3相關之成膜裝置的真空容器內之構成的概略俯視圖。
圖17係沿著本發明實施形態3相關之成膜裝置的真空容器內設置為可旋轉之旋轉台的同心圓而顯示該真空容器的概略剖面圖。
圖18係本發明實施形態3相關的成膜裝置之其他的概略剖面圖。
以下，便參照圖式，來進行用以實施本發明之形態的說明。
[實施形態1]
圖1係顯示包含本發明實施形態1相關之基板位置檢測裝置的基板處理裝置之一範例的圖式。圖1中，實施形態1相關之基板位置檢測裝置170係具有為照明機構或是照明裝置之一範例的照明120；照明反射板130；照相機140；框體150；以及處理部160。又，基板處理裝置180除了基板位置檢測裝置170以外，還具有腔室1；晶座2；窗體110；以及旋轉軸22。另外，基板處理裝置180亦可依其必要來包含有對基板之處理所必須之腔室1內的各種構成要素以及安裝於腔室1內之各種構成要素。又，圖1中，係顯示為位置檢測對象之基板的一範例的晶圓W。
腔室1係用以對晶圓W等之基板進行處理之處理容器的一範例。可適用本實施形態相關之基板位置檢測裝置170之腔室1，係可適用讓窗體110成為可反射光線之狀態的所有基板處理用腔室，而不問腔室1內的基板處理內容。因此，基板處理裝置170可構成為作為進行各種基板處理之裝置。然而，實施形態1中，在說明的簡化上，係舉出將腔室1構成為作為進行成膜處理的成膜腔室之範例來加以說明。
如圖1所示，腔室1係由頂板11與容器本體12所構成，亦可將密閉容器作為整體來加以構成。另外，本實施形態相關之基板處理裝置180中， 在頂板11的一部分係以可藉由照相機140來拍攝腔室1的內部之方式來設置孔16。孔16係通過腔室1內部之開口，並藉由以阻塞孔16之方式來配置窗體110，而使得腔室1成為密閉狀態。
圖2係顯示包含本發明之實施形態1相關的基板位置檢測裝置之基板處理裝置的一範例之腔室上面的圖式。如圖2所示，腔室1的上面係藉由頂板11來加以構成，而在頂板11的一部分形成有孔16。然後，以覆蓋孔16之方式來設置較孔16要大一圈之窗體110，而藉由O型環115來密封以堵塞孔16。
回到圖1之說明，在使用腔室1來進行成膜處理的情況，一般係將腔室1內成為高溫，而供給成膜用之反應氣體至腔室1內。本實施形態相關之基板處理裝置180中，係舉出使用在晶圓W表面上進行形成原子層之原子沉積法(Atomic Layer Deposition)或是形成分子層之分子沉積法(Molecular Layer Deposition)之成膜處理的範例來加以說明。
腔室1亦可具備腔室標記18。腔室標記18係用以顯示腔室1之基準位置的標記，並將腔室標記18作為基準來檢測出晶圓W的位置。另外，就腔室標記18的細節將在之後詳述。
晶座2係用以載置晶圓W之基板載置台，並設於腔室1內。晶座2的表面係具有幾乎與晶圓W相同尺寸，並形成具有凹陷形狀之凹部24來作為基板載置區域，而以載置晶圓W於既定位置之方式來加以構成。又，晶座2可形成為圓形之圓盤狀，並沿圓周方向載置複數晶圓W來加以構成。晶座2係連接於旋轉軸22，並可旋轉地構成。晶座2亦可稱為旋轉台2。
如此般，由於晶座2可旋轉，故在晶座2上所載置之晶圓W的位置不會固定，而在進行成膜處理時，便有需要檢測出晶圓W的位置。如上述般，由於晶圓W係載置於晶座2上之凹部24，故在晶座2的表面上係設有有色晶座標記25，而藉由檢測出有色晶座標記25，便會檢測出晶圓W的位置。另外，就晶座標記25的細節將在之後詳述。
該範例中，由於晶座2係圓形，故收置晶座2之腔室1亦對應於其而構成為圓筒形。
窗體110係設於孔16上，而將孔16開口堵塞，並確保可從設置於上 方之照相機140俯視之拍攝視野。窗體110雖以透光之各種材料來加以構成即可，但亦可由例如石英玻璃所構成之石英窗體110來加以構成。
圖3係顯示包含本發明之實施形態1相關的基板位置檢測裝置之基板處理裝置的窗體與腔室之孔的關係之放大圖。如圖3所示，在成為腔室1上面的頂板11所形成之孔16上配置有窗體110。在窗體110與頂板11之間係設有O型環115，並且窗體卡固具116係以將窗體110從上面及側面來按壓之方式來加以鎖螺，而以將孔16密封地堵塞之方式來固定窗體110。如此般，便可構成為以將設於腔室1上面的孔16密封地堵塞之方式來設置窗體110，而保持腔室1的密封性，並且從窗體110來觀察腔室1的內部。
另外，如此般，由於窗體110係具有實質地構成腔室1上面的一部分之構造，故在成膜程序進行時，亦會在窗體110之內面成膜。圖3中，虛線F係概略性地顯示所成膜之膜。然而，基本上，由於成膜用之原料氣體係供給至晶座2上之某晶圓W，而在晶圓W上進行成膜，故在窗體110的內面所成膜之膜係在晶圓W上所成膜之膜之1/10以下的厚度。這是因為在利用ALD法或是MLD法之基板處理裝置中，由於係以原子層或是分子層等級來進行朝晶圓W之成膜，故成膜於不為成膜靶材之窗體110的膜亦不會形成過厚。這一點不僅在晶圓W的表面，而是與在窗體110之內面亦會比較厚地成膜之CVD反應為相異之點。如此般，在窗體110所成膜之膜只要藉由清潔氣體定期地洗淨，便不會影響有色晶座標記25的檢測。
然而，如TiN般，在形成反射性膜於窗體110的內面時，會有降低藉由清潔氣體之定期洗淨期間的有色晶座標記25的辨識性之情況。本實施形態中，係提供一種即便在將如此般之反射性膜成膜的情況中，亦可確實地進行有色晶座標記25的檢測之基板位置檢測裝置以及基板處理裝置。
回到圖1之說明，照明120係照射光線之光源，會朝向較照明120要上方之某照明反射板130來照射光線於上方，並藉由以照明反射板130所反射之反射光來讓光線射入窗體110。照明120只要能以適當地亮度來照射光線，則可使用各種的光源，但亦可使用例如LED(Light Emitting Diode，發光二極體)。另外，照明120係以不遮蔽照相機140之拍攝視野的方式來設置於框體150的壁面附近，並朝向斜上方來照射光線。
照明反射板130係用以將從照明120入射之光線反射，並藉由反射光來照射窗體110，而使得腔室1的內部變亮之光反射機構或是光反射部之一範例。由於照明反射板130會反射從下方入射之光線，故在下面具有反射面131。本實施形態相關之基板位置檢測裝置170的照明反射板130雖然係在反射面131不僅有反射光線之部分，亦具有在照相機140之拍攝視野內的既定區域形成陰影之反射限制部，但就此點則在之後詳述。
照明反射板130係以不遮蔽照相機140之拍攝視野的方式來具有開口部134。但是，圖1中，雖由於照明反射板130係設於較照相機140要下方，故需要有開口部134，但亦可例如將照明反射板130設於較照相機140要上方。該情況，開口部134便不需要，而可將照明反射板130形成為1片連續之板狀。
照相機140係透過窗體110來拍攝腔室1內部之拍攝機構或是拍攝裝置的一範例。照相機140雖然亦可對應於用途來使用各種構成之相機140，但亦可使用例如CCD(Charge Coupled Device)。
框體150係用以收置窗體110、照明120、照明反射板130以及照相機140之外殼。可藉由框體150包覆整體，來使得照相機140之周圍變暗，而成為適於拍攝之狀態。
處理部160係進行用以基於照相機140所拍攝之影像來檢測基板，亦即，晶圓W的位置之演算處理的機構或是裝置之一範例。因此，處理部160可構成演算處理而具備例如CPU(Central Processing Unit，中央處理器)，亦可構成為藉由程式來加以動作之微電腦或是為了特定用途所設計、製造之ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等積體電路。
處理部160依必要，亦可包含有晶座標記選擇判定處理部161。晶座標記選擇判定處理部161在存在有複數種類之晶座標記的情況，會進行用以對應於成膜狀態來選擇適當的晶座標記之判定處理。例如，晶座標記選擇判定處理部161可對應於切口晶座標記26的辨識性，來選擇使用有色晶座標記25或是切口晶座標記26之任一者。相關判定處理亦由於係藉由演算處理，故晶座標記選擇判定處理部161係設於處理部160內。但是，晶座標記選擇判定處理部161並無必要一定要設於處理部160內，亦可對應於 用途而獨立設於外部。
處理部160係依必要，亦可設有晶座標記選擇開關162。上述之晶座標記的選擇可讓使用者來判斷，亦可以讓使用者能將所欲之晶座標記利用於基板位置檢測之方式，來設置晶座標記選擇開關162。另外，晶座標記選擇判定處理部161與晶座標記選擇開關162雖然只要具備有任一者便已足夠，但亦可兩者都具備。通常，可依照晶座標記選擇判定處理部161的判定，而在有晶座標記選擇開關162的操作之情況，則會讓晶座標記選擇開關162之選擇操作優先的話，便會讓兩者併存。
另外，就圖1所示之基板處理裝置180的其他各種構成要素則在之後詳述。
圖4A及圖4B係顯示實施形態1相關之基板位置檢測裝置170的一範例之照明反射板130的反射面131之構成的圖式。圖4A係從下方來顯示實施形態1相關之基板位置檢測裝置170的一範例之立體圖。關於圖4B則在之後詳述。
如圖4A所示，由於照明反射板130係從下方來照射光線，故具有下面來作為反射面131，而反射面131係具有反射部132、反射限制部133以及開口部134。反射部132係用以反射照明光線之區域，並將反射光線照射於窗體110，來照亮拍攝對象之部分。另一方面，反射限制部133則是即便照射照明光線，其亦不會將其反射，而用以在所對應之部分形成陰影的區域。
在以使用ALD法或是MLD法之基板處理裝置180來進行成膜之情況，基本上雖然僅在配置於晶座2上之晶圓W上進行成膜，但亦會在支撐晶圓W的晶座2上進行成膜，而在以有色膜來進行成膜之情況，則上述之有色晶座標記25便會被膜所包覆而難以看到。例如，在進行TiN的成膜之情況，形成於晶座上之有色晶座標記25會因成膜而使得與周圍之濃度差消失，而使得對比下降。
圖5A、5B及5C係顯示對應於此般成膜的進行狀態之晶座標記的拍攝影像之圖式。圖5A係顯示未成膜狀態之有色晶座標記25的拍攝影像的圖式。未成膜狀態中，係可明確地辨識出有色晶座標記25之狀態。
圖5B係顯示成膜出3μm左右之膜厚的TiN膜之狀態的拍攝影像之圖 式。如圖5B所示，在開始成膜時，會使得晶座2變為黑色。藉此，有色晶座標記25亦會與周圍的顏色同化，而使得濃淡差消失，便會使得辨識變得困難。
圖5C係顯示成膜出8μm左右之膜厚的TiN膜之狀態的拍攝影像之圖式。圖5C中，影像整體會變白，仍會使得有色晶座標記25的辨識變得困難。在成膜進行時，在腔室1內部的壁面亦會進行微量的成膜，並會在窗體110的內面亦有微量的成膜。然後，在具有不透光之反射性的TiN膜成膜於窗體110的內面時，便會使得窗體110變得不透光，而成為如反射光線的鏡子般。如此一來，便會使得窗體110之全區域被全白地拍攝，而使得對比下降，而仍會使得有色晶座標記25的辨識變得困難。
回到圖4A之說明，為了迴避圖5C所示之狀態，在實施形態1相關之基板位置檢測裝置170中，係使光線不照射於如有色晶座標記25般存在有拍攝對象之區域的方式，來設置反射限制部133。亦即，構成為以遮罩來覆蓋反射面131的一部分，而該部分便不會引起反射。藉此，在存在有如有色晶座標記25般之拍攝對象之區域中，由於會形成有陰影，而不會對照相機反射光線，並以原本之亮度來進行拍攝，故可以適當的對比來取得影像。
圖4B係反射面131之部分放大圖。形成有反射限制部133之處係包含存在有有色晶座標記25之區域。另外，此般反射現象不僅在窗體110的表面，亦會在晶圓W的表面產生。在檢測晶圓W位置的情況，雖然會檢測出晶圓W的邊緣，但因晶圓W的表面將光線反射時，仍會使得影像整體變白，而無法檢測出邊緣。此般晶圓W的邊緣檢測，雖係在晶圓W不在晶座2上而係在搬送臂的前端以某拾取器來支撐晶圓W的情況下進行，但因晶圓W表面之反射，還是會有難以檢測邊緣的情況。於是，本實施形態中，亦考量到此現象，而以在晶圓W的邊緣部分不照到光線，且在晶圓W與拾取器之邊界部分亦形成陰影之方式來設置反射限制部133。亦即，係在形成有開口部134之圓形反射部132與對向之反射部之間形成有反射限制部133，但該區域除了有色晶座標記25外，亦以包含有以拾取器來支撐晶圓W的情況之拾取器與晶圓W之邊界部分的方式來加以形成。藉此，便可以高對比來拍攝為拍攝對象之複數檢測部分，而進行檢測。
另外，反射面131之反射部132只要是可反射照明光線之材料，則可由各種材料來構成，例如可構成為將白色鐵氟龍(註冊商標)的薄板，接合於照明反射板130的內面。又，反射限制部133係不反射而會吸收照明光線之材料，可由各種材料來構成，例如可構成為具有消光黑色塗裝之金屬板。該等亦可分別地依各區域來接合，亦可先將構成反射部132之薄板黏貼在照明反射部130之反射面131整體，並以在其上作成遮罩之方式來黏貼反射限制部133之板。反射面131只要是在包含拍攝對象之區域設置有反射限制部133，而其以外之處則設置有用以確保光線之反射部132的話，則可為各種之結構。
圖6A及6B係顯示實施形態1相關之基板處理裝置的一範例之腔室內的各標記之配置關係的圖式。圖6A係顯示腔室內之各標記的配置之整體圖。
如圖6A所示般，在收置於腔室1內之晶座2上係可沿圓周方向來載置複數晶圓W，而圖6A之範例中，係可配置有5個晶圓W。另外，晶圓W係配置於基板載置區域24內。對應於各基板載置區域24，係形成2個有色晶座標記25以及切口晶座標記26。由於事先已知基板載置區域24與有色晶座標記25以及切口晶座標記26的配置關係，故可藉由檢測出有色晶座標記25以及切口晶座標記26，來檢測出晶圓W的位置。又，腔室1的底部14之表面上係設有腔室標記18。腔室標記18係僅設置2個於腔室1之晶圓W的搬出口15之1處，而構成為可檢測出搬出入晶圓W時的晶圓W位置。又，腔室標記18與其附近之有色晶座標記25及切口晶座標記26會成為照相機140之視野範圍141。另外，就切口晶座標記26的細節則在之後詳述。
圖6B係透過窗體110之照相機140的視野範圍141之放大圖。如圖6B所示，設置於腔室1之腔室標記18、設於晶座2之有色晶座25及切口晶座標記26係配置於基板載置區域24所接近之位置。又，如此般，藉由將全部基板位置檢測用之標記18、25、26配置於相近之位置，便可以1台照相機140來進行基板位置檢測。又，藉由亦將基板載置區域24接近地配置，在晶圓W搬出入之時，即便在以為基板保持機構或是基板保持部之一 範例的搬送臂之拾取器來保持晶圓W之情況中，亦構成為可檢測出晶圓W與拾取器之邊界的配置。
另外，有色晶座標記25可藉由容易辨識之顏色來加以構成即可，例如亦可為黑色。
圖7A及7B係顯示將實施形態1相關之基板位置檢測裝置的標記之拍攝影像與以往之基板位置檢測裝置之拍攝影像加以比較之圖式。
圖7A係顯示以往之基板位置檢測裝置之標記的拍攝影像之圖式。如圖7A下部之部分放大所示，腔室標記18以及有色晶座標記25係與周圍顏色同化而使得對比降低，為難以辨識之狀態。
圖7B係顯示實施形態1相關之基板位置檢測裝置的標記拍攝影像之圖式。如將圖7B下部之部分放大所示，腔室標記18以及有色晶座標記25係以較圖7A清楚之對比來加以顯示。如此般，藉由本實施形態相關之基板位置檢測裝置，可以高對比來取得檢測標記的影像，並可確實地進行基板位置檢測。
另外，圖7A中，整體係幾乎為相同之亮度，但圖7B中，係顯示有白色部分與黑色部分。此黑色部分係以反射限制部133所形成之陰影的部分，藉此，便顯示出有色晶座標記25之辨識性會較圖7A有所改善。
圖8A及8B係顯示將實施形態1相關之基板位置檢測裝置的晶圓邊緣之拍攝影像，與以往基板位置檢測裝置之拍攝影像加以比較的圖式。
圖8A係顯示以往基板位置檢測裝置的晶圓W邊緣之拍攝影像的圖式。圖8A中，雖然仍顯示有搬送臂10之拾取器與晶圓W之邊界，但晶圓W與搬送臂10之對比(晶圓W之邊緣We)卻不太清楚，而使得演算處理之影像辨識會變得難以檢測。
圖8B係顯示實施形態1相關之基板位置檢測裝置的晶圓W邊緣之拍攝影像的圖式。圖8B中，晶圓W邊緣We之部分會形成陰影而變黑。然後，搬送臂10之拾取器會變白，而成為高對比之影像。藉此，即使在藉由演算處理之影像辨識中，亦可容易地檢測出晶圓W之邊緣We，而容易地檢測出晶圓W的位置。
如此般，依據實施形態1相關之基板位置檢測裝置，藉由不讓照明光 線照射於包含拍攝對象之區域而形成陰影，便可以高對比之影像來辨識拍攝對象。
圖9係用以說明本發明的實施形態1相關之基板位置檢測裝置中用以防止晶圓的反射之照明反射限制部的配置位置之設定方法的圖式。圖9中，係顯示用以防止朝晶圓W之照明光線的照射(反射)之照明反射限制部133的設定方法。圖9中，Vwe係顯示朝晶圓W之邊緣We的視線。圖9中，首先係將包含晶圓W的邊緣之既定區域設定為防止照明之照射的既定區域Sh1。只要考量到將該區域Sh1結合照相機140之視野中心與視野之擴大角，並進一步地以此為對象來考量到視野的擴大角而將朝向照明反射板130之反射面131的視線加以延長，便可求取在反射面131上之遮罩應有範圍。只要在此範圍設置照明反射限制部133，便不會對包含晶圓W之邊緣的區域Sh1照射照明，而可形成陰影。另外，已知在照明反射板130之反射面131上，晶圓W上所設定之照明會成為較不被照亮的區域Sh1要廣之區域。如此般，照明反射板130之反射面131上的反射限制部133之設定便係將照相機140之視野區域作為基準來加以進行。藉此，便可在適當之區域設定照明反射限制部133，而使用影像辨識來檢測晶圓W之位置。
圖10係用以說明本發明之實施形態1相關的基板位置檢測裝置中用以防止照明反射限制部的窗體之反射的配置位置之設定方法的圖式。圖10中，首先係在窗體110上，設定防止照明之照射的區域Sh2。然後，考量到將該區域Sh2結合照相機140之拍攝中心與視野之擴大角。接著，對所結合之視線與對象，仍考量到視野之擴大角，而將朝向照明反射板130之反射面131的視線加以延長，便可求出對應於反射面131上之區域，並將其作為反射限制部133來加以設定。如此般，在防止朝窗體110之照明照射的情況，亦係將照相機140之拍攝視野作為基準，來設定照明反射限制部133的區域。藉此，便可以適合於藉由照相機140來拍攝之影像的方式來形成陰影。
圖11係顯示本發明實施形態1相關之基板位置檢測裝置及基板處理裝置之一範例的各構成要素之配置的圖式。圖11中，係設定照明反射板130之反射面131與照明120之間的距離L1、照相機140之鏡片前端(例如，CCD 鏡片前端)與照明120之間的距離L2、照相機140之鏡片前端與窗體110之間的距離L3、照相機140之鏡片前端與晶圓W表面之間的距離L4以及照相機140之鏡片前端與晶座2表面之間的距離L5。可考量例如此般之各構成要素間之距離，來進行如圖10所示般之反射限制部133的設定。
如此般，根據實施形態1相關之基板位置檢測裝置，便可藉由適當地設置反射限制部133於照明反射板130之反射面131，則即便在進行TiN等不讓光線穿透之膜的成膜程序之情況，亦會防止在窗體110及晶圓W表面之照明光線的反射，而確實地拍攝拍攝對象，並檢測出基板位置。
上述中，已就基板位置檢測裝置來加以說明，接著，便再就藉由晶座標記之改善，來容易地檢測出基板位置的基板處理裝置以及基板處裡裝置來加以說明。
圖12A以及圖12B係為了比較，而顯示以往之基板處理裝置以及基板處理裝置之有色晶座標記的對比變化之一範例的圖式。
圖12A係顯示以往之基板處理裝置中成膜前之有色晶座標記的拍攝影像之一範例的圖式。如圖12A所示，TiN膜之成膜前，黑色有色晶座25係可以高對比來加以辨識的狀態。
圖12B係顯示以往之基板處理裝置中成膜後之有色晶座標記的拍攝影像之一範例的圖式。如圖12B所示，成膜後，由於拍攝影像全體會變黑，且為低對比，故成為難以辨識有色晶座標記25之狀態。
於是，實施形態1相關之基板處理裝置中，除了有色晶座標記25外，尚設置了切口晶座標記26。
回到圖6B之說明，顯示了切口晶座標記26之仰視圖，然而切口晶座標記26係切除晶座2之一部分而加以形成。由於只要是有孔，便會達到切口晶座標記26之作用，故可在晶座2之任意處設置有切口晶座標記26，但在考量加工的難易度等時，較佳地係例如設置於晶座2的邊緣部。亦即，較佳地係以切除晶座2之邊緣部，而如晶圓W切口之方式來加以形成。切口晶座標記26可構成為各種的形狀，例如，可切除構成為略圓筒形狀。圖6A及6B中，係顯示設有圓筒形狀之切口晶座標記26之範例。
圖13A及13B係顯示本發明實施形態1相關之基板處理裝置的切口晶 座標記26之對比變化的一範例之圖式。
圖13A係顯示本發明實施形態1相關之基板處理裝置的切口晶座標記成膜前的拍攝影像之一範例的圖式。如圖13A所示，成膜前，有色晶座標記25的方面係相較於切口晶座標記26，而顯示出較高之對比。
圖13B係顯示本發明實施形態1相關之基板處理裝置的切口晶座標記成膜後之拍攝影像的一範例之圖式。如圖13B所示，成膜後，雖然有色晶座標記25與周圍之黑色同化而成為較低之對比，但切口晶座標記26會以從周圍之黑色浮起之方式來成為白色，並可以較高之對比來加以辨別。如此般，在成膜出TiN膜之狀態中，切口晶座標記26會顯示較高對比，而對影像辨識非常地有效。
如上述，實施形態1相關之基板處理裝置中，係與有色晶座標記25另外地，在晶座2之一部分，典型地，係在切口晶座2之邊緣部設置切口晶座標記26，來即便在成膜時亦可穩定檢測出標記。有色晶座標記25由於係將標記設置於晶座2表面上，故晶座整面的顏色變為相同之顏色時，便會使得對比降低，而使得檢測變得不穩定。如本實施形態相關之基板處理裝置般，晶座邊緣所設置之切口晶座標記26係附有與未成膜之晶座下部之對比度，而可確實地檢測。
然而，如圖13A所示，有色晶座標記25在未成膜而不附有顏色之狀態中，對比會較低。因此，在併用切口晶座標記26與有色晶座標記25，而在未成膜狀態或是濃度較低之淡色膜的成膜程序的情況，較佳地係將有色晶座標記25作為檢測對象，而在濃度較濃之膜的成膜程序的情況，係將切口晶座標記26作為檢測對象。該情況，如圖1中所說明般，較佳地係在處理部160內或處理部160外設置晶座標記選擇判定部161及/或晶座標記選擇開關162，並將晶座標記25、26以自動或是手動來切換以檢測晶座2之位置。
另外，切口晶座標記26依必要來加以設置即可，在可僅以有色晶座標記25來確實地檢測出基板位置之情況，便無必要一定要設置。
[實施形態2]
圖14A、14B及14C係顯示本發明實施形態2相關之基板處理裝置的 一範例之圖式。圖14A係實施形態2相關之基板處理裝置一範例之晶座2的立體圖。圖14A中，晶座2之邊緣部係形成有切口晶座標記27。實施形態2相關之基板處理裝置中，係讓切口晶座標記27之形狀不為單純的圓筒形狀，而是成為從晶座2的上面至下面而直徑變大之錐形狀。
圖14B係用以說明錐形狀之切口晶座標記27與圓筒形狀之切口晶座標記26的相異點之圖式。在圖14B所示般之單純的圓柱狀切口晶座標記26的情況，在附有照相機140之視野角的情況，切口晶座標記26上面的曲線形狀會與圓柱中之側壁一起被拍攝，而變得難以辨識邊界，會有在影像辨識中無法正確地辨識切口晶座標記26曲線形狀的疑慮。一般而言，圓形之晶座標記中，由於係測定圓的中心來測定晶座標記之座標，故如此般不正確之辨識會產生有不合適的情況。
因此，本實施形態相關之基板處理裝置中，如圖14A所示，係構成為將切口晶座標記27作為具有較照相機140之視野角要大之角度的錐形狀，而可確實地防止此般之錯誤辨識。
圖14C係顯示本發明實施形態2相關之基板處理裝置一範例之切口晶座標記27的拍攝影像之一範例的圖式。如圖14C所示，可正確地辨識切口晶座標記27之圓形邊緣，而可容易地檢測出晶座2之位置。
另外，實施形態2相關之基板處理裝置中，就切口晶座標記27以外之構成要素，由於亦包含基板位置檢測裝置170，而具備有與實施形態1相關之基板處理裝置相同的構成要素即可，故省略其說明。
藉由實施形態2相關之基板處理裝置，便可確實地進行切口晶座標記27的辨識，而可進行正確的基板位置之檢測。
[實施形態3]
接著，就將實施形態1相關之基板檢測裝置作為成膜出TiN膜之ALD裝置或是MLD裝置來加以構成之範例，作為實施形態3來加以說明。
回到圖1之說明，圖1亦為顯示適用本發明實施形態1相關之基板位置檢測裝置170的實施形態3相關之成膜裝置的一範例之剖面圖。本發明實施形態3相關的成膜裝置200，如圖1所示，係具備有平面形狀為概略圓形之扁平腔室1，以及設於該腔室1內，並在該腔室1之中心具有旋轉中心 之晶座2。腔室1係以頂板11可從容器本體12分離之方式來加以構成。頂板11係藉由內部之減壓狀態透過密封構件，例如O型環來按壓至容器本體12側，而藉此來氣密地密閉腔室1。另一方面，在有需要將頂板11從容體本體12分離時，係藉由未圖示之驅動機構來抬升至上方。
又，頂板11係設置有例如為開口之孔16。頂板11之上面係以對合於孔16之方式來氣密地設有窗體110。又，窗體110上係裝卸自如地安裝有基板位置檢測裝置170。基板位置檢測裝置170之構成係如上述。使用基板位置檢測裝置170而藉由本發明實施形態的上述基板位置檢測方法，便可檢測成膜裝置200內之晶座2所載置的晶圓W之位置。另外，晶座2係設置有有色晶座標記25，並依需要來設置切口晶座標記26、27。
晶座2係以中心部固定於圓筒形狀之核心部21，該核心部21係固定在延伸於垂直方向之旋轉軸22的上端。旋轉軸22係貫穿容器本體12之底面部14，而其下端係安裝於將該旋轉軸22繞垂直軸，於該範例中係順時針旋轉之驅動部23。旋轉軸22及驅動部23係收納於上面已開口之筒狀外殼體20內。該外殼體20係透過其上面所設置之凸緣部分20a而氣密地安裝於腔室1之底面部14下面，藉此，便會使得外殼體20之內部氛圍從外部氛圍隔離。又，腔室1之底面部14表面係設有腔室標記18。
圖15係實施形態3相關之成膜裝置的立體圖。圖16係顯示實施形態3相關之成膜裝置的真空容器內之構成的概略俯視圖。
旋轉台2的表面部，如圖15及圖16所示般，係設置有用以沿旋轉方向(周圍方向)來載置複數(圖示範例中為5片)晶圓W之圓形狀凹部24。另外，圖15在簡化上係僅在1個凹部24顯示晶圓W。該凹部24係具有較晶圓W的直徑稍大上例如4mm之內徑，以及幾乎等同於晶圓W之厚度的深度。從而，在晶圓W收置於凹部24時，晶圓W之表面與旋轉台2之表面(未載置晶圓W之區域)會成為相同之高度。凹部24之底面係形成有讓用以支撐晶圓W之內面而讓晶圓W升降之例如3根升降銷貫穿之貫孔(皆未圖示)。
圖15及圖16係說明腔室1內之構造的圖式，而在說明的簡化上，係省略頂板11之圖示。如圖15及圖16所示，旋轉台2之上方係在腔室1之周圍方向(旋轉台2之旋轉方向(圖16之箭頭A))交互間隔地配置有各自由例 如石英所構成之反應氣體噴嘴31、反應氣體噴嘴32以及分離氣體噴嘴41、42。圖示之範例中，係從後述之搬送口15在繞順時針地(旋轉台2之旋轉方向)依序配列有分離氣體噴嘴41、反應氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42以及反應氣體噴嘴32。該等之噴嘴31、32、41、42係藉由將各噴嘴31、32、41、42的基端部之氣體導入埠31a、32a、41a、42a(圖16)固定於容器本體12之外周壁，來從腔室1之外周壁導入至腔室1內，並以沿容器本體12之半徑方向而對旋轉台2水平地延伸之方式來加以安裝。
本實施形態中，反應氣體噴嘴31係透過未圖示之配管及流量控制器等來連接於氯化鈦(TiCl4)氣體之供給源(未圖示)。反應氣體噴嘴32係透過未圖示之配管及流量控制器等，來連接於氨(NH3)之供給源(未圖示)。分離氣體噴嘴41、42皆係透過未圖示之配管及流量控制閥等，來連接分離氣體之供給源(未圖示)。分離氣體可使用氦(He)或氬(Ar)等稀有氣體或氮(N2)氣體等非活性氣體。本實施形態中係使用N2氣體。
反應氣體噴嘴31、32係沿著反應氣體噴嘴31、32之長度方向，以例如10mm之間隔來配列有朝向旋轉台2來開口之複數氣體噴出孔33。反應氣體噴嘴31之下方區域係成為用以吸附TiCl4於晶圓W之第1處理區域P1。反應氣體噴嘴32之下方區域係成為將在第1處理區域P1中吸附於晶圓W之TiCl4氣體氮化的第2處理區域P2。
藉由讓晶圓W旋轉，並順序通過供給有TiCl4氣體之第1處理區域P1，以及供給有NH3氣體之第2處理區域P2，來順序發生朝晶圓W之表面上的TiCl4氣體之吸附，以及以NH3氣體之氮化，並在晶圓W的表面上成膜出TiN分子層。伴隨於此，在窗體110之內側表面亦會成膜出TiN分子層。
然而，即便在窗體110成膜出TiN膜，基板位置檢測裝置170亦可具有正確地檢測出晶圓W之位置的構成以及機能的這點則如實施形態1中所說明。
參照圖15及圖16，腔室1內係設有2個凸狀部4。凸狀部4由於係與分離氣體噴嘴41、42一起構成分離區域D，故如後述，係以朝向旋轉台2突出之方式來安裝於頂板11之內面。又，凸狀部4係具有裁切為圓弧狀之扇形平面狀頂部，而本實施形態中，內圓弧係連結於突出部5(後述)，而外 圓弧則以沿腔室1之容器本體12內周面之方式來加以配置。
圖17係顯示從反應氣體噴嘴31至反應氣體噴嘴32為止而沿旋轉台2之同心圓的腔室1剖面。如圖17所示，為了在頂板11的內面安裝凸狀部4，腔室1內係存在有為凸狀部4下面之平坦的低頂面44(第1頂面)與位於該頂面44周圍方向兩側而較頂面44要高的頂面45(第2頂面)。頂面44係具有裁切為圓弧狀之扇形平面狀之頂部。又，如圖17所示，凸狀部4係形成有在周圍方向中央中，以延伸於半徑方向之方式來加以形成之溝部43，而分離氣體噴嘴42係收置於溝部43內。另一個凸狀部4亦同樣地形成有溝部43，並在此收置分離氣體噴嘴41。又，在較高的頂面45之下方的空間係分別設置有反應氣體噴嘴31、32。該等反應氣體噴嘴31、32係從頂面45分離而設於晶圓W附近。另外，在說明的簡化上，如圖17所示，係將設置有反應氣體噴嘴31之較高頂面45之下方空間以參照符號481來表示，並將設置有反應氣體噴嘴32之較高頂面45之下方空間以參照符號428來表示。
又，收置於凸狀部4之溝部43的分離氣體噴嘴41、42係以沿分離氣體噴嘴41、42之長度方向，以例如10mm之間隔配列有朝向旋轉台2來加以開口之複數氣體噴出孔42h(參照圖17)。
頂面44係相對於旋轉台2來形成有為狹隘的空間之分離空間H。從分離氣體噴嘴42之噴出孔42h來供給N2氣體時，該N2氣體會通過分離空間H而流向空間481及空間482。此時，由於分離空間G之容積係較空間481以及482之容積要小，故可藉由N2氣體來將分離空間H之壓力提升至比空間481及482之壓力要高。亦即，在空間481以及482之間會形成較高壓之分離空間。又，從分離空間H朝空間481及482流出之N2氣體會作為相對於自第1區域P1的TiCl4氣體與自第2區域P2的NH3氣體之逆流來加以動作。從而，自第1區域P1的TiCl4氣體與自第2區域P2的NH3氣體便會藉由分離空間H來加以分離。因此，便會抑制腔室1內之TiCl4氣體與NH3氣體混合而反應。
另外，頂面44相對於旋轉台2上面的高度h1較佳地係考量到成膜時腔室1內之壓力、旋轉台2之旋轉速度以及所供應之分離氣體(N2氣體)的供 給量等，而設定於會將分離空間H之壓力提升至比空間481及482之壓力要高的適當高度。
另一方面，頂板11之下面係設有圍繞固定旋轉台2的核心部21之外周的突出部5(圖15及圖16)。該突出部5在本實施形態中，係與突狀部4中之旋轉中心側的部位連續，而其下面會形成為與頂面44相同之高度。
先前所參照之圖1係沿圖16之I-I’線之剖面圖，為顯示設有頂面45之區域。另一方面，圖18係顯示設有頂面44之區域的剖面圖。如圖18所示，扇形凸狀部4之周緣部(腔室1外緣側的部位)係形成有以對向於旋轉台2之外端面的方式來彎曲為L字形之彎曲部46。該彎曲部46與凸狀部4同樣地，係抑制自分離區域D兩側反應氣體進入，而抑制兩反應氣體的混合。扇形凸狀部4係設置於頂板11，由於頂板11可從容器本體12拆下，故彎曲部46之外周面與容器本體12之間有細微的間隙。彎曲部46之內周面與旋轉台2之外端面之間的間隙，以及彎曲部46之外周面與容器本體12的間隙係設定為例如與頂面44相對於旋轉台2之上面的高度相同之尺寸。
容器本體12之內周壁在分離區域D中，如圖17所示，係與彎曲部46之外周面接近而形成為垂直面，而在分離區域D以外的部位，如圖1所示，係例如從與旋轉台2之外端面對向的部位橫跨底部14而凹陷於外方側。以下，在說明之簡化上，係將具有概略矩形之剖面形狀的凹陷部分記載為排氣區域。具體而言，係將第1處理區域P1所連通之排氣區域記載為排氣區域E1，將第2處理區域P2所連通之區域記載為第2排氣區域E2。該等第1排氣區域E1與第2排氣區域E2如圖1及圖16所示，係分別形成有第1排氣口610及第2排氣口620。第1排氣口610及第2排氣口620，如圖1所示，係分別透過排氣管630來連接於例如為真空排氣機構或是真空排氣裝置之一範例的真空泵640。
旋轉台2與腔室1之底部14間的空間，如圖1及圖18所示，係設有為加熱機構或是加熱裝置之一範例的加熱單元7，並透過旋轉台2來讓旋轉台2上之晶圓W加熱至程序配方所決定之溫度(例如400℃)。旋轉台2周緣附近之下方側為了區劃從旋轉台2上方空間至排氣區域E1、E2的氛圍與設置加熱單元7之氛圍，並抑制朝旋轉台2之下方區域的氣體之進入，係設 有環狀之外罩構件71(圖18)。該外罩構件71係具備有以從下方側面對旋轉台2之外緣部以及較外緣部要外周側之方式來加以設置的內側構件71a，以及該內側構件71a與腔室1之內壁之間所設置的外側構件71b。外側構件71b係設置為在分離區域D中，在凸狀部4之外緣部所形成的彎曲部46之下方而接近彎曲部46，而內側構件71a係在旋轉台2的外緣部下方(以及較外緣部稍靠外側部分的下方)中，橫跨整周來圍繞加熱單元7。
較配置有加熱單元7之空間要靠近旋轉中心之部位的底部14係以接近於旋轉台2下面的中心附近之核心部21的方式來突出於上方側而成為突出部12a。該突出部12a與核心部21之間係形成為狹小的空間，又，使得貫穿底部14的旋轉軸22之貫孔的內周面與旋轉軸22的間隙變得狹窄，而該等狹小之空間係連通於外殼體20。然後，外殼體20係設有用以供給為沖淨氣體之N2氣體至狹小的空間內而加以沖淨之沖淨氣體供給管72。又，腔室1之底部14係在加熱單元7之下方中以既定的角度間隔來在周圍方向設有用以沖淨加熱單元7之配置空間的複數沖淨氣體供給管73(圖18係顯示一個沖淨氣體供給管73)。又，在加熱單元7與旋轉台2之間為了抑制朝設有加熱單元7之區域的氣體之進入，係設有橫跨周圍方向來將從外部構件71b之內周壁(內側構件71a之上面)與突出部12a之上端部之間加以覆蓋的覆蓋構件7a。覆蓋構件7a可例如以石英來加以製作。
又，腔室1之頂板11的中心部係連接有分離氣體供給管51，而以供給為分離氣體之N2氣體至頂板11與核心部21之間的空間52之方式來加以構成。被供給至該空間52之分離氣體會透過突出部5與旋轉台2的狹窄間隙50而沿著旋轉台2之基板載置區域24側表面朝向周緣來噴出。空間50可藉由分離氣體來維持較空間481及空間482要高之壓力。從而，藉由空間50，便會抑制供給於第1處理區域P1之TiCl4氣體與供給於第2處理區域P2之NH3氣體通過中心區域C而混合。亦即，空間50(或是中心區域C)可具有與分離空間H(或是分離區域D)相同的機能。
進一步地，腔室1的側壁，如圖15、16所示，係形成有用以在外部搬送臂10與旋轉台2之間進行晶圓W搬送的搬送口15。該搬送口15係藉由未圖示之閘閥來進行開閉。又，旋轉台2中為晶圓載置區域的凹部24係由 於在面對該搬送口15之位置來與搬送臂10之間進行晶圓W的收授，故在旋轉台2之下方側中對應於搬送位置的部位，係設置有貫穿凹部24並用以將晶圓W從內面抬升之收授用的升降銷及其升降機構(皆未圖示)。
又，本實施形態之成膜裝置，如圖1所示，係設置有由進行控制裝置全體動作用之CPU等電腦所構成之控制部100，而該控制部之記憶體內係儲存有讓成膜裝置在控制部100之控制下實施後述的成膜方法之程式。該程式係以實行後述成膜方法的方式來組成步驟群，並記憶於硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡以及軟碟等媒體，而藉由既定之讀取裝置來載入至記憶體，以安裝於控制部100內。
另外，控制部100亦可控制上述之處理部160以及晶座標記選擇判定部161等。
如此般，實施形態1中所說明之基板位置檢測裝置、基板處理裝置可適用於使用以實施形態3所顯示之ALD法或MLD法而進行具有TiN等反射性的有色膜之成膜的成膜裝置。然後，即便在具有TiN等反射性之有色膜的成膜中，亦可以高對比來拍攝拍攝對象，而基於所拍攝之影像，便會正確且確實地檢測出晶圓W的位置。
又，實施形態3中，係雖然舉出了適用實施形態1相關之基板位置檢測裝置170、基板處理裝置180於成膜裝置200之範例來加以說明，但無需贅言亦可適用實施形態2相關之基板處理裝置於成膜裝置。
藉由上述之各實施形態，便可以高對比來拍攝腔室內的拍攝對象，來檢測出基板位置。
附於上述之各實施形態的連續編號1，2，...係並非表示較佳的實施形態順序。
以上，雖已就本發明之較佳實施形態來詳細說明，但本發明不被限制於上述之實施形態，只要不超出本發明之範圍，便可在上述之實施形態加上各種的變形及置換。
本申請案係基於2012年12月21日於日本專利局所申請之特願2012-279911，並主張該申請案之優先權，而參照並包含該申請案之所有內容。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧晶座
5‧‧‧突出部
7‧‧‧加熱單元
11‧‧‧頂板
12‧‧‧容器本體
14‧‧‧底部
16‧‧‧孔
18‧‧‧腔室標記
20‧‧‧外殼體
20a‧‧‧凸緣部分
21‧‧‧核心部
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧驅動部
24‧‧‧凹部
25‧‧‧有色晶座標記
45‧‧‧頂面
50‧‧‧空間
51‧‧‧分離氣體供給管
71‧‧‧外罩構件
71a‧‧‧內側構件
72、73‧‧‧沖淨氣體供給管
100‧‧‧控制部
110‧‧‧窗體
120‧‧‧照明
130‧‧‧照明反射板
131‧‧‧反射面
132‧‧‧反射部
133‧‧‧反射限制部
140‧‧‧照相機
150‧‧‧框體
160‧‧‧處理部
161‧‧‧晶座標記選擇判定處理部
162‧‧‧開關
170‧‧‧基板位置檢測裝置
180‧‧‧基板處理裝置
C‧‧‧中心區域
W‧‧‧晶圓

Claims (20)

  1. 一種基板位置檢測裝置，係從設於基板處理用之腔室的上面之窗體來拍攝腔室內部既定的拍攝對象，而從該既定拍攝對象的影像便可檢測出基板的位置之基板位置檢測裝置；其具有：設於較該窗體要上方，並可從該窗體拍攝該既定拍攝對象之拍攝裝置；設於較該窗體要上方，並可朝向上方照射光線之照明裝置；設於較該照明裝置要上方，並具有可將從該照明裝置之該光線朝向該窗體反射之反射面的照明反射板；以及設於該照明反射板之該反射面上，並用以在包含該既定拍攝對象之既定區域上形成陰影的反射限制部。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板位置檢測裝置，其中該照明反射板係設於較該拍攝機構要下方，並具有確保該拍攝裝置的拍攝視野之開口部。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板位置檢測裝置，其中該反射限制部係將以該拍攝裝置所拍攝之影像的視野作為基準，並以該陰影會形成於該既定範圍上之方式來設定位置。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板位置檢測裝置，其中該既定拍攝對象係包含設於該腔室底面之第1標記。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板位置檢測裝置，其中該腔室係收置有可載置基板的晶座；該既定拍攝對象係包含設於該晶座表面之第2標記。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板位置檢測裝置，其中該既定拍攝對象係包含有保持該基板的基板保持部以及與該基板的邊界部分。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板位置檢測裝置，其中該基板保持部係包含將該基板從該腔室內搬出時所使用之搬送臂的拾取器。
  8. 如申請專利範圍第5項之基板位置檢測裝置，其中該晶座係可載置複數該基板；該第1標記係對應於各個可載置的複數該基板而被設置複數個。
  9. 如申請專利範圍第5項之基板位置檢測裝置，其中該晶座係石英製；該第2標記係有色的標記。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板位置檢測裝置，其中該腔室係使用氣體而可成膜之成膜腔室。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板位置檢測裝置，其中該成膜腔室係可成膜出具有反射性的有色膜。
  12. 一種基板處理裝置，係具有：在上面具有窗體之基板處理用的腔室；設於該腔室內，並可載置基板的晶座；以及如申請專利範圍第5項之基板位置檢測裝置； 其中該晶座係在該第2標記的周邊，進一步地具有將該晶座的一部分切除的第3標記。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中該晶座的一部分係該晶座的邊緣部。
  14. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中該第3標記係具有圓筒形狀。
  15. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中該第3標記係具有從該晶座的上面朝向下面而切除部分變大之錐形狀。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中該錐形狀之錐角係被設定為較從該照明反射板之該光線的入射角度要大。
  17. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中該第2標記與第3標記係被選擇性地使用，並進一步地具有：晶座標記選擇開關，係可選擇使用該第2標記或是該第3標記之任一者。
  18. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中該第2標記與第3標記係被選擇性地使用，並進一步地具有：晶座標記選擇判定部，係按照該第2標記的識別性來判別使用該第2標記或是該第3標記之任一者。
  19. 一種成膜裝置，係具有：在上面具有窗體，並用以進行成膜之基板處理的腔室； 設於該腔室內，並可載置基板的晶座；如申請專利範圍第1項之基板位置檢測裝置；設於該腔室內，並可供給第1反應氣體的第1處理區域；與該第1處理區域分離而加以設置，並可供給第2反應氣體的第2處理區域；以及設於該第1處理區域與該第2處理區域之間，並具有較該第1處理區域及該第2處理區域要低之頂面，而可藉由供給分離氣體來防止該第1反應氣體與該第2反應氣體之混合的分離區域。
  20. 一種成膜裝置，係具有：如申請專利範圍第12項之基板處理裝置；設於該基板處理裝置之該腔室內，並可供給第1反應氣體的第1處理區域；與該第1處理區域分離而加以設置，並可供給第2反應氣體的第2處理區域；以及設於該第1處理區域與該第2處理區域之間，並具有較該第1處理區域及該第2處理區域要低之頂面，而可藉由供給分離氣體來防止該第1反應氣體與該第2反應氣體之混合的分離區域。
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