CN103887210B - 基板位置检测装置、基板处理装置和成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板位置检测装置、基板处理装置和成膜装置。一种基板位置检测装置，其是自设置于基板处理用的腔室的上表面的窗对腔室内部的规定的拍摄对象进行拍摄、并能根据该规定的拍摄对象的图像检测出基板的位置的基板位置检测装置，其具有：摄像装置，其设置得比上述窗靠上方，能自上述窗拍摄上述规定的拍摄对象；照明装置，其设置得比上述窗靠上方，能朝向上方照射光；照明反射板，其设置得比该照明装置靠上方，具有能将来自该照明装置的上述光朝向上述窗反射的反射面；以及照明反射限制部，其设置在该照明反射板的上述反射面上，用于在包含上述规定的拍摄对象在内的规定区域上形成影。

Description

基板位置检测装置、基板处理装置和成膜装置
本发明将2012年12月21日向日本专利局申请的特愿2012-279911作为基础申请，基于该申请主张优先权，并包含该申请的全部内容以作为参考。
技术领域
本发明涉及一种基板位置检测装置、采用该检测装置的基板处理装置以及成膜装置。
背景技术
以往，公知有如下基板位置检测装置，该基板位置检测装置具有：摄像部，其用于对作为位置检测对象的基板进行拍摄；光散射性的板构件，其配置于摄像部和基板之间，具有用于确保摄像部相对于基板的视场的第1开口部；第1照明部，其用于将光照射到板构件上；以及处理部，其用于根据摄像部拍摄到的基板的图像求出基板的位置（例如，参照日本特开2010-153769号公报）。
日本特开2010-153769号公报所记载的基板位置检测装置配置于被形成在成膜装置的腔室的上表面的窗的上方，透过窗对腔室内的晶圆（基板）的位置进行检测。在日本特开2010-153769号公报所记载的基板位置检测装置中，板构件是由涂敷了白色颜料的丙烯板制造的，将光照射在板构件而使板构件发出白色光，从而使晶圆看起来是白色的。
另一方面，用于载置晶圆的基座是由碳、SiC涂敷碳制造的，被来自板构件的光映照而看起来是黑色的，利用对比度能够清楚识别晶圆的边缘，从而能够减少检测误差。
但是，在上述的日本特开2010-153769号公报所记载的基板位置检测装置中，存在如下问题：随着在腔室内的成膜的进行而在设置于腔室的窗的内侧也成膜，在膜是具有反射性的有色膜的情况下，窗会对光进行反射，从而图像的对比度降低。
发明内容
发明要解决的问题
因此，本发明的一个目的在于提供一种即使是在窗处于将光反射的状态的情况下也能够以高对比度对位于腔室内的拍摄对象进行拍摄、并能够检测基板位置的基板位置检测装置、采用该检测装置的基板处理装置以及成膜装置。
用于解决问题的方案
采用本发明的1个技术方案，提供一种基板位置检测装置，该基板位置检测装置是自设置于基板处理用的腔室的上表面的窗对腔室内部的规定拍摄对象进行拍摄、并能根据该规定的拍摄对象的图像检测出基板的位置的基板位置检测装置，其中，该基板位置检测装置具有：摄像装置，其设置得比上述窗靠上方，能自上述窗拍摄上述规定的拍摄对象；照明装置，其设置得比上述窗靠上方，能朝向上方照射光；照明反射板，其设置得比该照明装置靠上方，具有能将来自该照明装置的上述光朝向上述窗反射的反射面；以及照明反射限制部，其设置在该照明反射板的上述反射面上，用于在包含上述规定的拍摄对象在内的规定区域形成影。
采用本发明的另1个技术方案，其中，基板处理装置具有：基板处理用的腔室，其在上表面具有窗；基座，其设置于该腔室内，能够载置基板；以及上述基板位置检测装置，上述基座在上述第2标记的周边还具有切掉了上述基座的局部而成的第3标记。
采用本发明的另1个技术方案，其中，成膜装置具有：腔室，其在上表面具有窗，用于进行成膜相关的基板处理；基座，其设置于该腔室内，能够载置基板；上述基板位置检测装置；第1处理区域，其设置于上述腔室内，能够供给第1反应气体；第2处理区域，其与该第1处理区域分开来设置，能够供给第2反应气体；分离区域，其设置于上述第1处理区域和上述第2处理区域之间，具有比上述第1处理区域和上述第2处理区域低的顶面，通过供给分离气体而能防止上述第1反应气体和上述第2反应气体的混合。
采用本发明的另1个技术方案，其中，成膜装置具有：上述基板处理装置；第1处理区域，其设置于该基板处理装置的上述腔室内，能够供给第1反应气体；第2处理区域，其与该第1处理区域分开来设置，能够供给第2反应气体；分离区域，其设置于上述第1处理区域和上述第2处理区域之间，具有比上述第1处理区域和上述第2处理区域低的顶面，通过供给分离气体而能防止上述第1反应气体和上述第2反应气体的混合。
发明的效果
采用上述各实施方式，能够以高对比度对腔室内的拍摄对象进行拍摄，检测出基板位置。
附图说明
图1是表示包含本发明的实施方式1的基板位置检测装置的基板处理装置的一个例子的图。
图2是表示包含本发明的实施方式1的基板位置检测装置的基板处理装置的一个例子的腔室的上表面的图。
图3是表示包含本发明的实施方式1的基板位置检测装置的基板处理装置的窗和腔室的孔之间的关系的放大图。
图4A和图4B是表示实施方式1的基板位置检测装置的一个例子的照明反射板的反射面的结构的图。
图5A、图5B以及图5C是表示对应于成膜的进行状态的基座标记的拍摄图像的图。
图6A和图6B是表示实施方式1的基板处理装置的一个例子的腔室内的各标记的配置关系的图。
图7A和图7B是表示将由实施方式1的基板位置检测装置得到的标记的拍摄图像与由以往的基板位置检测装置得到的拍摄图像相比较的图。
图8A和图8B是表示将由实施方式1的基板位置检测装置得到的晶圆的边缘的拍摄图像与由以往的基板位置检测装置得到的拍摄图像相比较的图。
图9是用于说明在本发明的实施方式1的基板位置检测装置中用于防止晶圆产生反射的照明反射限制部的配置位置的设定方法的图。
图10是用于说明在本发明的实施方式1的基板位置检测装置中，用于防止照明反射限制部的窗产生反射的照明反射限制部的配置位置的设定方法的图。
图11是表示本发明的实施方式1的基板位置检测装置和基板处理装置的一个例子的各构成要素的配置的图。
图12A和图12B是为了用于比较而表示的以往的基板处理装置的有色基座标记的对比度变化的一个例子的图。
图13A和图13B是表示本发明的实施方式1的基板处理装置的切口基座标记的对比度变化的例子的图。
图14A、图14B以及图14C是表示本发明的实施方式2的基板处理装置的一个例子的图。
图15是表示本发明的实施方式3的成膜装置的立体图。
图16是表示本发明的实施方式3的成膜装置的真空容器内的结构的概略俯视图。
图17是表示沿着旋转台的同心圆的该真空容器概略剖视图，该旋转台能旋转地设置于本发明的实施方式3的成膜装置的真空容器内。
图18是表示本发明的实施方式3的成膜装置的其他的概略剖视图。
具体实施方式
下面，参照附图，说明用于实施本发明的实施方式。
（实施方式1）
图1是表示包含本发明的实施方式1的基板位置检测装置的基板处理装置的一个例子的图。在图1中，实施方式1的基板位置检测装置170具有：作为照明工具或者照明装置的一个例子的照明120、照明反射板130、照相机140、壳体150、处理部160。此外，基板处理装置180除了基板位置检测装置170以外，还具有：腔室1、基座2、窗110、旋转轴22。另外，基板处理装置180也可以根据需要而包含在基板的处理中所必须的腔室1中的各种构成要素以及安装于腔室1的各种构成要素。此外，在图1中，表示了将作为位置检测对象的基板的一个例子的晶圆W。
腔室1作为用于对晶圆W等基板进行处理的处理容器的一个例子。本实施方式的基板位置检测装置170能适用的腔室1是能适用能够成为窗110反射光的状态的所有的基板处理用的腔室，与腔室1内的基板处理内容无关。于是，基板处理装置180构成为能进行各种基板处理的装置。但是，在实施方式1中，为了便于说明，例举了腔室1构成为进行成膜处理的成膜腔室的例子来进行说明。
如图1所示，腔室1由顶板11和容器主体12构成，可以构成为整体是密闭容器。需要说明的是，在本实施方式的基板处理装置180中，在顶板11的局部，以能够用照相机140拍摄腔室1的内部的方式设置有孔16。孔16是通向腔室1的内部的开口，由于窗110以封堵孔16的方式配置，而使腔室1处于密闭状态。
图2是表示包含本发明的实施方式1的基板位置检测装置的基板处理装置的一个例子的腔室的上表面的图。如图2所示，腔室1的上表面由顶板11构成，在顶板11的局部形成有孔16。而且，以覆盖孔16的方式设置有比孔16大一圈的窗110，并利用O型密封圈115来进行密封从而将孔16封堵住。
回到图1的说明，在使用腔室1进行成膜处理的情况下，通常是使腔室1内成为高温，并向腔室1内供给成膜用的反应气体。在本实施方式的基板处理装置180中，例举了采用在晶圆W的表面上形成原子层的原子堆积法（Atomic Layer Deposition）或者形成分子层的分子堆积法（Molecular Layer Deposition）进行成膜处理的例子来进行说明。
腔室1也可以具有腔室标记18。腔室标记18是用于表示腔室1的基准位置的标记，能以腔室标记18为基准检测晶圆W的位置。需要说明的是，将在后面叙述腔室标记18的详细内容。
基座2是用于载置晶圆W的基板载置台，其设置于腔室1内。基座2的表面形成有作为基板载置区域的凹部24，用于将晶圆W载置于规定位置，该凹部24具有与晶圆W大致相同的尺寸，且具有凹陷形状。此外，基座2构成为：形成圆形的圆盘状，且沿着圆周方向能够载置多张晶圆W。基座2构成为与旋转轴22连接并能旋转。基座2也被称为旋转台2。
这样一来，因为基座2能够旋转，载置于基座2上的晶圆W的位置并不固定，在进行成膜处理时，就有必要检测晶圆W的位置。如上所述，因为晶圆W载置于基座2上的凹部24，并在基座2的表面上设置有有色基座标记25，从而通过检测有色基座标记25来检测晶圆W的位置。需要说明的是，将在后面叙述基座标记25的详细内容。
在该例子中，因为基座2是圆形，所以用于收容基座2的腔室1也与基座2相对应地构成为圆筒形。
窗110设置于孔16上，在封堵由孔16构成的开口的同时，确保从被设置于上方的照相机140能够俯视的拍摄视场。窗110虽然由光能透过的各种材料构成，但是，例如也可以构成为由石英玻璃构成的石英窗110。
图3是表示包含本发明的实施方式1的基板位置检测装置的基板处理装置的窗和腔室的孔之间的关系的放大图。如图3所示，窗110配置在孔16上，该孔16形成于构成腔室1的上表面的顶板11上。在窗110和顶板11之间设置有O型密封圈115，同时窗卡定件116以能自上表面和侧面按压窗110的方式被螺钉固定，从而使窗110以将孔16密闭封堵的方式固定。这样一来，窗110以将设置于腔室1的上表面的孔16密闭封堵的方式进行设置，构成为在确保腔室1的密封性的同时，能自窗110观察腔室1的内部。
需要说明的是，这样一来，因为窗110具有实际上构成腔室1的上表面的局部的结构，在进行成膜工艺时，也会在窗110的内表面成膜。在图3中，虚线F示意性地表示已形成的膜。但是，因为基本上是将成膜用的原料气体向位于基座2上的晶圆W供给，从而在晶圆W上进行成膜，所以在窗110的内表面成膜的膜的厚度是在晶圆W上成膜的膜的厚度的1/10以下左右的厚度。其原因在于，在利用ALD法或者MLD法的基板处理装置中，因为是向晶圆W进行原子层或者分子层等级的成膜，所以在不是成膜靶的窗110形成的膜也不会形成的那么厚。在这方面，与不仅是在晶圆W的表面，也在窗110的内表面进行较厚成膜的CVD反应不同。这样一来，在窗110形成的膜，如果利用清洁气体定期进行清洁，能达到不对有色基座标记25的检测产生影响的等级。
但是，如果像TiN这样的反射性的膜形成于窗110的内表面，则会存在降低在利用清洁气体进行定期清洁期间的有色基座标记25的视觉确认性的情况。在本实施方式中，提供一种即使在形成这样的反射性的膜的情况下也能切实地进行有色基座标记25的检测的基板位置检测装置和基板处理装置。
回到图1的说明，照明120作为照射光的光源，其朝向位于比照明120靠上方的照明反射板130而向上方照射光，利用被照明反射板130反射的反射光使光射入窗110。照明120只要能以合适的亮度照射光，就可以采用各种光源，例如，也可以采用LED（Light EmittingDiode、发光二极管）。需要说明的是，照明120为了不遮挡照相机140的拍摄视场，而设置于壳体150的壁面附近，从而向斜上方照射光。
照明反射板130是这样一种光反射部件或者光反射部的例子，即，将自照明120射入的光进行反射，并利用反射光照射窗110，从而使腔室1的内部明亮。照明反射板130因为要将自下方射入的光反射，所以在下表面具有反射面131。本实施方式的基板位置检测装置170的照明反射板130在反射面131上不仅具有对光进行反射的部分，还具有用于在照相机140的拍摄视场内的规定区域形成影的照明反射限制部，这一点在后面叙述。
照明反射板130为了不遮挡照相机140的拍摄视场而具有开口部134。但是，在图1中，因为照明反射板130设置得比照相机140靠下方，虽然开口部134是必须的，但是，例如也可以将照明反射板130设置得比照相机140靠上方。在该情况下，无需开口部134，而能够将照明反射板130形成为1张连续的板状。
照相机140是隔着窗110拍摄腔室1的内部的摄像部件或者摄像装置的一个例子。照相机140也能够根据用途采用各种结构的照相机140，例如，可以采用CCD（ChargeCoupled Device）。
壳体150是用于收容窗110、照明120、照明反射板130以及照相机140的外壳。由于利用壳体150将整体覆盖，照相机140的周围变暗，从而能达到适于拍摄的状态。
处理部160是用于基于由照相机140拍摄的图像来进行用于检测基板、即晶圆W的位置的运算处理的部件或装置的一个例子。于是，处理部160构成为能进行运算处理，例如，具有CPU（Central Processing Unit、中央处理装置），也可以构成为按照程序进行工作的微型计算机、为了特定的用途而设计、制造的ASIC（Application Specific IntegratedCircuit）等集成电路。
处理部160根据需要也可以包含基座标记选择判定处理部161。在存在有多种基座标记的情况下，基座标记选择判定处理部161根据成膜状态进行用于选择适合的基座标记的判定处理。例如，基座标记选择判定处理部161也可以根据切口基座标记26的视觉确认性来选择采用有色基座标记25还是切口基座标记26。这样的判定处理因为也是根据运算处理来进行的，所以基座标记选择判定处理部161被设置于处理部160内。但是，基座标记选择判定处理部161不是必须设置于处理部160内，根据用途也可以独立设置于外部。
根据需要，也可以在处理部160设置基座标记选择开关162。上述的基座标记的选择可以由使用者来判断，也可以是为了能够在基板位置检测中利用使用者所希望的基座标记，而设置基座标记选择开关162。需要说明的是，只要具备基座标记选择判定处理部161和基座标记选择开关162中的任意一个就足够了，但也可以两者都具备。通常，在根据基座标记选择判定处理部161的判定而进行基座标记选择开关162的操作的情况下，如果使由基座标记选择开关162进行的选择操作优先进行，就能使两者并存。
需要说明的是，在后面叙述图1所示的基板处理装置180的其他各种构成要素。
图4A和图4B是表示实施方式1的基板位置检测装置170的一个例子的照明反射板130的反射面131的结构的图。图4A是自下方表示实施方式1的基板位置检测装置170的一个例子的立体图。关于图4B在后面叙述。
如图4A所示，照明反射板130因为是自下方被光照射，所以将下表面作为反射面131，反射面131具有反射部132、照明反射限制部133、开口部134。反射部132作为用于反射照明光的区域，是将反射光照射到窗110、再照亮拍摄对象的部分。另一方面，照明反射限制部133是用于即使被照明光照射也不进行反射而在对应的位置形成影的区域。
在利用使用了ALD法或者MLD法的基板处理装置180进行成膜的情况下，虽然基本上仅在配置于基座2上的晶圆W上进行成膜，但也在用于支承晶圆W的基座2上进行成膜，在进行有色膜的成膜的情况下，上述有色基座标记25被膜覆盖而难以看到。例如，在进行TiN的成膜情况下，形成于基座上的有色基座标记25由于成膜的原因而变得与周围没有浓度差，从而对比度降低。
图5A、图5B以及图5C是表示对应于这样的成膜的进行状态的基座标记的拍摄图像的图。图5A是表示未成膜状态的有色基座标记25的拍摄图像的图。未成膜状态是能够清楚地视觉确认有色基座标记25的状态。
图5B是表示形成了3μm左右的膜厚的TiN膜的状态的拍摄图像的图。如图5B所示，在成膜开始时，基座2变黑。由此，有色基座标记25也与周的颜色同化，变得没有浓淡差，视觉确认困难。
图5C是表示形成了8μm左右的膜厚的TiN膜的状态的拍摄图像的图。如图5C所示，图像整体变白，有色基座标记25的识别依旧困难。在进行成膜时，
在腔室1的内部的壁面上也进行了微量的成膜，在窗110的内表面也进行了微量的成膜。而且，光无法透过且具有反射性的TiN膜在窗110的内表面成膜时，窗110无法使光透过，而变得象反射光的镜子一样。这样的话，窗110的整个区域拍摄成白色，对比度降低，有色基座标记25的视觉确认依旧困难。
回到图4A的说明，为了避免图5C所表示的状态，在实施方式1的基板位置检测装置170中，为了不使光照射到有色基座标记25这样的拍摄对象所存在的区域，而设置照明反射限制部133。也就是说，构成为利用掩模覆盖反射面131的局部从而使在该部分无法发生反射的结构。由此，在存在有色基座标记25这样的拍摄对象的区域中，因为形成影，而不使光反射到照相机140，从而能以原本的亮度进行拍摄，所以能以恰当的对比度获得图像。
图4B是反射面131的局部放大图。形成有照明反射限制部133的部位包含有色基座标记25所在的区域。需要说明的是，这样的反射现象不仅在窗110的表面，也在晶圆W的表面发生。在检测晶圆W的位置的情况下，虽然是检测晶圆W的边缘，但是若晶圆W的表面将光反射，画面仍旧整体变白，从而无法检测边缘。这样的晶圆W的边缘检测，虽然是在晶圆W没在基座2上而是将晶圆W支持于位于输送臂的顶端的拾取件的情况下进行的，但是有时由于晶圆W的表面的反射而难以进行边缘的检测。因此，在本实施方式中，也考虑到该现象，照明反射限制部133以使晶圆W的边缘部分也不照射光而在晶圆W和拾取件的交界部分也形成影的方式设置。即，虽然在形成有开口部134的圆形的反射部132和与该反射部132相对的反射部之间形成有照明反射限制部133，该区域以除了有色基座标记25以外还包含利用拾取件支承晶圆W时的拾取件与晶圆W的交界部分的方式形成。由此，能以高对比度对作为拍摄对象的多个检测部分进行摄像，并进行检测。
需要说明的是，如果是能反射照明光的材料，就能以各种这样的材料构成反射面131的反射部132，例如，可以将白色的特氟龙（テフロン注册商标）的薄板粘接于照明反射板130的背面来构成反射部132。此外，如果是不反射照明光而是吸收照明光的材料，也能以各种这样的材料构成照明反射限制部133，例如，可以由进行了涂黑而无光泽的金属板构成。可以是对每个区域分别粘接而构成上述各部，也可以是将最开始构成反射部132的薄板粘贴于照明反射板130的整个反射面131上，并在反射面131之上粘贴用于进行遮蔽的照明反射限制部133的板。只要是在包含拍摄对象的区域设置照明反射限制部133，并在该区域以外的位置设置用于确保光的反射部132，就能以各种结构构成反射面131。
图6A和图6B是表示实施方式1的基板处理装置的例子的腔室内的各标记的配置关系的图。图6A是表示腔室1内的各标记的配置的整体图。
如图6A所示，在收容于腔室1内的基座2上，沿着圆周方向能载置多个晶圆W，在图6A的例子中，能够载置5个晶圆W。需要说明的是，晶圆W配置于基板载置区域24内。对应于各基板载置区域24，形成有两个有色基座标记25和切口基座标记26。因为可以预先知晓基板载置区域24与有色基座标记25和切口基座标记26之间的配置关系，通过检测有色基座标记25和切口基座标记26，从而能够检测晶圆W的位置。此外，在腔室1的底部14的表面上，设置有腔室标记18。腔室标记18只在腔室1的晶圆W的搬出口15的1处位置设置两个，构成为能够检测在搬入搬出晶圆W时的晶圆W的位置。此外，腔室标记18与腔室标记18附近的有色基座标记25以及切口基座标记26都处于照相机140的视场范围141。需要说明的是，切口基座标记26的详细内容在后面叙述。
图6B是隔着窗110的照相机140的视场范围141的放大图。如图6所示，设置于腔室1的腔室标记18、设置于基座2的有色基座标记25以及切口基座标记26、基板载置区域24配置于邻近的位置。此外，这样一来，由于基板位置检测用的所有的标记18、25、26都配置于邻近的位置上，从而能够利用1台照相机140进行基板位置检测。此外，由于基板载置区域24也邻近地配置，在搬入搬出晶圆W时，在利用作为基板保持部件或者基板保持部的一个例子的输送臂的拾取件来保持晶圆W的情况下，也成为能够检测晶圆W和拾取件的交界的配置结构。
需要说明的是，有色基座标记25可以由容易视觉确认的任意颜色构成，例如可以是黑色。
图7A和图7B是表示将由实施方式1的基板位置检测装置得到的标记的拍摄图像与由以往的基板位置检测装置得到的拍摄图像相比较的图。
图7A是表示由以往的基板位置检测装置得到标记的拍摄图像的图。如在图7A的下部进行局部放大所表示的那样，腔室标记18和有色基座标记25与周围的颜色同化，处于对比度降低、视觉确认困难的状态。
图7B是表示将由实施方式1的基板位置检测装置得到的标记的拍摄图像的图。如在图7B的下部进行局部放大所表示的那样，腔室标记18和有色基座标记25以比图7A更明了的对比度来表示。这样一来，采用本实施方式的基板位置检测装置，能够以高对比度取得检测标记的图像，从而能够切实地进行基板位置检测。
需要说明的是，在图7A中，所有部分都是大致相同的亮度，在图7B中，表示有白色部分和黑色部分。该黑色部分是由照明反射限制部133所形成的影的部分，由此，表示出有色基座标记25的视觉确认性比图7A的视觉确认性得到了改善。
图8A和图8B是表示将由实施方式1的基板位置检测装置得到的晶圆的边缘的拍摄图像与由以往的基板位置检测装置得到的拍摄图像相比较的图。
图8A是表示由以往的基板位置检测装置得到晶圆W的边缘的拍摄图像。在图8A中，大致表示出输送臂10的拾取件与晶圆W的交界，但晶圆W与输送臂10的对比度（晶圆W的边缘We）还不明了，在利用运算处理进行的图像识别中，检测会变得困难。
图8B是表示将由实施方式1的基板位置检测装置得到的晶圆的边缘的拍摄图像的图。在图8B中，晶圆W的边缘We的部分形成为影而变黑。而且，输送臂10的拾取件变白，从而成为高对比度的图像。由此，即使利用运算处理进行的图像识别中，也能够容易检测出晶圆W的边缘We，从而能够容易地检测出晶圆W的位置。
这样一来，采用实施方式1的基板位置检测装置，由于对包含拍摄对象的区域不照射照明光而形成有影，能够以高对比度的图像来识别拍摄对象。
图9是用于说明在本发明的实施方式1的基板位置检测装置中用于防止晶圆产生反射的照明反射限制部的配置位置的设定方法的图。在图9中，表示有用于防止照明光向晶圆W映照（反射）的照明反射限制部133的设定方法。在图9中，Vwe表示向晶圆W的边缘We的视线。在图9中，首先将包含晶圆W的边缘的规定区域设定为防止照明的映照的规定区域Sh1。该区域Sh1是考虑了照相机140的视场中心和视场的扩大角度而连接出来，并进一步以此为对象，考虑视场的扩大角度而向照明反射板130的反射面131延长视线，从而求出反射面131上要遮蔽掩模的范围。若在该范围内设置照明反射限制部133，则照明不能照射到包含晶圆W的边缘的区域Sh1，从而能够形成影。需要说明的是，可知：在照明反射板130的反射面131上，要遮蔽掩模的范围为比设定于晶圆W上的照明无法映照的区域Sh1更广阔的区域。这样一来，照明反射板130的反射面131上的照明反射限制部133的设定是以照相机140的视场区域为基准来进行的。由此，将照明反射限制部133设定在适当的区域，从而能够采用图像识别来检测晶圆W的位置。
图10是用于说明在本发明的实施方式1的基板位置检测装置中，用于防止窗产生反射的照明反射控制部的配置位置的设定方法的图。在图10中，首先在窗110上设定有防止照明的映照的区域Sh2。而且，该区域Sh2是考虑了照相机140的拍摄中心和视场的扩大角度而连接出来的。接着，对照连结起来的视线，依旧考虑视场的扩大角度，向照明反射板130的反射面131延长视线，从而在反射面131上求得对应的区域，并将该区域作为照明反射限制部133来设定。这样一来，在防止向窗110的照明的映照的情况下，将照相机140的拍摄视场作为基准来设定照明反射限制部133的区域。由此，能够以与由照相机140拍摄的图像相适应的方式形成影。
图11是表示本发明的实施方式1的基板位置检测装置和基板处理装置的一个例子的各构成要素的配置的图。在图11中，设定了照明反射板130的反射面131与照明120之间的距离L1、照相机140的镜头顶端（例如、CCD镜头顶端）与照明120之间的距离L2、照相机140的镜头顶端与窗110之间的距离L3、照相机140的镜头顶端与晶圆W的表面之间的距离L4以及照相机140的镜头顶端与基座2的表面之间的距离L5。例如，考虑到这样的各构成要素间的距离，能够进行如图10所示那样的照明反射限制部133的设定。
这样一来，采用实施方式1的基板位置检测装置，由于将照明反射限制部133恰当地设置于照明反射板130的反射面131，即使在进行TiN等光无法透过的膜的成膜工艺的情况下，也能防止窗110和晶圆W表面对照明光的反射，并切实地对拍摄对象进行拍摄，从而能够检测基板位置。
在上述内容中，对基板位置检测装置进行了说明，接着，说明通过改善基座标记而能容易地进行基板位置的检测的基板处理装置。
图12A和图12B是为了用于比较而表示以往的基板处理装置的有色基座标记的对比度变化的一个例子的图。
图12A是表示以往的基板处理装置在成膜前的有色基座标记的拍摄图像的一个例子的图。如图12A所示，在TiN膜的成膜前，处于黑色的有色基座标记25能以高对比度进行视觉确认的状态。
图12B是表示以往的基板处理装置在成膜后的有色基座标记的拍摄图像的一个例子的图。如图12B所示，成膜后拍摄图像整体变黑，由于低对比度的原因，处于有色基座标记25的识别困难的状态。
在这里，在实施方式1的基板处理装置中，除了有色基座标记25以外，还设置有切口基座标记26。
回到图6B的说明，其是表示切口基座标记26的俯视图，切口基座标记26是将基座2的局部切掉而形成的。若开设孔，因为要使切口基座标记26发挥作用，可以在基座2的任意位置设置切口基座标记26，出于加工的容易性等的考虑，例如，优选设置于基座2的边缘部。即，优选将基座2的边缘部切开而象晶圆W的凹部这样形成。切口基座标记26能够构成为各种形状，例如，可以构成为切成大致圆筒形状。在图6A和图6B中，示了出设置有圆筒形状的切口基座标记26的例子。
图13A和图13B是表示本发明的实施方式1的基板处理装置的切口基座标记26的对比度变化的例子的图。
图13A是表示本发明的实施方式1的基板处理装置的切口基座标记的成膜前的拍摄图像的一个例子的图。如图13A所示，在成膜前，与切口基座标记26相比，有色基座标记25表示出较高的对比度。
图13B是表示本发明的实施方式1的基板处理装置的切口基座标记的成膜后的拍摄图像的一个例子的图。如图13B所示，在成膜后，有色基座标记25与周围的黑色同化而变为低对比度，切口基座标记26变为自周围的黑色而显露出的白色，能够以高对比度进行识别。这样一来，在成膜了TiN膜的状态下，切口基座标记26表现出高对比度，对图像识别非常有效。
如上所述，在实施方式1的基板处理装置中，除了有色基座标记25以外，还设置有将基座2的局部、典型的是将基座2的边缘部切开而得到的切口基座标记26，在成膜时也能稳定地检测标记。有色基座标记25因为是设置于基座2的表面上的标记，如果基座整个面的颜色为同一颜色，则对比度下降，检测变得不稳定。像本实施方式的基板处理装置这样，设置于基座边缘的切口基座标记26与未成膜的基座下部具有对比度，从而能够进行切实的检测。
但是，如图13A所示，有色基座标记25在未成膜而未带颜色的状态下，对比度较低。于是，有色基座标记25和切口基座标记26并用，优选在未成膜状态或者进行浓度低且颜色浅的膜的成膜工艺的情况下，将有色基座标记25作为检测对象，而在浓度高的膜的成膜工艺的情况下，将切口基座标记26作为检测对象。在该情况下，如图1中说明的那样，优选在处理部160内或者处理部160外设置基座标记选择判定部161和/或基座标记选择开关162，自动或者手动切换基座标记25、26来检测基座2的位置。
需要说明的是，可以根据需要设置切口基座标记26，在只利用有色基座标记25就能切实地检测基板位置的情况下，就无需设置切口基座标记26。
（实施方式2）
图14A、图14B以及图14C是表示本发明的实施方式2的基板处理装置的一个例子的图。图14A是实施方式2的基板处理装置的一个例子的基座2的立体图。在图14A中，在基座2的边缘部形成有切口基座标记27。在实施方式2的基板处理装置中，切口基座标记27的形状不是单纯的圆筒形状，而是形成为自基座2的上表面向下表面直径变大的锥形状。
图14B是用于说明锥形状的切口基座标记27和圆筒形状的切口基座标记26的不同点的图。在如图14B所示那样的单纯的圆柱状的切口基座标记26的情况下，在照相机140的视场角度所涵盖的情况下，切口基座标记26的上表面的曲线形状会与圆柱之中的侧壁一起被拍摄下来，从而难以识别交界，在图像识别中，有可能无法准确地识别切口基座标记26的曲线形状。通常，在圆形的基座标记中，因为是通过测定圆的中心来测定基座标记的坐标，因此这样的不准确的识别将会导致错误发生。
于是，在本实施方式的基板处理装置中，如图14A所示，切口基座标记27形成为具有比照相机140的视场角度大的角度的锥形状，从而被形成为能够切实地防止这样的误识别的结构。
图14C是表示本发明的实施方式2的基板处理装置的一个例子的切口基座标记27的拍摄图像的一个例子的图。如图14C所示，能够准确识别切口基座标记27的圆形的边缘，从而能够容易地检测基座2的位置。
需要说明的是，在实施方式2的基板处理装置中，对于除切口基座标记27以外的构成要素来说，也包含基板位置检测装置170在内，因为与实施方式1的基板处理装置具有相同的构成要素，故此省略其说明。
采用实施方式2的基板处理装置，能够切实地进行切口基座标记27的识别，从而能够进行准确的基板位置的检测。
（实施方式3）
接着，将实施方式1的基板检测装置构成为用于形成TiN膜的ALD装置或者MLD装置，并作为实施方式3来说明。
回到图1的说明，图1是表示应用了本发明的实施方式1的基板位置检测装置170的实施方式3的成膜装置的一个例子的剖视图。如图1所示，本发明的实施方式3的成膜装置200具有：扁平的腔室1，其具有大致圆形的俯视形状；以及基座2，其设置于该腔室1内，在该腔室1的中心具有旋转中心。腔室1以顶板11能自容器主体12分离的方式构成。由于内部的减压状态，顶板11以夹着密封构件例如O型密封圈13的方式被向容器主体12侧按压，由此将腔室1气密地密封起来。另一方面，如果需要将顶板11自容器主体12分离开时，利用未图示的驱动机构将顶板11向上方举起。
此外，在顶板11设置有例如形成开口的孔16。在顶板11的上表面以与孔16面对面的方式气密地设置有窗110。此外，基板位置检测装置170可装卸地安装于窗110上。基板位置检测装置170的结构是如上述那样。采用基板位置检测装置170，通过实施本发明的实施方式中的上述基板位置检测方法，能够对载置于成膜装置200内的基座2的晶圆W的位置进行检测。需要说明的是，基座2设置有有色基座标记25，并根据需要设置切口基座标记26、27。
旋转台2的中心部固定于圆筒形状的芯部21，该芯部21固定于沿铅垂方向延伸的旋转轴22的上端。旋转轴22贯穿容器主体12的底面部14，其下端安装于能够使该旋转轴22绕铅垂轴线旋转的、在该例子中是使该旋转轴22沿顺时针方向旋转的驱动部23。旋转轴22以及驱动部23收纳在上表面开口的筒状的壳体20内。该壳体20借助设置在其上表面上的凸缘部分20a而气密地安装于腔室1的底面部14的下表面，由此，将壳体20的内部气氛与外部气氛分隔开。此外，在腔室1的底面部14的表面设置有腔室标记18。
图15是表示本发明的实施方式3的成膜装置的立体图。图16是表示本发明的实施方式3的成膜装置的真空容器内的结构的概略俯视图。
在旋转台2的表面部如图15及图16所示那样沿着旋转方向（周向）设有用于载置多个（图示的例子为5个）晶圆W的圆形的凹部24。需要说明的是，为了方便，图15表示为只有1个凹部24载置有晶圆W。该凹部24具有比晶圆W的直径稍微大例如大4mm的内径以及与晶圆W的厚度大致相等的深度。因此，在将晶圆W收容于凹部24时，晶圆W的表面与旋转台2的表面（不载置晶圆W的区域）大致等高。在凹部24的底面形成有通孔（均未图示），该通孔供用于支承晶圆W的背面并使晶圆W升降的例如3根升降销贯穿。
图15及图16是用于说明腔室1内的构造的图，为了便于说明，省略顶板11的图示。如图15及图16所示，在旋转台2的上方，例如由石英构成的反应气体喷嘴31、反应气体喷嘴32以及分离气体喷嘴41、42沿着腔室1的周向（旋转台2的旋转方向（图16的箭头A））彼此隔开间隔地配置。在图示的例子中，分离气体喷嘴41、反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴42以及反应气体喷嘴32按照该顺序自后述的输送口15沿顺时针方向（旋转台2的旋转方向）配置。这些喷嘴31、32、41以及42以如下方式进行安装：通过分别将作为各喷嘴31、32、41、42的基端部的气体导入部31a、32a、41a以及42a（图16）固定于容器主体12的外周壁上，从而自腔室1的外周壁导入腔室1内，沿着容器主体12的半径方向相对于旋转台2水平延伸。
在本实施方式中，反应气体喷嘴31借助未图示的配管和流量控制器等与氯化钛（TiCl4）气体的供给源（未图示）连接。反应气体喷嘴32借助未图示的配管和流量控制器等与氨（NH3）的供给源（未图示）连接。分离气体喷嘴41、42借助均未图示的配管和流量控制器等与分离气体的供给源（未图示）连接。能够采用氦（He）、氩（Ar）等的稀有气体、氮（N2）气等非活性气体作为分离气体。在本实施方式中，使用N2气体作为分离气体。
在反应气体喷嘴31、32上，朝向旋转台2开口的多个气体喷出孔33沿着反应气体喷嘴31、32的长度方向例如以10mm的间隔地排列。反应气体喷嘴31的下方区域是用于使TiCl4气体吸附于晶圆W的第1处理区域P1。反应气体喷嘴32的下方区域是用于使在第1处理区域P1中吸附于晶圆W的TiCl4气体氮化的第2处理区域P2。
通过使晶圆W旋转而按顺序经过供给有TiCl4气体的第1处理区域P1、供给有NH3气体的第2处理区域P2，按顺序向晶圆W的表面上吸附TiCl4气体、利用NH3气体进行氮化，从而在晶圆W的表面上进行TiN的分子层的成膜。与此同时，也在窗110的内侧表面进行TiN的分子层的成膜。
但是，即使在窗110上进行TiN膜的成膜，基板位置检测装置170具有能够准确检测晶圆W的位置的结构和机能这一点还是如实施方式1中说明的那样。
参照图15及图16，在腔室1内设有两个凸状部4。为了与分离气体喷嘴41、42一起构成分离区域D，如后述那样，凸状部4以朝向旋转台2突出的方式安装于顶板11的背面。此外，凸状部4具有顶部被切为圆弧状的扇形的俯视形状，在本实施方式中，以内圆弧与突出部5（后述）连接、外圆弧沿着腔室1的容器主体12的内周面的方式配置。
图17表示自反应气体喷嘴31到反应气体喷嘴32为止沿着旋转台2的同心圆的该腔室1的截面。如图17所示的那样，因为在顶板11的背面安装有凸状部4，所以在腔室1内存在作为凸状部4的下表面的平坦的较低顶面44（第1顶面）和位于该顶面44的周向两侧的、比顶面44高的顶面45（第2顶面）。顶面44具有顶部被切为圆弧状的扇形的俯视形状。此外，如图17所示，在凸状部4的周向中央部分形成有沿半径方向延伸的槽部43，分离气体喷嘴42收容于槽部43内。另一个凸状部4也同样形成有槽部43，用于收容分离气体喷嘴41。此外，在较高的顶面45的下方的空间分别设置有反应气体喷嘴31、32。这些反应气体喷嘴31、32设置为自顶面45离开并在晶圆W附近。需要说明的是，为了便于说明，如图17所示，设置有反应气体喷嘴31的、较高的顶面45的下方的空间用附图标记481表示，设置有反应气体喷嘴32的、较高的顶面45的下方的空间用附图标记482表示。
此外，在收容于凸状部4的槽部43的分离气体喷嘴41、42上，朝向旋转台2开口的多个气体喷出孔42h（参照图17）沿分离气体喷嘴41、42的长度方向以例如10mm的间隔排列。
顶面44与旋转台2之间形成有作为狭窄空间的分离空间H。自分离气体喷嘴42的喷出孔42h供给N2气体时，该N2气体经由分离空间H向空间481和空间482流动。此时，因为分离空间H的容积比空间481和空间482的容积小，所以N2气体能使分离空间H的压力比空间481和空间482的压力要高。即，在空间481和空间482之间形成有压力较高的分离空间H。此外，自分离空间H向空间481和空间482流出的N2气体相对于来自第1区域P1的TiCl4气体以及来自第2区域P2的NH3气体进行对流而起作用。因此，来自第1区域P1的TiCl4气体以及来自第2区域P2的NH3气体被分离空间H分离开。于是，能够抑制TiCl4气体与NH3气体在腔室1内混合而发生反应。
另外，考虑到成膜时的腔室1内的压力、旋转台2的旋转速度、供给的分离气体（N2气体）的供给量等，优选将顶面44的距旋转台2的上表面的高度h1设定为适于使分离空间H的压力比空间481和空间482压力大的高度。
另一方面，在顶板11的下表面以包围用于固定旋转台2的芯部21的外周的方式设置有突出部5（图15和图16）。在本实施方式中，该突出部5形成为与凸状部4的靠旋转中心侧的部位连续，并且该突出部5的下表面与顶面44等高。
之前参照的图1是图16的I-I’剖视图，表示设有顶面45的区域。另一方面，图18是表示设置有顶面44的区域的剖视图。如图18所示，在扇形的凸状部4的周缘部（靠腔室1的外缘侧的部位），形成有以与旋转台2的外端面相对的方式呈L字形弯曲的弯曲部46。该弯曲部46与凸状部4一样地抑制反应气体自分离区域D的两侧进入，从而抑制两种反应气体的混合。扇形的凸状部4设置于顶板11，顶板11能够自容器主体12取下，因此弯曲部46的外周面与容器主体12之间稍有间隙。弯曲部46的内周面与旋转台2的外端面之间的间隙、以及弯曲部46的外周面与容器主体12之间的间隙例如设定为与顶面44的距旋转台2上表面的高度相同的尺寸。
容器主体12的内周壁在分离区域D中如图17所示那样靠近弯曲部46的外周面并形成为垂直面，在分离区域D以外的部位，如图1所示那样例如在自与旋转台2的外端面相面对的部位到底部的范围内向外侧凹陷。以下，为了便于说明，将具有大致矩形的截面形状的凹陷部分记为排气区域。具体而言，将与第1处理区域P1连通的排气区域记为第1排气区域E1，将与第2处理区域P2连通的区域记为第2排气区域E2。如图1和图16所示，在这些第1排气区域E1和第2排气区域E2的底部分别形成有第1排气口610和第2排气口620。第1排气口610和第2排气口620如图1所示那样借助各个排气管630与作为真空排气部件或者真空排气装置的一个例子的例如真空泵640连接。
在旋转台2与腔室1的底部14之间的空间，如图1和图18所示，设有作为加热部件或者加热装置的一个例子的加热单元7，隔着旋转台2将旋转台2上的晶圆W加热至由工艺制程程序决定的温度（例如400℃）。在旋转台2的周缘附近的下方侧，为了将自旋转台2的上方空间到排气区域E1、E2为止的气氛与放置有加热单元7的气氛划分开，从而抑制气体向旋转台2的下方的空间的进入而设有环状的罩构件71（图18）。该罩构件71具有以自下方侧与旋转台2的外缘部和比外缘部靠外周侧的部位面对的方式设置的内侧构件71a以及在该内侧构件71a与腔室1的内壁面之间设置的外侧构件71b。外侧构件71b在分离区域D中与弯曲部46接近地设置在形成于的凸状部4的外缘部的弯曲部46的下方；内侧构件71a在旋转台2的外缘部下方（以及比外缘部稍靠外侧的部分的下方）绕加热单元7的整个一周地将其包围。
底部14的比配置有加热单元7的空间靠旋转中心的部位以接近旋转台2的下表面的中心部附近的芯部21的方式向上方侧突出而构成突出部12a。该突出部12a与芯部21之间成为狭窄空间，另外，贯穿底部14的旋转轴22的通孔的内周面与旋转轴22之间的间隙变窄，这些狭窄空间与壳体20连通。而且，在壳体20上设有用于向狭窄空间供给作为吹扫气体的N2气体来进行吹扫的吹扫气体供给管72。此外，在腔室1的底部14，在加热单元7的下方沿周向以规定的角度间隔设有用于吹扫加热单元7的配置空间的多个吹扫气体供给管73（图18中表示了一个吹扫气体供给管73）。此外，在加热单元7和旋转台2之间设置有沿周向覆盖自外侧构件71b的内周壁（内侧构件71a的上表面）到突出部12a的上端部之间的整个空间的罩构件7a，以抑制气体进入设有加热器单元7的区域。罩构件7a能够用例如石英制成。
另外，腔室1的顶板11的中心部连接有分离气体供给管51，构成为向顶板11与芯部21之间的空间52供给作为分离气体的N2气体。向该空间52供给的分离气体经由作为突出部5与旋转台2之间的狭窄间隙的空间50沿着旋转台2的基板载置区域24侧的表面向周缘喷出。空间50在分离气体的作用下能够维持比空间481和空间482中的压力高的压力。因此，利用空间50能够抑制向第1处理区域P1供给的TiCl4气体、向第2处理区域P2供给的NH3气体经由中心区域C而混合。即，空间50（或者中心区域C）能够发挥与分离空间H（或者分离区域D）相同的功能。
并且，如图15、图16所示，在腔室1的侧壁形成有用于在外部的输送臂10与旋转台2之间进行晶圆W的交接的输送口15。该输送口15利用未图示的闸阀进行开闭。另外，旋转台2的作为晶圆载置区域的凹部24在与该输送口15面对的位置与输送臂10之间进行晶圆W的交接，因此，在旋转台2的下方侧的与交接位置相对应的部位设有用于贯穿凹部24而自背面举起晶圆W的交接用升降销及其升降机构（均未图示）。
另外，如图1所示，在本实施方式的成膜装置中，设有用于控制装置整体的动作的由CPU等的计算机构成的控制部100，在该控制部100的存储器内存储有在控制部100的控制下使成膜装置实施后述的成膜方法的程序。该程序为了执行后述的成膜方法而编入有工序组，并存储在硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等存储介质中，利用规定的读取装置读入存储部，并安装到控制部100内。
需要说明的是，制御部100也可以控制上述处理部160、基座标记选择判定部161等。
这样一来，在实施方式1中说明的基板位置检测装置、基板处理装置能够适用于实施方式3所示的那样的采用ALD法或者MLD法而进行TiN等有反射性的有色膜的成膜的成膜装置。而且，在TiN等有反射性的有色膜的成膜中也能以高对比度对拍摄对象进行拍摄，并基于所拍摄的图像，能够准确且切实地检测晶圆W的位置
此外，在实施方式3中，虽然例举了实施方式1的基板位置检测装置170、基板处理装置180适用于成膜装置200的例子并进行说明，但实施方式2的基板处理装置也可以适用于成膜装置也是自不待言的。
上述各实施方式所标注的连续数字1，2，...，并不表示优选实施方式的排位。
以上，虽然对本发明的优选实施方式进行了详细说明，但本发明并不限于上述实施方式，能够不脱离本发明的范围地对上述实施方式进行各种变形和置换。

Claims (20)

1.一种基板位置检测装置，其是自设置于基板处理用的腔室的上表面的窗对腔室内部的规定的拍摄对象进行拍摄、并能根据该规定的拍摄对象的图像检测出基板的位置的基板位置检测装置，其中，该基板位置检测装置具有：
摄像装置，其设置得比上述窗靠上方，能自上述窗拍摄上述规定的拍摄对象；
照明装置，其设置得比上述窗靠上方，能朝向上方照射光；
照明反射板，其设置得比该照明装置靠上方，具有能将来自该照明装置的上述光朝向上述窗反射的反射面；以及
照明反射限制部，其设置在该照明反射板的上述反射面上，用于在包含上述规定的拍摄对象在内的规定区域上形成影。
2.根据权利要求1所述的基板位置检测装置，其中，
上述照明反射板设置得比上述摄像装置靠下方，具有用于确保上述摄像装置的拍摄视场的开口部。
3.根据权利要求1所述的基板位置检测装置，其中，
上述照明反射限制部的位置被设定成，使得以利用上述摄像装置拍摄的图像的视场作为基准而将上述影形成在上述规定区域上。
4.根据权利要求1所述的基板位置检测装置，其中，
上述规定的拍摄对象包含被设置于上述腔室的底面的第1标记。
5.根据权利要求4所述的基板位置检测装置，其中，
上述腔室收容有能够载置基板的基座，
上述规定的拍摄对象包含设置于上述基座的表面的第2标记。
6.根据权利要求1所述的基板位置检测装置，其中，
上述规定的拍摄对象包含用于保持上述基板的基板保持部与上述基板的交界部分。
7.根据权利要求6所述的基板位置检测装置，其中，
上述基板保持部包含自上述腔室内搬出上述基板时所采用的输送臂的拾取件。
8.根据权利要求5所述的基板位置检测装置，其中，
上述基座能够载置多张上述基板，
上述第2标记对应于所能载置的多张上述基板的每一个而设置有多个。
9.根据权利要求5所述的基板位置检测装置，其中，
上述基座是石英制成的，
上述第2标记是有色的标记。
10.根据权利要求1所述的基板位置检测装置，其中，
上述腔室是使用气体而能成膜的成膜腔室。
11.根据权利要求10所述的基板位置检测装置，其中，
上述成膜腔室能够进行具有反射性的有色膜的成膜。
12.一种基板处理装置，其中，具有：
基板处理用的腔室，其在上表面具有窗；
基座，其设置于该腔室内，能够载置基板；以及
权利要求5所述的基板位置检测装置，
上述基座在上述第2标记的周边还具有切掉了上述基座的局部而成的第3标记。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
上述基座的局部是上述基座的边缘部。
14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
上述第3标记具有圆筒形状。
15.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
上述第3标记具有自上述基座的上表面向下表面而切口变大的锥形状。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，
上述锥形状的锥角设定为比来自上述照明反射板的上述光的入射角度大。
17.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
上述第2标记和上述第3标记能够选择性地使用，
该基板处理装置还具有基座标记选择开关，该基座标记选择开关能够选择使用上述第2标记或者上述第3标记中的任意一种标记。
18.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
上述第2标记和上述第3标记能够选择性地使用，
该基板处理装置还具有基座标记选择判定部，该基座标记选择判定部能够根据上述第2标记的视觉确认性来判定使用上述第2标记还是使用上述第3标记。
19.一种成膜装置，其中，该成膜装置具有：
腔室，其在上表面具有窗，用于进行成膜相关的基板处理；
基座，其设置于该腔室内，能够载置基板；
权利要求1所述的基板位置检测装置；
第1处理区域，其设置于上述腔室内，能够供给第1反应气体；
第2处理区域，其与该第1处理区域分开来设置，能够供给第2反应气体；
分离区域，其设置于上述第1处理区域和上述第2处理区域之间，具有比上述第1处理区域和上述第2处理区域低的顶面，通过供给分离气体而能防止上述第1反应气体和上述第2反应气体的混合。
20.一种成膜装置，其中，该成膜装置具有：
权利要求12所述的基板处理装置；
第1处理区域，其设置于该基板处理装置的上述腔室内，能够供给第1反应气体；
第2处理区域，其与该第1处理区域分开来设置，能够供给第2反应气体；
分离区域，其设置于上述第1处理区域和上述第2处理区域之间，具有比上述第1处理区域和上述第2处理区域低的顶面，通过供给分离气体而能防止上述第1反应气体和上述第2反应气体的混合。
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