TW201429933A - 高純度原冰片烯烷醇及其衍生物之製備方法 - Google Patents

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Abstract

揭示且主張多種高純度原冰片烯烷醇單體及其衍生物之製備方法。特定言之,揭示且主張工業規模高純度原冰片烯甲醇及其矽烷基醚衍生物之製備方法。根據本發明方法製備之高純度單體可用於多種應用,包括(但不限於)製備在多種電子應用中以及各種其他應用中具有效用之高品質及高純度聚原冰片烯。

Description

高純度原冰片烯烷醇及其衍生物之製備方法 【相關申請案之交叉引用】
本申請案主張於2012年12月19日申請之美國臨時申請案第61/739,119號之權益,該臨時申請案以全文引用的方式併入本文中。
本發明之具體實例係關於工業規模的原冰片烯烷醇及其衍生物之製備方法。更特定言之,該等具體實例係關於多種高純度原冰片烯烷醇及相應矽烷基醚衍生物的製備方法,該等原冰片烯烷醇及相應矽烷基醚衍生物可用於多種工業應用,包括作為製造電子/光電聚合材料之起始物質。
官能化原冰片烯單體廣泛用於製備特別是在電子工業中具有多種應用的聚合物。詳言之,各種電子材料利用聚原冰片烯之原因在於聚原冰片烯具有獨特成膜特性外加合乎需要之電子材料特性。該等應用尤其包括其用作介電質、光阻、保護層及液晶顯示層。然而,因為此等應用需要極高純度材料,所以尤其重要的是各種官能化原冰片烯單體不含任何可能使高分子量聚合物難以形成之雜質。
近來,對在諸如應用於液晶顯示器(liquid crystal display; LCD)之延遲膜之電子應用中使用聚原冰片烯烷醇衍生物相當感興趣,參見例如PCT國際申請案第WO 2008/130186號。
美國專利第7,541,073號揭示用於LCD之配向膜,其由含有聚原冰片烯烷醇衍生物之光敏聚合物製成。然而,單體原冰片烯甲醇之報導產率較低從而使得其不適用於工業操作。此外,已知很難製備高純度原冰片烯烷醇,例如純度超過95%之原冰片烯甲醇。尤其難以在缺乏任何相應氫化型式(例如原冰片烷甲醇)下製備原冰片烯烷醇。尤其已經報導,原冰片烯甲醇容易進行氫化,形成原冰片烷甲醇,參見例如Gasanov,Russian Journal of Organic Chemistry,第39卷,第7期,2003,第947-951頁。
亦已報導某些原冰片烯烷醇苯甲酸酯可藉由二環戊二烯與相應烯醇苯甲酸酯反應來製備。然而,報導產率低且以工業規模使用苯甲酸酯可能不適於製備各種原冰片烯烷醇衍生物,參見Guseinov等人,Doklady Akademiya Nauk Azerbaidzhanskoi SSR,35(10),45-8;(1979)。
考慮到上述內容,需要開發工業上可行的方法來製備高純度原冰片烯烷醇單體。
本發明之其他目標及另外的範疇將自以下實施方式變得顯而易見。
如本文所用之術語具有以下含義:如本文所用,除非另外清楚且明確地限於一個指示物,否則冠詞「一(a/an)」及「該」包括複數個指示物。
如本文所用,「烴基」指僅含碳及氫之部分或基團,非限制 性實例為烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷芳基及烯基。術語「鹵烴基」指其中至少一個氫經鹵素置換之烴基。術語全鹵烴基指其中所有氫經鹵素置換之烴基。
如本文所用,表述「烷基」(諸如「(C1-C6)烷基」)包括甲基及乙基,以及直鏈或分支鏈丙基、丁基、戊基及己基。特定烷基為甲基、乙基、正丙基、異丙基、第三丁基等等。諸如「(C1-C6)烷氧基」、「(C1-C6)硫基烷基」、「(C1-C6)烷氧基(C1-C6)烷基」、「羥基(C1-C6)烷基、「(C1-C6)烷基羰基」、「(C1-C6)烷氧基羰基(C1-C6)烷基」、「(C1-C6)烷氧基羰基」、「胺基(C1-C6)烷基」、「(C1-C6)烷基胺基」、「(C1-C6)烷基胺甲醯基(C1-C6)烷基」、「(C1-C6)二烷基胺甲醯基(C1-C4)烷基」、「單-或二-(C1-C6)烷基胺基(C1-C6)烷基」、「胺基(C1-C6)烷基羰基」、「二苯基(C1-C6)烷基」、「苯基(C1-C6)烷基」、「苯基羰基(C1-C6)烷基」及「苯氧基(C1-C6)烷基」之衍生表述將作相應解釋。另外,如本文所用,「低碳烷基」應一般意指(C1-C6)烷基。
如本文所用,表述「環烷基」包括所有已知環狀基團。「環烷基」之代表性實例包括(但不限於)環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基及其類似基團。諸如「環烷氧基」、「環烷基烷基」、「環烷基芳基」、「環烷基羰基」之衍生表述將作相應解釋。
如本文所用,表述「(C2-C6)烯基」包括乙烯基及直鏈或分支鏈丙烯基、丁烯基、戊烯基及己烯基。類似地,表述「(C2-C6)炔基」包括乙炔基及丙炔基以及直鏈或分支鏈丁炔基、戊炔基及己炔基。諸如「(C5-C12)環烯基」、「(C2-C6)烯醇」、「(C5-C12)環烯醇」之衍生表述將作相應解釋。
如本文所用,表述「(C1-C4)醯基」應具有與「(C1-C4)烷醯基」 相同之含義,其亦可在結構上表示為「R-CO-」,其中R為如本文所定義之(C1-C3)烷基。另外,「(C1-C3)烷基羰基」應具有與(C1-C4)醯基相同之含義。特定言之,「(C1-C4)醯基」應意指甲醯基、乙醯基(acetyl)或乙烷醯基(ethanoyl)、丙醯基、正丁醯基等。諸如「(C1-C4)醯氧基」及「(C1-C4)醯氧基烷基」之衍生表述將作相應解釋。
如本文所用,表述「(C1-C6)全氟烷基」意指該烷基中之所有氫原子經氟原子置換。說明性實例包括三氟甲基及五氟乙基以及直鏈或分支鏈七氟丙基、九氟丁基、十一氟戊基及十三氟己基。因此衍生表述「(C1-C6)全氟烷氧基」將作相應解釋。
如本文所用,表述「(C6-C10)芳基」意指經取代或未經取代之苯基或萘基。經取代之苯基或萘基之特定實例包括鄰甲苯基、對甲苯基、間甲苯基、1,2-二甲苯基、1,3-二甲苯基、1,4-二甲苯基、1-甲基萘基、2-甲基萘基等。「經取代之苯基」或「經取代之萘基」亦包括如本文中進一步定義之任何可能取代基,或此項技術中已知之取代基。衍生表述「(C6-C10)芳基磺醯基」將作相應解釋。
如本文所用,表述「(C6-C10)芳基(C1-C4)烷基」意指如本文所定義之(C6-C10)芳基進一步連接於如本文所定義之(C1-C4)烷基。代表性實例包括苯甲基、苯基乙基、2-苯基丙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基及其類似基團。
如本文所用,表述「雜芳基」包括所有已知之含雜原子之芳族基。代表性5員雜芳基包括呋喃基、噻吩基(thienyl/thiophenyl)、吡咯基、異吡咯基、吡唑基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、異噻唑基及其類似基團。代表性6員雜芳基包括吡啶基、嗒基、嘧啶基、吡基、三基及其類 似基團。雙環雜芳基之代表性實例包括苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、喹啉基、異喹啉基、啉基、苯并咪唑基、吲唑基、吡啶并呋喃基、吡啶并噻吩基及其類似基團。
如本文所用,表述「雜環」包括所有已知之含還原雜原子之環狀基團。代表性5員雜環基包括四氫呋喃基、四氫噻吩基、吡咯啶基、2-噻唑啉基、四氫噻唑基、四氫噁唑基及其類似基團。代表性6員雜環基包括哌啶基、哌基、嗎啉基、硫代嗎啉基及其類似基團。各種其他雜環基包括(但不限於)氮雜環丙烷基、氮雜環庚烷基、二氮雜環庚烷基、二氮雜二環[2.2.1]庚-2-基及三氮雜環辛烷基以及其類似基團。
「鹵素」或「鹵基」意謂氯、氟、溴及碘。
在廣義上,術語「經取代」預期包括有機化合物之所有允許之取代基。在如本文所揭示之幾個特定具體實例中,術語「經取代」意指經一或多個獨立地選自由以下各物組成之群之取代基取代:C1-6烷基、C2-6烯基、C1-6全氟烷基、苯基、羥基、-CO2H、酯、醯胺、C1-C6烷氧基、C1-C6硫基烷基、C1-C6全氟烷氧基、-NH2、Cl、Br、I、F、-NH-低碳烷基及-N(低碳烷基)2。然而,熟習此項技術者已知之任何其他適合取代基亦可用於此等具體實例。
此外,除非另外指示,否則本文所用之關於成分之量、反應條件、溫度、壓力、時間及其類似物的所有數字、值及/或表述應理解為在所有情況下均由術語「約」修飾以考慮與測定該等值有關之不確定性。
此外,本文所揭示之任何數值範圍將理解為連續的,且包括在各範圍之最小值與最大值之間的每個值。除非另外清楚地指示,否則該 等數值範圍為反映在獲得該等值之過程中所遇到之各種量測不確定性的近似值。因此,除非另外指示,否則本文所揭示之所有範圍或比率均應理解為涵蓋其中所包含的任何及所有子範圍或子比率。舉例而言,「1至10」之指定範圍或比率應被視為包括在最小值1與最大值10之間(且包括端點在內)之任何及所有子範圍;亦即,所有以1或大於1之最小值開始且以10或小於10之最大值結束的子範圍或子比率,包括(但不限於)1至6.1、3.5至7.8及5.5至10。
將本發明之具體實例特性化之特徵在申請專利範圍中特別指出,申請專利範圍形成本發明之一部分。將自下文中該等具體實例之描述及隨後之實施例更全面地瞭解該等具體實例之此等及其他特徵、其操作優點及用途。
因此,根據本發明之實施,提供式(I)化合物之製備方法:
其中n為1至10之整數,包括端點在內,且其中一或多個CH2視情況經C1-C10烷基或C1-C10全氟烷基取代;m為0至2之整數,包括端點在內;R1、R2及R3相同或不同且彼此獨立地選自氫、鹵素及烴基,其中烴基選自甲基、乙基、直鏈或分支鏈C3-C12烷基、C3-C12環烷基、C6-C12二環烷基、 C7-C14三環烷基、C6-C10芳基、C6-C10芳基-C1-C3烷基、C5-C10雜芳基、C5-C10雜芳基-C1-C3烷基、C1-C12烷氧基、C3-C12環烷氧基、C6-C12二環烷氧基、C7-C14三環烷氧基、C6-C10芳氧基-C1-C3烷基、C5-C10雜芳氧基-C1-C3烷基、C6-C10芳氧基、C5-C10雜芳氧基及C1-C6醯氧基;其包含:使二環戊二烯與式(II)化合物:CR2R3=CR1-(CH2)n-R (II)
其中R為-OCOC1-C6烷基、-CHO、-CN、-OC1-C6烷基、-OCH2Ph、-OSO2R4,其中R4為C1-C4烷基或C6-C12芳基;在適合溫度及條件下反應,以形成式(III)化合物:;及使式(III)化合物進行適合轉變反應以形成式(I)化合物。
因此,根據本發明之實施,現已發現,如由式(II)化合物表示之各種經取代之烯烴衍生物現可與二環戊二烯(DCPD)反應,以形成式(III)化合物,其可進一步轉化為如由式(IA)化合物表示之原冰片烯烷醇,其中m=0,如流程I中概述。
如流程I中描繪,根據本發明之方法,由二聚體形式DCPD產生之環戊二烯(CPD)首先與如由式(II)化合物表示之經取代之烯烴衍生物反應。此反應可使用任何已知之反應條件進行,以便形成式(IIIA)化合物。該等適合反應條件包括(但不限於)周圍、超過周圍或低於周圍之反應溫度及壓力條件,持續足夠時間段。典型地,該等反應在密閉反應系統中在高溫下在自生壓力條件下進行。亦即,壓力藉由在密閉反應容器中加熱反應物自身產生。舉例而言,該等反應可在適合密閉壓力反應器系統中在約130℃至約260℃之溫度範圍下進行。在一些其他具體實例中,反應可在約200℃至約240℃之溫度範圍下進行;且在一些其他具體實例中,反應可在約180℃至約240℃之溫度範圍下進行;而在一些其他具體實例中,在約210℃至約230℃之溫度範圍下進行。在一些其他具體實例中,反應可在約220℃之溫度下進行。適合的反應器系統包括(但不限於)密閉管式反應器、壓力容器(諸如帕爾反應器(Parr reactor))或由玻璃、玻璃襯裡金屬(或其他適當加襯之金屬,包括石英或TEFLON®(聚四氟乙烯))或金屬 (包括(但不限於)不鏽鋼、HASTELLOY®(包含Ni 57.0%、Mo 16.0%、Cr 15.5%、Fe 5.5%及W 3.8%之合金)、INCONEL®(鎳鉻合金)及其類似物)構造之該等適合容器及/或反應器。
一般而言,DCPD與式(II)化合物之反應首先藉由DCPD分解成單體環戊二烯(CPD),接著與式(II)化合物反應進行。一般而言,現已發現相對於CPD採用莫耳過量之式(II)化合物產生較高產率之式(III)化合物。典型地,CPD:式(II)化合物之莫耳比可在約1:1至約1:8、約1:1至約1:5及約1:1至約1:4之範圍內。然而,亦可使用將引起反應之任何其他莫耳比,例如亦可使用約2:1至1:2之比率。
對於其中m=1或2之式(I)化合物,式(IIIA)化合物可進一步依序與額外量的CPD(或DCPD,其在加熱至約150℃之溫度時,進行逆狄爾斯-阿德爾反應(retro Diels-Alder reaction),形成CPD)反應,獲得其中m≡1或2之式(I)化合物。
一般而言,反應純淨地,亦即無任何溶劑及/或其他試劑(諸如催化劑)及其類似物下進行。然而,視所採用的式(II)之經取代之烯烴衍生物的類型而定,在一些情況下亦可使用適合的溶劑。例示性溶劑包括(但不限於)烴溶劑,諸如己烷、庚烷、石油醚、苯、甲苯、二甲苯及其類似物;鹵化烴溶劑,諸如二氯甲烷、1,1-二氯乙烷、氯仿、四氯化碳及其類似物。其他適合的溶劑尤其包括二甲亞碸(DMSO)、二甲基甲醯胺(DMF)、二甲基乙醯胺(DMAc)、丙酮、甲基乙基酮(MEK)。
一般而言,反應進程可藉由自反應器移除等分試樣且用適合方法(諸如薄層層析法(TLC)、氣相層析法(GC)、液相層析法(LC)或 高效液相層析法(HPLC)或GC/質譜分析(MS)之組合、LC/MS之組合以及其他已知之技術)分析來監測。
有利地,現已發現藉由本發明之實施,現可獲得極高純度之式(I)化合物。如本文所用,「高純度」意指產物與其他雜質無關,尤其在原冰片烯部分氫化為原冰片烷的情況下。亦即,式(I)化合物基本上不含相應原冰片烷衍生物。在一個具體實例中,自本發明方法獲得之式(I)化合物具有至少99%純度。在另一具體實例中,自本發明方法獲得之式(I)化合物具有至少99.4%純度。在另一具體實例中,自本發明方法獲得之式(I)化合物具有至少99.8%純度。
應進一步指出,如下文由特定實施例進一步例示之任何先前技術方法藉由CPD與任何相應烯醇直接反應,產生低純度之式(I)化合物。如所指出,此反應不僅導致純度低,而且亦使得產率極低,因此不適於任何工業操作。一般而言,已發現推動氫轉移之任何官能基均產生不合乎需要之副產物。舉例而言,如本文中由比較實施例所顯示,使用烯醇作為共反應物及/或使用醇溶劑與CPD產生不合乎需要之副產物,可能是由氫轉移反應引起。另一方面,亦如本文中顯示,本發明之方法意外地產生極高純度之式(III)化合物,如下文進一步討論,其可非常容易地轉化為式(I)化合物。
任何已知的式(II)之經取代之烯烴衍生物可用於製備式(III)化合物。如所指出,該等式(II)之經取代之烯烴衍生物包括(但不限於)任何脂族酸酯。例示性脂族酸酯包括(但不限於)乙酸酯、丙酸酯、正丁酸酯、異丁酸酯、正戊酸酯及其類似物。亦可採用其他脂族酸酯,諸 如環脂族酸酯,諸如環戊烷甲酸酯、環己烷甲酸酯等。其他經取代之烯烴衍生物包括相應醛(-CHO)或腈(-CN),如流程I中所表示,其可在與CPD進行加成反應後轉化為醇官能基。其他經取代之烯烴衍生物包括各種醚,包括與各種C1-C6烷醇形成之醚,形成相應-OC1-C6烷基醚。可用於形成相應醚之例示性烷醇尤其包括甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第三丁醇、戊醇或己醇之所有異構體形式及其類似物。最終,其他式(II)之經取代之烯烴衍生物亦可包括式-OSO2R4之各種磺酸酯,其中R4為C1-C4烷基、C1-C4全氟烷基或C6-C12芳基。例示性磺酸酯包括(但不限於)甲烷磺酸酯或甲磺酸酯、三氟甲烷磺酸酯或三氟甲磺酸酯、乙烷磺酸酯、苯磺酸酯(benzenesulfonate)(苯磺酸酯(besylate))、對甲苯磺酸酯(甲苯磺酸酯)及其類似物。應進一步指出,如本文所述之各種烯烴衍生物藉由相應醇用適合保護基保護而形成。對於各種該等保護基之實例,包括本文所述之保護基,可見於Greene,T.W.;Wuts,P.G.M."Protective Groups in Organic Synthesis"第4版(2007)中。
許多以上提及的式(II)之經取代之烯烴衍生物可購得或者可容易地藉由熟習此項技術者已知之任何程序合成。舉例而言,許多式(II)之烯醇酯可購得及/或可容易地藉由相應醇與酸之酯化反應來製備。類似地,烯醇醚及磺酸酯亦可藉由採用適合起始物質來製備。相應醛或腈化合物,亦即其中R=CHO或CN,亦可以適當起始物質為起始物且藉由採用任何已知之文獻程序類似地製備。
在本發明方法之一個具體實例中,所採用的式(II)之經取代之烯烴衍生物為乙酸烯丙酯,亦即其中n為1,R為CH3C(O)O且R1、R2 及R3中之每一者為氫的式(II)化合物。由此形成之式(IIIA)化合物,在此狀況下為酯,確切為乙酸酯,可在催化劑存在下經受適合的轉酯化劑,形成式(IA)化合物,其中n=1且m=0。
泛言之,為將式(III)之酯化合物轉化為式(I)化合物的轉酯化反應可使用此項技術中已知之任何程序進行。舉例而言,該等轉酯化反應可在適合溫度下在適合的酸或鹼催化劑存在下在適合溶劑及適合轉酯化劑中進行。適合轉酯化劑為醇,諸如甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇及其類似物。亦可採用各種其他醇。在本發明之一個具體實例中,所用醇為甲醇。各種其他溶劑亦可與以上提及之醇溶劑組合使用。特定實例包括石油醚、二氯甲烷、乙酸甲酯、乙酸乙酯、甲苯及其類似物。
適合鹼催化劑包括(但不限於)鹼性鹼,例如鋰、鈉、鉀或銫之氫氧化物、烷醇鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽及其類似物;鹼土金屬鹼,例如鈣或鎂之氫氧化物、烷醇鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽及其類似物;及適合的無機或有機鹼,例如氨、三烷胺、咪唑及其類似物。特定鹼性鹼包括(但不限於)氫氧化鋰、甲醇鋰、乙醇鋰、第三丁醇鋰、碳酸鋰、碳酸氫鋰、氫氧化鈉、甲醇鈉、乙醇鈉、第三丁醇鈉、碳酸鈉、碳酸氫鈉、氫氧化鉀、甲醇鉀、乙醇鉀、第三丁醇鉀、碳酸鉀、碳酸氫鉀、氫氧化銫、甲醇銫、乙醇銫、第三丁醇銫、碳酸銫、碳酸氫銫、氫氧化鈣、甲醇鈣、乙醇鈣、第三丁醇鈣、碳酸鈣、碳酸氫鈣、氫氧化鎂、甲醇鎂、乙醇鎂、第三丁醇鎂、碳酸鎂、碳酸氫鎂、氨、三甲胺、三乙胺、咪唑及其混合物之任何組合。
適合酸催化劑包括(但不限於)任何已知之布朗斯特酸 (Bronsted acid),諸如鹽酸、氫溴酸、氫氟酸、硫酸、甲烷磺酸、三氟甲烷磺酸、2-羥基乙烷磺酸、對甲苯磺酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、羥基順丁烯二酸、蘋果酸、抗壞血酸、丁二酸、戊二酸、乙酸、水楊酸、肉桂酸、2-苯氧基苯甲酸、羥基苯甲酸、苯乙酸、苯甲酸、乙二酸、檸檬酸、酒石酸、乙醇酸、乳酸、丙酮酸、丙二酸、碳酸或磷酸及其類似物。亦可採用任何已知之路易斯酸(Lewis acid),單獨或者與以上提及之布朗斯特酸組合。路易斯酸之特定實例包括(但不限於)三氟化硼、三氯化硼、氯化鋁、五氟化銻及其類似物。因此,在本發明之一個具體實例中,轉酯化劑為醇,諸如甲醇,且所用催化劑為酸,例如硫酸或磺酸,諸如甲烷磺酸(MsOH)或對甲苯磺酸(p-TsOH)。
一般而言,一或多種以上提及之酸或鹼催化劑可以催化量用於轉酯化反應中。舉例而言,與式(III)化合物相比,所用酸或鹼之催化量可在約0.1莫耳百分比至約50莫耳百分比之間變化。一般而言,與酸催化劑相比,使用略微較大莫耳百分比之鹼催化劑。亦即在酸用作催化劑時,所用酸之量可低至0.1莫耳百分比。然而,在鹼用作催化劑時,量可在約1莫耳百分比至約50莫耳百分比之範圍內。在一些具體實例中,所用催化劑為鹼催化劑,且用量為約4莫耳百分比至約20莫耳百分比,且在一些其他具體實例中為約5莫耳百分比至約10莫耳百分比。因此,在本發明之一個具體實例中,所用溶劑為甲醇且所用鹼為甲醇鈉,與式(III)化合物相比,量為約8莫耳百分比。
一般而言,轉酯化反應可在寬溫度範圍下進行,該寬溫度範圍包括低於周圍、周圍及超過周圍溫度範圍,且視所用酯之類型而定。舉 例而言,在一些具體實例中,溫度範圍可為約0℃至100℃。在一些其他具體實例中,溫度範圍可為約20℃至80℃。在一些其他具體實例中,溫度範圍可為約40℃至60℃。然而,亦可採用任何其他適合之溫度範圍,視起始物質而定,熟習此項技術者將容易地瞭解該等修改。
類似地,若加成產物為磺酸酯,亦即其中R為-OSO2R4之式(III)化合物,則該等式(III)之磺酸酯亦可藉由經受如上所述之酸或鹼催化之任何轉酯化反應而轉化為式(I)化合物。
若所形成之加成產物為醚,亦即其中R為-OC1-C6烷基之式(III)化合物,則該等醚可藉由採用任何已知之文獻程序裂解成式(I)化合物。該等醚裂解反應包括酸催化反應以及任何已知之矽烷基試劑,其將使醚裂解形成各別醇。
如所指出,藉由實施本發明之方法,現可獲得極高純度之式(I)化合物。因此,在一個具體實例中形成之式(I)化合物為純度為至少99%之外-/內-原冰片烯甲醇。
在本發明方法之另一具體實例中,方法進一步包含:使式(I)化合物與式(IV)之矽烷:R5R6R7SiH (IV)
其中R5、R6及R7各自彼此獨立地為甲基、乙基或直鏈或分支鏈C3-C9烷基或經取代或未經取代之C6-C14芳基;及適合的催化劑反應,獲得式(V)化合物: ;且其中由此形成之式(V)化合物純度高。
有利地,現已發現,式(IV)化合物與式(I)化合物之反應可使用鹼作為催化劑進行,參見例如Weickgenannt等人,Chem.Asian J.2009,4,406-410。可用於此反應中之各種鹼催化劑包括用於轉酯化且如上文所列舉之所有鹼催化劑。特定言之,在一個具體實例中,現已發現適合的鹼催化劑為第三丁醇鉀。然而,如上所指出,如上列出之任何其他鹼催化劑亦可用於此步驟中。
在一個具體實例中,由此形成之式(V)化合物中:n為1,R1、R2及R3中之每一者為氫,R5為甲基且R6及R7中之每一者為苯基。在本發明之另一具體實例中,由此形成之式(V)化合物具有高純度。特定言之,式(V)化合物之純度為至少99%。在另一具體實例中,式(V)化合物之純度為至少99.5%。在另一具體實例中,式(V)化合物之純度為至少99.8%。更特定言之,由此形成之式(V)化合物為(雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲氧基)(甲基)二苯基矽烷且具有至少99%純度。在另一具體實例中,由此形成之式(V)化合物為(雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲氧基)(甲基)二苯基矽烷且具有至少99.8%純度。
在本發明之另一具體實例中,亦提供式(IB)之原冰片烯甲醇之製備方法:
在此具體實例中,方法包含:使二環戊二烯與乙酸烯丙酯在約200℃至約240℃之溫度下反應足夠時間段,以形成式(IIIB)之乙酸原冰片烯甲酯: 蒸餾由此形成之式(IIIB)之乙酸原冰片烯甲酯;及使該蒸餾之乙酸原冰片烯甲酯(IIIB)在甲醇及甲醇鈉存在下在約40℃至約50℃之溫度下進行轉酯化反應,以形成原冰片烯甲醇(IB),純度為至少99.8%。在此方法中,未產生氫化原冰片烯甲醇,亦即原冰片烷甲醇(NBaneCH2OH)。
在本發明之另一具體實例中,提供式(VB)之(雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲氧基)(甲基)二苯基矽烷的製備方法:
此具體實例涵蓋:使二環戊二烯與乙酸烯丙酯在約200℃至約240℃之溫度下反應足夠時間段,以形成式(IIIB)之乙酸原冰片烯甲酯: 使乙酸原冰片烯甲酯(IIIB)在甲醇及甲醇鈉存在下在約40℃至約50℃之溫度下進行轉酯化反應,形成原冰片烯甲醇(IB):;及使原冰片烯甲醇(IB)與甲基二苯基矽烷在適合溶劑及第三丁醇鉀存在下反應,獲得(雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲氧基)(甲基)二苯基矽烷(VB),純度為至少99.5%。
應指出,本發明之方法提供若干迄今難得到之優點。更重要地,應指出許多文獻程序需要使用各種試劑,該等試劑不可避免地將某些雜質引入最終產物中。舉例而言,藉由採用自由烯醇作為起始物質(亦即式(II)化合物中R=OH),且根據文獻程序,產生低純度之式(I)化合物。更重要地,如以下比較實施例所顯示,質子源之任何存在(諸如醇)均引起式(I)化合物氫化,其始終作為顯著的副產物形成且在大部分情況下難以分離。亦即,在式(I)化合物氫化時,引起具有非常類似物理特性(諸如沸點)之相應原冰片烷化合物形成。
此外,如本文所述之矽烷化程序亦提供一種製備極高純度之式(V)化合物的獨特方法。尤其應指出,許多文獻程序需要酸或鹼條件,此不可避免地產生某些污染物,該等污染物難以移除且尤其在電子應用中為不適合之雜質。舉例而言,文獻中熟知藉由醇與適合氯矽烷或適合矽烷 基胺反應來製備矽烷基醚化合物。舉例而言,流程II說明藉由式(IA)化合物與二苯基甲基氯矽烷或N,N,1-三甲基-1,1-二苯基矽烷胺反應來製備式(VA)化合物。在該兩種文獻方法中,氯化烷基銨作為副產物形成,其需要費力的純化過程來純化式(VA)化合物。另一方面,本發明之方法提供一種有效的工業上容易上規模化的方法來製備高純度式(V)之矽烷基醚化合物及尤其式(VA)化合物。
本發明藉由以下實施例進一步說明,該等實施例出於說明目的而提供且決不限制本發明之範疇。
實施例1 乙酸外-/內-原冰片烯甲酯
將乙酸烯丙酯及二環戊二烯(DCPD)以基於環戊二烯單體4:1之莫耳比置放於適合高壓管式反應器中,且在維持在220℃下之熱油浴中加熱且維持在該溫度下4小時。在反應結束時,高壓管自浴中移除且在濕冰浴中驟冷。接著管用甲醇及二氯甲烷洗滌且稱重以驗證未發生洩漏。所得粗單體樣品藉由GC-MS分析,其展示約7.5%未反應乙酸烯丙酯、10%外-/內-原冰片烯甲醇、82%乙酸外-/內-原冰片烯甲酯及0.6%(1,2,3,4,4a,5,8,8a- 八氫-1,4:5,8-二甲橋萘-2-基)甲醇。粗混合物之分餾分離出純度超過99.6%之乙酸原冰片烯甲酯。
GC-MS分析在Altech EC-5管柱上進行,30m,0.25mm ID,0.25μm膜;入口-F:250,MS源:230℃,電子電離。所用GC條件如下:梯度:以10℃/min,45℃至120℃,接著以40℃/min加熱至300℃,在300℃下保持2分鐘。
實施例2 外-/內-原冰片烯甲醇
將乙酸外-/內-原冰片烯甲酯(純度99.6%,4.8kg)與甲醇(11.2kg)之混合物置放於尺寸適當之夾套反應器中。反應器裝備有攪拌器、頂置式冷凝器、頂置式冷凝液接收槽及具有計量泵之進料槽。反應器溫度由專用油循環單元控制;反應器壓力由人工控制,添加氮氣以增加壓力且打開排氣口以降低壓力。
反應器用氮氣使用三個壓力/真空週期性交替來淨化以移除反應器頂部空間中之任何氧氣。此氮氣淨化過程後,反應器經由頂置式冷凝器及接收器系統呈充分排氣模式,接著加熱至初始反應溫度(45℃)。將由含甲醇鈉之甲醇(25wt%,0.125kg)組成之催化劑溶液添加至玻璃進料槽中接著經15分鐘時間計量入反應器中(添加速率8.33g/min),同時維持反應器溫度(45℃)。催化劑計量添加結束後,反應器維持在溫度(45℃)下額外的1.75小時。
在反應過程結束後,反應器以排氣模式加熱至溶劑汽提溫度(60-68℃),且在塔頂閃蒸出甲醇/乙酸甲酯之混合物(4kg),且收集於頂置 式接收槽中。將額外的甲醇(4kg)轉移至反應器中,且進行第二溶劑汽提操作以移除甲醇/乙酸甲酯之混合物(4kg)。最終,進行第三溶劑汽提操作以移除甲醇/乙酸甲酯之混合物(6kg)。此溶劑汽提方法結束後,將乙酸(0.04kg)添加至反應濃縮物中,接著將其自反應器轉移出且經由GC分析以證實轉酯化反應完成。反應濃縮物之組成如下:原冰片烯甲醇83%,乙酸原冰片烯甲酯痕量,甲醇17%及MeOAc痕量。
接著將原冰片烯甲醇反應濃縮物(6kg)饋入適當裝備之真空蒸餾系統中,該系統由具有電加熱套之蒸餾釜、具有不鏽鋼規整填料之蒸餾塔(理論塔板數為4)、回流分流器、水冷式冷凝器、頂置式冷凝液接受器及真空泵組成。蒸餾釜溫度藉由調節加熱套上之熱輸入來控制,且系統真空藉由調節頂置式接收器處之真空壓力來控制。蒸餾釜最初以充分排氣模式加熱,直至在蒸餾塔中建立回流條件。接著回流分流器以所需回流比開始且分級蒸餾藉由自頂置式接收器週期性地移除液體餾份進行。使用GC分析來測定塔頂餾份之組成。按需要調節蒸餾釜溫度、頂置式接收器真空及回流比,以影響塔頂流之組成。初始塔頂餾份主要含有甲醇以及痕量乙酸甲酯。移除此等溶劑後,接著在以下條件下在塔頂蒸餾出高純度原冰片烯甲醇:塔頂溫度(70-75℃)、真空(4-5mmHg)及回流比(2:1)。一旦大部分產物已自蒸餾釜移除,即終止蒸餾過程。起始混合物中所含之原冰片烯甲醇的約90%作為高純度(99.8%分析)產物回收,具有痕量乙酸原冰片烯甲酯(<0.1%)及不可偵測含量之原冰片烷甲醇(NBAMeOH)。
GC分析在Ultra 1(交聯甲基矽氧烷)管柱上進行,25m,0.2mm ID,0.33μm膜。初始條件:70℃,保持1.0分鐘;梯度條件:以 10℃/min,70℃至240℃;最終條件:240℃,保持10.0分鐘。注射器:200℃。偵測器:250℃(FID)。GC滯留時間:NBMeOH 7.1-7.3min,NBAMeOH 7.5-7.6min,及NBMeOAc 8.8-8.9min。
實施例3 外-/內-(原冰片烯基甲氧基)(甲基)二苯基矽烷(NBMeOSiPh2Me)
將原冰片烯甲醇(NBMeOH,99g,0.797mol)置放於裝備有機械攪拌器、加料漏斗、氮氣入口及熱電偶套管之適當尺寸之燒瓶中。將無水THF(300mL)注射入燒瓶中,接著開始攪拌。添加第三丁醇鉀(3.3g,0.029mol)。當第三丁醇鉀均溶解得到黃色溶液時,在反應燒瓶下設置水浴。逐滴添加二苯基甲基矽烷(150.3g,0.756mol)。約十分鐘後,開始放出氫氣且反應溫度自23℃增加至25℃。以平穩滴落速率添加二苯基甲基矽烷以維持緩緩放出氫氣。在約50分鐘後完成添加。反應溫度上升至30℃。一分鐘內,突然停止放出氫氣且反應溫度迅速下降至26℃。GC分析展示2.3% NBMeOH及97.1% NBMeOSiPh2Me。未偵測到二苯基甲基矽烷。反應混合物在25℃下再攪拌15分鐘後,添加80ml飽和氯化銨水溶液。澈底混合且用甲基第三丁基醚(MTBE)沖洗後,分離各相。水相得到pH=8。有機部分用2×80ml鹽水洗滌以得到pH 10。有機部分再次用80ml飽和氯化銨水溶液洗滌至pH 8,接著用80ml鹽水洗滌,得到介於7與8之間的pH值。有機部分經硫酸鈉脫水,過濾,且旋轉蒸發,得到248.5g混濁的無色液體。GC分析展示2.9% NBMeOH、1.0% Ph2MeSiOH及1.0% Ph2MeSiO-t-Bu、95.7% NBMeOSiPh2Me及0.1% Ph2MeSiOSiMePh2
物質在不使用分餾塔下真空蒸餾。首批20.8g在46-136℃之 間在0.27-0.42托(Torr)下收集,得到加權平均之30% NBMeOH、14.3% Ph2MeSiOH/Ph2MeSiO-t-Bu及48.5% NBMeOSiPh2Me。接下來71.1g在132-139℃(0.17-0.29托)下收集,得到加權平均之2.1% Ph2MeSiOH/Ph2MeSiO-t-Bu及97.6% NBMeOSiPh2Me。接下來7.8g在137-134℃(0.16-0.22托)下收集,得到99.8% NBMeOSiPh2Me。停止蒸餾且將含有99.4% NBMeOSiPh2Me之釜轉移至庫格爾若蒸餾器(Kugelrohr still)。在173-176℃(0.33-0.37托)下蒸餾得到142.1g清澈的無色液體,產率59%。GC分析展示99.6% NBMeOSiPh2Me。
GC分析在DB5-MS管柱上進行,25m,0.32mm ID,0.52μm膜。梯度:以15℃/min,75℃至200℃,接著以40℃/min加熱至300℃(保持3分鐘);注射器:200℃。偵測器:350℃(FID)。滯留時間:10.615分鐘。
比較實施例1-5
此等比較實施例1-5顯示烯醇與CPD反應顯著形成如表1中概述之副產物。最值得注意地,在比較實施例1-5每一者中均形成氫化產物原冰片烷烷醇。
將如表1中概述之作為共反應物之各種烯醇及二環戊二烯(DCPD)以基於CPD單體4:1之莫耳比置放於適合高壓管式反應器中,且在維持在220℃下之熱油浴中加熱。分批高壓管反應進行4小時。在反應結束時,高壓管自浴中移除且在濕冰浴中驟冷。接著管用甲醇及二氯甲烷洗滌且稱重以驗證未發生洩漏。所得粗產物樣品藉由GC-MS分析。結果概述於表1中。
GC-MS分析在Altech EC-5管柱上進行,30m,0.25mm ID,0.25μm膜;入口-F:250,MS源:230℃,電子電離。所用GC條件為以下兩種條件中之一者:
a)梯度:以10℃/min,45℃至120℃,接著以40℃/min加熱至300℃,在300℃下保持2分鐘。-比較實施例2至5中使用此加熱型態。
b)梯度:在40℃下保持5分鐘,接著以40℃/min加熱至300℃,在300℃ 下保持5分鐘。-比較實施例1中使用此加熱型態。
比較實施例6-7
此等比較實施例6-7顯示諸如甲醇及異丙醇之醇與CPD的反應亦引起氫化反應,可能經由氫轉移反應。結果概述於表2中。
將如表2中概述之作為共反應物之各種醇及二環戊二烯(DCPD)以基於CPD單體4:1之莫耳比置放於適合高壓管式反應器中,且在維持在220℃下之熱油浴中加熱。分批高壓管反應進行4小時。在反應結束時,高壓管自浴中移除且在濕冰浴中驟冷。接著管用甲醇及二氯甲烷洗滌且稱重以驗證未發生洩漏。甲醇與DCPD之反應亦產生一些不溶固體。此等固體用二氯甲烷(DCM)萃取。接著DCM萃取物藉由GC-MS分析。所得產物樣品藉由GC-MS分析。結果概述於表2中。
GC-MS分析在Altech EC-5管柱上進行,30m,0.25mm ID,0.25μm膜;入口-F:250,MS源:230℃,電子電離。所用GC條件如下:梯度:在40℃下保持5分鐘,接著以40℃/min加熱至300℃,在300℃下保持5分鐘。
比較實施例8-10
此等比較實施例8-10顯示諸如甲醇及異丙醇之醇與原冰片 烯或原冰片二烯的反應亦引起氫化反應,可能經由氫轉移反應。
將各種醇及烯烴(原冰片烯或原冰片二烯)以基於烯烴4:1之莫耳比置放於適合高壓管式反應器中,且在維持在220℃下之熱油浴中加熱。分批高壓管反應進行4小時。在反應結束時,高壓管自浴中移除且在濕冰浴中驟冷。接著管用甲醇及二氯甲烷洗滌且稱重以驗證未發生洩漏。所得產物樣品藉由GC-MS分析。結果概述於表3中。
GC-MS分析在Altech EC-5管柱上進行,30m,0.25mm ID,0.25μm膜;入口-F:250,MS源:230℃,電子電離。GC條件使用以下兩種條件中之一者:
a)梯度:以10℃/min,45℃至120℃,接著以40℃/min加熱至300℃,在300℃下保持2分鐘。-比較實施例8及9中使用此加熱型態。
b)梯度:在40℃下保持5分鐘,接著以40℃/min加熱至300℃,在300℃下保持5分鐘。-比較實施例10中使用此加熱型態。
雖然本發明已藉由某些前述實施例說明,但不應理解為受其限制;而實際上,本發明涵蓋如上文所揭示之通用領域。在不偏離本發明之精神及範疇下可進行各種修改及具體實例。

Claims (20)

  1. 一種用於製備式(I)化合物之方法, 其中n為1至10之整數,包括端點在內,且其中一或多個CH2視情況經C1-C10烷基或C1-C10全氟烷基取代;m為0至2之整數,包括端點在內;R1、R2及R3相同或不同且彼此獨立地選自氫、鹵素、甲基、乙基、直鏈或分支鏈C3-C12烷基、C3-C12環烷基、C6-C12二環烷基、C7-C14三環烷基、C6-C10芳基、C6-C10芳基-C1-C3烷基、C5-C10雜芳基、C5-C10雜芳基-C1-C3烷基、C1-C12烷氧基、C3-C12環烷氧基、C6-C12二環烷氧基、C7-C14三環烷氧基、C6-C10芳氧基-C1-C3烷基、C5-C10雜芳氧基-C1-C3烷基、C6-C10芳氧基、C5-C10雜芳氧基及C1-C6醯氧基;其包含:使環戊二烯與式(II)化合物:CR2R3=CR1-(CH2)n-R (II)其中R為-OCOC1-C6烷基、-CHO、-CN、-OC1-C6烷基、-OCH2Ph、-OSO2R4,其中R4為C1-C4烷基或C6-C12芳基;在適合溫度及條件下反應,以形成式(III)化合物: ;及使式(III)化合物進行適合轉化反應,以形成該式(I)化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該式(I)化合物具有高純度。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法,其中該式(I)化合物具有至少99%純度。
  4. 如申請專利範圍第2項之方法,其中該式(I)化合物具有至少99.8%純度。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法,其中n為1,R為CH3C(O)O且R1、R2及R3中之每一者為氫。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法,其中該式(I)化合物為至少99%純度之外-/內-原冰片烯甲醇。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法,其中R為-OCOC1-C6烷基之該式(III)化合物在催化劑存在下經受適合轉酯化劑。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法,其中該轉酯化劑為醇且該催化劑為鹼。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法,其中該醇為甲醇且該鹼為甲醇鈉。
  10. 如申請專利範圍第7項之方法,其中該轉酯化劑為醇且該催化劑為酸。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法,其中該醇為甲醇且該酸為硫酸或烷磺酸。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法,其進一步包含: 使式(1)化合物與式(IV)之矽烷:R5R6R7SiH (IV)其中R5、R6及R7各自彼此獨立地為甲基、乙基或直鏈或分支鏈C3-C9烷基或經取代或未經取代之C6-C14芳基;及適合催化劑反應,以獲得式(V)化合物:;且其中該式(V)化合物具有高純度。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法,其中n為1,R1、R2及R3中之每一者為氫,R5為甲基,且R6及R7中之每一者為苯基。
  14. 如申請專利範圍第12項之方法,其中該催化劑為鹼。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法,其中該鹼催化劑為第三丁醇鉀。
  16. 如申請專利範圍第12項之方法,其中該式(V)化合物具有至少99%純度。
  17. 如申請專利範圍第12項之方法,其中該式(V)化合物具有至少99.5%純度。
  18. 如申請專利範圍第12項之方法,其中該式(V)化合物為(二環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲氧基)(甲基)二苯基矽烷且具有至少99.8%純度。
  19. 一種用於製備式(IB)之原冰片烯甲醇的方法, 其包含:使環戊二烯與乙酸烯丙酯在約200℃至約240℃之溫度下反應足夠時間段,以形成式(IIIA)之乙酸原冰片烯甲酯: 蒸餾由此形成之式(IIIB)之乙酸原冰片烯甲酯;及使該蒸餾之乙酸原冰片烯甲酯(IIIB)在甲醇及甲醇鈉存在下在約40℃至約50℃之溫度下進行轉酯化反應,以形成純度為至少99.8%之原冰片烯甲醇(IB)。
  20. 一種用於製備式(VB)之(二環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲氧基)(甲基)-二苯基矽烷的方法, 其包含:使環戊二烯與乙酸烯丙酯在約200℃至約240℃之溫度下反應足夠時間段,以形成式(IIIB)之乙酸原冰片烯甲酯: 使乙酸原冰片烯甲酯(IIIB)在甲醇及甲醇鈉存在下在約40℃至約50℃ 之溫度下進行轉酯化反應以形成原冰片烯甲醇(IB):;及使原冰片烯甲醇(IB)與甲基二苯基矽烷在適合溶劑及第三丁醇鉀存在下反應,以獲得純度為至少99.5%之(二環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲氧基)(甲基)二苯基矽烷(VB)。
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