JP5878270B2 - 高純度ノルボルネンアルカノールおよびその誘導体の製造方法 - Google Patents

高純度ノルボルネンアルカノールおよびその誘導体の製造方法 Download PDF

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Description

関連出願の相互参照
本願は、2012年12月19日に出願された米国仮特許出願第61/739,119号に基づく利益を主張し、その全内容は参照により本明細書に援用されている。
本発明の実施形態は、工業的規模でのノルボルネンアルカノールおよびその誘導体の製造方法に関する。より具体的には、かかる実施形態は、様々な工業用途に有用な、例えば電子/光電子用ポリマー材料の製造における出発原料として有用な、様々な高純度ノルボルネンアルカノールおよび対応するシリルエーテル誘導体の製造方法に関する。
官能化ノルボルネンモノマーは、とりわけ電子産業において、様々な用途を有するポリマーの製造に広く使用されている。特に、ポリノルボルネンは特有の成膜性と電子材料として望ましい特性とを併せ持つため、様々な電子材料に使用されている。このような用途として、誘電体、フォトレジスト、保護層および液晶表示層としての使用が特に挙げられる。しかし、これらの用途には非常に高純度の材料が必要であるため、種々の官能化ノルボルネンモノマーにおいて、高分子量ポリマーの生成を困難にし得るいかなる不純物をも含まないことが殊に重要である。
最近、このような電子用途において、液晶表示装置(LCD)に使用される位相差フィルムにポリノルボルネンアルカノール誘導体を使用することにかなりの関心が集まっている。例えば、国際公開第2008/130186号を参照されたい。
米国特許第7,541,073号明細書は、ポリノルボルネンアルカノール誘導体を含む光反応性ポリマーから製造されるLCD用配向膜を開示している。しかし、モノマーであるノルボルネンメタノールについて報告されている収率は低く、このため工業用には適していない。さらに、純度が95%を超えるノルボルネンメタノールのような高純度ノルボルネンアルカノールの製造は、極めて困難であることが知られている。対応する水素化化合物、例えば、ノルボルナンメタノールなどが全く存在しないノルボルネンアルカノールを製造することは特に困難である。なかでもノルボルネンメタノールは、容易に水素化されてノルボルナンメタノールを生成することが報告されている。例えば、Gasanov, Russian Journal of Organic Chemistry, Vol. 39. No.7, 2003, pp.947-951を参照されたい。
また、特定の安息香酸ノルボルネンアルカノールは、ジシクロペンタジエンと、対応する安息香酸アルケノールエステルとの反応により製造できることが報告されている。しかし、報告されている収率は低く、また工業的規模での安息香酸エステルの使用は様々なノルボルネンアルカノール誘導体の製造に適していないおそれがある。Guseinov et. al, Doklady Akademiya Nauk Azerbaidzhanskoi SSR, 35(10), 45-8; (1979)を参照されたい。
上記に鑑みて、工業的に実用可能な高純度ノルボルネンアルカノールモノマーの製造方法の開発が望まれている。
本発明の他の目的およびさらなる適用の可能性は、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
本明細書で使用する用語は、次の意味を有する。
本明細書において、冠詞「1つの(a)」、「1つの(an)」および「その(the)」は、特記しない限り、当該冠詞の指示対象が複数である場合を包含する。
本明細書において、「ヒドロカルビル」とは、炭素および水素のみを含有する部分または基を指し、非限定的な例として、アルキル、シクロアルキル、アリール、アラルキル、アルカリールおよびアルケニルが挙げられる。「ハロヒドロカルビル」という用語は、少なくとも1つの水素がハロゲンで置き換えられているヒドロカルビル基を指す。パーハロカルビルという用語は、すべての水素がハロゲンで置き換えられているヒドロカルビル基を指す。
本明細書において、「(C〜C)アルキル」などの「アルキル」という表現は、メチル基およびエチル基、ならびに直鎖または分岐鎖のプロピル基、ブチル基、ペンチル基およびヘキシル基を含む。具体的なアルキル基は、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、tert−ブチル等である。「(C〜C)アルコキシ」、「(C〜C)チオアルキル」、「(C〜C)アルコキシ(C〜C)アルキル」、「ヒドロキシ(C〜C)アルキル」、「(C〜C)アルキルカルボニル」、「(C〜C)アルコキシカルボニル(C〜C)アルキル」、「(C〜C)アルコキシカルボニル」、「アミノ(C〜C)アルキル」、「(C〜C)アルキルアミノ」、「(C〜C)アルキルカルバモイル(C〜C)アルキル」、「(C〜C)ジアルキルカルバモイル(C〜C)アルキル」、「モノ−またはジ−(C〜C)アルキルアミノ(C〜C)アルキル」、「アミノ(C〜C)アルキルカルボニル」、「ジフェニル(C〜C)アルキル」、「フェニル(C〜C)アルキル」、「フェニルカルボニル(C〜C)アルキル」および「フェノキシ(C〜C)アルキル」などの派生表現も同様に解釈されるものとする。また、本明細書において「低級アルキル」とは、一般に(C〜C)アルキルを意味するものとする。
本明細書において、「シクロアルキル」という表現は、すべての既知の環式基を包含する。「シクロアルキル」の代表例としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルおよびシクロオクチル等が挙げられるが、これらに限定されない。「シクロアルコキシ」、「シクロアルキルアルキル」、「シクロアルキルアリール」、「シクロアルキルカルボニル」などの派生表現も同様に解釈されるものとする。
本明細書において、「(C〜C)アルケニル」という表現は、エテニル基、ならびに直鎖または分岐鎖のプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基およびヘキセニル基を包含する。同様に、「(C〜C)アルキニル」という表現は、エチニル基およびプロピニル基、ならびに直鎖または分岐鎖のブチニル基、ペンチニル基およびヘキシニル基を包含する。「(C〜C12)シクロアルケニル」、「(C〜C)アルケノール」、「(C〜C12)シクロアルケノール」などの派生表現も同様に解釈されるものとする。
本明細書において、「(C〜C)アシル」という表現は、「(C〜C)アルカノイル」と同じ意味を有するものとする。これはまた、構造式により「R−CO−」(式中のRは、ここで定義される(C〜C)アルキルである)と表すこともできる。さらに、「(C〜C)アルキルカルボニル」は、(C〜C)アシルと同じ意味を有するものとする。具体的には、「(C〜C)アシル」は、ホルミル、アセチルすなわちエタノイル、プロパノイル、n−ブタノイル等を意味するものとする。「(C〜C)アシルオキシ」および「(C〜C)アシルオキシアルキル」などの派生表現も同様に解釈されるものとする。
本明細書において、「(C〜C)パーフルオロアルキル」という表現は、上記アルキル基中の水素原子のすべてがフッ素原子で置き換えられていることを意味する。具体例としては、トリフルオロメチル基およびペンタフルオロエチル基、ならびに直鎖または分岐鎖のヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基、ウンデカフルオロペンチル基およびトリデカフルオロヘキシル基が挙げられる。「(C〜C)パーフルオロアルコキシ」という派生表現も同様に解釈されるものとする。
本明細書において、「(C〜C10)アリール」という表現は、置換または非置換のフェニルまたはナフチルを意味する。置換フェニルまたは置換ナフチルの具体例としては、o−、p−、m−トリル、1,2−、1,3−、1,4−キシリル、1−メチルナフチル、2−メチルナフチル等が挙げられる。「置換フェニル」または「置換ナフチル」には、また、本明細書でさらに定義されているか当該技術分野で既知であるすべての可能な置換基が包含される。「(C〜C10)アリールスルホニル」という派生表現も同様に解釈されるものとする。
本明細書において、「(C〜C10)アリール(C〜C)アルキル」という表現は、本明細書で定義される(C〜C10)アリールが、本明細書で定義される(C〜C)アルキルにさらに結合していることを意味する。代表例としては、ベンジル、フェニルエチル、2−フェニルプロピル、1−ナフチルメチル、2−ナフチルメチル等が挙げられる。
本明細書において、「ヘテロアリール」という表現は、既知のヘテロ原子含有芳香族基のすべてを包含する。代表的な5員ヘテロアリール基としては、フラニル、チエニルまたはチオフェニル、ピロリル、イソピロリル、ピラゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル等が挙げられる。代表的な6員ヘテロアリール基としては、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基等が挙げられる。二環式ヘテロアリール基の代表例としては、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、キノリニル基、イソキノリニル基、シンノリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、ピリドフラニル基、ピリドチエニル基等が挙げられる。
本明細書において、「ヘテロ環」という語句は、既知の還元ヘテロ原子含有環式基のすべてを包含する。代表的な5員ヘテロ環基としては、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチオフェニル、ピロリジニル、2−チアゾリニル、テトラヒドロチアゾリル、テトラヒドロオキサゾリル等が挙げられる。代表的な6員ヘテロ環基としては、ピペリジニル、ピペラジニル、モルホリニル、チオモルホリニル等が挙げられる。他の様々なヘテロ環基としては、特に限定されないが、アジリジニル、アゼパニル、ジアゼパニル、ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタ−2−イル、およびトリアゾカニル等が挙げられる。
「ハロゲン」または「ハロ」は、クロロ、フルオロ、ブロモおよびヨードを意味する。
「置換」という用語は、広義には、有機化合物におけるすべての許容される置換基を包含することを想定している。本明細書に開示される特定の実施形態のいくつかでは、「置換」という用語は、C1〜6アルキル、C2〜6アルケニル、C1〜6パーフルオロアルキル、フェニル、ヒドロキシ、−COH、エステル、アミド、C〜Cアルコキシ、C〜Cチオアルキル、C〜Cパーフルオロアルコキシ、−NH、Cl、Br、I、F、−NH−低級アルキル、および−N(低級アルキル)からなる群から独立して選択される1個以上の置換基で置換されていることを意味する。しかし、当業者に既知の他の適切な置換基のいずれをも、これらの実施形態において使用することができる。
また、本明細書において、成分、反応条件、温度、圧力、時間等の量を表すすべての数字、値および/または表現は、特記しない限り、かかる値の特定に伴う不確かさを含むものであり、すべての場合において「約」の語により修飾されているものと理解されたい。
さらに、本明細書に開示される任意の数値範囲は、連続的であって、各範囲の最小値と最大値との間のすべての値を含むものと理解される。特記しない限り、このような数値範囲は、かかる値の取得に関わる測定の様々な不確かさを反映する近似値である。したがって、特記しない限り、ここに開示されるすべての範囲または比は、そのなかに含まれるあらゆる部分範囲または部分比を包含するものと理解されたい。例えば、記載された範囲または比が「1〜10」である場合、最小値1と最大値10との間の(および最小値1と最大値10とを含む)あらゆる部分範囲、すなわち最小値が1以上で始まり最大値が10以下で終わるすべての部分範囲または部分比を含むものと考えられるべきである。非限定的な例示として、1〜6.1、3.5〜7.8、5.5〜10などが挙げられる。
本発明の実施形態を特徴付ける特徴は、本開示の一部を構成する特許請求の範囲の詳細事項で示される。このような実施形態の前述および他の特徴、それらの利点および使用は、以下の実施形態の説明およびそれに続く実施例から、より詳細に理解されるであろう。
本発明の実施により、式(I)の化合物
Figure 0005878270
(式中、
nは両端値を含む1〜10の整数であり、CHの1つ以上はC〜C10アルキルまたはC〜C10パーフルオロアルキルで任意に置換されていてもよく;
mは両端値を含む0〜2の整数であり;
、RおよびRは同じであるかまたは異なり、水素、ハロゲンおよびヒドロカルビルから互いに独立して選択され、ヒドロカルビルは、メチル、エチル、直鎖または分岐鎖のC〜C12アルキル、C〜C12シクロアルキル、C〜C12ビシクロアルキル、C〜C14トリシクロアルキル、C〜C10アリール、C〜C10アリールC〜Cアルキル、C〜C10ヘテロアリール、C〜C10ヘテロアリールC〜Cアルキル、C〜C12アルコキシ、C〜C12シクロアルコキシ、C〜C12ビシクロアルコキシ、C〜C14トリシクロアルコキシ、C〜C10アリールオキシC〜Cアルキル、C〜C10ヘテロアリールオキシC〜Cアルキル、C〜C10アリールオキシ、C〜C10ヘテロアリールオキシおよびC〜Cアシルオキシから選択される)
の製造方法であって:
ジシクロペンタジエンを式(II)の化合物
CR=CR−(CH−R (II)
(式中、
Rは、−OCOC〜Cアルキル、−CHO、−CN、−OC〜Cアルキル、−OCHPh、−OSO(式中、RはC〜CアルキルまたはC〜C12アリールである)である)
と適切な温度および条件で反応させて、式(III)の化合物
Figure 0005878270
を生成する工程;および
式(III)の化合物に適切な変換(transformation)反応を行って式(I)の化合物を生成する工程;
を含む方法が提供される。
したがって、本発明の実施により、スキームIに要約するように、式(II)で表される様々な置換アルケン誘導体をジシクロペンタジエン(DCPD)と反応させて式(III)の化合物を生成することができ、それをさらに式中のmが0である式(IA)のノルボルネンアルカノールに変換できることが判明した。
Figure 0005878270
スキームIに示すように、本発明の方法により、二量体型であるDCPDから生成するシクロペンタジエン(CPD)を、まず式(II)で表される置換アルケン誘導体と反応させる。この反応は、式(IIIA)の化合物が生成するように、既知の任意の反応条件を使用して行うことができる。適切な反応条件の例には、環境と同等の、環境より高い、または環境より低い反応温度および圧力で十分な時間反応させる条件が含まれるが、これに限定されない。このような反応は、典型的には閉鎖反応系で高温において自生圧力(autogenous pressure)条件で進められる。すなわち、閉鎖反応容器内での反応物の加熱により圧力が発生する。このような反応は、例えば、適切な閉鎖耐圧反応器系において約130℃〜約260℃の温度範囲で行うことができる。他のいくつかの実施形態では、約200℃〜約240℃の温度範囲で反応を行うことができ;他のいくつかの実施形態では、約180℃〜約240℃の温度範囲で反応を行うことができ;さらに他のいくつかの実施形態では、約210℃〜約230℃の温度範囲で反応を行うことができる。他のいくつかの実施形態では、約220℃の温度で反応を行うことができる。適切な反応器系の非限定的な例には、閉鎖管型反応器や耐圧容器、例えばParr反応器またはガラス、グラスライニングされた金属(あるいは、石英もしくはTEFLON(登録商標)(ポリテトラフルオロエチレン)を含む他の適切なライニングが施された金属)または金属(ステンレス鋼、HASTELLOY(登録商標)(Ni 57.0%、Mo 16.0%、Cr 15.5%、Fe 5.5%およびW 3.8%を含む合金)、およびINCONEL(登録商標)(ニッケルクロム合金)等を含むが、これらに限定されない)で製造された容器および/または反応器が含まれる。
一般に、DCPDと式(II)の化合物との反応は、まずDCPDを単量体のシクロペンタジエン(CPD)に分解した後、式(II)の化合物と反応させることにより行われる。一般に、CPDに対して式(II)の化合物を過剰モル量使用すると、式(III)の化合物の収率が高くなることが判明した。典型的には、CPD:式(II)の化合物のモル比は、約1:1〜約1:8、約1:1〜約1:5、および約1:1〜約1:4の範囲とすることができる。しかし、反応を引き起こす他の任意のモル比を使用することもでき、例えば、約2:1〜1:2の比を使用することもできる。
式(I)においてmが1または2である化合物については、式(IIIA)の化合物をさらに追加量のCPD(または、約150℃の温度まで加熱されると逆ディールスアルダー反応を起こしてCPDを生成するDCPD)と逐次的に反応させて、式(I)におけるmが1または2である化合物を得ることができる。
一般に反応は、未希釈で、すなわち溶媒および/または触媒等の他の試薬なしで行われる。しかし、場合によっては、式(II)の置換アルケン誘導体として採用する化合物の種類に応じて、適切な溶媒を使用することもできる。溶媒の非限定的な例としては、ヘキサン、ヘプタン、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素溶媒や、ジクロロメタン、1,1−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素溶媒が挙げられる。他の適切な溶媒としては、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)が特に例示される。
一般に、反応の進行は、反応器から一部を取り出して適切な方法で分析することにより監視することができる。そのような方法として、既知の方法のなかでもとりわけ、薄層クロマトグラフィー(TLC)、ガスクロマトグラフィー(GC)、液体クロマトグラフィー(LC)もしくは高速液体クロマトグラフィー(HPLC)、またはGC/質量分析(MS)の組合せやLC/MSの組合せが例示される。
有利なことに、本発明の実施により、式(I)の化合物を非常に高純度で得られることが判明した。ここで「高純度」とは、他の不純物、特にノルボルネン部分がノルボルナンに水素化されているものを含まない生成物を意味する。すなわち、式(I)の化合物は、対応するノルボルナン誘導体を実質的に含まない。実施形態の1つでは、本発明の方法から得られる式(I)の化合物は、少なくとも99%の純度である。他の実施形態では、本発明の方法により得られる式(I)の化合物は、少なくとも99.4%の純度である。他の実施形態では、本発明の方法から得られる式(I)の化合物は、少なくとも99.8%の純度である。
従来技術の方法ではいずれも、後述する具体例によりさらに示されるように、CPDと任意の対応するアルケノールとの直接反応により生成する式(I)の化合物の純度が低いことに留意されたい。前述のように、この反応では、純度が低くなるだけでなく収率も非常に低くなるため、工業化には不適である。一般に、水素の移動を促進する官能基により望ましくない副生成物が生じることが判明した。例えば、本明細書の比較例で示されるように、共反応物としてアルケノールを使用すると、および/またはアルコール溶媒をCPDとともに使用すると、おそらくは水素移動反応のために、望ましくない副生成物が生じる。他方、同様に本明細書に示されるように、本発明の方法によると、以下でさらに検討するように、式(I)の化合物に非常に容易に変換することのできる式(III)の化合物を、驚くべきことに、非常に高純度で得ることができる。
式(II)で表わされる既知の置換アルケン誘導体は、いずれも式(III)の化合物の製造に使用することができる。前述のように、式(II)のような置換アルケン誘導体の例には、特に限定されないが、任意の脂肪酸エステルが含まれる。脂肪酸エステルの非限定的な例としては、酢酸エステル、プロピオン酸エステル、n−酪酸エステル、イソ酪酸エステル、およびn−吉草酸エステル等が挙げられる。他の脂肪酸エステル、例えばシクロペンタンカルボン酸エステルやシクロヘキサンカルボン酸エステル等のような脂環式カルボン酸エステルも使用することができる。他の置換アルケン誘導体としては、スキームIに表されるようにCPDとの付加反応後にアルコール官能基に変換可能な、対応するアルデヒド、−CHO、またはニトリル、−CNが挙げられる。他の置換アルケン誘導体としては、様々なC〜Cアルカノールと対応する−OC〜Cアルキルエーテルを形成するエーテルを含む、様々なエーテルが挙げられる。対応するエーテルの生成に使用し得るアルカノールの例としては、特に、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノール、tert−ブタノール、ペンタノールまたはヘキサノールのすべての異性体、等が挙げられる。最後に、式(II)の他の置換アルケン誘導体の例には、式−OSO(式中、RはC〜Cアルキル、C〜CパーフルオロアルキルまたはC〜C12アリールである)で表わされる様々なスルホン酸エステルが含まれる。スルホン酸エステルの非限定的な例としては、メタンスルホン酸エステル(メシレート)、トリフルオロメタンスルホン酸エステル(トリフレート)、エタンスルホン酸エステル、ベンゼンスルホン酸エステル(ベシレート)、およびp−トルエンスルホン酸エステル(トシレート)等が挙げられる。本明細書に記載の様々なアルケン誘導体は、対応するアルコールを適切な保護基で保護することにより生成することにさらに留意されたい。本明細書に記載のものを含む様々な保護基の例は、Greene,T. W.; Wuts, P.G.M. Protective Groups in Organic Synthesis” 4th Ed. (2007)に記載されている。
上述した式(II)で表わされる置換アルケン誘導体の多くは、市販されているか、または当業者に既知のいずれかの方法で容易に合成することができる。例えば、式(II)のアルケノールエステルの多くは市販されているか、および/または対応するアルコールと酸とのエステル化反応により容易に製造することができる。同様に、アルケノールエーテルおよびスルホン酸エステルも、適切な出発原料を使用して製造することができる。対応するアルデヒド化合物またはニトリル化合物、すなわち、式中のRがCHOまたはCNであるものも同様に、適切な出発原料から出発し、既知の文献に記載されたいずれかの方法で製造することができる。
本発明の方法の実施形態の1つでは、使用される式(II)の置換アルケン誘導体が酢酸アリル、すなわち式(II)中のnが1であり、RがCHC(O)Oであり、かつR、RおよびRがそれぞれ水素である化合物である。このようにして生成した式(IIIA)の化合物、この場合はエステル、具体的には酢酸エステルを、触媒の存在下で適切なエステル交換剤と反応させて、nが1でありmが0である式(IA)の化合物を生成することができる。
大まかにいえば、式(III)のエステル化合物を式(I)の化合物に変換するためのエステル交換反応は、当該技術分野で既知の方法のいずれかを使用して行うことができる。例えば、このようなエステル交換反応は、適切な溶媒中の適切な酸触媒または塩基触媒および適切なエステル交換剤の存在下、適切な温度で行うことができる。適切なエステル交換剤として、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノール等のアルコールが挙げられる。他の様々なアルコールを使用することもできる。本発明の実施形態の1つでは、使用するアルコールはメタノールである。他の様々な溶媒を、前述のアルコール溶媒と組み合わせて使用することもできる。具体例としては、石油エーテル、ジクロロメタン、酢酸メチル、酢酸エチル、トルエン等が挙げられる。
適切な塩基触媒としては、アルカリ金属塩基、例えばリチウム、ナトリウム、カリウムまたはセシウムの、水酸化物、アルコキシド、炭酸塩、重炭酸塩等;アルカリ土類金属塩基、例えばカルシウムまたはマグネシウムの、水酸化物、アルコキシド、炭酸塩、重炭酸塩等;ならびに、適切な無機または有機塩基、例えば、アンモニア、トリアルキルアミン、イミダゾール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。具体的なアルカリ塩基としては、水酸化リチウム、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムtert−ブトキシド、炭酸リチウム、重炭酸リチウム、水酸化ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムtert−ブトキシド、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、水酸化カリウム、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムtert−ブトキシド、炭酸カリウム、重炭酸カリウム、水酸化セシウム、セシウムメトキシド、セシウムエトキシド、セシウムtert−ブトキシド、炭酸セシウム、重炭酸セシウム、水酸化カルシウム、カルシウムメトキシド、カルシウムエトキシド、カルシウムtert−ブトキシド、炭酸カルシウム、重炭酸カルシウム、水酸化マグネシウム、マグネシウムメトキシド、マグネシウムエトキシド、マグネシウムtert−ブトキシド、炭酸マグネシウム、重炭酸マグネシウム、アンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、イミダゾール、およびこれらの混合物の任意の組合せが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
適切な酸触媒としては、任意の既知のブレンステッド酸、例えば塩酸、臭化水素酸、フッ化水素酸、硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、2−ヒドロキシエタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、フマル酸、マレイン酸、ヒドロキシマレイン酸、リンゴ酸、アスコルビン酸、コハク酸、グルタル酸、酢酸、サリチル酸、ケイ皮酸、2−フェノキシ安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、フェニル酢酸、安息香酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、グリコール酸、乳酸、ピルビン酸、マロン酸、炭酸またはリン酸等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。任意の既知のルイス酸を単独で、または前述のブレンステッド酸と組み合わせて使用することもできる。ルイス酸の具体例としては、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、塩化アルミニウム、および五フッ化アンチモン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。例えば、本発明の一実施形態では、エステル交換剤はメタノールなどのアルコールであり、使用される触媒は酸、例えば、硫酸またはスルホン酸、例えば、メタンスルホン酸(MsOH)またはp−トルエンスルホン酸(p−TsOH)である。
一般に、前述の酸触媒または塩基触媒の1種以上の触媒量を、エステル交換反応に使用することができる。例えば、使用される酸または塩基の触媒量は、式(III)の化合物に対して約0.1モル%〜約50モル%の範囲であってもよい。一般に、酸触媒と比較すると、塩基触媒は若干多いモル%で使用される。すなわち、酸を触媒として使用する場合、使用する酸の量は0.1モル%と低くてもよい。しかし、塩基を触媒として使用する場合、その量は約1モル%〜約50モル%の範囲となり得る。いくつかの実施形態では、使用される触媒は塩基触媒であり、約4モル%〜約20モル%使用され、他のいくつかの実施形態では約5モル%〜約10モル%使用される。例えば、本発明の一実施形態では、使用される溶媒はメタノールであり、使用される塩基は、式(III)の化合物に対して約8モル%の量のナトリウムメトキシドである。
一般に、エステル交換反応は広い温度範囲で行うことができ、これは環境より低い、環境と同等の、および環境より高い温度範囲を含み、使用するエステルの種類に依存する。例えば、いくつかの実施形態では、温度範囲は約0℃〜100℃であってもよい。他のいくつかの実施形態では、温度範囲は約20℃〜80℃であってもよい。さらに他のいくつかの実施形態では、温度範囲は約40℃〜60℃であってもよい。しかし、当業者には容易にわかる変形として、出発原料に応じて他の任意の適切な温度範囲を使用してもよい。
同様に、付加生成物がスルホン酸エステル、すなわち、式(III)中のRが−OSOである化合物である場合、このような式(III)のスルホン酸エステルも、上述したいずれかの酸触媒または塩基触媒によるエステル交換反応により式(I)の化合物に変換することができる。
生成した付加生成物がエーテル、すなわち、式(III)中のRが−OC〜Cアルキルである化合物である場合、このようなエーテルは、既知の文献のいずれかの方法により開裂して式(I)の化合物とすることができる。このようなエーテル開裂反応には、酸触媒による反応や、既知の任意のシリル化剤でエーテルを開裂して各アルコールを生成することが含まれる。
前述のように、本発明の方法を実施することにより、式(I)の化合物を非常に高純度で得ることが可能である。したがって、一実施形態により生成する式(I)の化合物は、少なくとも99%の純度のexo−/endo−ノルボルネンメタノールである。
本発明の方法の他の実施形態では、該方法は、
式(I)の化合物を、式(IV)のシラン
SiH (IV)
(式中、R、RおよびRは、それぞれ互いに独立して、メチル、エチル、または直鎖もしくは分岐鎖のC〜Cアルキルであるか、または置換もしくは非置換のC〜C14アリールである)
および適切な触媒と反応させて、式(V)の化合物
Figure 0005878270
を得る工程をさらに含む。このようにして生成する式(V)の化合物は高純度である。
有利なことに、塩基を触媒に用いて式(IV)の化合物と式(I)の化合物との反応を行うことができることが判明している。例えば、Weickgenannt et al., Chem. Asian J. 2009, 4, 406-410を参照されたい。この反応に使用し得る様々な塩基触媒には、エステル交換に使用される塩基触媒および前述の塩基触媒のすべてが含まれる。具体的には、一実施形態において適切な塩基触媒がカリウムtert−ブトキシドであることが判明した。しかし、前述のように、上述した他の任意の塩基触媒をこの工程に使用することもできる。
一実施形態において、このようにして生成した式(V)の化合物は、nが1であり、R、RおよびRがそれぞれ水素であり、Rがメチルであり、かつRおよびRがそれぞれフェニルである。本発明の他の実施形態では、このようにして生成した式(V)の化合物は高純度である。具体的には、式(V)の化合物の純度は少なくとも99%である。他の実施形態では、式(V)の化合物の純度は少なくとも99.5%である。他の実施形態では、式(V)の化合物の純度は少なくとも99.8%である。より具体的には、このようにして生成した式(V)の化合物は(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−5−エン−2−イルメトキシ)(メチル)ジフェニルシランであり、少なくとも99%の純度である。他の実施形態では、このようにして生成した式(V)の化合物は(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−5−エン−2−イルメトキシ)(メチル)ジフェニルシランであり、少なくとも99.8%の純度である。
本発明の他の実施形態において、式(IB)のノルボルネンメタノールの製造方法が提供される。
Figure 0005878270
この実施形態では、上記方法は、ジシクロペンタジエンを酢酸アリルと約200℃〜約240℃の温度で十分な時間反応させて、式(IIIB)のノルボルネンメチルアセテート
Figure 0005878270
を生成する工程;
その生成した式(IIIB)のノルボルネンメチルアセテートを蒸留する工程;および
上記蒸留したノルボルネンメチルアセテート(IIIB)のエステル交換反応をメタノールおよびナトリウムメトキシドの存在下、約40℃〜約50℃の温度で行い、少なくとも99.8%の純度のノルボルネンメタノール(IB)を生成する工程;を含む。本方法において、水素化されたノルボルネンメタノール、すなわち、ノルボルナンメタノール(NBaneCHOH)は生成しない。
本発明のさらに他の実施形態において、式(VB)の(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−5−エン−2−イルメトキシ)(メチル)ジフェニルシランの製造方法が提供される。
Figure 0005878270
この実施形態は、ジシクロペンタジエンを酢酸アリルと約200℃〜約240℃の温度で十分な時間反応させて、式(IIIB)のノルボルネンメチルアセテート
Figure 0005878270
を生成する工程;
上記ノルボルネンメチルアセテート(IIIB)のエステル交換反応を、メタノールおよびナトリウムメトキシドの存在下、約40℃〜約50℃の温度で行い、ノルボルネンメタノール(IB)
Figure 0005878270
を生成する工程;および
上記ノルボルネンメタノール(IB)をメチルジフェニルシランと、適切な溶媒およびカリウムtert−ブトキシドの存在下で反応させて、少なくとも99.5%の純度の(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−5−エン−2−イルメトキシ)(メチル)ジフェニルシラン(VB)を得る工程;を含む。
本発明の方法には、従来は達成不可能であったいくつかの利点があることに留意されたい。より重要なことには、文献の方法の多くは様々な試薬の使用を必要とするため、最終生成物に不純物がある程度混入することが不可避であることに留意されたい。例えば、遊離のアルケノール(すなわち、式(II)におけるRがOHである化合物)を出発原料として使用し、文献の方法に従うと、得られる式(I)の化合物は低純度である。より重要なことには、後に比較例で示すように、アルコールなどのプロトン源が存在すると、式(I)の化合物の水素化が起こり、それは常にかなりの量の副生成物として生成し、ほとんどの場合は分離が困難である。すなわち、式(I)の化合物が水素化されると、その結果、沸点などの物理的特性が非常に類似した、対応するノルボルナン化合物が生成する。
さらに、本明細書に記載のシリル化法により、非常に高純度の式(V)の化合物を製造する特有の方法が提供される。特に、文献の方法の多くは、除去が困難であって特に電子用途には不適な不純物である汚染物質が不可避的に生成する酸または塩基条件を必要とすることに留意されたい。例えば、アルコールと適切なクロロシランまたは適切なシリルアミンとの反応によりシリルエーテル化合物を製造することが文献で公知である。例えば、スキームIIは、式(IA)の化合物を、ジフェニルメチルクロロシラン、N,N,1−トリメチル−1,1−ジフェニルシランアミンのどちらかと反応させることによる式(VA)の化合物の製造を示す。これらの文献の方法ではいずれも、塩化アルキルアンモニウムが副生成物として生成するため、式(VA)の化合物を精製するために面倒な精製工程が必要である。他方、本発明の方法は、工業的に容易に規模を拡大縮小することができる効率的な、式(V)の高純度シリルエーテル化合物、特に、式(VA)の化合物の製造方法を提供する。
Figure 0005878270
本発明を次の実施例でさらに説明するが、それらは説明の目的で記載され、本発明の範囲を何ら限定するものではない。
実施例1
Exo−/Endo−ノルボルネンメチルアセテート
適切な高圧管型反応器に、酢酸アリルおよびジシクロペンタジエン(DCPD)を、シクロペンタジエンモノマーを基準として4:1のモル比で投入した。これを220℃に維持した熱油浴で加熱し、その温度に4時間維持した。反応終了時点で、上記高圧管を浴から取り出し、湿潤氷浴(wet ice bath)で急冷した。次いで、上記管をメタノールおよびジクロロメタンで洗浄し、秤量して漏れのないことを確認した。得られた粗モノマー試料をGC−MSで分析した。その結果、未反応の酢酸アリル 約7.5%、exo−/endo−ノルボルネンメタノール 10%、exo−/endo−ノルボルネンメチルアセテート 82%、(1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロ−1,4:5,8−ジメタノナフタレン−2−イル)メタノール 0.6%であることがわかった。上記の粗混合物を分留すると、純度>99.6%超のノルボルネンメチルアセテートが単離された。
GC−MS分析は、Altech EC−5カラム、30m、内径0.25mm、膜厚0.25μm;Inlet−F:250、MS源:230℃、電子イオン化、により行った。使用したGC条件は次の通りである。勾配:10℃/分で45℃〜120℃、その後40℃/分で300℃まで加熱、300℃で2分保持。
実施例2
Exo−/Endo−ノルボルネンメタノール
適切なサイズのジャケット付き反応器に、exo−/endo−ノルボルネンメチルアセテート(純度≧99.6%、4.8kg)とメタノール(11.2kg)との混合物を投入した。上記反応器は、撹拌機、塔頂コンデンサ、塔頂凝縮液受け槽および定量ポンプ付き供給槽を備える。上記反応器の温度は、専用のオイル循環装置で制御した。反応器圧力は手動で制御し、昇圧は窒素の添加により、降圧は排気(vent takeoff)により行った。
反応器上部空間内の酸素を除去するために、反応器の窒素パージを3回加圧/減圧して行った。この窒素パージ工程後、反応器を塔頂および受け器系まで完全に通気された状態にしておき、その後、初期反応温度(45℃)に加熱した。ナトリウムメトキシドをメタノールに溶解してなる触媒溶液(25wt%、0.125kg)をガラス供給槽に添加した後、15分かけて反応器に計量供給し(添加速度8.33g/分)、その間、反応器温度を維持した(45℃)。触媒の計量添加終了後、反応器をその温度(45℃)にさらに1.75時間維持した。
反応工程の終了後、反応器を通気された状態で溶媒ストリッピング温度(60〜68℃)に加熱し、メタノール/酢酸メチルの混合物(4kg)を塔頂フラッシュし、塔頂受槽に回収した。追加のメタノール(4kg)を反応器に移し、2回目の溶媒ストリッピング操作を行い、メタノール/酢酸メチルの混合物(4kg)を除去した。最後に、3回目の溶媒ストリッピング操作を行い、メタノール/酢酸メチルの混合物(6kg)を除去した。この溶媒ストリッピング工程の終了後、酢酸(0.04kg)を反応濃縮物に添加し、その後、これを反応器から取り出してGCにより分析し、エステル交換反応が完了したことを確認した。反応濃縮物の組成は次の通りであった。ノルボルネンメタノール 83%、ノルボルネンメチルアセテート 痕跡量、メタノール 17%、MeOAc 痕跡量。
次いで、ノルボルネンメタノール反応濃縮物(6kg)を、電気加熱マントル付き蒸留釜(still pot)、ステンレス鋼製パッキンを有する蒸留塔(理論段数4)、還流分離器(reflux splitter)、水冷コンデンサ、塔頂凝縮液受け器および真空ポンプからなる適切な装備を備えた減圧蒸留系に仕込んだ。蒸留釜温度は加熱マントルの入熱を調節することにより制御し、系の真空度は塔頂受け器での減圧調節により制御した。蒸留塔内が還流状態になるまで、最初は蒸留釜を完全に通気された状態で加熱した。次いで、還流分離器を所望の還流比で始動し、塔頂受け器から液体留分を定期的に除去することにより分留を行った。GC分析により塔頂画分の組成を測定した。必要に応じて、塔頂流の組成に影響を及ぼす蒸留釜温度、塔頂受け器の真空度および還流比を調節した。初期の塔頂画分は主としてメタノールを含有し、痕跡量の酢酸メチルも含まれていた。これらの溶媒の除去後、塔頂温度(70〜75℃)、減圧(4〜5mmHg)、および還流比(2:1)の条件で、高純度のノルボルネンメタノールを塔頂蒸留した。生成物の大部分が蒸留釜から留去された後、蒸留工程を終了した。出発混合物中に含まれるノルボルネンメタノールの約90%が高純度(≧99.8%アッセイ)の生成物として回収され、ノルボルネンメチルアセテートは痕跡量(<0.1%)であり、ノルボルナンメタノール(NBAMeOH)は検出不可能なレベルであった。
GC分析は、Ultra 1(架橋メチルシロキサン)カラム、25m、内径0.2mm、膜厚0.33μmで行った。初期条件:70℃、1.0分保持;勾配条件:10℃/分で70℃〜240℃;最終条件:240℃、10.0分保持。注入部:200℃。検出部:250℃(FID)。GC保持時間:NBMeOH7.1〜7.3分、NBAMeOH7.5〜7.6分、およびNBMeOAc8.8〜8.9分。
実施例3
Exo−/Endo−(ノルボルネニルメトキシ)(メチル)ジフェニルシラン(NBMeOSiPhMe)
機械式撹拌機、滴下漏斗、窒素導入管およびサーモウェルを備えた適切なサイズのフラスコに、ノルボルネンメタノール(NBMeOH、99g、0.797mol)を投入した。無水THF(300ml)をシリンジでフラスコに入れた後、撹拌を開始した。カリウムt−ブトキシド(3.3g、0.029mol)を添加した。カリウムt−ブトキシドがすべて溶解して黄色の溶液が得られたら、反応フラスコの下に水浴を設置した。ジフェニルメチルシラン(150.3g、0.756mol)を滴下した。約10分後、水素の発生が始まり、反応温度が23℃から25℃に上昇した。穏やかな水素発生が維持されるように、ジフェニルメチルシランを一定の滴下速度で添加した。添加は約50分後に終了した。反応温度は30℃に上昇した。1分以内に、水素発生が急停止し、反応温度は26℃に急速に低下した。GC分析から、NBMeOH 2.3%およびNBMeOSiPhMe 97.1%であることがわかった。ジフェニルメチルシランは検出されなかった。反応混合物をさらに15分、25℃で撹拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液80mlを添加した。十分に混合し、メチル−tert−ブチルエーテル(MTBE)で洗浄した後、相を分離した。水相のpHは8であった。有機部分を2×80mlの飽和食塩水で洗浄するとpH10になった。有機部分を再度80mlの飽和塩化アンモニウム水溶液でpH8になるまで洗浄した。次いで、80mlの飽和食塩水で洗浄するとpH7〜8になった。有機部分を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、ロータリーエバポレータで蒸留すると、濁った無色の液体248.5gが得られた。GC分析から、NBMeOH 2.9%、PhMeSiOH 1.0%、PhMeSiO−t−Bu 1.0%、NBMeOSiPhMe 95.7%、PhMeSiOSiMePh 0.1%であることがわかった。
上記物質を、分留カラムを使用することなく減圧蒸留した。最初の20.8gは、46〜136℃、0.27〜0.42Torrで回収した。その回収物は、重量平均でNBMeOH 30%、PhMeSiOH/PhMeSiO−t−Bu 14.3%、NBMeOSiPhMe 48.5%であった。次の71.1gは、132〜139℃(0.17〜0.29Torr)で回収した。その回収物は、重量平均でPhMeSiOH/PhMeSiO−t−Bu 2.1%、NBMeOSiPhMe 97.6%であった。次の7.8gは、137〜134℃(0.16〜0.22Torr)で回収した。その回収物は、NBMeOSiPhMe 99.8%であった。蒸留を停止し、NBMeOSiPhMe 99.4%を含有する釜残をクーゲルロール蒸留装置に移した。173〜176℃(0.33〜0.37Torr)で蒸留すると、無色透明の液体142.1gが収率59%で得られた。GC分析から、NBMeOSiPhMe 99.6%であることがわかった。
GC分析は、DB5−MSカラム、25m、内径0.32mm、膜厚0.52μmで行った。勾配:15℃/分で75℃〜200℃、その後40℃/分で300℃に加熱(3分保持);注入部:200℃。検出部:350℃(FID)。保持時間:10.615分。
比較例1〜5
比較例1〜5は、アルケノールとCPDを反応させると、表1に要約するように、かなりの量の副生成物が生成することを示している。とりわけ注目すべきは、比較例1〜5の各々では、水素化された生成物であるノルボルナンアルカノールが生成した点である。
適切な高圧管型反応器に、共反応物としての表1に要約する様々なアルケノールと、ジシクロペンタジエン(DCPD)とを、CPDモノマーを基準として4:1のモル比で投入した。これを220℃に維持した熱油浴で加熱した。このバッチ式高圧管での反応を4時間行った。反応終了時点で、上記高圧管を浴から取り出し、湿潤氷浴で急冷した。次いで、上記管をメタノールおよびジクロロメタンで洗浄し、秤量して漏れのないことを確認した。得られた粗生成物試料をGC−MSで分析した。結果を表1に要約する。
Figure 0005878270
GC−MS分析は、Altech EC−5カラム、30m、内径0.25mm、膜厚0.25μm;Inlet−F:250、MS源:230℃、電子イオン化、で行った。GC条件としては、次の2つの条件のうちの1つを使用した。
a)勾配:10℃/分で45℃〜120℃、その後40℃/分で300℃に加熱、300℃で2分保持。この加熱プロファイルは、比較例2〜5で使用した。
b)勾配:40℃で5分間保持した後、40℃/分で300℃に加熱、300℃で5分保持。この加熱プロファイルは、比較例1で使用した。
比較例6〜7
比較例6〜7は、メタノールやイソプロパノールなどのアルコールとCPDを反応させると、おそらくは水素移動反応により、水素化反応も起こることを示している。結果を表2に要約する。
適切な高圧管型反応器に、共反応物としての表2に要約する様々なアルコールと、ジシクロペンタジエン(DCPD)とを、CPDモノマーを基準として4:1のモル比で投入した。これを220℃に維持した熱油浴で加熱した。このバッチ式高圧管での反応を4時間行った。反応終了時点で、上記高圧管を浴から取り出し、湿潤氷浴で急冷した。次いで、上記管をメタノールおよびジクロロメタンで洗浄し、秤量して漏れのないことを確認した。メタノールとDCPDとの反応により、いくらかの不溶性固体も生成した。これらの固体をジクロロメタン(DCM)で抽出した。次いでDCM抽出物をGC−MSで分析した。得られた生成物試料をGC−MSで分析した。結果を表2に要約する。
Figure 0005878270
GC−MS分析は、Altech EC−5カラム、30m、内径0.25mm、膜厚0.25μm;Inlet−F:250、MS源:230℃、電子イオン化、で行った。使用したGC条件は次の通りである。勾配:40℃で5分間保持した後、40℃/分で300℃に加熱、300℃で5分保持。
比較例8〜10
比較例8〜10は、メタノールやイソプロパノールなどのアルコールとノルボルネンまたはノルボルナジエンを反応させると、おそらくは水素移動反応により、水素化反応も起こることを示している。
適切な高圧管型反応器に、様々なアルコールとオレフィン(ノルボルネンまたはノルボルナジエン)を、オレフィンを基準として4:1のモル比で投入した。これを220℃に維持した熱油浴で加熱した。このバッチ式高圧管での反応を4時間行った。反応終了時点で、上記高圧管を浴から取り出し、湿潤氷浴で急冷した。次いで、上記管をメタノールおよびジクロロメタンで洗浄し、秤量して漏れのないことを確認した。得られた生成物試料をGC−MSで分析した。結果を表3に要約する。
Figure 0005878270
GC−MS分析は、Altech EC−5カラム、30m、内径0.25mm、膜厚0.25μm;Inlet−F:250、MS源:230℃、電子イオン化、で行った。GC条件としては、次の2つの条件のうちの1つを使用した。
a)勾配:10℃で/分で45℃〜120℃、その後40℃/分で300℃に加熱、300℃で2分保持。この加熱プロファイルは、比較例8および9で使用した。
b)勾配:40℃で5分間保持した後、40℃/分で300℃に加熱、300℃で5分保持。この加熱プロファイルは、比較例10で使用した。
本発明を上記いくつかの実施例により説明してきたが、本発明はそれらに限定されるものと解釈されるべきではない。むしろ本発明は、ここに開示される範囲全体(generic area)を包含するものである。本発明は、その範囲を逸脱することなく、様々な変更形態および実施形態で行うことができる。

Claims (18)

  1. 式(I)の化合物
    Figure 0005878270
    (式中、
    nは、両端値を含む1〜10の整数であり、(CH におけるCHの1つ以上はC〜C10アルキルまたはC〜C10パーフルオロアルキルで任意に置換されていてもよく;
    mは、両端値を含む0〜2の整数であり;
    、RおよびRは、同じであるかまたは異なり、水素、ハロゲン、メチル、エチル、直鎖または分岐鎖のC〜C12アルキル、C〜C12シクロアルキル、C〜C12ビシクロアルキル、C〜C14トリシクロアルキル、C〜C10アリール、C〜C10アリールC〜Cアルキル、C〜C10ヘテロアリール、C〜C10ヘテロアリールC〜Cアルキル、C〜C12アルコキシ、C〜C12シクロアルコキシ、C〜C12ビシクロアルコキシ、C〜C14トリシクロアルコキシ、C〜C10アリールオキシC〜Cアルキル、C〜C10ヘテロアリールオキシC〜Cアルキル、C〜C10アリールオキシ、C〜C10ヘテロアリールオキシおよびC〜Cアシルオキシから互いに独立して選択される)
    の製造方法であって:
    シクロペンタジエンを式(II)の化合物
    CR=CR−(CH−R (II)
    (式中、Rは、−OCOC〜Cアルキルである)
    と適切な温度および条件で反応させて、式(III)の化合物
    Figure 0005878270
    を生成する工程;および
    式(III)の化合物を触媒の存在下で適切なエステル交換剤と反応させて、前記式(I)の化合物を生成する工程;
    を含む、方法。
  2. 前記式(I)の化合物を少なくとも99%の純度で製造する、請求項1に記載の方法。
  3. 前記式(I)の化合物を少なくとも99.8%の純度で製造する、請求項1に記載の方法。
  4. nが1であり、RがCHC(O)Oであり、かつR、RおよびRがそれぞれ水素である、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 少なくとも99%の純度のexo−/endo−ノルボルネンメタノールを製造する、請求項1に記載の方法。
  6. 前記エステル交換剤がアルコールであり、かつ前記触媒が塩基である、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記アルコールがメタノールであり、かつ前記塩基がナトリウムメトキシドである、請求項6に記載の方法。
  8. 前記エステル交換剤がアルコールであり、かつ前記触媒が酸である、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記アルコールがメタノールであり、かつ前記酸が硫酸またはアルカンスルホン酸である、請求項8に記載の方法。
  10. 式(V)の化合物
    Figure 0005878270
    の製造方法であって、
    請求項1から9のいずれか一項に記載の方法により前記式(I)の化合物を製造する工程;および
    前記式(I)の化合物を式(IV)のシラン
    SiH (IV)
    (式中、R、RおよびRは、それぞれ互いに独立してメチル、エチル、または直鎖もしくは分岐鎖のC〜Cアルキルであるか、または置換もしくは非置換のC〜C14アリールである)および適切な触媒と反応させて、前記式(V)の化合物を得る工程;
    を含む、方法。
  11. nが1であり、R、RおよびRがそれぞれ水素であり、Rがメチルであり、かつRおよびRがそれぞれフェニルである、請求項10に記載の方法。
  12. 前記式(V)の化合物を得る工程において使用される前記触媒が塩基である、請求項10または11に記載の方法。
  13. 前記式(V)の化合物を得る工程において使用される前記触媒がカリウムtert−ブトキシドである、請求項10または11に記載の方法。
  14. 前記式(V)の化合物を少なくとも99%の純度で製造する、請求項10から13のいずれか一項に記載の方法。
  15. 前記式(V)の化合物を少なくとも99.5%の純度で製造する、請求項10から13のいずれか一項に記載の方法。
  16. 少なくとも99.8%の純度の(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−5−エン−2−イルメトキシ)(メチル)ジフェニルシランを製造する、請求項10から13のいずれか一項に記載の方法。
  17. 式(IB)のノルボルネンメタノール
    Figure 0005878270
    の製造方法であって、
    シクロペンタジエンを酢酸アリルと200℃〜240℃の温度で十分な時間反応させて、式(IIIB)のノルボルネンメチルアセテートを生成する工程;
    Figure 0005878270
    その生成した式(IIIB)のノルボルネンメチルアセテートを蒸留する工程;および
    前記蒸留したノルボルネンメチルアセテート(IIIB)のエステル交換反応を、メタノールおよびナトリウムメトキシドの存在下、40℃〜50℃の温度で行って、少なくとも99.8%の純度のノルボルネンメタノール(IB)を生成する工程;
    を含む、方法。
  18. 式(VB)の(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−5−エン−2−イルメトキシ)(メチル)ジフェニルシラン
    Figure 0005878270
    の製造方法であって、
    シクロペンタジエンを酢酸アリルと200℃〜240℃の温度で十分な時間反応させて、式(IIIB)のノルボルネンメチルアセテート
    Figure 0005878270
    を生成する工程;
    前記ノルボルネンメチルアセテート(IIIB)のエステル交換反応を、メタノールおよびナトリウムメトキシドの存在下、40℃〜50℃の温度で行って、ノルボルネンメタノール(IB)
    Figure 0005878270
    を生成する工程;および
    前記ノルボルネンメタノール(IB)をメチルジフェニルシランと、適切な溶媒およびカリウムtert−ブトキシドの存在下で反応させて、少なくとも99.5%の純度の(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−5−エン−2−イルメトキシ)(メチル)ジフェニルシラン(VB)を得る工程;
    を含む、方法。
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