TW201429128A - 升壓控制電路及其控制方法 - Google Patents

Abstract

一種升壓控制電路，包括：充電電壓源；充電二極體，其正端耦接充電電壓源；高壓電晶體，其控制端設為第一連接點，其通道耦接充電二極體負極與升壓電容間；邏輯控制電路，具有邏輯輸入端以接收充電指示，第一邏輯輸出端與輸入同相，第二邏輯輸出端與輸入反相；高壓元件控制電晶體，其控制端設為第二連接點，其通道耦接充電電壓源與第一連接點間；截止電阻，耦接第一連接點與第二連接點間；充電控制電晶體，其通道耦接第二連接點與接地端間，其控制端耦接第二邏輯輸出端；控制電容，耦接第一連接點與第一邏輯輸出端間。

Description

升壓控制電路及其控制方法

本發明係關於一種升壓控制電路及其控制方法，特別是一種可以對升壓電容進行更快速充電的升壓控制電路及其控制方法。

電壓轉換電路應用於例如馬達驅動、鎮流器(ballast)、以及冷陰極螢光燈管(Cold Cathode Fluorescent Lamp，CCFL)驅動電路當中，係利用一源頭之直流或交流電壓源，產生一直流或交流之大電壓或大電流輸出，以驅動負載物。在目前的電壓轉換電路中，設計上的主流係以耐高壓製程之積體電路的方式實現功率元件驅動級，來驅動一外接的或位於同一晶片上的功率元件。通常所述的積體電路(integrated circuit，IC)除了功率元件之外，亦會將其他相關的控制電路集成(integrated)製作，以減少應用板的尺寸以及外接元件的個數，並進一步節省成本。然而為了能夠正確地驅動功率元件，通常應用電路中會有一顆外接的升壓電容，配合功率元件驅動級中的升壓控制電路，以獲得高電壓來提供功率元件驅動級之所需。在操作上，升壓控制電路必須需要能夠在一個短暫時間中對升壓電容完成充電的動作，設計上則是以一個集成的高壓電晶體元件，或是其他可由控制端控制導通或截止之耐高壓元件，例如橫向擴散金屬氧化半導體(laterally diffused metal oxide semiconductor，LDMOS)或是雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)，但並不以此為限，來提供一個能夠耐高壓，並可達到快速充電的路徑，同時需防止不正常的電流倒灌，因此在操作上可等效視為一耐高壓的二極體。

以前述之功率元件可形成一半橋式輸出級(half-bridge output stage)之電路組態，係在時間上交替地輸出高電壓與低電壓，其中用以輸出高電壓的高壓驅動級(high-side driver，HSD)，即包括前述之升壓控制電路，並於輸出級輸出低電壓時，利用升壓控制電路配合前述之高壓電晶體 元件形成一低阻抗的路徑，而對升壓電容快速地進行充電。而當輸出級輸出高電壓時，高壓電晶體元件則形成高阻抗，以防止升壓電容上的電荷倒灌回升壓控制電路。為了有效地實現以上的功能，所述的高壓電晶體元件通常以一N型之橫向擴散金屬氧化半導體或是NPN型之雙極性接面電晶體來實現，並將通道耦接於升壓電容與充電電壓源之間，而控制端(即閘極)則耦接於一具有升壓功能之電路，以有效地導通其通道。

請參考美國專利號US6,060,948。其代表圖中包括升壓電容C、高壓電晶體元件LD、二極體D1、以及充電電壓源Vs等等。假設二極體D1導通時的順向電壓為Vd1，則當高壓電晶體元件LD導通時，其控制端G的電壓為2*Vs-Vd1，而通道係導通充電電壓源Vs，因此兩者壓差為Vs-Vd1。假設高壓電晶體元件LD之臨界電壓(threshold voltage)為Vth，則其過驅電壓(overdrive voltage)為Vs-Vd1-Vth。設計上應使過驅電壓在耐壓可容許的範圍內愈大愈好，以降低高壓電晶體元件LD之導通阻抗，使能對升壓電容C進行快速充電。

請參考美國專利號US6,075,391。其代表圖中包括升壓電容C、高壓電晶體元件LD、二極體Z1、二極體Z2、以及充電電壓Vs源等等。假設二極體Z1以及Z2導通時的順向電壓分別為Vd1以及Vd2，則當高壓電晶體元件LD導通時，其控制端G的電壓為2*Vs-Vd1，而通道係導通電壓Vs-Vd2，兩者之壓差為Vs-Vd1+Vd2。假設高壓電晶體元件LD之臨界電壓為Vth，則其過驅電壓為Vs-Vd1+Vd2-Vth，若Vd1大約等於Vd2，則過驅電壓約等於Vs-Vth。與US6,060,948一案比較，US6,075,391一案具有較大之過驅電壓，有利於提升高壓電晶體元件LD之充電效率。或者，在欲達到相同效率的前提下，US6,075,391一案的設計有助於縮小集成高壓電晶體元件LD時所需的晶片面積，並進一步節省成本。故可知若能以新的設計來進一步增加高壓電晶體元件導通時的過驅電壓，則有助於高壓電晶體元件的有效利用。

鑒於以上的問題，本發明係提供一種升壓控制電路及其控制方法，能夠對升壓電容進行更快速的充電，也可 以減少升壓控制電路所需的晶片面積。

本發明提出一種升壓控制電路，適用於電壓轉換電路，用以對升壓電容進行充電。升壓控制電路包括充電電壓源、充電二極體、高壓電晶體元件、邏輯控制電路、高壓元件控制電晶體、截止電阻、充電控制電晶體、以及控制電容。

充電電壓源係用以提供對升壓電容進行充電所需之電壓源。充電二極體之正端耦接於充電電壓源。高壓電晶體元件具有控制端，可控制高壓電晶體元件之通道的導通或截止，且高壓電晶體元件之通道耦接於充電二極體之負極與升壓電容之間。邏輯控制電路具有邏輯輸入端、第一邏輯輸出端、以及第二邏輯輸出端。輯輸入端係用以接收充電指示訊號，充電指示訊號係用以決定升壓控制電路是否對升壓電容進行充電。第一邏輯輸出端係用以輸出與邏輯輸入端同相之訊號，第二邏輯輸出端係用以輸出與邏輯輸入端反相之訊號。高壓元件控制電晶體具有控制端，且高壓元件控制電晶體之通道耦接於充電電壓源與高壓電晶體元件之控制端之間。截止電阻耦接於高壓電晶體元件之控制端與高壓元件控制電晶體之控制端之間。充電控制電晶體之通道耦接於高壓元件控制電晶體之控制端與一接地端之間，充電控制電晶體之控制端耦接至第二邏輯輸出端。控制電容耦接於高壓電晶體元件之控制端與第一邏輯輸出端之間。

本發明又提出一種升壓控制方法，適用於電壓轉換電路中之升壓控制電路，用以對升壓電容進行充電。升壓控制方法包括以下步驟：升壓控制電路接收充電指示訊號，係用以指示是否對升壓電容進行充電。

若充電指示訊號指示對升壓電容進行充電，則利用高壓電晶體元件形成升壓電容充電路徑，以充電電壓源對升壓電容進行充電，並回到升壓控制電路接收充電指示訊號 之步驟。

若充電指示訊號指示不對升壓電容進行充電，則利用高壓元件控制電晶體形成控制電容充電路徑，以充電電壓源，對連接於高壓電晶體元件之控制端的控制電容進行充電，並回到升壓控制電路接收充電指示訊號之步驟。

本發明的功效在於，利用一場效電晶體元件，取代先前技術中的二極體元件，對連接於高壓電晶體元件之控制端的控制電容進行充電，使得高壓電晶體元件在操作上，能以更高的過驅電壓導通其通道，以形成充電路徑，因此一方面升壓控制電路能夠對升壓電容進行更快速的充電，另一方面也可以減少高壓電晶體元件的尺寸，有助於縮小集成高壓電晶體元件時所需的晶片面積，並進一步節省成本。

有關本發明的特徵、實作與功效，茲配合圖式作最佳實施例詳細說明如下。

10‧‧‧升壓電容

100、200、300‧‧‧升壓控制電路

110‧‧‧充電電壓源

120‧‧‧充電二極體

130‧‧‧高壓電晶體元件

140‧‧‧充電指示訊號

150‧‧‧邏輯控制電路

151‧‧‧邏輯輸入端

152‧‧‧第一邏輯輸出端

153‧‧‧第二邏輯輸出端

160‧‧‧高壓元件控制電晶體

170‧‧‧截止電阻

180‧‧‧充電控制電晶體

190‧‧‧控制電容

210‧‧‧定電壓元件

310‧‧‧降壓二極體

第1圖為本發明所揭露之第一實施例之升壓控制電路。

第2圖為本發明所揭露之第二實施例之升壓控制電路。

第3圖為本發明所揭露之第三實施例之升壓控制電路。

第4圖為本發明所揭露之升壓控制方法之步驟流程圖。

在說明書及後續的申請專利範圍當中，「耦接」一詞在此係包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接於一第二裝置，則代表第一裝置可直接電氣連接於第二裝置，或透過其他裝置或連接手段間接地電氣連接至第二裝置。另外，「正相訊號」係為一數位邏輯訊號之狀態，或可理解為一般之數位邏輯訊號狀態「1」，而「反相訊號」係為另一數位邏輯訊號之狀態，或可理解為一般之數位邏輯訊號狀態「0」。

第1圖為本發明所揭露之第一實施例之升壓控制電路100， 適用於電壓轉換電路。升壓控制電路100用以對升壓電容10進行充電，升壓控制電路100包括充電電壓源110、充電二極體120、高壓電晶體元件130、邏輯控制電路150、高壓元件控制電晶體160、截止電阻170、充電控制電晶體180、以及控制電容190。

如第1圖所示，充電電壓源110係用以提供對升壓電容10進行充電所需之電壓源。充電二極體120之正端耦接於充電電壓源110，充電二極體120可以是一般的二極體元件或是齊納二極體(zener diode)，但並不以此為限。充電二極體120可用於當高壓電晶體元件130之通道導通，且充電電容10的電壓高於充電電壓源110時，能使充電電容10的電壓隔絕於充電電壓源110以及充電電壓源110所連接之電路，進而發揮保護升壓控制電路100之功能。高壓電晶體元件130具有一控制端，可控制高壓電晶體元件130之通道的導通或截止，且高壓電晶體元件130之通道耦接於充電二極體120之負極與升壓電容10之間。高壓電晶體元件130可以是N型橫向擴散金屬氧化半導體或是NPN型之雙極性接面電晶體，但並不以此為限。

如第1圖所示，邏輯控制電路150具有邏輯輸入端151、第一邏輯輸出端152、以及第二邏輯輸出端153，其中邏輯輸入端151係用以接收充電指示訊號140，充電指示訊號140係用以決定升壓控制電路100是否對升壓電容190進行充電。第一邏輯輸出端152係用以輸出與邏輯輸入端151同相之訊號，第二邏輯輸出端153係用以輸出與邏輯輸入端151反相之訊號。

如第1圖所示，高壓元件控制電晶體160具有一控制端，且高壓元件控制電晶體160之通道耦接於充電電壓源110與高壓電晶體元件130之控制端之間。高壓元件控制電晶體160可以是P型金屬氧化半導體場效電晶體(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)，但並不以此為限。截止電阻170耦接於高壓電晶體元件130之控制端與高壓元件控制電晶體160之控制端之間。充電控制電晶體180之通道耦接於高壓元件控制電晶體160之控制端與一接地端之間，且其控制端耦接至第二邏輯輸出端153。充電控制電晶體180可以是N型金屬氧化半導體場效電晶體，但並不以此為限。控制電容190耦接於高壓電晶體元件130之控制端與第一邏輯輸出端152之間。

舉例說明升壓控制電路100之操作。升壓控制電路100應用於一電壓轉換電路之中，電壓轉換電路包括高壓驅動級以及低壓驅動級(low-side driver，LSD)，係分別提供輸出脈波訊號之高壓成份與低壓成份，而形成一脈波寬度調變(pluse-width modulation，PWM)之輸出訊號。控制電容190係用以提供高壓驅動級所需之高電壓，以驅動輸出級之功率元件。充電指示訊號140係為與低壓驅動級之操作連動之訊號，亦即當低壓驅動級動作時，充電指示訊號140亦發出訊號，指示升壓控制電路100形成一升壓電容充電路徑，並對升壓電容10進行充電，反之則截止所述之升壓電容充電路徑，亦即不對升壓電容10進行充電。

進一步說明，當充電指示訊號140為反相訊號0，以指示升壓控制電路100不對升壓電容10進行充電，第一邏輯輸出端152輸出反相訊號0，第二邏輯輸出端153則輸出正相訊號1，此時充電控制電晶體180之通道導通，高壓元件控制電晶體160之控制端耦接至接地端，亦即為0伏特。由於高壓元件控制電晶體160為P型金屬氧化半導體場效電晶體，因此其通道亦導通，並形成一控制電容充電路徑，以充電電壓源110對控制電容190進行充電。假設充電電壓源110以及正相訊號1之實際電壓皆為VCC，而反相訊號0之實際電壓為0伏特，則控制電容190被充電至VCC。就電壓轉換電路的操作上，此時升壓電容10具有一高於VCC之電壓，而高壓電晶體元件130之控制端，即其閘極之電壓VG為VCC，且其通道應為截止。假若此時產生誤動作，而使高壓電晶體元件130之通道為導通的狀態，則充電二極體120應具有一導通之順向偏壓VZD，則此時高壓電晶體元件130之源極電壓VS為VCC-VZD，若高壓電晶體元件130之臨界電壓為VTH，則若滿足以下不等式，則高壓電晶體元件130不可能導通：VTH>VG-VS=VCC-(VCC-VZD)=VZD (1)

例如VTH為1伏特，VZD為0.7伏特，則滿足上列不等式，亦即高壓電晶體元件130此時無法導通。

另一方面，當充電指示訊號140為正相訊號1，以指示升壓控制電路100對升壓電容10進行充電，第一邏輯輸出端152輸出正相訊號1，第二邏輯輸出端153則輸出反相訊號0。由於控制電容190上之電壓為VCC，且第一邏輯輸出端152之電壓亦為VCC，因此高壓電晶體元件130 之控制端電壓為2*VCC，且其通道導通，形成一升壓電容充電路徑，並以充電電壓源110經過充電二極體120對升壓電容10進行充電。此時由於充電控制電晶體180之通道截止，高壓元件控制電晶體160之控制端即藉由截止電阻170耦合至高壓電晶體元件130之控制端電壓，亦即2*VCC，又其通道之一端係耦接至充電電壓源110，其電壓VCC小於2*VCC，因此高壓元件控制電晶體160之通道為截止，不會造成控制電容190之漏電路徑。亦即此時係藉由截止電阻170以截止高壓元件控制電晶體160之通道。另外，由於高壓電晶體元件130之閘極電壓為2*VCC，而源極電壓VS為充電電壓源110經過一順向偏壓之充電二極體120所形成，亦即VS為VCC-VZD，因此其過驅電壓Vod如下所示：Vod=2*VCC-(VCC-VZD)=VCC+VZD (2)

與前案比較，本發明之設計能夠獲得一較大之過驅電壓，因此可以降低高壓電晶體元件130之通道導通阻抗，因此能夠對升壓電容10進行更快速的充電。換言之，當充電能力與前案相同的情形下，由於本發明之設計能使高壓電晶體元件130具有較大之過驅電壓，因此可以減少高壓電晶體元件130的尺寸，有助於縮小集成高壓電晶體元件130時所需的晶片面積，並進一步節省成本。

第2圖為本發明所揭露之第二實施例之升壓控制電路200。與前一實施例不同者，在於增加了定電壓元件210耦接於充電電壓源110與高壓元件控制電晶體160之通道之間，並使高壓元件控制電晶體160之通道電壓小於充電電壓源110之電壓。第二實施例所揭露之升壓控制電路200在操作上與前一實施例並無不同，在此不另贅述。惟其增加的定電壓元件210，使高壓電晶體元件130在通道於截止以及導通時的特性有所不同，說明如下。

假設定電壓元件210之電壓為Vdrop，則根據前述之實施例，當充電指示訊號140指示升壓控制電路100不對升壓電容10進行充電，而高壓電晶體元件130之通道應為截止時，應滿足下列不等式：VTH>VG-VS=(VCC-Vdrop)-(VCC-VZD)=VZD-Vdrop(3)

可發現第(3)式較第(1)式容易滿足，因此當升壓控制 電路200處於較高雜訊的環境下操作時，可以有更多的餘裕保證高壓電晶體元件130之通道應為截止的狀態，避免高壓電晶體元件130之通道導通的誤動作而造成升壓電容10不必要的漏電。另外，VG-VS之電壓更小，可以使高壓電晶體元件130之通道截止漏電流更小。

另一方面，當充電指示訊號140指示升壓控制電路100對升壓電容10進行充電，而高壓電晶體元件130之通道應為導通時，其過驅電壓Vod如下所示：Vod=(2*VCC-Vdrop)-(VCC-VZD)=VCC+VZD-Vdrop(4)

將第(4)式與第(2)式相比，由於加入了定電壓元件210，使得過驅電壓減少了Vdrop，因此在設計上形成了通道截止程度與通道導通程度之間的取捨情況。

另外，定電壓元件210可以是一般的二極體、齊納二極體、以二極體方式連接的金屬氧化半導體場效電晶體或是雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)等，但並不以此為限。定電壓元件210主要的作用，在於當控制電容充電路徑形成時，於充電電壓源110與高壓元件控制電晶體160之通道之間形成一電壓差，因此在本領域具有通常知識者，皆可根據設計時的成本考量、以及先進技術所引進的改良元件等，並根據本發明所揭露的精神，據以實施定電壓元件210。

第3圖為本發明所揭露之第三實施例之升壓控制電路300，係以一實際之元件，即降壓二極體310來實現第二實施例，其導通時之順向偏壓為VD。升壓控制電路300之操作與功能與升壓控制電路200並無不同，可參考前述之第(3)式以及第(4)式，並以VD取代Vdrop以瞭解其特性。值得注意的是，以上三個實施例係作為舉例說明本發明，並不用以限定本發明所揭露之範圍，在本領域具有通常知識者，皆可根據本發明所揭露的精神，據以實施本發明。

第4圖為本發明所揭露之升壓控制方法之步驟流程圖。升壓控制方法適用於電壓轉換電路中之升壓控制電路，用以對一升壓電容進行充電。升壓控制方法包含以下步驟： 如步驟410所示，升壓控制電路接收充電指示訊號，係用 以指示是否對升壓電容進行充電。

如步驟420所示，若充電指示訊號指示對升壓電容進行充電，則利用高壓電晶體元件形成升壓電容充電路徑，以充電電壓源對升壓電容進行充電，並回到步驟410。

如步驟430所示，若充電指示訊號指示不對升壓電容進行充電，則利用高壓元件控制電晶體形成控制電容充電路徑，以充電電壓源對連接於高壓電晶體元件之控制端的控制電容進行充電，並回到步驟410。

其中步驟420中，更可以包括利用充電二極體與高壓電晶體元件串聯以形成升壓電容充電路徑，用以在充電電容的電壓高於充電電壓源時，能使充電電容的電壓隔絕於充電電壓源以及充電電壓源所連接之電路。

其中步驟420中，更可以包括利用截止電阻耦接於高壓元件控制電晶體之控制端與高壓元件控制電晶體之通道的一端之間，用以截止高壓元件控制電晶體之通道。

其中步驟430中，更可以包括利用定電壓元件與高壓元件控制電晶體串聯以形成控制電容充電路徑，用以更有效地截止高壓電晶體元件。

其中步驟430中，更可以包括利用降壓二極體與高壓元件控制電晶體串聯以形成控制電容充電路徑，用以更有效地截止高壓電晶體元件。

本發明的功效在於，利用一場效電晶體元件，取代先前技術中的二極體元件，對連接於高壓電晶體元件之控制端的控制電容進行充電，使得高壓電晶體元件在操作上，能以更高的過驅電壓導通其通道，以形成充電路徑，因此一方面升壓控制電路能夠對升壓電容進行更快速的充電，另一方面也可以減少高壓電晶體元件的尺寸，有助於縮小集成高壓電晶體元件時所需的晶片面積，並進一步節省成本。

雖然本發明之實施例揭露如上所述，然並非用以限定本發明，任何熟習相關技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，舉凡依本發明申請範圍所述之形狀、構造、特徵及數量當可做些許之變更，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧升壓電容

100‧‧‧升壓控制電路

110‧‧‧充電電壓源

120‧‧‧充電二極體

130‧‧‧高壓電晶體元件

140‧‧‧充電指示訊號

150‧‧‧邏輯控制電路

151‧‧‧邏輯輸入端

152‧‧‧第一邏輯輸出端

153‧‧‧第二邏輯輸出端

160‧‧‧高壓元件控制電晶體

170‧‧‧截止電阻

180‧‧‧充電控制電晶體

190‧‧‧控制電容

Claims (10)

1. 一種升壓控制電路，適用於電壓轉換電路，用以對一升壓電容進行充電，該升壓控制電路包含：一充電電壓源；一充電二極體，其正端耦接於該充電電壓源；一高壓電晶體元件，具有一控制端，可控制該高壓電晶體元件之通道的導通或截止，且該高壓電晶體元件之通道耦接於該充電二極體之負極與該升壓電容之間；一邏輯控制電路，具有一邏輯輸入端、一第一邏輯輸出端、以及一第二邏輯輸出端，其中該邏輯輸入端係用以接收一充電指示訊號，該充電指示訊號係用以決定該升壓控制電路是否對該升壓電容進行充電，該第一邏輯輸出端係用以輸出與該邏輯輸入端同相之訊號，該第二邏輯輸出端係用以輸出與該邏輯輸入端反相之訊號；一高壓元件控制電晶體，具有一控制端，且該高壓元件控制電晶體之通道耦接於該充電電壓源與該高壓電晶體元件之控制端之間；一截止電阻，耦接於該高壓電晶體元件之控制端與該高壓元件控制電晶體之控制端之間；一充電控制電晶體，其通道耦接於該高壓元件控制電晶體之控制端與一接地端之間，其控制端耦接至該第二邏輯輸出端；以及一控制電容，耦接於該高壓電晶體元件之控制端與該第一邏輯輸出端之間。
2. 如請求項第1項所述之升壓控制電路，其中該高壓元件控制電晶體之通道係經由一定電壓元件耦接至該充電電壓源。
3. 如請求項第1項所述之升壓控制電路，其中該高壓元件控制電晶體之通道係經由一降壓二極體耦接至該充電電壓源，且該降壓二極體之陽極耦接至該充電電壓源，該降壓二極體之陰極耦接至該高壓元件控制電晶體之通道。
4. 如請求項第1、2或3項所述之升壓控制電路，其中該高壓電晶體元件係為N型橫向擴散金屬氧化半導體或是NPN型之雙極性接面電晶體，該高壓元件控制電晶體係為P型金屬氧化半導體場效電晶體。
5. 如請求項第1、2或3項所述之升壓控制電路，其中該充電二極體係為齊納二極體。
6. 一種升壓控制方法，適用於電壓轉換電路中之一升壓控制電路，用以對一升壓電容進行充電，該升壓控制方法包含以下步驟：該升壓控制電路接收一充電指示訊號，係用以指示是否對該升壓電容進行充電；若該充電指示訊號指示對該升壓電容進行充電，則利用一高壓電晶體元件形成一升壓電容充電路徑，以一充電電壓源對該升壓電容進行充電，並回到該升壓控制電路接收該充電指示訊號之步驟；以及若該充電指示訊號指示不對該升壓電容進行充電，則利用一高壓元件控制電晶體形成一控制電容充電路徑，以該充 電電壓源對連接於該高壓電晶體元件之控制端的一控制電容進行充電，並回到該升壓控制電路接收該充電指示訊號之步驟。
7. 如請求項第6項所述之升壓控制方法，其中該充電指示訊號指示對該升壓電容進行充電的步驟中，更包含利用一充電二極體與該高壓電晶體元件串聯以形成該升壓電容充電路徑，用以在該充電電容的電壓高於該充電電壓源時，能使該充電電容的電壓隔絕於該充電電壓源以及該充電電壓源所連接之電路。
8. 如請求項第6項所述之升壓控制方法，其中該充電指示訊號指示對該升壓電容進行充電的步驟中，更包含利用一截止電阻，耦接於該高壓元件控制電晶體之控制端與該高壓元件控制電晶體之通道的一端之間，用以截止該高壓元件控制電晶體之通道。
9. 如請求項第6項所述之升壓控制方法，其中該充電指示訊號指示不對該升壓電容進行充電的步驟中，更包含利用一定電壓元件與該高壓元件控制電晶體串聯以形成該控制電容充電路徑，用以更有效地截止該高壓電晶體元件。
10. 如請求項第6項所述之升壓控制方法，其中該充電指示訊號指示不對該升壓電容進行充電的步驟中，更包含利用一降壓二極體與該高壓元件控制電晶體串聯以形成該控制電容充電路徑，用以更有效地截止該高壓電晶體元件。