TW201428044A - 熱傳導性樹脂組成物 - Google Patents

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TW201428044A
TW201428044A TW102135512A TW102135512A TW201428044A TW 201428044 A TW201428044 A TW 201428044A TW 102135512 A TW102135512 A TW 102135512A TW 102135512 A TW102135512 A TW 102135512A TW 201428044 A TW201428044 A TW 201428044A
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Keita Kitazawa
Kunihiro Yamada
Masayuki Ikeno
Eiichi Tabei
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Shinetsu Chemical Co
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Abstract

用以解決本發明的手段為提供一種熱傳導性樹脂組成物,其係含有(A)~(D)而成;(A)係(a)下述一般式(1)所示之1分子中具有2個SiH基之化合物與(b)1分子中具有2個加成反應性碳-碳雙鍵之多環式烴的加成反應生成物,即為1分子中具有2個加成反應性碳-碳雙鍵的加成反應生成物,□(R為1價烴基或烷氧基);(B):係選自由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、碳之同素異形體所成之群中至少1種之無機填充劑、(C):係具有2個以上之SiH基之有機氫聚矽氧烷、(D):鉑或鉑化合物。本發明之效果為本發明之熱傳導性樹脂組成物,除了具有幾乎可在室溫附近抑制半導體封裝之翹曲之硬度或強度,尚有在成為高溫之操作溫度範圍軟化,藉由跟隨翹曲,使抑制翹曲變為可能。

Description

熱傳導性樹脂組成物
本發明係關於可抑制半導體晶片等電子元件翹曲之熱傳導性樹脂組成物。
半導體封裝等之電子元件,廣泛已知有使用中之發熱及由於其造成之性能低落,作為用以解決此之手段已使用各種的放熱技術。作為一般方法,可列舉配置散熱片等冷卻構件於發熱部附近,使兩者密接之後從冷卻構件有效率地進行除熱。此時,發熱構件與冷卻構件之間有隙間時,為了藉由介入熱傳導性不良之空氣使熱傳導效率降低,導致發熱構件之溫度無法充分下降。為了防止如此之現象,作為防止空氣介入的目的,而使用熱傳導率良好、構件表面具有跟隨性之放熱油脂或散熱片(日本專利第2938428號公報、日本專利第2938429號公報、日本專利第3580366號公報、日本專利第3952184號公報、日本專利第4572243號公報、日本專利第4656340號公報、日本專利第4913874號公報、日本專利第4917380號公報、日本專利第4933094號公報、日本特開2012-102283號公 報、日本特開2012-96361號公報:專利文獻1~11)。
另外,半導體封裝因為係由熱膨脹率不同之複數構件所構成,不可避免會由於溫度變化而產生翹曲,尤其是近年來藉由半導體封裝之小型化.薄型化進展,此問題已越來越嚴重。一般於使用放熱油脂或散熱片時,有由於發熱冷卻之熱履歷造成之無法充分追蹤翹曲而使元件與散熱片剝離的情況,又於為了抑制翹曲提高組成物之硬度或強度時,會提高施加在該元件上之應力,最壞的情況是亦導致元件的破損。為了抑制如此之翹曲,在室溫附近除了具有抑制翹曲之硬度或強度之硬化物之外,藉由在高溫域軟化跟隨翹曲如防止剝離或元件之破損般之放熱構件成為必要。雖然過去已提案在室溫為非流動性者,但在高溫域為低黏度化、軟化或熔解之相轉移放熱構件,於高溫域因為已成流動化,並非為指望抑制半導體封裝之翹曲者(日本專利第4054986號公報:專利文獻12)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第2938428號公報
[專利文獻2]日本專利第2938429號公報
[專利文獻3]日本專利第3580366號公報
[專利文獻4]日本專利第3952184號公報
[專利文獻5]日本專利第4572243號公報
[專利文獻6]日本專利第4656340號公報
[專利文獻7]日本專利第4913874號公報
[專利文獻8]日本專利第4917380號公報
[專利文獻9]日本專利第4933094號公報
[專利文獻10]日本特開2012-102283號公報
[專利文獻11]日本特開2012-96361號公報
[專利文獻12]日本專利第4054986號公報
本發明係用以解決上述問題者,其目的係提供一種在室溫附近硬化物之硬度高,例如除了藉由具有90以上之邵爾A(Shore A)硬度來抑制翹曲之外,在成為高溫之操作溫度範圍軟化,藉由跟隨翹曲,成為可抑制半導體封裝之翹曲之熱傳導性樹脂組成物。
本發明者們,為了達成上述目的而進行積極研究後之結果,發現下述(A)~(D)成分,並依據需要於其加上含有(E)、(F)成分之熱傳導性樹脂組成物,在室溫附近硬化物之硬度高,例如可得到具有90以上之邵爾A硬度者,除了藉由此抑制翹曲外,在成為高溫之操作溫度範圍軟化,藉由跟隨翹曲,成為可抑制半導體封裝之翹曲,而完成本發明。
據此,本發明為提供一種熱傳導性樹脂組成 物,其特徵為包含(A)~(D)而成;(A)(a)下述一般式(1)所示之1分子中具有2個鍵結於矽原子的氫原子之化合物與(b)1分子中具有2個加成反應性碳-碳雙鍵之多環式烴的加成反應生成物,且該加成反應生成物為1分子中具有2個加成反應性碳-碳雙鍵者:100質量份、 (式中,R獨立為以非經取代或鹵素原子、氰基或環氧丙氧基(Glycidoxy)所取代之碳數1~12之1價烴基或碳數1~6之烷氧基);(B)選自由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、碳之同素異形體所成之群中至少1種之無機填充劑:100~2,000質量份、(C)1分子中具有2個以上鍵結於矽原子的氫原子之有機氫聚矽氧烷:(鍵結於矽原子的氫原子個數之合計)/((A)成分中之加成反應性碳-碳雙鍵之個數之合計)成為0.5~3.0的量、(D)選自由鉑及鉑化合物所成之群中之觸媒:相對於(A)成分100質量份作為鉑原子成為0.1~500ppm的量;進一步有需要,含有(E)下述一般式(4)所示之有機矽烷及/或其(部分) 水解縮合物而成:相對於(A)成分100質量份為0~10質量份,尤其是0.01~10質量份,及/或R1 aSi(OR2)4-a (4)(式中,R1獨立為碳數1~20之非經取代或鹵素取代1價烴基,R2獨立為氫原子或碳數1~6之烷基,a為1~3之整數)。
(F)選自由乙炔化合物、氮化合物、有機磷化合物、肟化合物及有機氯化合物所成之群中之控制劑而成:相對於(A)成分100質量份為0~0.5質量份,尤其是0.05~0.5質量份。
此時,上述組成物之硬化物較佳係於25℃以上之溫度範圍具有軟化點,且於室溫之邵爾A硬度為90以上。
又,本發明係提供一種熱傳導性樹脂組成物,其特徵為包含將有機樹脂與無機填充劑作為主成分,硬化後之組成物於25℃以上之溫度範圍具有軟化點,且於室溫之邵爾A硬度為90以上。
本發明之熱傳導性樹脂組成物,除了具有幾乎可在室溫附近抑制半導體封裝之翹曲之硬度或強度,尚有在成為高溫之操作溫度範圍軟化,藉由跟隨翹曲,使抑制翹曲變為可能。
本發明之熱傳導性樹脂組成物,係含有將上述之(A)~(D)成分作為必須成分,如有必要進一步含有(E)、(F)成分。
(A)成分
本發明之(A)成分係(a)下述一般式(1)所示之1分子中具有2個鍵結於矽原子的氫原子之化合物與 (式中,R獨立為以非經取代或鹵素原子、氰基或環氧丙氧基所取代之碳數1~12之1價烴基或碳數1~6之烷氧基),(b)1分子中具有2個加成反應性碳-碳雙鍵之多環式烴的加成反應生成物,亦即1分子中具有2個加成反應性碳-碳雙鍵的加成反應生成物。
(a)成分
係(A)成分之反應原料,(a)作為1分子中具有2個鍵結於矽原子的氫原子之化合物,可列舉下述一般式(1)所 示之化合物。
式中之R獨立為非經取代或以鹵素原子、氰基或環氧丙氧基所取代之碳數1~12之1價烴基或碳數1~6之烷氧基。作為上述一般式(1)中之R,較佳係不具有烯基及烯基芳基等之脂肪族不飽和鍵結者,尤其是以其全部為甲基者為佳。
作為上述一般式(1)所示之化合物,例如可列舉1,4-雙(二甲基矽烷基)苯、1,3-雙(二甲基矽烷基)苯等之矽亞苯基(Silphenylene)化合物。尚且,上述一般式(1)所示之化合物,可單獨1種或組合2種以上使用。
(b)成分
在係(A)成分之反應原料之(b)1分子中具有2個加成反應性碳-碳雙鍵之多環式烴,前述所謂「加成反應性」,係意味著可藉由與鍵結於矽原子的氫原子進行周知之氫化矽烷化反應進行加成反應之性質。又,該(b)成分係(i)形成多環式烴之骨架之碳原子之中,形成加成反應性碳-碳雙鍵於相鄰之2個碳原子間者、(ii)鍵結於形成多環式烴骨架之碳原子之氫原子,係藉由含有加成反應性碳-碳雙鍵之基所取代者、或(iii)形成多環式烴骨架之碳原子 當中,形成加成反應性碳-碳雙鍵於相鄰之2個碳原子間,且鍵結於形成多環式烴骨架之碳原子之氫原子,係藉由含有加成反應性碳-碳雙鍵之基所取代者,三者之任一者皆沒有問題。
作為此(b)成分,例如可列舉下述構造式(x)所示之5-乙烯基雙環[2.2.1]庚-2-烯、
下述構造式(y)所示之6-乙烯基雙環[2.2.1]庚-2-烯,
前述兩者之組合(以下,不需要區別此等3者時,有時總稱為「乙烯基原冰片烯」)。尚且,前述乙烯基原冰片烯之乙烯基的取代位置,可為順式配置(外形Exo)或反式配置(內形End)之任一者,又,藉由前述配置之不同,因為在該成分之反應性等無特殊的差異,即使是前述兩配置之同分異構物的組合也沒問題。
(A)成分之調製
本發明組成物之(A)成分,係藉由使相對於1分子中 具有2個鍵結於矽原子的氫原子之上述(a)成分為1莫耳,1分子中具有2個加成反應性碳-碳雙鍵之上述(b)成分為超過1莫耳且為10莫耳以下,較佳為超過1莫耳且為5莫耳以下之過剩量,於氫化矽烷化反應觸媒存在下進行加成反應,可得到作為不具有鍵結於矽原子的氫原子之加成反應生成物。作為前述氫化矽烷化反應觸媒,全部皆可使用自以往所公知者。例如可列舉載持鉑金屬之碳粉末、鉑黑、氯化第2鉑、氯化鉑酸、氯化鉑酸與1價醇之反應生成物、氯化鉑酸與烯烴類之錯合物、鉑雙乙醯乙酸酯等之鉑系觸媒;鈀系觸媒、銠系觸媒等之鉑族金屬系觸媒。又,對於加成反應條件、溶劑之使用等,並未特別限制與通常相同即可。如前述,於(A)成分之調製,因為使用相對於上述(a)成分之過剩莫耳量之上述(b)成分,該(A)成分係來自上述(b)成分構造之1分子中具有2個加成反應性碳-碳雙鍵者。進而,來自上述(a)成分之殘基可為包含藉由不具有來自上述(b)成分構造之加成反應性碳-碳雙鍵之多環式烴的2價殘基,而鍵結之構造者。
亦即,作為(A)成分,例如可列舉下述一般式(2)所示之化合物,Y-X-(Y’-X)p-Y (2)(式中,X為上述(a)成分之化合物的2價殘基,Y為上述(b)成分之多環式烴的1價殘基,Y’為上述(b)成分的2價 殘基,p為0~10,較佳為0~5之整數)。
尚且,對於係上述(Y’-X)所示之重複單位的數之p的值,可藉由調整為相對於上述(a)成分1莫耳使其反應之上述(b)成分的過剩莫耳量來進行設定。
作為上述一般式(2)中之Y,具體而言,例如可列舉下述構造式所示之1價殘基 (以下,不需要區別前述6者時,此等總稱為「NB基」,又,需要區別前述6者之構造有時簡稱為「NB」)。尚且,在上述式中,虛線表示鍵結。
作為上述一般式(2)中之Y’,具體而言,例如可列舉下述構造式所示之2價殘基。
式中,虛線表示鍵結。
惟,上述構造式所示之非對稱之2價殘基,其左右方向並非如上述記載被限定者,上述構造式實質上 顯示亦包含將每個上述構造以紙面上使其回轉180度之構造。
雖將上述一般式(2)所示之(A)成分適合之具體例表示於以下,但並非被限定於此者(尚且,「NB」之意義與上述相同)。
NB-Me2Si-p-C6H4-SiMe2-NB
NB-Me2Si-m-C6H4-SiMe2-NB (式中,Me表示甲基)。
(式中,p’為1~10之整數)。
進而,本發明之(A)成分可單獨1種或組合2種以上使用。
(B)成分
本發明之(B)成分之無機填充劑,係為了賦予熱傳導性給本發明之組成物者,較佳係由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、碳之同素異形體所成之群中選出至少1種之材料所構成者,例如可列舉鋁、銀、銅、金屬矽、氧化鋁、氧化鋅、氧化鎂、二氧化矽、氫氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化矽、鑽石、石墨、奈米碳管等,特別 是以併用鋁粉末與氧化鋅粉末者為佳。
此時,鋁粉末之平均粒徑,因為比0.1μm更小時所得到之組成物的黏度變得過高,恐有成為缺乏伸展性者之虞,大於100μm時所得到之組成物恐有成為不均勻之虞,為0.1~100μm之範圍,較佳為1~40μm之範圍即可。氧化鋅粉末之平均粒徑,因為比0.1μm更小時所得到之組成物的黏度變得過高,恐有成為缺乏伸展性者之虞,大於10μm時所得到之組成物恐有成為不均勻之虞,為0.1~10μm之範圍,較佳為1~4μm之範圍即可。尚且,平均粒徑,例如可藉由雷射光繞射法之粒度分布測定中之質量平均值(或中值徑)求得。
又,鋁粉末、氧化鋅粉末之形狀可為球狀、不定形狀之任一者。
此等礦物之熱傳導率,鋁粉末、氧化鋅粉末分別約為237W/m.K、約20W/m.K,雖鋁粉末單獨者有利於為了得到高熱傳導率,但鋁粉末單獨時,所得到之組成物的安定性惡化,變成容易引起油分離等。
各種檢討之結果,發現藉由與氧化鋅粉末混合可防止油分離。其比例,以質量比(鋁粉末)/(氧化鋅粉末)小於1時,成為所得到之組成物的熱傳導率缺乏者,大於10時,因為隨時間之油分離變為激烈,以1~10之範圍,較佳以2~8之範圍為宜。
此等(B)成分之摻合量,尤其是鋁粉末與氧化鋅粉末之混合物的摻合量,因為相對於(A)成分100質量 份,多於2,000質量份時成為缺乏伸展性者,少於100質量份時成為熱傳導性缺乏者,以100~2,000質量份之範圍,較佳以500~1,200質量份之範圍為宜。
(C)成分
本發明之(C)成分之有機氫聚矽氧烷,例如可使用下述平均組成式(3)所示者。
R3 bHcSiO(4-b-c)/2 (3) (式中,R3為碳數1~12,較佳為1~10之非經取代或取代之1價烴基;又,b為0.7~2.1,較佳為0.8~2.05,c為0.001~1.0,較佳為0.005~1.0,且b+c為滿足0.8~3.0,較佳為滿足1.0~2.5之正數)。
具有鍵結於(C)成分之矽原子的氫原子之有機氫聚矽氧烷,為了藉由交聯網狀化組成物,1分子中具有2個以上鍵結於矽原子的氫原子為必要,較佳為具有3個以上鍵結於矽原子的氫原子。作為鍵結於矽原子之殘餘有機基R3,可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、己基、十二基等之烷基、苯基等之芳基、2-苯基乙基、2-苯基丙基等之芳烷基、氯甲基、3,3,3-三氟丙基等之鹵素取代等之取代烴基、以及2-環氧丙氧基乙基、3-環氧丙氧基丙基、4-環氧丙氧基丁基等含有環氧環之有機基(縮水甘油基或縮水甘油氧基取代烷基)亦可作為例。尤其是甲基與苯基, 因為容易在工業進行製造,容易取得故為佳。又,從與(A)成分之相溶性觀點來看,以R3當中至少一個為苯基為佳。具有鍵結於該矽原子的氫原子之有機氫聚矽氧烷,可為直鏈狀、分支狀及環狀之任一者,又可為此等之混合物。
(C)成分之摻合量(鍵結於矽原子的氫原子個數之合計)/((A)成分中之加成反應性碳-碳雙鍵個數的合計)小於0.5時無法得到具有充分硬度之組成物,大於3.0時因為鍵結於未反應之矽原子之氫原子會引起剩餘之交聯反應等而導致信賴性降低,故以0.5~3.0為佳,較佳為1.0~2.0之範圍。
(D)成分
選擇自由本發明之(D)成分之鉑及鉑化合物所成之群之觸媒,係(A)成分中之加成反應性碳-碳雙鍵與鍵結於(C)成分之矽原子的氫原子之間的加成反應之促進成分。此(D)成分,例如可列舉鉑之單質、氯化鉑酸、鉑-烯烴錯合物、鉑-醇錯合物、鉑配位化合物等。
(D)成分之摻合量,相對於(A)成分作為鉑原子即使少於0.1ppm亦無作為觸媒的效果,即使超過500ppm亦無增大效果,因為不經濟故為0.1~500ppm之範圍。尚且,為了使此等對組成物之分散性良好,可使用聚矽氧烷或甲苯等進行稀釋再使用。
(E)成分
本發明之(E)成分,係下述一般式(4)所示之有機矽烷及/或其(部分)水解縮合物(部分水解縮合物、水解縮合物)。
R1 aSi(OR2)4-a (4)(式中,R1獨立為碳數1~20,較佳為1~10之非經取代或鹵素取代1價烴基,R2獨立為氫原子或碳數1~6,較佳為1~3之烷基,a為1~3之整數)。
(E)成分,雖係為了處理(B)成分之熱傳導性無機填充劑的表面而使用者,但並非光只是輔助填充劑之高填充化,並藉由被覆填充劑表面使難以引發填充劑彼此的凝集,因為即使在高溫下該效果依然持續,有提高本熱傳導性樹脂組成物之耐熱性的功用。
上述一般式(4)中,作為R1,雖可列舉烷基、環烷基、烯基等,作為其具體例,例如可列舉甲基、乙基、丙基、己基、辛基、癸基、十二基、十四基、十六基、十八基等之烷基、環戊基、環己基等之環烷基、乙烯基、烯丙基等之烯基、苯基、甲苯基等之芳基、2-苯基乙基、2-甲基-2-苯基乙基等之芳烷基、3,3,3-三氟丙基、2-(全氟丁基)乙基、2-(全氟辛基)乙基、p-氯苯基等之鹵素化烴基。a雖為1、2或3,尤其是以1為佳。作為R2,可列舉氫原子或碳數1~6之烷基。
摻合一般式(4)之有機矽烷及/或其(部分)水解縮合物時之添加量,熱傳導性樹脂組成物中,因為有過多時不是容易滲油,就是導致孔隙發生的情況,故相對於(A)成分100質量份以0.01~10質量份之範圍為佳。
(F)成分
本發明之(F)成分之控制劑,抑制於室溫之氫化矽烷化反應的進行,係使儲存壽命、使用期限延長者。作為反應控制劑可使用公知者,可利用乙炔化合物、各種氮化合物、有機磷化合物、肟化合物、有機氯化合物等。
摻合(F)成分時之摻合量,相對於(A)成分100質量份少於0.05質量份時,有時無法得到充分之儲存壽命、使用期限,多於0.5質量份時因為有硬化性降低的情況,故以0.05~0.5質量份之範圍為佳。為了此等對組成物之分散性變為良好,可使用甲苯等進行稀釋再使用。
其他成分
於本發明,於上述之(A)~(F)成分以外如有必要,亦可加入對組成物賦予接著性之接著助劑或用以防止劣化之抗氧化劑等。
於製造本發明之熱傳導性樹脂組成物,可採用將(A)~(D)成分、及如有必要之(E)、(F)成分、其他成分在Tri-Mix、Twin Mix、行星攪拌機(皆為井上製作所(股)製混合機之註冊商標)、超高攪拌機(瑞穗工業(股)製 混合機之註冊商標)、High Vis Disper mix(特殊機化工業(股)製混合機之註冊商標)等之混合機進行混合之方法。
本發明之熱傳導性樹脂組成物,因為黏度過低或過高時使作業性惡化,其黏度以10~1,000Pa.s為佳。又,在本發明,黏度係藉由馬肯黏度計測定之25℃的值(於轉子A10rpm、剪切速度6[1/s])。
本發明之熱傳導性樹脂組成物可適合用在為了放熱而介入半導體封裝等之電子元件、其他發熱構件與冷卻構件之間而將發熱構件的熱,傳熱至冷卻構件,可使用與以往使用熱傳導性樹脂組成物相同之方法。
本發明之熱傳導性樹脂組成物的硬化條件,係於150~200℃下加熱1小時以上之條件,尤其是以於150℃下加熱1~3小時之條件為佳。
此時,所得到之硬化物在室溫附近,從除了抑制半導體封裝之翹曲外,在成為高溫之操作溫度範圍軟化跟隨翹曲這點來看,於室溫(23℃)之邵爾A硬度為90以上,又以在25℃以上,尤其是25~40℃,更佳為30~40℃之溫度範圍具有軟化點為佳。尚且,軟化點之測定,於本發明係具體使用METTLER TOLEDO製TMA/SDTA841e測定。
於上述之室溫的邵爾A硬度為90以上,於25℃以上之溫度範圍具有軟化點之性狀,不限於包含上述(A)~(D)成分之樹脂組成物,即使為將有機樹脂與無機填充劑作為主成分於合計含有90質量%以上之熱傳導性樹脂組成物,其硬化物若具有上述性狀,即可抑制半導體封裝之翹 曲。
[實施例]
以下,雖表示合成例、實施例及比較例,具體說明本發明,但本發明並非被限定於下述之實施例者。尚且,關係本發明效果之試驗用以下之方式進行。
[黏度]
油脂組成物之絶對黏度使用馬肯黏度計(型PC-1T)於25℃下測定。
[熱傳導率]
將各組成物以廚房保鮮膜包裹,以京都電子工業(股)製TPA-501測定。
[硬度]
將組成物於150℃下60分鐘使其硬化,以(股)島津製作所製Durometer型A硬度計測定。
[軟化溫度]
將組成物於150℃下60分鐘使其硬化,以METTLER TOLEDO製TMA/SDTA841e測定。
[翹曲試驗]
將各組成物挾在矽晶圓(1mm×1mm)與鎳板上,藉由1.8kgf之夾子一邊進行加壓一邊於150℃下加熱60分鐘.使其硬化製作試驗片。將此曝露於室溫或260℃環境下之後,測定試驗片之翹曲。
首先,調製本發明組成物準備以下之各成分。
(A)成分 [合成例1](A)成分之調製
於具備攪拌裝置、冷卻管、滴液漏斗及溫度計之5L4口燒瓶,加入乙烯基原冰片烯(商品名:V0062、東京化成工業(股)製;與5-乙烯基雙環[2.2.1]庚-2-烯與6-乙烯基雙環[2.2.1]庚-2-烯幾乎等莫耳量之同分異構物混合物)1,785g(14.88莫耳)及甲苯455g,使用油浴於85℃下加熱。添加載持5質量%鉑金屬之碳粉末3.6g於此,一邊攪拌一邊花180分鐘滴下1,4-雙(二甲基矽烷基)苯1,698g(8.75莫耳)。滴下終了後,進一步於110℃下進行24小時加熱攪拌後,冷卻至室溫。然後,過濾載持鉑金屬之碳並去除,減壓餾除甲苯及過剩之乙烯基原冰片烯,得到無色透明油狀之反應生成物(在25℃之黏度:12,820mPa.s)3,362g。將反應生成物藉由FT-IR、NMR、GPC等分析之結果,判定此係A-1之混合物:
(1)具有2個p-伸苯基之化合物:約41莫耳%(下述表示代表性構造式之一例)、
(2)具有3個p-伸苯基之化合物:約32莫耳%、及
(3)有4個上p-伸苯基之化合物:約27莫耳%之混合物。又,作為前述混合物整體之加成反應性碳-碳雙鍵的含有比例為0.36莫耳/100g。
A-2:兩末端被二甲基乙烯基矽烷基封鎖,在25℃之動黏度為600mm2/s之二甲基聚矽氧烷
A-3:兩末端被二甲基乙烯基矽烷基封鎖,在25℃之動黏度為30,000mm2/s之二甲基聚矽氧烷
(B)成分
B-1:平均粒徑20.0μm之鋁粉末(熱傳導率:237W/m.K)
B-2:平均粒徑2.0μm之鋁粉末(熱傳導率:237W/m.K)
B-3:平均粒徑1.0μm之氧化鋅粉末(熱傳導率: 25W/m.K)
(C)成分
C-1:
(D)成分
D-1:鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之A-2溶液(作為鉑原子之100質量ppm)
(E)成分
E-1:C10H21Si(OCH3)3
(F)成分
F-1:1-乙炔基-1-環己醇
[實施例1~6、比較例1~5]
將(A)~(F)成分用以下之方式混合而得到實施例1~6及比較例1~5之組成物。
亦即,以表1、2所示之摻合量加入(A)、(B)、(E)成分於5升行星攪拌機(井上製作所(股)製),於室溫下混合1小時。其次加入(C)、(D)、(F)成分,混合至成為均勻。將所得到組成物之黏度、熱傳導率、硬度、軟化溫度之測定結果及翹曲試驗之結果併記於表1、2。
H/Vi=((C)成分中鍵結於矽原子的氫原子個數之合計)/((A)成分中之加成反應性碳-碳雙鍵個數的合計)
H/Vi=((C)成分中鍵結於矽原子的氫原子個數之合計)/((A)成分中之加成反應性碳-碳雙鍵個數的合計)

Claims (6)

  1. 一種熱傳導性樹脂組成物,其特徵為包含(A)~(D)而成;(A)(a)下述一般式(1)所示的1分子中具有2個鍵結於矽原子的氫原子之化合物、與(b)1分子中具有2個加成反應性碳-碳雙鍵之多環式烴的加成反應生成物,且該加成反應生成物為1分子中具有2個加成反應性碳-碳雙鍵者:100質量份, (式中,R獨立為以非經取代或鹵素原子、氰基或環氧丙氧基所取代之碳數1~12之一價烴基或碳數1~6之烷氧基)、(B)選自由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、碳之同素異形體所成之群中至少1種之無機填充劑:100~2,000質量份、(C)1分子中具有2個以上鍵結於矽原子的氫原子之有機氫聚矽氧烷:(鍵結於矽原子的氫原子個數之合計)/((A)成分中之加成反應性碳-碳雙鍵之個數之合計)成為0.5~3.0的量、(D)選自由鉑及鉑化合物所成之群中之觸媒:相對於(A)成分100質量份,使作為鉑原子成為0.1~500ppm的 量。
  2. 如請求項1之熱傳導性樹脂組成物,其中,前述(B)成分係以質量比(鋁粉末)/(氧化鋅粉末)=1~10之比例併用平均粒徑0.1~100μm之鋁粉末與平均粒徑0.1~10μm之氧化鋅粉末而成之無機填充劑。
  3. 如請求項1或2之熱傳導性樹脂組成物,其係進一步含有(E)下述一般式(4)所示之有機矽烷及/或其(部分)水解縮合物而成:相對於(A)成分100質量份為0.01~10質量份,R1 aSi(OR2)4-a (4)(式中,R1獨立為碳數1~20之非經取代或鹵素取代1價烴基,R2獨立為氫原子或碳數1~6之烷基,a為1~3之整數)。
  4. 如請求項1或2之熱傳導性樹脂組成物,其係進一步含有(F)選自由乙炔化合物、氮化合物、有機磷化合物、肟化合物及有機氯化合物所成之群中之控制劑而成:相對於(A)成分100質量份為0.05~0.5質量份。
  5. 如請求項1或2之熱傳導性樹脂組成物,其中,硬化物係於25℃以上之溫度範圍具有軟化點,且於室溫之邵爾A(Shore A)硬度為90以上。
  6. 一種熱傳導性樹脂組成物,其特徵為作為主成分包含有機樹脂與無機填充劑,硬化後之組成物於25℃以 上之溫度範圍具有軟化點,且於室溫之邵爾A硬度為90以上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6314710B2 (ja) * 2014-07-10 2018-04-25 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
US10590322B2 (en) 2015-06-30 2020-03-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat dissipation material
JP7043165B2 (ja) * 2016-09-16 2022-03-29 旭化成株式会社 硬化性組成物
JP2018044125A (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 旭化成株式会社 硬化性組成物
JP6908546B2 (ja) * 2018-03-05 2021-07-28 信越化学工業株式会社 光反射材料用硬化性シリコーン組成物、シリコーン樹脂硬化物、リフレクター、及びled装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3580358B2 (ja) * 2000-06-23 2004-10-20 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
JP4839001B2 (ja) * 2005-02-04 2011-12-14 パイオニア株式会社 光検出半導体装置
JP6014299B2 (ja) * 2008-09-01 2016-10-25 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
JP5404103B2 (ja) * 2009-03-05 2014-01-29 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン組成物、シリコーン樹脂硬化物および光反射材料
JP2012046604A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 多環式炭化水素骨格含有成分を含む硬化性シリコーン系組成物

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