JP4839001B2 - 光検出半導体装置 - Google Patents
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Description
ところで、短波長青色レーザ光を受光する光検出半導体装置では、CD、DVDで用いられてきたレーザ光よりもエネルギーの強い短波長青色レーザ光が照射されることにより、光検出半導体装置を封止する透明樹脂が変形、変色を起こして受光感度劣化を引き起こすという問題が発生していた。
前記封止部が有機変性型のシリコーン樹脂で形成されていることを特徴とする。
(A)(a)ケイ素原子に結合した水素原子(以下、「SiH」という)を1分子中に2個有する化合物と、(b)付加反応性炭素−炭素二重結合(いわゆるC=C結合)を1分子中に2個有する多環式炭化水素との付加反応生成物であって、かつ、付加反応性炭素−炭素二重結合を1分子中に2個有する付加反応生成物、
(B)SiHを1分子中に3個以上有する化合物、および
(C)ヒドロシリル化反応触媒
を含む硬化性組成物である。
[(A)成分]
(A)成分は、(a)成分例えばシロキサン系化合物と(b)成分との付加反応生成物であり、かつ、付加反応性炭素−炭素二重結合を1分子中に2個有する付加反応生成物である。
[(B)成分]
(B)成分は、SiHを1分子中に3個以上有する化合物である。該(B)成分中のSiHが、上記(A)成分の1分子中に2個有する付加反応性炭素−炭素二重結合とヒドロシリル化反応により付加し架橋して、3次元網状構造の硬化物膜を与える。
また、該(B)成分として、SiHを1分子中に3個以上有するポリメチルフェニルシロキサンを使用することができる。好適な具体例例えば鎖状シロキサン系化合物を以下に示すが、これに限定されるものではない。なお、以下、「Ph」はフェニル基を意味する。
Me3SiO(Ph2SiO)1(MeHSiO)3SiMe3
Me3SiO(Ph2SiO)2(MeHSiO)3SiMe3
Me3SiO(Ph2SiO)3(MeHSiO)3SiMe3
HMe2SiO(Ph2SiO)1(MeHSiO)1SiMe2H
HMe2SiO(Ph2SiO)2(MeHSiO)2SiMe2H
HMe2SiO(Ph2SiO)3(MeHSiO)3SiMe2H
更に、本実施形態における(B)成分は、1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
[(C)成分]
(C)成分であるヒドロシリル化反応触媒は、従来から公知のものが全て使用することができる。例えば、白金金属を担持したカーボン粉末、白金黒、塩化第2白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応生成物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒;パラジウム系触媒、ロジウム系触媒等の白金族金属系触媒が挙げられる。
[その他の成分]
封止材には、上記(A)〜(C)成分に加えて、本発明の目的、効果を損なわない範囲で他の成分を配合することは任意であり、必要に応じて酸化防止剤、光安定剤を配合することにより前記着色を未然に防止することができる。また、ポットライフを確保するために、1−エチニルシクロヘキサノール、3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール等の付加反応制御剤を配合することができる。また、基材との接着性を向上させるためにシランカップリング剤を配合してもよい。
[実施例1]
(A)成分:
(化2)で表される有機ケイ素化合物(付加反応性炭素−炭素二重結合の含有割合は、0.40モル/100g):52質量部、
(B)成分:
(B1)(化7)で表される化合物(SiHの含有割合は、0.63モル/100g):10質量部、
(B2)(化12)で表されるポリメチルフェニルシロキサン(SiHの含有割合は、0.62モル/100g):30質量部
(B3)1−(2−トリメトキシシリルエチル)−3−(3−グリシドキシプロピル)−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン(SiHの含有割合は、0.40モル/100g):8質量部
([(A)成分中のケイ素原子結合水素原子]/[(B1〜3)成分中の付加反応性炭素−炭素二重結合](モル比)=1.35)
(C)成分:
白金−ビニルシロキサン錯体:白金金属原子として、(A)成分と(B)成分との合計量に対して質量基準で20ppm、
(その他の成分1):
ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート:(A)成分と(B)成分との合計に対して質量基準で500ppm、
(その他の成分2):
1−エチニルシクロヘキサノール:0.03質量部
[比較例1]
日本ペルノックス(株)エポキシ樹脂『ME−540』(市販の型番)
[比較例2]
信越化学工業(株)フェニルレジン系シリコーン樹脂『4623−6』(開発型番)
[評価]
実施例1、比較例1及び比較例2における封止した光検出半導体装置について、透過率、受光感度の低下率及び温度サイクルの試験測定を行い、評価した。波長405nmレーザ光を封止部へ照射してその光透過率を分光光度計で測定した。初期受光感度と所定時間レーザ光を封止部へ照射した後の受光感度とを測定し比較した。温度サイクル試験では封止部の経時外観を目視により観察した。測定結果を表1に示す。
実施例1:波長405nmで4mWのレーザ光を、照射前に対し20時間照射後の低下率
比較例1:波長405nmで1mWのレーザ光を、照射前に対し15時間照射後の低下率
比較例2:波長405nmで4mWのレーザ光を、照射前に対し70時間照射後の低下率
**温度サイクル試験
常温から−40℃に温度低下させ30分放置後、常温に戻し15分放置し、その後さらに85℃まで昇温させ30分放置後、再び常温に戻し、15分間戻した。これを1サイクルとした。
2 配線パターン
3 集積回路素子
4 チップ部品
5 ボンディングパッド
10 透明樹脂層
11 接続端子
16 プリント配線基板
21 部品実装基板
31 光検出半導体装置
Claims (3)
- 受光面を有する受光素子を含む集積回路素子と、前記集積回路素子を封止する封止部とを有し、前記封止部が有機変性型のシリコーン樹脂で形成されている光検出半導体装置であって、
前記有機変性型のシリコーン樹脂は、
(A)下記構造式
(式中、Meはメチル基であり、pは0〜10の整数である)で表される有機ケイ素化合物、
(B)下記構造式
(式中、Meはメチル基であり、mは0〜10の整数である)で表されるシクロシロキサン系化合物、および、
HMe 2 SiO(Ph 2 SiO) 2 (MeHSiO) 2 SiMe 2 H
(式中、Meはメチル基であり、Phはフェニル基である)で表されるポリメチルフェニルシロキサン、および、
1−(2−トリメトキシシリルエチル)−3−(3−グリシドキシプロピル)−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、並びに、
(C)白金−ビニルシロキサン錯体のヒドロシリル化反応触媒
を含むことを特徴とする光検出半導体装置。 - 前記受光素子は、波長500nm以下の光に対して初期の受光感度に対して5%以下の低下率を有することを特徴とする請求項1記載の光検出半導体装置。
- 前記(A)成分中の前記炭素−炭素二重結合の1モルに対して、前記(B)成分中のケイ素原子に結合した水素原子の量が0.5〜2.0モルであることを特徴とする請求項1又は2に記載の光検出半導体装置。
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