TW201421993A - 影像感測裝置 - Google Patents

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Abstract

所提供的是一種影像感測裝置。此影像感測裝置包含：一光學濾片，其包含一雙通帶濾光片及一紅外光穿透濾光片。一RGB畫素陣列置於此雙通帶濾光片下方，且一時差測距陣列置於此雙通帶濾光片及此紅外光穿透濾光片下方。其中，此雙通帶濾光片及此紅外光穿透濾光片之組合僅容許位於紅外光區之入射光穿透至此時差測距畫素陣列。

Description

影像感測裝置
本揭露通常係關於光電裝置，且特別是有關於影像感測裝置。
彩色影像感測器為多種光電裝置中的必需元件。彩色影像感測器為一種光電轉換裝置，其可將感測到的光轉變為電子訊號。傳統影像感測器可包含複數個單位畫素以陣列方式設置於基材上，每一單位畫素可包含一個感光二極體及/或複數個電晶體。感光二極體可偵測來自外部的光及/或可產生及儲存電荷，且電晶體可依據儲存的電荷輸出電子訊號。目前，最常使用的影像感測器為互補式金氧半導體(CMOS)影像感測器。CMOS影像感測器可包含接收及/或儲存光學訊號之感光二極體，並可通過訊號處理實現影像。藉由CMOS製造技術，可將感光二極體與訊號處理晶片整合至單一晶片中。
時差測距相機(time of flight camera)為一種感測距離之相機系統，其可基於已知的光速及測定相機至各影像的位置往返一趟的時間而測得距離。藉由整合影像感測器及時差測距相機，即可感測彩色影像的深度，並因此可實現三維影像感測裝置。
通常，時差測距相機亦可包含感光二極體以感測 來自外部的光，且時差測距相機中的感光二極體的吸光波長範圍可與彩色影像感測器中的感光二極體具有不同的吸光波長範圍。因此，當時差測距相機及彩色影像感測器整合在一起時，需要合適的光學濾片來將時差測距相機及彩色影像感測器各自不想要的波長範圍過濾掉。例如，在理想情況下，應僅有可見光可到達彩色影像感測器之彩色畫素(以下簡稱為RGB畫素)，及僅有紅外光可到達時差測距相機之時差測距畫素，以使干涉及雜訊減至最小。然而，目前並無合適的光學濾片可滿足上述需求。光學濾片通常是由沉積技術形成以作量產，但彩色影像感測器及時差測距相機的單位畫素不但尺寸小，且數量龐大並彼此交錯設置。因此，沒有合適的材料或方法可量產可僅容許可見光範圍的光穿透至彩色影像感測器各單位畫素及可僅容許紅外光範圍的光穿透至時差測距相機各單位畫素之雙通帶濾光片(two-band passing filter)陣列。
因此，所需的是合適的光學濾片陣列及使用其之影像感測裝置。
本發明實施例係揭露一種影像感測裝置，包含：一光學濾片陣列，包含一雙通帶濾光片及一紅外光穿透濾片；一RGB畫素陣列置於此雙通帶濾光片下方；以及一時差測距畫素陣列鄰接此RGB畫素陣列，並置於此雙通帶濾光片及此紅外光穿透濾片下方，其中此雙通帶濾光片及此紅外光穿透濾片僅容許位於紅外光區段之入射光穿透至此時差測距畫素陣列。
100‧‧‧影像感測裝置
104‧‧‧基材
104A‧‧‧基材
104B‧‧‧基材
106‧‧‧RGB畫素陣列
108‧‧‧時差測距畫素陣列
110‧‧‧第一感光二極體陣列
112‧‧‧RGB彩色濾光片陣列
114A‧‧‧微透鏡結構
114B‧‧‧微透鏡結構
116‧‧‧第二感光二極體陣列
118‧‧‧透明填充層
120A‧‧‧第一內連線結構
120B‧‧‧第二內連線結構
124‧‧‧間隔物
150‧‧‧光學濾片陣列
152‧‧‧雙通帶濾光片
154‧‧‧紅外光穿透濾光片
156‧‧‧可見光穿透濾光片
160‧‧‧入射光
170‧‧‧模組鏡頭
170A‧‧‧模組鏡頭
170B‧‧‧模組鏡頭
180‧‧‧外罩
200‧‧‧影像感測裝置
300‧‧‧影像感測裝置
400‧‧‧影像感測裝置
第1A圖顯示依照本揭露一實施例之影像感測裝置之透視圖。
第1B圖顯示第1A圖所示之影像感測裝置之剖面圖。
第2A圖顯示依照本揭露另一實施例之影像感測裝置之透視圖。
第2B圖顯示第2A圖所示之影像感測裝置之剖面圖。
第3A圖顯示依照本揭露又一實施例之影像感測裝置之透視圖。
第3B及3C圖顯示第3A圖之影像感測裝置之各實施例之剖面圖。
第4A圖顯示依照本揭露再一實施例之影像感測裝置之透視圖。
第4B及4C圖顯示第4A圖之影像感測裝置之各實施例之剖面圖。
以下將以實施本發明之較佳實施例作說明，其僅用以舉例本發明之一般原則，但不應以此為限。例如，第一元件形成於第二元件之上或之下係可包含第一元件與第二元件直接接觸之實施例，及可包含第一元件及第二元件之間更插有其他額外元件而使第一元件及第二元件彼此未直接接觸之實施例。本發明之範圍較佳可以所附之申請專利範圍為參照。
可知的是，雖然在此以第一、第二、第三等用詞描述各元件、區域、膜層及/或區段，這些元件、區域、膜層 及/或區段不應受這些用詞所限制。可知的是，這些用詞僅是用以區別各元件、區域、膜層及/或區段與其他元件、區域、膜層及/或區段。例如，在不脫離本發明實施例之教示下，亦可將第一元件、區域、膜層及/區段命名為第二元件、區域、膜層及/區段。此外，在本說明書中，用詞“在...之前(in front of)”意指入射光在其前進方向中，一物體係位在相較於另一物體會先遇到該入射光的位置。用詞“紅外光光譜”意指自一可見光之紅光末端延續之範圍，其包含650 nm至1 mm之波長範圍。
在此所使用的專有名詞僅是為了描述特定範例，而非意圖使其受限。除非特別聲明，在此所述之單數形態“一”亦可包含複數形態。更可知的是，說明書所述之“包含”及/或“包括”，係泛指包含所述之元件及/或步驟，且未排除可存在其他的元件及/或步驟。
除非特別定義，本發明實施例在此所使用的所有用詞(包含技術及科學用詞)之定義與本領域具有通常知識者通常使用的定義相同。更可知的是，這些用詞，例如由常用的字典所定義的用詞，應依照相關領域中所熟知的意義予以定義，而非僅依照字義作不適當的解讀。
以下所舉例之實施例將伴隨圖式作說明，其中各圖式中相似的參考標號可為相似元件。
本發明實施例係有關於影像感測裝置，其包含一光學濾片。此光學濾片包含一雙通帶濾光片及一紅外光穿透濾光片與其重疊。此光學濾片可僅容許位於紅外光範圍的入射光穿透至時差測距(time of flight，ToF)相機之單位畫素。此外， 此光學濾片可視需要包括一可見光穿透濾光片，其與紅外光穿透濾光片相鄰並與雙通帶濾光片重疊。
第1A圖顯示為依照本揭露一實施例之影像感測裝置之透視圖。在一實施例中，影像感測裝置100可包含一模組鏡頭(module lens)170及一影像感測器封裝於一外罩180中。在此實施例中，影像感測器可為互補式金氧半導體(CMOS)影像感測器或電荷耦合(CCD)影像感測器。例如，此影像感測器可包含背照式(back-illuminated)彩色畫素陣列(以下以RGB為例，故於以下又稱為RGB畫素陣列)及背照式時差測距畫素陣列。此影像感測器可包含一基材104、一RGB畫素陣列106、一時差測距畫素陣列108及一光學濾片陣列150。RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108形成於基材104上，光學濾片陣列150覆蓋於RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108上。模組鏡頭170可設置於外罩180上，用以自外罩180外之外界環境收集入射光並將其映至影像感測器。例如，模組鏡頭170可將外界環境映至RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108上。在一實施例中，模組鏡頭170之尺寸為約3 mm至約10 mm。光學濾片150可使僅在預定範圍內的入射光能抵達RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108。
第1B圖顯示為第1A圖之影像感測器之剖面圖。在一實施例中，基材104可為由半導體製程形成之裝置基材，例如裝置晶圓。RGB畫素陣列106可包含一第一感光二極體陣列110、一RGB彩色濾光片陣列112及一第一內連線結構120A。RGB彩色濾光片陣列112位於第一感光二極體陣列110上，第一 內連線結構120A位於第一感光二極體陣列110及基材104之間。時差測距畫素陣列108可包含一第二感光二極體陣列116及一第二內連線結構120B，其中第二內連線結構120B可位於第二感光二極體陣列116及基材104之間。在一實施例中，第一內連線結構120A可連接第二內連線結構120B。此外，時差測距畫素陣列108可視需要包含一透明填充層118。此透明填充層118之厚度係與第二感光二極體陣列116上之RGB彩色濾光片陣列112之厚度實質上相同，以與RGB彩色濾光片陣列112提供實質上平坦之表面，供RGB畫素陣列106之微透鏡結構114A及時差測距畫素陣列108之微透鏡結構114B設於其上。RGB畫素陣列106與時差測距畫素陣列108可各自包含複數個單位畫素。第一感光二極體陣列110及第二感光二極體陣列116每一單位畫素中皆可包含一或多個感光二極體。在一實施例中，間隔物124可環繞RGB畫素陣列106與時差測距畫素陣列108之每一單位畫素，以作隔離。
第一感光二極體陣列110及第二感光二極體陣列116可各自吸收入射光之可見光區及紅外光區，並接著將接收到的光學訊號轉換成電子訊號。電子訊號可傳遞至基材104，透過第一及第二內連線結構120A及120B作進一步處理。在此實施例中，第一感光二極體陣列110之厚度較第二感光二極體陣列116之厚度薄。例如，第一感光二極體陣列110之厚度為約2.1 μm至約3.5 μm。第二感光二極體陣列116之厚度為約2.1 μm至約10 μm。此外，第一及第二內連線結構120A及120B亦可相對應的具有不同厚度。例如，第一內連線結構120A之厚度可較 第二內連線結構120B之厚度厚。在一實施例中，第一內連線結構120A及第二內連線結構120B可包含不同數量的層間介電層及金屬層而具有不同厚度。
光學濾片150可包含供可見光及紅外光穿透之雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154，其中紅外光穿透濾光片154與雙通帶濾光片152重疊。在一實施例中，雙通帶濾光片152可容許位在兩個波長範圍中的入射光160通過，例如約400及約650 nm之間的可見光區及約850 nm之紅外光區。紅外光穿透濾光片154濾掉了可見光及紅外光(例如850 nm至1 mm)。也就是說，紅外光穿透濾光片154可僅容許位在650 nm至850 nm之間的入射光160通過。雙通帶濾光片152可覆蓋整個RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108。紅外光穿透濾光片154可置於時差測距畫素陣列108之前(在入射光之前進方向上)並與雙通帶濾光片152重疊，以使紅外光穿透濾光片154與雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154之組合可僅容許位於紅外光區(約850 nm)之入射光160穿透至時差測距畫素陣列108。易言之，RGB畫素陣列106可置於雙通帶濾光片152下方，且與RGB畫素陣列106相鄰之時差測距畫素陣列108可置於雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154下方。在一實施例中，此紅外光穿透濾光片154可置於微透鏡114B上方。或者，在其他實施例中，紅外光穿透濾光片154可置於微透鏡114B下方(未顯示)。在某些實施例中，紅外光穿透濾光片154可與雙通帶濾光片152直接接觸，例如將紅外光穿透濾光片154塗佈於雙通帶濾光片152上。或者，在其他實施例中，可具有其他元件插設於紅外 光穿透濾光片154可與雙通帶濾光片152之間，例如可插設其他的濾光片或透鏡結構(未顯示)，只要入射光160在到達時差測距畫素陣列108之前有通過紅外光穿透濾光片154及雙通帶濾光片152即可。也就是說，在此實施例中，兩波長範圍的入射光均可穿透至RGB畫素陣列106，並僅有波長範圍位於紅外光區中的入射光160可穿透至時差測距畫素陣列108。在某些實施例中，雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154可為光阻、彩色濾光片或商業可得之光學濾片。雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154可由化學氣相沉積、電漿增強式化學氣相沉積、其他薄膜製作方法或前述之組合形成。
在此實施例中，光學濾片150不需過濾紅外光之濾光片設置於RGB畫素陣列106之前。如上述，雖然兩波長範圍中的入射光160皆可穿透至第一感光二極體陣列110，但由於第一感光二極體陣列110之厚度可較第二感光二極體陣列116之厚度薄，第一感光二極體陣列110實質上不會吸收位於紅外光波長範圍的入射光106。
第2A圖顯示為依照本揭露另一實施例之影像感測裝置之透視圖。在此實施例中，相似參考標號係指與前述實施例相似之元件，且相似元件之相關細節因此將不再重複贅述。
參見第2A圖，影像感測裝置200可包含模組透鏡170及影像感測器封裝於外罩180中。在此實施例中，影像感測器可為CMOS影像感測器或CCD影像感測器。例如，此影像感測器可包含前照式(front-illuminated)RGB畫素陣列及前照式時差測距畫素陣列。此影像感測器可包含基材104、RGB畫素 陣列106、時差測距畫素陣列108及光學濾片陣列150。RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108形成於基材104上，光學濾片陣列150覆蓋RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108。模組鏡頭170可設置於外罩180上，以自外罩180外之外界環境收集入射光並將其映至影像感測器。例如，模組鏡頭170可將外界環境映至RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108上。光學濾片150可用以過濾入射光160，以僅容許在所欲波長範圍內之入射光能抵達RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108。
第2B圖顯示為第2A圖之影像感測器之剖面圖。在一實施例中，基材可為由半導體製程形成之裝置基材，例如裝置晶圓。RGB畫素陣列106可包含一第一感光二極體陣列110、一RGB彩色濾光片陣列112及一第一內連線結構120A。RGB彩色濾光片陣列位於第一感光二極體陣列110上，第一內連線結構120A位於第一感光二極體陣列110及RGB彩色濾光片陣列112之間。時差測距畫素陣列108可包含一第二感光二極體陣列116及一第二內連線結構120B位於第二感光二極體陣列116上。在一實施例中，第一內連線結構120A可連接第二內連線結構120B。此外，時差測距畫素陣列108可視需要包含一透明填充層118設於第二內連線結構120B上，以提供實質上平坦之表面供RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108之微透鏡結構114A及114B設於其上。在此實施例中，第一感光二極體陣列110之厚度與第二感光二極體陣列116之厚度實質上相同。例如，第一感光二極體陣列110及第二感光二極體陣列116之厚度可各自為約2.1 μm至約10 μm。
光學濾片150可包含一供可見光及紅外光穿透之雙通帶濾光片152、一可見光穿透濾光片156及一紅外光穿透濾光片154。可見光穿透濾光片156與雙通帶濾光片152重疊。紅外光穿透濾光片154相鄰於可見光穿透濾光片156並與雙通帶濾光片152重疊。在一實施例中，雙通帶濾光片152可容許兩波長範圍中的入射光160通過，例如約400及約650 nm之間的可見光區及約850 nm之紅外光區。紅外光穿透濾光片154可容許波長範圍在約650 nm至約850 nm之間的入射光160穿透。雙通帶濾光片152可覆蓋整個RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108。此紅外光穿透濾光片154可置於時差測距畫素陣列108之前(在入射光之前進方向上)並與雙通帶濾光片152重疊，以使雙通帶濾光片152與紅外光穿透濾光片154之組合可僅容許位於紅外光區(約850 nm)之入射光160穿透至時差測距畫素陣列108。在某些實施例中，紅外光穿透濾光片154與雙通帶濾光片152可直接接觸(例如塗佈)或具有其他元件插於其間，只要入射光160在到達時差測距畫素陣列108之前有通過紅外光穿透濾光片154及雙通帶濾光片152即可。此外，可見光穿透濾光片156置於RGB畫素陣列106之前並與雙通帶濾光片152重疊，以使雙通帶濾光片152及可見光穿透濾光片156之組合可僅容許於位於可見光區之入射光160穿透至RGB畫素陣列106。類似於紅外光穿透濾光片154可與雙通帶濾光片152，可見光穿透濾光片156可與雙通帶濾光片152直接接觸(例如塗佈)或具有其他元件插於其間，只要入射光160在到達RGB畫素陣列108之前有通過可見光穿透濾光片156及雙通帶濾光片152即可。換句話說， RGB畫素陣列106可置於雙通帶濾光片152及可見光穿透濾光片156下方。與RGB畫素陣列106相鄰之時差測距畫素陣列108可置於雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154下方。此外，在一實施例中，此紅外光穿透濾光片154可置於微透鏡114B上。在其他實施例中，紅外光穿透濾光片154可置於微透鏡114B下方(未顯示)。
在此實施例中，第一及第二內連線結構120A及120B係置於第一感光二極體陣列110及第二感光二極體陣列116之前，且第一感光二極體陣列110及第二感光二極體陣列116於各波長範圍之吸收度係相似。因此，較佳需要一可見光穿透濾光片156設置於RGB畫素陣列106之前。在此實施例中，僅有位於可見光波長範圍中之入射光160可穿透至RGB畫素陣列106，且僅有位於紅外光波長範圍中之入射光160可穿透至時差測距畫素陣列108。
第3A圖顯示為依照本揭露又一實施例之影像感測裝置之透視圖。在此實施例中，相似參考標號係指與前述實施例相似之元件，且相似元件之相關細節因此將不再重複贅述。
在此實施例中，影像感測器可為CMOS影像感測器。例如，此影像感測器可為一包含背照式RGB畫素陣列及背照式時差測距畫素陣列之影像感測器，或為一包含背照式RGB畫素陣列及前照式時差測距畫素陣列之混合式影像感測器。參見第3A圖，此影像感測器可包含第一模組鏡頭170A、第二模組鏡頭170B及影像感測器封裝於外罩180中。此影像感測器可包含一第一基材104A、一第二基材104B、一RGB畫素陣列106、 一時差測距畫素陣列108及一光學濾片陣列150。RGB畫素陣列106形成於第一基材104A上，時差測距畫素陣列108形成於第二基材104B上。光學濾片陣列150覆蓋RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108。第一基材104A及第二基材104B係相互獨立，且可各自由相同晶圓或不同晶圓製得。換句話說，RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108可各自獨立製造形成。光學濾片150可用以過濾入射光160，以僅容許在所欲波長範圍內之入射光能抵達RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108。第一模組鏡頭170A及第二模組鏡頭170B可設置於外罩180上，以自外罩180外之外界環境收集入射光並各自將所收集的入射光映至RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108。
參見第3B圖，其顯示為第3A圖之影像感測器之一實施例之剖面圖。此實施例係中以包含背照式RGB畫素陣列及背照式時差測距畫素陣列之影像感測器為例。類似於第1B圖所示之CMOS影像感測器，RGB畫素陣列106可包含一第一感光二極體陣列110、一RGB彩色濾光片陣列112及一第一內連線結構120A。時差測距畫素陣列108可包含一第二感光二極體陣列116及一第二內連線結構120B。在此實施例中，第一感光二極體陣列110之厚度可較第二感光二極體陣列116之厚度薄，且光學濾片150不需另包含紅外光截止過濾片設於RGB畫素陣列106之前。光學濾片150可僅包含供可見光及紅外光穿透之雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154，其中雙通帶濾光片152與紅外光穿透濾光片154相重疊(包含紅外光穿透濾光片152位於雙通帶濾光片152上方或下方)。易言之，RGB畫素陣列106可置 於雙通帶濾光片152下方，與RGB畫素陣列106相鄰之時差測距畫素陣列108可置於雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154下方。
參見第3C圖，其顯示為第3A圖所示之影像感測器之另一實施例之剖面圖。在此實施例中，係以包含背照式RGB畫素陣列及前照式時差測距畫素陣列之混合式影像感測器為例。背照式RGB畫素陣列包含一第一基材104A、一第一感光二極體陣列110及一第一內連線結構120A。第一感光二極體陣列110可形成於第一基材104A上，第一內連線結構120A可形成於第一感光二極體陣列110及第一基材104A之間。前照式時差測距畫素陣列108可包含一第二基材104B、一第二感光二極體陣列116及一第二內連線結構120B。第二感光二極體陣列116可形成於第二基材104B上，第二內連線結構120B可形成於第二感光二極體陣列116及第二基材104B之間。在此實施例中，第一感光二極體陣列110之厚度可較第二感光二極體陣列116之厚度薄，因而光學濾片150不需另行包含紅外光截止過濾片設於RGB畫素陣列106之前。光學濾片150可僅包含供可見光及紅外光穿透之雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154，其中雙通帶濾光片152與紅外光穿透濾光片154相重疊(包含紅外光穿透濾光片154位於雙通帶濾光片152上方或下方)。易言之，RGB畫素陣列106可置於雙通帶濾光片152下方，且鄰接RGB畫素陣列106之時差測距畫素陣列108可置於雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154下方。此外，亦可使用此混合式影像感測器之概念完成更多的設計變化。
第4A圖顯示為依照本揭露再一實施例之影像感測裝置之透視圖。在此實施例中，相似參考標號係指與前述實施例相似之元件，且相似元件之相關細節因此將不再重複贅述。
在此實施例中，影像感測器可為一包含前照式RGB畫素陣列及前照式時差測距畫素陣列之影像感測器，或為一包含前照式RGB畫素陣列及背照式時差測距畫素陣列之混合式影像感測器。參見第4A圖，此影像感測器可包含一第一模組鏡頭170A、第二模組鏡頭170B及影像感測器封裝於一外罩180中。此影像感測器可包含一第一基材104A、一第二基材104B、一RGB畫素陣列106、一時差測距畫素陣列108及一光學濾片陣列150。RGB畫素陣列106可形成於第一基材104A上，時差測距畫素陣列108可形成於第二基材104B上。光學濾片陣列150覆蓋RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108。第一基材104A及第二基材104B係相互獨立，且可各自由相同晶圓或不同晶圓製得。換句話說，RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108可各自獨立製造形成。光學濾片150可用以過濾入射光160，以僅容許在所欲波長範圍內之入射光能抵達RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108。第一模組鏡頭170A及第二模組鏡頭170B可設置於外罩180上，以自外罩180外之外界環境收集入射光並各自將所收集的入射光映至RGB畫素陣列106及時差測距畫素陣列108。
參見第4B圖，其顯示為第4A圖之影像感測器之一實施例之剖面圖。此實施例係以前照式影像感測器為例。類似於第2B圖所示之影像感測器，RGB畫素陣列106可包含一第一 感光二極體陣列110、一RGB彩色濾光片陣列112及一第一內連線結構120A。RGB彩色濾光片陣列112可形成於第一感光二極體陣列110上，第一內連線結構120A可形成於RGB彩色濾光片陣列112及第一感光二極體陣列110之間。時差測距畫素陣列108可包含一第二感光二極體陣列116及一第二內連線結構120B於第二感光二極體陣列110上。在此實施例中，第一感光二極體陣列110之厚度與第二感光二極體陣列116之厚度實質上相同，因而較佳需設置一紅外光截止過濾片於RGB畫素陣列106之前。換句話說，光學濾片150可包含一供可見光及紅外光穿透之雙通帶濾光片152、一可見光穿透濾光片156及一紅外光穿透濾光片154，其中可見光穿透濾光片156與雙通帶濾光片152重疊(包含位於模組透鏡114A上方或下方)，紅外光穿透濾光片154相鄰於可見光穿透濾光片156並與雙通帶濾光片152重疊(包含位於模組透鏡114B上方或下方)。換句話說，RGB畫素陣列106可置於雙通帶濾光片152及可見光穿透濾光片156下方，且與RGB畫素陣列106相鄰之時差測距畫素陣列108可置於雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154下方。
參見第4C圖，其顯示為第4A圖所示之影像感測器之另一實施例之剖面圖。此實施例係以包含前照式RGB畫素陣列及背照式時差測距畫素陣列之混合式影像感測器為例。前照式RGB畫素陣列106可包含一第一基材104A、一第一感光二極體陣列112、一RGB彩色濾光片陣列112及一第一內連線結構120A。第一感光二極體陣列112可形成於第一基材104A上，RGB彩色濾光片陣列112可形成於第一感光二極體陣列112上。第一 內連線結構120A可形成於第一感光二極體陣列110A及第一基材104A之間。背照式時差測距畫素陣列108可包含一第二基材104B、一第二感光二極體陣列110及一第二內連線結構120B。第二感光二極體陣列110可形成於第二基材104B上，第二內連線結構120B可形成於第二感光二極體陣列110下方。光學濾片150可包含供可見光及紅外光穿透之雙通帶濾光片152、可見光穿透濾光片156及紅外光穿透濾光片154，其中可見光穿透濾光片156與雙通帶濾光片152相重疊(包含可見光穿透濾光片156設於雙通帶濾光片152上方或下方)，且紅外光穿透濾光片154與可見光穿透濾光片156相鄰並與雙通帶濾光片152(包含紅外光穿透濾光片154設於雙通帶濾光片152上方或下方)。易言之，RGB畫素陣列106可置於雙通帶濾光片152下方，且與RGB畫素陣列106相鄰之時差測距畫素陣列108可置於雙通帶濾光片152及紅外光穿透濾光片154下方。在此實施例中，雖然光學濾片150包含可見光穿透濾光片156設於RGB畫素陣列106之前，第一感光二極體陣列110及第二感光二極體陣列116可具有任意合適的厚度。
本揭露實施例係揭露一種影像感測器，其包含一光學濾片，且此光學濾片僅容許於所欲波長範圍內之入射光穿透至RGB畫素陣列及時差測距畫素陣列。因此，可減少干涉及雜訊。此外，使用如上之光學濾片，RGB畫素陣列及時差測距畫素陣列可由同一晶圓級封裝技術製造，或各自獨立製造。此RGB畫素陣列及此時差測距畫素陣列皆可為後照式或前照式，且更可使用混合式影像感測器來達到各種變化。因此，本 揭露係提供了可量產之雙通帶濾光片，且其僅容許於可見光波長範圍之入射光穿透至RGB影像感測器之各單位畫素及僅容許紅外光波長範圍之入射光穿透至時差測距畫素相機之各單位畫素。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧影像感測裝置
104‧‧‧基材
106‧‧‧RGB畫素陣列
108‧‧‧時差測距畫素陣列
118‧‧‧透明填充層
150‧‧‧光學濾片陣列
152‧‧‧雙通帶濾光片
154‧‧‧紅外光穿透濾光片
160‧‧‧入射光
170‧‧‧模組鏡頭
180‧‧‧外罩

Claims (10)

  1. 一種影像感測裝置，包含：一光學濾片陣列，包含一雙通帶濾光片及一紅外光穿透濾片；一RGB畫素陣列置於該雙通帶濾光片下方；以及一時差測距畫素陣列鄰接該RGB畫素陣列，並置於該雙通帶濾光片及該紅外光穿透濾片下方，其中該雙通帶濾光片及該紅外光穿透濾片僅容許位於紅外光區段之入射光穿透至該時差測距畫素陣列。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測裝置，其中該RGB畫素陣列及該時差測距畫素陣列係設置於一基材上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之影像感測裝置，其中該RGB畫素陣列包含一第一內連線結構於該基材上、一第一感光二極體陣列於該第一內連線結構上及一RGB彩色濾光片陣列於該第一感光二極體陣列上，該時差測距畫素陣列包含一第二感光二極體陣列及一透明填充層於該第二感光二極體陣列上，其中該第一感光二極體陣列之厚度較該第二感光二極體陣列之厚度薄。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之影像感測裝置，其中該RGB畫素陣列包含一第一感光二極體陣列及一RGB彩色濾光片陣列於該第一感光二極體陣列上，且該時差測距畫素陣列包含一第二感光二極體陣列，其中該第一感光二極體陣列之厚度與該第二感光二極體陣列之厚度實質上相同，其中該基材、該光學濾片陣列、該RGB畫素陣列及該時差測 距畫素陣列係封裝於一外罩中，該外罩上設有一模組鏡頭，該模組鏡頭係用以自外界收集入射光並將該入射光映至該RGB畫素陣列及該時差測距畫素陣列。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測裝置，其中該RGB畫素陣列設置於一第一基材上，該時差測距畫素陣列設置於一第二基材上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之影像感測裝置，其中該RGB畫素陣列包含一第一感光二極體陣列及一RGB彩色濾光片陣列於該第一感光二極體陣列上，且該時差測距畫素陣列包含一第二感光二極體陣列。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之影像感測裝置，其中該RGB畫素陣列更包含一第一內連線結構於該第一感光二極體陣列及該第一基材之間，且該時差測距畫素陣列更包含一第二內連線結構於該第二感光二極體陣列及該第二基材之間，其中該第二感光二極體陣列之厚度較該第一感光二極體陣列厚。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之影像感測裝置，其中該RGB畫素陣列更包含一第一內連線結構於該RGB彩色濾光片陣列及該第一感光二極體陣列之間，且該時差測距畫素陣列更包含一第二內連線結構於該第二感光二極體陣列上或於該第二感光二極體陣列及該第二基材之間。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之影像感測裝置，其中該第一基材、第二基材、該光學濾片陣列、該RGB畫素陣列及該時差測距畫素陣列係封裝於一外罩中，其中該外罩上設有一模組鏡頭，該模組鏡頭係用以自外界收集入射光並將該入射光映 至該RGB畫素陣列及該時差測距畫素陣列。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測裝置，其中該紅外光穿透濾光片容許波長範圍位於約650 nm至約850 nm通過。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI701304B (zh) * 2014-12-26 2020-08-11 日商Ｊｓｒ股份有限公司 紅外線遮蔽性組成物、硬化膜及固態攝影裝置
TWI718765B (zh) * 2019-11-18 2021-02-11 大陸商廣州立景創新科技有限公司 影像感測裝置
TWI763628B (zh) * 2015-06-05 2022-05-11 日商Ｊｓｒ股份有限公司 固態攝影裝置、感放射線性組成物、著色劑分散液及彩色濾光片

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101638681B1 (ko) * 2014-07-15 2016-07-12 주식회사 듀얼어퍼처인터네셔널 색재현성이 개선된 듀얼 애퍼처 카메라 및 그 동작 방법
WO2016088645A1 (ja) * 2014-12-04 2016-06-09 Jsr株式会社 固体撮像装置
JP6669079B2 (ja) * 2014-12-04 2020-03-18 Jsr株式会社 固体撮像装置
US20160182846A1 (en) * 2014-12-22 2016-06-23 Google Inc. Monolithically integrated rgb pixel array and z pixel array
TWI675907B (zh) * 2015-01-21 2019-11-01 日商Ｊｓｒ股份有限公司 固體攝像裝置
TW201628179A (zh) * 2015-01-21 2016-08-01 Jsr 股份有限公司 固體攝像裝置及紅外線吸收性組成物
JP6631243B2 (ja) 2015-01-30 2020-01-15 Jsr株式会社 固体撮像装置及び光学フィルタ
JP2016162946A (ja) * 2015-03-04 2016-09-05 Jsr株式会社 固体撮像装置
CN107534764B (zh) * 2015-04-30 2020-03-17 深圳市大疆创新科技有限公司 增强图像分辨率的系统及方法
CN107530033A (zh) * 2015-04-30 2018-01-02 奥林巴斯株式会社 摄像装置
US9425227B1 (en) 2015-05-20 2016-08-23 Visera Technologies Company Limited Imaging sensor using infrared-pass filter for green deduction
US10707260B2 (en) 2015-08-04 2020-07-07 Artilux, Inc. Circuit for operating a multi-gate VIS/IR photodiode
US10861888B2 (en) 2015-08-04 2020-12-08 Artilux, Inc. Silicon germanium imager with photodiode in trench
TW202335281A (zh) * 2015-08-04 2023-09-01 光程研創股份有限公司 光感測系統
CN114754864B (zh) 2015-08-27 2023-03-24 光程研创股份有限公司 宽频谱光学传感器
JP2017139286A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 ソニー株式会社 撮像素子、及び、カメラシステム
JP6957162B2 (ja) * 2016-03-04 2021-11-02 キヤノン株式会社 測距装置及び移動体
US11280606B2 (en) 2016-03-04 2022-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Moving object and ranging apparatus capable of acquiring image and high-accurately measuring distance
WO2017154444A1 (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 ソニー株式会社 光電変換素子及び撮像装置
US10056417B2 (en) 2016-03-10 2018-08-21 Visera Technologies Company Limited Image-sensor structures
CN105590942B (zh) * 2016-03-18 2018-12-14 联想(北京)有限公司 一种复合式图像传感器
CN107438148B (zh) * 2016-05-27 2021-08-24 松下知识产权经营株式会社 摄像系统
CN108024035B (zh) * 2016-10-31 2020-02-04 比亚迪股份有限公司 成像装置和方法
CN106657737B (zh) * 2016-12-14 2019-08-06 北京小米移动软件有限公司 摄像头组件及终端
US10275855B2 (en) 2017-01-11 2019-04-30 Microsoft Technology Licensing, Llc Image demosaicing for hybrid optical sensor arrays
US10339631B2 (en) 2017-01-11 2019-07-02 Microsoft Technology Licensing, Llc Image demosaicing for hybrid optical sensor arrays
US10211242B2 (en) * 2017-02-28 2019-02-19 Himax Technologies Limited Image sensor
US10422821B2 (en) * 2017-04-17 2019-09-24 Rockwell Automation Technologies, Inc. System and method of identifying a module in a stack light
US10670784B2 (en) * 2017-05-17 2020-06-02 Visera Technologies Company Limited Light filter structure and image sensor
CN107040628B (zh) * 2017-05-25 2019-04-12 维沃移动通信有限公司 一种摄像头组件及移动终端
CN209803815U (zh) * 2017-08-17 2019-12-17 深圳信炜科技有限公司 光电传感装置及电子设备
CN209803765U (zh) * 2017-08-17 2019-12-17 深圳信炜科技有限公司 光电传感装置及电子设备
JP6923656B2 (ja) 2017-08-25 2021-08-25 富士フイルム株式会社 光学フィルタおよび光センサ
US10580807B2 (en) 2017-10-24 2020-03-03 Stmicroelectronics, Inc. Color pixel and range pixel combination unit
CN108345845B (zh) * 2018-01-29 2020-09-25 维沃移动通信有限公司 图像传感器、镜头模组、移动终端、人脸识别方法及装置
US20190239729A1 (en) * 2018-02-05 2019-08-08 Nucleus Dynamics Pte Ltd Remote monitoring of a region of interest
CN108965654B (zh) * 2018-02-11 2020-12-25 浙江宇视科技有限公司 基于单传感器的双光谱摄像机系统和图像处理方法
CN108616703A (zh) * 2018-04-23 2018-10-02 Oppo广东移动通信有限公司 电子装置及其控制方法、计算机设备和可读存储介质
US10962822B2 (en) * 2018-06-06 2021-03-30 Viavi Solutions Inc. Liquid-crystal selectable bandpass filter
CN110933394A (zh) * 2018-09-17 2020-03-27 黄剑鸣 阵列式三维光学影像设备
US10985203B2 (en) * 2018-10-10 2021-04-20 Sensors Unlimited, Inc. Sensors for simultaneous passive imaging and range finding
TWI754809B (zh) * 2019-04-11 2022-02-11 大陸商廣州立景創新科技有限公司 影像感測裝置
CN110818276B (zh) * 2019-12-16 2022-04-05 豪威光电子科技（上海）有限公司 红外玻璃及其制备方法
CN116097124A (zh) * 2020-06-24 2023-05-09 斯洛文阀门公司 混合飞行时间传感器和ir传感器
CN112099051A (zh) * 2020-08-13 2020-12-18 欧菲微电子技术有限公司 Tof测距方法、tof传感模组及电子设备和存储介质
CN113052884A (zh) * 2021-03-17 2021-06-29 Oppo广东移动通信有限公司 信息处理方法、信息处理装置、存储介质与电子设备
US11777043B1 (en) 2022-06-21 2023-10-03 Globalfoundries U.S. Inc. Photodetectors with substrate extensions adjacent photodiodes

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007526453A (ja) 2004-01-28 2007-09-13 カネスタ インコーポレイテッド 単一チップの赤、緑、青、距離（ｒｇｂ−ｚ）センサー
US7560679B1 (en) 2005-05-10 2009-07-14 Siimpel, Inc. 3D camera
JP2008268112A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Sanyo Electric Co Ltd センサ
KR101344490B1 (ko) * 2007-11-06 2013-12-24 삼성전자주식회사 영상 생성 방법 및 장치
US8471895B2 (en) 2008-11-25 2013-06-25 Paul S. Banks Systems and methods of high resolution three-dimensional imaging
KR101648201B1 (ko) * 2009-11-04 2016-08-12 삼성전자주식회사 영상 센서 및 이의 제조 방법.
JP5536488B2 (ja) * 2010-02-22 2014-07-02 ローム株式会社 カラー用固体撮像装置
KR101736330B1 (ko) * 2010-09-03 2017-05-30 삼성전자주식회사 픽셀, 이미지 센서, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치들
US20120056988A1 (en) 2010-09-07 2012-03-08 David Stanhill 3-d camera

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI701304B (zh) * 2014-12-26 2020-08-11 日商Ｊｓｒ股份有限公司 紅外線遮蔽性組成物、硬化膜及固態攝影裝置
TWI763628B (zh) * 2015-06-05 2022-05-11 日商Ｊｓｒ股份有限公司 固態攝影裝置、感放射線性組成物、著色劑分散液及彩色濾光片
TWI718765B (zh) * 2019-11-18 2021-02-11 大陸商廣州立景創新科技有限公司 影像感測裝置
US11437425B2 (en) 2019-11-18 2022-09-06 Guangzhou Luxvisions Innovation Technology Limited Image sensing device

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