TW201412559A - 複合阻氣層積體及其製造方法以及複合電極 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種複合阻氣層積體,其係將阻氣層積體(A),其係具備脂環聚烯烴樹脂之薄膜(a)、及形成於上述薄膜(a)之至少一面之無機層(a);與阻氣層積體(B),其係具備脂環聚烯烴樹脂之薄膜(b)及形成於上述薄膜(b)之至少一面知無機層(b);使上述無機層(a)與上述無機層(b)相對地,經由苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層接著。
Description
本發明係關於複合阻氣層積體及其製造方法,及具備其之複合電極。
太陽能電池、電致發光元件(以下,有適宜稱為「EL元件」之情形。)等的光電轉換元件,為防止水蒸氣及氧浸入元件內部,有時有設置具有阻氣性構件。其中關於有機太陽能電池及有機EL元件等的有機光電轉換元件,由於元件內部的有機材料因水蒸氣及氧而惡化則性能會大大地下降,故特別要求阻氣性優良的構件。
作為如此之構件,己知例如,具備無機層者(參照例如專利文獻1)。一般,無機層由於阻斷水蒸氣及氧的能力優良,故藉由無機層可得阻氣性。此外,無機層的厚度越厚越能期待阻氣性,故例如於專利文獻2,提案有黏合形成有矽氧化物之薄膜之高障礙塑膠,此外,於專利文獻3,提案有具備複數無機層之阻氣層積體。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-327687號公報
[專利文獻2]日本特開平03-063127號公報
[專利文獻3]特開2009-190186號公報
但是,具備無機層之阻氣層積體,無機層的厚度厚,則會發生捲曲(反曲)。此可認為係因阻氣層積體所具有的無機層與無機層以外之層的熱膨脹係數的差異者。即,於阻氣層積體之製造時或用時發生溫度的變化,則無機層與無機層以外之層之間發生膨脹或收縮程度之差,可認為因該差異使阻氣層積反曲。關於此,可舉具體例說明。例如,在於樹脂薄膜上具備無機層之阻氣層積體,通常,於樹脂薄膜上形成無機層之步驟係於高溫環境進行,之後所得阻氣層積體會被冷卻。此時,通常無機層與樹脂薄膜由於熱膨脹係數不同,故因冷卻樹脂薄膜的收縮較無機層大。因此,上述阻氣層積體,大多以無機層為外側,樹脂薄膜為內側發生捲曲。特別是為實現1×10-2g/m2.day以下的水蒸氣阻隔性,期望充分厚度的無機層,結果發生很大的捲曲。於阻氣層積體發生很大的捲曲,則阻氣層積體之處理性下降,難以將該阻氣層積體安裝於光電轉換元件之操作。因此,要求開發可改善捲曲之阻氣層積體之構成。
此外,雖可藉由專利文獻2之構成改善捲曲,但是由接著劑所產生的氣體成分的增加,因使用能量硬化型接著劑而喪失可撓性將成課題。再者,於阻氣層積體,期望可防止阻氣性在於高溫環境的下降、或容易產生龜裂而損及阻氣性。此係,為了例如在於使用時、儲存時、搬運時,抑制阻氣層積
體的阻氣性下降,而良好地維持阻氣性。
本發明係有鑑於上述課題而創案者,以提供可良好地維持阻氣性,柔軟而可撓性優良、捲曲小的複合阻氣層積體及其製造方法、以及具備其之複合電極為目標。
本發明者,為解決上述課題而專心研究的結果,發現將具備脂環聚烯烴樹脂之薄膜及無機層之2張阻氣層積體,使無機層互相相對地,經由苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層接著,可容易地維持良好的阻氣性,可實現柔軟而可撓性優良,捲曲小的複合阻氣層積體,而達至完成本發明。
即,本發明係如下所示。
〔1〕一種複合阻氣層積體,其係將阻氣層積體(A),具有脂環聚烯烴樹脂之薄膜(a)、及形成於上述薄膜(a)之至少一面之無機層(a);與阻氣層積體(B),具有脂環聚烯烴樹脂之薄膜(b)及形成於上述薄膜(b)之至少一面之無機層(b);使上述無機層(a)與上述無機層(b)相對地經由苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層接著。
〔2〕根據〔1〕之複合阻氣層積體,其中上述熱塑性彈性體樹脂之層之厚度為10μm~150μm,上述熱塑性彈性體樹脂,包含苯乙烯-共軛二烯嵌段共聚物氫化物。
〔3〕根據〔1〕或〔2〕之複合阻氣層積體,其中上述無機層(a)及上述無機層(b)藉由化學氣相成長法形成含有至少Si
之層,上述無機層(a)及上述無機層(b)之厚度為300nm~2000nm。
〔4〕根據〔1〕~〔3〕之任何一項之複合阻氣層積體,其中上述無機層(a)與上述無機層(b)以相同材料形成,且具有相同厚度,上述薄膜(a)與上述薄膜(b)以相同材料形成,且具有相同的厚度。
〔5〕一種有機EL元件用複合電極,其具有上述[1]~[4]之任何一項之複合阻氣層積體,及於上述複合阻氣層積體之一方的外側面,以物理氣相成長法形成之透明電極。
〔6〕一種複合阻氣層積體之製造方法,其包含:於脂環聚烯烴樹脂之薄膜(a)之至少一面,形成無機層(a),得到阻氣層積體(A)之步驟;於脂環聚烯烴樹脂之薄膜(b)之至少一面,形成無機層(b),得到阻氣層積體(B)之步驟;及將上述阻氣層積體(A)、上述阻氣層積體(B)、及苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之薄膜(c),以上述薄膜(a)、上述無機層(a)、上述薄膜(c)、上述無機層(b)、及上述薄膜(b)之順序重疊,加熱壓接之步驟。
根據本發明,可提供可良好地維持阻氣性,柔軟而可撓性優良,捲曲小的複合阻氣層積體及其製造方法、以及具備其之複合電極。
10‧‧‧阻氣層積體(A)
11‧‧‧薄膜(a)
12‧‧‧無機層(a)
20‧‧‧阻氣層積體(B)
21‧‧‧薄膜(b)
22‧‧‧無機層(b)
30‧‧‧苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層(薄膜(c))
40‧‧‧透明電極
100‧‧‧複合阻氣層積體
210、220‧‧‧加壓輥輪
300‧‧‧複合電極
第1圖係示意表示,將關於本發明之一實施形態之複合阻氣層積體,以與其主面垂直的平面之切斷之剖面之圖。
第2圖係示意表示於關於本發明之一實施形態之複合阻氣層積體之製造方法,將阻氣層積體(A)、阻氣層積體(B)及苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之薄膜(c)加熱壓接之步驟之圖。
第3圖係表示,將關於本發明之一實施形態之複合電極,以與其主面垂直的平片斷面之剖面之圖。
以下,表示實施形態及例示物等詳細說明本發明,惟本發明並非限定於以下所示之實施形態及例示物等,可於不脫離本發明之申請範圍及其均等的範圍之範圍任意變更實施。
[1.複合阻氣層積體的概要]
第1圖係示意表示將本發明的一實施形態的複合阻氣層積體100以與其主面垂直的平面之切斷之剖面之圖。如第1圖所表示,複合阻氣層積體100,其係將具備薄膜(a)11及無機層(a)12之阻氣層積體(A)10與具備薄膜(b)21及無機層(b)22之阻氣層積體(B)20,使無機層(a)12與無機層(b)22相對地,經由苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層30接著之層積體。因此,複合阻氣層積體100,係依續具備薄膜(a)11、無機層(a)12、苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層30、無機層(b)22及薄膜(b)。
[2.阻氣層積體(A)]
如第1圖所示,阻氣層積體(A)10,具備:薄膜(a)11,及
形成於薄膜(a)11之至少一面11D之無機層(a)12。因此,通常,薄膜(a)11與無機層(a)12,直接接觸。
[2.1.薄膜(a)]
薄膜(a),係以脂環聚烯烴樹脂形成。在此脂環聚烯烴樹脂,係指脂環烯烴聚合物,及按照必要含有之其他任意成分之樹脂。脂環聚烯烴樹脂,水蒸氣穿透率低,且在於形成包含於阻氣層積體(A)之其他層之步驟(例如蒸鍍,濺鍍等)脫氣的釋放量少。因此,藉由以脂環聚烯烴樹脂薄膜(a),可提高複合阻氣層積體之阻氣性。再者,以擠出熔融脂環聚烯烴樹脂所製造之薄膜,由於表面平滑性良好,而成為無機層之龜裂之原因之表面凸較小,故相較於表面平滑性差的薄膜,可以較薄的無機層,使水蒸氣穿透率變小,而生產性及可撓性優良。此外,薄膜(a),通常成為支持無機層(a)之基材,發揮維持阻氣層積體(A)之強度的效果。
脂環烯烴聚合物,係於主鏈及/或側鏈具有脂環構造之非晶性熱塑性聚合物。脂環烯烴聚合物中的脂環構造,可舉飽和脂環烴構造(環烷)、不飽和脂環烴構造(環烷)等,由機械強度、耐熱性等的觀點,以環烷類構造為佳。構成脂環構造之碳原子數,並無特別限制,通常以4個以上,以5個以上為佳,通常為30個以下,以20個以下為佳,以15個以下更佳。構成脂環構造之碳原子數在於上述範圍時,可高度平衡機械強度、耐熱性及薄膜的成形性等的特性而佳。
在於脂環烯烴聚合物,具有脂環構造之構造單位之比例,以55重量%以上為佳,以70重量%以上更佳,以90
重量%以上特別佳,此外,通常為100重量%以下。在於脂環烯烴聚合物,具有脂環式構造之構造單位之比例在於該範圍,由透明性及耐熱性的觀點為佳。
脂環烯烴聚合物,可舉例如,降冰片烯聚合物、單環的環狀烯烴聚合物、環狀共軛二烯聚合物、乙烯脂環烴聚合物及該等之氫化物等。該等之中,降冰片烯聚合物之透明性及成形性良好,而可良好地使用。
降冰片烯聚合物,可舉例如,具有降冰片烯構造之單體之開環聚合物或具有降冰片烯構造之單體與其他的單體之開環共聚物或該等的氫化物;具有降冰片烯構造之單體之加成聚合物或具有降冰片烯構造之單體與其他的單體之加成共聚物或該等的氫化物等。該等之中,以具有降冰片烯構造之單體之開環聚合物之氫化物及開環共聚物之氫化物,由於透明性、成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸穩定性、輕量性等的觀點,可特別良好地使用。
脂環烯烴聚合物,可單獨使用該等之聚合物中的1種,亦可以任意比例組合2種以上使用。此外,薄膜(a),亦可係將複數種類脂環烯烴樹脂分別作成層之構成。
包含於脂環烯烴樹脂之脂環烯烴聚合物之分子量,可按照使用目的適宜選定,而其重量平均分子量(Mw)收於既定的範圍為佳。具體而言,脂環烯烴聚合物之上述重量平均分子量,通常為10,000以上,以15,000以上為佳,以20,000以上更佳,通常為100,000以下,以80,000以下為佳,以50,000以下更佳。藉由使重量平均分子量在於如此之範圍,可高度地
平衡薄膜(a)之機械性強度及成型加工性等而佳。在此,重量平均分子量,係於溶劑使用環己烷,以凝膠滲透層析儀,以聚異戊二烯換算之值測定。此外,聚合物不溶於環己烷時,可使用甲苯作為溶劑。再者,溶劑為甲苯時,重量平均分子量係以聚苯乙烯換算之值測定。
含有脂環烯烴樹脂之任意成分,可舉例如,氧化
防止劑、熱穩定劑、光安定劑、紫外線吸收劑、帶電防止劑、分散劑、氯捕捉劑、難燃劑、結晶化核劑、強化劑、黏團防止劑、防雲劑、脫模劑、顏料、有機或無機填充劑、中和劑、潤滑劑、分解劑、金屬惰性化劑、污染防止劑、抗菌劑及其他的樹脂、熱塑性彈性體等的添加劑。此外,該等可以單獨使用1種,亦可以任意比例組合2種以上使用。再者,任意成分之量,對包含於脂環烯烴樹脂之聚合物100重量部,通常為0~50重量部,以0~30重量部為佳。
脂環烯烴樹脂,並不僅限於具有高透明性者。惟,
將複合阻氣層積體,例如可使用於顯示裝置、光源裝置或太陽能電池,要求可將光穿透的部分有用者的觀點,脂環烯烴樹脂,以具有高透明性者為佳。例如,以厚度為1mm之脂環烯烴樹脂之試驗片測定之全光線穿透率,通常為70%以上,以80%以上為佳,以90%以上更佳,此外,通常以100%以下者為佳。
薄膜(a)的厚度,以10μm以上為佳,以30μm以上
更佳,以500μm以下為佳,以250μm以下更佳。薄膜(a)之厚度,可以接觸式膜厚計測定。具體而言,在與TD方向平行的線狀,以等間隔測定10點的厚度,求其平均值,將此作為厚
度的測定值。
薄膜(a),熱膨脹係數以70ppm/K以下為佳,以
50ppm/K以下更佳,進一步以40ppm/K以下為佳。該熱膨脹係數,係以20mm×5mm的薄膜(a)作為試料片,以荷重5.0g,氮100cc/分,升溫速率0.5℃/分的條件,測定試料片由30℃升溫至130℃時之長度之伸長。
此外,薄膜(a),濕度膨脹係數,以30ppm/%RH以下為佳,以10ppm/%RH以下更佳,進一步以1.0ppm/%RH以下為佳。
該濕度膨脹係數,係以20mm×5mm之薄膜作為試料片,以荷重5.0g,氮100cc/分,溫度25℃,速率5.0%RH/分的條件,測定試料片在濕度由30%RH上升至80%RH時之長度之伸長。
此外,薄膜(a)之玻璃轉移溫度以110℃以上為佳,以130℃以上更佳,以160℃以上特別佳。藉由高的玻璃轉移溫度,可抑制在於高溫環境等的熱履歷前後之薄膜(a)之熱收縮。
藉由得到該較佳的熱膨脹係數、濕度膨脹係數及玻璃轉移溫度,可得抑制在於高溫高濕環境下之阻氣性之下降之複合阻氣層積體。
此外,薄膜(a)之熱膨脹係數之下限值,通常為0.1ppm/K以上,薄膜(a)之濕度膨脹係數之下限值,通常為0.001ppm/%RH以上,薄膜(a)之玻璃轉移溫度之上限值,通常為250℃以下。
此外,於薄膜(a)之與無機層(a)之相反側之表面(於第1圖,係面11U),亦可形成凹凸構造。藉由具有凹凸構造,薄膜(a)不容易發生黏團。因此,例如使用長條之薄膜(a),藉由捲對捲法製造複合阻氣層積體時,可容易地將薄膜(a)由捲筒
拉出,故可容易地製造。此外,於薄膜(a)之與無機層(a)相反側的表面,通常,成為複合阻氣層積體之最外面。因此,薄膜(a)之與無機層(a)相反側之表面形成凹凸構造,則複合阻氣層積體之最外面具有凹凸構造,故可抑制複合阻氣層積體之黏團。
形成有凹凸構造之表面之算術平均粗糙度Ra(JIS
B601-2001),以0.02μm以上為佳,以0.1μm以上更佳,以3μm以上特別佳。藉由使算術平均粗糙度Ra在於上述範圍之下限值以上,可使形成凹凸構造之表面之滑性良好,而可穩定地防止黏團。此外,上述算術平均粗糙度之上限值,並無特別限制,以50μm以下為佳,以25μm以下更佳,以10μm以下特別佳。
薄膜(a)之製造方法,並無特別限制,可採用例如,
熔融成形法、溶液流延法之任一。熔融成形法,更詳言之,例如,可分類成擠出成形法、壓力機成形法、膨脹成形法、射出成形法、吹塑成形法、延伸成形法等。該等方法之中,由可得機械強度、表面精度等優良的薄膜(a),以擠出成形法、膨脹成形法或壓力機成形法為佳,其中由可效率佳而簡單地製造薄膜(a)的觀點,以擠出成形法特別佳。
再者,在於薄膜(a)之製造方法,亦可進行將薄膜
延伸之延伸步驟等。藉此,可得延伸薄膜作為薄膜(a)。於薄膜(a)使用延伸薄膜時,可抑制薄膜(a)之熱膨脹係數,可進一步降低在於高溫高濕環境下之阻氣性能之惡化。該延伸薄膜,可例如,藉由上述方法將脂環烯烴樹脂成形為原卷薄膜,將該原卷薄膜延伸而得。
原卷薄膜之形狀,係藉由所期望的延伸倍率,可
得所期望的尺寸之薄膜(a)地適宜設定。較佳的是,作成長條的薄膜狀形狀。在此,所謂「長條」,係指至少具有對寬度5倍以上的長度者,以具有10倍或其以上的長度者為佳,具體而言,係指具有可捲取成捲筒狀保管或搬運之程度之長度者。
延伸的態樣,以雙軸延伸為佳。該雙軸延伸,可
將原卷薄膜,向與該面平行且互相垂直之二個方向進行。在此,所謂「垂直的」方向,以90°的角度為佳,惟亦可包含±10°左右的誤差之情形。
通常,垂直的2個方向,分別係長條之原卷薄膜之MD方向(原卷薄膜之流動方向,即,長條原卷薄膜之長度方向)及TD方向(與MD方向垂直之原卷薄膜之寬方向),惟並不限於此,亦可係對MD方向及TD方向傾斜之互相垂直的2個方向。
雙軸延伸之態樣,可為逐步雙軸延伸,亦可為同
時雙軸延伸。在此,所謂逐步雙軸延伸,係將2個方向的延伸以各個分別的步驟進行之延伸。此外,所謂同時雙軸延伸,係將2個方向的延伸步驟之至少一部分同時進行之延伸。由製造效率方面,以同時雙軸延伸為佳,惟要求薄膜(a)之相位差之值為盡量少之值時等,須將2個方向的延伸精密地控制時,由該控制較容易之點,有逐步雙軸延伸較佳之情形。
在於雙軸延伸之延伸倍率,在於2個方向,分別
以1.05倍以上為佳,以1.5倍以上更佳,以4.5倍以下為佳,以3.5倍以下更佳。此外,2個方向的倍率之比,以1:1~2:1之範圍內,在使透濕度變化在於高溫高濕環境下最小,及使穿
透複合阻氣層積體之光為均質者而佳。
進行雙軸延伸時之溫度,可以形成原卷薄膜之脂
環聚烯烴樹脂之玻璃轉移溫度Tg為基準設定。雙軸延伸時之溫度範圍,例如,以Tg以上為佳,以Tg+30℃以下為佳,以Tg+是20℃以下更佳。在此,原卷薄膜具有複數種玻璃轉移溫度不同的脂環烯烴樹脂之層時,可以該等脂環烯烴樹脂之中,最低的玻璃轉移溫度作為基準,設定雙軸延伸之時之溫度範圍。
用於進行雙軸延伸之裝置,可良好地舉出例如拉
幅延伸機,及其他具有軌道及沿著該導軌移動的夾具之延伸機。此外,其他,亦可使用縱單軸延伸機、泡沫延伸機、輥輪延伸機等的任意延伸機。
再者,於薄膜(a)之表面形成凹凸構造時,凹凸構
造之形成方法,並無限制。凹凸構造之形成方法,可舉例如,使用於表面具有凹凸構造之賦型輥輪按壓薄膜(a),於薄膜(a)的表面轉印凹凸構造之軋輥成形法;以於表面具有凹凸構造之脫模薄膜夾壓薄膜(a),將脫模薄膜之凹凸構造轉印到薄膜(a)之後,由薄膜(a)剝離脫模薄膜之方法;藉由在薄膜(a)的表面噴射粒子,將薄膜(a)的表面切削之方法;薄膜(a)在表面上安放電子線硬化型樹脂是因讓硬化的事形成凹凸構造的方法等。再者,亦可藉由調整薄膜(a)之組成形成凹凸構造。例如,於形成薄膜(a)之脂環聚烯烴樹脂含有既定粒徑的粒子,形成凹凸構造的方法;調整包含於形成薄膜(a)之脂環聚烯烴樹脂之成分之調合比形成凹凸構造的方法等。
通常,薄膜(a)之黏團,在於薄膜(a)表面形成無機
層(a)前之時點較容易產生。因此,由防止黏團的觀點,在於薄膜(a)表面形成無機層(a)之步驟之前進行於薄膜(a)表面形成凹凸構造之步驟為佳。
[2.2.無機層(a)]
無機層(a),係以無機材料形成之層,例如係具有阻隔水分及氧等的存在於外氣中的成分,會使顯示裝置及發光裝置等的裝置的內部之構成要素(例如,有機EL元件之發光層等)惡化之成分之能力之層。該無機層(a),可發揮阻隔水分及氧等的成分,由阻氣層積體(A)之表背的一方的面,向另一方的面穿透的效果。
此外,無機層(a),由於位於薄膜(a)之內側,故可
防止無機層(a)因外力之受傷。因此,無機層(a)不容易發生裂紋,不容易損及阻氣性。
再者,一般,脂環聚烯烴樹脂大多與其他材料的
親和性低,但無機層(a)與脂環聚烯烴樹脂均與熱塑性彈性體具有很高的親和性。因此,藉由無機層(a)設在脂環聚烯烴樹脂所組成之薄膜(a)與熱塑性彈性體之間,可使薄膜(a)與熱塑性彈性體之貼密著性良好。
舉可形成無機層之無機材料之較佳的例,則可舉
金屬;矽的氧化物、氮化物、氮氧化物;鋁的氧化物、氮化物、氮氧化物;DLC(類鑽碳);及混合該等之2以上之材料等。其中,由透明性方面,以矽的氧化物或氮氧化物等的至少含有矽之材料特別佳。此外,與薄膜(a)之材料之脂環烯烴樹脂之親和
性方面,以DLC特別佳。
矽的氧化物,可舉例如,SiOx。在此,x在使無機層(a)之透明性及水蒸氣阻隔性並存的觀點,以1.4<x<2.0為佳。此外,矽的氧化物,亦可舉SiOC。
矽的氮化物,可舉例如,SiNy。在此,y在使無機層(a)之透明性及水蒸氣阻隔性並存的觀點,以0.5<y<1.5為佳。
矽的氮氧化物,可舉例如,SiOpNq。在此,重視提升無機層(a)之密著性時,以1<p<2.0、0<q<1.0,使無機層(a)為富氧膜為佳。此外,重視提升無機層(a)之水蒸氣阻隔性時,以0<p<0.8、0.8<q<1.3,使無機層(a)為富氮膜為佳。
鋁的氧化物、氮化物及氮氧化物,可舉例如,AlOx、AiNy及AlOpNq。
其中,由無機阻隔性之觀點,可使用SiOpNq及AlOx,以及該等之混合物,作為更佳的材料。
無機層(a)的厚度,以100nm以上為佳,以300nm以上更佳,以500nm以上特別佳,以2500nm以下為佳,以2000nm以下更佳,以1500nm以下特別佳。藉由使無機層(a)的厚度在於上述範圍的下限值以上,可得良好的阻氣性。此外,藉由使之在於上限值以下,可邊維持充分的阻氣性邊抑制複合阻氣層積體著色成黃色。
形成無機層(a)之薄膜(a),即阻氣層積體(A)之水蒸氣穿透率,以2×10-2g/m2.day以下為佳,以1×10-2g/m2.day以下更佳。另一方面,水蒸氣穿透率之下限,以0g/m2.day為佳,惟即使係其以上之值,只要在上述上限以下的範圍內,
即可良好地使用。
無機層(a),可藉由例如,於成為基材之薄膜(a)的
表面,以蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、離子束輔助蒸鍍法、電弧放電電漿蒸鍍法、熱CVD法、電漿CVD法等的成膜方法形成。其中,採用熱CVD法、電漿CVD法等的化學氣相成長法為佳。根據化學氣相成長法,可藉由調整用於製膜之氣體成分,可形成具有可撓性之無機層(a)。此外,藉由得到具有可撓性之無機層(a),無機層(a)可追隨薄膜(a)之變形或在高溫高濕環境下之薄膜(a)之尺寸變化,可於低真空度環境以高製膜速率製膜,可實現良好的阻氣性。無機層(a),以如此之化學氣相成長法形成時,厚度之下限以300nm以上為佳,以500nm以上更佳,上限以2000nm以下為佳,以1500nm以下更佳。
[3.阻氣層積體(B)]
如第1圖所示,阻氣層積體(B)20,具備:薄膜(b)21;及形成於薄膜(b)21之至少一面21U之無機層(b)22。因此,通常,薄膜(b)21與無機層(b)22直接接觸。
薄膜(b),可使用與薄膜(a)同樣的薄膜。因此,例
如薄膜(b)之材料、形狀、厚度、物性、製造方法等,可與薄膜(a)之項所說明者相同。薄膜(b),係於阻氣層積體(B),可顯現與薄膜(a)在阻氣層積體(A)所發揮的相同的效果。
此外,無機層(b),可使用與無機層(a)同樣的層。
因此,例如無機層(b)之材料、形狀、厚度、物性、製造方法等,可與無機層(a)之項所說明者相同。無機層(b),係於阻氣層積體(B),可顯現與無機層(a)在阻氣層積體(A)所發揮的相同的效
果。即,可使阻氣層積體(A)與(B)之水蒸氣穿透率分別在2×10-2g/m2.day以下,故可使複合阻氣積層身體約為1×10-2g/m2.day以下,可實現良好的阻氣性。
於複合阻氣層積體,係以使阻氣層積體(A)產生捲
曲的應力與使阻氣層積體(B)產生捲曲之應力互相抵消的方向將阻氣層積體(A)與阻氣層積體(B)貼合。因此,使阻氣層積體(A)及阻氣層積體(B)產生捲曲的應力相同,則可穩定地防止複合阻氣層積體的捲曲。因此,由穩定地防止複合阻氣層積體之捲曲的觀點,薄膜(b)與薄膜(a)以相同材料形成且具有相同的厚度,進一步無機層(b)與無機層(a)以相同材料形成且具有相同厚度為佳。在此,所謂相同,係指阻氣層積體(A)及阻氣層積體(B)之捲曲的大小成一樣的範圍之相同的意思。因此,阻氣層積體(A)及阻氣層積體(B)之捲曲大小變得一樣的範圍,則例如,厚度及材料的成分比例等,可於薄膜(a)與薄膜(b),以及無機層(a)與無機層(b)不同。
[4.苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層]
如第1圖所示,在於複合阻氣層積體100,阻氣層積體(A)10與阻氣層積體(B)20,使無機層(a)12與無機層(b)22相對地,經由苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層30接著。此時,由於使無機層(a)12與無機層(b)22相面地使阻氣層積體(A)10與阻氣層積體(B)20接著,故可將阻氣層積體(A)之捲曲應力與阻氣層積體(B)20之捲曲應力互相抵消。因此,複合阻氣層積體100不會發生捲曲。
通常,苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂,受到應力時,
可按照其應力而變形。因此,例如,將複合阻氣層積體100折彎時,或受到熱衝擊時等,於阻氣層積體(A)10或阻氣層積體(B)20產生應力時,可藉由苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層30之變形吸收該應力。因此,可抑制很大的應力集中在無機層(a)12及無機層(b)22的一部分,故可防止無機層(a)12及無機層(b)22發生裂紋。因此,可良好地維持複合阻氣層積體100之阻氣性。此相較於,例如使用UV硬化樹脂作為接著劑進行接著時,由於硬化後的UV硬化樹脂的硬度高而無法依應力而變形,故無機層(a)及無機層(b)容易發生裂紋,係為優良的效果。
此外,苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂,由於一般,
不含殘留溶劑,或其量很少,故脫氣少。因此,苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂,在低壓環境下,不容易發生氣體,故不會有複合阻氣層積體本身成為氣體發生源而損及阻氣性。此消相較於,例如使用接著劑將阻氣層積體(A)與阻氣層積體(B)接著時,由於接著劑含有溶劑而脫氣量變多,係為優良的效果。
上述優點,在將複合阻氣層積體設於有機EL元件
及有機太陽能電池等的有機光電轉換元件時特別有用。例如,製造有機光電轉換元件時,使用複合阻氣層積體作為基材,於該基材上進行形成有機材料層之步驟。在此,於形成有機材料層之步驟,有發生很大的溫度變化,或將基材放置於低壓環境之情形。此時,只要藉由苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層,將阻氣層積體(A)與阻氣層積體(B)接著,則可抑制發生裂紋及脫氣,可維持很高的阻氣性。
苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂,係苯乙烯系熱塑性
彈性體,與按照必要含有之其他任意成分之樹脂。此外,苯乙烯系熱塑性彈性體,係於其分子之構造單位,具有芳香族乙烯基化合物單位之熱塑性彈性體。在此,所謂芳香族乙烯基化合物單位,係指具有將苯乙烯等的芳香族乙烯基化合物聚合形成之構造之構造單位。此外,所謂熱塑性彈性體,係只即使不加硫處理,亦於室溫具有橡膠彈性之聚合物,於高溫與通常的熱塑性樹脂一樣,可使用現存之成形機成形之聚合物。熱塑性彈性體,一般係於分子中具有彈性之橡膠成分(即,柔軟段),及防止塑性變形之分子拘束成分(即,硬段)。苯乙烯系熱塑性彈性體,通常具有上述的芳香族乙烯基化合物單位作為硬段。
苯乙烯系熱塑性彈性體,以芳香族乙烯基化合物-
共軛二烯嵌段共聚物及其氫化物為佳。在此,芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物,係指由包含芳香族乙烯基化合物單位之聚合物嵌段[A]、及包含鏈狀共軛二烯化合物單位之聚合物嵌段[B]所組成之嵌段共聚物。此外,所謂鏈狀共軛二烯化合物,係指將鏈狀共軛二烯化合物聚合形成之構造之構造單位。該等嵌段共聚物及其氫化物,亦可例如以烷氧基矽烷、羧酸、羧酸酐等變性。其中,以使用苯乙烯之芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物(以下,有適宜稱為「苯乙烯-共軛二烯嵌段共聚物」之情形。)之芳香族乙烯基化合物及其氫化物為佳,以苯乙烯-共軛二烯嵌段共聚物之氫化物特別佳。以下,具體說明關於芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物及其氫化物。
如上所述,聚合物嵌段[A],包含芳香族乙烯基化合物單位。對應於該芳香族乙烯基化合物單位之芳香族乙烯基化合物,可舉例如,苯乙烯、α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、4-第三丁基苯乙烯、5-第三丁基-2-甲基苯乙烯、4-單氯苯乙烯、二氯苯乙烯,4-單氟苯乙烯、4-苯基苯乙烯等。該等,可以1種單獨使用,亦可以任意比例組合2種以上使用。其中,於吸濕性之面,以不含極性基者為佳。再者,由工業上之取得容易性,耐衝擊性的觀點,以苯乙烯特別為佳。
在於聚合物嵌段[A],通常芳香族乙烯基化合物單位係主成分。具體而言,聚合物嵌段[A]之芳香族乙烯基化合物單位之含有率,通常為90重量%以上,以95重量%以上為佳,以99重量%以上更佳,通常為100重量%以下。在於聚合物嵌段[A],藉由使芳香族乙烯基化合物單位的量如上所述的多,可提高複合阻氣層積體之耐熱性。
此外,聚合物嵌段[A],亦可含有芳香族乙烯基化合物單位以外的成分。芳香族乙烯基化合物單位以外的成分,可舉例如,具有將鏈狀共軛二烯化合物單位、芳香族乙烯基化合物以外的乙烯基化合物聚合形成之構造之構造單位等。
對應鏈狀共軛二烯化合物單位之鏈狀共軛二烯化合物,可舉例如1,3-丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。該等,可以單獨1種使用,亦可以任意比例組合2種以上使用。其中,在吸濕性方面以不含極性基者為佳,具體而言,以1,3-丁二烯、異戊二烯特別佳。
芳香族乙烯基化合物以外之乙烯基化合物,可舉例如,鏈狀乙烯基化合物;環狀乙烯基化合物;具有腈基、烷氧基羰基、羥基羰基或鹵素基之乙烯基化合物;不飽和環狀酸酐;不飽和醯亞胺化合物等。舉較佳之例,則乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-二十烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等的鏈狀烯烴;乙烯基環己烷等的環狀烯烴等的不含極性基者,於吸濕性方面為佳。其中,以鏈狀烯烴更佳,以乙烯、丙烯特別佳。此外,該等可以1種單獨,亦可以任意比例組合2種以上使用。
在於聚合物嵌段[A]之芳香族乙烯基化合物單位以外的成分之含有率,通常為10重量%以下,以5重量%以下為佳,以1重量%以下更佳,通常為0重量%以上。
芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物1分子當量之聚合物嵌段[A]之數量,通常為2個以上,通常為5個以下,以4個以下為佳,以3個以下更佳。複數個聚合物嵌段[A],可互相相同,亦可不同。
如上所述,聚合物嵌段[B],包含鏈狀共軛二烯化合物單位。該鏈狀共軛二烯化合物單位,例如,可同樣地舉出例示作為可含於聚合物嵌段[A]者。
在於聚合物嵌段[B],通常鏈狀共軛二烯化合物單位係主成分。具體而言,於聚合物嵌段[B]之鏈狀共軛二烯化合物單位之含有率,通常為90重量%以上,以95重量%以上為佳,以99重量%以上更佳,通常為100重量%以下。在於聚合物嵌段[B],藉由使鏈狀共軛二烯化合物單位的量如上所述
的多,可提升複合阻氣層積體之低溫耐衝擊性。
此外,聚合物嵌段[B],亦可含有鏈狀共軛二烯化
合物單位以外的成分。鏈狀共軛二烯化合物單位以外的成分,可舉例如,芳香族乙烯基化合物單位,以及具有聚合芳香族乙烯基化合物以外之乙烯基化合物形成之構造之構造單位等。該等之芳香族乙烯基化合物單位,以及具有聚合芳香族乙烯基化合物以外之乙烯化合物形成之構造之構造單位,例如,可同樣地舉出例示作為可含於聚合物嵌段[A]者。
在於聚合物嵌段[B]之鏈狀共軛二烯化合物單位以
外的成分之含有率,通常為10重量%以下,以5重量%以下為佳,以1重量%以下更佳,通常為0重量%以上。特別是在使聚合物嵌段[B]之芳香族乙烯基化合物單位之含有率變低,可提升苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之低溫柔軟性,可提升複合阻氣層積體之低溫耐衝擊性。
在於芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物1
分子當量之聚合物嵌段[B]之數量,通常為1個以上,惟亦可為2個以上。在於芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物之聚合物嵌段[B]之數量為2以上的時,聚合物嵌段[B]可互相相同,亦可不同。
芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物之嵌段
形態,可為鏈狀型嵌段,亦可為徑向型嵌段。其中,鏈狀型嵌段,機械性強度優良而佳。芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物之特別佳的形態,係於聚合物嵌段[B]之兩端鍵結聚合物嵌段[A]之三嵌段共聚物;於聚合物嵌段[A]的兩端鍵結聚
合物嵌段[B],進一步於該兩聚合物嵌段[B]之另一端分別鍵結聚合物嵌段[A]之五嵌段共聚物。
在於芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物,
使全聚合物嵌段[A]佔芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物全體之重量分率為wA,使聚合物嵌段[B]佔芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物全體之重量分率為wB。此時,wA與wB之比(wA/wB),以20/80以上為佳,以35/65以上更佳,以40/60以上特別佳,以80/20以下為佳,以65/35以下更佳,以60/40以下特別佳。藉由使wA/wB在於上述範圍之下限值以上,可提升複合阻氣層積體之耐熱性。此外,藉由在於上限值以下,可提升苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之柔軟性,可穩定而良好地維持穩定複合阻氣層積體100之阻氣性能。
聚合物嵌段[A]或聚合物嵌段[B]於1分子當量複
數存在時,使聚合物嵌段[A]之中重量平均分子量最大的聚合物嵌段及最少的聚合物嵌段的重量平均分子量,分別為Mw(A1)及Mw(A2),於聚合物嵌段[B]之中,使重量平均分子量之最大聚合物嵌段及最少的聚合物嵌段之重量平均分子量,分別為Mw(B1)及Mw(B2)。此時,Mw(A1)與Mw(A2)之比「Mw(A1)/Mw(A2)」,以2.0以下為佳,以1.5以下更佳,以1.2以下特別佳,通常為1以上。此外,Mw(B1)與Mw(B2)之比「Mw(B1)/Mw(B2)」,以2.0以下為佳,以1.5以下更佳,以1.2以下特別佳,通常為1以上。藉此,可將各種物性值之離散抑制較小。
芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物之分子
量,係以四氫呋喃(THF)為溶劑之GPC測定之聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw),因此,通常為30,000以上,以40,000以上為佳,以50,000以上更佳,通常為200,000以下,以150,000以下為佳,以100,000以下更佳。此外,芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物之分子量分佈(Mw/Mn),以3以下為佳,以2以下更佳,以1.5以下特別佳。
芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物之製造
方法,例如製造具有三個聚合物嵌段之嵌段共聚物時,可舉如下之製造方法。
(i)具有:使含有芳香族乙烯基化合物之單體混合物(a1)聚合作為形成聚合物嵌段[A]之單體成分之第1步驟;使含有鏈狀共軛二烯化合物的單體混合物(b1)聚合作為形成聚合物嵌段[B]之單體成分之第2步驟;及使含有芳香族乙烯基化合物的單體混合物(a2)(惟,單體混合物(a1)與單體混合物(a2)可為相同,亦可不同。)聚合作為形成聚合物嵌段[A]之單體成分之第3步驟之製造方法。
(ii)使含有芳香族乙烯基化合物的單體混合物(a1)聚合作為形成聚合物嵌段[A]之單體成分之第1步驟;使含有鏈狀共軛二烯化合物的單體混合物(b1)聚合作為形成聚合物嵌段[B]之單體成分之第2步驟;及將聚合物嵌段[B]的末端,以偶合劑使之偶合之製造方法。
將上述單體混合物聚合得到各個聚合物嵌段的方
法,可使用例如,自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合、配位陰離子聚合、配位陽離子聚合等。使聚合操作及後步驟之氫
化反應容易的觀點,將自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等,以活性聚合進行脂方法為佳,以活性陰離子聚合進行之方法特別佳。
上述單體混合物之聚合,係於聚合起始劑的存在
下通常為0℃以上,以10℃以上為佳,以20℃以上更加,此外,通常為100℃以下,以80℃以下為佳,以70℃以下的溫度範圍進行更佳。
活性陰離子聚合時,聚合起始劑,可使用例如正丁基鋰、第二丁基鋰、第三丁基鋰、己基鋰等的單有機鋰;二鋰基甲烷、1,4-二鋰基丁烷、1,4-二鋰基-2-乙基環己烷等的多官能性有機鋰化合物等。此外,該等可以1種單獨使用,亦可以任意比例組合2種以上使用。
聚合反應之形態,以溶液聚合,泥漿聚合等之任
一均無妨。其中,使用溶液聚合,則容易去除反應熱。
進行溶液聚合時,溶劑,使用可溶解各步驟所得之聚合物之惰性溶劑。惰性溶劑,可舉例如,正戊烷、異戊烷、正己烷、正庚烷、異辛烷等的脂肪烴類;環戊烷、環己烷、甲基環戊烷、甲基環己烷、十氫化萘等的脂環烴類;苯、甲苯等的芳香族烴類等。該等可以1種單獨使用,亦可以任意比例組合2種以上使用。其中,使用脂環烴類作為溶劑,則於氫化反應亦可作為惰性溶劑直接使用,由於對芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物之溶解性亦良好而佳。溶劑的使用量,對全部使用單體100重量部,通常為200重量部~2000重量部。
各個單體混合物有包含2種以上的單體之情形,
為防止只有某1成分的鏈變長,可使用例如隨機化劑。特別是將聚合反應以陰離子聚合進行時,例如使用路易斯鹼化合物等作為隨機化劑。作為路易斯鹼化合物,可舉例如二甲醚、二乙醚、二異丙醚、二丁醚、四氫呋喃、二苯醚、乙二醇乙醚、乙二醇甲基苯基醚等的醚化合物;四甲基乙二胺、三甲胺、三乙胺、吡啶等的3級胺化合物;第三戊基氧化鉀、第三丁基氧化鉀等的鹼金屬烷氧化物;三苯膦等的膦化合物等。該等可以1種單獨使用,亦可以任意比例組合2種以上使用。
上述芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物,
氫化使用為佳。藉由將芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物之氫化物,用於作為苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂,可使苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之脫氣發生量更少。
芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物之氫化
物,係將芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物之主鏈及側鏈之碳-碳不飽和鍵結,以及芳香環的碳-碳不飽和鍵結氫化者。其氫化率,通常為90%以上,以97%以上為佳,以99%以上更佳,通常為100%以下。氫化率越高,可使苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之耐熱性及耐光性良好。在此,氫化物之氫化率,可藉由1H-NMR之測定求得。
特別是,主鏈及側鏈之碳-碳不飽和鍵結之氫化率,以95%以上為佳,以99%以上更佳,通常為100%以下。由於藉由提高主鏈及側鏈之碳-碳不飽和鍵結之氫化率,可提高苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之耐光性及耐氧化性。
此外,芳香環之碳-碳不飽和鍵結之氫化率,以90%以上
為佳,以93%以上更佳,以95%以上特別佳,通常為100%以下。由於藉由提高芳香環的碳-碳不飽和鍵結之氫化率,可使聚合物嵌段[A]氫化所得之聚合物嵌段之玻璃轉移溫度變高,故可有效地提升複合阻氣層積體的耐熱性。
具體的氫化方法,只要可得所期望的氫化物並無
限制,但以可提高氫化率,嵌段共聚物之鏈切斷反應少之氫化方法為佳。如此之較佳的氫化方法例,可舉例如選自由鎳、鈷、鐵、鈦、銠、鈀、鉑、釕、錸組成之群之至少1種金屬之氫化觸媒進行之方法。氫化觸媒,以非均相觸媒,均相觸媒均可使用。此外,氫化反應,於有機溶劑中進行為佳。
非均相系觸媒,例如,可以金屬或金屬化合物直
接使用,亦可擔持於擔體使用。擔體,可舉例如,活性炭、二氧化矽、氧化鋁、碳酸鈣、二氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯、矽藻土、碳化矽、氟化鈣等。觸媒的擔持量,對觸媒及擔體的共計量,通常為0.1重量%以上,以1重量%以上為佳,通常為60重量%以下,以50重量%以下為佳。此外,擔持型觸媒之比面積,以100m2/g~500m2/g為佳。再者,擔持型觸媒之平均細孔徑,以100Å為佳,以200Å以上更佳,以1000Å以下為佳,以500Å以下更佳。在此,比表面積,係測定氮吸附量使用BET式求得。此外,平均細孔徑,可以水銀壓入法測定。
均相系觸媒,可使用例如,鎳、鈷、鈦或鐵的化
合物與有機金屬化合物組合之觸媒;銠、鈀、鉑、釕、錸等的有機金屬錯合物觸媒等。
鎳、鈷、鈦或鐵的化合物,可舉例如,各金屬之乙醯丙酮
化合物、羧酸鹽、環戊二烯基化合物等。
此外,有機金屬化合物,可舉例如,三乙基鋁、三異丁基鋁等的烷基鋁、二乙基氯化鋁、乙基二氯化鋁等的鹵化鋁、二異丁基鋁氫化物等的氫化烷基鋁等的有機鋁化合物;及有機鋰化合物等。
有機金屬錯合物觸媒,可舉例如,四(三苯膦)二氫化釕、四(三苯膦)二氫化鐵、雙(環辛二烯)鎳、雙(環戊二烯)鎳等的過渡金屬錯合物。
該等的氫化觸媒,可以1種單獨使用,亦可以任
意比例組合2種以上使用。
氫化觸媒之使用量,對芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物100重量部,通常為0.01重量部以上,以0.05重量部以上為佳,以0.1重量部以上更佳,通常為100重量部以下,以50重量部以下為佳,以30重量部以下更佳。
氫化反應的溫度,通常為10℃以上,以50℃以上
為佳,以80℃以上更佳,通常為250℃以下,以200℃以下為佳,以180℃以下更佳。溫度在此範圍時,氫化率變高,分子切斷亦減少。此外,氫化反應時之氫壓力,通常為0.1MPa以上,以1MPa以上為佳,以2MPa以上更佳,通常為30MPa以下,以20MPa以下為佳,以10MPa以下更佳。氫壓力在於該範圍時,氫化率變高,分子鏈切斷亦減少,操作性亦優良。
以上述方法所得之芳香族乙烯基化合物-共軛二烯
嵌段共聚物之氫化物,將氫化觸媒及聚合觸媒,由包含氫化物之反應溶液,藉由例如過濾、離心分離等的方法去除之後,由
反應溶液回收。由反應溶液回收氫化物之方法,可舉例如,由溶解氫化物之溶液藉由蒸汽抽提去除溶劑之蒸汽凝固法;於減壓加熱下去除溶劑之直接脫溶劑法;將溶液注入氫化物之貧溶劑中使之析出及凝固之凝固法等。
回收之芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物
之氫化物之形態,並無限定,而為容易供於之後的成形加工或變性反應,通常為膠粒形狀。藉由由直接脫溶劑法由反應溶液回收氫化物時,可例如,將熔融狀態的氫化物由模具擠出膠條狀,冷卻後,以製粒機切割成膠粒狀,供於各種成形。此外,使用凝固法時,可例如,將所得凝固物乾燥之後,藉由擠出機以熔融狀態擠出,以與上述同樣地作成膠粒狀,供於各種成形或變性反應。
芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物的氫化
物之分子量,係以四氫呋喃作為溶劑之凝膠滲透層析儀(GPC)測定之聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw),通常為30,000以上,以40,000以上為佳,以45,000以上更佳,通常為200,000以下,以150,000以下為佳,以100,000以下更佳。此外,芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物的氫化物之分子量分佈(Mw/Mn)以3以下為佳,以2以下更佳,以1.5以下特別佳。
藉由使氫化物之分子量及分子量分佈在於上述範圍,可提升複合阻氣層積體之機械強度及耐熱性。
苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂可含有之任意成分,
可舉例如,用於提升耐候性或耐熱性等之光安定劑、紫外線吸收劑、氧化防止劑、潤滑劑、無機填充劑等。此外,該等可以
1種單獨使用,亦可以任意比例組合2種以上使用。
光安定劑,以受阻胺系光安定劑為佳,在於構造
中,例如具有3,5-二第三丁基-4-羥基苯基、2,2,6,6-四甲基哌啶基或1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基等的化合物特別佳。
光安定劑之具體例,可舉1,2,3,4-丁烷四羧酸、
1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶醇及3,9-雙(2-羥基-1,1-二甲基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷的混合酯化物;1,6-己二胺-N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)與嗎啉-2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪之聚縮合物;1-[2-[3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸基]乙基]-4-[3-3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸基]-2,2,6,6-四甲基哌啶、2-(3,5-二第三丁基-4-羥基苄基)-2-正丁基丙二酸-雙-(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)、2-(3,5-二第三丁基-4-羥基苄基)-2-正丁基丙二酸-雙-(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)、4-(3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸基)-1-(2-(3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸基)乙基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(1-苄基-2-苯基乙基)-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(2-(1-吡咯烷基)乙基)-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(2-(4-嗎啉基)乙基)-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-(2-(4-嗎啉基)乙基)-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(2-(二異丙基胺基)乙基)-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(2,4,6-三甲基苄基)-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(3-(2-乙基己氧基)丙基)-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(3,4-(亞甲基二氧)苄基)-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(二環[2.2.1]庚
基)-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-1,2,2-三甲基丙基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-1,3-二甲基丁基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-1-苄基乙基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-2,2-二甲基丙基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-2-乙基己基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-3-甲基丁基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-4-羥基丁基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-4-羥基丁基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-異丙基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-異丙基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-第三丁基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-異丙基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-乙氧基乙基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-乙氧基丙基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-十八烷基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-辛基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-辛基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-氯苄基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-二乙基胺基乙基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-環十二基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-環己基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基羰基哌啶、4-(N-環己基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-環己基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-環戊基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-環戊基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-二甲基胺基丙基-N-甲酸基胺
基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-癸基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-癸基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-十二基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-吡啶基甲基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-苯基乙基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-苯基乙基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-丁基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-丁基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-氟苄基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-己基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-己基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-戊基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-戊基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-甲基環己基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-甲基苄基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-甲氧基苄基-N-甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(甲酸基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-[N-(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N-甲酸基胺基]-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-[N-(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N-甲酸基胺基]-2,2,6,6-四甲基哌啶、N,N',N",N"'-四-(4,6-雙(丁基-(N-甲基-2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)胺基)-三嗪-2-基)-4,7-二氮雜癸烷-1,10-胺、N,N-雙(2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基哌啶基)-N,N'-二甲基-1,4-亞二甲苯基二胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基哌啶基)-N,N'-二甲酸基-三亞甲基胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基哌啶基)-N,N'-二甲酸基-六亞甲基二胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基
-4-N-甲基哌啶基)-N,N'-二甲酸基乙二胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-二甲酸基-1,4-亞二甲苯基二胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-二甲基乙二胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-二甲基三亞甲基胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-二甲酸基-六亞甲基二胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基丙烯醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基花生醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙環六亞甲基當歸醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基十一醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基十一碳烯醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基油醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基鱈油醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基羊脂醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基癸醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基己醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基巴豆醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基香茅醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基硬脂醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基棕櫚油醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基十三烷基醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基十九烷基醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基棕櫚醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基混合氧化松節油醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶
基)-N,N'-雙六亞甲基丙醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基庚醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基二十二醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基正壬醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基十五烷醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基十七烷醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基十四烷醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基月桂醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基-5-十二碳烯醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基吉草醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基乙醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基十四碳烯醯胺、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-雙六亞甲基酪醯胺、琥珀酸二甲酯與4-羥基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶乙醇之聚合物、二丁胺與1,3,5-三嗪及N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)丁胺之聚縮合物、雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)-2-(3,5-二第三丁基-4-羥基)-2-正丁基丙二酸酯、雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、聚[(6-巴嗎啉基-s-三嗪-2,4-二基)[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]-六亞甲基[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]、聚[{(1,1,3,3-四甲基丁基)胺基-1,3,5-三嗪-2,4-二基}{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}六亞甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]、聚[6-(1,1,3,3-四甲基丁基)胺基-1,3,5-三嗪-2,4-二基}{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}六亞甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基
-4-哌啶基)-1,6-己二胺與2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪之聚合物、及N-丁基-1-丁胺與N-丁基-2,2,6,6-四甲基-4-吡啶胺之反應生成物等。
該等之中,以耐候性優良之點,以N,N'-雙(2,2,6,6-
四甲基-4-N-甲基哌啶基)-N,N'-二甲酸基亞烷基二胺類、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-二甲酸基亞烷基二胺類、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-二亞烷基脂肪醯胺類、聚[6-(1,1,3,3-四甲基丁基)胺基-1,3,5-三嗪-2,4-二基}{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}六亞甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]為佳,以N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N'-二甲酸基亞烷基二胺類、N,N'-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基零)-1,6-己二胺與2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪之聚合物、及N-丁基-1-丁胺與N-丁基-2,2,6,6-四甲基-4-吡啶胺之反應生成物特別佳。
光安定劑的量,對苯乙烯系熱塑性彈性體100重
量,通常為0.01重量部以上,以0.02重量部以上為佳,以0.03重量部以上更佳,通常為5重量部以下,以2重量部以下為佳,以1重量部以下更佳。藉由將光安定劑的量設定於上述範圍之下限值以上,可提高耐候性。此外,藉由使之在上限值以下,在將苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂成形為薄膜狀之熔融成形加工時,可防止擠出機之T模具或冷卻輥輪的污垢,可提升加工性。
紫外線吸收劑,可舉例如二苯甲酮系紫外線吸收劑、柳酸系紫外線吸收劑、苯並三唑系紫外線吸收劑等。
二苯甲酮系紫外線吸收劑,可舉例如2,4-二羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮-5-磺酸3水和物、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮、4-十二烷氧基-2-羥基二苯甲酮、4-苄氧基-2-羥基二苯甲酮、2,2',4,4'-四羥基二苯甲酮、2,2'-二羥基-4,4'-二甲氧基二苯甲酮等。
此外,柳酸系紫外線吸收劑,可舉例如,苯基柳
酸酯、4-第三丁基苯基-2-羥基苯甲酸酯、苯基-2-羥基苯甲酸酯、2,4-二第三丁基苯基-3,5-二第三丁基-4-羥基苯甲酸酯、十六烷基-3,5-二第三丁基-4-羥基苯甲酸酯等。
此外,苯並三唑系紫外線吸收劑,可舉例如,2-(2-
羥基-5-甲基苯基)-2H-苯並三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯-2H-苯並三唑、2-(3,5-二第三丁基-2-羥基苯基)-5-氯-2H-苯並三唑、2-(3,5-二第三丁基-2-羥基苯基)-2H-苯並三唑、5-氯-2-(3,5-二第三丁基-2-羥基苯基)-2H-苯並三唑、2-(3,5-二第三戊基-2-羥基苯基)-2H-苯並三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)-2H-苯並三唑、2-(2-羥基-4-辛基苯基)-2H-苯並三唑、2-(2H-苯並三唑-2-基)-4-甲基-6-(3,4,5,6-四氫鄰苯二甲醯亞胺基甲基)酚、2,2'-亞甲基雙[4-(1,1,3,3-四甲基丁基)-6-[(2H-苯並三唑-2-基)酚]]等。
紫外線吸收劑之量,對苯乙烯系熱塑性彈性體100
重量部,通常為0.01重量部以上,以0.02重量部以上為佳,以0.04重量部以上更佳,通常1重量部以下,以0.5重量部以下為佳,以0.3重量部以下更佳。藉由使用上述範圍之下限值以上的紫外線吸收劑,可改善耐光性,惟即使超過上限而過剩
地使用,亦難以得到進一步的改善。
氧化防止劑,可舉例如,磷系氧化防止劑、酚系
氧化防止劑、硫系氧化防止劑等,以著色較少的磷系氧化防止劑為佳。
磷系氧化防止劑,可舉例如,亞磷酸三苯酯、亞磷酸二苯基異癸酯、亞磷酸苯基二異癸酯、亞磷酸三(壬基苯基)酯、亞磷酸三(二壬基苯基)酯、亞磷酸三(2,4-二第三丁基苯基)酯、10-(3,5-二第三丁基-4-羥基苄基)-9,10-二氫-9-氧-10-磷菲-10-氧化物等的單亞磷酸酯系化合物;亞磷酸4,4'-亞丁基-雙(3-甲基-6-第三丁基苯基-二-十三烷基)酯、亞磷酸4,4'-異亞丙基-雙(苯基-二烷基(C12~C15))酯等之二亞磷酸酯系化合物;6-[3-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙氧基]-2,4,8,10-四-第三丁基二苯並[d,f][1.3.2]二噁磷雜庚英、6-[3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙氧基]-2,4,8,10-四-第三丁基二苯並[d,f][1.3.2]二噁磷雜庚英等的化合物。
酚系氧化防止劑,可舉例如,異戊四醇.四[3-(3,5-
二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、2,2-硫代-二亞乙基雙[3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、十八烷基-3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、3,9-雙{2-[3-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙烯醯氧]-1,1-二甲基乙基-2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷、1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二第三丁基-4-羥基)苯等的化合物。
硫系氧化防止劑,可舉例如,二月桂基-3,3'-硫代
二丙酸酯、二肉豆蔻基-3,3'-硫代二丙酸酯、二硬脂基-3,3'-硫
代二丙酸酯、月桂基硬脂基-3,3'-硫代二丙酸酯、異戊四醇四-(β-月桂基硫代丙酸酯)、3,9-雙(2-十二基硫代乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷等的化合物。
氧化防止劑之量,對苯乙烯系熱塑性彈性體100
重量部,通常為0.01重量部以上,以0.05重量部以上為佳,以0.1重量部以上更佳,通常為1重量部以下,以0.5重量部以下為佳,以0.3重量部以下更佳。藉由使用上述範圍之下限值以上的氧化防止劑,可改善熱穩定性,惟即使超過上限而過剩地使用,亦難以得到進一步的改善。
將苯乙烯系熱塑性彈性體與上述任意成分混合之
方法,可舉例如,將任意成分以適當的溶劑溶解與苯乙烯系熱塑性彈性體之溶液混合之後,去除溶劑回收含有任意成分之苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之方法;例如,以二軸混煉機、輥輪、塑譜儀、擠出機等,將苯乙烯系熱塑性彈性體以熔融狀態混練任意成分的方法等。
苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂,並不一定限於具有
高透明性者。惟,在使複合阻氣層積體,有用於例如,顯示裝置、光源裝置或太陽電池,要求穿透光的部分之觀點,苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂以具有高的透明性者為佳。例如,將苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂,以厚度1mm的試驗片測定之全光線穿透率,通常為70%以上,以80%以上為佳,以90%以上更佳,通常以100%以下者為佳。
苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層之厚度,以10μm
以上為佳,以15μm以上更佳,以20μm以上特別佳,以150μm
以下為佳,以120μm以下更佳,以100μm以下特別佳。藉由使苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層之厚度在上述範圍之下限值以上,可藉由擠出成形法製造苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之薄膜。此外,只要有該程度的厚度,即使假設在苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂混入小的異物,可防止因該異物使苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層之厚度不均勻。此外,藉由使之為上限值以下,可抑制貼合後的彎曲,可形成均勻的複合阻氣層積體,此外,可使複合阻氣層積體的厚度較薄。
苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層,通常係以長條
的薄膜準備,使用該薄膜進行製造複合阻氣層積體。苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂薄膜之製造方法,並無特別限制,可使用例如,熔融成形法、溶液流延法之任一。熔融成形法,可更詳地,分類為例如,擠出成形法、壓製成形法、膨脹成形法、射出成形法、吹塑成形法、延伸成形法等。該等方法之中,為得機械強度、表面精度等優良之薄膜,以擠出成形法、膨脹成形法或壓製成形法為佳,其中由可有效而簡單地製造薄膜的觀點,以擠出成形法特別佳。
[5.任意之層]
複合阻氣層積體,於上述以外,按照必要亦可具備任意構成要素。
例如,於複合阻氣層積體之一方的外側面,亦可形成黏團防止層。藉由形成黏團防止層,可防止複合阻氣層積體之黏團。此外,於複合阻氣層積體之儲存時及搬運時,亦可保護複合阻氣層積體之表面。黏團防止層,可例如,以矽酮系剝離劑、
長鏈烷基系剝離劑、氟系剝離劑、硫化鉬等的剝離劑的方法;形成包含惰性粒子等之滑劑之樹脂層之方法;等形成。
複合阻氣層積體之外側面,通常,相當於薄膜(a)
或薄膜(b)之與無機層(a)或無機層(b)之相反側的表面。因此,黏團防止層,通常,形成於上述薄膜(a)或薄膜(b)之與無機層(a)或無機層(b)相反側之表面。在此,黏團由於在較薄膜(a)或薄膜(b)表面形成無機層(a)或無機層(b)之前的時點容易發生,故形成黏團防止層之步驟,在較在薄膜(a)或薄膜(b)的表面上形成無機層(a)或無機層(b)之步驟前進行為佳。
此外,複合阻氣層積體,例如,亦可具備帶電防止層、硬塗層、導電性賦予層、污染防止層、凹凸構造層等。其中,導電性賦予層,亦可係藉由印刷或蝕刻圖案化者。該任意之層,亦可藉由例如,於薄膜(a)或薄膜(b)上塗佈該任意之層之材料,使之硬化之方法;藉由熱壓接黏貼的方法。
[6.複合阻氣層積體之物性]
複合阻氣層積體之全體之水蒸氣穿透率,以1×10-2g/m2.day以下為佳,以1×10-3g/m2.day以下更佳。此外,下限理想係零,惟現實上係1×10-6g/m2.day以上。如此之水蒸氣穿透率,可藉由適當地選擇無機層及其他層的材質及厚度而達成。
此外,複合阻氣層積體,即使是置於高溫環境時,其阻氣性不容易損壞。具體而言,即使在150℃的環境中放置1小時時,通常,可將該水蒸氣穿透率收在如上所述的範圍。再者,複合阻氣層積體,通常,置於低壓環境時,脫氣的發生量少。如此地,複合阻氣層積體,具有很高的阻氣性,由於在
高溫或低壓環境亦可良好地維持其阻氣性,故具有優良的耐候性。
複合阻氣層積體,不容易發生捲曲。因此,可使下述測定方法所求得之捲曲量,通常較1mm小。
在此,捲曲量,係以如下方法測定。首先,衝出5cm四方的樣品。將衝出的樣品片放置在水平的載台上。此時,於垂直上方以發生凹狀的捲曲的方向,配置樣品片。測定配置之樣品片之角部4點,由載台的距離。計算測定之4點之距離之平均值,以該平均值作為捲曲量。
在於複合阻氣層積體,阻氣層積體(A)與阻氣層積體(B)之接著力,於製作後之接著力,以1.0N/cm以上為佳,以2.0N/cm以上更佳。此外,製作之後之接著力,與暴露於高溫高濕下之後的接著力之差,以0%以上10%以下為佳。
複合阻氣層積體,柔軟而可撓性優良。因此,即使將複合阻氣層積體折彎,並不會容易發生龜裂。因此,不容易因外力而降低阻氣性。
複合阻氣層積體之透明性,並無特別限定。惟,在使複合阻氣層積體,有用於例如,顯示裝置、光源裝置或太陽電池,要求穿透光的部分之觀點,複合阻氣層積體之全光線穿透率,以70%以上為佳,以80%以上更佳,以90%以上特別佳,通常為100%以下。
複合阻氣層積體全體之霧度,並無特別限定,用於不特別意圖光擴散之之光學性用途時,霧度一般較低較佳,以3.0%以下為佳,以1.0%以下更佳,通常為0%以上。
[7.複合阻氣層積體之製造方法]
複合阻氣層積體,可例如,以包含:於薄膜(a)之至少一面形成無機層(a)得到阻氣層積體(A)之步驟;於薄膜(b)之至少一面形成無機層(b)得到阻氣層積體(B)之步驟;及將阻氣層積體(A)、阻氣層積體(B)及苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之薄膜(c),以薄膜(a)、無機層(a)、薄膜(c)、無機層(b)及薄膜(b)之順序重疊,加熱壓接之步驟之方法製造。
如此地,根據將具備無機層(a)之阻氣層積體(A),
與具備無機層(b)之阻氣層積體(B)貼合之方法,可容易地製造阻氣性能高,不容易發生捲曲之複合阻氣層積體。例如,欲製造具有複數無機層之複合阻氣層積體時,可考慮於薄膜以濺鍍等的方法反覆進行,形成複數無機層之方法。但是如此地,於一片薄膜以濺鍍等的方法形成複數無機層,在製造步驟上困難。對此,將具備無機層之複數阻氣層積體貼合之上述方法,則容易製造具有複數無機層之複合阻氣層積體。特別是,可減少進行濺鍍等的低壓步驟的次數,可有效提升製造效率。
此外,由於將阻氣層積體(A)與阻氣層積體(B),以
苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之薄膜(c)接著,故容易貼合。例如,將阻氣層積體(A)與阻氣層積體(B),以流體狀的接著劑接著時,由於阻氣層積體(A)及阻氣層積體(B),容易分別單獨發生捲曲,故難以均勻地貼合。對此,以成形為薄膜狀的苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂進行接著,則使上述貼合變得容易,可穩定地製造複合阻氣層積體。
於薄膜(a)及薄膜(b)的表面,形成無機層(a)及無機
層(b)的方法,如無機層(a)之項目所說明。通常,所得阻氣層積體(A)及阻氣層積體(B)係以長條薄膜而得,將該等捲繞成捲筒狀供於下一步驟。
第2圖係示意表示關於本發明之一實施形態之複
合阻氣層積體100之製造方法,將阻氣層積體(A)10、阻氣層積體(B)20及苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之薄膜(c)加熱壓接之步驟之圖。在此,苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之薄膜(c),由於係相當於與上述苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層30相同的構件,故附以同樣的符號「30」說明。
如第2圖所示,阻氣層積體(A)10、阻氣層積體
(B)20及苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之薄膜(c)30,係分別由捲筒拉出,例如以可控制溫度之加壓輥輪210、220等,加熱壓接。此時,阻氣層積體(A)10及阻氣層積體(B)20,係以無機層(a)及無機層(b)與薄膜(c)30相對的方向。藉由使苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂成為接著劑,將阻氣層積體(A)10與阻氣層積體(B)20接著,得到複合阻氣層積體100。所得複合阻氣層積體100,係被捲取以捲筒的狀態儲存。如此地,將複合阻氣層積體100以捲對捲法製造,可進一步提升生產率。
進行加熱壓接時的溫度,雖依苯乙烯系熱塑性彈
性體樹脂之薄膜(c)顯示流動性的溫度,惟通常為70℃以上,以80℃以上為佳。藉此,可將阻氣層積體(A)與阻氣層積體(B)穩定地接著。此外,溫度的上限,通常為250℃以下,以形成薄膜(a)及薄膜(b)之脂環聚烯烴樹脂之玻璃轉移溫度Tg℃以下為佳。特別是,使上述苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之薄膜(c)
顯示流動性之溫度作為脂環聚烯烴樹脂之玻璃轉移溫度Tg以下,以Tg以下的溫度進行加熱壓接,可防止薄膜(a)及薄膜(b)因熱的變形,於加壓壓接製程前後的熱收縮、惡化。
進行加熱壓接時之由加壓輥輪施加的壓力,通常
為0.1MPa以上。藉此,可將阻氣層積體(A)與阻氣層積體(B)穩定地接著。此外,壓力的上限,通常為1.5MPa以下,以1.0MPa以下為佳。藉此,可防止因過剩的壓力,使無機層(a)或無機層(b)發生龜裂。
阻氣層積體(A)、阻氣層積體(B)及苯乙烯系熱塑性
彈性體樹脂之薄膜(c),以長條薄膜準備,邊將該等長條的薄膜在線上輸送進行加熱壓接時,輸送時之線速度,通常為0.1m/分以上,,以0.2m/分以上為佳,以0.3m/分以上更佳,以5m/分以下,以3m/分以下更佳,以2m/分以下更佳。藉由使線速度在上述範圍之下限以上,可有效地製造成。此外,藉由使之在上限以下,可將阻氣層積體(A)與阻氣層積體(B)穩定地進行接著。
[8.複合阻氣層積體之用途]
上述複合阻氣層積體之用途,並無特別限定,可用於例如,液晶顯示裝置及具有有機EL元件之顯示裝置及光源裝置、以及太陽能電池等的裝置之構成要素。具體而言,可將構成裝置之其他的構成要素,使用於作為用於由水分及氧保護之封裝薄膜。
作為特別良好的用途,可使用於作為有機LE元件用的複合阻氣積層積體。
[9.複合電極]
第3圖係示意表示將關於本發明之一實施形態之複合電極300,以與其主面垂直的平片斷面之剖面之圖。如第3圖所示,複合電極300,具備:複合阻氣層積體100;及形成於複合阻氣層積體100之一方的外側面11U之透明電極40。此外,在於第3圖,關於與第1圖所表示者相同的部位,以與第1圖相同的符號表示。
如此地,將複合阻氣層積體100與透明電極40組合之複合電極300,可作用作為電極,此外,亦具有優良的阻氣性。
因此,可良好地用於例如,有機EL元件及有機太陽能電池等的有機光電轉換元件。
透明電極的材料,可舉例如金屬薄膜、ITO(indium
tin oxide:銦錫氧化物)、IZO(indium zinc oxide:銦鋅氧化物)、SnO2等。此外,該等可以1種單獨使用,亦可以任意比例組合2種以上使用。
此外,透明電極之厚度,通常可為10nm~1000nm。
上述透明電極能,例如,可藉由物理氣相成長法形成。物理氣相成長法,係將材料蒸發或離子化,於複合阻氣層積體的表面形成上述材料之披膜的方法。物理氣相成長法之具體例,可舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、離子束沉積法等。
藉由物理氣相成長法形成透明電極之步驟,一般係於高溫或低壓環境進行。此時,上述複合阻氣層積體,在於高溫環境,無機層(a)及無機層(b)不容易發生龜裂,不容易損
及阻氣性。此外,上述複合阻氣層積體,在於低壓環境,亦不容易由苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層發生脫氣。因此,使用上述複合阻氣層積體,通常,由於可自由選擇透明電極之形成條件,其結果,可減低透明電極之電阻值。此外,可容易地製造透明電極。
但,由穩定地防止無機層(a)及無機層(b)發生龜裂
的觀點,於進行無機層(a)及無機層(b)之形成步驟前,進行形成透明電極之步驟為佳。依照透明電極的種類,在於形成透明電極之步驟,有要求嚴酷的環境之情形。例如,如第3圖所示,於薄膜(a)11的表面11U製造具備ITO之透明電極40之複合電極300時,於薄膜(a)11形成無機層(a)12之步驟之前,於薄膜(a)之表面11U形成透明電極40為佳。
[實施例]
以下,表示實施例具體說明本發明。惟,本發明並非限定於以下的實施例,在不脫離本發明之申請範圍及其均等的範圍的範圍可任意變更實施。
在於以下的說明,表示量之「%」及「部」,只要沒有特別提及,係重量基準。此外,以下所說明的操作,只要沒有特別提及,係於常溫及常壓條件進行。
[測定方法]
(1.捲曲量的測定方法)
將樣品以5cm正方形衝出。將衝出的樣品片放置在水平的載台上。此時,於垂直上方以發生凹狀的捲曲的方向,配置樣品片。測定配置之樣品片之角部4點,從載台的距離。計算測
定之4點之距離之平均值,以該平均值作為捲曲量。
(2.水蒸氣穿透率之測定方法)
使用具有8cm直徑的圓形之測定區域之差壓式測定裝置,於樣品的兩側形成相當於40℃ 90%RH之水蒸氣之壓力,測定水蒸氣穿透率。
[實施例1]
將捲筒狀的脂環聚烯烴樹脂薄膜(包含降冰片烯聚合物之薄膜,日本ZEON公司製「ZEONOR FILM ZF16」,厚度100μm)拉出,於其一方的表面,以濺鍍裝置形成厚度100nm的SiN膜,得到阻氣層積體(A)。所得阻氣層積體(A),具有捲曲量4mm的捲曲。
再者,與上述阻氣層積體(A)同樣地,製造阻氣層積體(B)。
此外,準備由厚度100μm的苯乙烯異戊二烯苯乙烯共聚物所組成之薄膜,作為熱塑性彈性體薄膜。上述苯乙烯異戊二烯苯乙烯共聚物,係將使用芳香族乙烯基化合物作為苯乙烯,使用異戊二烯作為鏈狀共軛二烯化合物所製造之芳香族乙烯基化合物-共軛二烯嵌段共聚物氫化,進一步以烷氧基矽烷變性之聚合物,具有於聚合物嵌段[B]的兩端,鍵結聚合物嵌段[A]之三嵌段構造。此外,該苯乙烯異戊二烯苯乙烯共聚物,重量平均分子量(Mw)為48,000,聚合物嵌段之重量分率之比「wA/wB」為50/50,聚合物嵌段[A]之重量平均分子量之比「Mw(A1)/Mw(A2)」為1.1,氫化率為99.9%。
將阻氣層積體(A)及阻氣層積體(B),使SiN膜相對配置,於其間隙挾持熱塑性彈性體薄膜。將如此地重疊之阻氣
層積體(A)、熱塑性彈性體薄膜及阻氣層積體(B),以相對之一對樹脂輥輪由兩側加壓向長條方向輸送。此時,樹脂輥輪之溫度調節為150℃。此外,輸送時之線速度為0.3m/min。此外,樹脂輥輪之加壓強度為0.1MPa。藉此,可將阻氣層積體(A)、熱塑性彈性體薄膜及阻氣層積體(B)加熱壓接,得到脂環聚烯烴樹脂薄膜-SiN膜-熱塑性彈性體薄膜-SiN膜-脂環聚烯烴樹脂薄膜之構成之複合阻氣層積體。
測定所得複合阻氣層積體之捲曲量及水蒸氣穿透率,捲曲量為1mm以下,水蒸氣穿透率為8×10-3g/m2.day。
此外,將複合阻氣層積體放置於150℃的環境1小時之後,在常溫環境下取出,觀察外觀,進一步測定水蒸氣穿透率,外觀上並沒有變化,此外,水蒸氣穿透率亦保持8×10-3g/m2.day之水蒸氣穿透率。
再者,將所得複合阻氣層積體配置於腔體中,以真空幫浦(ULVAC公司製「GHD-030」)由腔體將空氣排氣,在約20小時之後腔體內壓力達到1×10-4torr。
此外,雖將複合阻氣層積體折彎,但並沒有產生龜裂等。
[實施例2]
輥輪狀的脂環聚烯烴樹脂薄膜(包含降冰片烯聚合物之薄膜,日本ZEON公司製「ZEONOR FILM ZF16」,厚度100μm)拉出,於其一方的表面,以電漿CVD裝置形成厚度1μm的SiOC膜,得到阻氣層積體(A)。所得阻氣層積體(A),具有捲曲量15mm的捲曲。
再者,與上述阻氣層積體(A)同樣地,製造阻氣層積體(B)。
此外,準備與實施例1同樣的熱塑性彈性體薄膜。
將阻氣層積體(A)及阻氣層積體(B),使SiOC膜相對配置,於其間隙挾持熱塑性彈性體薄膜。將如此地重疊之阻氣層積體(A)、熱塑性彈性體薄膜及阻氣層積體(B),以與實施例1同樣的條件,以相對之一對樹脂輥輪由兩側加壓向長條方向輸送。藉此,將阻氣層積體(A)、熱塑性彈性體薄膜及阻氣層積體(B)加熱壓接,得到脂環聚烯烴樹脂薄膜-SiOC膜-熱塑性彈性體薄膜-SiOC膜-脂環聚烯烴樹脂薄膜之構成之複合阻氣層積體。
測定所得複合阻氣層積體之捲曲量及水蒸氣穿透率,捲曲量為1mm以下,水蒸氣穿透率為5×10-4g/m2.day。
此外,將複合阻氣層積體放置於150℃的環境1小時之後,觀察外觀,進一步測定水蒸氣穿透率,外觀上並沒有變化,水蒸氣穿透率亦保持5×10-3g/m2.day之水蒸氣穿透率。
此外,雖與實施例1同樣地將複合阻氣層積體折彎,但並沒有產生龜裂等。
[比較例1]
代替脂環聚烯烴樹脂薄膜使用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜以外,以與實施例1同樣地製造複合阻氣層積體。
測定所得複合阻氣層積體之捲曲量及水蒸氣穿透率,捲曲量為1mm以下,水蒸氣穿透率為1×10-2g/m2.day。
但是,將該複合阻氣層積體放置於150℃的環境1小時之後,於常溫環境下取出,測定水蒸氣穿透率,水蒸氣穿透率惡
化成5×10-2g/m2.day。
[比較例2]
代替熱塑性彈性體薄膜,使用無溶劑之丙烯酸系UV硬化樹脂(大同化成公司製「DAIOLET PS3A」),厚度100μm,將阻氣層積體(A)與阻氣層積體(B)接著以外,以與實施例同樣地,製造複合阻氣層積體1。
測定所得複合阻氣層積體之捲曲量及水蒸氣穿透率,捲曲量為1mm以下,水蒸氣穿透率為8×10-3g/m2.day。但是,以與實施例1同樣地將複合阻氣層積體折彎,則容易發生龜裂。
[比較例3]
代替熱塑性彈性體薄膜,使用將丙烯酸系接著劑之板片(日東電工公司製「CS9621」,厚度25μm)重疊4層作成100μm者以外,以與實施例1同樣地,製造複合阻氣層積體。
測定所得複合阻氣層積體之捲曲量及水蒸氣穿透率,捲曲量為1mm以下,水蒸氣穿透率為8×10-3g/m2.day。但是,將該複合阻氣層積體配置於腔體中,以與實施例1同樣地以真空幫浦由腔體將空氣排出,約20小時後的室內壓力為6×10-4torr,30小時後為2×10-4torr,而真空排氣耗時。
[討論]
以實施例1及2所得之複合阻氣層積體捲曲量小。由此,可知藉由本發明,可實現不容易產生捲曲之複合阻氣層積體。
此外,於比較例1,阻氣性在高溫環境下降。再者,於比較例2,容易因折彎發生龜裂,而損及阻氣性。此外,比較例3,在低壓環境,由複合阻氣層積體產生氣體,使阻氣性
變低。對此,實施例1及2所得之複合阻氣層積體,抑制在於高溫環境中的阻氣性下降,因折彎發生龜裂及複合阻氣層積體本身發生氣體。由此,可知藉由本發明,可得柔軟而可撓性優良,可實現容易維持良好的阻氣性之複合阻氣層積體。
10‧‧‧阻氣層積體(A)
11‧‧‧薄膜(a)
11D、11U、21U‧‧‧面
12‧‧‧無機層(a)
20‧‧‧阻氣層積體(B)
21‧‧‧薄膜(b)
22‧‧‧無機層(b)
30‧‧‧苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層(薄膜(c))
100‧‧‧複合阻氣層積體
Claims (6)
- 一種複合阻氣層積體,其係將阻氣層積體(A),其具有脂環聚烯烴樹脂之薄膜(a)、及形成於上述薄膜(a)之至少一面之無機層(a);與阻氣層積體(B),其具有脂環聚烯烴樹脂之薄膜(b)、及形成於上述薄膜(b)之至少一面之無機層(b);使上述無機層(a)與上述無機層(b)相對地經由苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之層接著。
- 根據申請專利範圍第1項之複合阻氣層積體,其中上述熱塑性彈性體樹脂之層之厚度為10μm~150μm,上述熱塑性彈性體樹脂,包含苯乙烯-共軛二烯嵌段共聚物氫化物。
- 根據申請專利範圍第1項之複合阻氣層積體,其中上述無機層(a)及上述無機層(b)係經由化學氣相成長法形成之含有至少Si之層,上述無機層(a)及上述無機層(b)之厚度為300nm~2000nm。
- 根據申請專利範圍第1項之複合阻氣層積體,其中上述無機層(a)與上述無機層(b)以相同材料形成,且,具有相同厚度,上述薄膜(a)與上述薄膜(b)以相同材料形成,且具有相同的厚度。
- 一種有機EL元件用複合電極,其具有上述申請專利範圍第1項之複合阻氣層積體,及於上述複合阻氣層積體之一方的外側面,以物理氣相成長法形成之透明電極。
- 一種複合阻氣層積體之製造方法,包括:於脂環聚烯烴樹脂之薄膜(a)之至少一面,形成無機層(a),得到阻氣層積體(A)之步驟;於脂環聚烯烴樹脂之薄膜(b)之至少一面,形成無機層(b),得到阻氣層積體(B)之步驟;及將上述阻氣層積體(A)、上述阻氣層積體(B)、及苯乙烯系熱塑性彈性體樹脂之薄膜(c),以上述薄膜(a)、上述無機層(a)、上述薄膜(c)、上述無機層(b)、及上述薄膜(b)之順序重疊、加熱壓接之步驟。
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