TW201411343A - 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法 - Google Patents

資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201411343A
TW201411343A TW101132292A TW101132292A TW201411343A TW 201411343 A TW201411343 A TW 201411343A TW 101132292 A TW101132292 A TW 101132292A TW 101132292 A TW101132292 A TW 101132292A TW 201411343 A TW201411343 A TW 201411343A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
logical
flash memory
write protection
physical address
logical address
Prior art date
Application number
TW101132292A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI492051B (zh
Inventor
Chang-Kai Cheng
Original Assignee
Silicon Motion Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Silicon Motion Inc filed Critical Silicon Motion Inc
Priority to TW101132292A priority Critical patent/TWI492051B/zh
Priority to CN201210428040.7A priority patent/CN103678144B/zh
Priority to CN201710537094.XA priority patent/CN107329905B/zh
Priority to US13/970,779 priority patent/US9563550B2/en
Publication of TW201411343A publication Critical patent/TW201411343A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI492051B publication Critical patent/TWI492051B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/80—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
    • G11C29/816—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout for an application-specific layout
    • G11C29/82—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout for an application-specific layout for EEPROMs
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7201—Logical to physical mapping or translation of blocks or pages
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7204—Capacity control, e.g. partitioning, end-of-life degradation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

一種資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法。所述資料儲存裝置係以快閃記憶體儲存資料、邏輯-物理位址映射表、及寫入保護標示表。寫入保護標示表標示各邏輯位址為寫入保護與否。資料儲存裝置的一控制器係根據一主機發送的一動態容量管理要求所指示的一段空間釋出邏輯位址修改該邏輯-物理位址映射表，以斷開該段空間釋出邏輯位址原本的邏輯-物理位址對應關係。該控制器更將該寫入保護標示表中對應該段空間釋出邏輯位址的旗標切換為寫入保護狀態、且對應修正一壽命終了判斷參數，以使得該快閃記憶體跳脫一壽命終了狀態，允許資料寫入操作。

Description

資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法
本發明係有關於一種資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法。
快閃記憶體(FLASH memory)為常見的一種非揮發性儲存技術，牽涉電性抹除與編程技術。
以非及閘型的快閃記憶體(NAND FLASH)為例，主要用作記憶卡(memory card)、通用序列匯流排閃存裝置(USB flash device)、固態硬碟(SSD)…等產品。採多晶片封裝，將NAND Flash晶片與控制晶片包成一顆晶片者則稱為嵌入式快閃記憶體模組(eMMC)
非及閘型的快閃記憶體之儲存陣列包括複數個區塊(blocks)，各區塊的空間更可劃分為多個「頁」(pages)；作資料儲存用的區塊稱為資料區塊(data blocks)，且另有閒置區塊(spare blocks)待配置使用。視使用狀況，儲存空間可能會有損毀發生。由於損壞的區塊需排除不再使用，閒置區塊的數量會隨之減少。一旦閒置區塊的數量低於一臨界量，整個快閃記憶體通常需切換成一壽命終了(End-of-Life，ELF)狀態，只允許讀取而不能再寫入資料。
本領域一項重要課題即如何延長快閃記憶體的使用壽命，允許使用者正常讀寫之。
本發明揭露一種資料儲存裝置以及一種快閃記憶體控制方法。
根據本發明一種實施方式所實現的資料儲存裝置包括：快閃記憶體以及控制器。快閃記憶體提供空間儲存資料、邏輯-物理位址映射表、以及寫入保護標示表。寫入保護標示表係用於標示各邏輯位址為寫入保護與否。控制器係根據主機發送的一動態容量管理要求所指示的一段空間釋出邏輯位址修改該邏輯-物理位址映射表，以斷開該段空間釋出邏輯位址原本的邏輯-物理位址對應關係。此外，該控制器更將該寫入保護標示表中對應該段空間釋出邏輯位址的旗標切換為寫入保護狀態、且對應修正一壽命終了判斷參數，以使該快閃記憶體跳脫一壽命終了狀態，允許資料寫入操作。
根據本發明一種實施方式所實現的快閃記憶體控制方法，包括：根據主機發送的一動態容量管理要求所指示的一段空間釋出邏輯位址修改一快閃記憶體所儲存的一邏輯-物理位址映射表，以斷開該段空間釋出邏輯位址原本的邏輯-物理位址對應關係；將該快閃記憶體所儲存的一寫入保護標示表中對應該段空間釋出邏輯位址的旗標切換為寫入保護狀態，該寫入保護標示表係以旗標標示各邏輯位址為寫入保護與否；以及，根據該寫入保護標示表的各旗標之狀態對應修正一壽命終了判斷參數，以使該快閃記憶體跳脫一壽命終了狀態，允許資料寫入操作。
為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖示，詳細說明如下。
第1圖為一方塊圖，圖解有根據本發明一種實施方式所實現的一資料儲存裝置100。
資料儲存裝置100包括：一快閃記憶體(Flash memory)102、一控制器104以及一隨機存取記憶體(RAM)106。快閃記憶體102的儲存空間可以區塊(block)劃分，使用過的區塊需整個區塊一同抹除(erase)後方能視為閒置空間待配置使用。如圖所示，用於資料儲存的區塊稱為資料區塊112(包括區塊Blk1…BlkN…BlkN+l…BlkM)；尚待配置使用的區塊歸類成閒置區塊114；更有多個區塊係用來儲存映射表-包括一邏輯-物理位址映射表H2F、一寫入保護標示表WriteProt以及一斷電保護表PoffProt。斷電保護表PoffProt為選用設計，使用方式稍後討論。邏輯-物理位址映射表H2F標示邏輯位址至物理空間的映射；一種實施方式係以集合頁(superpage)為映射單位-各邏輯端索引會映射到物理端的一集合頁(superpage，佔多頁(pages)空間)。寫入保護標示表WriteProt可以旗標(flags)標示各邏輯位址為寫入保護與否；在一種實施方式中，寫入保護標示表WriteProt各索引對應一寫入保護群組(write protect group，尺寸可達多個集合頁)。控制器104係用於控制該快閃記憶體102，且更可根據一主機120所發來的指令操作該快閃記憶體102。隨機存取記憶體106用於暫存該控制器104運算中所產生的資料-例如，關於上述表格H2F、WriteProt或PoffProt之更新-控制器104係先將更新內容 暫存於隨機存取記憶體106，再擇時一併更新至快閃記憶體102。
在一種實施方式中，資料儲存裝置100可為一嵌入式快閃記憶體模組(eMMC)，主機120可為一行動通訊裝置或一平板電腦…等類似裝置。主機120之設計允許發出一動態容量管理(Dynamic Capacity Management)要求，其中指示有一段空間釋放邏輯位址Hi~Hj。如圖所示，該段空間釋放邏輯位址原本映射至區塊BlkN~BlkN+l，其內容可為主機120端之系統資訊(雖寫入該快閃記憶體102但無關實際欲以快閃記憶體102儲存的資料)。控制器104係根據該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj修改該邏輯-物理位址映射表H2F，以斷開該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj原本的邏輯-物理位址對應關係(如圖所示，修正H2F中索引Hi~Hj的內容H2F[Hi：Hj])。如此一來，區塊BlkN~BlkN+l不與任何邏輯位址相關，可歸類為閒置區塊114。此外，該控制器104更將該寫入保護標示表WriteProt中對應該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj的旗標WPGk切換為寫入保護狀態。如此一來，該段空間釋放邏輯位址Hi~Hj所對應的系統資訊為寫入保護，無須再於該快閃記憶體102規劃空間儲存之，可更節省使用該快閃記憶體102的儲存空間。隨著以上設計，控制器104得以一併修正一壽命終了判斷參數(以下標號為EOL_para)，使該快閃記憶體102跳脫一壽命終了狀態，允許資料寫入操作。
在一種實施方式中，該壽命終了判斷參數EOL_para係正相關於該快閃記憶體102中可用的閒置區塊數量，而 該控制器104係根據該寫入保護標示表WriteProt中處於上述寫入保護狀態的旗標之數量對應修正該壽命終了判斷參數EOL_para。舉例來說，壽命終了判斷參數EOL_para可代表該快閃記憶體102中閒置且非損壞的區塊數量。若該寫入保護標示表WriteProt之旗標狀況掃描結果顯示有數量Release_Blk的區塊經由本案所揭露之技術釋放為閒置區塊，則舊有的EOL_para數值加上區塊數量Release_Blk即可用來作為新的壽命終了判斷參數EOL_para。若該壽命終了判斷參數EOL_para低於一臨界量，控制器104設定該快閃記憶體102為壽命終了狀態；反之，控制器104設定該快閃記憶體102不為壽命終了狀態，允許寫入操作。經由本案所揭露之技術所釋放出來的區塊數量Release_Blk即用來提升該壽命終了判斷參數EOL_para，使之超越該臨界量。如此一來，該快閃記憶體102得以跳脫該壽命終了狀態，允許資料寫入操作。特別聲明之，區塊數量Release_Blk不限定由掃描該寫入保護標示表WriteProt之旗標狀況取得。區塊數量Release_Blk可常態儲存在快閃記憶體102中，凡寫入保護標示表WriteProt有新設定為「寫入保護狀態」的旗標即遞增其數值。
在一種實施方式中，該邏輯-物理位址映射表H2F各欄位係儲存一物理位址指標，指示一物理區塊位址以及一物理頁編號。為了斷開一段空間釋出邏輯位址原本的邏輯-物理位址對應關係，控制器104可將該邏輯-物理位址映射表H2F中該段空間釋出邏輯位址所對應的物理位址指標皆填入數值零，或者，控制器104可修正該邏輯-物理位址映射 表H2F中該段空間釋出邏輯位址所對應的物理位址指標，使之全指向一無效物理空間。
此段落討論選用的上述斷電保護表PoffProt。斷電保護表PoffProt可以旗標標示各邏輯位址是否有未完成的動態容量管理要求。參考第1圖，控制器104接收到該動態容量管理要求後即可將該斷電保護表PoffProt中對應該段空間釋放邏輯位址Hi~Hj的一旗標PoPk設定為”ON”狀態，直至映射表H2F與WriteProt以及壽命終了判斷參數EOL_para更新完畢後方將該旗標PoPk切換為”OFF”狀態。如此一來，若該動態容量管理要求執行過程中有斷電發生，控制器104只要在復電時檢查該斷電保護表PoffProt，即可發現旗標PoPk仍為”ON”狀態，因而得以將中斷的動態容量管理程序重新啟動。
第2圖以流程圖圖解根據本發明一種實施方式所實現的一種快閃記憶體控制方法。所述控制方法可以韌體方式燒錄於第1圖之控制器104的唯讀記憶體中、或程式化於第1圖之快閃記憶體102中，由控制器104內的運算單元執行實現；或者，任何應用所述控制方法控制一快閃記憶體的技術也屬於本案所欲保護範圍。以下為了說明方便，搭配第1圖說明各步驟。
步驟S202接收主機120發送的動態容量管理要求。該動態容量管理要求指示一段空間釋出邏輯位址Hi~Hj，所對應的是該主機120之系統資訊。步驟S204將斷電保護表PoffProt中對應該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj的一旗標PoPk設定為”ON”狀態。步驟S206係根據該段空間釋出邏 輯位址Hi~Hj修改該邏輯-物理位址映射表H2F的欄位H2F[Hi：Hj]，以斷開該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj原本的邏輯-物理位址對應關係。步驟S208則是將寫入保護標示表WriteProt中對應該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj的標籤WPGk設定為一寫入保護狀態。步驟S210係根據該寫入保護標示表WriteProt中為寫入保護狀態的旗標數量修正上述壽命終了判斷參數EOL_para。步驟S212將斷電保護表PoffProt中對應該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj的旗標PoPk復原為”OFF”狀態。藉由以上壽命終了判斷參數EOL_para修正技術，快閃記憶體102得以脫離壽命終了狀態，允許寫入操作。步驟S204以及S212所揭露的斷電保護設計(可視使用者需求選用)可更確保裝置的可靠度。
第3圖以流程圖圖解關於一復電狀況的快閃記憶體控制方法。步驟S302掃描該斷電保護表PoffProt。若無”ON”狀態之旗標存在，流程進入步驟S304，由於無未完成的動態容量管理要求存在，所述控制程序將等待主機120端其他控制信號。若偵測到”ON”狀態之旗標，流程則進入步驟S306，根據”ON”狀態之旗標所對應的邏輯位址重啟其動態容量管理要求(即執行第2圖之程序)。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧資料儲存裝置
102‧‧‧快閃記憶體
104‧‧‧控制器
106‧‧‧隨機存取記憶體
112‧‧‧資料區塊
114‧‧‧閒置區塊
120‧‧‧主機
Blk1…BlkN…BlkN+l…BlkM‧‧‧區塊
H2F‧‧‧邏輯-物理位址映射表
H2F[Hi：Hj]‧‧‧邏輯-物理位址映射表H2F中對應邏輯位址Hi~Hj的欄位
PoPk‧‧‧斷電保護表PoffProt中對應該段空間釋放邏輯位址Hi~Hj的一旗標
PoffProt‧‧‧斷電保護表
S202‧‧‧接收一主機120發送的動態容量管理要求
S204‧‧‧將斷電保護表PoffProt中對應該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj的一旗標PoPk設定為”ON”狀態
S206‧‧‧根據該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj修改邏輯-物理位址映射表H2F的欄位H2F[Hi：Hj]，以斷開該段空間釋 出邏輯位址Hi~Hj原本的邏輯-物理位址對應關係
S208‧‧‧將寫入保護標示表WriteProt中對應該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj的標籤WPGk設定為一寫入保護狀態
S210‧‧‧根據該寫入保護標示表WriteProt中為寫入保護狀態的旗標數量修正上述壽命終了判斷參數EOL_para
S212‧‧‧將斷電保護表PoffProt中對應該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj的旗標PoPk復原為”OFF”狀態
S302‧‧‧掃描該斷電保護表PoffProt
S304‧‧‧判定無未完成的動態容量管理要求存在，故等待主機120端其他控制信號
S306‧‧‧根據”ON”狀態之旗標所對應的邏輯位址重啟其動態容量管理要求(即執行第2圖之程序)
WPGk‧‧‧寫入保護標示表WriteProt中對應該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj的旗標
WriteProt‧‧‧寫入保護標示表
第1圖為一方塊圖，圖解有根據本發明一種實施方式所實現的一資料儲存裝置100；第2圖以流程圖圖解根據本發明一種實施方式所實現的一種快閃記憶體控制方法；且第3圖以流程圖圖解關於一復電狀況的快閃記憶體控制方法。
S202‧‧‧接收一主機120發送的動態容量管理要求
S204‧‧‧將斷電保護表PoffProt中對應該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj的一旗標PoPk設定為”ON”狀態
S206‧‧‧根據該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj修改邏輯-物理位址映射表H2F的欄位H2F[Hi：Hj]，以斷開該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj原本的邏輯-物理位址對應關係
S208‧‧‧將寫入保護標示表WriteProt中對應該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj的標籤WPGk設定為一寫入保護狀態
S210‧‧‧根據該寫入保護標示表WriteProt中為寫入保護狀態的旗標數量修正上述壽命終了判斷參數EOL_para
S212‧‧‧將斷電保護表PoffProt中對應該段空間釋出邏輯位址Hi~Hj的旗標PoPk復原為”OFF”狀態

Claims (14)

  1. 一種資料儲存裝置，包括：一快閃記憶體，提供空間儲存資料以及一邏輯-物理位址映射表以及一寫入保護標示表，該寫入保護標示表標示各邏輯位址為寫入保護與否；以及一控制器，根據一主機發送的一動態容量管理要求所指示的一段空間釋出邏輯位址修改該邏輯-物理位址映射表，以斷開該段空間釋出邏輯位址原本的邏輯-物理位址對應關係，且更將該寫入保護標示表中對應該段空間釋出邏輯位址的旗標切換為寫入保護狀態、且對應修正一壽命終了判斷參數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中該壽命終了判斷參數係正相關於該快閃記憶體中可用的閒置區塊數量，而該控制器係根據該寫入保護標示表中處於上述寫入保護狀態的旗標之數量對應修正該壽命終了判斷參數。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之資料儲存裝置，其中該控制器係根據該壽命終了判斷參數是否低於一臨界量設定該快閃記憶體是否為該壽命終了狀態。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中，於斷開該段空間釋出邏輯位址原本的邏輯-物理位址對應關係時，該控制器係將該邏輯-物理位址映射表中該段空間釋出邏輯位址所對應的物理位址指標皆填入數值零。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中，於斷開該段空間釋出邏輯位址原本的邏輯-物理位址對 應關係時，該控制器係修正該邏輯-物理位址映射表中該段空間釋出邏輯位址所對應的物理位址指標皆指向一無效物理空間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存裝置，其中該控制器更於該快閃記憶體儲存一斷電保護表，標示各邏輯位址是否有未完成的動態容量管理要求。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之資料儲存裝置，其中，該控制器於復電時包括檢查該斷電保護表，使未完成的動態容量管理要求重新啟動。
  8. 一種快閃記憶體控制方法，包括：根據一主機發送的一動態容量管理要求所指示的一段空間釋出邏輯位址修改一快閃記憶體所儲存的一邏輯-物理位址映射表，以斷開該段空間釋出邏輯位址原本的邏輯-物理位址對應關係；將該快閃記憶體所儲存的一寫入保護標示表中對應該段空間釋出邏輯位址的旗標切換為寫入保護狀態，該寫入保護標示表係以旗標標示各邏輯位址為寫入保護與否；以及根據該寫入保護標示表的各旗標之狀態對應修正一壽命終了判斷參數。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之快閃記憶體控制方法，其中係根據該寫入保護標示表中處於上述寫入保護狀態的旗標之數量對應修正該壽命終了判斷參數，該壽命終了判斷參數係正相關於該快閃記憶體中可用的閒置區塊數量。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之快閃記憶體控制方法，更根據該壽命終了判斷參數是否低於一臨界量設定該快閃記憶體是否為該壽命終了狀態。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之快閃記憶體控制方法，係於斷開該段空間釋出邏輯位址原本的邏輯-物理位址對應關係時將該邏輯-物理位址映射表中該段空間釋出邏輯位址所對應的物理位址指標皆填入數值零。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之快閃記憶體控制方法，係於斷開該段空間釋出邏輯位址原本的邏輯-物理位址對應關係時修正該邏輯-物理位址映射表中該段空間釋出邏輯位址所對應的物理位址指標皆指向一無效物理空間。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之快閃記憶體控制方法，更於該快閃記憶體儲存一斷電保護表，標示各邏輯位址是否有未完成的動態容量管理要求。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之快閃記憶體控制方法，更於復電時檢查該斷電保護表使未完成的動態容量管理要求重新啟動。
TW101132292A 2012-09-05 2012-09-05 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法 TWI492051B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101132292A TWI492051B (zh) 2012-09-05 2012-09-05 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法
CN201210428040.7A CN103678144B (zh) 2012-09-05 2012-10-31 数据储存装置与快闪存储器控制方法
CN201710537094.XA CN107329905B (zh) 2012-09-05 2012-10-31 数据储存装置以及快闪存储器控制方法
US13/970,779 US9563550B2 (en) 2012-09-05 2013-08-20 Flash storage device and control method for flash memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101132292A TWI492051B (zh) 2012-09-05 2012-09-05 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201411343A true TW201411343A (zh) 2014-03-16
TWI492051B TWI492051B (zh) 2015-07-11

Family

ID=50189101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101132292A TWI492051B (zh) 2012-09-05 2012-09-05 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9563550B2 (zh)
CN (2) CN107329905B (zh)
TW (1) TWI492051B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9811473B2 (en) 2014-04-22 2017-11-07 Nuvoton Technology Corporation Storage unit controller and control method thereof, and storage device
TWI670601B (zh) * 2018-07-30 2019-09-01 慧榮科技股份有限公司 斷電保護方法及系統

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9959203B2 (en) 2014-06-23 2018-05-01 Google Llc Managing storage devices
WO2016000166A1 (zh) * 2014-06-30 2016-01-07 华为技术有限公司 一种数据处理方法及智能终端
TWI534619B (zh) * 2015-09-11 2016-05-21 慧榮科技股份有限公司 動態邏輯分段方法以及使用該方法的裝置
CN105868122A (zh) * 2016-03-28 2016-08-17 深圳市硅格半导体股份有限公司 快闪存储设备的数据处理方法及装置
TW201818248A (zh) * 2016-11-15 2018-05-16 慧榮科技股份有限公司 可應用於資料儲存裝置之記憶體管理方法
CN112992231A (zh) * 2017-02-02 2021-06-18 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及参数改写方法
US10331578B2 (en) * 2017-06-09 2019-06-25 Intel Corporation Fine-grained access host controller for managed flash memory
US10453547B2 (en) * 2017-06-16 2019-10-22 Seagate Technologies Llc Monitoring a memory for retirement
CN109753448A (zh) * 2017-11-03 2019-05-14 展讯通信（上海）有限公司 内存读写保护方法及装置
KR102589410B1 (ko) 2017-11-10 2023-10-13 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 그의 파워 제어 방법
CN110058788B (zh) * 2018-01-18 2022-06-14 伊姆西Ip控股有限责任公司 分配存储的方法、电子设备、存储系统和计算机程序产品
CN111104047B (zh) * 2018-10-25 2023-08-25 伊姆西Ip控股有限责任公司 管理冗余磁盘阵列的方法、设备和计算机可读存储介质
CN110059018B (zh) * 2019-04-02 2021-04-13 北京空间飞行器总体设计部 一种航天器的数据存储系统及访问方法
TWI695264B (zh) * 2019-05-20 2020-06-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與資料處理方法
CN112100087B (zh) * 2019-06-17 2024-04-02 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法
US11947818B2 (en) * 2022-04-20 2024-04-02 Silicon Motion, Inc. Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4890223A (en) * 1986-01-15 1989-12-26 Motorola, Inc. Paged memory management unit which evaluates access permissions when creating translator
US4763244A (en) * 1986-01-15 1988-08-09 Motorola, Inc. Paged memory management unit capable of selectively supporting multiple address spaces
US5623636A (en) * 1993-11-09 1997-04-22 Motorola Inc. Data processing system and method for providing memory access protection using transparent translation registers and default attribute bits
US5666509A (en) * 1994-03-24 1997-09-09 Motorola, Inc. Data processing system for performing either a precise memory access or an imprecise memory access based upon a logical address value and method thereof
US6301344B1 (en) * 1997-11-05 2001-10-09 Protel, Inc. Intelligent public telephone system and method
JP4288751B2 (ja) * 1999-05-25 2009-07-01 ソニー株式会社 記録媒体、データ処理装置
US6594744B1 (en) * 2000-12-11 2003-07-15 Lsi Logic Corporation Managing a snapshot volume or one or more checkpoint volumes with multiple point-in-time images in a single repository
US6901499B2 (en) * 2002-02-27 2005-05-31 Microsoft Corp. System and method for tracking data stored in a flash memory device
CN1253795C (zh) * 2002-03-28 2006-04-26 群联电子股份有限公司 通用串行总线架构快闪存储器储存装置
KR20040072875A (ko) * 2003-02-11 2004-08-19 유비시스테크놀러지 주식회사 낸드 플래시 메모리를 이용한 저장장치
JP2004265162A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Renesas Technology Corp 記憶装置およびアドレス管理方法
JP4188744B2 (ja) * 2003-04-08 2008-11-26 株式会社ルネサステクノロジ メモリカード
CN1926616B (zh) * 2004-01-19 2011-09-14 特科2000国际有限公司 使用存储器地址映射表的便携式数据存储设备
US7403945B2 (en) * 2004-11-01 2008-07-22 Sybase, Inc. Distributed database system providing data and space management methodology
CN101180612A (zh) * 2005-03-31 2008-05-14 日本电气株式会社 计算机系统、存储器管理方法及其程序
US7793068B2 (en) * 2005-12-21 2010-09-07 Sandisk Corporation Dual mode access for non-volatile storage devices
WO2007072367A2 (en) * 2005-12-21 2007-06-28 Nxp B.V. Memory with block-erasable locations
US20070150645A1 (en) * 2005-12-28 2007-06-28 Intel Corporation Method, system and apparatus for power loss recovery to enable fast erase time
KR100706808B1 (ko) * 2006-02-03 2007-04-12 삼성전자주식회사 쓰기 버퍼로서 동작하는 불 휘발성 메모리를 구비한 데이터저장 장치 및 그것의 블록 회수 방법
CN101046755B (zh) * 2006-03-28 2011-06-15 郭明南 一种计算机自动内存管理的系统及方法
JP4993928B2 (ja) * 2006-03-23 2012-08-08 株式会社日立製作所 記憶システム及び記憶領域解放方法並びにストレージシステム
US7523013B2 (en) * 2006-05-15 2009-04-21 Sandisk Corporation Methods of end of life calculation for non-volatile memories
US7844878B2 (en) * 2006-08-09 2010-11-30 Microsoft Corporation Dynamic electronic correction code feedback to extend memory device lifetime
US7596656B2 (en) * 2006-09-28 2009-09-29 Sandisk Corporation Memory cards with end of life recovery and resizing
US20080082725A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Reuven Elhamias End of Life Recovery and Resizing of Memory Cards
JP5102299B2 (ja) * 2006-09-28 2012-12-19 サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド メモリカードの寿命末期の回復およびサイズ変更
US8935302B2 (en) * 2006-12-06 2015-01-13 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Apparatus, system, and method for data block usage information synchronization for a non-volatile storage volume
CN100504814C (zh) * 2007-01-17 2009-06-24 忆正存储技术(深圳)有限公司 闪存的区块管理方法
JP2008257773A (ja) * 2007-04-02 2008-10-23 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、不揮発性半導体記憶装置の制御方法、不揮発性半導体記憶システム、及びメモリカード
CN100470506C (zh) * 2007-06-08 2009-03-18 马彩艳 基于sector访问的flash存储器的存储管理方法
CN100565477C (zh) * 2007-12-06 2009-12-02 浙江科技学院 一种NAND Flash存储器的动态管理方法
US20090271562A1 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Sinclair Alan W Method and system for storage address re-mapping for a multi-bank memory device
WO2009140700A1 (en) * 2008-05-16 2009-11-19 Fusion Multisystems, Inc. Apparatus, system, and method for detecting and replacing failed data storage
US8732388B2 (en) * 2008-09-16 2014-05-20 Micron Technology, Inc. Embedded mapping information for memory devices
US8040744B2 (en) * 2009-01-05 2011-10-18 Sandisk Technologies Inc. Spare block management of non-volatile memories
US8412880B2 (en) * 2009-01-08 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Memory system controller to manage wear leveling across a plurality of storage nodes
US20100235605A1 (en) * 2009-02-13 2010-09-16 Nir Perry Enhancement of storage life expectancy by bad block management
JP5342014B2 (ja) * 2009-08-31 2013-11-13 株式会社日立製作所 複数のフラッシュパッケージを有するストレージシステム
US8688894B2 (en) * 2009-09-03 2014-04-01 Pioneer Chip Technology Ltd. Page based management of flash storage
US8255656B2 (en) * 2009-09-15 2012-08-28 Phison Electronics Corp. Storage device, memory controller, and data protection method
TWI426528B (zh) * 2009-09-30 2014-02-11 Phison Electronics Corp 用於快閃記憶體的區塊管理方法、控制器與儲存系統
TWI423024B (zh) * 2009-11-23 2014-01-11 Phison Electronics Corp 用於快閃記憶體的資料儲存方法及其控制器與儲存系統
US8943264B2 (en) * 2009-11-23 2015-01-27 Phison Electronics Corp. Data storing method, and memory controller and memory storage apparatus using the same
US8745357B2 (en) * 2009-11-30 2014-06-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Remapping for memory wear leveling
TWI450099B (zh) * 2009-12-10 2014-08-21 Phison Electronics Corp 模擬可覆寫光碟裝置的儲存系統、控制器、電腦系統及方法
JP2011129192A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Samsung Electronics Co Ltd 半導体記憶装置
TWI493340B (zh) 2009-12-28 2015-07-21 Via Tech Inc 資料儲存系統與方法
WO2011099963A1 (en) * 2010-02-10 2011-08-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Identifying a location containing invalid data in a storage media
JP5550386B2 (ja) * 2010-03-03 2014-07-16 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びメモリシステム
JP5404483B2 (ja) * 2010-03-17 2014-01-29 株式会社東芝 メモリシステム
US8677080B2 (en) * 2010-04-27 2014-03-18 Hitachi, Ltd. Method of controlling total capacity of virtual volumes associated with pool and storage apparatus
US8966209B2 (en) * 2010-08-23 2015-02-24 Apple Inc. Efficient allocation policies for a system having non-volatile memory
US8417912B2 (en) * 2010-09-03 2013-04-09 International Business Machines Corporation Management of low-paging space conditions in an operating system
TWI420305B (zh) * 2010-10-08 2013-12-21 Phison Electronics Corp 記憶體儲存裝置、其記憶體控制器與自動產生填充檔案的方法
CN102651009B (zh) * 2011-02-28 2014-09-24 国际商业机器公司 一种存储系统中检索数据的方法和设备
JP2012203443A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Toshiba Corp メモリシステムおよびメモリシステムの制御方法
WO2013027642A1 (en) * 2011-08-19 2013-02-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device
US20130060989A1 (en) * 2011-09-07 2013-03-07 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for referencing data block usage information by way of an interface
TWI486765B (zh) * 2012-06-11 2015-06-01 Phison Electronics Corp 記憶體管理方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9811473B2 (en) 2014-04-22 2017-11-07 Nuvoton Technology Corporation Storage unit controller and control method thereof, and storage device
TWI670601B (zh) * 2018-07-30 2019-09-01 慧榮科技股份有限公司 斷電保護方法及系統

Also Published As

Publication number Publication date
CN107329905A (zh) 2017-11-07
CN103678144B (zh) 2017-08-25
CN103678144A (zh) 2014-03-26
US20140068158A1 (en) 2014-03-06
CN107329905B (zh) 2020-12-04
TWI492051B (zh) 2015-07-11
US9563550B2 (en) 2017-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI492051B (zh) 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法
US8914702B2 (en) Bit error repair method and information processing apparatus
JP5213965B2 (ja) １セル当り単一ビットｎａｎｄフラッシュメモリをエミュレートする１セル当り多ビットｎａｎｄフラッシュメモリ用コントローラ
JP5336060B2 (ja) 不揮発性メモリ装置およびそれを動作させる方法
US20100199020A1 (en) Non-volatile memory subsystem and a memory controller therefor
US20100125696A1 (en) Memory Controller For Controlling The Wear In A Non-volatile Memory Device And A Method Of Operation Therefor
US20150186224A1 (en) Data storage device and flash memory control method
CN110895514A (zh) 映射表更新方法
TW201916018A (zh) 資料儲存裝置與將資料寫入記憶體裝置之方法
JP5990430B2 (ja) Ｓｓｄ（ソリッドステートドライブ）装置
TWI436369B (zh) 記憶裝置之使用壽命量測方法及系統內編程碼置換方法、及其資料儲存系統
US8516184B2 (en) Data updating using mark count threshold in non-volatile memory
JP2005258851A (ja) メモリカード
JP2005301591A (ja) 不揮発性メモリを備えた装置及びメモリコントロ−ラ
JP2013061799A (ja) 記憶装置、記憶装置の制御方法およびコントローラ
WO2009118917A1 (ja) フラッシュメモリを用いた記憶装置
US20140223231A1 (en) Solid state drive management in power loss recovery
TW201541251A (zh) 快閃記憶體控制器以及資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法
KR101652936B1 (ko) 전력 손실 복원에 있어서의 솔리드 스테이트 드라이브 관리
US8819387B2 (en) Memory storage device, memory controller, and method for identifying valid data
US8261013B2 (en) Method for even utilization of a plurality of flash memory chips
US9223688B2 (en) Data storing method and memory controller and memory storage device using the same
US20130219244A1 (en) Storage device
US9778862B2 (en) Data storing method for preventing data losing during flush operation, memory control circuit unit and memory storage apparatus
KR101485577B1 (ko) 메모리 저장 장치의 모드 설정 방법 및 초기화 방법