TWI493340B - 資料儲存系統與方法 - Google Patents

Description

資料儲存系統與方法

本發明係有關於資料儲存系統與方法，特別有關於掉電後儲存空間動態資訊的回復。

除了盤式硬碟、光碟…等，現今已發展出其他資料儲存技術。以固態式硬碟(Solid State Disc，SSD)為例，其中利用NAND Flash(反及閘快閃記憶體)作為儲存單元，以取代傳統之盤式硬碟。反及閘快閃記憶體具有非揮發性，亦可應用於攜帶式電子裝置。例如，市面上常見的mp3隨身聽…等，亦常使用反及閘快閃記憶體來儲存資料。

第1圖以方塊圖圖解一資料儲存系統，其中以反及閘快閃記憶體l02作為主要儲存媒體。如圖所示，反及閘快閃記憶體102內的物理空間劃分為複數個區塊(blocks，編號為block₀ 、block₁ 、…、block_n )，各區塊又更可劃分為複數個頁(pages)；例如，區塊block₀ 包括複數個頁page(0,0)、page(0,1)…，區塊block₁ 包括複數個頁page(1,0)、page(1,1)…，區塊block_n 包括複數個頁page(n,0)、page(n,1)…。於讀/寫操作中，主機端(host，未繪示)程序(program)所使用的位址資訊為「邏輯位址」，需經一邏輯-物理位址映射(mapping table)轉換為「物理位址」才能對應至反及閘快閃記憶體102上的物理空間(上述區塊、或頁、或更小的儲存單位)。由於反及閘快閃記憶體102的特性是動態配置物理空間給各邏輯位址，因此上述邏輯-物理位址映射會一直變化。隨機存取記憶體(RAM)104即是用來儲存此快速變化之邏輯-物理位址映射。如圖所示，記憶體控制單元106不僅控制反及閘快閃記憶體102，更管理隨機存取記憶體104所儲存之邏輯-物理位址映射。

然而，隨機存取記憶體104一旦掉電就會失去其中內容，所儲存之邏輯-物理位址映射也會一併消失。如何在掉電後修復隨機存取記憶體104之內容為本技術領域一項重要課題。

本發明提供一種資料儲存系統以及方法。

在一種實施方式中，此資料儲存系統包括一第一記憶體、一第二記憶體以及一記憶體控制單元，其中該記憶體控制單元包括一快照模組、一記錄模組以及一修復模組。

該第一記憶體具有非揮發性，且包括複數個區塊。該第二記憶體負責暫存該第一記憶體的一動態資訊。記憶體控制單元耦接上述第一與第二記憶體，其中上述快照模組、記錄模組與修復模組的動作如下。該快照模組於一快照區間作用，在該第一記憶體紀錄一起始資訊，其中該起始資訊標示該第一記憶體接續之正常操作的起始配置區塊。該紀錄模組於一正常操作區間作用，以該第一記憶體在該正常操作區間內之配置區塊的閒置空間紀錄該正常操作區間內更新之一更新資訊及上述配置區塊的一鏈結資訊。該修復模組於一掉電修復區間作用，根據該快照模組與該紀錄模組紀錄於該第一記憶體之資訊修復該第二記憶體在該資料儲存系統掉電前暫存之上述動態資訊。

此外，本發明揭露之資料儲存方法的一種實施方式包括：以一第一記憶體儲存使用者資料，該第一記憶體具有非揮發性且包括複數個區塊；以一第二記憶體暫存該第一記憶體的一動態資訊；提供一快照區間，在該第一記憶體紀錄一起始資訊，其中該起始資訊標示該第一記憶體接續之正常操作的起始配置區塊；於一正常操作區間內，以該第一記憶體在該正常操作區間內之配置區塊的閒置空間紀錄該正常操作區間內更新之一更新資訊及上述配置區塊的一鏈結資訊；以及提供一掉電修復區間，根據上述快照區間與正常操作區間所記錄於該第一記憶體的資訊，修復該第二記憶體在掉電前暫存之上述動態資訊。

本發明尚有許多實施方式。以下舉例說明之。

第2圖圖解本發明資料儲存系統的一種實施方式。資料儲存系統包括：一反及閘快閃記憶體202(NAND Flash，為第一記憶體)、一隨機存取記憶體204(RAM，為第二記憶體)以及一記憶體控制單元206。記憶體控制單元206包括一快照模組208、一記錄模組210以及一修復模組212。

反及閘快閃記憶體202具有非揮發性，且如圖所示，包括複數個區塊block0…blocki…blockj…blockk…，各區塊又更可劃分為複數個頁(pages)；例如，區塊blocki包括n個頁page(i,0)、page(i,1)…、page(i,n)，區塊blockj包括n個頁page(j,0)、page(j,1)…、page(j,n)，區塊blockk包括n個頁page(k,0)、page(k,1)…、page(k,n)。隨機存取記憶體204負責暫存該反及閘快閃記憶體202的動態資訊，可包括邏輯-物理位址映射、損毀區塊標示、…、或反及閘快閃記憶體202其他動態變化之資訊。記憶體控制單元206耦接上述反及閘快閃記憶體202與隨機存取記憶體204，並以快照模組208、記錄模組210與修復模組212處理該隨機存取記憶體204因掉電所發生之資料流失問題。

快照模組208於一快照區間(snapshot)作用，於反及閘快閃記憶體202內(如物理空間A₂ )記錄一起始資訊標示該反及閘快閃記憶體202接續之正常操作的起始配置區塊(如區塊block_i )；更具體解釋之，該起始配置區塊可為進入該快照區間進行備份操作時，該反及閘快閃記憶體202當下正在被配置使用的區塊。在本發明一實施例中，快照模組208還會將隨機存取記憶體204暫存之上述動態資訊備份於該反及閘快閃記憶體202內(如物理空間A₁ )。備份上述動態資訊的物理空間A₁ 和記錄該起始資訊的物理空間A₂ 可以屬於該反及閘快閃記憶體202內同一個區塊(如區塊block₀ )，也可以是不同的區塊，還可以是反及閘快閃記憶體202之一區塊內物理位址連續的空間。在本發明的一實施例中，記憶體控制單元206動態配置該反及閘快閃記憶體202內的某些區塊專門用於儲存包括邏輯-物理位址映射等動態變化之資訊，因此本發明不限定物理空間A₁ 和A₂ 的物理位置關係。

紀錄模組210於一正常操作區間作用，以反及閘快閃記憶體202在該正常操作區間內之配置區塊(如區塊block_i 、block_j 與block_k )的閒置空間(如物理空間A_i3 、A_j3 與A_k3 )紀錄該正常操作區間內更新之更新資訊、且更以其餘閒置空間(如A_i4 、A_j4 與A_k4 )記錄上述配置區塊(如區塊block_i 、block_j 與block_k )的一鏈結資訊。在本發明一實施例中，物理空間A_i3 、A_j3 與A_k3 為各區塊的每個頁(page)在存放用戶資料以後剩餘的閒置空間，其儲存的資訊包括該頁對應的邏輯位址，該頁內用戶資料的錯誤校驗碼(Error Correct Code,ECC)，以及表徵該頁內的用戶資料是否無效(dirty)的無效標示等。而物理空間A_i4 、A_j4 與A_k4 為各區塊的某一頁中存放前述用戶資料和資訊以後剩餘的閒置空間。詳細請參考第3圖，以配置區塊block_i 內最後一頁page(i,n)為例，假設記錄前述鏈結資訊於該頁page(i,n)，則page(i,n)的空間包括存放用戶資料的空間，存放該物理頁的邏輯位址、ECC碼及無效標示等動態更新資訊的A_i3 空間，以及存放鏈結資訊的A_i4 空間。根據空間A_i4 的內容，即可找到區塊block_i 所鏈結的下一區塊。

返回參考第2圖，修復模組212於一掉電修復區間作用，根據快照模組208與紀錄模組210儲存於反及閘快閃記憶體202之資訊(例如物理空間A₁ 、A₂ 、A_i3 、A_j3 、A_k3 、A_i4 、A_j4 、與A_k4 )修復隨機存取記憶體204掉電前暫存之動態資訊。

第4圖舉例說明上述各區間之發生狀況。箭頭所示為時間方向。快照區間與正常操作區間交錯發生。快照區間可每隔一特定時間發生，或者，可於該反及閘快閃記憶體202記錄一特定資料量後發生。一旦發生掉電402，復電後必須進入掉電修復區間404修復該隨機存取記憶體204所暫存的動態資訊。

接下來以動態資訊-邏輯-物理位址映射-的修復為例，說明上述技術內容。以第2圖為說明例，其中顯示掉電前最末一次正常操作區間內，反及閘快閃記憶體202的區塊block_i 、block_j 以及block_k 依序被配置使用。本案維持動態資訊的技術詳述如下。

在掉電前最末一次快照區間，快照模組208於反及閘快閃記憶體202物理空間A₂ 記錄即將(或當下)配置使用之區塊block_i 的物理位址(即起始資訊)；除此之外，快照模組208還可將隨機存取記憶體204暫存之「邏輯-物理位址映射」備份於反及閘快閃記憶體202的物理空間A₁ 內。

在掉電前最末的正常操作區間，區塊block_i 首先被配置使用，接下來block_j 與block_k 也依序被配置使用，配置到的區塊block_i 、block_j 與block_k 內各頁內容均可能被更新，為確保動態資料之正確性，記錄模組210以block_i 、block_j 與block_k 各頁內之閒置空間A_i3 、A_j3 與A_k3 將各頁最新對應的邏輯位址紀錄下來。此外，為了鏈結該等配置區塊block_i 、block_j 與block_k 使得在掉電後仍能得知掉電前最末的正常操作區間內哪些區塊被配置使用，記錄模組210更於區塊block_i 、block_j 與block_k 內某一頁剩餘的閒置空間，如空間A_i4 、A_j4 與A_k4 ，記錄之後接續被配置使用的區塊的物理位址(即第2圖箭頭所示之鏈結資訊)。詳述之，例如以起始配置區塊block_i 最後一頁的閒置空間A_i4 記錄下一個配置區塊block_j 的物理位址，配置區塊block_j 最後一頁閒置的物理空間A_j4 記錄下一個配置區塊block_k 的物理位址，而最末配置區塊block_k 最後一頁的閒置空間A_k4 則無記載位址資訊。

若有掉電發生，則復電後，資料儲存系統進入掉電修復區間，以修復隨機存取記憶體204遺失的資料。修復模組212根據物理空間A₂ 所儲存之資訊，找到起始配置區塊block_i 。起始配置區塊block_i 內物理空間A_i4 的內容則指引修復模組212找到下一個配置區塊block_j 。區塊block_j 內物理空間A_j4 的內容則指引修復模組212找到再下一個配置區塊block_k 。修復模組212將自配置區塊block_k 內無內容的物理空間A_k4 得知區塊block_k 為最末的配置區塊。修復模組212將自搜尋到的配置區塊block_i 、block_j 與block_k 之閒置空間A_i3 、A_j3 與A_k3 找到其中各物理位址最新對應的邏輯位址，並據以修正物理空間A1內早先備份的邏輯-物理位址映射，以得到正確的邏輯-物理位址映射，用以修復該隨機存取記憶體204內記錄之動態資訊。

此外，上述判斷最末配置區塊的技術亦有其他變形。在本發明另一種實施例中，如果在該反及閘快閃記憶體202採取的資料記錄方式是：一個區塊寫滿以後再配置下一個區塊，即各區塊內各頁的物理空間必須連續使用而不允許留空白頁(page)，則判斷一個區塊是否為掉電前最末配置的區塊可以搜索區塊block_k 中是否包含一個空白頁，如果有，則代表該區塊掉電前正在被配置使用，即為最末的配置區塊。

上述技術不僅可快速修復隨機存取記憶體204，且有利於正常操作時區塊配置的最佳化。由於掉電修復僅需搜尋最末一次正常操作區間所配置使用到的區塊，就可由其閒置空間就可以得知該區塊的各物理頁所對應的邏輯位址，並得知下一個配置使用的區塊，無須掃描整個反及閘快閃記憶體202，故修復速度很快。此外，上述設計允許記憶體控制單元206在正常操作區間僅預先配置下一個要使用到的區塊，而無須一次性預留多個區塊使用，區塊配置因而可更有彈性。

在某些狀況下，正常寫入操作區間會同時需要多個區塊配置。以頁映射(page mapping)算法為例，假設須在每「面」(plane)同時配置四個區塊以執行寫入操作，作用分別為：供正向的邏輯垃圾收集(Logic Garbage collection)操作使用、供反向的物理垃圾收集(physical Garbage collection)操作使用、供耗損平均(Wear Leveling)操作使用、以及供備份映射紀錄(Mapping Table)使用。第4圖將上述四種作用所使用的方塊分別標號為BLOCK_{L_G} (blocks for Logic Garbage collection)、BLOCK_{P_G} (blocks for physical Garbage collection)、BLOCK_{W_L} (blocks for Wear Leveling)以及BLOCK_{M_T} (blocks for Mapping Table)。圖中顯示，於系統掉電前最末一次快照區間，快照模組208將接續「面」所配置到的四個區塊之物理位址暫存於任四個物理空間A₁₂ 、A₂₂ 、A₃₂ 以及A₄₂ 。如此一來，系統復電後，修復模組212即可根據物理空間A₁₂ 、A₂₂ 、A₃₂ 以及A₄₂ 內容分別找到四組區塊BLOCK_{L_G} 、BLOCK_{P_G} 、BLOCK_{W_L} 以及BLOCK_{M_T} ，以取得其中閒置空間所備份之動態資訊，繼而恢復隨機存取記憶體204內記錄之動態資訊。

上述快照模組208、記錄模組210以及修復模組212除了以硬體電路結合於記憶體控制單元206中外，亦可以軟體、韌體、或軟硬體共同設計方式實現。

上述反及閘快閃記憶體202可為其他具有非揮發性的記憶體。上述隨機存取記憶體204可為其他可快速存取，便於儲存動態資訊的記憶體。

本發明亦揭露相關之資料儲存方法，其中以一第一記憶體(可為反及閘快閃記憶體202)儲存使用者資料，且以一第二記憶體(可為隨機存取記憶體204)暫存該第一記憶體的一動態資訊(可包括邏輯-物理位址映射、損毀區塊標示、…、或第一記憶體其他動態變化之資訊)。在一種實施方式中，此方法提供一快照區間，在該第一記憶體紀錄一起始資訊，其中該起始資訊標示該第一記憶體接續之正常操作的起始配置區塊。快照完畢後，第一記憶體進入正常操作區間，而此方法可以該第一記憶體在該正常操作區間內配置到的區塊之閒置空間紀錄該正常操作區間內更新之資訊及上述配置區塊的一鏈結資訊。若有掉電發生，復電後，此方法可提供一掉電修復區間，根據上述快照區間與正常操作區間所記錄於該第一記憶體的資訊，修復該第二記憶體在掉電前暫存之動態資訊。

在一種實施方式中，此更新資訊包括至少一邏輯位址。該第一記憶體每一上述區塊更劃分為複數個頁，各頁可與上述邏輯位址之一對應，則該正常操作區間內紀錄上述更新資訊的動作包括：在上述配置區塊之各頁內紀錄各頁對應之上述邏輯位址。在一種實施方式中，該正常操作區間內記錄上述配置區塊的上述鏈結資訊的動作更包括：在使用一第一配置區塊時，更配置之後接續使用的一第二配置區塊，並將該第二配置區塊的物理位址作為鏈結資訊記錄於該第一配置區塊的閒置空間內，舉例而言，該第二配置區塊的物理位址記錄於該第一配置區塊之某一頁之閒置空間內，例如第3圖所示的block_i 的最後一頁page(i,n)之閒置空間A_i4 。在一種實施方式中，在該掉電修復區間內的動作更包括：根據該起始資訊以及鏈結資訊找到掉電前最末一次正常操作區間該第一記憶體之配置區塊，且結合配置區塊中閒置空間所紀錄之該更新資訊以修復該第二記憶體在掉電前暫存之動態資訊，具體而言，找到配置區塊的動作更包括：首先，根據該起始資訊找到第一個配置區塊；再根據第一個配置區塊內之閒置空間內記錄的鏈結資訊找到第二個配置區塊；根據第二個配置區塊內是否包括鏈結資訊以判斷該配置區塊是否為掉電前最末一次正常操作區間的配置區塊中之最後被配置使用的區塊；如果不包含鏈結資訊則說明掉電前最末一次正常操作區間內所有配置來使用的配置區塊均已找到，在本發明其它實施例中，也可以搜索當前配置區塊中是否包含一個空白頁，如果有，則表明掉電前該區塊正在被配置使用，即為最末的配置區塊。在一種實施方式中，在該快照區間內更將該第二記憶體暫存之動態資訊備份於該第一記憶體內，這樣根據該些配置區塊內的更新資訊可以修復該動態資訊至掉電前的狀態。

上述快照區間與上述正常操作區間交錯發生。快照區間可每隔一定時間發生，也可於第一記憶體每記錄一特定資料量後發生。

以上說明書敘述僅列舉本發明的某些實施方式，並非用來限定本發明範圍。本技術領域者根據本發明與現有技術所衍伸出來的任何變形與改良皆涉及本發明技術範圍。申請專利範圍並非僅限定於說明書實施例內容，更包括本技術領域者依照其敘述所能想像到的任何變形。

102．．．反及閘快閃記憶體

104．．．隨機存取記憶體

106．．．記憶體控制單元

202．．．反及閘快閃記憶體

204．．．隨機存取記憶體

206．．．記憶體控制單元

208．．．快照模組

210．．．記錄模組

212‧‧‧修復模組

402‧‧‧掉電區間

404‧‧‧掉電修復區間

A₁ 、A₂ 、A₁₂ 、A₂₂ 、A₃₂ 、A₄₂ 、A_i3 、A_j3 、A_k3 、A_i4 、 A_j4 、A_k4 ‧‧‧物理空間

block₀ 、block₁ 、block_i 、block_j 、block_k 、block_n ‧‧‧區塊

BLOCK_{L_G} ‧‧‧正向的邏輯垃圾收集所使用之區塊

BLOCK_{P_G} ‧‧‧反向的物理垃圾收集所使用之區塊

BLOCK_{W_L} ‧‧‧耗損平均所使用之區塊

BLOCK_{M_T} ‧‧‧映射紀錄所使用之區塊

page(0,0)、page(0,1)、page(1,0)、page(1,1)、page(i,0)、page(i,1)、page(i,n)、page(j,0)、page(j,1)、page(j,n)、page(k,0)、page(k,1)…、page(k,n)‧‧‧頁

第1圖以方塊圖圖解資料儲存系統的一種實施方式；

第2圖圖解本發明資料儲存系統的一種實施方式；

第3圖圖解本發明資料儲存系統的一種實施方式；

第4圖舉例說明快照區間、正常操作區間與掉電修復區間之時間性；以及

第5圖圖解每「面」寫入數個區塊時，應用本發明的一種實施方式。

202．．．反及閘快閃記憶體

204．．．隨機存取記憶體

206．．．記憶體控制單元

208．．．快照模組

210．．．記錄模組

212．．．修復模組

block₀ 、block_i 、block_j 、block_k ．．．區塊

A₁ 、A₂ 、A_i3 、A_j3 、A_k3 、A_i4 、A_j4 、A_k4 ．．．物理空間

Claims (26)

1. 一種資料儲存系統，包括：一第一記憶體，具有非揮發性，包括複數個區塊；一第二記憶體，為隨機存取記憶體，暫存該第一記憶體動態變化的一動態資訊；以及一記憶體控制單元，耦接上述第一與第二記憶體，且包括：一快照模組，於一快照區間作用，在該第一記憶體紀錄一起始資訊，其中該起始資訊標示該第一記憶體接續之正常操作的起始配置區塊；一紀錄模組，於一正常操作區間作用，以該第一記憶體在該正常操作區間內之配置區塊的閒置空間紀錄該正常操作區間內更新之一更新資訊及上述配置區塊的一鏈結資訊；以及一修復模組，於一掉電修復區間作用，根據該快照模組與該紀錄模組紀錄於該第一記憶體之資訊修復該第二記憶體在該資料儲存系統掉電前暫存之上述動態資訊，其中，該紀錄模組係於一第一配置區塊的閒置空間記錄一第二配置區塊的物理位址作為上述鏈結資訊，上述第一及第二配置區塊均係該第一記憶體之上述配置區塊。
2. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存系統，其中，上述快照區間與上述正常操作區間交錯發生，且上述掉電修復區間於該資料儲存系統掉電又復電時發生。
3. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存系統，其中該修復模組根據上述起始資訊以及鏈結資訊找到掉電前最末一次正常操作區間該第一記憶體之配置區塊，且結合配置區塊中閒置空間所紀錄之上述更新資訊以修復該第二記憶體在掉電前暫存之上述動態資訊。
4. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存系統，其中於該快照區間，上述快照模組更將該第二記憶體暫存之上述動態資訊備份於該第一記憶體內。
5. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存系統，其中上述動態資訊包括一邏輯-物理位址映射。
6. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存系統，其中上述更新資訊包括至少一邏輯位址。
7. 如申請專利範圍第6項所述之資料儲存系統，其中上述第一記憶體內每一上述區塊更劃分為複數個頁，各頁對應上述邏輯位址之一，其中在上述配置區塊之各頁內紀錄各頁對應之上述邏輯位址。
8. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存系統，其中上述第二配置區塊係於上述第一配置區塊之後接續被配置使用。
9. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存系統，其中上述第一記憶體內每一上述區塊更劃分為複數個頁，上述第二配置區塊的物理位址記錄在上述第一配置區塊之某一頁之閒置空間內。
10. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存系統，其中該快照區間每隔一特定時間發生。
11. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存系統，其中該快照區間於該第一記憶體每記錄一特定資料量時發生。
12. 如申請專利範圍第1項所述之資料儲存系統，其中該第一記憶體為反及閘快閃記憶體。
13. 一種資料儲存方法，包括：以一第一記憶體儲存使用者資料，該第一記憶體具有非揮發性且包括複數個區塊；以一隨機存取記憶體為一第二記憶體，並以該第二記憶體暫存該第一記憶體動態變化的一動態資訊；於一快照區間內，在該第一記憶體紀錄一起始資訊，其中該起始資訊標示該第一記憶體接續之正常操作的起始配置區塊；於一正常操作區間內，以該第一記憶體在該正常操作區間內之配置區塊的閒置空間紀錄該正常操作區間內更新之一更新資訊及上述配置區塊的一鏈結資訊；以及於一掉電修復區間內，根據上述快照區間與正常操作區間所記錄於該第一記憶體的資訊，修復該第二記憶體在掉電前暫存之上述動態資訊，其中，上述正常操作區間係於一第一配置區塊的閒置空間記錄一第二配置區塊的物理位址作為上述鏈結資訊，上述第一及第二配置區塊均係該第一記憶體之上述配置區塊。
14. 如申請專利範圍第13項所述之資料儲存方法，其中，上述快照區間與上述正常操作區間交錯發生，且上述 掉電修復區間於掉電又復電時發生。
15. 如申請專利範圍第13項所述之資料儲存方法，其中上述掉電修復區間內的動作更包括：根據上述起始資訊以及鏈結資訊找到掉電前最末一次正常操作區間該第一記憶體之配置區塊，且結合配置區塊中閒置空間所紀錄之上述更新資訊以修復該第二記憶體在掉電前暫存之上述動態資訊。
16. 如申請專利範圍第13項所述之資料儲存方法，其中上述動態資訊包括一邏輯-物理位址映射。
17. 如申請專利範圍第13項所述之資料儲存方法，其中上述更新資訊包括至少一邏輯位址。
18. 如申請專利範圍第17項所述之資料儲存方法，其中上述第一記憶體內每一上述區塊更劃分為複數個頁，各頁對應上述邏輯位址之一，其中正常操作區間內紀錄上述更新資訊的動作包括：在上述配置區塊之各頁內紀錄各頁對應之上述邏輯位址。
19. 如申請專利範圍第13項所述之資料儲存方法，其中正常操作區間內記錄上述配置區塊的上述鏈結資訊的動作更包括：在配置使用上述配置區塊中之上述第一配置區塊時，配置之後接續使用的上述第二配置區塊。
20. 如申請專利範圍第13項所述之資料儲存方法，其中上述第一記憶體內每一上述區塊更劃分為複數個頁，上述第二配置區塊的物理位址記錄於上述第一配置區塊之某 一頁之閒置空間。
21. 如申請專利範圍第20項所述之資料儲存方法，其中上述掉電修復區間內的動作更包括：根據上述第二配置區塊內是否包括上述鏈結資訊以判斷上述第二配置區塊是否為上述配置區塊中之最後被配置使用的區塊。
22. 如申請專利範圍第20項所述之資料儲存方法，其中上述掉電修復區間內的動作更包括：根據上述第二配置區塊內是否包括一空白頁以判斷上述第二配置區塊是否為上述配置區塊中之最後被配置使用的區塊。
23. 如申請專利範圍第13項所述之資料儲存方法，其中該快照區間內的動作更包括：將該第二記憶體暫存之上述動態資訊備份於該第一記憶體內。
24. 如申請專利範圍第13項所述之資料儲存方法，其中該快照區間每隔一特定時間發生。
25. 如申請專利範圍第13項所述之資料儲存方法，其中該快照區間於該第一記憶體每記錄一特定資料量時發生。
26. 如申請專利範圍第13項所述之資料儲存方法，其中該第一記憶體為反及閘快閃記憶體。