TW201407902A - 電連接器 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種電連接器，其包括上絕緣本體、組設於上絕緣本體上之下絕緣本體及導電端子，上絕緣本體具有上凸柱，下絕緣本體具有下凸柱，所述導電端子包括上端子及與上端子配合之下端子，所述上端子組設於上絕緣本體內，下端子固持於下絕緣本體內，所述上凸柱與下凸柱相接觸之區域鍍有金屬層。

Description

電連接器
本發明涉及一種電連接器，尤其涉及一種可電性連接晶片模組至印刷電路板之電連接器。
平面柵格陣列電連接器廣泛應用以電子領域，用以將晶片模組電性連接至電路板，以實現晶片模組與電路板間訊號和資料之傳輸。如“Nonlinear Analysis Helps Design LGA Connectors” (Connector Specifier, Februray 2001)中即揭示了此種技術。該電連接器包括本體及收容於該本體內之端子，當該電連接器將晶片模組與電路板連接時，電連接器之端子之上、下接觸點分別與晶片模組及電路板之導電片相壓接，從而形成晶片模組與電路板間之訊號傳輸。但隨著電子技術之不斷發展，晶片模組與電路板之導電片之排列密度越來越大，而用以該領域中之平面柵格陣列電連接器之尺寸及高度越來越小，而端子排列密度卻要求越來越密集。在此種情況下，電連接器在連接晶片模組與電路板間之訊號傳輸時，必然將導致相鄰間距小之端子在傳輸訊號時發生電磁干擾，而相鄰訊號間一旦發生電磁干擾，則必將影響晶片模組與電路板間訊號傳輸之品質。是故，為了確保晶片模組與電路板之間之訊號傳輸完整性，具有防止電磁干擾之屏蔽裝置之電連接器就變得尤其重要。
台灣專利公告第M419248號揭示了一種可屏蔽電磁干擾之電連接器元件，其包括絕緣本體、收容在絕緣本體內之導電端子，絕緣本體具有承接面及安裝面且設有複數貫穿承接面及安裝面之端子槽，其中所述端子槽包括第一槽及第二槽，導電端子收容在第一槽內，該電連接器還包括容設在第二槽內之金屬屏蔽片。惟，導電端子延伸出絕緣本體之上表面，且導電端子變形後，晶片模組之接觸片之間的空間被導電端子之接觸部佔滿，影響電連接器之整體性能，且不利於實現電連接器之電磁屏蔽。
鑒於此，確有必要提供一種改進之電連接器，以克服前述電連接器存在之缺陷。
本發明之目的係提供一種可簡化設計難度且可達到較佳屏蔽效果之電連接器。
爲實現前述目的，本發明採用如下技術方案：一種電連接器，其包括：上絕緣本體，其具有上凸柱；下絕緣本體，組設於上絕緣本體上，其具有下凸柱；導電端子，其包括上端子及與上端子配合之下端子，所述上端子組設於上絕緣本體內，下端子固持於下絕緣本體內；所述上凸柱與下凸柱相接觸之區域鍍有金屬層。
相較於先前技術，本發明電連接器具有分開設置且相互配合之上絕緣本體與下絕緣本體及上端子與下端子，可簡化設計難度，且上凸柱與下凸柱相接觸之區域鍍有金屬層，以此來達到較佳之屏蔽效果。
請參閱第一圖至第八圖所示，電連接器100用以電性連接晶片模組(未圖示)與電路板(未圖示)，該電連接器100包括絕緣本體(未標號)、複數收容於絕緣本體內之導電端子(未標號)及複數錫球6。絕緣本體包括上絕緣本體1及組設於上絕緣本體1上之下絕緣本體2，導電端子包括上端子3及與上端子3配合之下端子4。
請重點參閱第三圖至第六圖所示，上絕緣本體1由絕緣材料製成，其包括上本體部10、相對設置之上頂面11與上底面12、貫穿上頂面11與上底面12之上容納槽16及與上容納槽16相連通之端子收容槽17。端子收容槽17及上容納槽16共同用以收容上端子3，上容納槽16用以容納下端子4。上容納槽16自上底面12向上本體部10凹陷形成，上容納槽16包括自上頂面11向上本體部10凹陷形成之收容孔18。上絕緣本體1還包括上凸柱(未標號)，上凸柱包括凸伸出上頂面11呈台階狀之第一凸柱13、凸伸出上底面12呈台階狀之第二凸柱14及連接第一凸柱13與第二凸柱14之上連接部15，上連接部15暴露於收容孔18之區域鍍設有金屬層5，金屬層5向上延伸連接至第一凸柱13且向下延伸連接至第二凸柱14。第二凸柱14之長度大於第一凸柱13之長度，以與下絕緣本體2配合。
下絕緣本體2由絕緣材料製成，其包括下本體部20、相對設置之下頂面21與下底面22及貫穿下頂面21與下底面22之下容納槽26。下容納槽26用以收容下端子4。下絕緣本體2還包括與下容納槽26連通且用以固持下端子4之端子固持槽27。下絕緣本體2還包括下凸柱(未標號)，下凸柱包括凸伸出下底面22呈台階狀之第三凸柱23、凸伸出下頂面21呈台階狀之第四凸柱24及連接第三凸柱23與第四凸柱24之下連接部25，下連接部25暴露於下容納槽26之區域鍍設有金屬層5，金屬層5向下延伸連接至第三凸柱23且向上延伸連接至第四凸柱24。第四凸柱24之長度大於第三凸柱23之長度，以與上絕緣本體1配合。
請參閱第五圖及第六圖所示，導電端子(未標號)包括上端子3及與上端子3配合之下端子4。上端子3包括基體30及自基體30向下且向一側延伸之凸圓31，以與下端子電性接觸。凸圓31呈弧面設置且大致為1/2之圓柱，上端子3之基體30上設有「V」型凹槽32，以與晶片模組接觸時更加穩固。下端子4包括主體部40、自主體部40向上且向主體部40一側彎折延伸之彎折部41、自彎折部41向上且向主體部40之另一側彎折延伸之彈性臂42及自主體部40向下延伸之焊接部44，下端子4還包括自主體部40向兩側延伸之固持部43。固持部43固持於端子固持槽27內。錫球6容置於下容納槽26中，且藉焊接部44及下容納槽26之側壁(未標號)將錫球6固定於下本體部20上。
上錫球7設於晶片模組(未圖示)上，上錫球7組設於電連接器100之第一凸柱13上，且與鍍設於第一凸柱13上之金屬層5電性接觸。下錫球8組設於電路板(未圖示)上，下錫球8組設於電連接器100之第三凸柱23上，且與鍍設於第三凸柱23上之金屬層5電性接觸，藉此將晶片模組、電連接器及電路板電性導通，以形成快速宣洩電磁屏蔽之通道，進而達到較佳之屏蔽效果。
請參閱第七圖及第八圖所示，組裝完成後，上絕緣本體1與下絕緣本體2相抵接，第二凸柱14容置於下容納槽26內且第四凸柱24容置於收容孔18內。上凸柱(未標號)與下凸柱(未標號)相接觸之區域均鍍有金屬層5。上凸柱呈楔型設置且下凸柱呈倒楔型設置，第二凸柱14及上連接部15與第四凸柱24及下連接部25相接觸，且接觸之區域均鍍有金屬層5。上端子3容置於端子收容槽17內，且可於端子收容槽17及上容納槽16內上下運動，端子收容槽17設有容納凸圓31之收容部19。下端子4固持於端子固持槽27內且彈性臂42容置於上容納槽16內且可於上容納槽16內運動。
晶片模組組裝至電連接器100上後，晶片模組抵壓上端子3向下運動，進而使得上端子3之凸圓31抵壓下端子4之彈性臂42向下運動且凸圓31於彈性臂42上滑移，上端子3之凸圓31抵壓下端子4之彈性臂42可將上端子3垂直方向上之運動轉化成下端子4水平方向上之運動，請參閱第八圖所示，電連接器100之導電端子被壓至極限狀態，且上端子3與下端子4實現電性接觸。
需要說明的是，在本發明圖示之實施方式中，上錫球7及下錫球8包括任何種類之金屬接觸端在內之焊接元件。
綜上所述，本發明符合發明專利要件，依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，本發明之範圍並不以前述實施例為限，舉凡熟習本案技藝之人士依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
100．．．電連接器
1．．．上絕緣本體
10．．．上本體部
11．．．上頂面
12．．．上底面
13．．．第一凸柱
14．．．第二凸柱
15．．．上連接部
16．．．上容納槽
17．．．端子收容槽
18．．．收容孔
19．．．收容部
2．．．下絕緣本體
20．．．下本體部
21．．．下頂面
22．．．下底面
23．．．第三凸柱
24．．．第四凸柱
25．．．下連接部
26．．．下容納槽
27．．．端子固持槽
3．．．上端子
30．．．基體
31．．．凸圓
32．．．凹槽
4．．．下端子
40．．．主體部
41．．．彎折部
42．．．彈性臂
43．．．固持部
44．．．焊接部
5．．．金屬層
6．．．錫球
7．．．上錫球
8．．．下錫球
第一圖係本發明設有接地裝置之電連接器之立體組合圖；
第二圖係本發明設有接地裝置之電連接器之另一角度之立體組合圖；
第三圖係本發明設有接地裝置之電連接器之部分組件之立體分解圖；
第四圖係本發明設有接地裝置之電連接器之部分組件之另一角度之立體分解圖；
第五圖係本發明電連接器之立體分解圖；
第六圖係本發明電連接器之另一角度之立體分解圖；
第七圖係本發明沿第一圖中VII-VII方向之設有接地裝置之電連接器之剖視圖；及
第八圖係本發明沿第一圖中VII-VII方向之設有接地裝置之電連接器之下端子被壓縮之剖視圖。
10．．．上本體部
13．．．第一凸柱
14．．．第二凸柱
15．．．上連接部
16．．．上容納槽
17．．．端子收容槽
19．．．收容部
20．．．下本體部
23．．．第三凸柱
24．．．第四凸柱
25．．．下連接部
26．．．下容納槽
27．．．端子固持槽
30．．．基體
31．．．凸圓
32．．．凹槽
40．．．主體部
41．．．彎折部
42．．．彈性臂
44．．．焊接部
5．．．金屬層
6．．．錫球
7．．．上錫球
8．．．下錫球

Claims (10)

  1. 一種電連接器，其包括：
    上絕緣本體，其具有上凸柱；
    下絕緣本體，組設於上絕緣本體上，其具有下凸柱；及
    導電端子，其包括上端子及與上端子配合之下端子，所述上端子組設於上絕緣本體內，下端子固持於下絕緣本體內；
    其中，所述上凸柱與下凸柱相接觸之區域鍍有金屬層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中所述上端子包括基體及自基體向下並向一側凸伸之凸圓，所述下端子包括主體部、自主體部向上且向一側彎折延伸之彎折部、自彎折部向上且向另一側彎折延伸之彈性臂及自主體部向下延伸之焊接部。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電連接器，其中所述上端子之凸圓抵壓下端子之彈性臂向下運動且凸圓於彈性臂上滑移。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中所述上端子抵壓下端子可將上端子垂直方向上之運動轉化成下端子水平方向上之運動。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之電連接器，其中所述上端子之基體上設有以與晶片模組接觸之「V」型凹槽。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中所述上絕緣本體包括相對設置之上頂面與上底面及貫穿上頂面與上底面之上容納槽，所述上凸柱包括凸伸出上頂面之第一凸柱、凸伸出上底面之第二凸柱及連接第一凸柱與第二凸柱之上連接部。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電連接器，其中所述上連接部暴露於上容納槽之區域鍍有所述金屬層，且所述金屬層向上連接第一凸柱且向下連接第二凸柱。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之電連接器，其中所述下絕緣本體包括相對設置之下頂面與下底面及貫穿下頂面與下底面之下容納槽，所述下凸柱包括凸伸出下底面之第三凸柱、凸伸出下頂面之第四凸柱及連接第三凸柱與第四凸柱之下連接部。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之電連接器，其中所述下連接部暴露於下容納槽之區域鍍有所述金屬層，且所述金屬層向上連接第三凸柱且向下連接第四凸柱。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之電連接器，其中所述上絕緣本體包括與上容納槽連通之端子收容槽，所述上端子容設於端子收容槽內，所述下端子收容於下容納槽內。
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