TWI543475B - 電連接器 - Google Patents

Description

電連接器

本發明涉及一種電連接器，尤其涉及一種可電性連接晶片模組至印刷電路板之電連接器。

平面柵格陣列電連接器廣泛應用以電子領域，用以將晶片模組電性連接至電路板，以實現晶片模組與電路板間訊號和資料之傳輸。如“Nonlinear Analysis Helps Design LGA Connectors”(Connector Specifier,Februray 2001)中即揭示了此種技術。該電連接器包括本體及收容於該本體內之端子，當該電連接器將晶片模組與電路板連接時，電連接器之端子之上、下接觸點分別與晶片模組及電路板之導電片相壓接，從而形成晶片模組與電路板間之訊號傳輸。但隨著電子技術之不斷發展，晶片模組與電路板之導電片之排列密度越來越大，而用以該領域中之平面柵格陣列電連接器之尺寸及高度越來越小，而端子排列密度卻要求越來越密集。在此種情況下，電連接器在連接晶片模組與電路板間之訊號傳輸時，必然將導致相鄰間距小之端子在傳輸訊號時發生電磁干擾，而相鄰訊號間一旦發生電磁干擾，則必將影響晶片模組與電路板間訊號傳輸之品質。是故，為了確保晶片模組與電路板之間之訊號傳輸完整性，具有防止電磁干擾之屏蔽裝置之電連接器就變得尤其重要。

吸波材料，指能吸收投射到它表面之電磁波能量之一類材料，吸波材料通過將電磁波轉換為熱能或其他形式的能量實現對入射電磁波的有效吸收。在工程應用上，除要求吸波材料在較寬頻帶內對電磁波具有高之吸收率外，還要求它具有品質輕、耐溫、耐濕、抗腐蝕等性能。吸波材料的分類方法較多，根據成型工藝和承載能力，可分為塗覆型和結構性吸波材料兩種；根據吸波機理，可分為電損耗型、磁損耗型以及手性材料、納米材料等其他損耗型吸波材料。傳統的磁損耗型吸波材料主要包括鐵氧體、羰基鐵及多晶鐵纖維、超細金屬粉和氮化鐵等。

中國專利公告第202189914號揭示了一種屏蔽式連接器包括：一底座包括複數收容槽，於至少部分所述收容槽之內表面設有披覆物，所述披覆物包括相鄰設置之至少一吸波材料層和至少一遮罩層，至少一導接體設於所述收容槽外並連接所述遮罩層，以及至少一導出部臨近所述母板設置，所述導出部電性連接所述導接體至所述母板，複數導電端子容設於所述收容槽中。惟，於收容槽之內表面披覆吸波材料，製程複雜且因導電端子間距之限制，如若使披覆之吸波材料厚度變大，會增加成本；吸波材料披覆於收容槽之內表面上且該吸波材料較薄，進而會使得吸波效果不佳。

鑒於此，確有必要提供一種改進之電連接器，以克服前述電連接器存在之缺陷。

本發明之目的係提供一種可達到較佳屏蔽效果之電連接器。

為實現前述目的，本發明採用如下技術方案：一種電連接器，用以電性連接晶片模組與電路板，該電連接器包括：絕緣本體，其 包括間隔設置之端子收容槽與容置槽；導電端子，固持於端子收容槽內；所述容置槽內設有吸波材料，所述容置槽具有內壁，所述內壁設有金屬層且所述吸波材料設於金屬層之內側。

相較於先前技術，本發明電連接器之容置槽之內壁上塗敷有金屬層且容置槽內設有吸波材料，當導電端子間所發出之電磁波進入容置槽內後，因金屬層與吸波材料間之波阻抗差異，會於容置槽內形成多重反射，並由吸波材料內含之磁性金屬粒將電磁波能量耗損為電能，進而可減少導電端子間電磁屏蔽干擾之效果。

100‧‧‧電連接器

1‧‧‧上絕緣本體

10‧‧‧頂面

11‧‧‧底面

12‧‧‧收容區

13‧‧‧上端子收容槽

14‧‧‧容置槽

15‧‧‧金屬層

2‧‧‧下絕緣本體

20‧‧‧上表面

21‧‧‧下表面

22‧‧‧開槽

23‧‧‧下端子收容槽

24‧‧‧錫球容納槽

3‧‧‧金屬板

30‧‧‧主體部

31‧‧‧第一彎折部

32‧‧‧凹槽

33‧‧‧第二彎折部

34‧‧‧通孔

35‧‧‧延伸部

36‧‧‧缺口

4‧‧‧吸波材料塊

40‧‧‧接合槽

5‧‧‧導電端子

50‧‧‧本體部

51‧‧‧彈性臂

52‧‧‧焊接部

53‧‧‧固持部

54‧‧‧倒刺

6‧‧‧錫球

第一圖係本發明電連接器之立體組合圖；第二圖係本發明電連接器之立體分解圖；第三圖係本發明電連接器之另一狀態之立體分解圖；第四圖係本發明電連接器沿第一圖中IV-IV方向之剖視圖；及第五圖係本發明電連接器沿第一圖中V-V方向之剖視圖。

請參閱第一圖至第五圖所示，電連接器100用以電性連接晶片模組(未圖示)與電路板(未圖示)，該電連接器100包括絕緣本體(未標號)、組設於絕緣本體內之導電端子5、組設於絕緣本體內之吸波材料(未標號)、嵌入成型或組設於絕緣本體內之金屬板3及用以將導電端子5固定至電路板之錫球6。

請重點參閱第二圖及第三圖所示，絕緣本體包括間隔設置且不相連之端子收容槽(未標號)與容置槽14，導電端子5固持於端子收容槽內。容置槽14具有內壁，內壁上塗敷有金屬層15。容置槽14 圍設於端子收容槽之四周，吸波材料設置於容置槽14內且所述吸波材料設於金屬層15之內側。

本發明之較佳實施例為：容置槽14內設置之吸波材料為組設於容置槽14內之吸波材料塊4。絕緣本體包括上絕緣本體1及與上絕緣本體1配合之下絕緣本體2，端子收容槽包括上端子收容槽13及與上端子收容槽13對應之下端子收容槽23，上端子收容槽13設於上絕緣本體1上，下端子收容槽23設於下絕緣本體2上。上絕緣本體1具有相對設置之頂面10與底面11，所述頂面10向下凹陷設有用以收容晶片模組之收容區12，所述容置槽14設於上絕緣本體1上，下絕緣本體2包括相對設置之上表面20與下表面21，所述下表面21向上凹陷設有與下端子收容槽23連通之錫球容納槽24，所述下絕緣本體2還包括貫穿上表面20與下表面21之開槽22，所述開槽22位於下端子收容槽23之旁側。

金屬板3組設於上絕緣本體1與下絕緣本體2之間，其包括平板狀之主體部30、複數貫穿主體部30之通孔34、自通孔34之一側壁向上彎折延伸之第一彎折部31、自通孔34之一側壁向下彎折延伸之第二彎折部33及自主體部30向外延伸且向下彎折之延伸部35。第一彎折部31與第二彎折部33自主體部30朝相反之方向延伸且分別位於主體部30之相對兩側。第一彎折部31呈上小下大之三角形設置且第一彎折部31之頂部設有凹槽32，以方便組裝至上絕緣本體1。金屬板3之第一彎折部31與吸波材料塊4相接觸且吸波材料塊4之底部向上凹陷設有收容第一彎折部31之接合槽40，第一彎折部31干涉於吸波材料塊4內，第二彎折部33組設於開槽22內。延伸部35於四個角落處設有缺口36，以便於成型且製造方便。

請重點參閱第二圖所示，導電端子5包括本體部50、自本體部50向上彎折延伸之彈性臂51、自本體部50向下延伸之焊接部52、自本體部50之一側向外延伸並向上延伸之固持部53及自本體部50之另一側向外延伸之倒刺54，固持部53及倒刺54與上端子收容槽13干涉且將導電端子5固持於上絕緣本體1內。

請參閱第一圖及第四圖與第五圖所示，組裝完成後，金屬板3組設於上絕緣本體1與下絕緣本體2之間，導電端子5收容於上端子收容槽13與下端子收容槽23內，錫球6收容於錫球容納槽24內，電連接器100藉錫球6將導電端子5固定至電路板上，吸波材料塊4收容於容置槽14內。導電端子5之彈性臂51延伸出上絕緣本體1之頂面10。金屬板3之第一彎折部31收容於吸波材料塊4之接合槽40內，第二彎折部33收容於開槽22內。

本發明之電連接器100之容置槽14之內壁上塗敷金屬層15且吸波材料塊4收容於容置槽14內，當導電端子5間所發出之電磁波進入容置槽14後，因容置槽14內壁之金屬層15與吸波材料塊4之間之波阻抗差異，會於容置槽14內形成多重反射，並由吸波材料塊4內含之磁性金屬粒將電磁波能量耗損成為熱能，以達到減少導電端子5間電磁屏蔽干擾之效果。電連接器100之金屬板3係為金屬材料製造，其可對導電端子5進行電磁屏蔽，且因金屬與吸波材料之間表面阻抗差異，導電端子5間發出之電磁波亦會形成多重反射，使得吸波材料吸波之效率最大化。金屬板3之第一彎折部31與吸波材料塊4接觸，可將吸波材料塊4因吸收電磁波而轉化成之熱量快速之散發出去。

在本實施方式中，為使吸波材料具有較好之吸波效果，容置槽14 於垂直於固持部53延伸方向之寬度大於上端子收容槽13之寬度，且吸波材料塊4填設於容置槽14內。

綜上所述，本發明符合發明專利要件，依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，本發明之範圍並不以前述實施例為限，舉凡熟習本案技藝之人士依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

100‧‧‧電連接器

1‧‧‧上絕緣本體

12‧‧‧收容區

15‧‧‧金屬層

2‧‧‧下絕緣本體

24‧‧‧錫球容納槽

3‧‧‧金屬板

31‧‧‧第一彎折部

35‧‧‧延伸部

4‧‧‧吸波材料塊

5‧‧‧導電端子

51‧‧‧彈性臂

6‧‧‧錫球

Claims (10)

1. 一種電連接器，用以電性連接晶片模組與電路板，該電連接器包括：絕緣本體，其包括間隔設置之端子收容槽與容置槽；及複數導電端子，固持於端子收容槽內；其中，所述容置槽內設有吸波材料，所述容置槽具有內壁，所述內壁設有金屬層且所述吸波材料設於金屬層之內側，所述電連接器還包括設置於所述絕緣本體且用以散熱之金屬板，所述金屬板與所述吸波材料接觸。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中所述容置槽圍設於端子收容槽之四周且所述端子收容槽與容置槽不相連通，所述容置槽內設置之吸波材料為組設於容置槽內之吸波材料塊。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中所述金屬板嵌入成型於絕緣本體內。
4. 如申請專利範圍第3項所述之電連接器，其中所述金屬板包括平板狀之主體部、自主體部向上彎折之第一彎折部、自主體部向下彎折之第二彎折部及自主體部向外延伸且向下彎折之延伸部。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中所述絕緣本體包括上絕緣本體及與上絕緣本體配合之下絕緣本體，所述金屬板組設於所述上絕緣本體與所述下絕緣本體之間。
6. 如申請專利範圍第5項所述之電連接器，其中所述金屬板包括平板狀之主體部、自主體部向上彎折之第一彎折部、自主體部向下彎折之第二彎折部及自主體部向外延伸且向下彎折之延伸部。
7. 如申請專利範圍第4項或第6項所述之電連接器，其中所述主體部設有複 數貫穿主體部之通孔，所述第一彎折部與第二彎折部分別自通孔之一側壁向上與向下彎折形成，所述第一彎折部與吸波材料接觸，所述導電端子包括本體部、自本體部向上彎折延伸之彈性臂、自本體部向下延伸之焊接部、自本體部之一側向外延伸並向上延伸之固持部及自本體部之另一側向外延伸之倒刺，所述電連接器還包括用以固定至電路板之錫球。
8. 如申請專利範圍第5項所述之電連接器，其中所述端子收容槽包括上端子收容槽及與上端子收容槽對應之下端子收容槽，所述上端子收容槽設於上絕緣本體上，所述下端子收容槽設於下絕緣本體上。
9. 如申請專利範圍第8項所述之電連接器，其中所述上絕緣本體具有相對設置之頂面與底面，所述頂面向下凹陷設有用以收容晶片模組之收容區，所述容置槽設於上絕緣本體上。
10. 如申請專利範圍第9項所述之電連接器，其中所述金屬板包括平板狀之主體部及自所述主體部向下彎折之第二彎折部，所述下絕緣本體包括相對設置之上表面與下表面，所述下表面向上凹陷設有與下端子收容槽連通之錫球容納槽，所述下絕緣本體還包括貫穿上表面與下表面之開槽，所述開槽位於下端子收容槽之旁側且所述第二彎折部組設於開槽內。