TWM457316U - 電連接器 - Google Patents

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TWM457316U
TWM457316U TW101225142U TW101225142U TWM457316U TW M457316 U TWM457316 U TW M457316U TW 101225142 U TW101225142 U TW 101225142U TW 101225142 U TW101225142 U TW 101225142U TW M457316 U TWM457316 U TW M457316U
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Taiwan
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Fang-Jwu Liao
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Hon Hai Prec Ind Co Ltd
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    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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    • H01R13/405—Securing in non-demountable manner, e.g. moulding, riveting
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    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components

Description

電連接器
本創作涉及一種電連接器，尤其涉及一種電性連接晶片模組至電路板之電連接器。
電連接器因電氣性能穩定而廣泛應用於電腦等電子領域中。用於連接晶片模組至電路板之電連接器通常包括絕緣本體以及組裝於絕緣本體中之導電端子。第五圖所示為習知技術中之一種電連接器，其包括絕緣本體1’及組裝於絕緣本體1’中之導電端子2’。導電端子2’包括基部20’、位於基部20’上方用以與晶片模組接觸之接觸部21’以及位於基部20’下方用以焊接至電路板之焊接部22’，所述基部20’兩側邊設有複數倒刺201’，倒刺201’與絕緣本體1’干涉而將導電端子2’固定於絕緣本體1’中。圖中所示K’線為絕緣本體1’之中線，在習知技術中所述倒刺201’與絕緣本體1’相干涉之區域位於絕緣本體1’之下半部分，導電端子2’對絕緣本體1’之施力點容易使得絕緣本體1’產生向上凹陷的弧形翹曲，特別是在焊接後更為嚴重，影響電連接器之電性連接性能。
鑒於此，確有必要提供一種改進之電連接器，以克服先前技術存在之缺陷。
本創作之目的係提供一種可防翹曲之電連接器。
本創作之電連接器可藉以下技術方案實現：一種電連接器，其包括絕緣本體以及與絕緣本體干涉固定之導電端子，所述絕緣本體具有上表面、與上表面相對之下表面以及貫穿上、下表面之端子孔，所述上表面至所述下表面之豎直距離為絕緣本體的高度，所述絕緣本體高度1/2處之平面為絕緣本體之中性面，所述導電端子與絕緣本體相干涉固定之最上接觸點到最下接觸點之區域為干涉區，所述導電端子設有位於干涉區上方用以與晶片模組接觸之接觸部以及位於干涉區下方用以焊接至電路板之焊接部，所述干涉區之中點處平行於所述中性面之直線為干涉區之中心線，其中所述干涉區之中心線至絕緣本體之中性面的距離在絕緣本體高度的1/10以內。
作為本創作進一步改進之技術方案，其中所述干涉區之中心線至絕緣本體之中性面的距離為零，即所述干涉區之中心線位於所述絕緣本體之中性面內。
作為本創作進一步改進之技術方案，其中所述絕緣本體設有向端子孔中凸起之凸肋，所述導電端子與凸肋干涉形成所述干涉區。
作為本創作進一步改進之技術方案，其中所述凸肋之上方設有讓位區，所述導電端子不與讓位區干涉。
作為本創作進一步改進之技術方案，其中所述凸肋設有傾斜設置之導引面，所述導引面導引所述導電端子自讓位區向下與凸肋干涉。
作為本創作進一步改進之技術方案，其中所述導電端子設有基部，所述基部之側邊與絕緣本體相干涉。
作為本創作進一步改進之技術方案，其中所述基部上端兩側向上延伸設有連接部，部份所述連接部與絕緣本體相干涉。
作為本創作進一步改進之技術方案，其中所述基部下端之側邊設有倒角。
作為本創作進一步改進之技術方案，其中所述接觸部自基部上端向上延伸出絕緣本體之上表面，所述焊接部係自基部下端向下延伸設置。
作為本創作進一步改進之技術方案，其中所述絕緣本體之上表面設有複數位於並排導電端子之間之凸台。
相較於先前技術，本創作電連接器將導電端子干涉區之中心線至絕緣本體之中性面的距離設置在絕緣本體高度的1/10以內，改善導電端子對絕緣本體的施力點，藉此可減小絕緣本體之翹曲變形，提高電連接器之電性連接性能。
請參照第一圖至第四圖所示，本創作電連接器100用於電性連接晶片模組至電路板。所述電連接器100包括絕緣本體1、設於絕緣本體1中之導電端子2以及複數錫球3。所述絕緣本體1包括上表面10、與上表面10相對之下表面11以及複數貫穿絕緣本體1之上表面10與下表面11之端子孔12。在此定義：所述上表面10至所述下表面11在豎直方向上之距離稱為絕緣本體1的高度H，所述絕緣本體1高度的1/2處之平面為絕緣本體1之中性面P。所述上表面10上設有複數位於並排導電端子2之間的凸台13，所述凸台13可於晶片模組下壓導電端子2時支撐所述晶片模組。所述絕緣本體1向端子孔12內凸伸設有凸肋120，所述凸肋120上方設有讓位區121。所述讓位區121處端子孔之尺寸大於所述凸肋120處之端子孔之尺寸，使得端子孔12自上表面10向下表面11呈階梯孔設置。所述凸肋120上方設有傾斜之導引面122，可導引導電端子2組裝入端子孔12中。
所述導電端子2包括豎直平板狀之基部20、自基部20上端兩側向上延伸設置之連接部23、自基部20上端中間部位向上延伸設置之接觸部21以及自基部20下端中間部位向下延伸設置之焊接部22。所述導電端子2之基部20下端側邊設有倒角201。
組裝時，自上而下將導電端子2組裝於端子孔12中。所述導電端子2之倒角201與凸肋120之導引面122接觸，導引導電端子2自上而下與凸肋120干涉以將導電端子2固持於端子孔12中。所述基部20之側邊以及部分連接部23之側邊與凸肋120干涉配合。連接部23靠近頂端之部分位於讓位區121處，不與絕緣本體1相干涉。所述接觸部21延伸出絕緣本體1之上表面10，用以與晶片模組接觸。所述焊接部22延伸出絕緣本體1之下表面11，用以藉由錫球3焊接至電路板。在此定義：所述導電端子2與絕緣本體1干涉配合之最上接觸點到最下接觸點的區域稱為干涉區h，所述干涉區h豎直方向之中點處平行於所述絕緣本體1之中性面P定義有干涉區之中心線L。所述干涉區之中心線L到所述絕緣本體1之中性面P的距離D在絕緣本體1高度的1/10以內，特別地，干涉區之中心線L到絕緣本體1之中性面P的距離D為零，即干涉區之中心線L恰位於絕緣本體1之中性面P內。
上述具體實施例中，導電端子與絕緣本體相互配合之干涉區為連續的線狀區域。當然，干涉區域也可設置為不連續的點狀區域，例如導電端子之倒刺設置成如第五圖所示之形狀，此種情形下，所述干涉區之中心線係指位於同側之所有點狀區域及其之間區域之總和的中點處平行於所述絕緣本體之中性面之直線。當該中心線至絕緣本體之中性面的距離在絕緣本體高度的1/10以內時，可達到減小絕緣本體翹曲之功效。
綜上所述，本創作符合新型專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本創作之較佳實施例，本創作之範圍並不以上述實施例為限，舉凡熟習本案技藝之人士援依本創作之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
100‧‧‧電連接器
1‧‧‧絕緣本體
10‧‧‧上表面
11‧‧‧下表面
12‧‧‧端子孔
120‧‧‧凸肋
121‧‧‧讓位區
122‧‧‧導引面
13‧‧‧凸台
2‧‧‧導電端子
20‧‧‧基部
201‧‧‧倒角
21‧‧‧接觸部
22‧‧‧焊接部
23‧‧‧連接部
3‧‧‧錫球
第一圖係本創作電連接器之立體組合圖；
第二圖係本創作電連接器之立體分解圖；
第三圖係本創作電連接器分解時之剖視示意圖；
第四圖係本創作電連接器沿第一圖中之IV-IV線之剖視圖；及
第五圖係與本創作相關之習知技術之電連接器示意圖。
100‧‧‧電連接器
1‧‧‧絕緣本體
10‧‧‧上表面
11‧‧‧下表面
13‧‧‧凸台
121‧‧‧讓位區
2‧‧‧導電端子
21‧‧‧接觸部
22‧‧‧焊接部
23‧‧‧連接部

Claims (10)

  1. 一種電連接器，用以連接晶片模組至電路板，所述電連接器包括：
    絕緣本體，所述絕緣本體具有上表面、與上表面相對之下表面以及貫穿上、下表面之端子孔，所述上表面至所述下表面之豎直距離稱為絕緣本體的高度，所述絕緣本體高度1/2處之平面稱為絕緣本體之中性面；
    導電端子，係組裝於所述端子孔中，所述導電端子與所述絕緣本體干涉固定，所述導電端子與絕緣本體干涉固定之最上接觸點到最下接觸點的區域稱為干涉區，所述導電端子設有位於干涉區上方用以與晶片模組接觸之接觸部以及位於干涉區下方用以焊接至電路板之焊接部，所述干涉區豎直方向的中點處平行於所述中性面定義有中心線，其中所述干涉區之中心線至絕緣本體之中性面的距離在絕緣本體高度的1/10以內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中所述干涉區之中心線至絕緣本體之中性面的距離為零，即所述干涉區之中心線位於所述絕緣本體之中性面內。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中所述絕緣本體設有向端子孔中凸起之凸肋，所述導電端子與凸肋干涉形成前述干涉區。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之電連接器，其中所述凸肋之上方設有讓位區，所述導電端子不與讓位區干涉。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之電連接器，其中所述凸肋設有傾斜設置之導引面，所述導引面導引所述導電端子自讓位區向下與凸肋干涉。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中所述導電端子設有基部，所述基部之側邊與絕緣本體相干涉。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電連接器，其中所述基部上端兩側向上延伸設有連接部，部份所述連接部與絕緣本體相干涉。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之電連接器，其中所述基部下端之側邊設有倒角。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之電連接器，其中所述接觸部自基部上端向上延伸出絕緣本體之上表面，所述焊接部係自基部下端向下延伸設置。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中所述絕緣本體之上表面設有複數位於並排導電端子之間的凸台。
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