TW201400091A - 放射線影像檢測裝置及其製造方法 - Google Patents
放射線影像檢測裝置及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201400091A TW201400091A TW102122298A TW102122298A TW201400091A TW 201400091 A TW201400091 A TW 201400091A TW 102122298 A TW102122298 A TW 102122298A TW 102122298 A TW102122298 A TW 102122298A TW 201400091 A TW201400091 A TW 201400091A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- scintillator
- photoelectric conversion
- image detecting
- conversion panel
- detecting apparatus
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 51
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 38
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- -1 erbium activated cesium iodide Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- ZEDZJUDTPVFRNB-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);triiodide Chemical compound I[Ce](I)I ZEDZJUDTPVFRNB-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 26
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 13
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 9
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 28804-46-8 Chemical compound ClC1CC(C=C2)=CC=C2C(Cl)CC2=CC=C1C=C2 VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 2
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 2
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 2
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021603 Ruthenium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- MKKCJTYKJLHFJO-UHFFFAOYSA-N [Bi].S=O Chemical compound [Bi].S=O MKKCJTYKJLHFJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N iodine(1+) Chemical compound [I+] OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- LJZVDOUZSMHXJH-UHFFFAOYSA-K ruthenium(3+);triiodide Chemical compound [Ru+3].[I-].[I-].[I-] LJZVDOUZSMHXJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940105970 yttrium iodide Drugs 0.000 description 1
- LFWQXIMAKJCMJL-UHFFFAOYSA-K yttrium(3+);triiodide Chemical compound I[Y](I)I LFWQXIMAKJCMJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本發明的課題是使感度提高，並且使重影降低。閃爍器具有包含鉈活化碘化銫的多個柱狀結晶，將X射線轉換為可見光並自柱狀結晶的前端部射出。光電轉換面板具有多個光電二極體，該光電二極體檢測自閃爍器射出的可見光並生成電荷且包含非晶矽。在將閃爍器的最大發光強度設為I1，將獲得該最大發光強度的波長設為WP，且將波長400 nm下的發光強度設為I2的情形時，滿足I2/I1≧0.1、及540 nm≦WP≦570 nm。
Description
本發明是有關於一種檢測放射線影像的放射線影像檢測裝置及其製造方法。
近年來，在醫療領域中，為進行影像診斷而使用放射線檢測裝置，該放射線檢測裝置是自放射線源向患者的攝影部位進行放射，檢測透射攝影部位的放射線(例如X射線)並將該放射線轉換為電荷，基於該電荷來生成表示攝影部位的放射線影像的影像資料(data)。該放射線檢測裝置存在將放射線直接轉換為電荷的直接轉換方式者、及暫時將放射線轉換為可見光、且將該可見光轉換為電荷的間接轉換方式者。
間接轉換方式的放射線影像檢測裝置包括：閃爍器(scintillator)(螢光體層)，將放射線轉換為可見光；以及光電轉換面板(panel)，檢測可見光並將該可見光轉換為電荷。閃爍器中使用碘化銫(cesium iodide，CsI)或氧化釓硫(gadolinium oxide sulfur，GOS)。
碘化銫與氧化釓硫相比下，製造成本高，但自放射線向
可見光的轉換效率高，且具有柱狀結晶構造，藉由光導效應(light guide effect)而使影像資料的訊噪(signal to noise，SN)比提高，因此尤其是作為適合高層次(high end)的放射線影像檢測裝置的閃爍器來使用。但是，若僅為碘化銫則發光效率低，因此在碘化銫中添加鉈(thallium，Tl)等活化劑形成鉈活化碘化銫(CSI：Tl)來實現發光效率的提高。
然而，若以鉈活化碘化銫形成閃爍器，則雖然發光效率
提高，但存在如下問題，即因鉈的添加而導致閃爍器對可見光的透射率降低，閃爍器自己吸收發光的光。因此，提出藉由在形成閃爍器之後，在空氣環境下進行加熱處理來使光透射率提高(參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利特開2009-47577號公報
然而，具有以專利文獻1記載的製造方法製造的閃爍器的放射線影像檢測裝置，藉由閃爍器的光透射率的提高而使感度提高，但另一方面，稱作重影(ghost)的殘像的產生成為問題。專利文獻1中，關於提高感度並且降低重影的方法完全未記載。
本發明的目的在於，提供一種可使感度提高並且使重影降低的放射線影像檢測裝置及其製造方法。
為解決上述問題，本發明的放射線影像檢測裝置的特徵
在於包括：閃爍器，包含鉈活化碘化銫，將放射線轉換為可見光並射出；以及光電轉換面板，排列有多個光電轉換元件，上述光電轉換元件檢測自該閃爍器射出的可見光並生成電荷且包含非晶矽(amorphous silicon)；且在將閃爍器的最大發光強度設為I1，將獲得上述最大發光強度的波長設為WP，且將波長400 nm下的發光強度設為I2的情形時，滿足I2/I1≧0.1、及540 nm≦WP≦570 nm。
再者，閃爍器中的鉈相對於銫的莫耳比較佳為0.007以
上。該情形時，較佳為，閃爍器是藉由對碘化銫與碘化鉈進行共蒸鍍而形成者。
又，較佳為，閃爍器是以150℃以上的溫度進行熱處理
而得者。
又，較佳為，光電轉換面板配置在較閃爍器更靠放射線
的入射側。
又，較佳為，閃爍器是具有多個柱狀結晶，且將放射線
轉換為可見光並自柱狀結晶的前端部射出者，光電轉換面板對向配置在上述柱狀結晶的前端部。
又，較佳為，上述放射線影像檢測裝置包括覆蓋閃爍器
的表面的表面保護膜，且柱狀結晶的前端部隔著表面保護膜而與光電轉換面板對向。
本發明的放射線影像檢測裝置的製造方法的特徵在於
包括：閃爍器形成步驟，使鉈相對於銫的莫耳比為0.007以上的鉈活化碘化銫沈積在支撐基板上，藉此形成將放射線轉換為可見光並射出的閃爍器；熱處理步驟，以150℃以上的溫度對閃爍器進行熱處理；以及貼附步驟，將光電轉換面板貼附在閃爍器上，上述光電轉換面板排列有多個檢測可見光並生成電荷且包含非晶矽的光電轉換元件。
再者，較佳為，在閃爍器形成步驟中，在支撐基板上進
行碘化銫與碘化鉈的共蒸鍍。
又，較佳為，本發明的放射線影像檢測裝置的製造方法
進而包括表面保護膜形成步驟，該表面保護膜形成步驟形成覆蓋閃爍器的表面的表面保護膜，在貼附步驟中，將閃爍器隔著表面保護膜而貼附在光電轉換面板上。
又，較佳為，表面保護膜形成步驟在熱處理步驟之後進
行。
根據本發明的放射線影像檢測裝置，在將閃爍器的最大
發光強度設為I1，將獲得該最大發光強度的波長設為WP，且將波長400 nm下的發光強度設為I2的情形時，滿足I2/I1≧0.1、及540 nm≦WP≦570 nm，由此可使感度提高，並且可使重影降低。
10‧‧‧X射線影像檢測裝置
11‧‧‧平板檢測器
12‧‧‧基座
12a‧‧‧腿部
13‧‧‧電路單元
14‧‧‧框體
14a‧‧‧頂板
14b‧‧‧主體
14c‧‧‧開口部
15‧‧‧顯示部
20‧‧‧閃爍器
21‧‧‧光電轉換面板
21a‧‧‧玻璃基板
21b‧‧‧元件部
22‧‧‧支撐基板
22a‧‧‧基板保護膜
23‧‧‧表面保護膜
24‧‧‧黏著層
25‧‧‧端部密封材
26‧‧‧接著層
27‧‧‧電子基板
28‧‧‧撓性電纜
30‧‧‧非柱狀結晶
31‧‧‧柱狀結晶
31a‧‧‧前端部
32‧‧‧空氣層
40‧‧‧畫素
41‧‧‧光電二極體
42‧‧‧電容器
43‧‧‧薄膜電晶體
44‧‧‧閘極配線
45‧‧‧資料配線
46‧‧‧閘極驅動器
47‧‧‧信號處理部
I1‧‧‧發光強度
I2‧‧‧發光強度
P1‧‧‧主波峰
P2‧‧‧次波峰
WP‧‧‧最大波峰波長
圖1是X射線影像檢測裝置的局部切斷立體圖。
圖2是X射線影像檢測裝置的概略剖面圖。
圖3是表示閃爍器的詳細構成的概略剖面圖。
圖4是表示光電轉換面板的元件部的構成的電路圖。
圖5是表示非晶矽的分光感度特性的曲線圖。
圖6是表示閃爍器的發光光譜的曲線圖。
圖7是表示實施例1~實施例3的閃爍器的發光光譜的曲線圖。
圖8是表示比較例1~比較例3的閃爍器的發光光譜的曲線圖。
圖9是表示比較例4~比較例6的閃爍器的發光光譜的曲線圖。
圖1中，X射線影像檢測裝置10包括平板檢測器(flat panel detector，FPD)11、基座12、電路單元13、及收容該等構件的框體14。框體14包括頂板14a、及扁平的箱形狀的主體14b。
頂板14a將形成在主體14b上部的開口部14c密封。頂板14a的上表面為自X射線產生器(未圖示)射出並透射被攝體(患者)的攝影部位的X射線照射的照射面。因此，頂板14a包含X射線的透射性高的碳(carbon)等。主體14b包含丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(acrylonitrile butadiene styrene，ABS)樹脂等。
X射線影像檢測裝置10與現有的X射線膠片盒(X-ray film cassette)同樣地具有可移動性，可代替X射線膠片盒使用而稱作電子膠片盒(electronic cassette)。
在框體14內，自頂板14a側依序配置有平板檢測器11、
基座12。基座12固定在框體14的主體14b上。平板檢測器11安裝在基座12上。電路單元13配置在框體14內的沿短邊方向的一端側。電路單元13收容有微電腦(micro computer)或電池(battery)(均未圖示)。
在頂板14a上設置有包含多個發光二極體(light emitting
diode，LED)的顯示部15。在顯示部15上顯示X射線影像檢測裝置10的動作模式(mode)(例如「就緒(ready)狀態」或「資料發送中」等)、或電路單元13內的電池的剩餘容量等動作狀態。
再者，亦可由LED以外的發光元件、液晶顯示器或有機電致發光(electroluminescence，EL)顯示器等構成顯示部15。
圖2中，平板檢測器11包括閃爍器20、及光電轉換面
板21。閃爍器20是藉由在支撐基板22上蒸鍍鉈活化碘化銫(CsI：Tl)而形成者，且具有柱狀構造。支撐基板22包含例如厚度為約300 μm的鋁。在支撐基板22的形成有閃爍器20的表面上，形成有基板保護膜22a。基板保護膜22a包含例如厚度為約10 μm的聚對二甲苯。作為該聚對二甲苯，更具體而言使用派瑞林C(parylene C)(日本派瑞林(Parylene)股份公司製造的商品名；「派瑞林」為註冊商標)。
在閃爍器20與支撐基板22的露出至外部的整個表面
上，形成有表面保護膜23以防止閃爍器20受潮。表面保護膜23包含例如厚度為約20 μm的聚對二甲苯。作為該聚對二甲苯，更
具體而言使用派瑞林C(日本派瑞林股份公司製造的商品名；「派瑞林」為註冊商標)。閃爍器20的折射率為1.81，基板保護膜22a及表面保護膜23的折射率為1.64。
光電轉換面板21配置在閃爍器20的頂板14a側，光電
轉換面板21與閃爍器20經由黏著層24貼合。黏著層24包含對於可見光而為透明的樹脂(例如丙烯酸樹脂(acrylic resin))，且具有例如約30 μm的厚度。又，閃爍器20、支撐基板22及黏著層24的側部由端部密封材25覆蓋。端部密封材25包含紫外線硬化樹脂。進而，光電轉換面板21經由接著層26而貼附在頂板14a上。
基座12以腿部12a固定在主體14b的底面上。在基座
12的與閃爍器20為相反側的面上，安裝有進行光電轉換面板21的驅動及信號處理等的電子基板27。電子基板27與光電轉換面板21經由撓性電纜(flexible cable)28而電性連接。
閃爍器20吸收X射線而產生可見光，該X射線是在透
射攝影部位並照射至頂板14a之後，透射頂板14a、接著層26、光電轉換面板21、黏著層24、及表面保護膜23而入射至上述閃爍器20。藉由閃爍器20而產生的可見光透射表面保護膜23及黏著層24併入射至光電轉換面板21。光電轉換面板21將入射的可見光轉換為電荷，並基於該電荷而生成表示放射線影像的影像資料。
圖3中，閃爍器20包含非柱狀結晶30與柱狀結晶31。
非柱狀結晶30為粒子狀，遍及整個支撐基板22上而形成。柱狀結晶31是以非柱狀結晶30為基礎而在非柱狀結晶30上結晶成長而得者。柱狀結晶31在非柱狀結晶30上形成有多個，柱狀結晶31彼此隔著空氣層32而分開。柱狀結晶31的直徑沿其長邊方向為大致均一(6 μm左右)。
X射線自光電轉換面板21側入射至閃爍器20，因此對
於在閃爍器20內產生可見光而言，主要是在柱狀結晶31的光電轉換面板21側產生可見光。閃爍器20所產生的可見光藉由柱狀結晶31的光導效應而在柱狀結晶31內朝向光電轉換面板21傳輸，且自前端部31a向光電轉換面板21射出。前端部31a為大致圓錐狀，其頂部的角度為銳角(例如40°~80°)。
柱狀結晶31所產生的可見光藉由光導效應亦向支撐基
板22側傳輸。在柱狀結晶31內朝向支撐基板22側傳輸的可見光到達非柱狀結晶30，該可見光的大部分在非柱狀結晶30上反射並射向光電轉換面板21側。因此，閃爍器20所產生的可見光的損失少。
光電轉換面板21包括玻璃基板21a、及形成在玻璃基板
21a上的元件部21b。玻璃基板21a配置在較元件部21b更靠X射線入射側，例如具有700 μm的厚度。
圖4中，元件部21b藉由多個畫素40排列為二維矩陣
(matrix)狀而構成。各畫素40包括光電二極體(photodiode，PD)41、電容器42、及薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)43。光
電二極體41為包含非晶矽的光電轉換元件，吸收自閃爍器20入射的可見光而生成電荷。電容器42儲存光電二極體41所生成的電荷。薄膜電晶體43是用以將儲存在電容器42中的電荷輸出至各畫素40的外部的開關(switching)元件。
各畫素40連接於閘極(gate)配線44與資料配線45。
閘極配線44沿行方向延伸，且沿列方向排列有多個。資料配線45沿列方向延伸，且以與閘極配線44相交的方式沿行方向排列有多個。閘極配線44連接於薄膜電晶體43的閘極端子。資料配線45連接於薄膜電晶體43的汲極(drain)端子。
閘極配線44的一端連接於閘極驅動器(gate driver)46。
資料配線45的一端連接於信號處理部47。閘極驅動器46及信號處理部47設置在電子基板27上。閘極驅動器46依序對各閘極配線44提供閘極驅動信號，而使與各閘極配線44連接的畫素40的薄膜電晶體43接通(on)。若薄膜電晶體43接通，則儲存在電容器42中的電荷輸出至資料配線45。
信號處理部47針對每個資料配線45而具有積分放大器
(integrating amplifier)(未圖示)。輸出至資料配線45的電荷藉由積分放大器進行積分並轉換為電壓信號。又，信號處理部47包括類比/數位(analog to digital，A/D)轉換器(未圖示)，將藉由各積分放大器生成的電壓信號轉換為數位信號而生成影像資料。
光電二極體41包含非晶矽。圖5是非晶矽的分光感度
特性。非晶矽的最大感度波長在540 nm~570 nm附近。
圖6表示閃爍器20的發光光譜。在該發光光譜中，在
波長550 nm附近產生主波峰(main peak)P1，在波長400 nm附近產生發光強度較主波峰P1小的次波峰P2。主波峰P1大致對應於光電二極體41的最大感度波長。次波峰P2大致對應於主波峰P1的色成分(黃色)的補色(藍紫)。
主波峰P1的發光強度I1較次波峰P2的發光強度I2大。
本實施方式中，次波峰P2的發光強度I2與主波峰P1的發光強度I1滿足I2/I1≧0.1的關係。此處，將發光強度I1設為發光光譜中的最大強度，將發光強度I2設為波長400 nm下的發光強度。在發光強度比I2/I1小於0.1的情形時，發光光譜中的黃色成分相對於其補色的藍紫成分而較大，因此閃爍器20的顏色略成黃色，光透射率降低。與此相對，若發光強度比I2/I1≧0.1，則閃爍器20的透明性高，光透射率佳。
平板檢測器11的感度是以將非晶矽的分光感度特性與
閃爍器20的發光光譜的積進行積分而得的積分值來表示。本實施方式中，主波峰P1的最大波峰波長WP為在非晶矽獲得最大感度波長的540 nm~570 nm的範圍內，因此平板檢測器11的感度提高。又，I2/I1≧0.1，次波峰P2的發光強度I2大，亦是由平板檢測器11的感度的提高所引起。
最大波峰波長WP依存於閃爍器20的製造時的碘化銫
(CsI)的蒸鍍率、蒸鍍時的支撐基板22的溫度、及添加的鉈(Tl)的量。蒸鍍率越低，且鉈的量越大，則最大波峰波長WP越向長波
長側偏移(shift)。為使最大波峰波長WP在540 nm~570 nm的範圍內，例如，只要使鉈相對於銫(Cs)的莫耳比(以下設為「鉈/銫比」)為0.007(0.7 mol%)以上，較佳為0.01(1 mol%)即可。
向碘化銫中添加鉈是藉由如下方法進行，即，使以規定
的莫耳比混合碘化銫與碘化鉈(TlI)而成者，藉由共蒸鍍而作為鉈活化碘化銫(碘化銫：鉈)沈積在基板上。此時，只要以使鉈/銫比為0.007以上的方式調整碘化鉈的量即可。碘化鉈藉由共蒸鍍與銫進行離子交換而活化，但除此以外，存在維持碘化鉈的狀態殘存於碘化銫的晶格中的情況。該殘存的碘化鉈捕獲(trap)有可能被碘化銫的結晶中的缺陷(銫(cesium，Cs)缺陷或碘(iodin，I)缺陷)捕獲的載子(carrier)而非輻射去活(不放出光而去活)，因此可降低重影(殘像)。即，若使最大波峰波長WP向長波長側偏移，則鉈成為易於去活的狀態，重影的降低性提高。
如此，若增大鉈/銫比，則最大波峰波長WP向長波長側
偏移，並且重影降低，但會導致次波峰P2的發光強度I2降低，從而閃爍器20的光透射性降低。為防止該發光強度I2的降低，以上述方法形成鉈活化碘化銫之後，以高溫進行退火(anneal)處理(熱處理)。例如，在氮(N2)氣體環境下，以200℃的溫度進行2小時的退火處理。藉此，發光強度I2變大，不降低感度與重影的降低性即可提高光透射性。再者，若在退火處理的氣體環境中含有氧則會使鉈活化碘化銫劣化，因此對鉈活化碘化銫使用惰性的氮作為氣體環境。
下面，對平板檢測器11的製造方法進行說明。首先，
準備鋁製的支撐基板22，以氣相成膜法將聚對二甲苯成膜在支撐基板22上，藉此形成具有約10 μm的厚度的基板保護膜22a。然後，將形成有基板保護膜22a的支撐基板22放入蒸鍍裝置(未圖示)的腔室(chamber)內，以混合碘化銫與碘化鉈而得的材料進行共蒸鍍，而使厚度為約650 μm的鉈活化碘化銫沈積在基板保護膜22a上。此時，以使鉈活化碘化銫的鉈/銫比為0.007以上(較佳為0.01)的方式調整碘化鉈的量。
其後，自蒸鍍裝置的腔室中取出沈積有鉈活化碘化銫的
支撐基板22並放入熱處理爐中。在熱處理爐內，設為氮氣體環境並以200℃的溫度進行2小時的退火處理。藉由該退火處理，如上述般鉈的狀態最佳化，並且碘化銫中吸收的水分揮發。藉由以上處理而完成具有上述發光光譜的閃爍器20。再者，退火處理的溫度較佳為150℃以上。
其次，自熱處理爐取出形成有閃爍器20的支撐基板
22，將聚對二甲苯以氣相成膜法成膜在該整個支撐基板22上，藉此形成具有約20 μm的厚度的表面保護膜23。
然後，在光電轉換面板21的元件部21b側的表面上形
成黏著層24，以該黏著層24隔著表面保護膜23而與閃爍器20的柱狀結晶31的前端部31a對向的方式，貼附光電轉換面板21與閃爍器20。最後，以覆蓋閃爍器20、支撐基板22及黏著層24的側部的方式形成紫外線硬化樹脂，藉由照射紫外線而使之硬化
來形成端部密封材25。藉由以上步驟而完成平板檢測器11。
再者，退火處理也可在形成表面保護膜23之後進行，
但由於碘化銫具有因水分而潮解的性質，因此宜如上述般，在形成表面保護膜23之前進行退火處理來使水分揮發，並且以表面保護膜23覆蓋閃爍器20來防潮。
其次，對本實施方式的作用進行說明。為使用X射線影
像檢測裝置10進行放射線影像的攝影，攝影者(例如放射線技師)以使頂板14a與攝影部位對向的方式將X射線影像檢測裝置10插入被攝體的攝影部位與基座(未圖示)之間，並進行位置調整。
若位置調整結束，則攝影者操作控制台(console)(未
圖示)而指示開始攝影。基於該指示，自X射線產生器(未圖示)射出X射線，透射攝影部位的X射線照射至X射線影像檢測裝置10的頂板14a。照射至頂板14a的X射線透射頂板14a、接著層26、光電轉換面板21、黏著層24及表面保護膜23而入射至閃爍器20。
閃爍器20吸收入射的X射線而產生可見光。對於以閃
爍器20產生可見光而言，主要是在柱狀結晶31內的頂板14a側產生可見光。在柱狀結晶31內產生的光在各柱狀結晶31內傳輸並自前端部31a射出，透過表面保護膜23及黏著層24並入射至光電轉換面板21的元件部21b。
入射至元件部21b的可見光在每個畫素40被轉換為電
荷，並輸出至信號處理部47。在信號處理部47中，將各電荷轉換
為電壓信號，藉由使該電壓信號數位化而生成表示放射線影像的影像資料。該影像資料藉由無線或有線傳送至控制台，基於該影像資料的影像顯示在與控制台連接的監視器(monitor)(未圖示)等上。
[實施例]
以下，列舉實施例對本發明進行具體說明，但本發明並非為限定於該等具體例者。
[實施例1]
以下，對本發明的閃爍器的實施例1進行說明。藉由使聚對二甲苯在包含鋁的支撐基板上氣相成長，而成膜厚度為約10 μm的表面保護膜。將該支撐基板放入蒸鍍裝置的腔室內，以混合碘化銫與碘化鉈而得的材料進行共蒸鍍，而使厚度為約650 μm的鉈活化碘化銫(閃爍器)沈積在基板保護膜上。此時，以使鉈/銫比成為0.01的方式調整碘化鉈的量。
其後，自腔室取出支撐基板並放入熱處理爐中，在氮氣體環境下，以200℃的溫度進行2小時的退火處理。然後，自熱處理爐中取出支撐基板，藉由使聚對二甲苯在整個形成有閃爍器的支撐基板上氣相成長，而形成厚度為約20 μm的表面保護膜。
對於鉈/銫比是否為規定的值，是藉由將製作的閃爍器溶解於數克(gram)水中，並利用高頻感應耦合電漿(Inductivity Coupled Plasma)法進行定量來確認。
[實施例2]
作為實施例2，與實施例1同樣地進行閃爍器的製造，此時，使退火處理的溫度為150℃(處理時間為2小時)。
[實施例3]
作為實施例3，與實施例1同樣地進行閃爍器的製作，此時，以使鉈/銫比成為0.007的方式調整碘化鉈的量。
其次，列舉用以與本發明的閃爍器比較特性的比較例。
[比較例1]
作為比較例1，與實施例1同樣地進行閃爍器的製作，此時，使退火處理的溫度為60℃(處理時間為2小時)。
[比較例2]
作為比較例2，與實施例1同樣地進行閃爍器的製作，此時，不實施退火處理。
[比較例3]
作為比較例3，與實施例1同樣地進行閃爍器的製作，此時，以使鉈/銫比成為0.007的方式調整碘化鉈的量，且不實施退火處理。
[比較例4]
作為比較例4，與實施例1同樣地進行閃爍器的製作，此時，以使鉈/銫比成為0.003的方式調整碘化鉈的量。
[比較例5]
作為比較例5，與實施例1同樣地進行閃爍器的製作，此時，以使鉈/銫比成為0.003的方式調整碘化鉈的量，且不實施退火處
理。
[比較例6]
作為比較例6，與實施例1同樣地進行閃爍器的製作，此時，以使鉈/銫比成為0.02的方式調整碘化鉈的量，且不實施退火處理。
其次，對實施例1~實施例3及比較例1~比較例6中製作的閃爍器的特性(發光強度比I2/I1、最大波峰波長WP、相對感度、重影值)進行評估。其結果，獲得表1所示的結果。
(特性的評估方法)
對於發光強度比I2/I1，使用發光分光光度計(Hitachi-F4500)，藉由波長310 nm的激發光而獲得閃爍器的發光光譜，並根據該發光光譜計算出該發光強度比I2/I1。又，最大波峰波長WP是基於該發光光譜而求出。再者，在發光光譜中，在波長620 nm附近產生由測定系統引起的干擾雜訊，因此波長620 nm附近的資料排除在評估對象外。圖7表示實施例1~實施例3的閃爍器的發光光譜。
圖8及圖9表示比較例1~比較例6的閃爍器的發光光譜。
對於相對感度，在將閃爍器組裝入平板檢測器中的狀態下，將X射線的線質設為國際電工協會(International Electrotechnical Commission，IEC)標準的遞歸定量分析(recurrence quantification analysis，RQA)5的條件，且將攝影線量設為1 mR來測定感度，將鉈/銫比為0.01且不進行退火處理的情形時(比較例2)的感度設為100來表現該相對感度。此處，感度是指檢測量子效率(detective quantum efficiency，DQE)。
對於重影值的測定，首先，在線質為國際電工協會標準的遞歸定量分析5的條件下，將攝影線量400 mR的X射線照射至平板檢測器的局部，並在自該X射線照射起經過120 s的時間點，將攝影線量5 mR的X射線照射至整個平板檢測器。然後，測定最初的攝影線量400 mR的X射線所照射的區域的感度A、與該X射線未照射的區域的感度B，將{(A/B)-1}×100(%)的算出值作為重影值。
(評估基準)
將發光強度比I2/I1為0.1以上設為合格(Pass)。將最大波峰波長WP為540 nm~570 nm的範圍設為合格。將相對感度為115以上設為合格。將重影值為1.5%以下設為合格。
實施例1~實施例3各自的任一特性值均合格，感度及重影值的雙方滿足評估基準。與此相對，比較例1~比較例6各自的某一特性值為不合格(Fail)，感度與重影值的某一者不滿足評
估基準。如此，藉由設為I2/I1≧0.1、540 nm≦WP≦570 nm，而可使感度提高，並且使重影降低。
再者，上述實施方式中，自X射線的入射側依序配置有光電轉換面板21、閃爍器20，但亦可與之相反，而自X射線的入射側依序配置有閃爍器20、光電轉換面板21。
又，上述實施方式中，將本發明應用於作為可移動型的放射線影像檢測裝置的電子膠片盒，但亦可應用於站姿型或臥姿型的放射線影像檢測裝置、或乳房攝影(mammography)裝置等。
I1‧‧‧發光強度
I2‧‧‧發光強度
P1‧‧‧主波峰
P2‧‧‧次波峰
WP‧‧‧最大波峰波長
Claims (13)
- 一種放射線影像檢測裝置，其特徵在於包括：閃爍器，包含鉈活化碘化銫，將放射線轉換為可見光並射出；以及光電轉換面板，排列有多個光電轉換元件，上述光電轉換元件檢測自上述閃爍器射出的可見光並生成電荷且包含非晶矽，並且在將上述閃爍器的最大發光強度設為I1，將獲得上述最大發光強度的波長設為WP，且將波長400 nm下的發光強度設為I2的情形時，滿足I2/I1≧0.1、及540 nm≦WP≦570 nm。
- 如申請專利範圍第1項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述閃爍器中的鉈相對於銫的莫耳比為0.007以上。
- 如申請專利範圍第2項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述閃爍器是藉由對碘化銫與碘化鉈進行共蒸鍍而形成者。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述閃爍器是以150℃以上的溫度進行熱處理而得者。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述光電轉換面板配置在較上述閃爍器更靠放射線的入射側。
- 如申請專利範圍第3項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述光電轉換面板配置在較上述閃爍器更靠放射線的入射側。
- 如申請專利範圍第4項所述的放射線影像檢測裝置，其中 上述光電轉換面板配置在較上述閃爍器更靠放射線的入射側。
- 如申請專利範圍第5項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述閃爍器是具有多個柱狀結晶，且將放射線轉換為可見光並自上述柱狀結晶的前端部射出者，並且上述光電轉換面板是與上述前端部對向而配置。
- 如申請專利範圍第8項所述的放射線影像檢測裝置，其包括覆蓋上述閃爍器的表面的表面保護膜，上述前端部隔著上述表面保護膜而與上述光電轉換面板對向。
- 一種放射線影像檢測裝置的製造方法，其特徵在於包括：閃爍器形成步驟，藉由使鉈相對於銫的莫耳比為0.007以上的鉈活化碘化銫沈積在支撐基板上，而形成將放射線轉換為可見光並射出的閃爍器；熱處理步驟，以150℃以上的溫度對上述閃爍器進行熱處理；以及貼附步驟，將光電轉換面板貼附在上述閃爍器上，上述光電轉換面板排列有多個檢測可見光並生成電荷且包含非晶矽的光電轉換元件。
- 如申請專利範圍第10項所述的放射線影像檢測裝置的製造方法，其中在上述閃爍器形成步驟中，在上述支撐基板上進行碘化銫與碘化鉈的共蒸鍍。
- 如申請專利範圍第10項或第11項所述的放射線影像檢測裝置的製造方法，其進而包括形成覆蓋上述閃爍器的表面的表面 保護膜的表面保護膜形成步驟，在上述貼附步驟中，將上述閃爍器隔著上述表面保護膜而貼附在上述光電轉換面板上。
- 如申請專利範圍第12項所述的放射線影像檢測裝置的製造方法，其中上述表面保護膜形成步驟是在上述熱處理步驟之後進行。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012145284A JP2014009991A (ja) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 放射線画像検出装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201400091A true TW201400091A (zh) | 2014-01-01 |
Family
ID=49777120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102122298A TW201400091A (zh) | 2012-06-28 | 2013-06-24 | 放射線影像檢測裝置及其製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140001367A1 (zh) |
| JP (1) | JP2014009991A (zh) |
| TW (1) | TW201400091A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106796299A (zh) * | 2014-07-14 | 2017-05-31 | 东芝电子管器件株式会社 | 放射线检测器及闪烁面板 |
| TWI638181B (zh) * | 2016-07-11 | 2018-10-11 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | Radiation detector |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9063238B2 (en) * | 2012-08-08 | 2015-06-23 | General Electric Company | Complementary metal-oxide-semiconductor X-ray detector |
| JP6179362B2 (ja) * | 2013-11-14 | 2017-08-16 | コニカミノルタ株式会社 | ブライトバーンの消去方法およびブライトバーン消去機能を有する放射線画像撮影装置 |
| JP2016085194A (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-19 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線検出器及びその製造方法 |
| CN106686932B (zh) | 2015-11-05 | 2019-12-13 | 精能医学股份有限公司 | 植入式电子装置的防水结构 |
| CN107703533B (zh) * | 2016-08-05 | 2024-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 探测面板及探测装置 |
| JP6433560B1 (ja) | 2017-09-27 | 2018-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
| JP7080630B2 (ja) * | 2017-12-21 | 2022-06-06 | キヤノン株式会社 | シンチレータプレート及びこれを用いた放射線検出器 |
| JP2023077337A (ja) * | 2021-11-24 | 2023-06-05 | キヤノン株式会社 | シンチレータプレート、放射線検出器、およびシンチレータプレートの製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3454904B2 (ja) * | 1994-02-25 | 2003-10-06 | 株式会社東芝 | セラミックシンチレ―タおよびｘ線検出器 |
| US5548123A (en) * | 1994-12-06 | 1996-08-20 | Regents Of The University Of California | High resolution, multiple-energy linear sweep detector for x-ray imaging |
| JPH08295878A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Yazaki Corp | シンチレータ及び放射線検出器用シンチレータ並びに放射線検出器 |
| JP2003075593A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 放射線シンチレータならびに画像検出器およびその製造方法 |
| JP2004241653A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Hamamatsu Photonics Kk | Ｘ線撮像素子 |
| US7180068B1 (en) * | 2004-06-09 | 2007-02-20 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Scintillation materials with reduced afterglow and method of preparation |
| US7352840B1 (en) * | 2004-06-21 | 2008-04-01 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Micro CT scanners incorporating internal gain charge-coupled devices |
| DE102005034915B4 (de) * | 2005-07-26 | 2012-06-21 | Siemens Ag | Strahlungswandler und Verfahren zur Herstellung des Strahlungswandlers |
| JP4920994B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2012-04-18 | キヤノン株式会社 | シンチレータパネル、放射線検出装置及び放射線検出システム |
| JP5212115B2 (ja) * | 2007-02-02 | 2013-06-19 | 日立金属株式会社 | 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器 |
| US20090162535A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Jean-Pierre Tahon | Method of forming a phosphor or scintillator material and vapor deposition apparatus used therefor |
| WO2010050358A1 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | コニカミノルタエムジー株式会社 | シンチレータパネル、放射線検出装置及びそれらの製造方法 |
| JP5610798B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-10-22 | キヤノン株式会社 | シンチレータの製造方法 |
-
2012
- 2012-06-28 JP JP2012145284A patent/JP2014009991A/ja active Pending
-
2013
- 2013-06-06 US US13/911,888 patent/US20140001367A1/en not_active Abandoned
- 2013-06-24 TW TW102122298A patent/TW201400091A/zh unknown
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106796299A (zh) * | 2014-07-14 | 2017-05-31 | 东芝电子管器件株式会社 | 放射线检测器及闪烁面板 |
| CN106796299B (zh) * | 2014-07-14 | 2019-07-26 | 佳能电子管器件株式会社 | 放射线检测器及闪烁面板 |
| TWI638181B (zh) * | 2016-07-11 | 2018-10-11 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | Radiation detector |
| TWI667491B (zh) * | 2016-07-11 | 2019-08-01 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | Radiation detector |
| US10782427B2 (en) | 2016-07-11 | 2020-09-22 | Hamamatsu Photonix K.K. | Radiation detector having an alloyed electrode |
| US10859717B2 (en) | 2016-07-11 | 2020-12-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
| US11307315B2 (en) | 2016-07-11 | 2022-04-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
| US11555934B2 (en) | 2016-07-11 | 2023-01-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014009991A (ja) | 2014-01-20 |
| US20140001367A1 (en) | 2014-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201400091A (zh) | 放射線影像檢測裝置及其製造方法 | |
| JP5407140B2 (ja) | 放射線用シンチレータプレート | |
| AU2017367615B9 (en) | Hybrid active matrix flat panel detector system and method | |
| WO2007040042A1 (ja) | 放射線用シンチレータプレート及び放射線画像検出器 | |
| WO2003071307A1 (en) | X-ray imaging device | |
| WO2012147814A1 (ja) | 放射線画像検出装置、及び放射線撮影装置 | |
| JP6179362B2 (ja) | ブライトバーンの消去方法およびブライトバーン消去機能を有する放射線画像撮影装置 | |
| WO2013015267A1 (ja) | 放射線撮影装置 | |
| US20130313438A1 (en) | Radiological image detection device | |
| TW201401297A (zh) | 放射線影像檢測裝置 | |
| KR101711715B1 (ko) | X선 검출기 및 x선 측정 방법 | |
| JP6609099B2 (ja) | 放射線検出装置、及び放射線検出シート | |
| US20050002490A1 (en) | Rare earth activated lutetium oxyorthosilicate phosphor for direct X-ray detection | |
| TW201729404A (zh) | X射線攝影元件的製造方法 | |
| WO2015072197A1 (ja) | 放射線検出器、シンチレータパネルおよびそれらの製造方法 | |
| JP4881175B2 (ja) | シンチレータおよび平面型ｘ線画像検出装置 | |
| JP2018004590A (ja) | シンチレータ、シンチレータパネル、放射線検出器、およびシンチレータの製造方法 | |
| US20080054222A1 (en) | Scintillator and scintillator plate fitted with the same | |
| Nagarkar et al. | Suppression Of Afterglow In CsI (Tl) By Codoping With Eu/sup 2+: Fabrication Of Microcolumnar Films For High-Resolution High-Speed Imaging | |
| JP2007170954A (ja) | 放射線検出器 | |
| US20120313013A1 (en) | Scintillator plate | |
| Zhao et al. | Metal Halide Perovskites for Sensitive X‐ray Detectors | |
| JP2012093259A (ja) | 放射線撮影装置 | |
| JP2007163250A (ja) | 放射線検出器 | |
| KR101903268B1 (ko) | 방사선 검출기 및 신틸레이터 패널 |