KR101711715B1 - X선 검출기 및 x선 측정 방법 - Google Patents

X선 검출기 및 x선 측정 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 작동 중에 X선원에 대면하는 상부면(4)과, X선을 전기 측정 신호로 직접 전환하기 위한 반도체층(14)을 구비한 X선 검출기(2)에 관한 것으로서, 이때 상부면(4)과 반도체층(14) 사이에 발광 필름(12)이 배치되고, 상기 발광 필름을 이용해 전자기 방사선이 반도체층(14) 내로 결합될 수 있다.

Description

X선 검출기 및 X선 측정 방법{X-RAY RADIATION DETECTOR AND METHOD FOR MEASURING X-RAY RADIATION}
본 발명은 작동 중에 X선원에 대면하는 상부면과, X선을 전기 측정 신호로 직접 전환하기 위한 반도체층을 구비한 X선 검출기에 관한 것이다. 상기 유형의 X선 검출기는 문헌 US 7 652 258 B2호에 개시되어 있다. 또한, 본 발명은 이러한 X선 검출기를 이용해 X선을 측정하기 위한 방법에 관한 것이다.
X선을 검출하기 위해, 예컨대 컴퓨터 단층촬영과 같은 영상 생성 시스템에서 직접 전환되는 검출기가 점점 더 이용되고, 상기 검출기에서는 검출될 방사선이 예컨대 CdTe, CdZnTe, CdZnTeSe, CdTeSe, CdMnTe, InP, TIBr2 또는 HgI2로 구성되는 반도체층 내에서 직접 전기 측정 신호로 전환된다.
상기 유형의 반도체 재료에 대해서는 비교적 높은 농도의 격자 결함이 전형적이고, 이 격자 결함은 무엇보다 이른바 전자를 위한 "트랩(trap)"으로서 전기적으로 유효하다. 일반적으로 이러한 불순물에 속하는 에너지 수준 중 많은 에너지 수준은 정상 조건에서 점유되지 않고, 반도체를 비로소 조사하는 경우에야 충전된다. 이러한 에너지 수준를 점유하는 전자들이 하기와 같이 불순물에 결합되어서, 반도체 결정 내에 위치 고정되어 머무름으로써, 반도체 결정 내에 방사선에 따른 편광이 야기된다. 이를 통해 측정 신호의 위조가 발생되는데, 그 이유는 한편으로는 검출될 방사선에 의해 발생된 자유 전하 캐리어 중 일부가 더 이상 측정 신호에 기여하지 않고, 부분적으로 불순물에 의해 포집되기 때문이고, 다른 한편으로는 반도체 물질 내에 작용하는 변위 전기장이 위치 고정된 전하에 의해 변경되기 때문이다.
특허 문헌 US 7 652 258 B2호에는, 불순물 수준의 점유와 이로 인해 적외선선에 의한 편광 상태를 사전 설정하기 위해, 적외선으로 검출기를 조사하는 것이 제안된다. 여기서, 적외선은 복잡한 방식으로 추가의 적외선 발생기에서 생성되고 검출기 구조물 내로 결합된다.
따라서, 본 발명은 간단한 구성에 의해 개선된 X선 검출기와 X선을 측정하기 위해 개선된 방법을 제공하는 과제에 기초한다.
본 발명에 따라, X선 검출기와 관련된 과제는 청구범위 제1항의 특징들을 갖는 X선 검출기에 의해 해결된다. 이를 인용하는 청구항들은 부분적으로는 바람직하고 부분적으로는 그 자체로 진보성이 있는 본 발명의 개선예들을 포함한다.
X선 검출기는 작동 중에 X선원에 대향하는 상부면과, X선을 직접 측정 신호로 전환하기 위한 반도체층을 포함한다. 상부면과 반도체층 사이에는 발광 필름이 배치되고, 상기 발광 필름을 이용해 작동 시에 적어도 일시적으로 전자기 방사선이 반도체층 내로 평평하게 결합된다. 이때 발광 필름은 특히 X선 검출기의 구조물 내로 통합되어서, 전자기 방사선은 X선 검출기 내에서 직접 발생하고, 바람직하게는 예컨대 거울, 렌즈 또는 광전도성 섬유와 같은 광학적 보조 수단 없이 반도체층 내로 방사된다. 전자기 방사선원의 표면형 형상으로 인해 전자기 방사선이 특히 균일하게 반도체층 내로 결합될 수 있어서, 편광은 반도체층 내부에서 그리고 반도체층의 전체 체적에 걸쳐 특히 균일하게 제공될 수 있다.
전자기 방사선으로서 바람직하게 500nm보다 더 긴 파장을 갖는 전자기 방사선 및 특히 적외선이 이용된다.
또한, 바람직하게 발광 필름이 반도체층의 표면을 완전히 평평하게 커버하는 X선 검출기의 일 대안예가 제공된다. 이때, 발광 필름은 반도체층을 보완하면서 상부면과 반도체층 사이에 배치되는 제2 기능층으로서 기능하며, 상기 제2 기능층은 X선이 관통하거나 적어도 부분적으로 관통하는 재료로 구성된다. 여기서는 바람직하게는 밀도가 작고 그리고/또는 원자수가 적은 재료가 이용된다. 또한, 발광 필름 또는 발광층의 두께는 가능한 한 얇게 유지된다. 상기 유형으로 적층된 X선 검출기 또는 검출기 유닛의 구성은 비교적 기술적으로 덜 복잡하게 구현될 수 있고, 이는 상응하는 검출기 또는 검출기 유닛의 제조를 분명히 단순화한다.
또한 X선 검출기의 일 대안예에서는, 발광 필름과 반도체층 사이에 추가로 필터 필름이 제공되는 것이 바람직하다. 이를 통해 반도체층 내로 결합되는 방사선의 주파수 스페트럼이 특히 간단한 방식으로 특히 바람직한 주파수 밴드로 제한될 수 있다.
X선 검출기의 바람직한 일 구현예에 상응하게는, 발광 필름으로서 유기 발광 다이오드 필름(OLED 필름)이 제공된다. 바람직한 일 대안예에서는, 발광 필름으로서 전자 발광 필름, 즉 특히 이른바 데스트리오 효과(Destriau effect)가 전자기 방사선을 생성하는 데에 이용되는 필름이 사용된다. 양 필름 유형들은 기존의 검출기 디자인에 그리 큰 기술적 비용 없이 통합되고, 비교적 기술적으로 그리고 경제적으로 적은 비용으로 제조될 수 있다. 이때 현재 상업상의 목적을 위해 제조되는 이러한 유형의 발광 필름의 경우 비교적 폭이 넓은 이미션 스펙트럼이 전형적이어서, 바람직하게는 이러한 필터 필름에 의해 보완됨으로써, 600nm과 900nm 사이의 파장을 갖는 적외선용 광원이 구현된다.
이 외에도, 발광 필름이 서로 독립적으로 구동 가능한 복수의 세그먼트들을 포함하는 X선 검출기의 일 대안예가 유리하다. 상기 대안예는, 상부면과 반도체층 사이에 서로 독립적으로 구동 가능한 복수의 개별 발광 필름들로 구성된 일 종류의 층이 배치되는 것을 의미한다. 이를 통해, 예컨대 상이한 영역들이 반도체층 내에서 상이한 강도로 조사될 수 있고, 이는 예컨대, 반도체층 내부에서 불순물의 농도에 국부적인 차이가 존재할 경우에 바람직하다.
바람직한 일 개선예에서, X선 검출기는 복수의 기능 유닛들로 구성되고, 이때 각각의 기능 유닛은 복수의 검출기 픽셀들을 포함하며, 각각의 기능 유닛에는 하나 이상의 세그먼트 또는 발광 필름이 할당된다. 이때 상응하는 기능 유닛은, 기능 유닛의 반도체층이 결정에 의해 형성되거나 각각의 기능 유닛에 대해 회로 유닛, 다시 말해 예컨대 판독칩이 제공됨으로써 결정될 수 있다. 예컨대 컴퓨터 단층촬영 시에, X선 검출기는 전형적으로 사실상 동일하게 구성되는, 활형으로 나란히 줄지어 위치하는 이른바 복수의 "모듈들"로 구성되며, 이때 모듈들은 검출기 활을 형성하기 위해 나란히 줄지어 배치된다. 모듈들 자체는 예컨대 직사각형 검출기면을 포함하고 개별 기능 유닛들, 이른바 "샘플들(samples)"로 구성된다. "샘플들"은 다시금 관련 반도체층을 포함하는데, 다시 말해 더 작은 반도체 조각들로 구성되지는 않는다. 이때 "샘플들"은 전형적으로 복수의 픽셀들을 포함한다. 이러한 경우에, 바람직하게 각각의 "샘플"에 하나 이상의 세그먼트 또는 필름이 할당된다.
본 발명에 따라, 상기 방법에 관련되는 과제는 청구범위 제8항의 특징들을 갖는 방법에 의해 해결된다.
상기 방법은, 작동 중에 X선원에 대향하는 상부면과, X선을 전기 측정 신호로 직접 전환하기 위한 반도체층을 갖는 X선 검출기를 이용해 X선 측정에 이용되고, 이때 적어도 일시적으로 적외선이 반도체층 내로 결합되는 발광 필름이 제공된다. 이때, X선 검출기는 특히 상술된 대안예들 중에서 일 대안예에 따라 구성되고, 발광 필름은 바람직하게 X선 검출기의 구조 내로 통합되어서, 적외선은 추가의 광 보조 부재를 이용하지 않고 평평하게 직접 반도체층 내로 조사될 수 있다.
이때 방법의 일 대안예에서, 발광 필름이 서로 독립적으로 구동 가능한 복수의 세그먼트들을 포함하고, 세그먼트들이 상이한 강도의 적외선을 발생시키는 방식으로 세그먼트들은 개별적으로 구동되는 것이 바람직하다. 이때, 대안 실시예에서 "세그먼트"는 복수의 개별 발광 필름들이 일 종류의 발광 필름층을 형성하는 것을 의미한다. 이때, 개별 발광 필름들은 세그먼트들을 형성한다. 이러한 방식으로 예를 들어 상이하고 국부적인 강도로 반도체층의 상이한 영역들이 조사될 수 있어서, 이를 통해 예컨대 반도체층의 불순물 밀도의 국부적인 차이에 대한 국부적인 조사 강도의 매칭이 이루어질 수 있다.
상기 방법의 추가의 일 바람직한 대안예에 상응하도록, X선 검출기는 각각 복수의 검출 픽셀들을 포함하는 복수의 기능 유닛들로 구성되고, 이때 각각의 기능 유닛에는 서로 독립적으로 구동 가능한 복수의 세그먼트들이 할당된다. 특히 세그먼트들은, 각각의 기능 유닛의 경우 중앙 영역과 모서리 영역에서 상이한 강도의 적외선이 결합되는 방식으로 작동 중에 개별적으로 구동된다. 이때 이러한 기능 유닛은 특히, 기능 유닛의 반도체층이 결정에 의해 제공되는 것을 특징으로 한다. 이에 상응하게 기능 유닛의 모서리 영역에 상기 결정의 상부면들이 포지셔닝됨으로써, 반도체층은 이러한 영역에서 불순물 수준의 밀도가 더 높다. 이러한 불순물 수준은 바람직하게 각각의 측정을 시작하기 전에 완전히 충전되어야 하므로, 모서리 영역은 바람직하게 모서리 영역에 비해 불순물 수준의 밀도가 더 낮은 중앙 영역보다 더 집중적으로 적외선 조사된다.
또한 일 방법의 대안예에서는, 적외선의 강도가 예비 단계 중에, 바람직하게는 각각의 측정을 시작하기 전에, 임계값을 초과하고 또한 특히 일정하게 유지되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 임계값은 바람직하게 특히, 반도체층의 적외선 조사에 의해 불순물 수준이 사실상 완전히 충전되도록 선택된다. 바람직한 일 대안예에 따라, 예비 단계 중에 강도가 변화된다.
또한 상기 방법의 일 대안예에서, 적외선의 강도는 예비 단계에 이어지는 측정 단계의 시작시에 감소되어 특히 거의 0의 값으로 하향 조절되거나 차단되는 것이 바람직하다. 이러한 대안예는 특히, 적외선의 광자가 대략 반도체층을 위해 이용되는 반도체 물질의 밴드갭에 상응하는 에너지를 갖는 경우에 바람직한데, 그 이유는 이러한 경우 적외선이 전자-홀(electron-hole)쌍을 발생시키고, 전기 측정 신호에 기여하기 때문이다.
바람직한 일 구현예에서, 적외선의 강도는 예비 단계에 이어지는 측정 단계 중에 예상되는 X선속, 다시 말해 X선의 강도에 따라 조절된다. 이때 상기 조절도 예컨대 앞서 촬영된 환자의 X선 단층사진의 데이터에 의해 검출되는 계산된 X선속에 기초하여 이루어진다. 이때, 간단한 전환을 위해 조절용 고정 목표값이 제공되지 않고, 오히려 예상될 특정한 X선속을 위해 어떠한 강도가 바람직한지가 사전에 실험으로 검출된다. 그러면, 이러한 정보들은 측정 기준 또는 교정 기준으로 정해져 조절의 근간이 된다.
이 외에도, 일 방법의 변형예에서는, 예비 단계에 이어지는 측정 단계 중에 적외선의 강도는, 발생된 광전류가 일정하게 유지되는 방식으로 조절되는 것이 바람직하다. 이에 상응하게 적외선의 강도는 측정될 그리고 검출기에 입사될 X선의 강도에 매칭되어서, 입사되는 X선과 입사되는 적외선의 조합에 의해 항상 사전 설정되는 광전류가 발생된다. 이러한 방법의 경우, 바람직하게 적외선이 이용되고, 상기 적외선의 광자들은 반도체층을 위해 이용되는 반도체 물질의 밴드갭보다 큰 에너지를 포함한다.
대안으로 일 방법 변형예에서는, 예비 단계에 이어지는 측정 단계 중에 적외선의 강도가 일정하고 예비 단계의 수준에서 특히 일정하게 유지되는 것이 제공된다.
본 발명의 실시예는 개략도에 의해 하기에서 더 자세히 설명된다.
도 1은 X선 검출기의 단면도이다.
도 2는 X선 검출기의 기능 유닛의 평면도이다.
도 3은 발생된 적외선의 제1 방법 및 시간에 따른 강도 그래프이다.
도 4는 발생된 적외선의 제2 방법 및 시간에 따른 강도 그래프이다.
도 5는 발생된 적외선의 제3 방법 및 시간에 따른 강도 그래프이다.
도 6는 발생된 적외선의 제4 방법 및 시간에 따른 강도 그래프이다.
도 7는 발생된 적외선의 제5 방법 및 시간에 따른 강도 그래프이다.
서로 상응하는 부품들은 모든 도면에서 각각 동일한 도면부호로 표시된다.
여기에 제공되는 X선 검출기(2)는 이른바 직접-변환기로 형성되고 바람직하게 컴퓨터 단층촬영과 같은 영상 생성 의학 시스템에 이용된다. 이때 상기 X선 검출기는 더 자세히 도시되지는 않는 X선원과 대향하여 배치되고, 이때 상부면(4)은 영상을 생성하기 위한 X선원에 향해 있다. 상부면(4)을 통해 X선원으로부터 발생된 X선이 X선 검출기(2) 내로 발생함으로써 시준기(collimator) 층(6)에 도달하고, 상기 시준기 층에 의해 바람직하지 않은 산란선이 필터링된다. 시준기 층(6)을 포지셔닝하기 위해 이러한 시준기 층은 고정 구조물(8) 내에 매립되고, 상기 고정 구조물은 예컨대 세라믹으로 형성된 캐리어 플레이트(10)와 고정 연결된다. 시준기 층(6)에는 고정 플레이트(10)의 방향으로 발광 필름(12), 반도체 층(14) 및 ASIC(ASIC: application-specific intergrated circuit)칩의 유형에 따라 형성된 판독층(16)이 이어진다.
이제 X선이 시준기 층(6)과 X선에 대해 투과성 있는 발광 필름(12)을 통과해 반도체층(14) 내로 도달하면, 이러한 X선은 반도체층(14) 내에서 자유 이동 전하 캐리어, 특히 전자-홀쌍을 생성하고, 상기 전하 캐리어는 제공된 전위차로 인해 캐소드(18)와 판독층(16) 사이로 방출되며, 판독층(16) 내에서 알려진 원리에 의해 위치에 따라 검출된다.
측정 과정에서 X선에 의해 발생된 가능한 한 모든 자유 전하 캐리어가 전위차에 의해 방출될 수 있어서 측정 신호에 기여하고 반도체층(14)의 재료에서 격자 결함으로 인해 국부적으로 결합되지 않도록, 반도체층(14)은 각각의 측정 과정 또는 각각의 측정 단계 이전에 예비 단계에서, 발광 필름(12)에 의해 생성되는 적외선으로 조사된다. 이때 발광 필름(12)은 반도체층(14)을 완전히 평평하게 커버하기 때문에, 반도체층(14)의 전체적인 팽창에 의해 적외선이 균일하게 반도체층 내로 결합될 수 있다.
발광 필름(12)에 의해 발생된 적외선이 가능한 한 방해 없이 캐소드(18)를 통해 반도체층(14) 내로 도달하기 위해, 캐소드(18)는 X선에 대해 그리고 마찬가지로 적외선에 대해서도 부분적으로 관통하도록 형성된다. 이는 예컨대, 캐소드(18)에 사용된 재료가 적외선에 대해 적어도 부분적으로 투과성이 있고, 그리고/또는 캐소드(18)를 위해 적합한 구조화가 제공됨으로써 달성된다. 변형 실시예에 따라, 캐소드(18)는 예컨대 얇고 다공성인 금속 필름에 의해 제공되거나, 상기 캐소드는 격자의 유형으로 형성된다. 이 외에도, 발광 필름(12)과 캐소드(18) 사이에는 전기 절연부가 제공되고, 상기 전기 절연부는 실시예에서 공기 갭(20)에 의해 구현된다.
의학 기술에 적용되는 경우, 특히 컴퓨터 단층촬영의 경우 활형의 X선 검출기(2)가 빈번하게 이용되고, 상기 검출기에서는 사전 제조된 모듈 유닛으로 형성된 "모듈들"이 서로 나란히 줄지어 지지 구조물 내에 삽입된다. "모듈들"은 일반적으로 사각형이고 이의 종방향면이 나란히 접한다. 상기 모듈들은 개별 기능 유닛들(22), 이른바 "샘플들"로 형성되고, 상기 샘플들은 다시금 매트릭스형 픽셀 배치를 지지한다. 기능 유닛(22)은 전형적으로 "모듈들"의 종방향을 따라 (종측면의 방향으로) 일렬로 서로 줄지어 있다. "모듈" 및 기능 유닛은 기본적으로 도 1에 대해 설명된 구조와 동일한 구조를 갖는다.
예컨대 기능 유닛(22)은, 모든 기능 유닛(22)의 반도체층(14)이 결정에 의해 제공됨으로써 결정된다. 추가로 모든 기능 유닛(22)을 위해 바람직하게 고유한 제어 유닛 및 전력 공급 유닛이 제공되고, 상기 제어 유닛과 공급 유닛을 이용해 발광 필름(12)이 구동되며, 상기 발광 필름을 이용해 캐소드(18)와 판독층(16) 사이에 전위차가 제공되고, 상기 전위차로 인해 판독층(16) 내에서 검출된 전기 신호가 처리된다. 그러나 대안으로 X선 검출기(2)를 위한 중앙 제어 유닛 및 공급 유닛(24)도 제공된다.
도 2의 실시예에 따라, 각각의 기능 유닛들(22) 중에서 일 유닛에는 16개의 개별 발광 필름들 또는 세그먼트들(26)이 할당되고, 이들은 각각의 제어 유닛 및 공급 유닛에 의해 각각 서로 독립적으로 구동되며, 상부면(4)에서 보면 공동으로 반도체층(14)의 표면을 완전히 평평하게 커버한다. 이때, 중앙에 포지셔닝되는 4개의 세그먼트들(26)은 중앙 영역(28)을 커버하는 반면에, 나머지 세그먼트들(26)은 모서리 영역(30)을 커버한다. 이때, 세그먼트들(26)의 구동은, 중앙 영역(28)이 제공된 강도의 적외선으로 예비 단계에서 균일하게 조사되고, 모서리 영역(30)이 이와 다른 강도의 적외선으로 조사되는 방식으로 이루어진다. 이를 위해 바람직하게 중앙 영역(28)에 있는 세그먼트들(26)은 각각 동일한 유형으로 구동되고, 모서리 영역(30)의 세그먼트들(26)은 이와는 다른 동일한 유형으로 구동된다.
각각의 세그먼트들(26) 중 일 세그먼트를 구동하기 위해, 방법 변형예에 따라 상이한 제어 원칙들이 제공된다. 도 3, 도 4 및 도 7에 예시적으로 도시된 제어 원칙에 따라, 관측되는 일 세그먼트(26)는, 이 세그먼트가 예비 단계 중에 임계값(SW)을 초과하는 일정한 강도(I)의 적외선을 발생시키는 방식으로 예비 단계(V) 중에 구동된다. 선택된 시점(tSM)에서 측정 단계(M)가 시작되고 예비 단계(V)가 종료되면, 세그먼트(26)는 제어 원칙에 따라 상이하게 구동된다. 제어 원칙에 따라 이러한 세그먼트는 도 3에 도시되고, 세그먼트(26)는 측정 단계(M)의 초기에 차단된다. 추가의 제어 원칙에 따라 측정 단계(M)가 시작되면서 강도(I)의 영구적 조절이 이루어진다. 이때 조절은 예컨대 반도체층(14) 내로 결합되는 X선의 계산된 강도를 기초로 이루어지고, 상기 X선은 사전 촬영된 환자의 단층촬영 정보에 의해 검출되거나, 적외선의 강도(I)는 측정 단계(M) 중에, 생성된 광전류가 일정하게 유지되는 방식으로 조절된다. 이때, 적외선의 강도(I)는 측정될 그리고 검출기에 입사될 X선의 강도에 매칭되어서, 입사되는 X선과 입사되는 적외선의 조합에 의해 항상 사전 설정된 광전류가 발생된다. 이러한 제어 원칙은 도 4에 도시된다. 도 5에는 추가로 제어 원칙이 도시되고, 이러한 제어 원칙에서 전체적으로, 다시 말해 예비 단계(V) 중에 그리고 측정 단계(M) 중에, 발생된 적외선의 강도(I)가 일정하게 유지된다. 최종적으로 도 5와 도 6에는 2개의 제어 원칙이 도시되고, 상기 도면들에서 발생된 적외선의 강도(I)는 예비 단계(V) 중에도 변화된다.
본 발명은 상술된 실시예에만 국한되지 않는다. 오히려 본 발명의 다른 변형예들도, 본 발명의 대상을 벗어나지 않으면서 당업자에 의해 도출될 수 있다. 또한, 본 발명의 대상을 벗어나지 않으면서, 특히 실시예와 관련하여 서술된 모든 개별 특징들은 다른 방식으로도 서로 조합 가능하다.

Claims (16)

  1. 작동 중에 X선원에 대면하는 상부면(4)과, X선을 전기 측정 신호로 직접 전환하기 위한 반도체층(14)을 구비한 X선 검출기(2)에 있어서,
    상부면(4)과 반도체층(14) 사이에 발광 필름(12)이 배치되고, 상기 발광 필름을 이용해 전자기 방사선이 반도체층(14) 내로 결합되어 반도체층 내부에서 그리고 반도체층의 전체 체적에 걸쳐 편광을 사전 설정하는 것을 특징으로 하는, X선 검출기.
  2. 제1항에 있어서, 전자기 방사선은 500nm보다 더 긴 파장을 갖는 것을 특징으로 하는, X선 검출기(2).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 발광 필름(12)은 반도체층(14)을 완전히 평평하게 커버하는 것을 특징으로 하는, X선 검출기(2).
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 발광 필름(12)과 반도체층(14) 사이에 필터 필름이 추가로 제공되는 것을 특징으로 하는, X선 검출기(2).
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 발광 필름(12)으로서 유기 발광 다이오드 필름이 제공되는 것을 특징으로 하는, X선 검출기(2).
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 발광 필름(12)으로서 전자 발광 필름이 제공되는 것을 특징으로 하는, X선 검출기(2).
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 발광 필름(12)은 서로 독립적으로 구동 가능한 복수의 세그먼트들(26)을 포함하는 것을 특징으로 하는, X선 검출기(2).
  8. 제7항에 있어서, 각각 복수의 검출기 픽셀들을 포함하는 복수의 기능 유닛들(22)이 제공되고, 이때 각각의 기능 유닛(22)에는 하나 이상의 세그먼트(26)가 할당되는 것을 특징으로 하는, X선 검출기(2).
  9. 작동 중에 X선원에 대면하는 상부면(4)과, X선을 전기 측정 신호로 직접 전환하기 위한 반도체층(14)을 구비한 X선 검출기(2)를 이용해 X선을 측정하기 위한 방법이며, 이때 발광 필름(12)이 제공되고, 상기 발광 필름을 이용해 적어도 일시적으로 전자기 방사선이 반도체층(14) 내로 결합되어 반도체층 내부에서 그리고 반도체층의 전체 체적에 걸쳐 편광을 사전 설정하는, X선 측정 방법.
  10. 제9항에 있어서, 발광 필름(12)은 서로 독립적으로 구동 가능한 복수의 세그먼트들(26)을 포함하고, 세그먼트들(26)이 작동 시에 개별적으로 구동되어서, 세그먼트들(26)은 상이한 강도(I)의 전자기 방사선을 발생시키는, X선 측정 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 발광 필름(12)은 서로 독립적으로 구동 가능한 복수의 세그먼트들(26)을 포함하고, X선 검출기(2)는 각각 복수의 검출기 픽셀들을 포함하는 복수의 기능 유닛들(22)로 구성되며, 각각의 기능 유닛(22)에는 세그먼트들(6) 중 복수의 세그먼트들이 할당되고, 이때 세그먼트들(26)은 작동 중에 개별적으로 구동되어서, 각각의 기능 유닛(22)에는 중간 영역(28)과 모서리 영역(30) 내로 상이한 강도(I)의 전자기 방사선이 결합되는 것을 특징으로 하는, X선 측정 방법.
  12. 제9항 또는 제10항에 있어서, 전자기 방사선의 강도(I)는 예비 단계(V) 중에 임계값(SW)을 초과하여 유지되는 것을 특징으로 하는, X선 측정 방법.
  13. 제9항 또는 제10항에 있어서, 전자기 방사선의 강도(I)는 예비 단계(V)에 이어지는 측정 단계(M)를 시작(tSM)할 때 감소되는 것을 특징으로 하는, X선 측정 방법.
  14. 제9항 또는 제10항에 있어서, 전자기 방사선의 강도(I)가 예비 단계(V)에 이어지는 측정 단계(M) 중에는 예상되는 X선속에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는, X선 측정 방법.
  15. 제9항 또는 제10항에 있어서, 전자기 방사선의 강도(I)가 예비 단계(V)에 이어지는 측정 단계(M) 중에는, 발생된 광전류가 일정하게 유지되는 방식으로 조절되는 것을 특징으로 하는, X선 측정 방법.
  16. 제9항 또는 제10항에 있어서, 전자기 방사선의 강도(I)가 예비 단계(V)에 이어지는 측정 단계(M) 중에는 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는, X선 측정 방법.
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