Beschreibung
Röntgenstrahlungsdetektor und Verfahren zum Messen von Röntgenstrahlung
Die Erfindung betrifft einen Röntgenstrahlungsdetektor mit einer Oberseite, die im Betrieb einer Röntgenstrahlungsquelle zugewandt ist, und mit einer Halbleiterschicht zur direkten Umwandlung von Röntgenstrahlung in elektrische Messsignale. Ein derartiger Röntgenstrahlungsdetektor ist aus der
US 7 652 258 B2 zu entnehmen. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Messen von Röntgenstrahlung mit Hilfe eines solchen Röntgenstrahlungsdetektors . Zur Detektion von Röntgenstrahlung werden in bilderzeugenden Systemen, wie beispielsweise Computertomographen, zunehmend direkt konvertierende Detektoren eingesetzt, bei denen die zu detektierende Strahlung in einer Halbleiterschicht aus bei¬ spielsweise CdTe, CdZnTe, CdZnTeSe, CdTeSe, CdMnTe, InP, TIBr2 oder Hgl2 direkt in ein elektrisches Messsignal umge¬ wandelt wird.
Typisch für derartige Halbleitermaterialien ist eine relativ hohe Konzentration von Gitterfehlern, welche unter anderem als sogenannte „traps" für Elektronen elektrisch wirksam sind. In der Regel sind viele der zu diesen Störstellen gehörigen Energieniveaus unter Normalbedingungen unbesetzt und werden erst bei Bestrahlung des Halbleiters mit Röntgenstrahlung aufgefüllt. Die diese Energieniveaus besetzenden Elekt- ronen sind nachfolgend an die Störstelle gebunden und ver¬ bleiben somit ortsfest im Halbleiterkristall, wodurch im Halbleiterkristall eine strahlungsabhängige Polarisation her¬ vorgerufen wird. Hierdurch kommt es zu einer Verfälschung der Messsignale, zum einen da einige der von der zu detektieren- den Strahlung generierten freien Ladungsträger nicht mehr zum Messsignal beitragen, sondern teilweise von den Störstellen eingefangen werden, zum anderen da sich das im Halbleiter-
material wirkende elektrische Verschiebungsfeld durch die ortsfesten Ladungen verändert.
In der Patentschrift US 7 652 258 B2 wird vorgeschlagen, den Detektor mit Infrarotstrahlung zu bestrahlen, um so eine Besetzung der Störstellenniveaus und damit den Polarisationszu¬ stand mit Hilfe der Infrarotstrahlung vorzugeben. Die Infrarotstrahlung wird hierbei in aufwändiger Weise in einem zusätzlichen Infrarot-Generator erzeugt und in den Detektorauf- bau eingekoppelt.
Ausgehend hiervon liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen verbesserten Röntgenstrahlungsdetektor mit vereinfachtem Aufbau und ein verbessertes Verfahren zum Messen von Röntgenstrahlung anzugeben.
Die auf den Röntgendetektor bezogene Aufgabe wird erfindungs¬ gemäß durch einen Röntgenstrahlungsdetektor mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Die rückbezogenen Ansprüche beinhal- ten teilweise vorteilhafte und teilweise für sich selbst er¬ finderische Weiterbildungen dieser Erfindung.
Der Röntgenstrahlungsdetektor weist eine Oberfläche auf, die im Betrieb einer Röntgenstrahlungsquelle zugewandt ist, sowie eine Halbleiterschicht zur direkten Umwandlung von Röntgenstrahlung in elektrische Messsignale. Zwischen der Oberseite und der Halbleiterschicht ist eine Leuchtfolie angeordnet, mit deren Hilfe beim Betrieb zumindest zeitweise elektromag¬ netische Strahlung flächig in die Halbleiterschicht eingekop- pelt wird. Die Leuchtfolie ist dabei insbesondere in den Auf¬ bau des Röntgenstrahlungsdetektors integriert, so dass die elektromagnetische Strahlung direkt im Röntgenstrahlungsde¬ tektor generiert und bevorzugt ohne optische Hilfsmittel, wie beispielsweise Spiegel, Linsen oder lichtleitende Fasern, in die Halbleiterschicht eingestrahlt wird. Aufgrund der flä¬ chenhaften Gestaltung der Quelle für die elektromagnetische Strahlung lässt sich die elektromagnetische Strahlung besonders gleichmäßig in die Halbleiterschicht einkoppeln, wodurch
die Polarisation innerhalb der Halbleiterschicht und über das gesamte Volumen der Halbleiterschicht besonders homogen vor¬ gegeben werden kann. Als elektromagnetische Strahlung wird vorzugsweise eine elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge größer 500 nm und insbesondere Infrarotstrahlung verwendet.
Bevorzugt wird zudem eine Variante des Röntgenstrahlungsde- tektors, bei der die Leuchtfolie die Halbleiterschicht voll¬ ständig flächig abdeckt. Die Leuchtfolie fungiert dabei als eine die Halbleiterschicht ergänzende und zwischen der Ober¬ seite und der Halbleiterschicht angeordnete zweite funktio¬ nelle Schicht, welche aus Materialien aufgebaut ist, die für Röntgenstrahlung durchlässig oder zumindest teilweise durch¬ lässig sind. Bevorzugt werden hierbei Materialien mit gerin¬ ger Dichte und/oder kleiner Ordnungszahl verwendet. Die Dicke der Leuchtfolie bzw. Leuchtschicht wird zudem möglichst ge¬ ring gehalten. Ein derart geschichteter Aufbau des Röntgende- tektors oder einer Detektor-Einheit lässt sich mit einem ver¬ hältnismäßig geringen technischen Aufwand realisieren, was die Fertigung entsprechender Detektoren bzw. Detektor-Einheiten deutlich vereinfacht. Weiter ist eine Variante des Röntgenstrahlungsdetektors zweckmäßig, bei der zusätzlich zwischen der Leuchtfolie und der Halbleiterschicht eine Filterfolie vorgesehen ist. Hier¬ durch lässt sich das Frequenzspektrum der in die Halbleiterschicht eingekoppelten Strahlung auf besonders einfache Weise auf ein besonders günstiges Frequenzband beschränken.
Einer bevorzugten Ausgestaltung des Röntgenstrahlungsdetektors entsprechend ist als Leuchtfolie eine organische Leucht¬ dioden-Folie (OLED-Folie) vorgesehen. In einer vorteilhaften Alternative dazu kommt als Leuchtfolie eine Elektrolumines- zenz-Folie zum Einsatz, also insbesondere eine Folie, bei der der sogenannte Destriau-Effekt zur Erzeugung von elektromag¬ netischer Strahlung genutzt wird. Beide Folientypen lassen
sich ohne größeren technischen Aufwand in bestehende Detektordesigns integrieren und mit verhältnismäßig geringem tech¬ nischen und finanziellen Aufwand herstellen. Dabei ist ein relativ breites Emissions-Spektrum bei Leuchtfolien dieser Art, die derzeit zu kommerziellen Zwecken gefertigt werden, typisch, weswegen diese bevorzugt durch Filterfolien ergänzt werden, sodass hierdurch eine Quelle für Infrarotstrahlung mit Wellenlängen zwischen 600 nm und 900 nm realisiert wird. Von Vorteil ist darüber hinaus eine Variante des Röntgen¬ strahlungsdetektors bei der die Leuchtfolie eine Anzahl von unabhängig voneinander ansteuerbaren Segmenten aufweist.
Hierunter wird auch eine Ausgestaltung verstanden, bei der eine Art Schicht aus mehreren unabhängig voneinander ansteu- erbaren Einzel-Leuchtfolien zwischen der Oberseite und der
Halbleiterschicht angeordnet ist. Hierdurch lassen sich bei¬ spielsweise verschiedene Areale in der Halbleiterschicht mit unterschiedlicher Intensität bestrahlen, was zum Beispiel vorteilhaft ist, wenn innerhalb der Halbleiterschicht lokale Unterschiede in der Konzentration der Störstellen vorliegen.
In vorteilhafter Weiterbildung ist der Röntgenstrahlungsdetektor aus mehreren Funktionseinheiten aufgebaut, wobei jede Funktionseinheit eine Anzahl von Detektorpixeln umfasst und wobei jeder Funktionseinheit zumindest ein Segment oder eine Leuchtfolie zugeordnet ist. Eine entsprechende Funkti¬ onseinheit kann dabei dadurch bestimmt sein, dass die Halb¬ leiterschicht einer Funktionseinheit durch einen Einkristall gebildet wird oder dass für jede Funktionseinheit eine Schal- tungseinheit , also beispielsweise ein Auslesechip, vorgesehen ist. Bei einem Computertomographen beispielsweise ist der Röntgenstrahlungsdetektor typischerweise aus mehreren im Wesentlichen identisch aufgebauten und bogenförmig aneinander gereihten sogenannten „Modulen" zusammengesetzt, wobei die Module zur Ausbildung eines Detektorbogens aneinandergereiht sind. Die Module selbst weisen beispielsweise eine rechteck- förmige Detektorfläche auf und sind aus den einzelnen Funkti¬ onseinheiten, den sogenannten „Samples" zusammengesetzt. Die
„Samples" weisen wiederum zusammenhängende Halbleiterschichten auf, sind also nicht aus kleineren Halbleiter-Stücken zusammengesetzt. Dabei umfassen die „Samples" typischerweise mehrere Pixel. In diesem Fall ist bevorzugt jedem „Sample" zumindest ein Segment oder eine Folie zugeordnet.
Die auf das Verfahren bezogene Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 8 gelöst. Das Verfahren dient zur Messung von Röntgenstrahlung mittels eines Röntgenstrahlungsdetektors mit einer Oberseite, die im Betrieb einer Röntgenstrahlungsquelle zugewandt ist, und mit einer Halbleiterschicht zur direkten Umwandlung von Röntgenstrahlung in elektrische Messsignale, wobei eine Leuchtfolie vorgesehen ist, mit deren Hilfe zumindest zeitweise Infrarot¬ strahlung in die Halbleiterschicht ein gekoppelt wird. Der Röntgenstrahlungsdetektor ist dabei insbesondere gemäß einer der zuvor beschriebenen Varianten ausgestaltet, wobei die Leuchtfolie bevorzugt in den Aufbau des Röntgenstrahlungs- detektors integrieret ist, sodass die Infrarotstrahlung flä¬ chig und ohne Zuhilfenahme weiterer optischer Hilfselemente direkt in die Halbleiterschicht eingestrahlt wird.
Bevorzugt wird dabei eine Verfahrensvariante, bei der die Leuchtfolie eine Anzahl von unabhängig voneinander ansteuerbaren Segmenten aufweist und bei der die Segmente im Betrieb derart individuell angesteuert werden, dass die Segmente Infrarotstrahlung mit unterschiedlicher Intensität generieren. Unter „Segmente" wird dabei auch eine Ausführungsvarian- te verstanden, bei der mehrere Einzel-Leuchtfolien eine Art Leuchtfolien-Schicht ausbilden. Die Einzel-Leuchtfolien bilden dabei die Segmente. Auf die Weise lassen sich beispiels¬ weise verschiedene Bereiche der Halbleiterschicht mit einer unterschiedlichen und somit lokalen Intensität bestrahlen, sodass hierdurch z. B. eine Anpassung der lokalen Bestrah- lungsintensität an lokale Unterschiede in der Störstellen¬ dichte der Halbleiterschicht erfolgen kann.
Entsprechend einer weiteren vorteilhaften Variante des Verfahrens ist der Röntgenstrahlungsdetektor aus mehreren Funktionseinheiten aufgebaut, die jeweils eine Anzahl von Detektorpixeln umfassen, wobei jeder Funktionseinheit mehrere Seg- mente zugeordnet sind, die unabhängig voneinander ansteuerbar sind. Insbesondere werden die Segmente im Betrieb derart individuell angesteuert, dass bei jeder Funktionseinheit in einem Mittenbereich und in einem Randbereich Infrarotstrahlung mit unterschiedlicher Intensität eingekoppelt wird. Da- bei ist eine solche Funktionseinheit insbesondere dadurch ge¬ kennzeichnet, dass die Halbleiterschicht der Funktionseinheit durch einen Einkristall gegeben ist. Dementsprechend sind im Randbereich der Funktionseinheit Oberflächen des Einkristalls positioniert und die Halbleiterschicht weist infolge dessen in diesem Bereich eine höhere Dichte an Störstellenniveaus auf. Da diese Störstellenniveaus bevorzugt vor Beginn einer jeden Messung vollständig aufgefüllt werden sollen, wird der Randbereich bevorzugt intensiver mit Infrarotstrahlung bestrahlt, als der Mittenbereich, in dem die Dichte der Stör- Stellenniveaus im Vergleich zum Randbereich geringer ist.
Zweckdienlich ist des Weiteren eine Verfahrensvariante, bei der die Intensität der Infrarotstrahlung während einer Vorlaufphase, bevorzugt vor Beginn einer jeden Messung, oberhalb eines Schwellwertes und insbesondere zudem konstant gehalten wird. Der Schwellwert wird dabei zweckdienlicherweise insbe¬ sondere so gewählt, dass durch die Bestrahlung der Halblei¬ terschicht mit der Infrarotstrahlung die Störstellenniveaus im Wesentlichen vollständig aufgefüllt werden. Gemäß einer zweckdienlichen Alternative variiert die Intensität während der Vorlaufphase .
Weiter ist eine Variante des Verfahrens zweckmäßig, bei der die Intensität der Infrarotstrahlung zu Beginn einer sich an die Vorlaufphase anschließenden Messphase reduziert und ins¬ besondere auf einen Wert nahe 0 heruntergeregelt oder abge¬ schaltet wird. Diese Variante ist insbesondere dann von Vor¬ teil, wenn die Photonen der Infrarotstrahlung eine Energie
aufweisen, die in etwa der Bandlücke des für die Halbleiterschicht verwendeten Halbleitermaterials entspricht, da in diesem Fall die Infrarotstrahlung auch vermehrt Elektron- Loch-Paare generiert und zu den elektrischen Messsignalen beiträgt.
In einer bevorzugten Ausgestaltung wird die Intensität der Infrarotstrahlung während einer sich an die Vorlaufphase anschließenden Messphase abhängig vom erwarteten Röntgenstrah- lungsfluss, also der Intensität der Röntgenstrahlung, gere¬ gelt. Die Regelung erfolgt dabei zum Beispiel auf der Basis eines kalkulierten Röntgenflusses , welcher anhand der Daten eines zuvor aufgenommenen Topogramms des Patienten ermittelt wird. Dabei wird zu Gunsten einer einfachen Umsetzung kein fester Sollwert für die Regelung vorgegeben, vielmehr wird im Vorfeld experimentell ermittelt, welche Intensität für einen bestimmten zu erwartenden Röntgenfluss günstig ist. Diese In¬ formationen werden dann als Mess- oder Kalibrierungskriterien festgelegt und der Regelung zu Grunde gelegt.
Darüber hinaus ist eine Verfahrensvariante von Vorteil, bei der die Intensität der Infrarotstrahlung während einer sich an die Vorlaufphase anschließenden Messphase derart geregelt wird, dass ein generierter Photostrom konstant gehalten wird. Die Intensität der Infrarotstrahlung wird dementsprechend an die Intensität der zu messenden und auf den Detektor treffenden Röntgenstrahlung angepasst, sodass durch die Kombination aus einfallender Röntgenstrahlung und einfallender Infrarotstrahlung stets ein vorgegebener Photostrom generiert wird. Bei diesem Verfahren wird bevorzugt Infrarotstrahlung eingesetzt, deren Photonen eine Energie aufweisen, die größer gleich der Bandlücke des eingesetzten Halbleitermaterials für die Halbleiterschicht ist. Alternativ ist eine Verfahrensvariante vorgesehen, bei der die Intensität der Infrarotstrahlung während einer sich an die Vorlaufphase anschließenden Messphase konstant und insbe-
sondere konstant auf dem Niveau der Vorlaufphase gehalten wird .
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand einer schematischen Zeichnung näher erläutert. Darin zeigen:
FIG 1 in einer Schnittdarstellung einen Röntgenstrahlungsdetektor, FIG 2 in einer Aufsicht eine Funktionseinheit des Rönt¬ genstrahlungsdetektors,
FIG 3 in einem Diagramm eine erste Verfahrens- und zeit¬ abhängige Intensität der generierten Infrarotstrahlung,
FIG 4 in einem Diagramm eine zweite Verfahrens- und zeit¬ abhängige Intensität der generierten Infrarotstrahlung,
FIG 5 in einem Diagramm eine dritte Verfahrens- und zeit¬ abhängige Intensität der generierten Infrarotstrahlung, FIG 6 in einem Diagramm eine vierte Verfahrens- und zeit¬ abhängige Intensität der generierten Infrarotstrahlung und
FIG 7 in einem Diagramm eine fünfte Verfahrens- und zeit- abhängige Intensität der generierten Infrarotstrahlung .
Einander entsprechende Teile sind in allen Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Ein hier vorgestellter Röntgenstrahlungsdetektor 2 ist als sogenannter Direkt-Konverter ausgebildet und wird bevorzugt in bilderzeugenden medizinischen Systemen, wie beispielsweise
einem Computertomographen, eingesetzt. Er ist dabei einer nicht näher dargestellten Röntgenstrahlungsquelle gegenüber¬ liegend angeordnet, wobei eine Oberseite 4 der Röntgenstrah¬ lungsquelle für eine Bilderzeugung zugewandt ist. Über die Oberseite 4 tritt die von der Röntgenstrahlungsquelle gene¬ rierte Röntgenstrahlung in den Röntgenstrahlungsdetektor 2 ein und gelangt somit in eine Kollimator-Schicht 6, mit wel¬ cher unerwünschte Streustrahlung herausgefiltert wird. Zur Positionierung der Kollimator-Schicht 6 ist diese in eine Halte-Struktur 8 eingebettet, die fest mit einer Träger- Platte 10, beispielsweise aus Keramik, verbunden ist. An die Kollimator-Schicht 6 schließt sich in Richtung der Halte- Platte 10 eine Leuchtfolie 12, eine Halbleiterschicht 14 und eine nach Art eines ASIC-Chips (ASIC: application-specific integrated circuit) ausgebildete Auslese-Schicht 16 an.
Gelangt nun Röntgenstrahlung durch die Kollimator-Schicht 6 und die für Röntgenstrahlung transparente Leuchtfolie 12 in die Halbleiterschicht 14, so generiert diese in der Halblei- terschicht 14 frei bewegliche Ladungsträger, insbesondere
Elektron-Loch-Paare, die aufgrund einer vorgegebenen Potenti¬ aldifferenz zwischen einer Kathode 18 und der Auslese-Schicht 16 abgeführt und in der Auslese-Schicht 16 nach an sich be¬ kanntem Prinzip positionsabhängig detektiert werden.
Damit möglichst alle bei einem Messvorgang von der Röntgenstrahlung generierten freien Ladungsträger durch die Potentialdifferenz abgeführt werden können und somit zum Messsignal beitragen und nicht aufgrund von Gitterfehlern im Material der Halbleiterschicht 14 lokal gebunden werden, wird die
Halbleiterschicht 14 vor jedem Messvorgang oder jeder Messphase in einer Vorlaufphase mit Infrarotstrahlung bestrahlt, die mit Hilfe der Leuchtfolie 12 erzeugt wird. Die Leuchtfo¬ lie 12 deckt dabei die Halbleiterschicht 14 vollständig flä- chig ab, weswegen sich über die gesamte Ausdehnung der Halbleiterschicht 14 gleichmäßig Infrarotstrahlung in diese ein- koppeln lässt.
Damit die von der Leuchtfolie 12 generierte Infrarotstrahlung möglichst ungehindert durch die Kathode 18 in die Halbleiter¬ schicht 14 gelangt, ist die Kathode 18 für Infrarotstrahlung, ebenso wie für Röntgenstrahlung, zumindest teilweise durch- lässig gestaltet. Dies wird beispielsweise dadurch erreicht, dass das für die Kathode 18 verwendete Material für Infrarot¬ strahlung zumindest teilweise transparent ist und/oder dass für die Kathode 18 eine geeignete Strukturierung vorgesehen ist. Je nach Ausführungsvariante ist die Kathode 18 bei- spielsweise durch einen dünnen und porösen Metallfilm gegeben oder sie ist nach Art eines Gitterrostes gestaltet. Darüber hinaus ist zwischen der Leuchtfolie 12 und der Kathode 18 ei¬ ne elektrische Isolierung vorgesehen, die im Ausführungsbei¬ spiel durch einen Luftspalt 20 realisiert ist.
Bei der Anwendung in der Medizintechnik, insbesondere bei der Computertompgrahie, werden häufig bogenförmige Röntgenstrah¬ lungsdetektoren 2 eingesetzt, bei denen als vorgefertigte Baueinheiten ausgebildete „Module" aneinandergereiht neben- einander in eine Tragstruktur eingesetzt werden. Die „Module" sind üblicherweise Quaderförmig und liegen mit ihren Längs¬ seiten aneinander an. Sie sind aus einzelnen Funktionseinheiten 22, sogenannten „Samples" ausgebildet, die wiederum eine matrixförmige Anordnung von Pixeln tragen. Die Funktionsein- heiten 22 sind typischerweise einreihig entlang der Längsrichtung der „Module" (in Richtung der Längsseiten) aneinandergereiht. Die „Module" sowie die Funktionseinheiten zeigen den grundsätzlich gleichen Aufbau wie er zu FIG 1 beschrieben wurde .
Beispielsweise sind die Funktionseinheiten 22 dadurch bestimmt, dass die Halbleiterschicht 14 einer jeden Funktions¬ einheit 22 durch einen Einkristall gegeben ist. Zusätzlich ist für jede Funktionseinheit 22 bevorzugt eine eigene Steue- rungs- und Versorgungseinheit vorgesehen, mit deren Hilfe die Leuchtfolie 12 angesteuert wird, mit deren Hilfe die Potenti¬ aldifferenz zwischen der Kathode 18 und der Auslese-Schicht 16 vorgegeben wird und mit deren Hilfe die in der Auslese-
Schicht 16 detektierten elektrischen Signale verarbeitet werden. Alternativ ist jedoch auch eine zentrale Steuerungs- und Versorgungseinheit 24 für den Röntgenstrahlungsdetektor 2 vorgesehen .
Einer jeden Funktionseinheit 22 sind gemäß Ausführungsbei¬ spiel aus FIG 2 sechzehn Einzel-Leuchtfolien oder Segmente 26 zugeordnet, welche von der jeweiligen Steuerungs- und Versor¬ gungseinheit jeweils unabhängig voneinander angesteuert wer- den und welche gemeinsam die Halbleiterschicht 14 von der
Oberseite 4 aus betrachtet vollständig und flächig abdecken. Die vier mittig positionierten Segmente 26 überdecken dabei einen Mittenbereich 28, während die übrigen Segmente 26 einen Randbereich 30 abdecken. Die Ansteuerung der Segmente 26 er- folgt dabei derart, dass in der Vorlaufphase der Mittenbe¬ reich 28 gleichmäßig mit einer vorgegebenen Intensität mit Infrarotstrahlung bestrahlt wird und dass der Randbereich 30 mit einer davon abweichenden Intensität mit Infrarotstrahlung bestrahlt wird. Dazu werden bevorzugt die Segmente 26 im Mit- tenbereich 28 jeweils gleichartig angesteuert und die Segmen¬ te 26 des Randbereichs 30 werden davon abweichend gleichartig angesteuert .
Für die Ansteuerung eines jeden Segments 26 sind je nach Ver- fahrensvariante unterschiedliche Steuerungsprinzipien vorge¬ sehen. Gemäß den exemplarisch in FIG 3, FIG 4 und FIG 7 gezeigten Steuerungsprinzipien wird ein betrachtetes Segment 26 während der Vorlaufphase V derart angesteuert, dass dieses während dieser Zeit Infrarotstrahlung mit konstanter Intensi- tät I oberhalb eines Schwellwertes SW generiert. Sobald die Messphase M zum gewählten Zeitpunkt tSM gestartet und die Vorlaufphase V beendet wird, wird das Segment 26 je nach Steuerungsprinzip unterschiedlich angesteuert. Nach einem Steuerungsprinzip, dieses ist in FIG 3 angedeutet, wird das Segment 26 zu Beginn der Messphase M abgeschaltet. Nach einem weiteren Steuerungsprinzip wird mit Beginn der Messphase M eine permanente Regelung der Intensität I vorgenommen. Die Regelung erfolgt dabei zum Beispiel auf der Basis einer kal-
kulierten Intensität der in die Halbleiterschicht 14 einge¬ koppelten Röntgenstrahlung, welche anhand der Daten eines zuvor aufgenommen Topogramms des Patienten ermittelt wurde, oder die Intensität I der Infrarotstrahlung wird während der Messphase M derart geregelt, dass ein generierter Photostrom konstant gehalten wird. Die Intensität I der Infrarotstrah¬ lung wird dabei an die Intensität der zu messenden und auf den Detektor treffenden Röntgenstrahlung angepasst, sodass durch die Kombination aus einfallender Röntgenstrahlung und einfallender Infrarotstrahlung stets ein vorgegebener Photostrom generiert wird. Dieses Steuerungsprinzip ist in FIG 4 skizziert. In FIG 5 ist weiter ein Steuerungsprinzip gezeigt, bei dem durchgehend, also während der Vorlaufphase V und wäh¬ rend der Messphase M, die Intensität I der generierten Infra- rotstrahlung konstant gehalten wird. Schließlich sind in
FIG 5 und FIG 6 zwei Steuerungsprinzipen angedeutet, bei de¬ nen die Intensität I der generierten Infrarotstrahlung auch während der Vorlaufphase V variiert wird. Die Erfindung ist nicht auf das vorstehend beschriebene Aus¬ führungsbeispiel beschränkt. Vielmehr können auch andere Va¬ rianten der Erfindung von dem Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Gegenstand der Erfindung zu verlassen. Insbesondere sind ferner alle im Zusammenhang mit dem Ausfüh- rungsbeispiel beschriebenen Einzelmerkmale auch auf andere Weise miteinander kombinierbar, ohne den Gegenstand der Erfindung zu verlassen.