TW201351522A - 已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法 - Google Patents

Abstract

揭示一種已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法。首先，提供複數個晶粒堆疊封裝件，每一係包含由複數個例如TSV貫通之晶粒堆疊而成。之後，藉由感光性黏著層之黏著，依照指定晶粒陣列排列並固定晶粒堆疊封裝件於透光性擬晶圓載盤上，並使晶粒堆疊封裝件位於元件設置區內。之後，能裝載已搭載晶粒堆疊封裝件之該透光性擬晶圓載盤於一晶圓測試機內，以進行探針探觸。因此，能利用晶圓測試機之晶圓測試探針探觸晶粒堆疊封裝件之測試電極，特別可輕易整合於TSV封裝製程中。

Description

已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法

本發明係有關於半導體裝置之製造，特別係有關於一種已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法。

多晶片堆疊封裝係為一種新的高密度封裝技術，即在一封裝構件內封裝有多顆相互堆疊之晶片。目前作法係將晶片逐一堆疊在一基板上再予以封裝與測試，然而基板的存在會增加封裝結構的表面接合面積與厚度。

為了減少多晶片堆疊封裝構造之尺寸，有人嘗試省略基板的方式製作，在晶圓等級進行多片晶圓貼合，經晶圓切割之後製成無基板晶粒堆疊體(或稱晶粒立方體，dice cube)，如美國公開專利第2011/0074017號所揭示之技術者。然而，一晶圓內會有不良晶片的產生並且位置不固定，以晶圓對準晶圓的方式會使得無基板晶粒堆疊體的不良率大幅提高。此外，當基板省略時，多晶片堆疊封裝構造之對外導接電極與測試電極的間距將明顯縮小，由原本的數百微米間距縮小到一百微米間距以下，將無法使用原有的封裝測試機台內的測試針(pogo pin)進行測試。目前的作法有二，一為先不測試待上板之後，再進行模組測試，故無法預先確定堆疊晶片之間的接點是否良好；二為先將無基板晶粒堆疊體在單離後結合在一設有扇出電路與扇出端子之轉接基板(通常材質為矽)，再裝載至封裝測試機台內，以進行測試，不但 製程複雜並且測試成本提高。

為了解決上述之問題，本發明之主要目的係在於一種已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，能達成對已單離晶粒堆疊封裝件的微間隙探觸測試，特別可輕易整合在TSV封裝製程中。

本發明之次一目的係在於一種已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，能在上板之前先行晶圓級測試已單離晶粒堆疊封裝件的優劣，達到以低成本方式防止已單離晶粒堆疊封裝件的誤用。

本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來實現的。本發明揭示一種已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法。首先，提供複數個晶粒堆疊封裝件，每一晶粒堆疊封裝件係包含複數個上下堆疊之晶粒，並具有一正面、一背面以及複數個位在該正面上之測試電極；之後，依晶粒陣列排列並固定該些晶粒堆疊封裝件於一透光性擬晶圓載盤上，該透光性擬晶圓載盤係具有複數個由特定定位圖樣定義之元件設置區(例如由X軸標線與Y軸標線規劃出之陣列或是中心、角隅或周邊定位標記)以及一感光性黏著層，該感光性黏著層係黏著該些晶粒堆疊封裝件之背面，並使該些晶粒堆疊封裝件位於該些元件設置區內，可不遮蓋該些X軸標線與該些Y軸標線，或是不遮蓋角隅或周邊定位標記；之後，裝載已搭載該些晶粒堆疊封裝件之該透光性擬晶圓載盤於一 晶圓測試機內；接著，利用該晶圓測試機之複數個晶圓測試探針探觸該些測試電極，以電性測試該些晶粒堆疊封裝件；最後，透過該透光性擬晶圓載盤光照射該感光性黏著層，以供由該透光性擬晶圓載盤拾取出該些晶粒堆疊封裝件。

本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。

在前述之晶圓級測試方法中，該透光性擬晶圓載盤係可為一玻璃盤。

在前述之晶圓級測試方法中，其中上述提供該些晶粒堆疊封裝件之步驟係可包含以下步驟：設置複數個無基板晶粒堆疊體於一黏著膠帶上，每一無基板晶粒堆疊體係由該些晶粒堆疊所組成，並在兩兩上下相鄰晶粒之間係各形成有一晶粒堆疊間隙，其中該些測試電極係相對遠離該黏著膠帶；以及，形成一填充膠體於該黏著膠帶上，以填滿該些晶粒堆疊間隙。

在前述之晶圓級測試方法中，上述提供該些晶粒堆疊封裝件之步驟係可更包含：在形成該填充膠體之後之一去溢膠步驟，以移除該填充膠體超出該些無基板晶粒堆疊體之溢膠部位。

在前述之晶圓級測試方法中，在上述去溢膠步驟之後，該填充膠體仍可包覆該些晶粒之複數個側面。

在前述之晶圓級測試方法中，該填充膠體係可為正光阻型，而該去溢膠步驟係為對該填充膠體之溢膠部位進 行曝光顯影。

在前述之晶圓級測試方法中，在上述設置該些無基板晶粒堆疊體於該黏著膠帶上之步驟之前，該黏著膠帶係可預先設置於一長條形膠帶載具之一開口中，而模擬為一基板條。

在前述之晶圓級測試方法中，每一晶粒內係可設有複數個矽穿孔，並且該些晶粒堆疊封裝件於該些晶粒堆疊間隙內係可設有複數個互連凸塊，其係電性導通該些矽穿孔。

在前述之晶圓級測試方法中，每一晶粒堆疊封裝件係可更具有複數個位在該正面上之外接凸塊。

在前述之晶圓級測試方法中，該些定位圖樣係可包含複數個X軸標線與複數個Y軸標線，且不被該些晶粒堆疊封裝件所遮蓋。

在前述之晶圓級測試方法中，該些X軸標線與該些Y軸標線係可延伸至該透光性擬晶圓載盤之周邊。

在前述之晶圓級測試方法中，該透光性擬晶圓載盤在該些元件設置區之外之一表面邊緣係可建置有一晶圓辨識碼。

以下將配合所附圖示詳細說明本發明之實施例，然應注意的是，該些圖示均為簡化之示意圖，僅以示意方法來說明本發明之基本架構或實施方法，故僅顯示與本案有關之元件與組合關係，圖中所顯示之元件並非以實際 實施之數目、形狀、尺寸做等比例繪製，某些尺寸比例與其他相關尺寸比例或已誇張或是簡化處理，以提供更清楚的描述。實際實施之數目、形狀及尺寸比例為一種選置性之設計，詳細之元件佈局可能更為複雜。

依據本發明之一較佳實施例，一種已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法舉例說明於第1A至1D圖各步驟之元件截面示意圖。依該晶圓級測試方法，首先提供複數個晶粒堆疊封裝件100，而第2A至2E圖係關於提供複數個晶粒堆疊封裝件100之細部次步驟之元件截面示意圖。

如第1A圖所示，提供複數個晶粒堆疊封裝件100，其係已切割成單體化，較佳為無基板型態。每一晶粒堆疊封裝件100係包含複數個上下堆疊之晶粒110，該些晶粒110係可由同一晶圓切單後所構成，通常該些晶粒110之本體係為半導體材質，該些晶粒110之主動表面係已製作好所需要的積體電路元件，其功能例如可為記載體、邏輯電路或微處理器電路，一般係為非揮發性記載體。並且，每一晶粒堆疊封裝件100係具有一正面102、一背面103以及複數個位在該正面102上之測試電極130，該正面102係為對外之表面接合面，該背面103係為該正面102之相對表面。在本實施例中，該正面102係可由其中一晶粒之主動表面所構成，而該背面103係可由其中一晶粒之非主動表面所構成。該些測試電極130係為連接至該些晶粒110內部積體電路元件之測試 用電極。在本實施例中，該些測試電極130係為晶片銲墊，或可為凸塊狀。更具體地，每一晶粒110內係可設有複數個矽穿孔111(Through Silicon Via,TSV)，並且該些上下堆疊之晶粒110之間的晶粒堆疊間隙120內係可設有複數個互連凸塊140，其係電性導通該些矽穿孔111。在本實施例中，每一晶粒堆疊封裝件100係可更具有複數個位在該正面102上之外接凸塊141，例如銅柱、銲球或金屬凸塊，可與該些互連凸塊140在晶粒上位置、材質與尺寸上為實質相同，並由利用重配置線路層(圖中未繪出)電性連接該些外接凸塊141至該些測試電極130。此外，該些測試電極130之間距係介於60~100微米，本發明之晶圓級測試方法特別應用於該些測試電極130之間距不大於100微米之場合，而該些外接凸塊141之間距係可等於或大於該些測試電極130之間距。在一變化實施例中，該些外接凸塊141係可省略，直接以該些測試電極130130作為該晶粒堆疊封裝件100之對外電極。該些晶粒堆疊封裝件100之製造係可利用既有的半導體封裝設備。

如第1A圖與第4圖所示，依晶粒陣列排列並固定該些晶粒堆疊封裝件100於一透光性擬晶圓載盤210上。在此所述的「晶粒陣列」係指一晶圓中的晶粒排列位置，以使該些晶粒堆疊封裝件100的排列成宛如在同一晶圓中的晶粒。該透光性擬晶圓載盤210在尺寸外形上係模擬成一晶圓，例如8吋、12吋或16吋晶圓，而能被裝 載在一晶圓測試機內。在本實施例中，該透光性擬晶圓載盤210係可為一玻璃盤，故該透光性擬晶圓載盤210之透光性良好、具有足夠堅硬度並且其膨脹係數與半導體材質接近。此外，該透光性擬晶圓載盤210之表面係具有一感光性黏著層214，利用該感光性黏著層214係黏著該些晶粒堆疊封裝件100之背面103，該感光性黏著層214之特性為未照光前具有黏著力，在照射特定波長之光線後該感光性黏著層214將失去黏著力，在移除已照光感光性黏著層、重覆塗上未照光前之感光性黏著層、黏著工件、照光之重覆操作中，表示該透光性擬晶圓載盤210之主體係可循環使用。並且，如第3C圖所示，該透光性擬晶圓載盤210係具有複數個由特定定位圖樣定義之元件設置區213。在本實施例中，該定位圖樣係包含複數個X軸標線211與複數個Y軸標線212，其係為相互垂直之直線，以規劃出該些元件設置區213的最大區域。利用該感光性黏著層214之黏著，應使該些晶粒堆疊封裝件100位於該些元件設置區213內，更可不遮蓋該些X軸標線211與該些Y軸標線212為達到較佳的定位辨識(如第4圖所示)。較佳地，該些X軸標線211與該些Y軸標線212係可延伸至該透光性擬晶圓載盤210之周邊，以模擬晶圓切割線，而易於定位該透光性擬晶圓載盤210。該些X軸標線211與該些Y軸標線212較佳地係可為半蝕刻之直線凹槽，可供光線照射之；或者，該些X軸標線211與該些Y軸標線212亦可 為直線狀墨線。

之後，如第1B圖所示，裝載已搭載該些晶粒堆疊封裝件100之該透光性擬晶圓載盤210於一晶圓測試機220內。該透光性擬晶圓載盤210亦可黏貼至以習知晶圓支撐環支撐固定之晶圓切割膠帶(圖中未繪出)，而使該透光性擬晶圓載盤210位於習知晶圓支撐環之中央開孔內，即能使得該些晶粒堆疊封裝件100可完全模擬出由一晶圓切割出且固定在晶圓切割膠帶之晶粒，便可無障礙地沿用晶圓測試機之既有裝載機構而裝載進入至該晶圓測試機220內並進行準確定位。

接著，如第1C圖所示，利用該晶圓測試機220之複數個晶圓測試探針221探觸該些測試電極130，以電性測試該些晶粒堆疊封裝件100。其中該些晶圓測試探針221係安裝於一探針卡225(probe card)中。如第5圖所示，該晶圓測試機220係包含一裝載區222、一傳送區223以及一測試區224，在該裝載區222內習知晶圓與該透光性擬晶圓載盤210係可被裝載與卸載，在經過該傳送區223之對位檢查之後可被傳送到該測試區224，該測試區224內設有前述包含晶圓測試探針221之探針卡225，用以晶圓級探測晶片表面之電極。由於該晶圓測試擬態托盤符合晶圓尺寸，而能直接被裝載入該裝載區222內，並在該測試區224內以該些晶圓測試探針221探觸該些晶粒堆疊封裝件100之測試電極130，故多晶片晶圓級封裝之測試成本得以降低、測試效率得以提 昇，並且符合微間距探觸的要求，該些晶粒堆疊封裝件100不需要搭載在設有扇出電路與扇出端子之轉接基板而能進行測試，以確認該些晶粒110之間的電性導通(即該些互連凸塊140之接合)是否良好。此外，本發明之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法亦可允許在經該晶圓測試機220之探測後直接進行該些晶粒堆疊封裝件100之分類，預先挑出或剃除不良的晶粒堆疊封裝件。

接著，如第1D圖所示，在測試之後由該晶圓測試機220內卸載該透光性擬晶圓載盤210並移動到一曝光機內，其下方設有一光照射裝置230，透過該透光性擬晶圓載盤210之主體進行光照射該感光性黏著層214，該光照射裝置230係可發射能對該感光性黏著層214產生反應之特定波長光線，例如UV光(紫外光)，使得該感光性黏著層214失去黏性。

最後，如第1E圖所示，由該透光性擬晶圓載盤210拾取出該些晶粒堆疊封裝件100，進行分類包裝或是使用。因此，本發明之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法能達成對已單離晶粒堆疊封裝件的微間隙探觸測試，特別可輕易整合在TSV封裝製程中。

本發明之晶圓級測試方法參閱第2A至2E圖進一步說明上述提供該些晶粒堆疊封裝件100之步驟之細部次步驟。

如第2A圖所示，在切割之時與切割之後，複數個晶粒110係黏貼於一晶圓切割膠帶240上，而該晶圓切割 膠帶240係黏貼在一晶圓支撐環中(圖中未繪出)。該些晶粒110係可形成於同一晶圓，在切割過程利用一晶圓切割刀具241切割該晶圓之切割道以形成該些晶粒110。在經過晶圓級測試之後，良好的晶粒110會被分類與收集。

如第2B圖所示，設置複數個無基板晶粒堆疊體101於一黏著膠帶250上，每一無基板晶粒堆疊體101係由該些晶粒110堆疊所組成，並在兩兩上下相鄰晶粒110之間係各形成有一晶粒堆疊間隙120，其中該些測試電極130係相對遠離該黏著膠帶250，而該些互連凸塊140係位於該些晶粒堆疊間隙120內，以電性導通該些矽穿孔111。

如第2C圖所示，形成一填充膠體150於該黏著膠帶250上，以填滿該些晶粒堆疊間隙120，進而密封該些互連凸塊140。可由一塗膠針頭270提供該填充膠體150，該填充膠體150係形成於該黏著膠帶250上，並在適當的溫度與時間能產生毛細作用之條件下，使該填充膠體150填滿該些晶粒堆疊間隙120，接著，以加熱的預烘烤(pre-curing)方式使該填充膠體150略為固化成形。此外，該填充膠體150除了可以是底部填充膠，亦可為黏晶材料、非導電性膠(NCP)或是異方性導電膠(ACP)。上述次步驟之晶粒堆疊與塗膠之具體實施技術可參考美國公開第2011/0057327號中第8A與8B圖之相關說明；或者，在本實施例中，如第3圖所示，在上述設置該些無 基板晶粒堆疊體101於該黏著膠帶250上之步驟之前，該黏著膠帶250係可預先設置於一長條形膠帶載具260之一開口261中，而模擬為一基板條，故可以利用既有的半導體封裝設備之覆晶接合機與點膠機(或模封機)據以實施。此外，該膠帶載具260亦可作為傳送該些無基板晶粒堆疊體101進入烘烤爐之搭載治具

此外，如第2D與2E圖所示，上述提供該些晶粒堆疊封裝件100之步驟係可更包含：在形成該填充膠體150之後之一去溢膠步驟，以移除該填充膠體150超出該些無基板晶粒堆疊體101之溢膠部位151。較佳地，在上述去溢膠步驟之後，該填充膠體150仍可包覆該些晶粒110之複數個側面112。達成此一結構之具體技術手段之一為，該填充膠體150係可為正光阻型，而該去溢膠步驟係為對該填充膠體150之溢膠部位151進行曝光顯影。如第2D圖所示，可利用一曝光光罩280對該填充膠體150之溢膠部位151進行曝光顯影，該曝光光罩280之遮蓋區圖案略大於該些晶粒110尺寸，該填充膠體150之溢膠部位151將會被光照射而產生反應。如第2E圖所示，顯影液可溶解移除該填充膠體150之溢膠部位151，同時，該些晶粒110之側面112仍被該填充膠體150所包覆。當該填充膠體150以加熱烘烤的方式後固化(post curing)之後，即可構成上述之該些晶粒堆疊封裝件100。或者，達成該些晶粒110之側面112被該填充膠體150所包覆之結構之另一具體技術手段為，可利用雷射 切割工具切除該溢膠部位151。

此外，該透光性擬晶圓載盤210之製作係可參閱第6A至6C圖。首先如第6A圖所示，該透光性擬晶圓載盤210之主體係為一尺寸可如12吋晶圓之空白玻璃盤，上下表面皆為乾淨平滑；如第6B圖所示，利用一定位光罩290對準在該透光性擬晶圓載盤210上，以蝕刻或是沉積方式在該透光性擬晶圓載盤210之上表面製作出該些X軸標線211與該些Y軸標線212(如第6C圖所示)。更具體地，該透光性擬晶圓載盤210在該些元件設置區213之外之上表面或下表面之邊緣係可建置有一晶圓辨識碼215，以供條碼系統(bar code system)辨識，經由該條碼系統可如同對付一般晶圓測試這般追蹤測試良率。此外，本發明非僅限定以該些X軸標線211與該些Y軸標線212構成前述之定位圖樣(alignment pattern)。第7A至7C圖繪示在不同變化實施例中具不同定位圖樣之透光性擬晶圓載盤。在第7A圖中，該透光性擬晶圓載盤210用以辨識該些元件設置區213之定位圖樣係包含複數個中央定位標記216，係位於該些元件設置區213之中心點，可為圓形或是十字形；在第7B圖中，該透光性擬晶圓載盤210用以辨識該些元件設置區213之定位圖樣係包含複數個角隅定位標記217，其係位於該些元件設置區213之角隅，可為三角形或是L形；在第7C圖中，該透光性擬晶圓載盤210用以辨識該些元件設置區213之定位圖樣係包含複數個周邊定位標記218，其 係位於該些元件設置區213之周邊，而呈窗口形。當該些晶粒堆疊封裝件固定於該些元件設置區內，以不遮蓋該些角隅定位標記217或周邊定位標記218為較佳。而該些定位圖樣之形成係亦可利用不同於該透光性擬晶圓載盤210本體材料之它物質的鑲嵌或是凹穴填埋所形成。

因此，本發明之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法係相容於目前的晶圓測試機而能達成對無基板或晶片尺寸之已單離晶粒堆疊封裝件進行微間隙探觸測試而不需要電性轉接基板，以提供測試出良好的已單離晶粒堆疊封裝件，以低成本方式防止不良已單離晶粒堆疊封裝件的誤用。

以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本項技術者，在不脫離本發明之技術範圍內，所作的任何簡單修改、等效性變化與修飾，均仍屬於本發明的技術範圍內。

100‧‧‧晶粒堆疊封裝件

101‧‧‧無基板晶粒堆疊體

102‧‧‧正面

103‧‧‧背面

110‧‧‧晶粒

111‧‧‧矽穿孔

112‧‧‧側面

120‧‧‧晶粒堆疊間隙

130‧‧‧測試電極

140‧‧‧互連凸塊

141‧‧‧外接凸塊

150‧‧‧填充膠體

151‧‧‧溢膠部位

210‧‧‧透光性擬晶圓載盤

211‧‧‧X軸標線

212‧‧‧Y軸標線

213‧‧‧元件設置區

214‧‧‧感光性黏著層

215‧‧‧晶圓辨識碼

216‧‧‧中央標記

217‧‧‧角隅標記

218‧‧‧周邊標記

220‧‧‧晶圓測試機

221‧‧‧晶圓測試探針

222‧‧‧裝載區

223‧‧‧傳送區

224‧‧‧測試區

225‧‧‧探針卡

230‧‧‧光照射裝置

240‧‧‧晶圓切割膠帶

241‧‧‧晶圓切割刀具

250‧‧‧黏著膠帶

260‧‧‧膠帶載具

261‧‧‧開口

270‧‧‧塗膠針頭

280‧‧‧曝光光罩

290‧‧‧定位光罩

第1A至1E圖：依據本發明之一較佳實施例，繪示在一種已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法中各主要步驟之元件截面示意圖。

第2A至2E圖：依據本發明之一較佳實施例，繪示在一種已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法中 用以提供複數個晶粒堆疊封裝件之細部次步驟之元件截面示意圖。

第3圖：繪示該晶圓級測試方法中複數個無基板晶粒堆疊體搭載於一長條形膠帶載具之正面示意圖。

第4圖：繪示該晶圓級測試方法中複數個晶粒堆疊封裝件搭載於一透光性擬晶圓載盤之正面示意圖。

第5圖：依據本發明之一較佳實施例，繪示該晶圓級測試方法中所使用之晶圓測試機之立體示意圖。

第6A至6C圖：依據本發明之一較佳實施例，繪示該晶圓級測試方法中所使用之透光性擬晶圓載盤在製造過程中之正面示意圖。

第7A至7C圖：依據本發明之一較佳實施例，具不同定位圖樣之透光性擬晶圓載盤之正面示意圖。

100‧‧‧晶粒堆疊封裝件

102‧‧‧正面

103‧‧‧背面

110‧‧‧晶粒

111‧‧‧矽穿孔

112‧‧‧側面

120‧‧‧晶粒堆疊間隙

130‧‧‧測試電極

140‧‧‧互連凸塊

141‧‧‧外接凸塊

150‧‧‧填充膠體

210‧‧‧透光性擬晶圓載盤

212‧‧‧Y軸標線

214‧‧‧感光性黏著層

220‧‧‧晶圓測試機

221‧‧‧晶圓測試探針

225‧‧‧探針卡

Claims (13)

1. 一種已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，包含：提供複數個晶粒堆疊封裝件，每一晶粒堆疊封裝件係包含複數個上下堆疊之晶粒，並具有一正面、一背面以及複數個位在該正面上之測試電極；依晶粒陣列排列並固定該些晶粒堆疊封裝件於一透光性擬晶圓載盤上，該透光性擬晶圓載盤係具有複數個由特定定位圖樣定義之元件設置區以及一感光性黏著層，該感光性黏著層係黏著該些晶粒堆疊封裝件之背面，並使該些晶粒堆疊封裝件位於該些元件設置區內；裝載已搭載該些晶粒堆疊封裝件之該透光性擬晶圓載盤於一晶圓測試機內；利用該晶圓測試機之複數個晶圓測試探針探觸該些測試電極，以電性測試該些晶粒堆疊封裝件；以及透過該透光性擬晶圓載盤光照射該感光性黏著層，以供由該透光性擬晶圓載盤拾取出該些晶粒堆疊封裝件。
2. 依據申請專利範圍第1項之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，其中該透光性擬晶圓載盤係為一玻璃盤。
3. 依據申請專利範圍第1項之已單離晶粒堆疊封裝件 之晶圓級測試方法，其中上述提供該些晶粒堆疊封裝件之步驟係包含以下步驟：設置複數個無基板晶粒堆疊體於一黏著膠帶上，每一無基板晶粒堆疊體係由該些晶粒堆疊所組成，並在兩兩上下相鄰晶粒之間係各形成有一晶粒堆疊間隙，其中該些測試電極係相對遠離該黏著膠帶；以及形成一填充膠體於該黏著膠帶上，以填滿該些晶粒堆疊間隙。
4. 依據申請專利範圍第3項之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，其中上述提供該些晶粒堆疊封裝件之步驟係更包含：在形成該填充膠體之後之一去溢膠步驟，以移除該填充膠體超出該些無基板晶粒堆疊體之溢膠部位。
5. 依據申請專利範圍第4項之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，其中在上述去溢膠步驟之後，該填充膠體仍包覆該些晶粒之複數個側面。
6. 依據申請專利範圍第4項之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，其中該填充膠體係為正光阻型，而該去溢膠步驟係為對該填充膠體之溢膠部位進行曝光顯影。
7. 依據申請專利範圍第4項之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，其中在上述設置該些無基板晶粒堆疊體於該黏著膠帶上之步驟之前，該黏著膠帶 係預先設置於一長條形膠帶載具之一開口中，而模擬為一基板條。
8. 依據申請專利範圍第1項之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，其中每一晶粒內係設有複數個矽穿孔，並且該些晶粒堆疊封裝件於該些晶粒堆疊間隙內係設有複數個互連凸塊，其係電性導通該些矽穿孔。
9. 依據申請專利範圍第8項之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，其中每一晶粒堆疊封裝件係更具有複數個位在該正面上之外接凸塊。
10. 依據申請專利範圍第1項之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，其中該些定位圖樣係包含複數個X軸標線與複數個Y軸標線，且不被該些晶粒堆疊封裝件所遮蓋。
11. 依據申請專利範圍第10項之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，其中該些X軸標線與該些Y軸標線係延伸至該透光性擬晶圓載盤之周邊。
12. 依據申請專利範圍第1項之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，其中該些定位圖樣係選自於中心定位標記、角隅定位標記與周邊定位標記所構成群組之其中之一。
13. 依據申請專利範圍第1項之已單離晶粒堆疊封裝件之晶圓級測試方法，其中該透光性擬晶圓載盤在該些元件設置區之外之一表面邊緣係建置有一晶圓 辨識碼。