TW201350620A - 噴嘴單元及使用該噴嘴單元的基板處理設備 - Google Patents

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Abstract

一種基板處理設備包括一處理管件，以收容一裝載有複數個基板之舟皿，一加熱器組件，其係圍繞該處理管件而安裝，以及一噴嘴單元，其係供應一處理氣體，以於該處理管件中之複數個基板的表面形成一薄膜。該噴嘴單元包括：一熱反射元件，以阻隔並反射由加熱器組件產生之熱能。

Description

噴嘴單元及使用該噴嘴單元的基板處理設備
本揭露內容係關於一種基板處理設備，更特定地，係關於一種噴嘴單元及使用該噴嘴單元之批次式基板處理設備。
由於現今設備越趨整合，越來越需要可減少雜質之薄膜鍍層的方法以及良好的鍍膜之覆蓋性。可減少雜質之薄膜鍍層的方法有許多種，包括：化學氣相沉積法(CVD)和原位原子層沉積法(ALD)。現今，化學氣相沉積法(CVD)和原位原子層沉積法(ALD)皆被廣泛地使用。
然而，基板處理設備之噴嘴係多由二氧化矽所形成，並為了加熱基板而以加熱器所產生的輻射熱來加熱。因此，經由噴嘴所提供之反應氣體亦可能同時受熱，使得反應氣體受熱被熱解以提供至基板。
於低壓之化學氣象沉積法(LP-CVD)中，低溫之反應氣體係可能如前述之熱解現象先受熱。因此，該現象對氣體之化學反應來說係為有幫助的。然而，若反應氣體須直接地與高溫的基板表面反應以於基板上形成薄膜，那麼該現象便會抑制反應氣體的沉積，主要是由於，於噴嘴所產生的熱解現象將會降低提供至基板之反應氣體的濃度與生命 週期，使得薄膜的品質退化。
本發明概念之實施例提供一種噴嘴單元，可穩定地提供遇熱極易反應之氣體，例如：臭氧，以及使用該噴嘴單元之基板處理設備。
本發明概念之實施例亦提供一種可減少或防止噴嘴溫度升高之噴嘴單元，以及使用該噴嘴單元之基板處理設備。
於一方面，噴嘴單元可包括：具有複數個噴嘴孔之第一管，以及可阻隔並反射向該第一管內傳遞之熱能的熱反射元件。
在本發明之一實施例中，熱反射元件係二氧化矽塗層，至少塗佈於第一管之內側表面或外側表面。
在本發明之一實施例中，熱反射元件包括部分地圍繞第一管之蓋板，且蓋板係一二氧化矽材料。
在本發明之一實施例中，噴嘴單元係可進一步包括具有複數個穿孔之第二管，圍繞於第一管，且第二管之複數個穿孔個別地對應於複數個噴嘴孔，以及連接各噴嘴孔與和各噴嘴孔對應之穿孔的噴氣管。
在本發明之一實施例中，熱反射薄膜進一步地至少鍍於第二管之內側表面或外側表面。
於另一方面，基板處理設備可包括：以收容一裝載有複數個基板之舟皿的處理管件、圍繞該處理管件而安裝的加熱器組件、供應處理氣體以於處理管件中之複數個基板的表面形成一薄膜的噴嘴單元。噴嘴單元包括以阻隔並反射 由加熱器組件產生之熱能的熱反射元件。
在本發明之一實施例中，熱反射元件包括熱反射薄膜。
在本發明之一實施例中，噴嘴單元係可進一步包括具有複數個噴嘴孔，且提供第一通道使被供應之處理氣體通過的第一管。熱反射元件包括部分地圍繞於第一管的蓋板，且蓋板係以二氧化矽材料形成。
在本發明之一實施例中，噴嘴單元係可進一步包括：具有複數個噴嘴孔，且提供第一通道使被供應之處理氣體通過的第一管、具有複數個穿孔且圍繞於第一管之第二管，且第二管之複數個穿孔個別地對應於複數個噴嘴孔，且冷卻氣體流經第二管，以避免處理氣體之溫度升高、連接各噴嘴孔與和各噴嘴孔對應之穿孔的噴氣管。經由複數個噴氣管噴射被供應入第一管之處理氣體。
在本發明之一實施例中，熱反射元件係鍍於該第一管或該第二管之內側表面或外側表面的熱反射薄膜。
在本發明之一實施例中，熱反射薄膜係二氧化矽鍍膜。
300‧‧‧噴嘴單元
302‧‧‧噴嘴孔
304‧‧‧噴嘴管
390‧‧‧熱反射薄膜
390a‧‧‧蓋板
E‧‧‧空間
10‧‧‧基板處理設備
100‧‧‧處理管件
102‧‧‧內側管件
104‧‧‧外側管件
110‧‧‧加熱器組件
120‧‧‧凸緣
122‧‧‧排出端口
200‧‧‧舟皿
210‧‧‧封蓋
230‧‧‧驅動部件
300a1‧‧‧噴嘴單元
310‧‧‧第一管
314‧‧‧噴氣管
316‧‧‧外部氣體供應端口
319‧‧‧噴嘴孔
320‧‧‧第二管
322‧‧‧第二通道
329‧‧‧穿孔
330‧‧‧排出管
332‧‧‧連接管
X1‧‧‧第一氣體
X2‧‧‧第二氣體
本發明包括附圖以提供對本發明概念之進一步了解，而且將附圖併入並組成說明書之一部份。圖式描述本發明之例示具體實施例，而且與說明一起用以解釋本發明之原理。在圖式中：圖1係顯示本案發明之噴嘴單元的例示具體實施例之截面圖；圖2和圖3係顯示以熱反射薄膜作為熱反射元件之圖 式；圖4係顯示熱反射薄膜阻隔並反射熱能之圖式；圖5係顯示以蓋板作為熱反射元件之圖式；圖6係顯示本案發明之基板處理設備的例示具體實施例之截面圖；圖7係顯示圖6之基板處理設備中的噴嘴單元之透視圖；圖8係顯示圖7之噴嘴單元之一部分的放大截面圖；以及圖9係顯示圖7之噴嘴單元的平面圖。
以下，參照所附之圖式對本發明之例示具體實施例之噴嘴單元與基板處理設備進行更完整地描述。參照所附之圖式，本發明之功效與技術特徵，以及本發明之技術手段將於以下進行詳細說明。值得注意的是，本發明概念可具體化於各種不同形式中，且應不被視為僅限於所說明之實施例。因此，提供此等實施例作為實例是為了使本揭示內容詳盡而完整，且將使本發明概念之概念完全傳達至熟習此項技術者。於圖式中，本發明之實施例並不限於以下所提供之特定示例，此外，為了使本揭示內容清楚，亦將使用誇飾之描述方式。
以下揭示內容中使用之術語是為了描述特定實施例，而應不被視為對本發明之限制。如本文中所使用，單數形式「一」、「一種」及「該」意欲亦包括複數形式，除非上下 文另有明顯指示。如本文中所使用，術語「及/或」包括一或多個相關聯清單項目中之任何項目或全部組合。應被理解的是，當元件被稱為「耦接至」或「連接於」另一元件時，該元件可直接耦接至或直接連接於其他元件，或者可存在介入元件。
同樣地，當元件或層被稱為在另一元件，如：層、區域或基板，之「上」時，該元件可直接在其他元件上，或者可存在介入元件。相反地，當元件被稱為「直接在」、「直接連接至」、「直接耦接至」或「緊接著連接於」另一元件時，則不存在介入元件。應進一步理解的是，術語「包含」及/或「包括」在使用於本說明書中時是為了說明所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但是不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或增添。
此外，以下說明書中之實施例將利用截面圖作為本發明之理想的示例圖。因此，根據製造技術及/或可容許之誤差，示例圖之形狀係可被修改。是故，本發明之諸實施例應不被限於示例圖中所示之特定形狀，而可包含其他根據製造技術可能實現的其他形狀。圖式中示例的區域或範圍具一般特性，用以例示元件之特定形狀，而因此不應解釋為對本發明之限制。
亦應被理解的是，雖然術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可用來描述各種元件，但是此等元件將不受此等術語限制。此等術語僅用來區別一元件。因此，以下論 述之第一元件可在不脫離本發明之教示的情況下被稱為第二元件。以下所示與解釋之本發明之示例性實施例包含與該實施例相應之互補部分。相同之參考數字或相同之參考代號於整份說明書中代表相同之元件。
除此之外，本發明諸實施例於此處將以截面及/或平面之形式作理想的表示。因此，舉例來說，上述之截面及/或平面之形式所表示出的形狀若有所差異，是可被預期的。是故，本發明之諸實施例不應被限於示例圖中所示之區域及/或範圍的形狀，而應包含前述形狀上之差異，如：因製造技術而導致的形狀差異。舉例而言，被表示為長方形之蝕刻區域及/或範圍亦典型地可具有圓形或曲線之特徵。據此，本發明圖式中所示之區域及/或範圍是為了圖示本發明之本質，而並非欲以圖式中裝置之某區域及/或範圍之實際圖示形狀限制本發明實施例之範圍。
圖1係顯示本案發明之噴嘴單元的例示具體實施例之截面圖。
參照圖1，噴嘴單元300係包括長形噴嘴管304。長形噴嘴管304具有複數個噴嘴孔302。噴嘴管304係以二氧化矽材料所形成。噴嘴管304可具有一熱反射元件，且熱反射元件可阻隔並反射熱能。噴嘴管304所具有之熱反射元件可係一鍍膜之形式。選擇性地，噴嘴管304所具有之熱反射元件亦可係一圍繞噴嘴管304之板狀形式。
如圖2及圖3所示，熱反射元件可包括一熱反射薄膜390，至少形成於噴嘴管304之內側表面或外側表面。如圖 4所示，熱反射塗層390係用以阻隔並反射由噴嘴管304外部供應而來的熱能，由一二氧化矽鍍膜所形成。對於需要穩定之氣體供給之基板處理設備，如：臭氧…等於薄膜沉澱製程中遇熱即易反應之氣體，鍍有熱反射塗層390之噴嘴單元300係為十分有價值的。
如圖5所示，選擇性地，熱反射元件可係一圍繞於具有複數個噴嘴孔302之噴嘴管304的蓋板390a，蓋板390的形狀可係圍繞噴嘴管304的各種形狀。蓋板309a與噴嘴管304間存在有空間E，且蓋板390a係由一二氧化矽材料所形成。蓋板390a使得噴嘴管304受保護而免於受到由外部供應之熱能的影響。
圖6係顯示本案發明之基板處理設備的例示具體實施例之截面圖。
參照圖6，根據本案發明之基板處理設備可包括承載複數個基板之舟皿200、具有外部管件104和內部管件102且可收容舟皿200之處理管件100、圍繞處理管件100之加熱器組件110、支持舟皿200且與處理管件100之凸緣120連接的封蓋210，以及供應複數種氣體以塗佈一薄膜於處理管件100內之基板表面的噴嘴單元300a。
處理管件
處理管件100係具有圓頂之中空圓柱狀。處理管件100包括一內部空間，裝載有成載複數個基板W之舟皿200。薄膜的塗布製程進行於處理管件100之內部空間中的複數個基板W。處理管件100係可由一可耐高溫之材質形成， 例如：二氧化矽。
排出端口122係可安裝於處理管件100之凸緣120的一側，用以強制將空氣吸引入處理管件100，以使處理管件100之內部空間被解壓。噴嘴單元300a係可供應處理氣體至處理管件100內，且係安裝於凸緣120之另一側，位置相對於排出端口122。排出端口122與一排出管線(未圖示)連接。當進行塗佈製程時，排出端口122係用以將處理管件100內之氣體排出至處理管件100之外。供應至處理管件100之處理氣體經由排出端口122排出，同時使得處理管件100之內部空間透過排出端口122得以減壓。
舟皿
舟皿200係包括複數個溝槽，得以插入五十個、甚至為數更多的基板(例如：晶圓)。舟皿200裝置於封蓋210上，封蓋210係可裝載於處理管件100內，或者藉由對應於昇降裝置之驅動部件230由處理管件100卸載下來。若舟皿200裝載於處理管件100內，封蓋210便與處理管件100之凸緣120相接合。於一實施例中，密封元件，例如：O形環，係可被提供於處理管件100之凸緣120與封蓋210相接處，以避免處理氣體由處理管件100與封蓋210之間漏出。
圖7係顯示圖6之基板處理設備中的噴嘴單元之透視圖。圖8係顯示圖7之噴嘴單元之一部分的放大截面圖。圖9係顯示圖7之噴嘴單元的平面圖。
噴嘴單元
參照圖6至圖9，噴嘴單元300a係可包括第一管310、第二管320，以及排出管330，以使得遇熱即易反應之氣體保持其特性，如：臭氧。
第一管310係配置於第二管320內，依序噴射第一氣體與第二氣體以於承載於周皿200中的基板W上形成薄膜。第一氣體係用以形成一前驅膜層於基板之上表面，而第二氣體則係用以氧化前驅膜層之氧化劑。前驅膜層經第二氣體氧化後形成一金屬氧化層，其中，氧化劑係以臭氧氣體為主要。外部氣體供應端口316係可依序供應第一氣體x1和第二氣體x2至第一管310內。一氣體x1和第二氣體x2係可被供應至第一管310之第一通道內，以經由複數個噴射管314向基板進行噴射。其中，第一通道位於第一管310內，且噴射管314連接第一管310之噴嘴孔319至第二管320之穿孔329。
熱反射薄膜390係鍍於第一管310外側周圍表面上，且熱反射薄膜390阻隔並反射由加熱器組件110所供應之熱能。雖未見於圖式，熱反射薄膜390亦係可鍍於第一管310內側周圍表面上。舉例而言，第二氣體x2係可包括至少一種氧化劑，此氧化劑包括可產生氧化自由基之活性氧化劑。活性氧化劑係可包括由電漿產生器所產生之臭氧(O3)、氧氣電漿(O2)和/或一氧化二氮電漿(N2O)。此外，第二氣體x2係可進一步地包括下述至少一種反應氣體，如：SiH4、DCS、PH3、B2H6、TiCl4與TSA，以及有機原料，如：TEMAZr、TEMAHf與TMA。
於圖6中，第一管310之複數個噴射管314之間的間隔距離大於複數個基板W間的間隔距離，然本發明並不限於此。於另一實施例中，第一管310之複數個噴射管314係可為密集地排列，以在需要時使得多種氣體係可被噴射於複數個基板W之間。於此情況下，多種氣體係可於基板上被改善，且製程中使用之氣體量係可經較佳地調整以減少不必要的氣體損耗。
第二管320係可形成並圍繞於第一管310。雖未見於圖式，為了便於第二管320之製造，第二管320係可包括相互組裝之第一主體和第二主體。第二通道322係可位於第一管310與第二管320之間，且冷卻氣體係可由外部供應至第二通道322內。熱反射薄膜390亦係可鍍於第二管320外側周圍表面上，且熱反射薄膜390阻隔並反射由加熱器組件110所供應之熱能。熱反射薄膜390係可進一步地鍍於第二管320內側周圍表面上。第二管320係可避免第一管310受熱於加熱器組件110所提供之輻射熱能。鍍於第二管320外側周圍表面上之熱反射薄膜390係可反射或阻隔輻射熱能，另外，供應至第二通道322之冷卻氣體係可吸收輻射熱能，且吸收了輻射能後之冷卻氣體係可經由獨立的排出管330排出處理管件100之外。通常，氮氣、氬和/或氦係可作為冷卻氣體使用。
藉由在第二管320外側周圍表面上鍍上的熱反射薄膜390、在第一管310外側周圍表面上鍍上的熱反射薄膜390，以及供應至第二管320之第二通道322的冷卻氣體流 經第一管310之氣體的升溫幅度係可被最小化。連接管332連接於第二管320之頂端部分與排出管330之頂端部份之間。被供應至第二通道322且經受熱後的冷卻氣體係可經由連接管332與排出管330排出噴嘴單元300a之外。
雖未示於圖中，噴嘴單元300a係可不包括排出管330。於此情況下，冷卻氣體係可經由第二管320被供應與排出。
根據前述之噴嘴單元300a，即使處理管件100之內部溫度由於加熱器組件110所供應之輻射熱能升高，鍍於第一管310與第二管320外側周圍表面上之熱反射薄膜會發揮反射與阻隔輻射熱能的功效，且被供應智第二通道322之冷卻氣體亦會發揮吸收供應至第一管310之輻射熱能的功效。如此一來，前述第一管310之內部溫度的提升便會被最小化，甚至被避免。
如前述，鍍於第一管310與第二管320之熱反射薄膜390，以及位於第二管320中的冷卻氣體係可抑制第一管310之升溫現象，以避免經由第一管310噴射之第二氣體x2於到達基板之前被熱解，如此一來便可提升形成於基板上之氧化薄膜的品質，此外，亦可使製程中使用之處理氣體的氣體量減少，進而降低氧化薄膜的製造成本。
即便未示於圖中，熱反射薄膜亦係可被鍍於第一管310與第二管320之內側周圍表面上與外側周圍表面上。
根據本發明之諸實施例，由加熱器組件產生之輻射熱能係可被鍍於噴嘴單元或蓋板上之熱反射薄膜反射與阻 隔。因此，噴嘴單元內部溫度的升高係可被抑制。
除此之外，為了有效地阻隔與反射輻射熱能，熱反射薄膜係可被鍍於第一管與第二管上。如此一來，便可能避免經由第一管被噴射而出之氣體在到達基板之前被熱解。
以上之說明並未脫離對本發明之技術思想進行例示性說明之範圍，因此若為本發明所屬技術領域中具有通常知識者，則可於不脫離本發明之本質的特性之範圍內進行多樣的修正及變形。因此，本發明所例示之實施形態並非限定本發明之技術思想者，僅係用於說明，根據該實施形態，並非限定本發明之技術思想之範圍。本發明之保護範圍必須藉由以下申請專利範圍進行解釋，與其同等之範圍內所有之技術思想係必須作為本發明之保護範圍內所包含者進行解釋。
10‧‧‧基板處理設備
100‧‧‧處理管件
102‧‧‧內側管件
104‧‧‧外側管件
110‧‧‧加熱器組件
120‧‧‧凸緣
122‧‧‧排出端口
200‧‧‧舟皿
210‧‧‧封蓋
230‧‧‧驅動部件
300a‧‧‧噴嘴單元
310‧‧‧第一管
316‧‧‧外部氣體供應端口
320‧‧‧第二管
X1‧‧‧第一氣體
X2‧‧‧第二氣體

Claims (11)

  1. 一種噴嘴單元，包括：一第一管，其係具有複數個噴嘴孔；以及一熱反射元件，阻隔並反射向該第一管內傳遞之熱能。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之噴嘴單元，其中該熱反射元件係一二氧化矽塗層，至少塗佈於該第一管之內側表面或外側表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之噴嘴單元，其中該熱反射元件包括：一蓋板，其係部分地圍繞該第一管；且其中，該蓋板係一二氧化矽材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之噴嘴單元，更進一步包括：一第二管，其係圍繞該第一管，並具有複數個穿孔，且該複數個穿孔個別地對應於該複數個噴嘴孔；以及一噴氣管，其係連接各噴嘴孔與和各噴嘴孔對應之穿孔。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之噴嘴單元，其中該熱反射薄膜進一步地至少鍍於該第二管之內側表面或外側表面。
  6. 一種基板處理設備，包括：一處理管件，以收容一裝載有複數個基板之舟皿；一加熱器組件，其係圍繞該處理管件而安裝；以及 一噴嘴單元，其係供應一處理氣體，以於該處理管件中之複數個基板的表面形成一薄膜；其中，該噴嘴單元包括：一熱反射元件，以阻隔並反射由加熱器組件產生之熱能。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之基板處理設備，其中該熱反射元件包括一熱反射薄膜。
  8. 如申請專利範圍第6項所記載之基板處理設備，其中該噴嘴單元更進一步包括：一第一管，其係具有複數個噴嘴孔，且提供一第一通道使被供應之處理氣體通過；其中，該熱反射元件包括一蓋板，該蓋板部分地圍繞於該第一管，且其中，該蓋板係以一二氧化矽材料形成。
  9. 如申請專利範圍第6項所記載之基板處理設備，其中該噴嘴單元更進一步包括：一第一管，其係具有複數個噴嘴孔，且提供一第一通道使被供應之處理氣體通過；一第二管，其係具有複數個穿孔，該複數個穿孔個別地對應於該複數個噴嘴孔，該第二管圍繞於該第一管外，且一冷卻氣體流經該第二管，以避免處理氣體之溫度升高；以及一噴氣管，其係連接各噴嘴孔與和各噴嘴孔對應之穿孔；其中，被供應入第一管之該處理氣體係經由複數個 該噴氣管噴射。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之基板處理設備，其中該熱反射元件係一熱反射薄膜，該熱反射薄膜係鍍於該第一管或該第二管之內側表面或外側表面。
  11. 如申請專利範圍第7項所記載之基板處理設備，其中該熱反射薄膜係一二氧化矽鍍膜。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI603400B (zh) * 2014-01-24 2017-10-21 東京威力科創股份有限公司 立式熱處理裝置、熱處理方法及非暫時性記錄媒體
TWI817568B (zh) * 2021-12-06 2023-10-01 日商鎧俠股份有限公司 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201508512PA (en) * 2013-05-23 2015-12-30 Applied Materials Inc A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber
KR102027655B1 (ko) * 2017-12-01 2019-10-02 한국과학기술원 저방사 유기 기상 젯프린팅 방법 및 장치
CN111868897A (zh) * 2018-03-28 2020-10-30 株式会社国际电气 基板处理装置、气体喷嘴及半导体装置的制造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置
JPH07111958B2 (ja) * 1985-03-01 1995-11-29 株式会社日立製作所 半導体のエピタキシャル成長方法
CA1251100A (en) * 1985-05-17 1989-03-14 Richard Cloutier Chemical vapor deposition
KR980011774A (ko) * 1996-07-02 1998-04-30 문정환 반도체 저압화학기상증착장비의 가스주입노즐 및 그 제조방법
JP3142054B2 (ja) * 1996-12-03 2001-03-07 日本碍子株式会社 化学気相堆積装置
JPH10251853A (ja) * 1997-03-17 1998-09-22 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
US6709881B2 (en) * 2000-11-28 2004-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor and method for manufacturing semiconductor device
KR20020080954A (ko) * 2001-04-18 2002-10-26 주성엔지니어링(주) 냉벽 화학기상증착 방법 및 장치
CN100456435C (zh) * 2004-11-01 2009-01-28 株式会社日立国际电气 衬底处理装置以及半导体设备的制造方法
JP5144295B2 (ja) * 2007-02-28 2013-02-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR100929535B1 (ko) * 2007-11-28 2009-12-03 국제엘렉트릭코리아 주식회사 노즐 유닛 및 그 유닛을 갖는 원자층 증착 설비
DE102008028233A1 (de) * 2008-06-16 2009-12-17 Heraeus Noblelight Gmbh Kompaktes UV-Bestrahlungsmodul
KR101155430B1 (ko) * 2009-01-30 2012-06-15 국제엘렉트릭코리아 주식회사 박막 증착 장치 및 그 방법
JP5409078B2 (ja) * 2009-03-30 2014-02-05 旭化成イーマテリアルズ株式会社 機能性複合体及びその製造方法
JP2011091389A (ja) * 2009-09-25 2011-05-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101313262B1 (ko) * 2010-07-12 2013-09-30 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 에피 박막의 제조 방법
US8960235B2 (en) * 2011-10-28 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Gas dispersion apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI603400B (zh) * 2014-01-24 2017-10-21 東京威力科創股份有限公司 立式熱處理裝置、熱處理方法及非暫時性記錄媒體
TWI817568B (zh) * 2021-12-06 2023-10-01 日商鎧俠股份有限公司 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法

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Publication number Publication date
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