KR100873830B1 - 퍼니스형 반도체 설비 - Google Patents

Abstract

본 발명은 퍼니스형 반도체 설비에 관한 것으로, 본 발명의 퍼니스형 반도체 설비는 공정 튜브; 상기 공정 튜브 내에 위치되는 웨이퍼 보우트; 상기 웨이퍼 보우트에 적재된 웨이퍼들로 공정 가스를 분사하는 노즐부재를 포함하되; 상기 노즐부재는 코일 형상으로 상기 공정 튜브의 내측면을 따라 배치되는 분사부를 포함한다.

상술한 구성을 갖는 퍼니스형 반도체 설비는 노즐 부재의 분사부가 공정 튜브에 나선형으로 배치됨으로써 웨이퍼 보우트의 최하단부터 최상단에 위치하는 웨이퍼들 각각으로 공정 가스를 직접 분사할 수 있다. 특히 본 발명은 웨이퍼 보우트 주변을 둘러싸면서 공정 가스를 360도 전 방향에서 분사함으로써 공정 튜브 내부에 균일한 가스 분포를 제공할 수 있다.

웨이퍼 보우트, 노즐, 나선형

Description

퍼니스형 반도체 설비{Semiconductor Apparatus of Furnace Type}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 퍼니스형 반도체 설비의 개략적인 구성을 보여주는 단면도이다.

도 2는 공정 튜브에 설치된 노즐 부재가 설치된 공정 튜브를 보여주는 도면이다.

도 3은 기판으로 공정 가스가 분사되는 노즐 부재를 보여주는 도면이다.

도 4a 및 도 4b는 공정 튜브의 내측면에 고정되는 노즐 부재의 분사부를 보여주는 도면들이다.

도 5 및 도 6은 분사부가 일체형으로 형성된 공정 튜브를 보여주는 도면들이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

100 : 공정 튜브

200 : 웨이퍼 보우트

300 : 히터

400 : 노즐 부재

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 퍼니스형 반도체 설비에 관한 것이다.

최근 반도체 장치의 제조 기술은 소비자의 다양한 욕구를 충족시키기 위해 집적도, 신뢰도, 응답속도 등을 향상시키는 방향으로 발전하고 있다. 일반적으로, 반도체 장치는 실리콘 웨이퍼 상에 증착 공정, 확산 공정, 사진 및 식각 공정 등을 수행하여 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.

반도체 장치의 제조 과정에서, 저압 화학 기상 증착 공정 및 확산 공정은 통상적으로 종형의 퍼니스 내에서 이루어진다. 구체적으로, 퍼니스형 반도체 설비는 히터 블록이 구비되고 히터 블록 내부에 석영으로 이루어지는 아우트 튜브 및 이너 튜브로 구성된다. 또한, 이너 튜브 내에는 웨이퍼들을 적재하기 위한 보트가 구비되며, 상기 보트에 적재된 다수매의 웨이퍼는 한꺼번에 공정 공간, 즉 공정 챔버에 투입되어 증착 또는 확산 공정이 수행된다.

퍼니스형 반도체 설비를 사용하여 공정을 수행하는 경우, 설비 내의 가스 분포도에 따라 공정 변화가 매우 크다. 그렇기 때문에, 설비에서 공정이 수행되는 전 영역 즉, 공정 챔버 내의 가스 분포가 거의 균일하게 되도록 공급하는 것이 매우 중요하다.

퍼니스형 반도체 설비는 아래쪽에 위치하는 노즐을 통해 공정 가스가 공급되다 보니 공정 챔버의 아래쪽과 위쪽의 가스 농도차가 발생되어 균일한 막 증착이 어렵고, 특히, 가스 플로우를 위해 이너 튜브를 구비해야 하는 등 구조가 복잡하고 유지 보수 관리의 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은 균일한 가스 분포도를 갖는 퍼니스형 반도체 설비를 제공하는데 있다.

본 발명의 목적은 단일 튜브로 이루어지는 퍼니스형 반도체 설비를 제공하는데 있다.

상술한 목적을 달성하기 위한 퍼니스형 반도체 설비는 공정 튜브; 상기 공정 튜브 내에 위치되는 웨이퍼 보우트; 상기 웨이퍼 보우트에 적재된 웨이퍼들로 공정 가스를 분사하는 노즐부재를 포함하되; 상기 노즐부재는 코일 형상으로 상기 공정 튜브의 내측면을 따라 배치되는 분사부를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부재의 분사부는 상기 공정 튜브의 내측면에 고정될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공정튜브는 내측면에 상기 노즐 부재의 분사부를 고정하는 고정부재들을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 분사부는 상기 웨이퍼 보우트에 놓여진 웨이퍼들 사이로 공정 가스를 분사하는 분사홀들을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 분사부는 분사부의 상부 또는 하부 방향으로 각도를 주어 가스를 분사 하거나 복합적으로 가스 분사 방향을 조절 하여 공정 가스를 분사하는 분사 홀들을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐 부재는 상기 공정 튜브에 형성된 노즐 포트에 설치되는 그리고 외부의 공급라인으로부터 공정가스를 제공받아 상기 분사부로 제공하는 도입부를 더 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 분사부는 상기 웨이퍼 보우트에 놓여진 웨이퍼들 사이 사이로 공정 가스를 분사하는 분사홀들을 포함하되; 상기 분사홀들은 상기 도입부로부터 멀어질수록 개구면적이 증가된다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공정 튜브는 공정시 내부로 공급되는 공정 가스의 배기 및 공정시 내부를 감압시킬 수 있도록 배기라인과 연결되는 배기 포트를 더 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부재는 상기 공정 튜브에 일체형으로 형성된다.

상술한 목적을 달성하기 위한 퍼니스형 반도체 설비는 공정 튜브; 상기 공정 튜브의 외측에서 상기 공정 튜브의 내부를 가열하기 위한 히터 블록; 상기 공정 튜브 내에 위치되는 웨이퍼 보우트; 상기 웨이퍼 보우트에 적재된 웨이퍼들로 공정 가스를 분사하는 노즐부재를 포함하되; 상기 노즐부재는 나선 형태로 상기 공정 튜브의 내측면을 따라 고정 설치되는 분사부; 및 상기 공정 튜브에 형성된 노즐 포트에 설치되는 그리고 외부의 공급라인으로부터 공정가스를 제공받아 상기 분사부로 제공하는 도입부를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 분사부는 상기 웨이퍼 보우트에 놓여진 웨이퍼들 사이로 공정 가스를 분사하는 분사홀들을 포함한다.

상술한 목적을 달성하기 위한 퍼니스형 반도체 설비는 공정 튜브; 상기 공정 튜브 내에 위치되는 웨이퍼 보우트를 포함하되; 상기 공정 튜브는 상기 웨이퍼 보우트에 적재된 웨이퍼들로 공정 가스를 분사하기 위해 내측면을 따라 나선 형태로 제공되는 분사부를 갖는다.

상술한 목적을 달성하기 위한 퍼니스형 반도체 설비는 공정 튜브; 및 상기 공정 튜브 내에 위치되는 웨이퍼 보우트를 포함하되; 상기 공정 튜브는 측면에 나선 형태로 형성되는 통로와; 상기 통로에 공정가스를 공급하는 공급포트; 상기 통로로 제공되는 공정가스를 상기 웨이퍼 보우트에 적재된 웨이퍼들로 분사하기 위해 상기 내측면에 상기 통로와 연통되는 분사홀들을 갖는다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 보우트는 상기 공정 튜브와의 밀봉을 위한 시일캡을 갖는다.

예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.

본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 6에 의거하여 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.

본 발명의 기본적인 특징은 균일한 가스 분포를 갖기 위하여 나선형의 노즐 부재가 공정 튜브의 내측면에 설치된다는데 그 특징이 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 퍼니스형 반도체 설비의 개략적인 구성을 보여주는 단면도이다. 도 2는 공정 튜브에 설치된 노즐 부재가 설치된 공정 튜브를 보여주는 도면이다. 도 3은 웨이퍼으로 공정 가스가 분사되는 노즐 부재를 보여주는 도면이다.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 퍼니스형 반도체 설비(10)는 공정 튜브(100), 웨이퍼 보우트(200), 히터(300) 그리고 노즐 부재(400)를 포함한다.

-공정 튜브-

공정 튜브(100)는 돔 형상의 원통관 형상으로 이루어진다. 공정 튜브(100)는 웨이퍼(w)가 적재된 웨이퍼 보우트(200)가 로딩되어 웨이퍼들 상에 화학 기상 증착(박막 증착 공정, 확산 공정 등)이 진행되는 내부 공간을 제공한다. 공정 튜브(100)는 높은 온도에서 견딜 수 있는 재질, 예컨대 석영으로 제작될 수 있다. 공정 튜브(100)는 하단부 일측에 공정 튜브(100) 내부로 공정 가스를 주입하기 위한 노즐 부재(400)의 장착을 위한 노즐 포트(110)와, 공정 튜브(100) 내부를 감압시키기 위해 내부 공기를 강제 흡입하여 배기하기 위한 배기 포트(120)가 마련된다. 배기 포트(120)는 공정시 공정 튜브(100) 내 공기를 외부로 배출시키기 위해 제공된다. 배기 포트(120)는 배기라인과 연결되며, 배기 포트(120)를 통해 공정 튜브(100)로 공급되는 공정 가스의 배기 및 내부 감압이 이루어진다.

본 실시예에서는 공정 튜브(100)가 노즐 포트(110)가 별도로 구비되어 있으 나, 노즐 부재(400)의 도입부(420)가 관통하는 구멍을 공정 튜브(100)에 형성하고, 그 구멍에 도입부(420)를 끼운 다음 용접등으로 완전 고정 및 밀폐시키는 방법으로도 구현 가능하다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 공정 튜브(100)가 배기 포트(120)와 노즐 포트(110)를 구비함으로써 별도의 플랜지 부재를 생략할 수 있다.

-웨이퍼 보우트-

웨이퍼 보우트는 25장 또는 50장( 또는 그 이상)의 웨이퍼들이 삽입되는 슬롯들을 구비한다. 웨이퍼 보우트는 시일캡 상에 장착되며, 시일 캡(210)은 엘리베이터 장치인 구동부(230)에 의해 공정 튜브(100) 안으로 로딩되거나 또는 공정 튜브(100) 밖으로 언로딩된다. 웨이퍼 보우트가 공정 튜브(100)에 로딩되면, 시일캡은 공정 튜브(100)의 플랜지(130)와 결합된다. 한편, 공정 튜브(100)의 플랜지(130)와 시일 캡(210)이 접촉하는 부분에는 실링(sealing)을 위한 오-링(O-ring;212)과 같은 밀폐부재가 제공되어 공정가스가 공정 튜브(100)와 시일 캡(210) 사이에서 새어나가지 않도록 한다.

-노즐 부재-

노즐 부재(400)는 웨이퍼 보우트(200)에 적재된 웨이퍼들로 공정 가스를 분사하는 분사부(410)와, 노즐 포트(110)를 통해 설치되고 외부의 공급라인(500)으로부터 공정가스를 제공받는 도입부(420) 그리고 분사부(410)와 도입부(420) 사이를 연결하는 연결부(430)를 포함한다.

먼저, 도입부(420)는 노즐 포트(110)에 삽입되어 고정되는 부분으로, 외주면이 4각 형상으로 이루어질 수 있다. 당연히, 노즐 포트(110)는 도입부(420)가 삽입될 수 있는 4각 형상으로 가공하여 도입부(420)의 임의 회전을 방지하고 설치 작업의 편의성을 도모할 수 있다. 예컨대, 도입부(420)는 적어도 하나의 평면을 갖거나 또는 5각, 6각 등의 다각구조로 형상화하는 것이 바람직하다. 도입부(420)의 일단은 노즐 포트(110)를 통해 외측으로 연장되며 외부의 공급라인(500)과 연결된다.

연결부(430)는 도입부(420)와 분사부(410) 사이의 절곡된 부분에 해당되며, 분사부(410)의 처짐을 방지하는 보강대 역할을 할 수 있다. 물론, 분사부(410)는 공정 튜브(100)의 내측면(102)에 고정되어 있기 때문에 처짐이 발생되지 않지만, 분사부(410)가 공정 튜브(100)의 내측면(102)에 고정하기 전까지는 연결부(430)에 의해 지지된다.

상술한 바와 같이, 노즐 부재(400)는 공정 튜브에 고정되는 부분 및 직각으로 절곡된 부분을 다각형으로 가공처리하여, 작업자의 숙련도와는 관계없이 한번에 공정 튜브(100)의 노즐 포트(110)에 삽입 고정시킬 수 있다.

한편, 분사부(410)는 공정 튜브(100)의 내측면(102)을 따라 나선형(코일)으로 배치된다. 노즐 부재(400)의 분사부(410)는 공정 튜브(100)의 내측면(102)에 고정된다. 나선형 코일은 공정 등 조건에 따라 피치간 거리를 조절하여 좀 더 조밀하게 또는 그 반대로 구성 할 수 있다.

도 4a 및 도 4b는 공정 튜브의 내측면에 고정되는 노즐 부재의 분사부를 보여주는 도면들이다.

도 4a에서와 같이, 분사부(410)는 용접에 의해 공정 튜브(100)의 내측면(102)에 고정될 수 있으며, 도 4b에서와 같이 공정 튜브(100)의 내측면(102)에 설치되는 고정부재(104)들에 의해 고정될 수 있다. 분사부(410)는 웨이퍼 보우트(200)에 놓여진 웨이퍼들 사이로 공정 가스를 분사하는 분사홀(412)들을 갖는다. 공정 가스는 분사홀(412)들을 통해 웨이퍼와 웨이퍼 사이의 공간으로 분사된다. 특히, 분사홀(412)들은 도입부(420)로부터 멀어질수록 개구 면적을 크게 하여 전체적으로 균일한 가스 공급이 가능하도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 분사홀(412)들은 공정 조건에 따라 그 간격을 조절하여 좀 더 조밀하게 또는 그 반대로 구성할 수 있다.

또한, 분사 홀(412)들은 공정 조건에 따라 가스 분사 방향을 공정 튜브(100)의 중심 방향 또는 분사부(410)의 상부 또는 하부 방향으로 각도를 주어 가스를 분사 하거나 복합적으로 가스 분사 방향을 조절 하여 구성 할 수 있다.

상술한 바와 같이, 노즐 부재(400)의 분사부(410)가 공정 튜브(100)에 나선형으로 배치됨으로써 웨이퍼 보우트(200)의 최하단부터 최상단에 위치하는 웨이퍼들 각각에 공정 가스를 직접 분사할 수 있다. 특히 도 3에서와 같이, 분사부(410)는 웨이퍼 보우트(200) 주변을 둘러싸면서 공정 가스를 360도 전 방향에서 분사함으로써 공정 튜브(100) 내부에 균일한 가스 분포를 제공할 수 있다. 또한, 공정 가스가 웨이퍼들에 균일하게 제공됨으로써 인너 튜브를 생략할 수 있다.

히터(300)는 공정 튜브(100) 외부에서 공정 튜브(100)에 소정의 열을 제공하여, 공정에 요구되는 공정 튜브(100) 내부 온도를 유지시킨다. 이를 위해 히터(300)는 설비(10) 외부에는 제어부(미도시됨)가 구비되며, 제어부는 공정 튜브(100)의 온도를 감지한 후 공정 튜브(100)의 온도가 공정상 요구되는 온도 밑으로 내려가면 히터(300)가 공정 튜브(100)를 가열하도록 제어한다.

-변형예-

본 발명의 퍼니스형 반도체 설비에서 노즐 부재는 다음과 같은 대안적 변형예들로도 실시할 수 있다.

도 5 및 도 6은 노즐 부재의 분사부가 공정 튜브의 내측면에 일체형으로 형성된 예를 보여주는 도면이다.

도 5에서와 같이, 공정 튜브(100a)는 웨이퍼 보우트(200)에 적재된 웨이퍼들로 공정 가스를 분사하기 위해 내측면을 따라 나선 형태로 제공되는 분사부(180)를 갖는다. 분사부(180)는 공정 튜브(100)의 측면에 나선 형태로 형성되는 통로(182)와, 통로(182)로 제공되는 공정가스를 웨이퍼 보우트(200)에 적재된 웨이퍼들로 분사하기 위해 내측면에 통로(182)와 연통되는 분사홀(184)들을 갖는다. 공정 튜브(100a)는 하단에 외부의 공급라인(500)이 연결되어 공정가스를 통로로 제공하기 위한 공급포트(186)를 갖는다.

본 변형예에서는 공정 튜브(100a)의 내측면으로 분사부(180)가 돌출되어 있으나, 도 6에서와 같이, 공정 튜브(100a)의 내측면이 평평하게 형성되도록 분사 부(180)를 구현할 수 있으며, 이 경우 공정 튜브(100a) 내부에서의 가스 흐름이 보다 원활하게 이루어질 수 있다.

본 발명의 퍼니스형 반도체 설비는 다양한 웨이퍼 프로세싱 작동들을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 절연막을 증착시키도록 구성된 CVD(Chemical Vapor Deposition) 챔버일 수 있고, 인터커넥트 구조들을 형성하기 위해 절연막에 애퍼쳐(aperture)들이나 개구들을 에치하도록 구성된 에치 챔버일 수 있다. 또는 장벽(barrier) 막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있으며, 금속막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있다. 또는 원자층을 증착하는 챔버이거나 확산 챔버일 수 있다.

이상에서, 본 발명에 따른 퍼니스형 반도체 설비의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 공정 튜브가 배기 포트와 노즐 포트를 구비함으로써 별도의 플랜지 부재를 생략할 수 있다.

본 발명은 노즐 부재의 분사부가 공정 튜브에 나선형으로 배치됨으로써 웨이퍼 보우트의 최하단부터 최상단에 위치하는 웨이퍼들 각각으로 공정 가스를 직접 분사할 수 있다. 특히 본 발명은 웨이퍼 보우트 주변을 둘러싸면서 공정 가스를 360도 전 방향에서 분사함으로써 공정 튜브 내부에 균일한 가스 분포를 제공할 수 있다. 본 발명은 공정 가스가 웨이퍼들에 균일하게 제공됨으로써 인너 튜브를 생략할 수 있어서 구조가 간단하고 유지 보수의 효율을 높일 수 있다.

Claims (13)

1. 퍼니스형 반도체 설비에 있어서:

   공정 튜브;

   상기 공정 튜브 내에 위치되는 웨이퍼 보우트;

   상기 웨이퍼 보우트에 적재된 웨이퍼들로 공정 가스를 분사하는 노즐부재를 포함하되;

   상기 노즐부재는 코일 형상으로 상기 공정 튜브의 내측면을 따라 배치되는 분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
2. 제1항에 있어서,

   상기 노즐부재의 분사부는

   상기 공정 튜브의 내측면에 고정되는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
3. 제1항에 있어서,

   상기 공정튜브는

   내측면에 상기 노즐 부재의 분사부를 고정하는 고정부재들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
4. 제1항에 있어서,

   상기 분사부는 상기 웨이퍼 보우트에 놓여진 웨이퍼들 사이로 공정 가스를 분사하는 분사홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
5. 제1항에 있어서,

   상기 노즐 부재는

   상기 공정 튜브에 형성된 노즐 포트에 설치되는 그리고 외부의 공급라인으로부터 공정가스를 제공받아 상기 분사부로 제공하는 도입부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
6. 제5항에 있어서,

   상기 분사부는 상기 웨이퍼 보우트에 놓여진 웨이퍼들 사이 사이로 공정 가스를 분사하는 분사홀들을 포함하되;

   상기 분사홀들은 상기 도입부로부터 멀어질수록 면적이 커지는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
7. 제1항에 있어서,

   상기 공정 튜브는 공정시 내부로 공급되는 공정 가스의 배기 및 공정시 내부를 감압시킬 수 있도록 배기라인과 연결되는 배기 포트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
8. 제1항에 있어서,

   상기 노즐부재는

   상기 공정 튜브에 일체형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
9. 퍼니스형 반도체 설비에 있어서:

   공정 튜브;

   상기 공정 튜브의 외측에서 상기 공정 튜브의 내부를 가열하기 위한 히터 블록;

   상기 공정 튜브 내에 위치되는 웨이퍼 보우트;

   상기 웨이퍼 보우트에 적재된 웨이퍼들로 공정 가스를 분사하는 노즐부재를 포함하되;

   상기 노즐부재는

   나선 형태로 상기 공정 튜브의 내측면을 따라 고정 설치되는 분사부; 및

   상기 공정 튜브에 형성된 노즐 포트에 설치되는 그리고 외부의 공급라인으로부터 공정가스를 제공받아 상기 분사부로 제공하는 도입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
10. 제9항에 있어서,

    상기 분사부는 상기 웨이퍼 보우트에 놓여진 웨이퍼들 사이로 공정 가스를 분사하는 분사홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
11. 퍼니스형 반도체 설비에 있어서:

    공정 튜브;

    상기 공정 튜브 내에 위치되는 웨이퍼 보우트를 포함하되;

    상기 공정 튜브는

    상기 웨이퍼 보우트에 적재된 웨이퍼들로 공정 가스를 분사하기 위해 내측면을 따라 나선 형태로 제공되는 분사부를 갖는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
12. 퍼니스형 반도체 설비에 있어서:

    공정 튜브; 및

    상기 공정 튜브 내에 위치되는 웨이퍼 보우트를 포함하되;

    상기 공정 튜브는

    측면에 나선 형태로 형성되는 통로와;

    상기 통로에 공정가스를 공급하는 공급포트;

    상기 통로로 제공되는 공정가스를 상기 웨이퍼 보우트에 적재된 웨이퍼들로 분사하기 위해 상기 통로와 연통되는 분사홀들을 갖는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
13. 제12항에 있어서,

    상기 웨이퍼 보우트는 상기 공정 튜브와의 밀봉을 위한 시일캡을 갖는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.

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