KR19980043942A

KR19980043942A - 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치

Info

Publication number: KR19980043942A
Application number: KR1019960061923A
Authority: KR
Inventors: 김동천; 조윌렴
Original assignee: 구자홍; 엘지전자 주식회사
Priority date: 1996-12-05
Filing date: 1996-12-05
Publication date: 1998-09-05

Abstract

본 발명은 반도체소자 제조를 위한 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 공정시 반응챔버 내로 유기금속 소스를 분사하는 분사노즐의 온도를 제어하여 웨이퍼 상에 유기금속 소스가 균일하게 증착되도록 하므로써 공정의 안정성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.

이를 위해, 본 발명은 반응챔버(1)내에 장착되는 유기금속 소스 확산용 분사노즐(2)에, 상기 분사노즐(2)의 분사공(3)을 통해 분사되는 유기금속 소스의 온도를 일정한 온도로 제어하기 위한 온도 제어 수단이 적어도 하나 이상 내장되는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치이다.

Description

반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치

본 발명은 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체소자 제조를 위한 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)(이하, MOCVD라고 한다.) 공정시 기화되어 반응챔버 내로 유기금속 소스를 분사하는 분사노즐의 온도를 손쉽게 제어하여 유기금속 소스의 균일 증착이 가능하도록 하므로써 공정의 안정성이 향상되도록 한 것이다.

일반적으로, 화학 기상 증착(CVD:Chemical Vapor Deposition:이하, CVD라고 한다)이란 반도체소자 제조 공정시, 반응챔버 내의 압력 및 온도를 일정한 조건으로 유지시킨 상태에서 특정의 반응가스를 반응챔버 내로 계속 투입하므로써 고체상의 물질을 웨이퍼 표면에 증착시키는 것을 말한다.

한편, 반도체소자 제조를 위한 MOCVD 공정에서는 증착시키고자 하는 화학 원로(Chemical Materials)인 유기금속 소스(Organometallic Source)를 기화장치를 이용하여 기화시켜 반응챔버 안으로 지속적으로 주입하는 과정이 필수적으로 요구된다.

또한, 반응챔버 내부로 주입된 유기금속 소스는 웨이퍼 상면에 균일하게 증착되도록 반응챔버 내부 공간에서 넓게 퍼져야 한다.

즉, 반응챔버 내로 주입된 유기금속 소스는 확산되어 같은 속도(또는 운동에너지)로 같은 양이 히터 블록 상면에 로딩된 웨이퍼 표면의 전면적에 걸쳐 증착되어야만 균일한 두께의 막을 얻을 수 있게 된다.

이는 현재의 반도체 공정이 적어도 직경이 8인치 웨이퍼의 경우, 증착막의 두께와 조성 및 물리적 특성상의 균일성(Uniformity)을 요구하기 때문에 매우 중요한 기술적 요구라고 할 수 있다.

따라서, 종래의 MOCVD 공정용 반응챔버(1)에는 대부분 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 챔버(1) 상부에 기화된 유기금속 소스가 분산되어 웨이퍼(15) 상부면에 균일하게 증착되도록 유기금속 소스를 확산시키기 위한 샤워 헤드 타입(Shower Head Type)의 분사노즐(2a)이 설치된다.

이에 따라, MOCVD 공정시 공급라인을 통과하여 반응챔버(1)내에 들어간 기화된 유기금속 소스는 분사노즐(2a)의 분사공(3)을 통해 분사된 후, 챔버(1)내에서 확산되어 히터 블록(14) 상면의 웨이퍼(15)에 도달하게 된다.

그러나, 이와 같은 종래의 MOCVD 공정용 반응챔버(1)는 분사노즐(2a)에 대한 열적 관리가 전혀 이루어지지 않기 때문에 챔버(1) 내부의 열원인 히터 블록(14)에서 나오는 열에 의해 간접적으로만 분사노즐(2a)을 가열하여 분사공(3)을 통해 분사되는 유기금속 소스의 온도를 제어할 수 있게 된다.

이에 따라, 히터 블록(14)의 열조절이 제대로 이루어지지 못하여 챔버(1) 내에 설치된 분사노즐(2a)의 온도가 너무 높게 혹은 너무 낮게 설정되므로써 분사노즐(2a)을 통과하는 유기금속 소스의 열 분해(Thermal Decomposition)나 재응축(recondensation)을 야기하게 되는 문제점이 있었다.

한편, 이와 같은 현상은 유기금속 소스의 열적 안정성을 해치는 것으로 증착되는 막의 성질에 큰 영향을 미치게 된다.

즉, 온도가 너무 높아 유기금속 소스의 열 분해가 일어날 경우에는 유기금속 소스 고상 및 기상으로 분리되어 분사공(3) 내주면에 부착되므로써 노즐 막힘(clogging)현상을 유발하게 되며, 온도가 너무 낮아 재응축이 일어날 경우에는 유기금속 소스가 액상으로 되어 증착이 이루지지 않게 되므로써 공정 수율의 저하를 초래하게 되는 등 많은 문제점이 있었다.

본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체소자 제조를 위한 MOCVD 공정시 기화된 유기금속 소스를 반응챔버 내부로 분사하는 분사노즐의 온도를 손쉽게 제어하여 유기금속 소스의 균일 증착이 가능하게 하므로써 공정의 안정성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 반응챔버 내에 장착되는 유기금속 소스 확산용 분사노즐에, 상기 분사노즐의 분사공을 통해 분사되는 유기금속 소스의 온도를 일정한 온도로 제어하기 위한 온도 제어 수단이 적어도 하나 이상 내장되는 분사노즐 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치이다.

도 1은 종래의 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 반응챔버를 나타낸 종단면도

도 2는 도 1의 분사노즐을 A-A선을 따라 절개하여 나타낸 횡단면도

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 엠.오.씨.브이.디 공정용 반응챔버를 나타낸 종단면도

도 4는 도 3의 분사노즐을 B-B선을 따라 절개하여 나타낸 횡단면도

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 엠.오.씨.브이.디 공정용 반응챔버를 나타낸 종단면도

도 6은 도 5의 분사노즐을 C-C선을 따라 절개하여 나타낸 횡단면도

도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 엠.오.씨.브이.디 공정용 반응챔버를 나타낸 종단면도

도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 분사노즐을 나타낸 횡단면도

도 9는 본 발명의 냉매라인에 퍼지가스 주입라인이 연결된 상태를 나타낸 회로도

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

1:반응챔버2:분사노즐

3:분사공4:냉매관

5:유량제어밸브6:열전쌍

7:컨트롤러8:히팅라인

9:전원공급기10:열선

11:전기절연부재12:피복재

13:퍼지가스 주입라인

이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면 도 3 내지 도 9를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 엠.오.씨.브이.디 공정용 반응챔버를 나타낸 종단면도이고, 도 4는 도 3의 분사노즐의 B-B선을 따라 절개하여 나타낸 횡단면도로서, 본 발명은 반응챔버(1) 내에 장착되는 유기금속 소스 확산용 분사노즐(2)에, 상기 분사노즐(2)의 분사공(3)을 통해 분사되는 유기금속 소스의 온도를 일정한 온도로 제어하기 위한 온도 제어 수단이 적어도 하나 이상 내장되도록 구성된다.

이때, 상기 온도 제어 수단은 분사노즐(2)의 분사공(3) 사이를 일정한 경로를 따라 지나도록 분사노즐(2)에 내장되는 냉매관(4)과, 상기 냉매관(4)의 관로상에 설치되어 냉매관(4)을 따라 흐르는 냉매의 유량을 단속하는 유량제어밸브(5)와, 상기 분사노즐(2)에 장착되어 분사노즐(2)의 온도를 검출하는 열전쌍(Thermocouple)(6)과, 상기 열전쌍(6) 및 유량제어밸브(5)에 연결되어 상기 열전쌍(6)으로부터 검출된 온도값에 따라 분사노즐(2)의 온도가 보정되도록 상기 유량제어밸브(5)의 개폐량을 제어하는 컨트롤러(7)로 구성된다.

또한, 상기 냉매관(4)의 관로상에는 유량제어밸브(5)인 솔레노이드 밸브(Solenoid Valve)가 설치된다.

이와 같이 구성된 본 발명의 제1 실시예에 따른 작용은 다음과 같다.

반도체소자 제조를 위한 MOCVD 공정시 기화되어 반응챔버(1)내로 공급되는 유기금속 소스는 소정의 온도로 가열되어 주입되는데, 분사노즐(2)의 온도가 설정값 이상의 고온인 경우, 냉매관(4)으로 흐르는 냉매량을 제어하여 분사노즐(2)의 온도를 낮추게 된다.

즉, 분사노즐(2)에 장착된 열전쌍(6)에 의해 검출된 분사노즐(2)의 온도가 설정값 보다 높은 경우에는 컨트롤러(7)의 제어에 따라 냉매관(4)의 관로상에 설치된 유량제어밸브(5)인 솔레노이드 밸브가 개방된다.

이에 따라, 분사노즐(2)에 내장된 냉매관(4)으로 냉매가 흐르면 냉매관(4)을 따라 흐르는 냉매와 분사노즐(2)간의 열교환 작용에 의해 분사노즐(2)의 온도가 하강하게 되며, 분사노즐(2)의 온도가 설정된 온도값으로 낮아지면 컨트롤러(7)의 제어에 따라 냉매관(4)의 관로상에 설치된 유량제어밸브(5)인 솔레노이드 밸브가 닫히게 된다.

이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에서는 분사노즐(2)의 온도가 일정 온도 이상 상승하지 않도록 하므로써 분사노즐(2)의 분사공(3)을 통해 분사되는 유기금속 소스의 온도를 안정시킬 수 있게 된다.

한편, 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 엠.오.씨.브이.디 공정용 반응챔버를 나타낸 종단면도이고, 도 6은 도 5의 분사노즐을 C-C선을 따라 절개하여 나타낸 횡단면도로서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 온도 제어 수단은 분사노즐(2)의 분사공(3) 사이를 일정한 경로를 따라 지나도록 분사노즐(2)에 내장되는 히팅라인(8)과, 상기 히팅 라인에 전원을 공급하는 전원공급기(9)와, 상기 분사노즐(2)에 장착되어 분사노즐(2)의 온도를 검출하는 열전쌍(6)과, 상기 열전쌍(6) 및 히팅라인(8)에 연결되어 상기 열전쌍(6)으로부터 검출된 온도값에 따라 분사노즐(2)의 온도가 보정되도록 전원공급기(9)의 작용을 제어하는 컨트롤러(7)로 구성된다.

이때, 상기 히팅라인(8)의 중심에는 히팅라인(8)의 축을 이루며 전원이 인가됨에 따라 발열하는 열선(10)이 내장되고, 상기 열선(10)의 외주면에는 전기절연부재(11)가 열선(10)을 감싸도록 입혀지며, 상기 전기절연부재(11) 외주면에는 다시 전기절연부재(11)를 감싸는 피복재(12)가 입혀진다.

또한, 상기 전기절연부재(11)는 세라믹 또는 산화 알루미늄 재질로 구성된다.

그리고, 상기 피복재(12)는 구리 또는 스테인레스 스틸 재질로 구성된다.

이와 같이 구성된 본 발명의 제2 실시예에 따른 작용은 다음과 같다.

반도체소자 제조를 위한 MOCVD 공정시 기화되어 반응챔버(1)내로 공급되는 유기금속 소스는 소정의 온도로 가열되어 주입되는데, 분사노즐(2)의 온도가 설정값 보다 저온인 경우, 히팅라인(8)에 전원을 인가하여 분사노즐(2)의 온도를 높이게 된다.

즉, 분사노즐(2)에 장착된 열전쌍(6)에 의해 검출된 분사노즐(2)의 온도가 설정값 보다 낮은 경우에는 컨트롤러(7)의 제어에 따라 전원공급기(9)가 온(on)되어 히팅라인(8)의 열선(10)에 소정의 전압을 인가하게 된다.

이에 따라, 분사노즐(2)에 내장된 히팅라인(8)이 가열되면 히팅라인(8)과 분사노즐(2)간의 열교환 작용에 의해 분사노즐(2)의 온도가 상승하게 되며, 분사노즐(2)의 온도가 설정된 온도값으로 상승하면 컨트롤러(7)의 제어 작용에 의해 전원공급기(9)가 오프(off)되어 열선(10)에 인가된 전원이 차단되므로써 열선(10)의 발열작용이 중단된다.

이와 같이, 본 발명의 제2 실시예에서는 분사노즐(2)의 온도가 일정 온도 이하로 낮아지지 않도록 하므로써 분사노즐(2)의 분사공(3)을 통해 분사되는 유기금속 소스의 온도를 안정시킬 수 있게 된다.

또한, 도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 엠.오.씨.브이.디 공정용 반응챔버를 나타낸 종단면도로서, 상기 온도 제어 수단이 분사노즐(2)의 분사공(3) 사이를 일정한 경로를 따라 지나도록 분사노즐(2) 일측에 내장되는 냉매관(4)과, 상기 냉매관(4)의 관로상에 설치되어 냉매관(4)을 따라 흐르는 냉매의 유량을 단속하는 유량제어밸브(5)와, 상기 분사노즐(2)의 분사공(3) 사이를 일정한 경로를 따라 지나도록 분사노즐(2)의 냉매관(4) 타측에 내장되는 히팅라인(8)과, 상기 히팅라인(8)에 전원을 공급하는 전원공급기(9)와, 상기 분사노즐(2)에 장착되어 분사노즐(2)의 온도를 검출하는 열전쌍(6)과, 상기 열전쌍(6)과 유량제어밸브(5) 및 전원공급기(9)에 연결되어 상기 열전쌍(6)으로부터 검출된 온도값에 따라 분사노즐(2)의 온도가 보정되도록 상기 유량제어밸브(5)의 개폐량을 제어하는 한편, 히팅라인(8)에 전원을 공급하는 전원공급기(9)를 제어하는 컨트롤러(7)로 구성된다.

이와 같이 구성된 본 발명의 제3 실시예에 따른 작용은 다음과 같다.

반도체소자 제조를 위한 MOCVD 공정시 기화되어 반응챔버(1) 내로 공급되는 유기금속 소스는 소정의 온도로 가열되어 주입되는데, 분사노즐(2)의 온도가 설정값 이상의 고온인 경우 또는 설정값 이하로 하강하는 경우, 냉매관(4)으로 흐르는 냉매량 또는 히팅라인(8)에 인가되는 전원을 제어하여 분사노즐(2)의 온도를 낮추게 된다.

즉, 분사노즐(2)의 온도가 설정값 이하로 하강하는 경우에는 분사노즐(2)에 장착된 열전쌍(6)에 의해 검출된 분사노즐(2)의 온도가 설정값 보다 높은 경우에는 컨트롤러(7)의 제어에 따라 냉매관(4)의 관로상에 설치된 유량제어밸브(5)인 솔레노이드 밸브가 개방되어 분사노즐(2)에 내장된 냉매관(4)으로 냉매가 흘러 냉매와 분사노즐(2)간의 열교환 작용에 의해 분사노즐(2)의 온도가 하강하게 된다.

또한, 분사노즐(2)에 장착된 열전쌍(6)에 의해 검출된 분사노즐(2)의 온도가 설정값 보다 낮은 경우에는 컨트롤러(7)의 제어에 따라 전원공급기(9)가 온(on)되어 히팅라인(8)의 열선(10)에 소정의 전압을 인가하면 분사노즐(2)에 내장된 히팅라인(8)이 가열되어 히팅라인(8)과 분사노즐(2)간의 열교환 작용에 의해 분사노즐(2)의 온도가 상승하게 된다.

한편, 상기한 바와 같이 온도 제어 작용시, 냉매관(4)을 따라 흐르는 냉매의 온도 상승 방지작용에 의해 분사노즐(2)의 온도가 설정된 온도값으로 낮아지면 컨트롤러(7)의 제어에 따라 냉매관(4)의 관로상에 설치된 유량제어밸브(5)인 솔레노이드 밸브가 닫히게 되며, 히팅라인(8)의 열선(10)이 발열하므로써 온도가 설정된 온도값으로 상승하면 컨트롤러(7)의 제어 작용에 의해 전원공급기(9)가 오프(off)되어 열선(10)에 인가된 전원이 차단되므로써 열전(10)의 발열작용이 중단된다.

이와 같이, 본 발명의 제3 실시예에서는 분사노즐(2)의 온도가 일정 온도 이상 상승하지 않도록 함과 동시에 분사노즐(2)의 온도가 일정 온도 이하로 낮아지지 않도록 하므로써 분사노즐(2)의 분사공(3)을 통해 분사되는 유기금속 소스의 온도를 안정시킬 수 있게 된다.

한편, 도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 분사노즐(2)을 나타낸 횡단면도로서, 분사노즐(2)에 내장되는 냉매관(4)이 분사노즐(2)의 분할된 영역의 온도를 전체적으로 또는 개별적으로 제어할 수 있도록 분할된 영역에 각각 별도로 내장된다.

이와 같이 분할된 영역에 각각 개별적으로 냉매관(4)이 내장됨에 따라, 분사노즐(2)의 각 영역에 동일한 온도의 냉매가 흐를 경우, 냉매가 분사노즐(2) 내로 유입되는 시점과 분사노즐(2)로부터 빠져나오는 시점의 냉매 온도차를 없애 분사노즐(2)을 전체적으로 균일하게 냉각시킬 수 있게 되는 장점이 있다.

특히, 각각 분할된 영역에 개별적으로 열전쌍(6)을 설치하여 각 분할된 영역의 온도를 검출한 후, 각 분할된 영역의 온도차에 따라 분할된 영역의 냉매관(4)에 각각 다른 온도의 냉매를 주입하므로써 분할된 각 영역간의 온도차를 보정할 경우에는 분사노즐(2)의 온도를 보다 정밀하게 제어할 수 있는 장점이 있다.

한편, 도 9는 본 발명의 냉매라인에 퍼지가스 주입라인이 연결된 상태를 나타낸 회로도로서, 분사노즐(2)에 내장된 냉매관(4)의 관로 일측에는 냉매관(4)의 세정시 냉매관(4) 내로 공기를 주입하여 냉매관(4) 내에 잔류하는 냉매를 제거하기 위한 퍼지가스 주입라인(13)이 연결된다.

이때, 퍼지가스는 질소 가스 또는 아르곤 가스가 사용된다.

이와 같이 냉매관(4)에 퍼지가스 주입라인(13)이 연결됨에 따라 공정이 완료된 후 냉매관(4)에 잔류하는 냉매를 퍼지가스를 이용하여 배출시키므로써 고온인 분사노즐(2)의 온도에 의해 냉매관(4) 내에 잔류하는 냉매가 팽창하여 냉매관(4)이 파열되는 현상을 방지할 수 있게 될 뿐만 아니라, 반응챔버(1)의 보수 및 점검 등에 따른 가동중지시 냉매관(4)에 잔류하는 냉매를 제거하므로써 냉매관(4)의 부식 등을 방지하여 분사노즐(2)의 사용수명을 연장시킬 수 있게 된다.

이상에서와 같이, 본 발명은 반도체소자 제조를 위한 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 공정시 기화되어 반응챔버(1) 내로 공급되는 유기금속 소스의 온도를 분사노즐(2)의 온도 제어를 통해 손쉽게 제어할 수 있게 된다.

즉, 분사노즐(2)의 온도가 항상 설정값의 범위 내에 들도록 함에 따라 유기금속 소스의 균일 증착이 가능하게 되므로써 공정의 안정성을 향상시키게 될 뿐만 아니라 공정의 수율을 높일 수 있게 된다.

Claims

반응챔버 내에 장착되는 유기금속 소스 확산용 분사노즐에, 상기 분사노즐의 분사공을 통해 분사되는 유기금속 소스의 온도를 일정한 온도로 제어하기 위한 온도 제어 수단이 적어도 하나 이상 내장된 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제1항에 있어서,

상기 온도 제어 수단이

분사노즐의 분사공 사이를 일정한 경로를 따라 지나도록 분사노즐에 내장되는 냉매관과,

상기 냉매관의 관로상에 설치되어 냉매관을 따라 흐르는 냉매의 유량을 단속하는 유량제어밸브와,

상기 분사노즐에 장착되어 분사노즐의 온도를 검출하는 열전쌍과,

상기 열전쌍 및 유량제어밸브에 연결되어 상기 열전쌍으로부터 검출된 온도값에 따라 분사노즐의 온도가 보정되도록 상기 유량제어밸브의 개폐량을 제어하는 컨트롤러로 구성됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제1항에 있어서,

상기 온도 제어 수단이

분사노즐의 분사공 사이를 일정한 경로를 따라 지나도록 분사노즐에 내장되며 전원이 인가됨에 따라 발열하는 히팅라인과,

상기 히팅 라인에 전원을 공급하는 전원공급기와,

상기 분사노즐에 장착되어 분사노즐의 온도를 검출하는 열전쌍과,

상기 열전쌍 및 히팅라인에 연결되어 상기 열전쌍으로부터 검출된 온도값에 따라 분사노즐의 온도가 보정되도록 전원공급기를 제어하는 컨트롤러로 구성됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제1항에 있어서,

상기 온도 제어 수단이

분사노즐의 분사공 사이를 일정한 경로를 따라 지나도록 분사노즐 일측에 내장되는 냉매관과,

상기 냉매관의 관로상에 설치되어 냉매관을 따라 흐르는 냉매의 유량을 단속하는 유량제어밸브와,

상기 분사노즐의 분사공 사이를 일정한 경로를 따라 지나도록 분사노즐의 냉매관 타측에 내장되는 히팅라인과,

상기 히팅라인에 전원을 공급하는 전원공급기와,

상기 분사노즐에 장착되는 분사노즐의 온도를 검출하는 열전쌍과,

상기 열전쌍과 유량제어밸브 및 전원공급기에 연결되어 상기 열전쌍으로부터 검출된 온도값에 따라 분사노즐의 온도가 보정되도록 상기 유량제어밸브의 개폐량을 제어하는 한편, 히팅라인에 전원을 공급하는 전원공급기를 제어하는 컨트롤러로 구성됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제2항에 있어서,

상기 냉매관의 관로상에 설치되는 유량제어밸브가 솔레노이드 밸브임을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제3항에 있어서,

상기 분사노즐에 내장되는 히팅라인이 축을 이루도록 내장되며 전원이 인가됨에 따라 발열하는 열선과,

상기 열선의 외주면을 감싸는 전기절연부재와,

상기 전기절연부재 외부면을 감싸는 피복재로 구성됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제6항에 있어서,

상기 전기절연부재의 재질이 세라믹임을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제6항에 있어서,

상기 전기절연부재의 재질이 산화 알루미늄임을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제6항에 있어서,

상기 피복재의 재질이 구리 또는 스테인레스 스틸임을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제2항 또는 제4항에 있어서,

상기 냉매관으로 흐르는 냉매가 냉각수 또는 질소 가스임을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제2항 또는 제4항에 있어서,

상기 분사노즐에 내장되는 냉매관이 복수개로 분할된 분사노즐의 각 영역의 온도를 개별적으로 제어할 수 있도록 상기 분사노즐의 분할된 영역에 각각 별도로 내장됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제2항 또는 제4항에 있어서,

상기 냉매관의 관로 일측에, 냉매관의 세정시 냉매관 내로 공기를 주입하여 냉매관 내에 잔류하는 냉각수를 제거하기 위한 퍼지가스 주입라인이 연결됨을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.
제2항 또는 제4항에 있어서,

상기 냉매관 일측에 연결된 퍼지가스 주입라인으로 주입되는 퍼지용 가스가 질소 가스임을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 엠.오.씨.브이.디 공정용 분사노즐의 온도 제어 장치.