KR101155432B1

KR101155432B1 - 퍼니스형 반도체 설비

Info

Publication number: KR101155432B1
Application number: KR1020090076083A
Authority: KR
Inventors: 박용성; 이성광; 김동렬
Original assignee: 국제엘렉트릭코리아 주식회사
Priority date: 2009-08-18
Filing date: 2009-08-18
Publication date: 2012-06-18
Also published as: KR20110018566A

Abstract

본 발명은 퍼니스형 반도체 설비에 관한 것으로, 본 발명의 퍼니스형 반도체 설비는 반응관; 복수의 기판들이 놓여지는 적재되며 상기 반응관 내부에 위치되는 보우트; 상기 보우트에 적재된 복수의 기판들로 공정 가스를 분사하는 노즐; 상기 반응관의 바깥둘레에 배치되어 상기 반응관을 가열하는 히터 어셈블리; 및 상기 보우트를 회전시키기 위한 구동부재를 포함하되; 상기 보우트는 기판이 상부에 안착되는 그리고 고주파전원으로부터 전류를 인가받는 내부 전극이 구비된 지지플레이트들을 포함하고, 상기 반응관은 외주면에 고주파전원으로부터 전류를 인가받는 외부전극이 설치된다.

Description

퍼니스형 반도체 설비{SEMICONDUCTOR APPARATUS OF FURNACE TYPE APPARATUS }

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 퍼니스형 반도체 설비에 관한 것이다.

최근 반도체 장치의 제조 기술은 소비자의 다양한 욕구를 충족시키기 위해 집적도, 신뢰도, 응답속도 등을 향상시키는 방향으로 발전하고 있다. 일반적으로, 반도체 장치는 실리콘 웨이퍼 상에 증착 공정, 확산 공정, 사진 및 식각 공정 등을 수행하여 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.

도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 장치의 증착 공정에 사용되는 퍼니스형 반도체 설비는 히터 블록이 구비되고 히터 블록 내부에 석영으로 이루어지는 반응관으로 구성된다. 또한, 반응관 내에는 웨이퍼들을 적재하기 위한 보트가 구비되며, 상기 보트에 적재된 다수매의 웨이퍼는 한꺼번에 공정 공간, 즉 반응관에 투입되어 증착이 수행된다. 한편, 공정가스 공급라인에는 반응관 내로 공급되는 공정가스를 플라즈마 상태로 만들기 위한 에너지가 인가되는 리모트 플라즈마 발생부가 설치되어 있다. 에너지는 알에프(RF) 전원이다.

도 2는 플라즈마 발생부에 의해 여기된 공정가스를 설명하기 위한 도면이다.

도 2에서와 같이, 공정가스 공급라인을 통해 공급되는 공정가스는 리모트 플라즈마 발생부에 의해 여기된다. 공정 가스가 여기되면서 레디컬과 이온이 발생한다. 증착에 기여하는 레디컬들은 수명이 짧아서 얼마 지나지 않아 다시 재결합된다.

상기한 종래의 퍼니스형 반도체 설비는 플라즈마 발생부가 반응관 외부에 위치하는 공정가스 공급라인상에 설치되어 있어, 플라즈마 발생부에 의해 플라즈마로 여기된 공정가스가 노즐을 통해 반응관 내로 공급되어 웨이퍼까지 도달하는데 걸리는 시간이 길어지기 때문에 여기된 공정가스는 웨이퍼에 도달되기 전에 재결합을 하는 문제점이 발생한다. 이로 인해 증착 시간이 길어지며 박막 균일성이 나빠지게 된다.

본 발명의 목적은 반응관 내부에서 플라즈마를 발생시킴으로써 우수한 화학적 물리적 특성을 가지는 양질의 박막을 얻을 수 있는 퍼니스형 반도체 설비를 제공하는데 있다.

본 발명의 목적은 기판들의 상부 영역에 걸쳐 플라즈마 밀도 분포의 균일성을 최적화할 수 있는 퍼니스형 반도체 설비를 제공하는데 있다.

본 발명의 목적은 공정 시간을 단축할 수 있는 퍼니스형 반도체 설비를 제공하는데 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 플라즈마를 이용하는 퍼니스형 반도체 설비는 반응관; 복수의 기판들이 적재되며 상기 반응관 내부에 위치되는 보우트; 상기 보우트에 적재된 복수의 기판들로 공정 가스를 분사하는 노즐; 상기 반응관의 바깥둘레에 배치되어 상기 반응관을 가열하는 히터 어셈블리; 상기 보우트에 설치되는 내부 전극; 및 상기 내부전극에 고주파전류를 인가하여 플라즈마가 발생되도록 상기 내부전극에 전기적으로 접속되는 고주파전원을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 보우트는 다수의 지지대; 상기 지지대에 일정 간격으로 설치되는 플레이트 형상의 스테이지들을 포함하고, 상기 내부 전극은 상기 스테이지 내에 설치된다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 보우트를 회전시키기 위한 회전부재를 더 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회전부재에 의해 회전되는 상기 보우트는 슬립링을 통해 상기 고주파전원으로부터 고주파전류를 인가받는다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 보우트는 상기 스테이지들로부터 기판을 로딩/언로딩하기 위한 리프트핀 모듈을 더 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 리프트핀 모듈은 상기 스테이지에 설치되는 리프트 핑거들; 상기 리프트 핑거들을 승강시키는 리프트 핑거 구동부재를 포함 한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 리프트 핑거 구동부재는 상기 리프트 핑거들과 연결되고 상기 보우트에 수직한 방향으로 설치되는 승강지지대; 상기 승강지지대를 업다운 시키기 위한 구동부를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 스테이지는 기판을 주고 받기 위해 외부의 반송로봇 암이 진입할 수 있는 반송로봇 암 형상의 개구부를 갖는다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 내부 전극은 상기 스테이지 내부에 설치되는 코일 전극 또는 플레이트 형상이다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 내부 전극은 상기 스테이지 내부에 설치되는 제1,2코일전극을 포함하고, 상기 제1,2코팅전극에는 이종의 플라즈마가 발생되도록 서로 다른 고주파 전류가 제공된다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 고주파전원과 전기적으로 연결되고 상기 반응관의 외측면에 설치되는 외부전극을 더 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 외부전극은 상기 반응관에 나선형으로 설치되는 적어도 하나 이상의 코일 전극을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 외부전극은 상기 반응관에 일정간격으로 수직하게 설치되는 막대 전극들을 포함한다.

상술한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 퍼니스형 반도체 설비는 반응관; 복수의 기판들이 놓여지는 적재되며 상기 반응관 내부에 위치되는 보우트; 상기 보우트에 적재된 복수의 기판들로 공정 가스를 분사하는 노즐; 상기 반응관의 바깥둘레 에 배치되어 상기 반응관을 가열하는 히터 어셈블리; 및 상기 보우트를 회전시키기 위한 구동부재를 포함하되; 상기 보우트는 기판이 상부에 안착되는 그리고 고주파전원으로부터 전류를 인가받는 내부 전극이 구비된 지지플레이트들을 포함하고, 상기 반응관은 외주면에 고주파전원으로부터 전류를 인가받는 외부전극이 설치된다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 외부전극은 상기 반응관에 나선형으로 설치되는 적어도 하나 이상의 코일 전극 또는 상기 반응관에 일정간격으로 수직하게 설치되는 막대 전극들을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상부 내부 전극은 도전성 재질로 제작한 기판 지지대를 설치할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 기판 지지대를 도전성 재질 및 부도체로 구성할 수 있다.

이와 같은 본 발명에 의하면, 박막의 균일도(Uniformity)와 등포도(conformality) 특성이 향상된다.

또한, 본 발명에 의하면 반응관 내부에서 플라즈마를 균일하게 발생시킴으로써 우수한 화학적 물리적 특성을 가지는 양질의 박막을 얻을 수 있다.

또한, 본 발명에 의하면 기판들의 상부 영역에 걸쳐 플라즈마 밀도 분포의 균일성을 최적화할 수 있다.

또한, 본 발명에 의하면 공정 시간을 단축할 수 있다.

이하, 본 발명에 의한 플라즈마가 적용된 퍼니스형 반도체 설비의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 8c를 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 퍼니스형 반도체 설비의 개략적인 구성을 보여주는 단면도이다. 도 2는 도 1에 표시된 A-A'선을 따라 절취한 평단면도이다. 도 3은 플라즈마가 스테이지에 놓여진 기판 상부에 고르게 형성되는 것을 보여주는 도면이다.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 퍼니스형 반도체 설비(1)는 반응관(100), 웨이퍼 보우트(200), 노즐 유닛(300), 히터 어셈블리(400), 플라즈마 발생부재(600)를 포함한다.

-반응관-

반응관(100)는 돔 형상의 원통관 형상으로 이루어진다. 반응관(100)는 웨이퍼(w)가 적재된 웨이퍼 보우트(200)가 로딩되어 웨이퍼들 상에 화학 기상 증착(플 라즈마를 이용한 박막 증착 공정 및 확산 공정 등)이 진행되는 내부 공간을 제공한다. 반응관(100)은 높은 온도에서 견딜 수 있는 재질, 예컨대 석영으로 제작될 수 있다. 반응관(100)은 하단부 일측에 반응관(100) 내부로 공정 가스를 주입하기 위한 노즐 유닛(300)의 분사노즐(310) 장착을 위한 노즐 포트(110)들과, 반응관(100) 내부를 감압시키기 위해 내부 공기를 강제 흡입하여 배기하기 위한 배기 포트(120)가 마련된다.

배기 포트(120)는 공정시 반응관(100) 내 공기를 외부로 배출시키기 위해 제공된다. 배기 포트(120)는 배기라인(미도시됨)과 연결되며, 배기 포트(120)를 통해 반응관(100)로 공급되는 공정 가스의 배기 및 내부 감압이 이루어진다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 반응관(100)이 배기 포트(120)와 노즐 포트(110)를 구비함으로써 별도의 플랜지 부재를 생략할 수 있다.

-웨이퍼 보우트-

웨이퍼 보우트(200)는 복수매의 웨이퍼들이 적재될 수 있다. 웨이퍼 보우트(200)는 다수의 지지대(210)에 일정 간격으로 설치되는 플레이트 형상의 스테이지(220)들을 포함한다. 기판(w)은 외부의 반송로봇(미도시됨)에 의해 반송되어 플레이트 형상의 스테이지(220)에 놓여진다. 스테이지(220)에는 고주파 플라즈마 발생용 전극인 플라즈마 발생부재(600)의 내부 전극(610)이 매설되어 있다.

본 실시예에서는 도면 편의상 28장의 웨이퍼들이 놓여지는 스테이지들을 구비한 웨이퍼 보우트가 도시되어 있다. 웨이퍼 보우트(200)는 시일캡(230) 상에 장착되며, 시일 캡(230)은 엘리베이터 장치인 구동부(240)에 의해 반응관(100) 안으 로 로딩되거나 또는 반응관(100) 밖으로 언로딩된다. 시일캡(230)에는 웨이퍼 보우트(200)를 회전시키기 위한 회전부재(290)가 설치된다. 회전부재(290)와 웨이퍼 보우트(200) 사이에는 슬립링(280)이 설치된다. 슬립링(280)은 회전하는 웨이퍼 보우트(스테이지에 매설된 내부전극)에 전원 또는 전기 신호를 공급하기 위하여 사용된다. 회전하는 웨이퍼 보우트(200)의 스테이지(220)에 매설된 내부전극(610)과 외부의 고주파전원(630)이 전선으로 연결되면 웨이퍼 보우트(200)의 회전에 의해 전선이 꼬이게 되므로 회전 동작이 불가능하다. 따라서, 웨이퍼 보우트(200)와 회전부재(290)의 연결부분에 슬립링(280)을 설치하여 전선의 꼬임 없이 회전이 자유로워지고, 회전하는 웨이퍼 보우트(200)의 스테이지(220)들에 설치된 내부 전극(610)으로 전원을 안정적으로 공급할 수 있다.

한편, 웨이퍼 보우트(200)가 반응관(100)에 로딩되면, 시일캡(230)은 반응관(100)의 플랜지(130)와 결합된다. 한편, 반응관(100)의 플랜지(130)와 시일 캡(230)이 접촉하는 부분에는 실링(sealing)을 위한 오-링(O-ring;202)과 같은 밀폐부재가 제공되어 공정가스가 반응관(100)와 시일 캡(230) 사이에서 새어나가지 않도록 한다.

스테이지(220)는 반송로봇의 암이 기판을 내려놓거나 가져갈 수 있도록 다양한 구조가 적용될 수 있다. 가장 손쉬운 구조는, 도 5에서와 같이 반송로봇의 암(910)이 기판을 스테이지(220)에 내려놓고 빠져나갈 수 있도록 스테이지(220)의 상면에 기판(w)을 받치는 핑거(222)들을 설치하는 것이다. 이러한 구조에 의하면, 반송로봇의 암(910)이 스테이지(220)의 상면과 핑거(222)들 사이의 공간(X1)으로 빠져나올 수 있게 된다.

또 다른 구조로는, 도 6에서와 같이 스테이지(220)가 반송로봇의 암(910) 형상으로 이루어지는 개구부(224)를 갖는 것이다. 이러한 구조에 의하면 반송로봇의 암(910)이 기판(w)을 스테이지(220)의 상면에 내려놓으면서 반송로봇의 암(910)이 개구부(224)를 통해 밑으로 빠지면서 빠져나올 수 있게 된다.

또 다른 구조로는 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이 리프트핀 모듈(260)을 갖는 것이다. 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 리프트핀 모듈(260)은 스테이지(220)들로부터 기판(w)을 로딩/언로딩하기 위한 것으로, 스테이지(220)에 설치되는 리프트 핑거(262)들과, 리프트 핑거(262)들을 승강시키는 리프트 핑거 구동부재(264)를 포함한다. 리프트 핑거 구동부재(264)는 리프트 핑거(262)들과 연결되고 웨이퍼 보우트(200)에 수직한 방향으로 설치되는 승강지지대(266)와 승강지지대(266)를 업다운 시키기 위한 구동부(268)를 포함한다. 승강지지대(266)는 웨이퍼 보우트(200)의 지지대(210)에 업다운 가능하게 설치되고, 구동부(268)는 시일 캡(230)의 저면에 설치되며, 구동부(268)의 연결축(269)은 필요에 따라 승강지지대(266)의 하단에 도킹(도 7b 참조)/언도킹(도 7a 참조)된다. 예를 들어, 승강지지대(266)가 밑으로 내려온 상태(리프트 핑거들이 다운 위치로 이동된 상태로 기판은 스테이지 상면에 놓여짐)에서는 승강지지대(266)와 구동부(268)의 연결축(269)이 서로 분리되어야지만 웨이퍼 보우트(200)의 회전이 가능해진다. 도 7b에서와 같이, 스테이지(220)에 놓여진 기판은 리프트 핑거(262)들에 의해 들어올려지게 된다.

-노즐 유닛-

노즐 유닛(300)은 박막 형성을 위한 공정가스를 복수의 기판들 표면으로 분사하는 분사노즐(310)을 포함한다. 분사노즐(310)은 보우트(200)의 길이방향으로 반응관(100) 내측면에 수직하게 설치되며, 기판들 사이로 가스를 분사하기 위한 분사구(302)들을 갖는다. 분사노즐(310)의 분사구(302)들은 보우트(100)에 놓여진 기판들 각각에 수평한 방향으로 공정가스를 분사할 수 있도록 위치된다. 분사노즐(310)의 분사구(312)들을 통해 분사되는 공정가스는 웨이퍼 보우트(200)의 스테이지(220)에 놓여진 기판들 전면에 고르게 유동되고, 반응관(100) 하부로 흘러내려 배기포트(120)를 통해 배기된다. 본 실시예에서는 분사노즐(310)이 하나만 구비되어 있는 것을 도시하였으나, 노즐 유닛(300)은 서로 다른 가스를 분사하기 위한 복수개의 분사노즐들을 포함할 수 있다.

-히터 어셈블리-

히터 어셈블리(400)는 반응관(100)의 바깥둘레에 배치된다. 히터 어셈블리(400)는 반응관(100)을 가열하는 히터(410)와, 히터(410)로부터 발생되는 열이 외부로 방출되는 것을 차단하도록 히터 외곽에 설치되는 단열부재(430)를 포함한다.

-플라즈마 발생유닛-

플라즈마 발생유닛(600)은 분사노즐(310)에서 분사되는 공정가스를 플라즈마 상태로 만들어 공정가스가 소정의 에너지를 갖고 기판에 균일하게 확산되도록 할 수 있다. 이를 위해, 플라즈마 발생유닛(600)은 웨이퍼 보우트(200)에 설치되는 내부 전극(610)들과 반응관(100) 외곽에 설치되는 외부 전극(620) 그리고 내부전극(610)들과 외부전극(620)에 고주파 전류를 인가하여 플라즈마가 발생되도록 내부전극(610)들과 외부전극(620)에 전기적으로 접속되는 고주파전원(630)을 포함한다.

본 발명에서와 같이, 플라즈마 발생유닛(600)은 기판과 가장 가깝고 기판과 마주보는 위치인 스테이지(220)들 각각에 내부전극(610)을 설치함으로써, 기판상으로 제공되는 공정가스가 기판 전면에서 고르게 여기되어 플라즈마화된다. 특히, 이 과정에서 웨이퍼 보우트(200)가 회전됨으로써, 기판에 막두께가 일정하게 유지되고 증착되는 막의 균일성을 향상시킬 수 있으며 박막 증착 시간도 단축시킬 수 있는 것이다. 또한, 본 발명의 플라즈마 발생유닛(600)은 반응관(100)을 감싸는 형태로 설치되는 외부전극(620)을 추가하여 반응관(100) 내부 공간으로 제공되는 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시키게 된다. 고주파 전원(630)은 플라즈마를 형성하는데 필요한 고주파를 발생시키는 것으로 통상적인 것이 사용된다.

이처럼, 플라즈마는 내부전극(610)과 외부전극(620) 사이, 즉 스테이지(220)의 상면과 반응관(100) 측벽 사이에서 집중적으로 발생되므로 스테이지(220)의 상면에 놓여진 기판(w) 상면으로 공급되는 공정가스는 내부전극(610)과 외부전극(620)에 의해 여기되어 기판 전면에 고르게 유동되고 따라서 우수한 막질을 얻을 수 있게 된다. 여기서. 플라즈마는 용량성 또는 유도성으로 구현할 수 있다.

도 8a 내지 도 8c는 내부전극의 다양한 예를 보여주는 도면이다.

도 8a에서와 같이, 내부전극(610)은 스테이지(220)에 코일 형태의 전극 형상이거나 또는 도 8b에서와 같이 플레이트 형태의 전극 형상으로 이루어질 수 있다. 도 8c에서와 같이, 내부전극(610)은 제1,2코일전극(612,614)을 포함하고, 제1,2코팅전극(612,614)에는 이종의 플라즈마가 발생되도록 서로 다른 고주파 전류가 제공되도록 구현할 수 있다.

도 4a 및 도 4b에서와 같이, 외부전극(620)은 반응관(100)의 외주면에 수직하게 설치되는 막대 형태의 전극 형상 또는 반응관(100) 외주면에 나선형으로 감겨지게 설치되는 코일 형태의 전극 형상으로 이루어질 수 있으며, 외부전극(620) 역시 이종의 플라즈마가 발생되도록 서로 다른 고주파 전류를 제공받는 복수의 전극을 포함할 수 있다.

이처럼, 본 발명은 반응관(100) 내부 전체에 플라즈마가 발생함으로써 분사노즐(310)의 설치 위치에 구애를 받지 않으며, 외부전극 및 내부전극을 복수로 설치하고, RF 주파수를 다르게 인가하게 되면 이종의 플라즈마를 발생시킬 수 있다.

예를 들어, 고주파 전원(630)은 복수개의 내부 전극 및 외부전극에 13.56MHz정도의 주파수(RF)를 갖고 약 50W 내지 800W 정도의 전력(RF 파워라함)을 인가하여 분사노즐에서 분사되는 공정가스를 플라즈마 상태로 만들 수 있다.

본 발명의 퍼니스형 반도체 설비는 다양한 웨이퍼 프로세싱 작동들을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 절연막을 증착시키도록 구성된 CVD(Chemical Vapor Deposition) 챔버일 수 있고, 인터커넥트 구조들을 형성하기 위해 절연막에 애퍼쳐(aperture)들이나 개구들을 에치하도록 구성된 에치 챔버일 수 있다. 또는 장벽(barrier) 막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있으며, 금속막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있다. 그리고 막질 개선을 위한 도핑 챔버 일 수 도 있다.

이상에서, 본 발명에 따른 퍼니스형 반도체 설비의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 퍼니스형 반도체 설비의 개략적인 구성을 보여주는 단면도이다.

도 2는 도 1에 표시된 A-A'선을 따라 절취한 평단면도이다.

도 3은 플라즈마가 스테이지에 놓여진 기판 상부에 고르게 형성되는 것을 보여주는 도면이다.

도 4a 및 도 4b는 반응관에 설치되는 외부전극의 다양한 예를 보여주는 도며면이다.

도 5는 기판을 받치는 핑거들을 갖는 스테이지를 보여주는 도면이다.

도 6은 반송로봇의 암 형상의 개구부를 갖는 스테이지를 보여주는 도면이다.

도 7a 및 도 7b는 리프트핀 모듈을 갖는 웨이퍼 보우트를 보여주는 도면이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

100 : 반응관

200 : 웨이퍼 보우트

300 : 노즐 유닛

400 : 히터 어셈블리

Claims

삭제
삭제
삭제
퍼니스형 반도체 설비에 있어서:

반응관;

복수의 기판들이 적재되며 상기 반응관 내부에 위치되는 보우트;

상기 보우트에 적재된 복수의 기판들로 공정 가스를 분사하는 노즐;

상기 반응관의 바깥둘레에 배치되어 상기 반응관을 가열하는 히터 어셈블리;

상기 보우트에 설치되는 내부 전극;

상기 내부전극에 고주파전류를 인가하여 플라즈마가 발생되도록 상기 내부전극에 전기적으로 접속되는 고주파전원; 및

상기 보우트를 회전시키기 위한 회전부재를 포함하되;

상기 회전부재에 의해 회전되는 상기 보우트는 슬립링을 통해 상기 고주파전원으로부터 고주파전류를 인가 받는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
퍼니스형 반도체 설비에 있어서:

반응관;

복수의 기판들이 적재되며 상기 반응관 내부에 위치되는 보우트;

상기 보우트에 적재된 복수의 기판들로 공정 가스를 분사하는 노즐;

상기 반응관의 바깥둘레에 배치되어 상기 반응관을 가열하는 히터 어셈블리;

상기 보우트에 설치되는 내부 전극; 및

상기 내부전극에 고주파전류를 인가하여 플라즈마가 발생되도록 상기 내부전극에 전기적으로 접속되는 고주파전원을 포함하되;

상기 보우트는

다수의 지지대;

상기 지지대에 일정 간격으로 설치되는 플레이트 형상의 스테이지들; 및

상기 스테이지들로부터 기판을 로딩/언로딩하기 위한 리프트핀 모듈을 포함하고,

상기 내부 전극은 상기 스테이지 내에 설치되는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
제5항에 있어서,

상기 리프트핀 모듈은

상기 스테이지에 설치되는 리프트 핑거들;

상기 리프트 핑거들을 승강시키는 리프트 핑거 구동부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
제6항에 있어서,

상기 리프트 핑거 구동부재는

상기 리프트 핑거들과 연결되고 상기 보우트에 수직한 방향으로 설치되는 승강지지대;

상기 승강지지대를 업다운 시키기 위한 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
퍼니스형 반도체 설비에 있어서:

반응관;

복수의 기판들이 적재되며 상기 반응관 내부에 위치되는 보우트;

상기 보우트에 적재된 복수의 기판들로 공정 가스를 분사하는 노즐;

상기 반응관의 바깥둘레에 배치되어 상기 반응관을 가열하는 히터 어셈블리;

상기 보우트에 설치되는 내부 전극; 및

상기 내부전극에 고주파전류를 인가하여 플라즈마가 발생되도록 상기 내부전극에 전기적으로 접속되는 고주파전원을 포함하되;

상기 보우트는

다수의 지지대;

상기 지지대에 일정 간격으로 설치되는 플레이트 형상의 스테이지들를 포함하고,

상기 내부 전극은 상기 스테이지 내에 설치되며,

상기 스테이지는 기판을 주고 받기 위해 외부의 반송로봇 암이 진입할 수 있는 반송로봇 암 형상의 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
제5항에 있어서,

상기 내부 전극은 상기 스테이지 내부에 설치되는 코일 전극 또는 플레이트 형상인 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
퍼니스형 반도체 설비에 있어서:

반응관;

복수의 기판들이 적재되며 상기 반응관 내부에 위치되는 보우트;

상기 보우트에 적재된 복수의 기판들로 공정 가스를 분사하는 노즐;

상기 반응관의 바깥둘레에 배치되어 상기 반응관을 가열하는 히터 어셈블리;

상기 보우트에 설치되는 내부 전극; 및

상기 내부전극에 고주파전류를 인가하여 플라즈마가 발생되도록 상기 내부전극에 전기적으로 접속되는 고주파전원을 포함하되;

상기 보우트는

다수의 지지대;

상기 지지대에 일정 간격으로 설치되는 플레이트 형상의 스테이지들를 포함하고,

상기 내부 전극은 상기 스테이지 내부에 설치되는 제1,2코일전극을 포함하며, 상기 제1,2코팅전극에는 이종의 플라즈마가 발생되도록 서로 다른 고주파 전류가 제공되는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
제4항, 제5항, 제8항, 제10항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 고주파전원과 전기적으로 연결되고 상기 반응관의 외측면에 설치되는 외부전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
제11항에 있어서,

상기 외부전극은 상기 반응관에 나선형으로 설치되는 적어도 하나 이상의 코일 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
제11항에 있어서,

상기 외부전극은 상기 반응관에 일정간격으로 수직하게 설치되는 막대 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스형 반도체 설비.
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