TW201349944A - 用以同步電漿處理系統中之射頻脈衝的方法及設備 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種供應至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置。該裝置包括提供第一RF信號之第一RF產生器。第一RF信號係提供至該電漿處理腔室以供應能量給其中之電漿，第一RF信號代表一脈衝RF信號。該裝置亦包括提供第二RF信號至電漿處理腔室之第二RF產生器。該第二RF產生器具有用於偵測與電漿處理腔室相關之反映第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之至少一參數的數值之感測器次系統、以及用於使第二RF信號產生脈衝以回應該偵測至少一參數的數值之脈衝控制次系統。

Description

用以同步電漿處理系統中之射頻脈衝的方法及設備 【優先權之主張】
本申請案根據35 USC.119(e)主張由John C.Valcore,Jr.於2012年2月22日申請、美國專利申請案第61/602041號、名稱為”METHODS AND APPARATUS FOR SYNCHRONIZING RF PULSES IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM”之共同所有臨時專利申請案的優先權，其於此全部併入作為參考。
本發明係有關用以同步電漿處理系統中之射頻脈衝的方法及設備。
電漿處理已長期被用來處理基板(例如晶圓、或平面面板、或其他基板)以製作電子裝置(例如積體電路或平板顯示器)。在電漿處理過程中，將基板放置在其採用一或更多電極以激發來源氣體(其可為蝕刻劑來源氣體或沈積物來源氣體)成為用於處理基板之電漿的電漿處理腔室中。可藉由例如RF產生器所供應之RF信號來激發電極。
在一些電漿處理系統中，可提供多數RF信號(其中一些可具有相同或不同RF頻率)至一或更多電極以產生電漿。在電容式耦合電漿處理系統中，例如可提供一或更多RF信號至上電極、下電極、或二者以產生期望之電漿。
在一些應用中，可使RF信號產生脈衝。對於任何已知RF信號，產生RF脈衝涉及將RF信號開啟及關閉(通常在相同RF信號週期內，但可跨越多數RF信號週期)。此外，產生RF脈衝可在信號之間同步。例如，若二信號RF1及RF2為同步，則對於信號RF2的每個主動脈衝有信號RF1的一主動脈衝。該二RF信號的脈衝可為同相位、或一RF脈衝的前緣可落後另一RF脈衝的前緣、或一RF脈衝的後緣可落後另一RF脈衝的 後緣、或RF脈衝可為不同相位。
在習知技術中，多數RF信號之產生脈衝同步化通常涉及促 進控制各個RF產生器之間通信的通信網路。為幫助討論，圖1係一般習知技術實施之典型脈衝式RF電漿處理系統102的高階圖式。脈衝式RF電漿處理系統102包括二RF產生器104及106。在圖1的範例中，RF產生器104代表2MHz產生器，而RF產生器106代表60MHz產生器。
主機電腦110實現工具控制、並接收來自阻抗匹配網路114 之反饋信號112而分別經由路徑118及120提供(經由數位或類比通信介面116)功率設定點資料至RF產生器104及RF產生器106。反饋信號112有關於來源及負載之間的阻抗不匹配，並用以控制RF產生器104及106之遞送功率或傳送功率位準以使功率傳遞最大化並且使反射功率最小化。
主機電腦110亦提供脈衝啟動信號160至脈衝同步器及控制 器130。為回應脈衝啟動信號160，脈衝同步器及控制器130提供同步之控制信號170及172至RF產生器104及RF產生器106(經由外部同步介面140及142)以指示RF產生器104及106產生其RF信號脈衝(分別利用功率控制器150及152以產生脈衝式RF信號162及164)。脈衝式RF信號162及164隨後經由阻抗匹配網路114被遞送至電漿腔室161中的負載。
雖然圖1之脈衝式RF同步系統可提供用於RF產生器之同 步產生脈衝功能，但有其缺點。例如，使圖1中的各個RF產生器之產生脈衝功能同步需要使用網路以便在主機電腦110、脈衝同步器/控制器130、及RF產生器104及106中的外部同步介面140及142之間通信。此外，使圖1中的各個RF產生器之產生脈衝功能同步需要在各個產生器中實施外部同步介面(如140及142)。實施這些外部同步介面增加另外一層RF產生器設計的複雜度，並且使現有的RF產生器無法用在RF同步產生脈衝。
鑑於前述內容，故有在電漿處理系統中實現同步之RF產生脈衝的改良技術及系統之需求。
本發明在一實施例中涉及用於提供至少二同步產生脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置。該裝置包括用於提供第一RF信號之第一RF產生器。第一RF信號係提供至電漿處理腔 室以供應能量給其中之電漿。第一RF信號代表一脈衝RF信號。該裝置亦包括用於提供第二RF信號至電漿處理腔室之第二RF產生器。第二RF產生器具有用於偵測與電漿處理腔室相關之反映第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之至少一參數的數值之感測器次系統、以及用於使第二RF信號產生脈衝以回應該偵測至少一參數的數值之脈衝控制次系統。
又，本發明在一實施例中涉及包括用於提供複數同步產生脈 衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置。該裝置包括用於提供第一RF信號之第一RF產生器。第一RF信號係提供至電漿處理腔室以供應能量給其中之電漿。第一RF信號代表脈衝RF信號。該裝置亦包括用於產生脈衝控制信號以控制藉由第一RF產生器來產生脈衝之控制電路。該裝置更包括用於提供第二RF信號至電漿處理腔室之第二RF產生器。第二RF產生器具有用於偵測與電漿處理腔室相關之反映第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之至少一參數的數值之第二RF產生器感測器次系統、以及用於使第二RF信號產生脈衝以回應該偵測至少一參數的數值之第二RF產生器脈衝控制次系統。該裝置還包括用於提供第三RF信號至電漿處理腔室之第三RF產生器，該第三RF產生器具有用於偵測與電漿處理腔室相關之反映第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之至少一參數的數值之第三RF產生器感測器次系統、以及用於使第三RF信號產生脈衝以回應該偵測至少一參數的數值之第三RF產生器脈衝控制次系統。第二RF產生器不產生脈衝來回應來自控制電路的信號，其中該第二RF產生器產生高到低之第二RF信號及低到高之第二RF信號其中至少一脈衝以回應該偵測與電漿處理腔室相關之反映第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之至少一參數的數值。第三RF產生器不產生脈衝來回應來自控制電路的信號，其中該第三RF產生器產生高到低之第三RF信號及低到高之第三RF信號其中至少一脈衝以回應該偵測與電漿處理腔室相關之反映第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之至少一參數的數值。
此外，本發明在一實施例中涉及用於提供複數同步產生脈衝 RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的方法。該方法包括利用第一RF產生器使第一RF信號產生脈衝，其中該第一RF信號係提供至電漿處理腔室以供應能量給其中之電漿。該方法亦包括偵測與電漿處理腔室相關之反 映第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之至少一參數的數值。該方法更包括利用第二RF產生器使第二RF信號產生脈衝以回應該偵測至少一參數的數值。
以上概要僅涉及於此揭露之本發明之許多實施例其中之一，並且不欲使其限制於此申請專利範圍中所述之本發明的範圍。以下將在本發明的詳細描述中並結合以下圖式而更加詳細地敘述本發明的這些及其他特徵。
102‧‧‧脈衝式RF電漿處理系統
104、106‧‧‧RF產生器
110‧‧‧主機電腦
112‧‧‧反饋信號
114‧‧‧阻抗匹配網路
116‧‧‧通信介面
118、120‧‧‧路徑
130‧‧‧脈衝同步控制器
140、142‧‧‧外部同步介面
150、152‧‧‧功率控制器
160‧‧‧脈衝啟動信號
161‧‧‧電漿腔室
162、164‧‧‧脈衝式RF信號
170、172‧‧‧同步之控制信號
202、204‧‧‧RF信號
210、212、214‧‧‧時間
300‧‧‧電路方塊圖
302‧‧‧RF產生器
304‧‧‧主機電腦
306‧‧‧通信介面
308‧‧‧功率控制器
314‧‧‧阻抗匹配網路
316‧‧‧電漿腔室
320‧‧‧RF感測器
322‧‧‧RF產生器
400‧‧‧RF產生器
402‧‧‧信號
404、406‧‧‧方塊
408‧‧‧RF功率放大器
410‧‧‧路徑
412‧‧‧RF感測器
414‧‧‧邏輯電路
416‧‧‧縮放電路
420‧‧‧脈衝功率縮放電路
450‧‧‧電漿腔室
本發明係藉由舉例的方式而非限制的方式於附圖之圖式中加以說明，且其中相似的參考數字表示類似元件，且其中：圖1係典型脈衝式RF電漿處理系統之一般習知技術實施的高階圖式。
圖2顯示使2MHz RF信號產生脈衝之時序圖以說明當一RF產生器使其RF信號產生脈衝時，另一RF產生器之伽瑪值(gamma value)的變化。
圖3顯示依據本發明之實施例之實現同步產生脈衝RF的簡化電路方塊圖。
圖4係依據本發明之實施例之提供同步RF產生脈衝功能之DP RF產生器的範例性實施。
此刻將參考如附圖所示之本發明的一些實施例來詳細地描述本發明。在以下敘述中，為了提供對本發明的徹底瞭解而提出許多具體細節。然而，對於本領域中具有通常技術者將顯而易見，本發明可在不具有這些具體細節之部份或全部的情形下加以實施。在其他情況下，為了不非必要地混淆本發明，故已不詳細地描述熟知的製程步驟及/或結構。
下文描述了包括方法及技術之各種實施例。應記得本發明亦可包含製造物品，該物品包括其上儲存用於實現本發明技術之實施例的電腦可讀指令之電腦可讀媒體。電腦可讀媒體可包括例如半導體、磁性、光磁、光學、或用於儲存電腦可讀碼之其他形式的電腦可讀媒體。此外，本發明亦可包含用於實施本發明之實施例的設備。此類設備可包括用以實現 屬於本發明之實施例之工作的專用及/或可程式化電路。此類設備的範例包括一般用途電腦及/或適當地程式化之專用計算裝置，並且可包括適用於屬於本發明之實施例之各種工作的電腦/計算裝置及專用/可程式化電路之組合。
本發明之實施例涉及在具有複數RF產生器之電漿處理系統中實現同步產生脈衝RF信號的方法及設備。在一或更多實施例中，RF產生器其中一者被指定為獨立產生脈衝(IP，independent pulsing)RF產生器，並且其他RF產生器被指定為相依產生脈衝(DP，dependent pulsing)RF產生器。
IP RF產生器代表獨立於DP RF產生器而產生脈衝之RF產生器。IP RF產生器(獨立脈衝產生器)產生其RF脈衝以回應來自工具主機或另一控制器的信號。DP RF產生器(相依脈衝產生器)監測其為由IP RF產生器產生脈衝之特徵的電漿阻抗變化，並且觸發其各自RF脈衝以回應所偵測之電漿阻抗變化。在一或更多實施例中，電漿阻抗變化係藉由在各DP RF產生器中之功率感測器來偵測，其可量測例如傳送及反射RF功率。
發明人於此認為現有RF產生器已設有可監測關於電漿阻抗參數之感測器(如功率感測器)。當這些參數的數值以某種方式改變時，可偵測到電漿阻抗的變化。
為了進一步闡述，RF產生器遞送RF功率至負載的效率取決於負載阻抗與來源阻抗有多匹配。負載阻抗與來源阻抗匹配越近，由RF產生器所遞送之RF功率越有效率。由於此不匹配問題係眾所周知，故許多或大多數習知技術RF產生器已供有感測來源阻抗與負載阻抗之間不匹配、以及調整遞送或傳送功率的能力以降低不匹配。伽瑪參數一般係用以度量負載-來源阻抗不匹配。伽瑪值為零表示完全匹配，而伽瑪值為1表示高度不匹配。在一些RF產生器中，此伽瑪值係從偵測來源及反射RF功率之功率感測器所提供的數值計算而得。
發明人於此更瞭解電漿阻抗為遞送至電漿之功率的函數。當一特定RF產生器(於此稱為獨立產生脈衝或IP RF產生器)產生脈衝時，所遞送之RF功率改變，並且電漿阻抗因此改變。其他RF產生器(於此稱為相依產生脈衝或DP RF產生器)藉由修改其功率輸出以使其來源阻抗與 電漿(或負載)阻抗匹配來對此電漿阻抗變化作出反應。
偵測電漿阻抗變化通常依靠其數值可加以分析以直接或間接確定電漿阻抗變化之一或更多參數的量測。若由IP RF產生器之RF脈衝所導致之電漿阻抗變化可被其他RF產生器所偵測，並且更重要的是，若此偵測可用來觸發由這些其他RF產生器所產生之RF脈衝，則可在不需經由如習知技術所完成之控制網路而確實地連結RF產生器的情況下達到同步產生脈衝。
為了說明當一RF產生器使其RF信號產生脈衝時另一RF產生器的伽瑪值變化，故圖2顯示一2MHz RF信號202(其以159Hz脈動、具有50%工作週期)之脈衝的時序圖。在圖2的範例中，涉及二RF產生器：輸出6000瓦RF信號之2MHz RF產生器、以及輸出900瓦RF信號之60MHz RF產生器。如所討論般，2MHz RF信號在6000瓦與0瓦之間脈動，而60MHz RF信號(204)不脈動。
當2MHz RF信號202作用時(從參考數字210至212)，60MHz RF產生器之RF功率感測器對由高位準2MHz RF信號202所導致的電漿阻抗值作出反應。在此情況下，在60MHz RF產生器之匹配輸入(產生器輸出)處的阻抗真實數值為52.9歐姆。伽瑪值(其描述來源-負載阻抗不匹配)為0.039。
當2MHz RF信號202不作用時(從參考數字212至214)，60MHz RF產生器之RF功率感測器對由低位準2MHz RF信號202所導致的電漿阻抗作出反應。在此情況下，在60MHz RF產生器之匹配輸入(產生器輸出)處的阻抗真實數值僅為27.44歐姆。伽瑪值(其描述來源-負載阻抗不匹配)為0.856。
如圖2之範例可見，在匹配輸入處之阻抗或伽瑪值、以及是否發生從反映2MHz RF信號202之「開啟」狀態的數值變化至反映2MHz RF信號202之「關閉」狀態的數值(反之亦然)皆可加以監測，偵測如此之變化可作為對產生60MHz DP RF產生器之60MHz信號的RF脈衝之電路的觸發信號。若有其他DP RF產生器，則各DP RF產生器可監測電漿阻抗(例如直接或間接反映此電漿阻抗之參數)並利用偵測電漿阻抗變化來觸發脈衝產生。以此方式，便不需要主控電路/裝置(例如從主機電腦110或 脈衝同步控制器130)與各個RF產生器之間的明顯控制網路。此外，RF產生器不需任何額外電路與控制網路接合(例如圖1之外部同步介面電路140及142)。
取而代之，僅需確實地控制一RF產生器(IP RF產生器，例如範例中之2MHz IP RF產生器)來產生RF脈衝。其餘RF產生器(DP RF產生器)利用現有偵測電路(其為習知上用以監測傳送及反射RF功率從而調整RF遞送之功率設定點以使來源阻抗匹配負載阻抗)以便間接偵測IP產生器RF信號何時產生脈衝。此偵測提供觸發信號至DP RF產生器以允許該DP RF產生器產生其本身的RF脈衝以回應偵測由IP RF產生器所產生RF脈衝。以此方式，實現了更大幅簡化之同步產生脈衝。
參考以下圖式及討論能更加瞭解本發明之實施例的特徵及優點。圖3顯示依據本發明之實施例之實現同步產生脈衝RF之簡化電路方塊圖300。在圖3中，RF產生器302代表IP RF產生器，並且從工具主機電腦304(經由數位/類比通信介面306)接收其產生脈衝控制信號。IP RF產生器302(利用功率控制器308)隨後藉由利用工具主機電腦304所提供之功率設定點來產生RF脈衝。脈衝係供應至阻抗匹配網路314以供應能量給RF驅動之電漿腔室316。RF驅動之電漿腔室316中的電漿阻抗由於來自IP RF產生器302之2MHz脈衝的開啟狀態而變化。
接著由DP RF產生器322之RF感測器320偵測此電漿阻抗變化。例如，可監測DP 60MHz RF產生器322之傳送及反射功率。通常可採用IP_RF_Pulse_High臨限值以判定何時將來自IP RF產生器302之2MHz脈衝視為高位準。在一實施例中，採用得自藉由RF感測器320所量取的伽瑪值並與前述之IP_RF_Pulse_High數值作比較。一旦來自IP RF產生器302之2MHz脈衝被視為開啟，則可利用與DP RF產生器322相關之脈衝產生電路以便從DP RF產生器322產生60MHz信號之脈衝。
出自DP RF產生器322之脈衝可設定成保持開啟達一預定期間(例如依據一些工作週期規格)，或當出自IP RF產生器302之2MHz脈衝從高態轉為低態時可同步關閉(藉由以稍早討論之方式監測電漿阻抗狀態)。
圖4係提供同步RF產生脈衝功能之DP RF產生器400的範 例性實施。在圖4中，信號402係供應自工具主機，該信號可包括兩個額外數值：觸發臨限值及增益值。觸發臨限值代表用以觸發DP產生器之RF脈衝的預定值(其切斷由獨立脈衝產生器所導致的電漿阻抗變化)。例如，若由DP RF產生器監測伽瑪值以偵測由於IP RF產生器產生脈衝之電漿阻抗變化，則臨限值可代表當被越過時其代表藉由DP RF產生器來觸發RF脈衝之觸發信號的伽瑪值。增益值代表用於縮放信號以提供DP RF產生器之RF脈衝的高位準及低位準的數值(由於高狀態及低狀態可能需要不同功率位準而非全開或全關)。
此刻回到圖4，若IDPC輸入為零(方塊404表示腔室非操作在RF脈衝模式中)，則繞過圖4之範例中的RF脈衝功能。在此情況下，將預設功率設定點(通常由工具主機電腦供應以控制RF產生器之功率輸出)送至功率放大器(方塊406)，並經由RF功率放大器408放大，其隨後經由路徑410輸出至電漿腔室450。
在圖4的範例中，RF感測器412監測傳送及反射功率，並將這些數值提供至邏輯電路414以允許預設縮放電路416縮放功率設定點以便使功率遞送最佳化。例如，若伽瑪值過高(表示傳送與反射功率之間大不匹配)，則由工具主機所提供之功率設定點可視需要增大或減小以使功率遞送至電漿負載最佳化。
然而，若IDPC輸入不等於零(方塊404表示腔室操作在RF脈衝模式中)，則在圖4的範例中啟動產生RF脈衝功能(經由脈衝功率縮放電路420)。在此情況下，將預設功率設定點(由工具主機電腦供應以控制RF產生器之功率輸出、並且在此情況下為IDPC輸入的一部分)送至脈衝功率縮放電路420。該縮放可取決於藉由RF感測器412及邏輯電路414偵測電漿阻抗而在二數值(高與低)之間切換。
假設RF感測器412及邏輯電路414偵測伽瑪值已越過與信號402一起提供之觸發臨限值，則將此資訊提供至脈衝功率縮放電路420，脈衝功率縮放電路420隨後縮放預定功率設定點大小以反映高RF脈衝狀態。一旦完成脈衝縮放(方塊420)，則重新縮放過的功率設定點隨後被送至方塊408用於RF放大(經由方塊406)，並且高RF脈衝位準被送至電漿腔室。為執行一低脈衝，方塊420(例如在偵測IP RF產生器的低脈衝後、 或在從DP RF脈衝變為高態經過一預定時期之後)可採用另一縮放值以產生待送至電漿腔室之低RF脈衝位準。
在一實施例中，用於同步RF脈衝的一般方法可涉及在至少一RF電力供應(IP RF電力供應)下獨立產生脈衝。其他RF供應的每一者可隨後監測電漿阻抗變化的指標(如伽瑪值、傳送功率、反射功率、VI探針量測、產生器輸出阻抗的實數及/或複數值等等)。換言之，以其為藉由獨立脈衝RF產生器產生脈衝之特徵的方式來偵測電漿阻抗變化不限於伽瑪值監測。
在一具有優勢的範例中，DP RF產生器可分析VI探針量測及/或從腔室所接收之相位資訊以偵測其為藉由獨立脈衝RF產生器產生脈衝之特徵的電漿阻抗變化。在偵測以其為藉由獨立脈衝RF產生器產生脈衝之特徵的方式來偵測電漿阻抗變化之後(例如從低到高、或從高到低)，相依RF電力供應可利用該偵測作為觸發以產生其脈衝。相依RF產生器的高RF脈衝可持續一預定時期，或在偵測獨立產生脈衝RF信號已轉為低態後相依RF產生器的RF脈衝可轉為低值。
如同由前述內容可瞭解，本發明之實施例偵測其為藉由獨立脈衝RF產生器產生脈衝事件之特徵的電漿阻抗變化，並且利用該偵測作為使相依脈衝RF產生器產生脈衝之觸發信號。以此方式，在複數RF產生器之間同步產生脈衝便不再需要複雜的網路及介面。
雖然本發明已就數個較佳實施例加以說明，惟仍有落於本發明之範圍內的變化、置換、及替代相等者。雖然於此提供了各種範例，但欲使本發明相關的這些範例為示例性且非限制性。
又，發明名稱及內容係為了方便而提供於此且不應用來解釋於此請求項之範圍。此外，發明摘要係以高度簡略的形式記載並且係為了方便而提供於此，且因此不應用來解釋或限制其陳述在專利申請範圍中之整體發明。若於此使用了用語「組」(”set”)，則欲使此類用語具有其一般所瞭解包含零、一、或大於一的數目之數學意義。亦應注意有許多實施本發明之方法及設備的替代方式。因此欲使以下隨附之申請專利範圍被理解成包括落於本發明之真正精神及範圍內之所有此類變化、置換、及相當者。
300‧‧‧電路方塊圖
302‧‧‧RF產生器
304‧‧‧主機電腦
306‧‧‧通信介面
308‧‧‧功率控制器
314‧‧‧阻抗匹配網路
316‧‧‧電漿腔室
320‧‧‧RF感測器
322‧‧‧RF產生器

Claims (33)

  1. 一種提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，包含：第一RF產生器，提供第一RF信號，該第一RF信號提供至該電漿處理腔室以供應能量給其中之電漿，該第一RF信號代表一脈衝RF信號；以及第二RF產生器，提供第二RF信號至該電漿處理腔室，該第二RF產生器具有用於偵測與該電漿處理腔室相關之反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之至少一參數的數值之感測器次系統、以及用於使該第二RF信號產生脈衝以回應該偵測該至少一參數的該數值之脈衝控制次系統。
  2. 如申請專利範圍第1項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表傳送RF功率及反射RF功率其中至少一者。
  3. 如申請專利範圍第1項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表伽瑪值，該伽瑪值代表指示該第二RF產生器之反射功率與傳送功率之間不匹配程度的數值指數。
  4. 如申請專利範圍第1項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，更包含工具主機電腦，該工具主機電腦提供至少一觸發臨限值以使該第二RF產生器之該感測器次系統中的電路能確定該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝。
  5. 如申請專利範圍第4項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中該脈衝控制次系統係配置以產生用於該第二RF信號之至少一高位準及一低位準，該高位準及該低位準由該工具主機電腦所提供之至少一數值控制。
  6. 如申請專利範圍第1項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中當該第二RF信號產生脈衝時包含至少一高脈衝值及一低脈衝值，其中該低脈衝值為非零。
  7. 如申請專利範圍第1項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表從VI探針所獲得之數值。
  8. 如申請專利範圍第1項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表該第二RF產生器之輸出阻抗。
  9. 如申請專利範圍第1項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，更包含耦合至該第一RF產生器及該第二RF產生器之輸出的匹配次系統，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表該匹配次系統之輸入的阻抗。
  10. 如申請專利範圍第1項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中當該第二RF信號產生脈衝時包含至少一預定高脈衝值及一預定低脈衝值。
  11. 如申請專利範圍第1項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中當該第二RF信號產生脈衝時包含至少一預定高脈衝值及一預定低脈衝值，且其中在從該預定低脈衝值脈動至該預定高脈衝值後屆滿一預定期間之後，該第二RF信號轉變至該預定脈衝低值。
  12. 如申請專利範圍第1項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中當該第二RF信號產生脈衝時包含至少一預定高脈衝值及一預定低脈衝值，且其中在從該預定高脈衝值脈動至該預定低脈衝值後屆滿一預定期間之後，該第二RF信號轉變至該預定脈衝高值。
  13. 如申請專利範圍第10項之提供至少二同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，更包含用於產生控制信號以控制由該第一RF產生器之產生脈衝的控制電路，且其中該第二RF產生器不產生脈衝以回應來自該控制電路的信號，該第二RF產生器產生高到低及低到高其中至少一脈衝以回應該偵測與該電漿處理腔室相關之反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數的該數值。
  14. 一種提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，包含：第一RF產生器，提供第一RF信號，該第一RF信號提供至該電漿處理腔室以供應能量給其中之電漿，該第一RF信號代表一脈衝RF信號； 控制電路，產生脈衝控制信號以控制由該第一RF產生器之產生脈衝；第二RF產生器，提供第二RF信號至該電漿處理腔室，該第二RF產生器具有用於偵測與該電漿處理腔室相關之反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之至少一參數的數值之第二RF產生器感測器次系統、以及用於使該第二RF信號產生脈衝以回應該偵測該至少一參數的該數值之第二RF產生器脈衝控制次系統；以及第三RF產生器，提供第三RF信號至該電漿處理腔室，該第三RF產生器具有用於偵測與該電漿處理腔室相關之反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數的該數值之第三RF產生器感測器次系統、以及用於使該第三RF信號產生脈衝以回應該偵測該至少一參數的該數值之第三RF產生器脈衝控制次系統，其中該第二RF產生器不產生脈衝以回應來自該控制電路的信號，該第二RF產生器產生高到低之該第二RF信號及低到高之該第二RF信號其中至少一脈衝以回應該偵測與該電漿處理腔室相關之反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數的該數值，且其中該第三RF產生器不產生脈衝以回應來自該控制電路的信號，該第三RF產生器產生高到低之該第三RF信號及低到高之該第三RF信號其中至少一脈衝以回應該偵測與該電漿處理腔室相關之反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數的該數值。
  15. 如申請專利範圍第14項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表傳送RF功率及反射RF功率其中至少一者。
  16. 如申請專利範圍第14項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表伽瑪值，該伽瑪值代表指示該第二RF產生器之反射功率與傳送功率之間不匹配程度的數值指數。
  17. 如申請專利範圍第14項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中該第二RF產生器感測器次系統將與該電漿處理腔室相關之反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數的該數值和一臨限值相比較以確定何時使該第二RF信號產生 脈衝。
  18. 如申請專利範圍第14項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中當該第二RF信號產生脈衝時包含至少一高脈衝值及一低脈衝值，其中該低脈衝值為非零。
  19. 如申請專利範圍第14項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中當該第二RF信號產生脈衝時包含至少一預定高脈衝值及一預定低脈衝值。
  20. 如申請專利範圍第14項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表從VI探針所獲得之數值。
  21. 如申請專利範圍第14項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表該第二RF產生器之輸出阻抗。
  22. 如申請專利範圍第14項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，更包含耦合至該第一RF產生器及該第二RF產生器之輸出的匹配次系統，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表該匹配次系統之輸入的阻抗。
  23. 如申請專利範圍第14項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的同步產生脈衝裝置，其中當該第二RF信號產生脈衝時包含至少一預定高脈衝值及一預定低脈衝值，且其中在從該預定低脈衝值脈動至該預定高脈衝值後屆滿一預定期間之後，該第二RF信號轉變至該預定脈衝低值。
  24. 一種提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的方法，包含：利用第一RF產生器使第一RF信號產生脈衝，該第一RF信號提供至該電漿處理腔室以供應能量給其中之電漿；偵測與該電漿處理腔室相關之反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之至少一參數的數值；以及利用第二RF產生器使第二RF信號產生脈衝以回應該偵測該至少一參數的該數值。
  25. 如申請專利範圍第24項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的方法，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表傳送RF功率及反射RF功率其中至少一者。
  26. 如申請專利範圍第24項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的方法，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表伽瑪值，該伽瑪值代表指示該第二RF產生器之反射功率與傳送功率之間不匹配程度的數值指數。
  27. 如申請專利範圍第24項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的方法，更包含從工具主機電腦接收一觸發臨限值，該觸發臨限值啟動該第二RF產生器之感測器次系統以確定該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝。
  28. 如申請專利範圍第24項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的方法，其中當該第二RF信號產生脈衝時包含至少一高位準及一低位準，該高位準及該低位準由該工具主機電腦所提供之至少一數值控制。
  29. 如申請專利範圍第24項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的方法，其中當該第二RF信號產生脈衝時包含至少一高脈衝值及一低脈衝值，其中該低脈衝值為非零。
  30. 如申請專利範圍第24項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的方法，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表從VI探針所獲得之數值。
  31. 如申請專利範圍第24項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的方法，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表該第二RF產生器之輸出阻抗。
  32. 如申請專利範圍第24項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的方法，更包含耦合至該第一RF產生器及該第二RF產生器之輸出的匹配次系統，其中反映該第一RF信號是否為高脈衝或低脈衝之該至少一參數代表該匹配次系統之輸入的阻抗。
  33. 如申請專利範圍第24項之提供複數同步脈衝RF信號至電漿處理系統之電漿處理腔室的方法，其中當該第二RF信號產生脈衝時在一預定高脈衝值 與一預定低脈衝值之間脈動。
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