TW201343371A - 雙軸延伸尼龍膜、積層膜、積層包裝材料及雙軸延伸尼龍膜之製造方法 - Google Patents

雙軸延伸尼龍膜、積層膜、積層包裝材料及雙軸延伸尼龍膜之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之雙軸延伸尼龍膜之特徵在於：其係以尼龍樹脂為原料者，且晶體大小指標為0.55(1/deg)以下。

Description

雙軸延伸尼龍膜、積層膜、積層包裝材料及雙軸延伸尼龍膜之製造方法
本發明係關於一種尤其可較佳地用作冷成型用之包裝材料之雙軸延伸尼龍膜、積層膜、積層包裝材料及雙軸延伸尼龍膜之製造方法。
雙軸延伸尼龍膜(以下，亦稱為ONy膜)因強度、耐衝擊性、耐針孔性等優異，故而較多地用於重貨包裝或液貨包裝等施加較大之強度負荷之用途。
另一方面，近年來，對包含該ONy膜之積層包裝材料進行拉伸成型之用途正在增加。又，於拉伸成型中，亦積極地研究有與熱成型相比安全性或形狀自由度(拉伸成型性)優異、且實現薄壁化或輕量化之冷成型(例如，文獻1(日本專利特開2008-44209號公報))。
包含此種ONy膜之積層包裝材料可較佳地用於電池包裝用、醫藥用(尤其是PTP：Press through pack(泡殼包裝)包裝材料等)、日用品用(尤其是液體洗劑用改裝包裝材料等)、食品用等用途。
另一方面，冷成型用之包裝材料係隨著電池等之大電容化，而要求進一步提高拉伸成型性(深拉伸成型性)。又，即便為液體洗劑用改裝包裝材料，亦於安裝注入口之吸管等時要求深拉伸成型性。進而，隨著近年來老齡化不斷發展，為賦予優異之咽下功能(吞咽功能)而開發易溶於水之醫藥，伴隨此，即便為PTP包裝材料亦要求有高防 濕性或深拉伸成形性。然而，於如文獻1所記載之包含雙軸延伸尼龍膜之積層包裝材料中，雖然於通常之拉伸成型中不會成為問題，但若進行深拉伸成型，則有產生針孔之虞。
本發明之目的在於提供一種於冷成型時具有優異之深拉伸成型性且具有優異之耐衝擊性的雙軸延伸尼龍膜、積層膜、積層包裝材料及雙軸延伸尼龍膜之製造方法。
於本發明中，所謂冷成型係指於拉伸成型中不加熱而於常溫下進行之成型。作為該冷成型之一方法，可列舉：使用鋁箔等之成型中所使用之冷成型機，利用公模對母模壓入片材，並以高速加壓。根據上述冷成型，可不加熱而產生模版印花、彎曲、剪切、拉伸等塑性變形。
為解決上述課題，本發明提供如下之雙軸延伸尼龍膜、積層膜、積層包裝材料及雙軸延伸尼龍膜之製造方法。
即，本發明之雙軸延伸尼龍膜之特徵在於：其係以尼龍樹脂為原料者，且晶體大小指標為0.55(1/deg)以下。
再者，本發明中之「晶體大小指標」係由利用廣角X射線繞射之X射線繞射圖案所獲得之峰半高寬之倒數。
本發明之雙軸延伸尼龍膜之特徵在於：其係以尼龍樹脂為原料者，且α型晶體與γ型晶體之含有比(α型晶體/γ型晶體比)為1.5以上且3.1以下。
本發明之積層膜之特徵在於：其係積層上述雙軸延伸尼龍膜而成。
本發明之積層包裝材料之特徵在於：其使用有上述積層膜。
本發明之雙軸延伸尼龍膜之製造方法之特徵在於：其係製造上述雙軸延伸尼龍膜者，且包括：坯膜製造步驟，其由上述原料成形坯 膜；雙軸延伸步驟，其使上述坯膜雙軸延伸；及熱固定步驟，其對上述雙軸延伸步驟後之膜實施熱處理而進行熱固定。
本發明之雙軸延伸尼龍膜之製造方法之特徵在於包括：坯膜製造步驟，其由上述原料成形坯膜；雙軸延伸步驟，其使上述坯膜延伸；及熱固定步驟，其於上述雙軸延伸步驟後實施熱處理；且將所獲得之雙軸延伸尼龍膜之α型晶體與γ型晶體之含有比(α型晶體/γ型晶體比)設為1.5以上且3.1以下。
於本發明之雙軸延伸尼龍膜之製造方法中，較佳為於上述雙軸延伸步驟中，以管式雙軸延伸法進行雙軸延伸。
根據本發明，可提供一種於冷成型時具有優異之深拉伸成型性且具有優異之耐衝擊性的雙軸延伸尼龍膜、積層膜、積層包裝材料及雙軸延伸尼龍膜之製造方法。
1‧‧‧坯膜
2‧‧‧基材膜
2A‧‧‧膜
2B‧‧‧膜
3‧‧‧雙軸延伸尼龍膜
3A‧‧‧膜
3B‧‧‧膜
10‧‧‧雙軸延伸裝置(管式延伸裝置)
11‧‧‧夾送輥
12‧‧‧加熱部
13‧‧‧引導板
14‧‧‧夾送輥
20‧‧‧第一熱處理裝置(預熱爐)
21‧‧‧拉幅機
22‧‧‧加熱爐
30‧‧‧分離裝置
31‧‧‧導輥
32‧‧‧修整裝置
33A‧‧‧分離輥
33B‧‧‧分離輥
34A‧‧‧帶槽輥
34B‧‧‧帶槽輥
34C‧‧‧帶槽輥
40‧‧‧第二熱處理裝置
41‧‧‧拉幅機
42‧‧‧加熱爐
50‧‧‧張力控制裝置
51A‧‧‧導輥
51B‧‧‧導輥
52‧‧‧張力輥
60‧‧‧捲取裝置
61‧‧‧導輥
62‧‧‧捲取輥
90‧‧‧原片製造裝置
91‧‧‧擠出機
92‧‧‧圓形模嘴
93‧‧‧水冷環
94‧‧‧穩定板
95‧‧‧夾送輥
100‧‧‧膜製造裝置
321‧‧‧刀片
圖1係表示製造本發明之雙軸延伸尼龍膜之裝置之一例之概略構成圖。
以下，根據本發明之較佳之實施形態對其進行詳細說明。
<第1實施形態> [雙軸延伸尼龍膜之構成]
本實施形態之雙軸延伸尼龍膜(ONy膜)係使以尼龍樹脂為原料之坯膜雙軸延伸，並於特定之溫度下進行熱固定而形成者。
作為原料之尼龍樹脂可使用尼龍6、尼龍8、尼龍11、尼龍12、尼龍6,6、尼龍6,10、尼龍6,12等。就物性或熔融特性、使用之容易程度之方面而言較佳為使用尼龍6(以下，亦稱為Ny6)。
此處，將上述Ny6之化學式示於下述式(1)。
H-[NH-(CH2)5-CO]n-OH‧‧‧(1)
作為原料之尼龍樹脂之數平均分子量較佳為15000以上且30000以下，更佳為22000以上且24000以下。
於本實施形態中，晶體大小指標必需為0.55(1/deg)以下。若晶體大小指標超過0.55(1/deg)，則所獲得之膜之深拉伸成型性及耐衝擊性不充分。
此處，晶體大小可使用由利用廣角X射線繞射之X射線繞射圖案所獲得之峰半高寬，並藉由以下述數式(F1)所表示之謝樂方程式(Scherrer's equation)而求出。
l=k．λ/Hcosθ (F1)
l：晶體大小(Å)
H：峰半高寬(deg)
θ：布拉格角(deg)
λ：X射線之波長(Å)
k：謝樂常數
利用廣角X射線繞射之X射線繞射圖案可使用例如理學電機公司製造之Rota Flex RU-200，藉由速率計法(rate meter method)，並利用下述條件進行測定。
X射線輸出：40 KV、50 mA
掃描速度：1 deg/min
掃描範圍：2θ=10 deg~35 deg
峰半高寬係使用在2θ=20 deg附近出現之聚醯胺之(002)面反射之峰之半高寬。
此處，由上述謝樂方程式可確認峰半高寬之倒數與晶體大小成比例，故而本發明中之「晶體大小指標」係以峰半高寬之倒數(1/deg)表示。
再者，測定之晶體係指聚醯胺之非晶部以外之部分，且於該晶 體之中混合存在有α型晶體或γ型晶體。
[積層膜之構成]
本實施形態之積層膜係於上述ONy膜之至少任一面上積層1層或2層以上之其他積層基材而構成。具體而言，作為其他積層基材，例如可列舉鋁層或包含鋁層之膜、或者聚丙烯系或聚乙烯系之密封層(密封劑層)等。
又，本實施形態之積層包裝材料亦可為於上述ONy膜之至少一面上進而積層有聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯樹脂、或聚偏二氯乙烯樹脂、或聚偏二氯乙烯共聚物樹脂、或潤滑劑、或抗靜電劑、或亞硝醯胺(nitrosamide)樹脂等塗層者。
藉由積層此種積層基材，可獲得能夠實現製造效率提高或搬送效率提高並且附加有功能性(耐化學品性、電氣絕緣性、防濕性、耐寒性、加工性等)之積層膜。
作為上述積層膜之積層態樣，例如，可列舉ONy/Al/PP、PET/ONy/Al/PP、ONy/Al/PVC。
[積層包裝材料之構成]
本實施形態之積層包裝材料包含上述積層膜。通常，包含鋁層之積層包裝材料於冷成型時容易於鋁層中產生因頸縮所致之斷裂，故而不適合於冷成型。就該方面而言，根據本實施形態之積層包裝材料，由於上述ONy膜具有優異之拉伸成型性，故而於冷間下之深拉伸成型等時，可抑制鋁層之斷裂，且可抑制包裝材料中之針孔之產生。因此，即便於包裝材料總厚較薄之情形時，亦可獲得銳利之形狀且高強度之成型品。
本實施形態之積層包裝材料較佳為，ONy膜與其他積層基材之整體之厚度為200μm以下。若該整體之厚度超過200μm，則有難以藉由冷成型進行角隅部之成型，而不易獲得銳利之形狀之成型品的傾向。
本實施形態之積層包裝材料中之ONy膜之厚度較佳為5μm以上且50μm以下，更佳為10μm以上且30μm以下。此處，若ONy膜之厚度未達5μm，則有積層包裝材料之耐衝擊性降低，冷成型性不充分之傾向。另一方面，若ONy膜之厚度超過50μm，則變得難以獲得積層包裝材料之耐衝擊性進一步提高之效果，且包裝材料總厚不斷增加，故而欠佳。
[雙軸延伸尼龍膜之製造裝置]
繼而，基於圖式對製造本實施形態之雙軸延伸尼龍膜之方法進行說明。
首先，列舉一例對製造本實施形態之雙軸延伸尼龍膜之裝置進行說明。
如圖1所示，膜製造裝置100包括：原片製造裝置90，其用以製造坯膜1；雙軸延伸裝置(管式延伸裝置)10，其使坯膜1延伸；第一熱處理裝置20(預熱爐)，其對延伸後經摺疊之基材膜2(以下，亦簡稱為「膜2」)進行預熱；分離裝置30，其將經預熱之膜2分離為上下2片；第二熱處理裝置40，其對經分離之膜2進行熱處理(熱固定)；張力控制裝置50，其於對膜2進行熱固定時，自下游側對膜2施加張力；及捲取裝置60，其捲取對膜2進行熱固定而成之雙軸延伸尼龍膜3(以下，亦簡稱為「膜3」)。
如圖1所示，原片製造裝置90包括擠出機91、圓形模嘴(circular dies)92、水冷環93、穩定板94、及夾送輥95。
管式延伸裝置10係藉由內部空氣之壓力將管狀之坯膜1進行雙軸延伸(氣泡延伸)而用以製造膜2之裝置。如圖1所示，該管式延伸裝置10包括夾送輥11、加熱部12、引導板13、及夾送輥14。
第一熱處理裝置20係用以對成為扁平之膜2預先進行熱處理之裝置。如圖1所示，第一熱處理裝置20包括拉幅機(tenter)21、與加熱爐 22。
如圖1所示，分離裝置30包括導輥31、修整(trimming)裝置32、分離輥33A、33B、及帶槽輥34A~34C。又，修整裝置32具有刀片321。
如圖1所示，第二熱處理裝置40包括拉幅機41與加熱爐42。
如圖1所示，張力控制裝置50包括導輥51A、51B、及張力輥52。
如圖1所示，捲取裝置60包括導輥61與捲取輥62。
[雙軸延伸尼龍膜之製造方法]
繼而，對使用該膜製造裝置100製造雙軸延伸尼龍膜之各步驟進行詳細說明。
(坯膜製造步驟)
作為原料之尼龍樹脂係如圖1所示，藉由擠出機91進行熔融混練，並藉由圓形模嘴92而擠壓成管狀。管狀之熔融樹脂藉由水冷環93而冷卻。坯膜1係藉由利用水冷環93對作為原料之熔融尼龍樹脂進行急冷而成型。經冷卻之坯膜1藉由穩定板94而摺疊。經摺疊之坯膜1藉由夾送輥95以扁平之膜被送至接下來之雙軸延伸步驟
(雙軸延伸步驟)
藉由坯膜製造步驟而製造之坯膜1係如圖1所示，藉由夾送輥11以扁平之膜被導入至裝置內部。所導入之坯膜1係藉由在加熱部12利用紅外線進行加熱而使其氣泡延伸。其後，氣泡延伸後之膜2藉由引導板13而摺疊。經摺疊之膜2由夾送輥14夾送而以扁平之膜2被送至接下來之第一熱處理步驟。
此時，MD方向及TD方向之延伸倍率分別較佳為2.8倍以上。於MD方向及TD方向之延伸倍率之任一者未達2.8倍之情形時，有衝擊強度降低而實用性產生問題之傾向。
進而，較佳為於延伸結束時TD方向之延伸倍率大於MD方向之延 伸倍率。又，自TD方向之延伸倍率減去MD方向之延伸倍率所得之差(TD-MD)較佳為0.1倍以上，更佳為0.2倍以上且0.8倍以下，進而更佳為0.3倍以上且0.8倍以下。若TD-MD之值未達上述下限，則有如下傾向：所獲得之膜之深拉伸成型性不充分，又，膜之厚度精度降低。又，尤其是於TD-MD之值為0.1倍以下之情形時，有延伸穩定性變差並且膜之厚度精度降低之傾向。另一方面，若TD-MD之值超過上述上限，則有所獲得之膜之深拉伸成型性變得不充分之傾向，又，有延伸穩定性降低之傾向。
(第一熱處理步驟)
自雙軸延伸步驟輸送之膜2係一面由拉幅機21之夾具(未圖示)握持兩端部，一面於該膜2之收縮開始溫度以上且較膜2之熔點低約30℃之溫度或其以下之溫度下對該膜2預先進行熱處理並送至接下來之分離步驟。
該第一熱處理中之熱處理溫度較佳為120℃以上且190℃以下，且弛緩率較佳為15%以下。
藉由該第一熱處理步驟，膜2之結晶度增加，經重合之膜彼此之滑動性變得良好。
(分離步驟)
經由導輥31而輸送之扁平之膜2係如圖1所示，藉由修整裝置32之刀片321將兩端部切開而分離為2片膜2A、2B。繼而，膜2A、2B係一面使膜2A、2B之間夾雜有空氣一面藉由上下分離地配置之一對分離輥33A、33B將其等分離。該扁平之膜2之切開既可藉由使刀片321位於自兩端部起略靠內側而以局部產生凸緣部之方式進行，或者，亦可藉由使刀片321位於膜2之折縫部分而以不產生凸緣部之方式進行。
該等膜2A、2B係藉由依序位於膜之流動方向上之3個帶槽輥34A至34C，再次重疊地被送至接下來之第二熱處理步驟。再者，該等帶 槽輥34A至34C係於帶槽加工後對表面實施鍍敷處理而成者。經由該槽可獲得膜2A、2B與空氣之良好之接觸狀態。
(第二熱處理步驟(熱固定步驟))
重疊狀態之膜2A、2B係一面由拉幅機41之夾具(未圖示)握持兩端部，一面於構成膜2之樹脂之熔點以下且較熔點低約30℃之溫度以上進行熱處理(熱固定)，而成為物性穩定之雙軸延伸尼龍膜3(以下，亦稱為膜3)，並被送至接下來之捲取步驟。
該第二熱處理(熱固定)中之熱處理溫度較佳為160℃以上且215℃以下，更佳為190℃以上且215℃以下。若熱處理溫度未達上述下限，則有膜收縮率變大、產生剝層之危險性升高之傾向，另一方面，若超過上述上限，則有如下傾向：熱固定時之翹曲現象增大且膜之應變增加，又，密度變得過高且結晶度變得過高而使膜難以變形。
又，此時之弛緩率較佳為15%以下。
再者，藉由位於下游側之張力控制裝置50對加熱爐42內之膜2A、2B施加較強之張力。
(捲取步驟)
藉由第二熱處理步驟而熱固定之膜3係經由張力控制裝置50，並經由導輥61以膜3A、3B捲取至2根捲取輥62上。
此處，為了使由上述雙軸延伸尼龍膜之製造方法所獲得之雙軸延伸尼龍膜之晶體大小指標為本案發明之範圍內，而可列舉如下等：適當調整上述雙軸延伸尼龍膜之製造方法中之熱處理步驟中之溫度設定、或坯膜製造步驟中之急冷化條件、以及延伸步驟中之延伸倍率條件等。
<第2實施形態>
於第2實施形態之說明中，對與第1實施形態相同之內容或相同之構成要素標註相同符號或名稱等，並省略或簡化其說明。
[雙軸延伸尼龍膜之構成]
本實施形態之雙軸延伸尼龍膜(ONy膜)係使以尼龍樹脂為原料之坯膜雙軸延伸，並於特定之溫度下進行熱固定而形成者。
作為原料之尼龍樹脂可使用尼龍6、尼龍8、尼龍11、尼龍12、尼龍6,6、尼龍6,10、尼龍6,12等。就物性或熔融特性、使用之容易程度之方面而言較佳為使用尼龍6(以下，亦稱為Ny6)。
此處，將上述Ny6之化學式示於下述式(1)。
H-[NH-(CH2)5-CO]n-OH‧‧‧(1)
作為原料之尼龍樹脂之數平均分子量較佳為15000以上且30000以下，更佳為22000以上且24000以下。
本實施形態中之雙軸延伸尼龍膜中，α型晶體與γ型晶體之含有比(α型晶體/γ型晶體比)為1.5以上且3.1以下。此處，α型晶體與γ型晶體之含有比可藉由通用之紅外線吸收光譜而容易測定。具體而言可以如下方式求出。
紅外線吸收光譜中之1201cm-1屬於α型晶體中所含之結構(conformation)A，1170cm-1屬於存在於γ型晶體或非晶區域中之結構(conformation)B。因此，若將1201cm-1之吸光度設為A1201，將1170cm-1之吸光度設為B1170，則α型晶體與γ型晶體之含有比(α型晶體/γ型晶體比)可藉由如下而求出：A1201/B1170。
若以此種方式所求出之α型晶體與γ型晶體之含有比為1.5以上且3.1以下，則耐衝擊性及拉伸成型性(深拉伸成型性及冷成型性)均良好。再者，就拉伸成型性進一步提高之觀點而言，該含有比更佳為1.8以上且3以下，進而較佳為2以上且2.9以下。
此處，上述雙軸延伸尼龍膜之拉伸強度較佳為240MPa以上。其原因在於：若拉伸強度未達240MPa，則有膜之深拉伸成型性不足之虞。又，就於冷成型時獲得優異之深拉伸成型性之觀點而言，拉伸強度更佳為250MPa以上。再者，拉伸強度可依據ASTM D 882中記載之方法測定。
又，上述雙軸延伸尼龍膜之斷裂伸長率較佳為70%以上。其原因在於：若斷裂伸長率未達70%，則有膜之深拉伸成型性不足之虞。又，就於冷成型時獲得優異之深拉伸成型性之觀點而言，斷裂伸長率更佳為80%以上。尤其是TD方向之斷裂伸長率較佳為130%以下。再者，斷裂伸長率可依據ASTM D 882中記載之方法測定。
再者，於本實施形態中，以與第1實施形態相同之製造方法製造雙軸延伸尼龍膜，但可藉由變更熱處理溫度而控制上述α型晶體與γ型晶體之含有比。例如，於降低該含有比之情形時只要降低熱處理溫度即可。
[實施形態之變形]
再者，以上所說明之態樣係表示本發明之一態樣者，本發明並不限定於上述實施形態，當然，包含本發明之構成且可達成目的及效果之範圍內之變形或改良包含於本發明之內容中。又，實施本發明時之具體構造及形狀等係於可達成本發明之目的及效果之範圍內，設為其他構造或形狀等亦毫無問題。
例如，於上述實施形態中，雖採用管式作為雙軸延伸方法，但亦可為拉幅機方式。進而，作為延伸方法，既可為同時雙軸延伸亦可為逐次雙軸延伸。
又，於上述第2實施形態中，作為將雙軸延伸尼龍膜之α型晶體與γ型晶體之含有比(α型晶體/γ型晶體比)設為本發明之範圍內之一方法，採用了調整第二熱處理步驟(熱固定步驟)之熱處理溫度條件，但 只要能夠將α型晶體/γ型晶體比設為本發明之範圍內則並不限定於此。例如，亦可藉由調整上述雙軸延伸尼龍膜之製造方法中之第一熱處理步驟中之溫度設定，而調整α型晶體/γ型晶體比。
[實施例]
繼而，藉由實施例及比較例進一步詳細地說明本發明，但本發明不受該等例任何限定。
<第1實施形態之實施例>
於第1實施形態中，各例中之特性(雙軸延伸尼龍膜之峰半高寬、晶體大小指標及衝擊強度、以及積層膜之耐衝擊性及深拉伸成型性)係以如下方法進行評價。
(i)峰半高寬及晶體大小指標
使用理學電機公司製造之Rota Flex RU-200，測定雙軸延伸尼龍膜之廣角X射線繞射之光譜，由所獲得之光譜算出峰半高寬(deg)。又，由峰半高寬之值之倒數算出晶體大小指標(1/deg)。
(ii)衝擊強度
雙軸延伸尼龍膜之衝擊強度(J/m)係使用膜衝擊試驗機(東洋精機製造，30Kg-cm之1/2吋半球頭)進行測定。
(iii)耐衝擊性
積層膜之耐衝擊性係以下述所示之落板衝擊強度試驗進行評價。
所謂落板衝擊強度試驗係以尼龍膜與LLDPE密封劑50μm形成積層膜，製作130mm×150mm之製袋品(內部尺寸110mm×110mm)，並於該製袋品之中填充120ml之液體(水)，將袋之上部密封而製作密閉袋。然後，重疊2片44cm長度之塑膠製板並以鉸鏈連接，將重量3Kg之板(1片1.5Kg)自垂直狀態橫向放倒配置。繼而，將填充有液體之密閉袋橫向放倒配置，將塑膠製塑膠製板自密封袋之上重複撞擊。然 後，重複100次該動作，計數至密封袋破裂而液體漏出為止之次數。
A：即便掉落100次亦未產生破袋。
B：於未達100次之掉落時產生破袋。
(iv)深拉伸成型性
裁斷積層膜，製作120×80mm之短條片作為試樣。使用33×55mm之矩形狀之模具，以0.1MPa之表面壓力按壓，自0.5mm之成型深度起以0.5mm單位改變成型深度而針對各10片試樣進行冷成型(引入一段成型)。然後，將10片試樣之任一者中均未於鋁箔中產生針孔之成型深度設為極限成型深度，並將該成型深度表示為評價值。再者，針孔之確認係由目視確認透射光。
A：極限成型深度為5mm以上。
B：極限成型深度未達5mm。
[實施例1-1] (坯膜製造步驟)
如圖1所示，將Ny6顆粒於擠出機91中以275℃熔融混練後，將熔融物自圓形模嘴92以管狀之膜擠出，接著以水(15℃)進行急冷而製作坯膜1。
用作Ny6者係宇部興產(股)製造之尼龍6[UBE尼龍1022FD(商品名)，相對黏度ηr=3.5]。
(雙軸延伸步驟)
繼而，如圖1所示，於將該坯膜1插通於一對夾送輥11間後，一面向其中壓入氣體一面以加熱部12進行加熱，並且於延伸起點吹刮而使其膨脹為氣泡，且以下游側之一對夾送輥14拉取，藉此，進行利用管式法之MD方向及TD方向上之同時雙軸延伸。該延伸時之倍率係於MD方向上設為3.0倍、於TD方向上設為3.3倍。
(第一熱處理步驟及第二熱處理步驟)
繼而，如圖1所示，藉由第一熱處理裝置20於溫度170℃下對膜2實施熱處理，其後，於經過分離裝置30後，藉由第二熱處理裝置40於溫度210℃下實施熱處理，而進行熱固定。
(捲取步驟)
繼而，如圖1所示，使藉由第二熱處理步驟而熱固定之膜3經過張力控制裝置50，並經由導輥61以膜3A、3B捲取至2根捲取輥62上，從而製造雙軸延伸尼龍膜。所獲得之雙軸延伸尼龍膜之厚度為15μm。
測定所獲得之雙軸延伸尼龍膜之峰半高寬、晶體大小指標及衝擊強度。將所獲得之結果示於表1。
(積層膜之製作)
將所獲得之雙軸延伸尼龍膜設為表面基材膜，將厚度40μm之鋁箔設為中間基材，將厚度60μm之CPP(cast polypropylene，流延聚丙烯)膜設為密封劑膜，藉由對該三者進行乾式層壓(dry laminate)而獲得積層膜。又，乾式層壓後之積層膜係於40℃下進行3天熟化。
評價所獲得之積層膜之耐衝擊性及深拉伸成型性。將所獲得之結果示於表1。
[實施例1-2~1-4、比較例1-1~1-3]
作為實施例1-2~1-4，依據表1所示之製造條件(雙軸延伸方法、延伸倍率及熱固定溫度)變更各條件，除此以外，以與實施例1-1相同之方式製造雙軸延伸尼龍膜及積層膜。
測定所獲得之雙軸延伸尼龍膜之峰半高寬、晶體大小指標及衝擊強度。將所獲得之結果示於表1。又，評價所獲得之積層膜之耐衝擊性及深拉伸成型性。將所獲得之結果示於表1。
另一方面，作為比較例1-1~1-3，獲取以利用表1所示之雙軸延伸方法之方法所獲得之雙軸延伸尼龍膜，以與實施例1-1相同之方 式，測定峰半高寬、晶體大小指標及衝擊強度。將所獲得之結果示於表1。又，使用比較例1-1~1-3之雙軸延伸尼龍膜製作積層膜，並以與實施例1-1相同之方式，評價耐衝擊性及深拉伸成型性。將所獲得之結果示於表1。
由表1所示之結果亦明確確認，於雙軸延伸尼龍膜之晶體大小指標滿足上述條件之情形(實施例1-1~1-4)時，於冷成型時具有優異之深拉伸成型性，且具有優異之耐衝擊性。
另一方面，確認於雙軸延伸尼龍膜之晶體大小指標未滿足上述條件之情形(比較例1-1~1-3)時，使用該雙軸延伸尼龍膜所獲得之積層膜之深拉伸成型性及耐衝擊性不充分。
<第2實施形態之實施例> [實施例2-1] (坯膜製造步驟)
如圖1所示，將Ny6顆粒於擠出機91中以270℃熔融混練後，將熔融物自圓形模嘴92中以管狀之膜擠出，接著以水(15℃)進行急冷而製作坯膜1。
用作Ny6者係宇部興產(股)製造之尼龍6[UBE尼龍1022FD(商品名)，相對黏度ηr=3.5]。
(雙軸延伸步驟)
繼而，如圖1所示，於將該坯膜1插通於一對夾送輥11間後，一面向其中壓入氣體一面以加熱部12進行加熱，並且於延伸起點吹刮而使其膨脹為氣泡，且以下游側之一對夾送輥14拉取，藉此，進行利用管式法之MD方向及TD方向上之同時雙軸延伸。該延伸時之倍率係於MD方向上設為3.0倍、於TD方向上設為3.3倍(TD-MD=0.3)。
(第一熱處理步驟及第二熱處理步驟)
繼而，如圖1所示，藉由第一熱處理裝置20於溫度170℃下對膜2實施熱處理，其後，於經過分離裝置30後，藉由第二熱處理裝置40於溫度210℃下實施熱處理，從而獲得經熱固定之膜3。
測定所獲得之膜3中之α型晶體與γ型晶體之含有比(α型晶體/γ型晶體比)，結果為3.0。
(捲取步驟)
繼而，如圖1所示，使藉由第二熱處理步驟而熱固定之膜3經過張力控制裝置50，並經由導輥61而以膜3A、3B捲取至2根捲取輥62上，從而製造雙軸延伸尼龍膜。所獲得之雙軸延伸尼龍膜之厚度為15μm。
測定所獲得之雙軸延伸尼龍膜之衝擊強度。將所獲得之結果示於表2。
(積層膜之製作)
將所獲得之雙軸延伸尼龍膜設為表面基材膜，將厚度40μm之鋁箔設為中間基材，將厚度60μm之CPP膜設為密封劑膜，藉由對該三者進行乾式層壓而獲得積層膜。又，乾式層壓後之積層膜係於40℃下進行3天熟化。
[實施例2-2]
將第二熱處理步驟中之熱處理溫度變更為200℃，除此以外，以與實施例2-1相同之條件實施。又，對積層膜係以與實施例2-1相同之方式製造。對以下各實施例、比較例亦同樣地製造積層膜。所獲得之膜中之(α型晶體/γ型晶體比)為2.8。
[實施例2-3]
將雙軸延伸步驟中之延伸倍率變更為MD/TD=3.0/3.2(TD-MD=0.2)，並且將第二熱處理步驟中之熱處理溫度變更為190℃，除此以外，以與實施例2-1相同之條件實施。所獲得之膜中之(α型晶體/γ型晶體比)為2.3。
[實施例2-4]
將雙軸延伸步驟中之延伸倍率變更為MD/TD=3.0/3.5(TD-MD=0.5)，並且將第二熱處理步驟中之熱處理溫度變更為205℃，除此以外，以與實施例2-1相同之條件實施。所獲得之膜中之(α型晶體/γ型晶體比)為3.1。
[實施例2-5]
將雙軸延伸步驟中之延伸倍率變更為MD/TD=2.95/3.3(TD-MD=0.35)，並且將第二熱處理步驟中之熱處理溫度變更為160℃，除此以外，以與實施例2-1相同之條件實施。所獲得之膜中之(α型晶體/γ型晶體比)為1.5。
[比較例2-1]
獲取以同時雙軸延伸拉幅機法所獲得之尼龍膜(厚度15μm)，測定(α型晶體/γ型晶體比)，結果為3.5。
[比較例2-2]
獲取以逐次雙軸延伸拉幅機法所獲得之尼龍膜(厚度15μm)，測定(α型晶體/γ型晶體比)，結果為3.2。
[比較例2-3]
以同時雙軸延伸拉幅機法獲取尼龍膜(厚度15μm)，測定(α型晶體/γ型晶體比)，結果為3.3。
[比較例2-4]
以逐次雙軸延伸拉幅機法獲取尼龍膜(厚度15μm)，測定(α型晶體/γ型晶體比)，結果為3.4。
[比較例2-5]
將熱處理溫度變更為140℃，除此以外，以與實施例2-1相同之條件實施。所獲得之膜中之(α型晶體/γ型晶體比)為1.4。
[評價方法]
以如下方法對各實施例、比較例中所獲得之積層膜之耐衝擊性及深拉伸成型性進行評價。
(i)耐衝擊性
藉由如下掉落試驗評價實用之耐衝擊性。
由ONy膜與LLDPE密封劑50μm形成積層膜，製作130mm×150mm之製袋品(內部尺寸110mm×110mm)。於該製袋品之中填充120mL之水，將袋之上部密封而製作密閉袋。然後，於使該密封袋橫向之狀態下，自2m之高度掉落100次，計數至密封袋破裂而液體漏出為止之次數。測定係於常溫(25℃)下進行。
以如下基準對掉落試驗之結果進行評價。將結果示於表2。
A：即便掉落100次亦未產生破袋。
B：於未達100次之掉落時產生破袋。
(ii)深拉伸成型性
裁斷積層膜，製作120×80mm之短條片作為試樣。使用33×55mm之矩形狀之模具，以0.1MPa之表面壓力按壓，自0.5mm之成型深度起以0.5mm單位改變成型深度而針對各10片試樣進行拉伸成型(冷 成型，引入一段成型)。然後，將10片試樣之任一者中均未於鋁箔中產生針孔之成型深度設為極限成型深度，並藉由該極限成型深度而以如下基準進行評價。再者，針孔之確認係由目視確認透射光。將結果示於表2。
A：極限成型深度為7mm以上。
B：極限成型深度為5mm以上且未達7mm。
C：極限成型深度未達5mm。
[評價結果]
由表2所示之結果亦明確確認，於雙軸延伸尼龍膜中之(α型晶體/γ型晶體比)為特定之範圍內之情形(實施例2-1~2-5)時，於冷成型時具有良好之深拉伸成型性，進而具有優異之耐衝擊性。
另一方面，確認於雙軸延伸尼龍膜未滿足上述條件之情形(比較例2-1~2-4)時，不僅於冷成型時深拉伸成型性不充分而且耐衝擊性亦較差。
又，於膜之(α型晶體/γ型晶體比)為1.4之比較例2-5中，收縮特性變得過大，加工適性不良且產生層間剝離(delamination)，結果，冷成 型時之深拉伸成型性不充分。

Claims (7)

  1. 一種雙軸延伸尼龍膜，其特徵在於：其係以尼龍樹脂為原料者，且晶體大小指標為0.55(1/deg)以下。
  2. 一種雙軸延伸尼龍膜，其特徵在於：其係以尼龍樹脂為原料者，且α型晶體與γ型晶體之含有比(α型晶體/γ型晶體比)為1.5以上且3.1以下。
  3. 一種積層膜，其特徵在於：其係積層如請求項1或2之雙軸延伸尼龍膜而成。
  4. 一種積層包裝材料，其特徵在於：其使用有如請求項3之積層膜。
  5. 一種雙軸延伸尼龍膜之製造方法，其特徵在於：其係製造如請求項1之雙軸延伸尼龍膜者，且包括：坯膜製造步驟，其由上述原料成形坯膜；雙軸延伸步驟，其使上述坯膜雙軸延伸；及熱固定步驟，其對上述雙軸延伸步驟後之膜實施熱處理而進行熱固定。
  6. 一種雙軸延伸尼龍膜之製造方法，其特徵在於：其係如請求項2之雙軸延伸尼龍膜之製造方法，且包括：坯膜製造步驟，其由上述原料成形坯膜；雙軸延伸步驟，其使上述坯膜延伸；及熱固定步驟，其於上述雙軸延伸步驟後實施熱處理；且將所獲得之雙軸延伸尼龍膜之α型晶體與γ型晶體之含有比(α型晶體/γ型晶體比)設為1.5以上且3.1以下。
  7. 如請求項5或6之雙軸延伸尼龍膜之製造方法，其中於上述雙軸延伸步驟中，以管式雙軸延伸法進行雙軸延伸。
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