TW201337229A - 壓力感測器 - Google Patents

壓力感測器 Download PDF

Info

Publication number
TW201337229A
TW201337229A TW101137478A TW101137478A TW201337229A TW 201337229 A TW201337229 A TW 201337229A TW 101137478 A TW101137478 A TW 101137478A TW 101137478 A TW101137478 A TW 101137478A TW 201337229 A TW201337229 A TW 201337229A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
diaphragm
pressure gauge
capacitive pressure
gauge assembly
Prior art date
Application number
TW101137478A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI532982B (zh
Inventor
Steven D Blankenship
Paul D Lucas
Original Assignee
Mks Instr Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mks Instr Inc filed Critical Mks Instr Inc
Publication of TW201337229A publication Critical patent/TW201337229A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI532982B publication Critical patent/TWI532982B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0075—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • G01N27/227—Sensors changing capacitance upon adsorption or absorption of fluid components, e.g. electrolyte-insulator-semiconductor sensors, MOS capacitors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
    • G01L19/0636—Protection against aggressive medium in general using particle filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

一或更多反應氣體被導入至內與外電容式電極之間之特定區域的電容壓力計，所以正及負彎曲之錯誤誘導的測量影響被抵銷或最小化。此外，保護結構可用於該電容壓力計之電極結構。保護結構呈現一區域，其相對於氣體擴散進入隔膜相對不敏感，結果改變表面張力、曲率及偏轉，因而提供該壓力計之零讀數及壓力讀數的提昇或最佳穩定性。該保護亦可提供電極之電子隔離。

Description

壓力感測器
本揭露一般關於電容式壓力感測器，更特別地關於改進的感測器，尤其在極低(真空)壓力下提供極精確及正確的壓力測量。
壓力轉換器已用於無數應用中。一種該等轉換器為電容式壓力計，其提供極精確及正確的氣體、蒸氣或其他流體之壓力測量。應用包括基於真空之程序的精確性控制及半導體程序控制。範例包括半導體蝕刻程序及物理蒸氣沈積。
電容式壓力計典型使用(a)彈性隔膜形成或包括電極結構及(b)與隔膜分離之固定電極結構，以便於其間建立電容。隔膜之一側之壓力相對於隔膜之相對側之壓力中之變化致使隔膜彎曲，使得隔膜之電極結構與固定電極結構之間之電容改變為此差分壓力之函數。通常，隔膜之一側之氣體或蒸氣處於測量之壓力(Px)，同時隔膜之相對側之氣體或蒸氣處於已知參考壓力(Pr)，後者係處於大氣或若干固定高或低(真空)壓力，使得可決定隔膜之測量側之壓力為電容測量之函數。
需要極低壓力(高真空)之需多應用已進行並持續發展導致可測量該等低壓力之電容式壓力計的需求。然而，提昇電容式壓力計之敏感性以提供低壓力下極精確及正確壓力測量造成許多設計挑戰。為測量極低壓力(高真空)，電容式壓力計典型地需要彈性隔膜與固定電極結構之間之極窄間隙(「電極間隙」)，使得可檢測壓力中之小改變。
使用極窄電極間隙之缺點為亦檢測到與跨越隔膜之 差分壓力測量無關之電極間隙形狀的小改變。對於電極間隙形狀之該些不利改變之一為藉由諸如氣體分子或原子擴散進入隔膜表面之程序相關化學反應造成隔膜形狀的改變。電容測量係依據平行板電容C之熟知方程式：C=ereoA/s, (方程式1)
其中C為二平行板間之電容，eo為自由空間之介電常數，er為板間材料之相對介電常數(真空下，er=1)，A為板間之共同區域，s為板間之間距。
依據此方程式，可驅動電容中細微改變等於每一測量電極之電極間隙間距中負細微改變(△C/C=-△S/S)。
可輕易得見，維持電極間隙間距之良好控制以提供每一測量電極之電容的穩定控制是關鍵的。在簡單的雙電極設計中，對特定電測量技術，諸如具任何數量之通常使用的橋接器設計(例如惠斯登電橋)，及/或其他電測量方法而言，該些影響對於平坦隔膜及電極結構(各具有平坦度的不同實際值及來自真實平面的傾斜偏差)之零差分壓力下的第一級是平衡的。由於僅平衡電極而未造成穩定電極間隙不足以減少壓力測量之不確定性至充分低程度以便完成最小壓力之穩定檢測，感測器經組配以測量極低壓力(極小隔膜偏轉)。
隨著電容式測量經設計以檢測固定電極結構與隔膜壓力抗元之間之位移改變，錯誤源涉及隔膜之形狀及位置的任何改變(因其影響電極間隙)，其可造成與壓力無關之感測器輸出的改變。
圖1於圖A及B中分別顯示習知技藝電容壓力計100之一部分的側視及俯視圖。裝置包括與電極結構104分離之隔膜102。電極結構104包括藉間隙110分離之內電極106及外電極108。如圖B中所示，電極可具有圓形組態。當隔膜102之兩側壓力之間存在壓力差時，如替代位置102’所示，造成隔膜偏斜。
圖2於圖A及B中分別顯示另一習知技藝電容壓力計200之一部分的側視及剖面圖。該裝置類似於圖1中所示並包括外殼201，具與電極結構204分離之隔膜202。電極結構204包括藉間隙210分離之內電極206及外電極208。外殼包括進口212用以允許氣體至鄰近隔膜202之區域。呈現隔板214以控制氣體進入鄰近隔膜202之區域。如圖B中所示，可藉多條繫繩218而將隔板固定至外殼201。隔板214具有實心型材而無內部部件。操作中，氣體從進口212環繞隔板214前進，首先抵達隔膜202外緣。氣體接著朝向隔膜202中心傳播。
圖3於圖A-C中分別顯示進一步習知技藝電容壓力計300之一部分之側視及不同剖面圖。該裝置類似於圖2中所示並包括具與電極結構304分離之隔膜302的外殼301。電極結構304包括藉間隙310分離之內電極306及外電極308。外殼301包括進口312用於允許氣體至鄰近隔膜302之區域。呈現隔板314以控制氣體進入至鄰近隔膜302之區域。如圖B中所示，隔板包括均勻分佈於隔板314之全部或大部分上之多個隙孔316。圖C顯示隔板之另一組態，具以均勻半徑分佈於隔板314之全部或大部分上之隙孔316。
參照美國專利7757563、7706995、7624643、7451654、7389697、7316163、7284439、7201057、7155803、7137301、7000479、6,993,973、6909975、6,901,808、6735845、6672171、6568274、6,443,015、6105436、6029525、5965821、5942692、5932332、5911162、5808206、5625152、5,271,277、4,823,603、4785669及4,499,773；及已公開美國專利申請案20090255342、20070023140、20060070447、20060000289、20050262946、20040211262、20040099061；所有均轉讓予本揭露之受讓人；所有專利及公佈專利之完整內容均以提及之方式併入本文。
雖然該等習知技藝壓力計可適用於其希望之用途，其仍易流於瞬態測量錯誤，尤其是當使用諸如氟原子等反應氣體時。
本揭露之各方面藉由提供隔板及/或電極結構，其可減少及/或阻擋因壓力以外之影響造成之電容壓力計中瞬態隔膜變形之測量，而處理先前所注意之問題。
依據本揭露之一方面，電容式壓力計或電容式壓力計之組件包括：(a)包括導電材料之隔膜及包括內(或中心)電極及外電極之電極結構，其中，該隔膜可相對於該電極結構而於(i)當該隔膜之每側壓力相同時之零位與(ii)當最大可測量差分壓力施加於該隔膜時之最大差分位置之間移動；以及(b)具一或更多隙孔之隔板，經組配以允許氣體至鄰近該隔膜之區域，而最小化因感測器之輸出上壓力以外之影響造成之隔膜表面變形的影響。隔膜、電極結構及隔板可設於適當外殼內。
依據本揭露之另一方面，電容式壓力計或電容式壓力計之組件包括：(a)包括導電材料之隔膜及包括內(或中心)電極、外電極、及置於內與外電極之間之保護結構之電極結構，其中，該隔膜可相對於該電極結構而於(i)當該隔膜之每側壓力相同時之零位與(ii)當最大可測量差分壓力施加於該隔膜時之最大差分位置之間移動；以及(b)具一或更多隙孔之隔板，經組配以允許氣體至鄰近該隔膜之區域，並策略性關於保護而配置，以進一步最小化因感測器之輸出上壓力以外之影響造成之隔膜表面變形的影響。隔膜、電極結構及隔板可設於適當外殼內。
示範實施例可提供用於電容式壓力計或壓力感測器，其中隔板中感測器進口及槽之組態(例如，形狀、特徵位置、及/或表面磨光及處理等)平衡或有助於平衡因反應氣體進入感測器並與隔膜反應而於時間及效果方面對於內及外電極上之不利影響。
從下列描繪實施例、附圖及申請項之詳細說明的審視，該些以及其他元件、步驟、特徵、好處、及優點將變得清楚。
100、200、300、500、600、800、1100‧‧‧電容壓力計
102、202、302、402、502、602、802、902、1002、1102、1202‧‧‧隔膜
102’‧‧‧替代位置
104、204、304、404、503、504、604、804、903、1000、1004‧‧‧電極結構
106、206、306、406、506、606、702A、702B、806、908、1006、1106、1206‧‧‧內電極
108、208、308、407、508、608、704A、 704B、808、904、1008、1108、1208‧‧‧外電極
110、210、310、408、512、712、1111、1220‧‧‧間隙
201、301、601、801、1101‧‧‧外殼
212、312、618、818、1103‧‧‧進口
214、314、410、514、612、812、912、1014、1120、1214‧‧‧隔板
218‧‧‧繫繩
316、516、614、814、914、1016、1122、1216‧‧‧隙孔
412‧‧‧孔
420、910、918‧‧‧中心線
510、610、706A、706B、810、906、916‧‧‧保護
616‧‧‧氣體流
700A、700B、1104、1204‧‧‧電極及保護 結構
900A-B、1200‧‧‧電容壓力計 組件
920‧‧‧壓力腔
922‧‧‧壓力腔體
1010、1110、1210‧‧‧內保護
1012、1112、1212‧‧‧外保護
1114‧‧‧週邊保護
1124、1218‧‧‧中線
圖式揭露描繪實施例。並未提出所有實施例。可額外使用或替代以其他實施例。為節省空間或更有效的描繪，可省略顯而易見或不必要之細節。相反地，可實現若干實施例而無所揭露之所有細節。當不同圖式中出現相同數字時，係指相同或類似元件或步驟。
當連同附圖讀取下面說明時，其可視為特徵描繪而非侷限，可更全面瞭解本揭露之各方面。圖式並非按照比例尺，而是強調本揭露之原理。在圖式中：圖1顯示習知技藝電容壓力計之一部分之俯視及側視圖；圖2顯示另一習知技藝電容壓力計之一部分之側視及剖面圖；圖3顯示進一步習知技藝電容壓力計之一部分之側視及不同剖面圖；圖4顯示二圖(A-B)，包括習知技藝電容壓力計之電極結構及隔膜，描繪不同時間之隔膜的瞬態變形(圖A)，及相關測量錯誤圖(圖B)；圖5顯示依據本揭露之包括隔膜、隔板、及包括保護結構之電極結構的電容式壓力計組件範例之側視圖；圖6顯示依據本揭露之包括隔膜、隔板、及包括保護結構之電極結構的電容式壓力計組件進一步範例之側視及剖面圖；圖7A為依據本揭露之用於電容壓力計之電極及保護結構範例之概略俯視圖；圖7B為依據本揭露之示範實施例之電容壓力計之電極及保護結構之概略俯視圖；圖8為依據本揭露之電容壓力計之電極及保護結構的進一步範例之概略俯視圖；圖9A-9R顯示依據本揭露之電容壓力計組件之電極結構及隔膜的二圖，描繪於不同時間之隔膜的瞬態變形； 圖10為依據本揭露之電容壓力計之電極及保護結構的另一範例之概略側視圖；圖11為依據本揭露之電容壓力計之電極及保護結構的進一步範例之概略側視圖；以及圖12為依據本揭露之電容壓力計的進一步範例之切口概略側視圖。
雖然圖式中描繪若干實施例，一熟悉本技藝之人士將理解所描繪之實施例為說明性，且所顯示之實施例的變化以及文中所說明之其他實施例可於本揭露之範圍內設想及實現。
本揭露之各方面指向包括電腦軟體程式產品之設備、系統、方法、及技術，可有助於具有改進之壓力測量之精確性及/或穩健性的電容壓力計之配置、操作及/或控制。
如同以下及參照附圖之詳細說明，本揭露之各方面藉由提供隔板及/或電極結構，其可減少及/或阻擋因壓力以外之影響，諸如與一或更多反應氣體相互作用而產生者，造成之電容壓力計中瞬態隔膜變形之測量，而處理先前所注意之問題。
圖4顯示二圖(A-B)，包括電容壓力計之電極結構及隔膜，描繪不同時間之隔膜的瞬態變形(A)，及相關測量錯誤圖(B)。在圖A中，隔膜402顯示設於電極結構404與隔板410之間。電極結構404包括內電極406及置於平坦表面上並藉間隙408分離之外電極407。標示中心線420。隔板410具有或鄰近槽或孔412，其經組配以允許氣體至鄰近隔膜402之區域。如同所示，孔412係位於隔膜402之外徑周圍。圖中省略壓力計之其他特徵，例如，外殼、進口等。
作業中，由於允許反應氣體經由孔412至鄰近隔膜402之區域，鄰近孔412之隔膜表面可歷經隨時間改變之變形程度，如同所示時間T=1至T=9。該等表面變形可藉反應氣體擴散進入隔膜之表面造成。該等反應氣體之範例包括但不侷限於氟分子或原子、六氟化硫、及包括該等氣體之氣體混合物。當然，其他反應氣體可 隨時間造成壓力計隔膜之該等變形，且本揭露希望處理任何或全部該等反應氣體。如圖A中所示，表面變形可於隔膜之表面上擴展，最後達到穩定狀態。
繼續參照圖4，圖B顯示每一反應氣體暴露及隨後排空至圖A中所示之壓力計標示之時間T=1至T=9之高真空(低壓力)之後的相應零錯誤讀取。輸出信號顯示真空之狀態。零錯誤之二不同值標示為E1及E2。
如同圖4中所示，當電容壓力計之隔膜暴露至反應氣體時，氣體分子可擴散進入隔膜之分子結構。該等擴散可改變導入氣體之區域中隔膜表面之張力(例如，外部50至100埃)。此可造成隔膜彎曲，其接著可影響藉壓力計之電極測量之電容。結果，此電容改變可顯示為壓力改變。此偏轉可為瞬態問題，出現於氣體最初被導入並擴散進入隔膜之期間。一旦氣體擴散進入隔膜之外部部分，便不會發生進一步擴散。而且，當氣體擴散跨越整個隔膜表面時，表面便發展恆定張力，於零壓力回至更均勻形狀，例如，接近平坦。此有關瞬態測量錯誤之程序可不利地影響使用壓力計之作業，例如，用於半導體裝置製造之蝕刻程序及物理蒸氣沈積等。
有關補償以上所說明之此瞬態問題的方式，本揭露之方面提供用於電容壓力計之電極結構的保護結構。保護結構(或簡單地稱為「保護」)可呈現對於氣體擴散進入隔膜相對不敏感之一或更多區域；使得未測量到電極間隙中具後續局部化改變之隔膜的最終改變曲率(因改變之表面張力)，或測量為較低程度，因而提供壓力計之零讀數及/或壓力讀數之提昇的或最佳的穩定性。保護結構亦可提供二或更多電極之靜電隔離。
有關先前注意之瞬態問題的另一(或額外)補償方式，本揭露之另一方面提供用於將一或更多反應氣體導入至電容壓力計，經由例如隔板槽之隔板的區域，其係配置於相對於壓力計之有關電極結構的所欲位置。例如，隔板槽可經組配以導入氣體至保護結構及/或內與外電容式電極之間鄰近相應保護區之壓力計隔膜的區域，使得錯誤引發之正及負彎曲的影響抵銷或最小化。保護區 可為藉由保護結構及/或電極之間之間隙或間距形成之電極結構的區域。進一步例如，隔板槽可經組配以導入氣體至鄰近壓力計之電極結構之一或更多電極或一或更多保護(或直接在上方)的壓力計隔膜之區域。在正下方或鄰近隔板槽，咸信於T=0之後不久達到峰值隔膜曲率，接著隨著時間經過，隔膜表面接近均勻飽和；接著隔膜便「穩定」。如以上陳述，當隔膜的整個表面飽和時，便不再有瞬態問題。導入氣體之區域的特定形樣可受氣體進口之幾何形狀影響。例如，通過感測器中心之管的氣體進口可與電極結構之一組態使用，同時另一電極幾何可有利地用於另一進口幾何形狀。
圖5顯示依據本揭露之一部分電容壓力計(或電容壓力計組件)500，連同隔膜、隔板及具有保護結構之電極結構的細部圖。裝置500包括置於電極結構504與隔板514之間之隔膜502。如同所示，隔板514具有一或更多隙孔516以允許氣體至鄰近隔膜502之區域。電極結構504包括內電極506及外電極508。使用中，隔膜502形成內及外電極之共同電極(其可有效地形成內及外電容器)。隔膜可使用特定或專用結構用作若干實施例之共同電極。電極及/或隔膜可電連接作為電路之一部分(未顯示)，例如，依據隔膜502之偏轉形成適於電容測量之橋接器。任何適當導電材料可用於電極，例如，銅、銀、其合成物等。例如，如同間隙512內所示，置於內電極506與外電極508之間為保護結構或保護510。電容壓力計組件500亦可包括支撐結構(未顯示)，經配置以支撐隔膜502，使得隔膜502(更具體地為隔膜502之周長)相對於電極結構503被約束。雖然顯示一隔板用於壓力計500，若干實施例中可使用二或更多隔板。
保護510形成分離內電極506及外電極508之電極結構的區域，且未致力於電容測量。可組配保護510及隙孔516使得保護510及隙孔516一般集中並彼此相對。如同所示及文中所說明之隔膜可以任何適當材料製成。在示範實施例中，可使用所謂超合金。範例包括但不侷限於希司合金(HASTE ALLOY)、愛康合金(INCONEL)、沃斯合金(WASPALOY)、連尼合金(RENE ALLOY)(例如， RENE 41、RENE 80、RENE 95、RENE 104)、海恩斯合金(HAYNES ALLOY)、鎳鉻鐵合金、MP98T、TMS合金、及CMSX單晶合金。在若干其他實施例中，例如，在隔膜之參考側可使用適當不鏽鋼合金、礬土或鈀玻璃。為易於理解，顯示簡化電連接。
圖5中所描繪之結構組態可提供各式好處。例如，藉由增加內電極506與外電極508之間之距離，可增加壓力計500之壓力靈敏度。對進一步範例而言，相對於電容測量，藉由呈現非作用區之保護510，若非所有錯誤係藉由鄰近隙孔516之區域(即首先接收匯入氣體之隔膜的區域)中隔膜之瞬態變形導入，裝置有效地忽視大部分。由於最初峰值瞬態係藉由保護510屏蔽，且電極間隙間距中之改變通常藉內電極506及外電極508而隨時間均衡，可減輕測量錯誤。當然，雖然圖5中顯示保護510，在另一實施例中，保護510可省略，且隙孔516一般或精確地集中於間隙512。
圖6顯示依據本揭露之包括隔膜、隔板、及具保護結構之電極結構的電容壓力計600之一部分的側視及剖面圖。裝置600包括具與電極結構604分離之隔膜602的外殼601。電極結構604包括藉保護610分離之內電極606及外電極608。結構可具有如同所示之圓形組態。如同所示，可以任何適當材料建構外殼601，並經組配以允許氣體流616經過進口618，而允許氣體至鄰近隔膜602之區域。外殼601亦可包括或提供支撐結構經配置以支撐隔膜602，使得隔膜602之周長相對於電極結構604而被約束。呈現隔板612以控制氣體進入至鄰近隔膜602之區域。隔板612包括一或更多隙孔614，其策略性關於保護610配置。例如，隙孔614之中線可集中(或多或少)於保護610之中線。如先前所說明，此組態可有利於減少因隔膜602之瞬態表面變形的測量錯誤。
圖A中所描繪之截面A-A顯示於二電極606及608之間具相對寬區域之保護610的電容式感測器600。在圖B1中，截面B-B顯示具有環狀槽之隔板612，以允許氣體進入保護610上之區域，同時在圖B2中，截面B-B顯示具有環狀圓形隙孔614之隔板612，以允許氣體進入保護610上之區域。
雖然先前範例已描繪電極及保護結構為圓形，該些結構可具有其他形狀，例如，可具鋸齒或線性特徵及/或可具有所欲組態之彎曲特徵。圖7A為依據本揭露之具有電容壓力計之平滑鋸齒特徵的電極及保護結構700A之概略俯視圖。電極結構700A可包括其間配置保護706A之內電極702A及外電極704A。如同所示，可視需要選擇內電極702A之周長，例如，具有平滑鋸齒之周長。如同所示，保護706A之內周長可以互補之方式組配。外電極704A之內周長及保護706A之外周長可選擇地以類似方式組配。在示範實施例中，外電極704A可具有平滑鋸齒特徵，或可具有蛇形形狀以增加其上實施電容測量之半徑寬度(或距離)；該等形狀可有助於均衡內及外電極之間各因隔膜曲率及偏轉改變而歷經電容改變的時間。
類似於圖7A之其他範例可包括使用所欲形狀或輪廓，例如，在導體周長之流暢線條，例如具蛇形形狀之外電極，及內及外電極間之區域以及位置，例如，外電極之徑向外的保護。圖7B為依據本揭露之具有電容壓力計(或壓力計組件)之圓滑流暢特徵的電極及保護結構700B之範例之概略俯視圖。電極結構700B可包括其間配置保護706B之內電極702B及外電極704B。如同所示，可視需要選擇或設計內電極702B之周長，例如，具有圓滑流暢周長。如同所示，保護706B之內周長可(但不一定)以互補之方式組配。外電極704B之內周長及保護706B之外周長可選擇地以類似方式組配。如同所示，外電極704B可包括或具有非連續電極形狀，其具有第一端及第二端，且第一端及第二端分離。外電極704B可藉由間隙712而與例如保護706B之周圍或鄰近結構分離。
圖8為依據本揭露之電容壓力計800的電極及保護結構之進一步範例之概略側視圖。電容壓力計800類似於圖6中所示裝置，並包括具與電極結構804分離之隔膜802的外殼801(具與圖6中所示之不同形狀)。電極結構804包括藉由保護810分離之內電極806及外電極808。結構可具有如同所示之圓形組態。如同所示，外殼801經組配以允許氣體流經過進口818，而允許氣體至鄰 近隔膜802之區域。呈現隔板812以控制氣體進入至鄰近隔膜802之區域。隔板812包括一或更多隙孔814，其策略性關於保護810而配置。例如，隙孔814之中線可集中(或多或少)於保護810之中線。如圖8中所見，內壁形狀可為氣體流進入壓力計之隔膜部分的重要因素或影響，特別是由於氣體可為分子流(其中氣體分子相較於彼此撞擊更可能撞擊壁)。
圖9A-9B顯示依據本揭露之電容壓力計組件900A-B之電極結構及隔膜二圖，描繪不同時間之隔膜的瞬態變形，在圖9A中，描繪組件900A於導入反應氣體而產生之隔膜變形的時間相關縱斷面(1-5)的第一連續，同時在圖9B中，顯示時間相關縱斷面(1-5)的第二連續。在圖9A-9B二者中，壓力計組件900A-B包括沿縱向(或校準)軸與包括外電極904、保護906、及內電極908之電極結構903分離之隔膜902。隔膜可充當外及內電極904及908之共同電極。如同所示，壓力計組件900A-B可具有相對於中心線910而對稱之半徑。隔板912可用於組件並可包括一或更多進口或隙孔914，以允許氣體進入壓力腔(「Px」)920，其部分係由壓力腔體922(其可包括隔板912)所定義。電容壓力計組件亦可包括支撐結構(未顯示)經配置以支撐隔膜902，使得隔膜902相對於電極結構903而被約束。如圖9A中所示，壓力腔體922可經組配以呈現跨越隔膜902之深度均勻的高壓間或壓力腔920(以L1表示)。在其他範例中，如圖9B中所示，例如壓力腔體922可經組配以呈現跨越隔膜902之非深度均勻之改變的高壓間或壓力腔920(以L2及L3表示)。當然，雖然圖9B中標示非深度均勻(即階梯狀縱斷面)，本揭露之範圍內可使用其他組態，例如，具有所欲線性斜率、所欲指數縱斷面、或任何其他所欲縱斷面。
如圖9A中所示，雖然隔板隙孔914一般例如可相對於保護906之中心線916而集中，隔板隙孔914可置於保護中心線916之內部或外部(例如，在中間的三分之一以內或保護的其他位置)，以操縱隔膜902之曲率及偏轉的改變時序及內及外電極904及908之間之電容改變。圖9A中顯示隙孔中心線918之代表位移 「H」。在圖9B中，保護916之中心線顯示為與隙孔中心線918相符。
如圖9B中所示，可視需要設計Px腔體922之形狀，例如，具有隨距中心線910之半徑距離而改變之壁縱斷面，以加速或減速反應氣體流，因而操縱隔膜之曲率及偏轉。從隔板912中之隙孔914徑向向外流動之反應氣體通過於Px腔中形成之縮小通道(顯示為錐形，但可使用其他幾何形狀)，接著進入窄通道(以PXCAV O表示)，其將製造隔膜902之更大曲率及偏轉的反應氣體集中，同時減速反應氣體流。反應氣體徑向向內流動，擴散進入更深高壓間(以PXCAV I表示)並加速，減少隔膜表面之反應氣體的集中，減少隔膜之曲率及偏轉中引發之改變。咸信以此方式發生相對於高壓間或壓力室高度(例如，薄相對於深通道)之半徑方向的反應氣體速度，因為對極小間隙而言，當反應氣體以半徑方向流動時，實質上被金屬表面「吸氣」(或吸收/吸附)。氣體分子於腔中以其特定分子量及溫度而以音速行進。反應氣體分子在「吸附波前」的一般附近可遭受較超越此波前之更大距離之與壁更多碰撞，且因吸附及接著擴散進入金屬表面而消耗反應氣體。此基本上製造腔中反應氣體之半徑流的有效速度。對深高壓間而言，可存在更多分子行進通過波前並進一步徑向沿壁襲擊壁，及更多分子沿壁平行方向。當存在非反應及反應氣體之混合物時，非反應氣體未於波前被「吸氣」並沿腔更快地行進。從壓力腔920之形狀產生的影響可用於操縱隔膜902之整體時序及偏轉，並減少及/或減輕壓力計感測器900A-B之輸出上的非壓力影響。此外，亦可修改體壁之表面磨光或表面化學以影響隔板及隔膜周圍之氣體流。
圖10為依據本揭露之電容壓力計的電極及保護結構1000之另一範例之概略側視圖。電極結構1000類似於圖5中所示，但包括額外保護。裝置結構包括置於電極結構1004與隔板1014之間之隔膜1002。如同所示，隔板1014具有一或更多隙孔1016以允許氣體至鄰近隔膜1002之區域。電極結構1004包括內電極1006及外電極1008。置於內電極1006與外電極1008之間者為第一或內保護1010。內保護1010形成與內電極1006及外電極1008分離之 電極結構且未致力於電容測量之區域。內保護1010及隙孔1016可經組配使得內保護1010及隙孔1016大體上集中且彼此相對，例如，如同所示有關於半徑R。如同所示，亦可呈現第二或外保護1012以進一步減輕測量錯誤。為易於理解，顯示簡化電連接。
圖10中所示之實施例可具有特別優點用於同相之電極電壓的應用。對該等應用而言，保護電壓可精確地依循電極電壓。
圖11為依據本揭露之電容壓力計1100的電極及保護結構之進一步範例之概略側視圖。電容壓力計1000包括外殼1101，其包括隔膜1102、進口1103、及用於測量允許至裝置之氣體壓力的電極及保護結構1104。電極及保護結構1104於結構1104之表面上包括與二保護分離之內電極1106及外電極1108、內保護1110及外保護1112。內保護1110及外保護1112藉由一或更多間隙1111而分離。亦呈現週邊保護1114。隔板1120於所欲戰略位置具有一或更多隙孔1122。為易於理解，顯示簡化電連接。
如圖11中所示，對電極及保護結構1104而言，內保護1110與外保護1112之間之間隙1111可(或多或少)沿隙孔1122之中線1124對齊。結果，除了內保護劃分為二保護以外，電極及保護結構1104類似於圖10中所說明。
圖11中所示之實施例可具有特別優點用於相位差180°之電極電壓的應用，例如，如典型電壓器橋接器前端。對該等應用而言，內保護電壓可精確地依循內電極電壓，同時外保護電壓可精確地依循外電極電壓。
圖12為依據本揭露之具遭受表面變形之隔膜的電容壓力計結構1200之一部分之詳細側視圖。結構1200類似於圖11之壓力計1100，並包括隔膜1202、電極及保護結構1204、及具有一或更多隙孔1216之隔板1214。電極及保護結構1204包括藉內保護1210及外保護1212而分離之內電極1206及外電極1208。內保護1210及外保護1212藉間隙1220而分離。內保護1210與外保護1212之間之間隙1220可(或多或少)沿隙孔1216之中線1218對齊。
如隔膜1202之虛輪廓線所示，當允許例如氟原子之反應氣體至壓力計結構1200時，隔膜可達成變形形狀。如先前所說明，該等變形可為短暫並可隨時間維持，達到穩態狀況。變形之形狀可造成隔膜部分相對於電極及保護結構1204之平面(或表面)的正及負位移。如同所示，隔膜可達成類似於辛格函數或第一類貝塞爾函數之表面縱斷面。藉由如同所示配置內及外保護及間隙1220，於壓力計1200之作業期間，可減輕或最小化從變形隔膜產生之測量錯誤。
隔板槽可直接置於保護環之中心(或大致如此)，以集中峰值曲率及位於將未測量位置之隔膜相應軸偏轉。示範實施例可僅利用一隔板。不需第二隔板但仍可使用二或更多隔板。對示範實施例而言，隔板可使用單一圓周槽，或製造小量之槽，例如010吋寬。
優點：
本揭露之示範實施例可提供一或更多下列優點：使用相對厚高張力隔膜可提供由程序修改隔膜材料之極薄層引發的膜彎曲應變，其係由固化元件抵制；因而減少隔膜曲率之整體改變。
減少製造成本。
最大化或增加壓力靈敏度。
減少因隔板槽孔位置而從程序修改(引發)隔膜變形產生之測量錯誤，其集中峰值曲率及位於將未測量位置之隔膜相應軸偏轉。
藉由使用較小電極間隙而維持充分基底電容。
破除使用陷阱之需要。
減少系統之時間常數，相較於先前技術，其可提供更快速系統響應。
示範實施例：
本揭露之示範實施例可包括電容式壓力計或電容式壓力計組件，包含： (a)包括導電材料之隔膜，及(b)包括內或中心電極及外電極之電極結構，其中，隔膜可相對於(I)當隔膜每側壓力相同時之零位與(II)當最大可測量差分壓力施加於隔膜時之最大差分位置之間之電極結構而移動；以及具一或更多隙孔之隔板經組配以允許氣體至鄰近隔膜之區域，其最小化因壓力以外之影響造成隔膜之表面變形的影響。
隔板中之一或更多隙孔可經組配而對齊隔膜上之電極間之間隙。
超合金可用於壓力計之隔膜。
本揭露之進一步示範實施例可包括電容式壓力計或電容式壓力計組件，包含： (a)包括導電材料之隔膜，及(b)包括內或中心電極、外電極及置於內與外電極間之保護結構之電極結構，其中，隔膜可相對於(i)當隔膜每側壓力相同時之零位與(ii)當最大可測量差分壓力施加於隔膜時之最大差分位置之間之電極結構而移動；以及具一或更多隙孔之隔板經組配以允許氣體至鄰近隔膜之區域。
保護結構可包括連續保護或藉間隙而分離之內及外保護。
保護結構可包括第三保護，其置於鄰近距電極結構中心較大半徑距離之外電極的電極結構上。
隔板中之一或更多隙孔可經組配以對齊電極及/或隔膜上之保護結構間之間隙。
超合金可用於壓力計之隔膜。
已討論之元件、步驟、程序、方法、結構、特徵、好處及優點僅為描繪。不希望它們或相關討論侷限以任何方式保護之範圍。亦可考量許多其他實施例。該些包括具有較少、額外及/或不同元件、步驟、特徵、好處及優點之實施例。該些亦包括實施例其中元件及/或步驟係不同配置及/或順序。例如，雖然文中以雙電極電容壓力計之內容說明實施例，本揭露之其他實施例可應用於 單一電極。
此外，雖然文中說明各式材料及/或元件，當然其他適當材料及/或元件可額外使用或替代所說明者。
再者，文中所說明之方法、步驟、程序及/或演算法可藉由適當電腦系統、電腦裝置、及/或電腦處理器(例如，CPU或圖形處理單元等)實施；而且，其可實施或使用記憶體單元或儲存位置，其可為或包括製品，包括非短暫性機器可讀取儲存媒體；以及嵌入機器可讀取儲存媒體中之可執行程式指令，當藉由處理器或可程控計算裝置執行時，組配可程控計算裝置以實施、執行或控制方法、步驟、程序、及/或演算法之效能。例如，文中所說明之電極及隔膜結構可基於在連同適當通訊網路配置之適當電腦系統上運行之電腦輔助繪圖軟體的協助而予以實施。對進一步範例而言，文中所說明之電容壓力計的測量電子裝置可連接至適當通訊網路，例如，用於製造及/或測量。
除非特別表明，本說明書中所提出且包括於申請項中之所有測量、值、比例、位置、大小、尺寸及其他規格均為概略而非精確。希望其具有合理範圍，與相關函數或與其相關習知技藝相符。已提及或呈現於本揭露中之所有文章、專利、專利應用、說明書及其他發佈，均以提及之方式併入本文。
500‧‧‧電容壓力計
502‧‧‧隔膜
504‧‧‧電極結構
506‧‧‧內電極
508‧‧‧外電極
512‧‧‧間隙
514‧‧‧隔板
516‧‧‧隙孔
518‧‧‧中心線
510‧‧‧保護
520‧‧‧氣體流

Claims (19)

  1. 一種電容式壓力計組件，包含：包括一導電材料之一隔膜；包括一內電極及一外電極之一電極結構，其中，該內電極及該外電極彼此分離，其中，該隔膜可相對於該電極結構而於(i)當該隔膜之每側壓力相同時之零位與(ii)當最大可測量差分壓力施加於該隔膜時之最大差分位置之間移動；一支撐結構，經配置以支撐該隔膜使得該隔膜相對於該電極結構而被約束，且該隔膜與該內電極及該外電極分離並相對於該壓力計之校準軸而軸向對齊該內及外電極；以及具一或更多隙孔之一隔板，經組配以允許氣體至鄰近該隔膜之區域，其中，該隔板經組配以減少因反應氣體之該隔膜表面變形的影響。
  2. 如申請專利範圍第1項之電容式壓力計組件，其中，該隔板中該一或更多隙孔經組配而沿該電容式壓力計組件之該校準軸對齊，且該隔膜上該內電極與該外電極之間具有一間隙。
  3. 如申請專利範圍第1項之電容式壓力計組件，其中，該隔膜包含超合金。
  4. 如申請專利範圍第1項之電容式壓力計組件，進一步包含具有允許氣體之一進口的一外殼，其中，該隔膜、該電極結構、該支撐結構、及該隔板係置於該外殼內。
  5. 一種電容式壓力計組件，包含：包括一導電材料之一隔膜；包括一內電極、一外電極、及置於該內電極與該外電極之間之保護結構的一電極結構，其中，該隔膜可相對於該電極結構而於(i)當該隔膜之每側壓力相同時之零位與(ii)當最大可測 量差分壓力施加於該隔膜時之最大差分位置之間移動；一支撐結構，經配置以支撐該隔膜使得該隔膜相對於該電極結構而被約束，且該隔膜與該內電極及該外電極分離並相對於該壓力計之校準軸而軸向對齊該內電極及該外電極；以及具一或更多隙孔之一隔板，經組配以允許氣體至鄰近該隔膜之區域，其中，該隔板經組配以減少因反應氣體之該隔膜表面變形的影響。
  6. 如申請專利範圍第5項之電容式壓力計組件，其中，該保護結構包含連續保護。
  7. 如申請專利範圍第5項之電容式壓力計組件，其中，該保護結構包含藉由一間隙分離之一內及外保護。
  8. 如申請專利範圍第7項之電容式壓力計組件，其中，該保護結構包含一第三保護，其係以距該電極結構之中心較大半徑距離置於鄰近該外電極之該電極結構上。
  9. 如申請專利範圍第5項之電容式壓力計組件，其中，該隔板中之該一或更多隙孔經組配以對齊並平行於該電容式壓力計組件之該校準軸，且該隔膜上之該電極之間或該電極之其中一者與該保護結構之間具有一間隙。
  10. 如申請專利範圍第5項之電容式壓力計組件，其中，該隔膜包含超合金。
  11. 如申請專利範圍第5項之電容式壓力計組件，進一步包含具有允許氣體之進口的一外殼，其中，該隔膜、該電極結構、該支撐結構、及該隔板係置於該外殼內。
  12. 如申請專利範圍第5項之電容式壓力計組件，其中，該外電極包含具有依第一端及一第二端之一非連續電極，其中，該第一端及第二端相分離。
  13. 如申請專利範圍第5項之電容式壓力計組件，其中，該隔板中之該一或更多隙孔經組配而以平行於該電容式壓力計組件之該校準軸的方向與該隔膜上之該保護結構對齊。
  14. 如申請專利範圍第13項之電容式壓力計組件，其中，該保護結構包含藉由一間隙分離之一內及外保護。
  15. 如申請專利範圍第14項之電容式壓力計組件，其中，該保護結構包含一第三保護，其係以距該電極結構之中心較大半徑距離置於鄰近該外電極之該電極結構上。
  16. 如申請專利範圍第13項之電容式壓力計組件，其中，該隔板中之該一或更多隙孔係以平行於該電容式壓力計組件之縱軸的方向與該隔膜上該保護結構之內三分之一對齊，其中，該保護結構以距該電極結構之中心的半徑方向劃分為內、中、及外三分之一。
  17. 一種電容式壓力計組件，包含：一外殼；包括一導電材料之一隔膜；包括一內電極及一外電極之一電極結構，其中，該內電極及該外電極彼此分離，其中，該隔膜可相對於該電極結構而於(i)當該隔膜之每側壓力相同時之零位與(ii)當最大可測量差分壓力施加於該隔膜時之最大差分位置之間移動；一支撐結構，經配置以支撐該隔膜使得該隔膜相對於該電極結構而被約束，且該隔膜與該內電極及該外電極分離並相對於該壓力計之校準軸而軸向對齊該內及外電極；以及 具一或更多隙孔之一隔板，經組配以允許氣體至鄰近該隔膜之區域，其中，該隔板經組配以減少因反應氣體之該隔膜表面變形的影響。
  18. 如申請專利範圍第17項之電容式壓力計，其中，該電極結構進一步包含置於該內電極與該外電極之間之一保護結構。
  19. 如申請專利範圍第18項之電容式壓力計，其中，該保護結構包含藉由一間隙分離之一內及外保護。
TW101137478A 2011-10-11 2012-10-11 壓力感測器 TWI532982B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161545790P 2011-10-11 2011-10-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201337229A true TW201337229A (zh) 2013-09-16
TWI532982B TWI532982B (zh) 2016-05-11

Family

ID=47116417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101137478A TWI532982B (zh) 2011-10-11 2012-10-11 壓力感測器

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8887575B2 (zh)
EP (1) EP2766705B1 (zh)
JP (2) JP5826943B2 (zh)
KR (2) KR101849211B1 (zh)
CN (2) CN104145179B (zh)
DK (1) DK2766705T3 (zh)
SG (2) SG10201509452UA (zh)
TW (1) TWI532982B (zh)
WO (1) WO2013055882A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI532982B (zh) * 2011-10-11 2016-05-11 Ｍｋｓ公司 壓力感測器
JP6002016B2 (ja) * 2012-11-30 2016-10-05 アズビル株式会社 静電容量型圧力センサ
JP2014126504A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Azbil Corp 静電容量型圧力センサ
JP5993312B2 (ja) * 2013-01-16 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 圧力測定器及びその圧力測定器を備える基板処理装置
US9562820B2 (en) * 2013-02-28 2017-02-07 Mks Instruments, Inc. Pressure sensor with real time health monitoring and compensation
JP6231812B2 (ja) * 2013-08-09 2017-11-15 アズビル株式会社 静電容量型圧力センサ
JP6126545B2 (ja) * 2014-03-20 2017-05-10 アズビル株式会社 静電容量型圧力センサ
JP2016097033A (ja) * 2014-11-20 2016-05-30 キヤノン株式会社 静電容量型トランスデューサ、及び被検体情報取得装置
DE102014118616A1 (de) * 2014-12-15 2016-06-16 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druckmessaufnehmer
JP2018535914A (ja) * 2015-10-30 2018-12-06 コーニング インコーポレイテッド ３ｄ形状のガラス系物品、それを製造する方法及び装置
JP6608332B2 (ja) * 2016-05-23 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6815221B2 (ja) * 2017-02-17 2021-01-20 アズビル株式会社 静電容量型圧力センサ
CN107505069B (zh) * 2017-10-17 2023-06-09 河北工业大学 一种基于电容式位移传感器的压力检测系统
CN107843379B (zh) * 2017-12-13 2023-09-22 沈阳市传感技术研究所 装配式定电极的电容压力传感器
JP6981885B2 (ja) * 2018-01-23 2021-12-17 アズビル株式会社 静電容量型圧力センサの異常検知方法および装置
CN108593198A (zh) * 2018-04-23 2018-09-28 武汉华星光电技术有限公司 电容式隔膜真空计及干刻蚀设备腔体压力测试系统
CN108760140A (zh) * 2018-07-26 2018-11-06 沈阳白云机械有限公司 压力检测仪
CN109746177B (zh) * 2019-03-12 2024-03-12 重庆大学 压电超声换能器及其工作方法
US11287342B2 (en) * 2020-03-20 2022-03-29 Mks Instruments, Inc. Capacitance manometer with improved baffle for improved detection accuracy
TWI783803B (zh) * 2021-12-01 2022-11-11 台灣電力股份有限公司 蒸汽壓力量測方法
CN114264403A (zh) * 2021-12-03 2022-04-01 北京晨晶精仪电子有限公司 真空规颗粒阻挡结构
KR102631601B1 (ko) * 2023-06-05 2024-02-02 주식회사 이너센서 접촉 연소식 가스 센서용 감지 소자 및 이를 포함하는 접촉 연소식 가스 센서

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4499773A (en) 1983-04-28 1985-02-19 Dresser Industries, Inc. Variable capacitance pressure transducer
US4785669A (en) 1987-05-18 1988-11-22 Mks Instruments, Inc. Absolute capacitance manometers
JPH01262432A (ja) * 1988-04-12 1989-10-19 Nec Corp 隔膜容量型真空計
US4823603A (en) 1988-05-03 1989-04-25 Vacuum General, Inc. Capacitance manometer having stress relief for fixed electrode
JPH0375500U (zh) * 1989-11-27 1991-07-29
US5271277A (en) * 1991-12-23 1993-12-21 The Boc Group, Inc. Capacitance pressure transducer
JP2815279B2 (ja) * 1993-03-30 1998-10-27 本田技研工業株式会社 圧力センサー
US5396803A (en) * 1993-07-07 1995-03-14 Tylan General, Inc. Dual balanced capacitance manometers for suppressing vibration effects
US5625152A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Mks Instruments, Inc. Heated pressure transducer assembly
US5808206A (en) 1996-01-16 1998-09-15 Mks Instruments, Inc. Heated pressure transducer assembly
US5811685A (en) * 1996-12-11 1998-09-22 Mks Instruments, Inc. Fluid pressure sensor with contaminant exclusion system
SE9700612D0 (sv) 1997-02-20 1997-02-20 Cecap Ab Sensorelement med integrerat referenstryck
US5942692A (en) 1997-04-10 1999-08-24 Mks Instruments, Inc. Capacitive pressure sensing method and apparatus avoiding interelectrode capacitance by driving with in-phase excitation signals
US5911162A (en) 1997-06-20 1999-06-08 Mks Instruments, Inc. Capacitive pressure transducer with improved electrode support
US5965821A (en) 1997-07-03 1999-10-12 Mks Instruments, Inc. Pressure sensor
US20040099061A1 (en) 1997-12-22 2004-05-27 Mks Instruments Pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures
US6568274B1 (en) 1998-02-04 2003-05-27 Mks Instruments, Inc. Capacitive based pressure sensor design
US6029525A (en) 1998-02-04 2000-02-29 Mks Instruments, Inc. Capacitive based pressure sensor design
JP3260721B2 (ja) * 1999-04-02 2002-02-25 山形日本電気株式会社 ダイヤフラム真空計
TW418296B (en) * 1999-06-30 2001-01-11 Koninkl Philips Electronics Nv A low-pressure apparatus for carrying out steps in the manufacture of a device, a method of manufacturing a device making use of such an apparatus, and a pressure control valve
US6105436A (en) 1999-07-23 2000-08-22 Mks Instruments, Inc. Capacitive pressure transducer with improved electrode support
US6443015B1 (en) * 1999-09-10 2002-09-03 Mks Instruments, Inc. Baffle for a capacitive pressure sensor
US6672171B2 (en) 2001-07-16 2004-01-06 Mks Instruments, Inc. Combination differential and absolute pressure transducer for load lock control
US6901808B1 (en) 2002-02-12 2005-06-07 Lam Research Corporation Capacitive manometer having reduced process drift
US6993973B2 (en) 2003-05-16 2006-02-07 Mks Instruments, Inc. Contaminant deposition control baffle for a capacitive pressure transducer
FR2859528B1 (fr) 2003-09-09 2006-01-06 Thales Sa Gyrometre micro-usine a double diapason et a detection dans le plan de la plaque usinee
US6909975B2 (en) 2003-11-24 2005-06-21 Mks Instruments, Inc. Integrated absolute and differential pressure transducer
JP2005351744A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Nabtesco Corp 静電容量型圧力センサ
JP4014006B2 (ja) * 2004-06-17 2007-11-28 株式会社山武 圧力センサ
US7201057B2 (en) 2004-09-30 2007-04-10 Mks Instruments, Inc. High-temperature reduced size manometer
US7141447B2 (en) 2004-10-07 2006-11-28 Mks Instruments, Inc. Method of forming a seal between a housing and a diaphragm of a capacitance sensor
US7137301B2 (en) 2004-10-07 2006-11-21 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor
US7000479B1 (en) 2005-05-02 2006-02-21 Mks Instruments, Inc. Heated pressure transducer
JP4989659B2 (ja) * 2006-01-18 2012-08-01 インフィコン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ダイヤフラムを備える真空測定セル
GB2454130B (en) 2006-08-09 2011-05-25 Mks Instr Inc Constant power dissipation an capacitance pressure transducers
US7706995B2 (en) 2007-04-16 2010-04-27 Mks Instr Inc Capacitance manometers and methods relating to auto-drift correction
US7757563B2 (en) 2008-04-10 2010-07-20 Mks Instruments, Inc. Capacitance manometers and methods of making same
US8704538B2 (en) * 2010-07-01 2014-04-22 Mks Instruments, Inc. Capacitance sensors
TWI532982B (zh) * 2011-10-11 2016-05-11 Ｍｋｓ公司 壓力感測器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013055882A1 (en) 2013-04-18
EP2766705A1 (en) 2014-08-20
CN104145179A (zh) 2014-11-12
EP2766705B1 (en) 2019-08-28
JP6063540B2 (ja) 2017-01-18
US8887575B2 (en) 2014-11-18
SG11201401275TA (en) 2014-05-29
KR20140088144A (ko) 2014-07-09
KR101849211B1 (ko) 2018-04-16
JP2014528593A (ja) 2014-10-27
JP5826943B2 (ja) 2015-12-02
US20130189160A1 (en) 2013-07-25
JP2016029385A (ja) 2016-03-03
TWI532982B (zh) 2016-05-11
CN104145179B (zh) 2016-11-09
CN105758579A (zh) 2016-07-13
CN105758579B (zh) 2019-06-11
KR20160012247A (ko) 2016-02-02
SG10201509452UA (en) 2015-12-30
DK2766705T3 (da) 2019-10-28
KR101588725B1 (ko) 2016-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI532982B (zh) 壓力感測器
KR101529791B1 (ko) 정전 용량형 압력 센서
JP5680677B2 (ja) 容量型圧力センサ
US11054331B2 (en) Method and device for detecting malfunction of electrostatic-capacitance pressure sensor
EP2761265B1 (en) Capacitive pressure sensor with improved electrode structure
JP2016526153A (ja) 一体型バッフル付きｍｅｍｓ圧力センサ
US8561471B2 (en) Capacitive pressure sensor with improved electrode structure
US11287342B2 (en) Capacitance manometer with improved baffle for improved detection accuracy
JP5169608B2 (ja) 静電容量式圧力センサおよび静電容量式圧力検出装置
JP2000356563A (ja) 静電容量型圧力検出素子
RU1796934C (ru) Емкостный дифманометр
JPH08261856A (ja) 差圧検出装置