JP4989659B2 - ダイヤフラムを備える真空測定セル - Google Patents

Description

本発明は、請求項１の前提項に記載されているダイヤフラムを備える真空測定セルに関する。

全真空測定セルは、真空室内の全圧を測定するために利用される。真空測定セルは、さまざまな真空プロセスの監視にあたって利用されている。典型的な真空プロセスとしては、たとえばコーティング法やエッチング法といった表面処理プロセスがある。このような種類の方法は、たとえば１０^−５ｍｂａｒから１００ｍｂａｒの圧力範囲で作業が行われる。いわゆるピラニ真空測定セルまたはいわゆるダイヤフラム真空測定セルを用いて、このような圧力範囲を測定するのが普通である。このとき１つの問題は、プロセスガスあるいは残留ガス成分が真空センサをプロセス中に汚染する可能性があるという点にある。その結果として、不正確または誤差のある測定ないし圧力表示が生じる。このとき真空測定セルは、プロセスに曝露された時間に応じて、真空測定セルないしその周辺の洗浄によって必ずしも除去もしくは復旧することのできないドリフト挙動を示す。ダイヤフラム測定セルは、考えられる汚染に対して特別に敏感である。このような種類のダイヤフラム測定セルでは、測定されるべき圧力の存在に依存して薄いダイヤフラムが撓む。このようなダイヤフラムの撓みが測定されて、測定されるべき真空圧力を表す目安としての役目をする。容量式のダイヤフラム測定セルでは、ダイヤフラムと固体の間のキャパシタンスの変化を通じてダイヤフラムの撓みが測定される。光学式のダイヤフラム測定セルでは、このような撓みが光学式の手法で検出され、たとえば干渉計の方式で検出される。その場合、このような圧力範囲を高い感度で測定できるようにするには、ダイヤフラムをたとえば４０から７６０μｍの範囲内で非常に薄く形成しなくてはならない。ガスおよび／または粒子によるこのように薄いダイヤフラムの汚染は、それによって堆積層が生じる可能性さえあり、ダイヤフラムにおける引張応力および／または圧縮応力につながり、このような応力がダイヤフラムの変形に追加的に影響を及ぼし、その結果として、たとえば測定されるべき絶対値に関する誤測定や、時間を通じての望ましくないドリフト挙動につながる。このときさらに測定セルの分解能すなわち精度も低下し、その一方で、測定結果の再現性も保証されなくなる。

このような種類の汚染を減らすために、従来、専門分野ではバッフルとも呼ばれる平坦な阻流板が用いられており、その様子は容量式のダイヤフラム真空測定セルを例にとって図１に図示されている。この真空測定セル１５は、平たい円形の第１のハウジング部分１と、平たい円形の第２のハウジング部分４とで構成されており、これら両方のハウジング部分の間でダイヤフラム２がたとえばガラスはんだのようなシール材３を介して封止をするように結合されており、それにより、ダイヤフラムと両方のハウジング部分の間にそれぞれ中空スペース９，１０が形成されるようになっている。一方の中空スペースは、連絡部１３を介してゲッター室１２と連通する基準真空室１０を形成する。ゲッター室１２の中には、基準真空を確実に維持するためにゲッター１１が配置されている。基準真空室１０と向かい合うダイヤフラム２の反対側には、阻流板７が中に配置された阻流板ハウジング６と出口開口部１６を介して連通する測定真空室９が形成されており、阻流板ハウジングはたとえば接続管５を介して真空測定セル１５と相応に連結されている。阻流板ハウジング６には、測定されるべき真空プロセス室と接続することができる接続開口部２２を備えた接続フランジ８が配置されている。このとき接続開口部２２は、阻流板７が真空測定セルの出口開口部１６に対する直接的な視認を不可能にするように配置されている。このように阻流板７は、望ましくないガスないし粒子が阻流板表面に当たって凝縮し、それによって真空測定セルの中に入らないようにすることによって、防護作用を発揮するようになっている。専門文献では、このような阻流板はしばしばプラズマシールドとも呼ばれている。反応性ガスを含んでいるプロセスの場合、このようなガスは主に阻流板で凝縮されるようになっている。それによってセンサドリフトを低減し、それによって測定セルの耐用寿命を延ばすようになっている。こうした平坦な阻流板は測定セルの耐用寿命を延ばしはするものの、たとえば拡散プロセスなどのせいで依然として有意な割合の粒子が阻流板の周囲を通って運ばれ、測定ダイヤフラムまで到達して、そこで測定を狂わせるのを防ぐことはできない。

本発明の課題は、従来技術の欠点を取り除くことにある。特に本発明の課題は、真空測定セルの汚染に対して、特にダイヤフラムの汚染に対して、影響を受けにくいダイヤフラム真空測定セルを具体化し、それにより、真空測定の高い測定精度と再現性を確保したままで、測定セルの耐用寿命を大幅に伸ばすことにある。さらに、ダイヤフラム測定セルを経済的に製造可能であるのが望ましい。

この課題は、請求項１の構成要件に基づく、当分野に属するダイヤフラムを備える真空測定セルによって解決される。従属請求項は、本発明の好ましい別の実施形態に関わるものである。

本発明の測定セルは、２つの平坦なハウジング部分の間に配置されたダイヤフラムを含んでおり、第１のハウジング部分は基準真空室を有しており、第２のハウジング部分は測定されるべき媒体と接続するための接続手段を備える測定真空室を有しており、ダイヤフラムの撓みを測定するための手段が設けられている。測定されるべき媒体のほうを向いているダイヤフラム表面の側にダイヤフラム表面が構造を有しており、それにより、測定セルが著しい汚染をもたらす媒体に長期間にわたって曝露されても、ダイヤフラムの歪みが緩和もしくは防止される。それによって、このような媒体での使用が初めて可能になる場合があり、あるいは、必要な測定精度を維持しながら測定セルの耐用寿命が大幅に長くなる。

構造化は、もっとも単純な場合、段状の線形パターンとして構成されていてよく、このような線形パターンは、細い分離線によってであれ、あるいは好ましくは中断部によってであれ、堆積層が細かいゾーンへといくつにも分割されるように作用し、その結果、その歪み作用に関してもダイヤフラム面全体にわたって分割が行われることになる。構造の配置は、周期的および／または非周期的な間隔をもつ格子形であってよく、あるいは同心的に配置されていてよく、あるいはそれ以外の部分領域に分割されていてよい。

構造化はオーバーハングのある段部を有しているのも好ましく、それにより、前面領域のエッジが一種の覆いをつくり、段部の底面は少なくともエッジ領域では堆積物によってわずかにしか覆われず、もしくはまったく覆われず、それによって応力を生成する層が中断されるか、または応力が少なくとも弱められるようになっている。

さらに、構造が著しくオーバーハングになっており、それによって断面で見てテーブル状の形態またはキノコ状の形態を有するようになっていると好ましい。２つ以上のこのような種類の構造を相上下して配置するのも好ましく、それにより構造の開口部のところで、ダイヤフラムの正面から底面への直接の視認が阻止される。このような種類のラビリンス形成により、汚染がダイヤフラムの底面まで達するのを高い程度に回避することができ、しかもこれは粒子拡散が起こった場合にも成り立ち、堆積層が確実に断絶され、そのようにして応力の発生が回避される。

構造の高さは、堆積層の予想される厚さに応じて堆積層の確実な断絶が実現されるように、すなわちおよそ０．１μｍから１０μｍの範囲内で、好ましくは０．１μｍから５．０μｍの範囲内で選択されるのがよい。構造の幅は、同じく応力を十分に断絶できるようにするのに十分に狭いのがよい。この幅は、構造の厚みの２倍から２０倍の範囲内に収まっているのが好都合である。

構造の材料は、ダイヤフラムの材料と同じに選択されるのが好ましい。容量式および／または光学式の真空測定セルのための特別に好ましい用途では、真空測定セルは少なくとも実質的にＡｌ_２Ｏ_３および／またはサファイアを含んでおり、または、これらの材料のうち少なくとも１つで全面的に構成されている。

このような種類の構造は化学的なエッチングプロセスによって、および／または好ましくは真空プロセスによって、特にたとえば真空プラズマプロセスによって、たとえばスパッタエッチングや特にプラズマケミカルエッチング（反応性エッチングとも呼ばれる）によって生成することができる。半導体産業で以前から知られているいわゆるリフトオフプロセスのような除去技術も適用することができる。構造はダイヤフラムへ直接設けることができ、および／または事前に塗布しておいた薄い層に設けることもできる。
非常に大きくオーバーハングするテーブル形の配置の場合、および特に複数にわたって相上下して配置されている構造の場合、段階的にコーティングを行い、次いで、希望する構造要素をエッチングすることによって、このような構造を製作することができる。真空プロセスを適用すれば、コーティングステップだけでなくエッチングステップも同一の真空設備で行うことができる。

このようにして構造を施されたダイヤフラムが、測定セルの測定真空室すなわちダイヤフラムと測定されるべき媒体との間に配置された阻流板構造と組み合わせて使用されると、真空測定セルにとって格別に好都合な結果が得られる。このとき阻流板は、上に説明したような従来技術に基づく平板であってよい。いっそう良く適している阻流板は、以下に説明するような螺旋形の阻流板ないし渦巻阻流板である。

渦巻阻流板もしくは螺旋阻流板は、センサと真空プロセス室に通じるフランジとの間の管部材の中に配置される。このような阻流板は、上に説明したような既存の公知の阻流板に追加して使用することができる。さらに渦巻阻流板は、遮蔽作用を追加的に高めるために、複数の経路を有することができる。阻流板の渦巻形をした構成により、接続開口部から真空測定セルへの直接的な視認が確実に回避され、それによって微粉および／または粒子は、阻流板の末端に到達できるようになるまでに、表面と何度も相互反応するように強いられる。洗浄のために、または取替えができるようにするために、容易に取り外すことができるように阻流板が構成されていると好ましい。そのために、たとえばばね作用のある部材のような保持部材が阻流板自体に、および／または管状のハウジングに設けられるのが好ましく、それによって阻流板を位置に関して保持できるようにする。十分に長い耐用寿命を保証し、考えられる分解による追加の汚染を回避するために、プロセスに適合した材料で阻流板および／またはハウジングを製作するのが好都合である。反応性プロセス、特に反応性プラズマプロセスはしばしば攻撃性のガスを含んでおり、それに応じて、採用したコンポーネントに使用されている材料に対しても反応的に振舞う。そこに曝露されるコンポーネント、たとえば阻流板および／またはハウジングは、これに加えて、耐性のある適当な材料でコーティングされていてもよい。

次に、図面を参照しながら模式的かつ一例として本発明を説明する。
真空測定セルのための構造化されたダイヤフラム表面のさまざまな例について、本発明
に基づき図３ａから図３ｅで一例を説明する。各図面は、ダイヤフラム４１の一部をそれぞれ断面図として示している。ダイヤフラムは、Ａｌ_２Ｏ_３のようなセラミックおよび／または単結晶Ａｌ_２Ｏ_３のようなサファイアで実質的に構成されているのが好ましい。容量式の真空測定セルで使用するとき、ダイヤフラム４１の表面は、測定されるべき媒体と反対を向いているほうの側で、周知のとおり、コンデンサシステムの電極を形成する導電性の被覆でコーティングされている。ダイヤフラムに印加される圧力に応じて、ダイヤフラム４１は相応に変形し、コンデンサのそれぞれの電極の間隔が変化し、そのようにしてそのキャパシタンスが測定されて評価され、測定されるべき圧力の大きさと相関関係にある信号が形成される。光学式のダイヤフラム真空測定セルでは、たとえばファブリ・ペロ・システムを通じて、ダイヤフラムの撓みが光学式に測定される。ところでダイヤフラム４１が媒体側で汚染されていると、一種の堆積層４０がダイヤフラム表面４１ａに凝縮し、この堆積層４０はダイヤフラム４１とは異なる材料特性によって、ダイヤフラム４１の変形につながる望ましくない圧力を生成し、その様子は図３ａに模式的に示されている。望ましくないダイヤフラムの歪みによるこのようなダイヤフラム４１の変形は、測定結果の狂いにつながり、測定の精度および特に測定セルの時間的な利用可能性ないし耐用寿命を制約する。セラミックダイヤフラムやサファイアダイヤフラムを備える前述した形式のダイヤフラム測定セルは、たとえばプラズマプロセスや、特に反応性プロセスおよび化学反応性プロセスといった汚染の危険性があるプロセスで使用されるので、この問題にはいっそう大きな意義がある。

このような望ましくないダイヤフラム４１の応力を回避するために、本発明によれば、ダイヤフラム表面４１ａを構造化して、堆積層４０によってダイヤフラム４１で生成される圧力が分割ないし分断され、それによって全体として大幅に低減されるようにし、ダイヤフラム４１が堆積層４０によってあまり追加的に曲がらないようにすることが提案される。１つの単純な段状の構造化が図３ｂに示されている。このときダイヤフラムの表面は、一例として、一種の網目のような線形の凹部を備えており、それにより、堆積層４０は段部壁の側面被覆４０ｂによって堆積条件に応じて程度の差こそあれ薄くなり、もしくは凹部の底面でエッジ領域において分断される可能性さえある。そうすれば堆積層の底面被覆４０ａは、もっとも好都合なケースでは、上側の被覆とともにダイヤフラムの連続するコーティングをもはや形成しなくなる。このような種類の構造は格子状に設置するのが好ましく、たとえばプラズマエッチングや化学エッチングによって、あるいはそれ自体周知であるリフトオフプロセスを利用して、ダイヤフラム材料から直接つくりだすことができる。あるいは、追加の層が当初のダイヤフラム表面４１ａに塗布され、そしてこの追加の層が構造化されることによって、構造を生成することもできる。この場合には、層材料はダイヤフラム材料と類似または同一であり、それ自体では追加の応力を生成しないのが好ましい。構造の厚みないし高さは、予想される堆積層４０の厚みよりも大きいのがよい。好都合な値は０．１μｍから２０μｍの範囲内であり、さらには０．１μｍから１０μｍの範囲内である。このような種類の測定セルで使用されるダイヤフラムの厚みは、ダイヤフラム直径が好ましくは５から８０ｍｍであるとき、４０μｍから７６０μｍの範囲内にある。応力を適切に低減できるようにするには、堆積層が十分な頻度でダイヤフラム面で分断され、ないしは薄くなっていなければならない。実際問題として、分割が構造の厚さの２倍から２０倍の範囲内に収まっているときに、好都合な結果が得られている。

構造化されたダイヤフラム表面のさらに別の改良された構成が、図３ｃに示されている。凹部の段部４２は、図３ｂに示すような垂直方向の段部とは異なり、ここではオーバーハングのある段部４２ａとして構成されており、それにより、希望される堆積層４０，４０ａの応力の分割に関していっそう優れた効果が生じる。このような種類のオーバーハングのある段部は、公知のエッチングプロセスで、的確なアンダーエッチングをすることによって生成することができる。

前述したオーバーハングの構造をさらに発展させると、図３ｄに示すようなテーブル状の断面をもつ構造化につながる。大きく突き出したテーブル４３の上に堆積層４０が堆積し、著しい突出によって、ダイヤフラム表面４１ａの間隙領域にある、それぞれのテーブル４３にはさまれた開口領域では、堆積層は分断された底面被覆として堆積している。テーブル台４３は比較的細いテーブル脚４３ａの上に載っており、このテーブル脚はテーブル台４３の下で偏心的または同心的に位置していてよく、覆いをつくることによって堆積層をできる限り確実に分断するために、テーブル台のオーバーハングが十分に大きくなるように作用する。いっそう確実な方法をとるために、脚部４４ａを備える追加のテーブル状の構造４４を第１のテーブル状の構造全体にわたって設けることができ、そのようにしていっそう確実な覆い作用とこれに伴う堆積層４０の分断が、図３ｅに示すようなラビリンス状の構造によって得られる。このような種類の構造は、もはや個々のエッチングステップによって直接実現することはできず、さまざまなコーティングプロセスとエッチングプロセスによって具体化しなくてはならない。

大きなオーバーハングのある段部４２ａをもつ図３ｃに示す構造化を有している例では、１００ｎｍの層厚を有する堆積層４０が構造の前面で測定されており、堆積層４０は主としてシリコンからなっていた。構造化は、直径が１９ｍｍの酸化アルミニウムダイヤフラムにプラズマエッチングによって生成されていた。ダイヤフラムの厚みは４００μｍであった。エッチングされた構造の深さは約２０μｍ、格子状の網目ないし個々の構造の間隔は約４０μｍ、食刻された構造の幅は約３０μｍであった。これはテーブル状の構造では、同じくテーブルの高さ１０μｍ、テーブル脚の幅約１０μｍで、テーブル台の厚みが約１０μｍのとき、３０μｍのテーブル幅にほぼ相当している。
格子構造がない場合、堆積層４０によって約１ＧＰａの機械的応力が生成され、それによってダイヤフラムは３．５μｍだけ変形した。構造化によって変形を係数７だけ減らすことができ、すなわち約０．５μｍまで減らすことができた。これは、測定された圧力が１３ｍｂａｒのとき、１４％の測定誤差に相当している。前述した例が示すように、本発明の方策によって、ダイヤフラム真空測定セルの測定精度ないし耐用寿命を劇的に高めることができる。構造要素の幅ないし間隔は、１０μｍから５０μｍの範囲内にある、構造化されたダイヤフラム表面の主格子として配置されていると好都合である。テーブル構造４３が採用されるときは、１から３μｍのテーブル台の厚みが格別に好適であり、このときテーブル脚の幅は、それ自体が網目間隔よりも数μｍだけ短く選択されるテーブル台の直径よりも、最大で３分の１だけ短い。ただしそれぞれの構造のあいだの間隙幅は、少なくとも、堆積層の予想される厚みもしくは許容される厚みよりも大きく選択するのがよい。本発明の方策により、ダイヤフラム真空測定セルのドリフト挙動を最大で係数１０だけ低減することができる。

図２には、ダイヤフラム真空測定セル１５と、これに配置され、螺旋状の阻流板ないし渦巻形の阻流板として構成された、構造化されたダイヤフラムとの組み合わせで格別に好適に採用することができる螺旋阻流板２０をもつ阻流板構造２５とを備える真空測定セル構造が断面図として示されている。真空測定セル１５は、第１の平たい円形のハウジング部分１と、第２の丸くて平たいハウジング部分４とで構成されており、その間で周辺部に封止をするようにダイヤフラム２が配置されている。ダイヤフラム２は、第１のハウジング部分１に対して若干間隔をおいて配置されており、その間に、基準真空を維持するためのゲッター室１２との接続配管１３を有する基準真空室が形成されるようになっている。これと向かい合う、ダイヤフラム２と第２のハウジング部分４との間のダイヤフラム側には測定真空室９が形成されており、測定真空室は好ましくは中央部で第２のハウジング部分４を通って開口部および接続管５を介して阻流板構造２５と連通しており、さらに阻流板構造は、測定されるべき真空室と連通するように連結することができる接続開口部２２を有している。このとき螺旋阻流板２０は管部材１４の内部に配置されており、螺旋阻流板２０の巻回２１が管部材１４の内壁に当接し、巻回２１のこの櫛形領域で粒子の貫流に
対する阻止が少なくとも生じるようになっており、ただし好ましくは、主として測定されるべき圧力領域でできるだけ密閉が生じるようになっている。

螺旋阻流板２０の巻回２１は、十分に高いコンダクタンスを得るために、螺旋材料の断面に比べてできるだけ広い自由経路２４の断面を生じさせる、渦巻形をした経路２４が生じるように構成されている。したがって螺旋阻流板２０の巻回２１は扁平な螺旋２０として構成されているのが好ましく、すなわち一種の薄板状の渦巻をなしている。固体材料に対する経路２４の断面をできるだけ広く維持するために、芯部２３をできるだけ短い直径で構成することができ、もしくは全面的に省略することもできる。しかしながら、芯部がたとえば２から６ｍｍの範囲内のある程度の直径を有していると好ましく、これは渦巻形をした螺旋阻流板２０に相応の安定性を与えるためであり、および、特に端部を保持部として利用できるようにするためであり、すなわち一方では管内部で阻流板を位置に関して保持するため、また他方では阻流板を洗浄目的のために交換しようとするときに、管からそのまま引き出すのを容易にする一種のグリップを反対側で形成するためである。

管部材１４の一方の側は阻流板構造２５の出口開口部１６を形成しており、真空測定セル１５の測定真空室９と連通するように連結されている。管部材１４の他方の側は、測定されるべき真空容積の接続開口部２２を形成しており、好ましくは接続フランジ８を直接有しているか、または接続フランジ８として構成されていてよい。このとき接続フランジ８は、好ましくは、さまざまな管状接続部を簡単な仕方で製作できるようにするために真空工学で通常使用される寸法をもつ、いわゆる小型フランジコンポーネントとして構成されていてよい。特に、好ましくは真空工学で知られているフランジの型式ＣＦ，ＫＦおよびＶＣＲを使用することができる。

接続開口部２２から阻流板構造２５の出口開口部１６の方向に軸方向の長手方向で見たときに、阻流板構造は視認を可能にしてはならず、すなわち光学的に遮蔽されていなくてはならない。このとき螺旋阻流板２０は、少なくとも１．５回の巻回２１を有しているのがよい。しかしながら、螺旋阻流板２０が多段の螺旋として構成されており、多数の巻回２１、たとえば３回から１０回の巻回を有していると好ましい。多くのケースでは、管部材１４および／または阻流板２０がＩｎｏｘ材料でできていれば十分である。非常に活性が高い攻撃性のプロセスガスが用いられる、測定が非常に難しい状況では、特に阻流板構造２５において、攻撃性のプロセス条件にできるだけ良好に耐えることができ、分解によって追加的に汚れを生産しない材料で阻流板２０および／または管部材１４ができていると好ましい。コストを下げ、特別な材料特性をいっそう簡単に実現するために、管部材１４および／または阻流板２０の露出面を相応の保護材料でコーティングすることもできる。特定のケースでは、この材料を真空測定セル１５のダイヤフラム２の材料の種類に合わせると好ましい場合もある。

螺旋阻流板２０は、真空測定セル１５のダイヤフラム２に対する保護特性の追加の最適化を、種々の多彩なかたちで可能にする。

平坦な阻流板を備えるダイヤフラム真空測定セルを模式的に示す断面図である。 渦巻阻流板を備えるダイヤフラム真空測定セルを模式的に示す断面図である。 堆積層を備える曲がったダイヤフラムを示す部分断面図である。 本発明に基づいて表面に段状の構造を備えるダイヤフラムを示す部分断面図である。 図３ｂと同様の図であるが、オーバーハングのある構造の段部を備えている。 本発明に基づいて表面にテーブル状の構造を備えるダイヤフラムを示す部分断面図である。 本発明に基づいて相上下して配列された２つのテーブル状の構造を表面に備えるダイヤフラムを示す部分断面図である。

Claims (12)

1. ２つの平坦なハウジング部分（１，４）の間に配置された４０μｍから７６０μｍの範囲内の厚さのダイヤフラム（２，４１）を備え、第１のハウジング部分（１）は基準真空室（１０）を形成しており、第２のハウジング部分（４）は測定されるべき媒体と接続するための接続手段（５）を備える測定真空室（９）を形成している真空測定セルであって、この真空測定セルはダイヤフラムの撓みを測定するための手段を基準真空室（１０）の領域内に含み、測定されるべき媒体に曝露されるダイヤフラム表面（４１ａ）上には０．１μｍから２０μｍの範囲内の高さの垂直および／またはオーバーハングの段部（４２）の形態で形成された構造が取付けられており、それらの幅は前記構造の高さの２倍から２０倍の範囲内にあることを特徴とする測定セル。
2. 前記構造において前記段部（４２）はエッジを有し、それによって前記媒体から前記ダイヤフラム（２，４１）上に析出される堆積層（４０）が前記ダイヤフラムに対して実質的に応力なしに振舞うように構成されており、それによって前記ダイヤフラム（２，４１）の応力曲げが低減されるようになっていることを特徴とする、請求項１に記載の測定セル。
3. 前記ダイヤフラム（２，４１）はＡｌ_２Ｏ_３のようなセラミックおよび／または単結晶Ａｌ_２Ｏ_３のようなサファイアで実質的にできていることを特徴とする、請求項１または２に記載の測定セル。
4. 前記真空測定セルは前記ダイヤフラム（２，４１）とともに容量式および／または光学式の測定構造を構成することを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の測定セル。
5. 前記ダイヤフラムの直径は５から８０ｍｍの範囲内にあることを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の測定セル。
6. 前記ダイヤフラム（２，４１）上の構造は周期的および／または非周期的間隔の格子の形で構成されていることを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の測定セル。
7. 前記構造はダイヤフラム材料に根付いていることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の測定セル。
8. ダイヤフラム表面（４１ａ）上に少なくとも１つの構造化された層が設けられており、前記層の材料は好ましくはＡｌ_２Ｏ_３および／またはサファイアでできていることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の測定セル。
9. 前記構造は大きなオーバーハングの段部を有しており、それは断面においてテーブル状またはきのこ状の形を有し、前記構造の開口部において前方から前記ダイヤフラムの地を直接見通すことを防止するように複数のそのような構造が互いに上下に配置されていることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項に記載の測定セル。
10. 前記構造の高さは０．１μｍから１０μｍの範囲内にあることを特徴とする、請求項１から９のいずれか１項に記載の測定セル。
11. 前記測定真空室（９）の接続手段（５）と測定されるべき媒体との間に阻流板構造（２５）が配置されていることを特徴とする、請求項１から１０のうちいずれか１項に記載の測定セル。
12. 前記阻流板構造（２５）は、螺旋阻流板（２０）を含んでいることを特徴とする、
    請求項１１に記載の測定セル。

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