TW201333883A

TW201333883A - 自校正可攜式數位放射線攝影偵測器

Info

Publication number: TW201333883A
Application number: TW101148135A
Authority: TW
Inventors: Karin Topfer; Jeff Hsin Chang; Gregory N Heiler
Original assignee: Carestream Health Inc
Priority date: 2012-01-13
Filing date: 2012-12-18
Publication date: 2013-08-16
Also published as: US9195899B2; WO2013106142A1; US20130182934A1; TWI554978B

Abstract

放射線攝影成像系統及/或方法之實施例可監測一數位x射線偵測器之校準狀態，該偵測器包括具有複數個像素之一固態感測器、一視需要閃爍螢幕及至少一嵌入式微處理器。在一實施例中，一方法可使用一電腦或該嵌入式微處理器或兩者用於設定該可攜式偵測器之一校準操作模式；在該校準模式中取得複數個暗影像；決定該複數個暗影像之兩者之間之像素讀取之間之一暗差異影像；識別該暗差異影像中與該暗差異影像中之至少一些周圍像素相差超過一臨限數量之像素為缺陷像素。

Description

自校正可攜式數位放射線攝影偵測器

本發明大致係關於數位放射線攝影(DR)成像且更特定言之係關於DR偵測器校準及/或重新校準。

數位放射線攝影(DR)偵測器直接將所接收之曝光能量變換為數位影像資料。此等偵測器通常含有配置為列及行矩陣之高敏圖像元素或像素之陣列及由諸如硫氧化釓Gd2O2S：Tb(GOS)或碘化銫(CsI)之材料組成、吸收入射其上之x射線及將x射線能量轉換為可見光光子之閃爍器。在一些組態中，閃爍器與光敏陣列直接接觸。光敏元件陣列可為任意類型之固態感測器，諸如平板偵測器、電荷耦合裝置或CMOS偵測器。光敏材料將入射光轉換為電荷，該電荷儲存在各像素之內部電容中。儲存電荷的量值與激發光之強度相關，其接著與入射x射線之強度相關。捕獲在輻射敏感層上之輻射影像曝光被逐個像素地轉換為電子影像資料，其隨後儲存在記憶體電路中用於後續讀取及顯示在適當電子影像顯示裝置上。

極像視訊感測器及其他類型之二維固態影像偵測器，DR偵測器包括幾千個圖像元素或像素。不可避免地，一些數量之像素被發現有缺陷。諸如缺陷映射及校正影像處理之補償技術允許使用具有缺陷像素之DR偵測器，前提係此等像素可被偵測(例如，數量相對較小)且採取適當措施來校正影像。

缺陷映射及校正程序通常結合增益及偏移校準，其補償像素間在敏感度及暗電流方面之變化。根據James A.Seibert、John M.Boone及Karen K.Lindfors在「Flat-field correction technique for digital detectors」，Proc.SPIE，第3336卷，1998年，第348-354頁中教示，最基本之校準及校正演算法通常包括兩個步驟。首先，獲取偵測器之暗信號(即，無任何x射線曝光之信號)。偵測器之暗信號之逐個像素變化經特徵化以形成包括暗變化之暗圖或偏移圖。偏移圖隨後在被稱作暗校正或偏移校正之過程中從x射線曝光中減去。其次，像素之敏感度之變化被特徵化。此藉由捕獲一或多個平場曝光而完成，其隨後偏移校正。所得影像為增益圖。在增益校正步驟中，偏移校正之x射線曝光由增益圖劃分。理想地，此兩步驟程序補償偵測器所引入之任何固定型樣雜訊。

缺陷識別方法通常舉例而言藉由識別具有與其周圍明顯不同之增益及偏移值之像素及藉由在增益圖及偏移圖中設定可允許值之上臨限及下臨限而探索校準期間所產生之增益圖及偏移圖之異常以更新給定偵測器之缺陷圖。

此類型之缺陷識別之實例給出於ASTM Standard E2597，「Standard Practice for Manufacturing Characterization of Digital Detector Arrays」(2008)及Hsieh等人的美國專利第7,602,951號「Method and system for providing defective cell correction in a medical imaging device」中。因此，定期重新校準可幫助用相關技術DR偵測器管理缺陷像素且可幫助產生具有較少(若有)可見缺陷像素之經校正影像。

相關技術DR偵測器通常隨時間而累積一些額外缺陷像素且不需要頻繁的重新校準。此等偵測器通常固定安裝在壁支架上、實驗桌或一些類型之機架或其他類型之可調整框架中，其提供固定機械基座(例如，或繫鏈)用於將偵測器定位在病人身後及相對於x射線源之適當安置。

由於可攜式放射線攝影偵測器之正常及粗糙處置，維持適當影像品質所需之校準程序之間之所需間隔對於完全可攜式偵測器而言較不可預測。一解決方案可簡單要求更頻繁地校準此等單元。因此，舉例而言，可在取得特定數量之影像後要求校準。但是，此類型之任意間隔不利地影響產率。多數校準程序要求x射線曝光及因此要求放射科成員時間及關注且各校準縮短DR偵測器之總利用時間。

顯然存在在常規臨床操作期間監測偵測器之校準狀態及當需要校準時提醒使用者之需要，但是校準有效干擾操作者工作流程且延長獲取當前經完全校正臨床影像之存取時間。此干擾及時間損耗在許多臨床環境中可能不可接受。在緊急情況下，舉例而言，諸如在急診室或重症監護室，可能損失寶貴時間。已揭示用於更新僅來自暗影像之缺陷之方法，其等可在無操作者介入及在偵測器閒置時完成。見，舉例而言，May等人的標題為「Self-diagnostic image sensor」之美國專利第6,693,668號或Yamazaki的標題為「Radiation imaging method,radiation imaging apparatus, computer program and computer-readable recording medium」之美國專利第7,362,916號。已揭示直接從放射線攝影影像識別新缺陷之其他方法，其等亦可在無操作者參與的情況下完成。見，舉例而言，Maac及Kloessner的標題為「Device and method for correcting defects in x-ray images」之美國專利申請案US20070165934A1及Odogba等人的標題為「Method and apparatus for identifying composite defective pixel map」之美國專利第6,919,568號。但是，此等方法通常更計算密集且非百分之百可靠，因為缺陷需在影像內容內識別。此負擔影響每個捕獲影像並可能延長影像存取時間。

總而言之，雖然存在相關技術像素缺陷偵測方法在更固定之DR偵測器裝置內使用時可很好地執行之一些跡象，但是此等相同方法未表現出成功解決可攜式DR偵測器之特定要求及工作流程。因此，存在對可攜式DR偵測器之改良缺陷識別及校正之需要。

因此，本申請案之一態樣係完全或部分解決至少相關技術中之上述及其他缺陷。

本申請案之另一態樣係完全或部分提供至少本文所述之優點。

本申請案之另一態樣係提供可提供操作以在無操作者介入的情況下執行場校準更新之校準模式之放射線攝影成像設備及/或方法。

本申請案之另一態樣係提供一種可提供使用放射線攝影成像陣列中之像素之暗成像特性以決定缺陷像素之校準模式之放射線攝影成像設備及/或方法。

本申請案之另一態樣係提供一種可提供使用放射線攝影成像陣列中之像素之暗差異影像、暗電流飽和或暗電流殘像以決定缺陷像素之校準模式之放射線攝影成像設備及/或方法。

本申請案之另一態樣係推進診斷成像技術，特別係關於可攜式數位放射線攝影偵測器之使用。

根據一實施例，一種用於監測數位x射線偵測器之校準狀態之方法，該偵測器包括具有複數個像素之固態感測器、閃爍螢幕及至少一嵌入式微處理器，該方法包括使用信號處理裝置，其可包括設定可攜式偵測器之校準操作模式；在校準模式中取得複數個暗影像；決定複數個暗影像之兩個之間之像素讀取之間之暗差異影像；識別暗差異影像中與暗差異影像中之至少一些周圍像素相差超過臨限數量之像素作為缺陷像素。

根據一實施例，一種用於監測數位x射線偵測器之校準狀態之系統，該偵測器包括具有複數個像素及至少一嵌入式微處理器之固態偵測器，該系統可包括：電腦，其在偵測器之正常診斷使用期間可操作用於存取包括偵測器之數位影像資料之數位影像；至少一嵌入式微處理器，其經組態以設定可攜式偵測器之校準操作模式；初始化構件，其用於在校準模式中初始化可攜式偵測器及在校準模式中取得複數個暗影像；至少一嵌入式微處理器或電腦，其經組態以決定複數個暗影像之兩者之像素讀取之間之暗差異影像並識別暗差異影像中與暗差異影像中之至少一些周圍像素相差超過臨限量之像素作為缺陷像素。

此等目標、特徵及優點僅經由闡釋性實例給出，且此等目標可為本發明之一或多個實施例之例示。熟習此項技術者可想到或瞭解藉由所揭示發明固有地達成之其他所需目標及優點。本發明由隨附申請專利範圍定義。

可從如附圖所示之本發明之實施例之下文更特定描述中瞭解本發明之上述及其他目標、特徵及優點。圖式之元件不一定相對於彼此按比例繪製。

下文係例示性實施例之描述，參考圖，其中相同元件符號識別數個圖式之各者中之結構之相同元件且有關已描述之組件及配置或組件之互動之類似描述省略。在使用時，術語「第一」、「第二」等不一定表示任何次序或優先級關係，但是可僅用於更清楚地區分一元件與另一元件。

參考圖1描述數位放射線攝影(DR)成像系統之實施例及可攜式DR偵測器之特定特徵。圖1之示意圖在高層繪示可使用可攜式DR偵測器10之放射線攝影成像系統100之架構。x射線源60使用支撐產生器64及產生器介面66朝向病人或其他物體62及朝向DR偵測器10引導輻射。DR偵測器10之組件可包括藉由發射光至作為感測像素之二維陣列之平板偵測器(FPD)20而回應輻射之閃爍螢幕14。列及行讀出元件25可在來自控制邏輯處理器70(諸如嵌入式微處理器)之命令之控制下獲取感測資料。此外，偵測器可含有用於處理獲取資料之嵌入式影像處理單元90及用於儲存獲取及經處理資料之內部或可移除儲存器92。輸出影像資料可經由資料鏈路，諸如所示實施例中之無線介面72提供至外部主機電腦80。或可供應電纜連接用於此資料鏈路。資料可直接源自讀出單元25、影像處理器90或儲存單元92。外部電源74或板載電池76提供源功率至功率調節器78。視需要之感測器82可提供用於衝擊、溫度及裝置定向。衝擊感測器82可用於監測對偵測器之機械衝擊。舉例而言，衝擊偵測可被控制邏輯處理器70用來在已超出預選衝擊臨限值時提醒系統使用者進行偵測器校準。溫度偵測可在已超過預選上溫度臨限值或下溫度臨限值時類似地根據需要偵測器校準之信號操作。任一者或兩者，衝擊及溫度事件可導致偵測器校準損耗。在圖1之實施例中，主機電腦80具有無線介面84或用於有線資料連接(舉例而言，100base-T乙太網路)之其他適當介面、控制電路86及用於諸如自DR偵測器10獲取之影像資料之控制及處理之影像校正及校準電路88。顯示螢幕(未繪示)可提供用於查看影像資料及用於報告與DR偵測器10相關之資訊。

圖2A之透視圖繪示間接型DR偵測器10之小邊緣部分之部分剖視圖。閃爍螢幕14藉由產生可見光而回應入射x射線輻射，該可見光接著由平板偵測器20偵測。偵測器20具有二維陣列，該二維陣列具有配置為列及行之矩陣且連接至讀出元件25之數千個輻射敏感固態感測器像素24。讀出元件25可包括ASIC(專用積體電路)或ASIC晶片。如放大截面E所示，各像素24具有一或多個光感測器22(諸如PIN二極體或其他光敏組件)及一些類型之相關切換元件26(諸如一或多個薄膜電晶體或TFT)。為了從面板讀出影像資訊，各列像素24可依序選擇且各行上之相應像素可依次連接至電荷放大器(未繪示)。來自各行之電荷放大器之輸出隨後可施加至ASIC晶片及相關電路，其產生數位化影像資料，該數位化影像資料隨後可根據需要儲存及經適當影像處理用於後續儲存及顯示。在一實施例中，平板偵測器20、光感測器22、像素24、讀出元件25及相關切換元件26可形成成像陣列。

圖2B係繪示放射線攝影偵測器之成像陣列之一部分之示意圖之圖。如圖2B所示，例示性平板成像器240之一部分之示意圖可包括具有若干a-Si：H n-i-p光電二極體270及TFT 271之陣列212。閘極驅動晶片228可連接至閘極線283之塊；讀出晶片230可連接至資料線284之塊且偏壓線285可連接至偏壓匯流排或可變偏壓參考電壓。可提供從資料線接收信號之電荷放大器286。來自電荷放大器286之輸出可進入類比多工器287或直接進入類比數位轉換器(ADC)288以按所要速率以串流形式輸出數位影像資料。

術語校準包括但不限於本技術已知之偵測器平場校準之典型元件(James A.Seibert、John M.Boone及Karen K.Lindfors之「Flat-field correction technique for digital detectors」，Proc.SPIE第3336卷，1998年，第348-354頁中；Jean-Pierre Moy及B.Bosset之「How does real offset and gain correction affect the DQE in images from x-ray flat detectors？」，Proc.SPIE，第3659卷，1999年，第90-97頁)。最基本校準及校正演算法通常包括3個步驟。首先，獲取偵測器之暗信號(即，無任何x射線曝光之信號)。偵測器之暗電流之逐個像素變化經特徵化以形成包括暗變化之暗圖或偏移圖。偏移圖隨後在被稱作暗校正或偏移校正之過程中從x射線曝光中減去。第二，像素之敏感度之變化被特徵化。此藉由捕獲一或多個平場曝光而完成，其隨後經偏移校正。所得影像為增益圖。在增益校正步驟中，經偏移校正之x射線曝光由增益圖劃分。最後，影像中之缺陷像素藉由從鄰近優質像素插入其等值而移除。理想地，此三步驟程序補償偵測器所引入之任意固定型樣雜訊。在可攜式偵測器中，額外偏移校正可能是必要的，諸如K.Töpfer、R.T.Scott及J.W.Dehority的US7832928B2「Dark correction for digital X-ray detector」中所述。

圖3係繪示用原始缺陷圖(例如，出廠圖)校正之x射線平場影像之一部分之平面圖。如圖3所示，缺陷線段310及包括暗區域320之暗叢集在影像中可見。在圖3中，平場部分係1x放大倍數下之例示性600x700像素裁切。

現將描述用於校準新的可攜式偵測器之方法實施例。如圖4所示，第一偵測器校準可為初始執行之校準程序或出廠校準。出廠校準可包括以偵測器之不同曝光及操作特性 (例如，偵測器之內部操作循環，諸如電壓及時序、積分時間、訊框速率、曝光度、溫度)及/或曝光間隔獲取大量影像(例如，暗場及平場)及隨後保存及/或處理(例如，求均值、組合、統計分析、頻率濾波、臨限處理)獲取的影像以產生代表校準圖(例如，影像)之新的影像集合。特定例示性實施例可修改及/或組合捕獲影像或校準影像之集合使得較少校準資料需由偵測器維持，舉例而言儲存。

舉例而言，在偵測器上取得一暗影像可獲取偵測器之像素偏移之粗略近似。但是，取得100個暗影像(或大於一之任何其他整數)並對其求均值可獲取偵測器之像素偏移之更好或更少雜訊近似。在本實例中，所有100個暗影像可以無需保存，而僅保存單個均值影像。

如圖4所示，可在工廠(或現場位置)從放射線攝影偵測器捕獲校準資料(操作塊405)。對100個影像之求均值之處理器邏輯可由偵測器本身完成。或者，求均值可在獲取額外曝光特徵資料影像以減少處理時間及/或記憶體使用時完成。或者，影像之所有可傳送至外部處理器，諸如可攜式電腦(PC)或成像系統控制台，其可執行所有邏輯且隨後將校準資料(例如，均值或組合之校準影像之單個或較小集合)儲存或傳送回偵測器(操作塊410)。在一實施例中，若現場存在偵測器之記憶體故障(例如，儲存此資訊之可移除媒體或記憶體)，此校準資料(例如，操作塊405、415、420)可永久保存以在遠端位置(例如，製造商位置或網絡化位置)安全保管。

視需要，在假設PC用於進行出廠校準分析下，校準形成資料(例如，暗場影像及/或平場影像)可從偵測器傳送至PC(操作塊410)。如圖4所示，校準圖，例如，增益、偏移及缺陷圖可在偵測器上從捕獲校準影像形成(操作塊415)。例示性校準圖產生為醫療放射線攝影成像之一般技術者所知。隨後，校準圖(例如，影像)可儲存在舉例而言，非揮發性記憶體中及較佳偵測器上。在一實施例中，當校準圖(或其一部分)未產生於偵測器上時，校準校正資料可傳輸回偵測器(操作塊420)。特定例示性實施例可在偵測器上執行所有出廠校準邏輯，其可免除操作塊410及420。

偵測器校準亦可在初始校準(例如，出廠校準)後定期或重複執行。舉例而言，後續偵測器校準可在遠端或客戶位置上執行。操作塊425至445可在遠端位置上執行。

如圖4所示，可獲取額外校準影像(例如，暗場及/或平場校準影像)(操作塊425)。在操作塊425中，可對校準資料執行額外處理/邏輯以縮短獲取影像所需之時間。在操作塊425中，額外偵測器校準可為隨後執行之校準程序且可包括以偵測器之不同曝光及操作特性(例如，偵測器之內部操作循環，諸如電壓及時序、積分時間、訊框速率、曝光度、溫度)及/或曝光間隔獲取許多額外影像(例如，暗場及平場)及隨後保存及/或處理(例如，求均值、組合、統計分析、頻率濾波、臨限處理)獲取之影像以製作代表經更新校準圖(影像)之新的影像集合。

如圖4所示，獲取之額外校準資訊之儲存可為實際捕獲之影像或邏輯處理或組合/求均值函數之輸出(即，本身看上去可類似另一影像)。經更新之校準影像及/或校正資料可儲存在偵測器(操作塊435)或可移除記憶體上。或者，影像可傳送至主機電腦PC，其中校準處理完成且隨後最終校準資訊儲存及/或傳送回偵測器進行儲存(操作塊430至435)。

隨後，偵測器可用於較佳在醫療設施或客戶位置處所進行放射線攝影成像(操作塊440)。隨後，一事件可發生(例如，初始註冊、過去的時間、過去的曝光數、偵測器墜落等)且處理可指示由使用者執行之另一校準需要或可自動由偵測器執行(操作塊445)。操作塊425至445可重複。

特定例示性系統及/或方法實施例可在DR x射線偵測器中提供逐個像素計算(例如，像素效能之跟蹤)以監測偵測器之校準狀態。在一實施例中，非晶半導體材料之捕集行為可在無x射線源發射(例如，暗影像或使用暗操作模式)的情況下使用以識別新的缺陷像素。在一實施例中，缺陷像素可藉由在偵測器之不同操作條件下取得暗影像而識別，舉例而言，使用長及短積分時間作為暗電流之量度或使用長及短像素讀出時間以模擬偵測器之快及慢操作模式。新識別之缺陷像素可在單個缺陷像素圖中與已知缺陷像素組合。本文之例示性系統及/或方法實施例可提供可在不中斷正常成像操作的情況下(例如，重複、間歇、不定期、手動啟動)決定缺陷像素之公用程式。此外，如先前美國專利第6,693,668號所述，當缺陷像素之總數超過規定臨限時，可執行校正措施(例如，像素重新校準、操作者通知等)。

在一實施例中，校準模式可在可攜式偵測器未用於識別新缺陷像素時實施。在一實施例中，若複數個暗影像產生用於校準，則可在指示正常成像操作(例如，準備信號)時執行中斷。或者，一方法實施例可藉由分析複數個校準模式暗影像或在正常成像操作之前及/或之後獲取之複數個暗影像(例如，例示性病人檢查影像)而在正常診斷使用期間執行其監測功能。使用區分像素相關問題之方法，本文之實施例可提供可攜式數位x射線偵測器之總體校準狀態之改良監測。

圖5係繪示場校準之例示性方法實施例之圖。在一實施例中，圖5中之操作可實施操作塊425至445所示之操作。圖5所示之事件次序可維持優質臨床影像品質，例如無未校正缺陷之放射線攝影影像，同時改良可攜式放射線攝影偵測器之工作流程或使其最佳化。為了節省可攜式偵測器電池電力，成像陣列(例如見圖2B)可在偵測器不獲取影像時斷電。但是，支援功能之一些，舉例而言功率調節單元78、無線介面72及系統排序及控制單元70之一些元件可啟用或保持通電。此等可攜式偵測器操作可提供在通電後立即獲取優質影像校正之挑戰，但是與總是通電之固定裝置相比亦可提供在無操作員介入的情況下識別缺陷之機會。由本文之特定實施例提供之另一好處在於無需操作員介入之校準操作可更頻繁地執行。需要操作員取得x射線曝光之其他校準操作可較不頻繁地執行(例如，操作塊425)，但可更能夠識別所有類型之額外缺陷。為了促進維修人員之放射線攝影成像系統維護、故障分析及減少或防止系統使用缺陷影像更新缺陷圖，各缺陷更新操作之結果可儲存(例如，在缺陷圖之特定位元平面中)且下一更新操作可完全刷新缺陷圖(例如，多個位元平面)。例如，出廠缺陷識別之結果(例如，操作塊405至420)可儲存在缺陷圖之位元平面1中，不頻繁地執行，例如每年執行之操作塊425之結果可儲存在位元平面2中且從每日或每週暗捕獲中識別之缺陷更新可儲存在位元平面3中。在一實施例中，具有8位元/像素之缺陷圖可潛在地儲存8種不同類型之像素缺陷。在放射線攝影影像之缺陷校正期間，邏輯運算(例如，OR運算)可應用於組合來自所有位元平面之結果。為了更高效率，OR運算可在每次更新後立即應用且所有缺陷像素之位置相對於影像中之零位置儲存為記憶體存取清單。

圖5中所示之方法實施例可使用下列例示性事件次序用於定期更新缺陷圖。增益校準(操作塊511)可基於計時器、偵測器事件(例如墜落衝擊)、使用者請求或影像分析演算法(例如，檢查經完全校正之放射線攝影影像之額外缺陷並在達到最大允許數量之未校正缺陷時觸發新校準之演算法，例如，見美國專利公開案第2011-0057802號)觸發(操作塊501)。舉例而言，如ASTM標準E2597所述，所得增益圖使用統計分析檢查以識別缺陷(操作塊512)。臨時缺陷圖從當前缺陷圖中產生且位元平面2可用自增益圖獲取之新缺陷圖取代(操作塊513)。臨時缺陷圖之所有位元平面可在缺陷圖分析之OR運算中組合，其可決定缺陷圖之特定標準是否得到滿足，舉例而言，相對於缺陷總數、缺陷列及行數、最大缺陷叢集大小及其他標準(操作塊514)。若新缺陷圖通過所有或所選標準(操作塊515)，則現有缺陷圖可用臨時圖取代(操作塊516)。若新缺陷圖不滿足一或多個標準，則不發生取代及/或使用者可接收警告，例如，見美國專利第6,693,668號。

作為下一視需要操作，使用者可在不同曝光度下取得平場影像(操作塊521)，其等可用現有缺陷圖完全增益偏移及缺陷校正。隨後使用統計分析檢查影像之未校正缺陷(操作塊522)且新的臨時缺陷圖可從現有缺陷圖中產生，其中位元平面3可用新識別之缺陷取代(操作塊523)。如上文針對位元平面2所述，執行缺陷圖分析及安置(操作塊524、525、526)。在一實施例中，在此等操作結束時，增益校準之計時器(操作塊501)可重設且所有校準觸發清空。

第二校準事件(操作塊531)、暗校準可在第二計時器上且可在無使用者介入或中斷正常臨床工作流程的情況下比增益校準更頻繁地執行。事件可再次由計時器、偵測器事件(例如，墜落衝擊)、使用者請求或影像監測演算法觸發。事件可包括至少一暗捕獲集合(操作塊541)，但是兩個或四個不同暗獲取次序可用於找出所有類型之新缺陷。下文進一步描述例示性適當之暗捕獲集合之實例。在一實施例中，在暗校準事件觸發後(操作塊531)，系統排序及控制 70可檢查偵測器係閒置的並啟動第一暗捕獲集合(操作塊541)。若使用者中斷次序以取得放射線攝影影像(操作塊542)，則偵測器可返回其常規操作狀態且校準步驟取消。在一些指定時間過去後，偵測器再次嘗試執行校準(操作塊543)。在影像捕獲結束時，對捕獲影像執行統計分析以識別缺陷(操作塊544)。結果可添加至臨時缺陷圖(操作塊545)。額外之暗影像集合(操作塊551、561)可在首次操作完成(操作塊531)或在另一計時器期滿後立即獲取。使用第二選項，使用者可在校準之間取得放射線攝影影像(操作塊541、551、561)。暗捕獲(操作塊551、561)及缺陷識別(操作塊554、564)及新臨時缺陷圖現可為來自多個暗捕獲之缺陷位置之至少一OR運算之結果(操作塊555、565)。第二校準事件可針對更多幾個暗影像捕獲集合重複。圖5繪示具有三個不同暗捕獲集合之實例。在所有暗捕獲集合完成後，臨時缺陷圖從當前缺陷圖中產生且位元平面4可用自暗捕獲獲取之新缺陷圖取代(操作塊573)。臨時缺陷圖之所有位元平面可在缺陷圖分析之OR運算中組合(操作塊574)且新缺陷圖之安置可如上所述針對增益缺陷所述執行(操作塊575、576)。

本文在圖6至圖8中所述之特定例示性實施例可使用非晶矽之電荷補集行為識別數位放射線攝影偵測器之成像陣列中之缺陷像素。數位放射線攝影偵測器之缺陷識別之此等例示性方法實施例可使用圖1至圖2所示之設備之實施例實施；但是圖6至圖8之方法不旨在藉此受限。

暗電流之一貢獻可歸因於來自無序固體(諸如非晶矽)之帶隙內之電子狀態之載子發射。在穩態平衡中，載子發射之平均數隨時間完全恆定，其表明其自身為恆定暗電流位準。當跨光感測器之偏壓改變時，光感測器之平衡狀態被干擾。帶隙內之電子狀態之載子佔據可能性亦可改變。此促進所發射之載子數量之改變且表明為瞬態電流。由於發射之載子數與帶隙內之電子狀態分佈相關，故取決於材料之品質(例如，材料與單晶矽相比的缺陷程度)，瞬態電流之表現可指示光感測器及因此像素之品質。此資訊隨後可用於識別缺陷像素(例如，自主地)。

在一實施例中，暗影像之差異可由給數位放射線攝影偵測器通電而引致，其使電荷補集於帶隙內之缺陷狀態中。當偵測器在通電後在捕集佔據達到平衡前取得首批幾個影像時，不同數量之電荷被釋放。在臨床環境中，可攜式DR偵測器之成像陣列通常在病人曝光之間關閉或斷電以節省電池電力。此外，曝光之間之時間可舉例而言短至15秒或長至數天。因此，圖6至圖8之例示性方法實施例可非常適於此等可攜式DR偵測器之操作次序。

如圖6至圖8所示，偵測器之成像陣列可被通電且複數個(例如，3個或更多個)暗影像被捕獲。光感測器之偏壓電壓V_偏壓=V_陰極-V_參考(例如，見圖2B)可在成像陣列通電期間控制，同時至光感測器及讀取TFT之電源可打開使得在成像循環開始時之捕集佔據可重複而不論成像陣列從上次捕獲開始斷電多長時間。V_偏壓之初始狀態指示於圖6至圖8中。為了在成像陣列通電後立即達成成像及可預測行為之低滯後，偵測器可在各影像捕獲前執行一或多個刷新循環(例如，影像捕獲可包括暗影像及曝光影像)。在一實施例中，刷新循環藉由交替填充捕集之操作與清空捕集之操作而管理捕集之佔據。在填充期間，V_重設及/或V_偏壓可經控制以產生光感測器凈偏壓V_偏壓=V_陰極-V_參考=V_填充，其可正向偏壓或較少反向偏壓(例如，與曝光期間之光感測器偏壓相比)以填滿光感測器中之捕集之大部分。在溢出週期期間，可控制(例如，切換)V_重設及/或V_偏壓以使光感測器返回溢出電壓V_溢出。在V_溢出週期期間，大部分捕集發射電荷且電荷可透過光感測器之兩個端子(例如，光電二極體之陽極及陰極)移除。對於特定例示性填充及溢出循環，光感測器在一或多個填充及溢出循環後之凈捕集佔據可獨立於光感測器之初始狀態。在V_偏壓之各設定(填充或溢出)期間，各閘極線之列選擇電壓可切換一次以在列選擇TFT中建立導電狀態。此連續定址針對陣列中之所有閘極線繼續。但是，在替代實施例中，所有閘極線可在重設操作期間打開一次且在其他實施例中，數個閘極線可同時打開以執行穿過成像陣列之閘極線之塊之滾動重設。在一實施例中，用於單個填充及溢出循環之總時間可在10 ms至500 ms之範圍中。

刷新循環期間之例示性V_偏壓設定繪示於圖6至圖8中。在完成(該等)刷新循環後，面板可對光感測器中之電荷(例如，暗或曝光)進行積分且可發生電荷之TFT讀出。圖6至圖8繪示具有兩個或三個個別影像捕獲之例示性影像捕獲循環。在最終捕獲後，成像陣列可斷電，例如，所有供應電壓以受控方式關閉。具有兩個或三個影像之實施例可對應捕獲具有一或兩個後暗影像之曝光用於偏移校正。但是，大於一個之任意數量之暗影像適於新缺陷之識別。此外，刷新循環可使用不同方法實施，例如，用照明、背光或填充及溢出循環刷新，隨後進行短積分及讀出。

圖6係繪示來自數位放射線攝影偵測器之暗校準影像之缺陷識別之另一例示性方法實施例之邏輯流程圖。如圖6所示，偵測器之成像陣列斷電，但是用於系統排序及控制之處理器，例如FPGA可為主動的。偵測器接收信號(例如，操作塊531，圖5)以開始暗校準。在一實施例中，成像陣列之操作可使用一組暫存器控制。處理器可臨時改變暫存器以達成偵測器操作之特殊模式，包括用於識別缺陷之操作模式(例如，校準模式、步驟操作塊610)。此等特殊暫存器組設定可儲存在偵測器上之非揮發性記憶體上或可在校準啟動時從主機電腦下載。在校準操作完成後，處理器可恢復暫存器用於正常操作(操作塊665)。

雖然成像陣列通電(操作塊615)，V_偏壓可設定為與正常操作相同之位準(V_偏壓開始)。隨後，在取得第一暗影像(操作塊635)(例如，積分(操作塊625)及讀出(操作塊630))前可執行N個刷新循環(操作塊620)。隨後，在取得第二暗影像(操作塊655)(例如，積分(操作塊645)及讀出(操作塊650))前可執行M個刷新循環(操作塊640)。如本文所述，N及M 可為任意正整數，且M可等於N。圖6繪示N=3且M=2。視需要，循環可針對額外暗影像，諸如第三暗影像(圖6中未繪示)重複。隨後，放射線攝影偵測器之成像陣列可斷電(操作塊660)且處理器恢復暫存器設定諸如用於正常操作(操作塊665)。

隨後可決定暗差異影像I(操作塊670)。暗差異影像(DDI)I可藉由第一暗影像與第二暗影像之間之差異(或，暗影像2及3之平均值等)決定。此暗影像可經歷缺陷識別(操作塊675)(例如，見圖9A至圖9B)。應注意此次序之不同實例可在不同時點或以不同積分週期運行(例如，見圖10A)且所捕獲之影像可用於其他校準目的，舉例而言，如US7832928B2所述針對曝光之偏移調整。熟習此項技術者應瞭解以此方式在偵測器之連續操作期間(例如，在通電足夠長時間後)捕獲之暗差異影像可揭露一些額外缺陷。但是，發明者在例示性實施例包括通電時決定缺陷識別有效。

圖7係繪示來自數位放射線攝影偵測器之暗校準影像之缺陷識別之另一例示性方法實施例之邏輯流程圖。如圖7所示，當操作模式針對暗影像捕獲之至少一者明顯改變時，可識別更多新缺陷。對於圖7之實施例之首批兩個暗影像，操作及V_偏壓設定與圖6所示匹配，在第一暗捕獲及第二暗捕獲兩者之前執行兩個刷新循環(操作塊720、740)除外。但是，對於第三暗捕獲，兩個填充循環由另一溢出循環取代(操作塊760)，例如，V_偏壓在整個刷新操作期間可保持在常規操作點。不同刷新操作可在第三暗捕獲期間明顯改變捕集發射使得暗影像2(操作塊755)與暗影像3(操作塊775)之間產生暗差異影像DDI(操作塊780)之差異非常大。隨後，如圖6所述，放射線攝影偵測器之成像陣列可斷電且處理器恢復暫存器設定諸如用於正常操作。測試資料顯示圖7之實施例操作模式在識別新缺陷(操作塊785)時可與在增益校準後分析新缺陷之增益圖(操作塊512，圖5)一樣有效。

圖8係繪示來自數位放射線攝影偵測器之暗校準影像之缺陷識別之另一例示性方法實施例之邏輯流程圖。如圖8所示，在通電時由電荷注入引致之暗信號差異可用於決定缺陷像素。校準啟動(操作塊610')及成像陣列之通電(操作塊615)可如圖6所示發生。但是，在操作塊610'中，數位板上之暫存器設定可改變使得偵測器在無刷新模式(例如，無刷新循環)的情況下運行且通電時之偏壓電壓(例如，代表光電二極體偏壓(例如，0伏))可在通電時將電荷注入光電二極體。隨後，可捕獲三個暗影像(操作塊835、855、875)，包括積分(操作塊625)及讀出(操作塊630)。在此情形中，大量捕集電荷可在各暗捕獲期間積分。但是，捕集電荷發射遵從拉長指數衰減函數，使得可觀察到暗影像之間之大差異。實際上，光感測器通常在第一暗捕獲期間變得飽和使得影像2及3可較佳用於缺陷分析。在斷電(操作塊660)後，處理器可恢復暫存器設定諸如用於正常操作(操作塊665)。暗差異影像DDI在通電後使用第二暗影像與第三暗影像之間之差異計算(操作塊880)。測試資料顯示圖8之實施例在識別新缺陷(操作塊885)時可與在增益校準後分析增益圖一樣有效。

圖9A及圖9B繪示數位放射線攝影偵測器之缺陷識別操作之例示性實施例。兩個方法實施例可識別在一些特性上與周圍像素不同之像素。但是，本技術已知之其他方法可用於此操作，舉例而言，用允許之低(例如，最小)值及高(例如，最大)值進行暗影像之簡單臨限處理。如圖9A所示，過程可由獲取暗差異影像DDI(操作塊930)開始。接下來，暗差異影像DDI之穩固標準偏差s可使用本技術中已知的穩固統計法計算(操作塊935)，諸如排除最高像素值及最低像素值之一些百分位數之修整估計量。在一例示性實施例中，穩固標準偏差s可藉由將DDI劃分為XxX或16x16像素圖塊或群組(例如，X可為除16以外之數字)及計算圖塊之各者之標準偏差而決定。DDI之穩固標準偏差s等於個別圖塊之標準偏差之中值。隨後，經中值過濾之影像M可舉例而言，藉由施加YxY或9x9中值濾波器(例如，Y可為不同大小或非正方形)至暗差異影像而從DDI中決定(操作塊940)。隨後，缺陷像素可在各像素位置j,k上決定：當abs(Ij,k-Mj,k)>臨限t1=10*s時，像素可標註為有缺陷(操作塊945)。但是，臨限t1可與10不同。或者，像素值與中值之間之簡單差可取代絕對值用於找出相差超過臨限標準偏差或低於標準偏差臨限之像素。

在圖9B所示之實施例中，在獲取暗差異影像DDI後(操作塊930)，中值濾波器可施加至DDI以產生經中值濾波之影像M(操作塊940)，且當abs(Ij,k-Mj,k)>臨限t2=0.2 Mj,k，例如，當像素值偏離中值達超過中值之分率t2>0時，像素被標註為有缺陷(操作塊950)。此外，臨限t2可與0.2不同。再次，像素值與中值之間之簡單差可取代絕對值用於找出相差超過中值之臨限分率t2或低於中值之分率臨限t2之像素。如圖9A至圖9B所示，中值濾波器及/或穩固標準偏差可包括或排除其中心像素。

圖10A及圖10B係繪示數位放射線攝影偵測器之校準之缺陷識別之例示性方法實施例之流程圖。數位放射線攝影偵測器之缺陷識別之此等方法實施例可使用圖1至圖2所示之設備之實施例實施；但是圖10A至圖10B之方法不旨在藉此受限。

本文所述之特定例示性實施例可使用暗電流之差異以識別數位放射線攝影偵測器之成像陣列中之缺陷像素。圖10A所示之成像陣列之暗校準及通電之啟動可類似於圖6。包括刷新循環、積分及讀出之偵測器之操作次序亦可類似於圖6。在偵測器通電(操作塊1010)後，在待比較之捕獲之暗影像之間用不同之積分時間捕獲複數個(例如，2、3、5、7、40個等)暗影像(例如，以偵測指示缺陷像素之暗電流差異)。根據圖10A，第一暗影像(操作塊1015)及隨後第二暗影像可在第一積分時間取得(操作塊1020)。隨後，可取得具有第二積分時間之第三暗影像(操作塊1025)且在第二暗影像與第三暗影像之間計算暗差異影像DDI。斷電操作、暗差異影像DDI之決定(操作塊1030)及/或缺陷識別(操作塊1035)可類似於圖6。

或者，如圖10B所示，在一實施例中，具有異常暗電流之像素可識別如下。舉例而言，暗差異影像DDI可為針對第一(長積分)積分時間及第二(短積分)積分時間之偵測器通電(例如，包括N個刷新循環)後之第一暗影像之間之差異。如圖10B所示，在偵測器通電(操作塊1010)後，第一暗影像可在第一積分時間取得(操作塊1015)且偵測器可斷電。再次(例如，在預設延遲或不使用之週期後)，偵測器可通電，第二暗影像可在第二積分時間取得(操作塊1020)且在第一暗影像與第二暗影像之間計算暗差異影像DDI。斷電操作、暗差異影像DDI之決定(操作塊1030)及/或缺陷識別(操作塊1035)可類似於圖6。

圖11係繪示數位放射線攝影偵測器之校準之缺陷識別之另一例示性方法實施例之流程圖。圖11之實施例可在偵測器除支援具有較慢影像捕獲速率之常規投影x放射線攝影之外亦支援需要快速獲取大量影像之應用(例如，X射線攝影合成、錐形束CT及/或透視)時使用。針對此等快速獲取應用，可攜式偵測器可繫留並以連續模式操作。圖11繪示在此等模式用於缺陷識別之例示性暗校準。用於校準之暫存器設立且偵測器可通電(操作塊1110)。隨後，N(N為大於1之整數)個暗影像可取得並丟棄以使偵測器進入穩定操作模式(操作塊1115)。出於實踐原因，為了使校準時間保持最小，N較佳可低於100。此等快速操作之例示性影像捕獲循環可至少包括讀出(圖6之操作630)(如針對透視)；影像捕獲循環可額外包括積分(圖6之操作625)或如圖6所示具有刷新、積分及讀出之完整次序。隨後，第一暗影像可在讀出期間以長TFT ON時間取得(操作塊1120)，例如TFT回應時間的6倍且第二暗影像可在讀出期間以短TFT ON時間取得(操作塊1125)，例如TFT回應時間的1倍。兩個時間可變化(操作塊1120、1125)且不同方法實施例操作只要TFT on時間在兩種情況中不同。斷電操作、暗差異影像DDI之決定(操作塊1130)及/或缺陷識別(操作塊1135)及常規影像捕獲之暫存器設定之恢復可類似於圖6。

圖12係繪示使用從像素之暗成像特性(例如，DDI)產生之缺陷圖更新之實施例校正之來自圖3之臨床影像之一部分之平面圖。如圖12所示，不存在可見缺陷。

特定例示性實施例可分別使用圖5至圖8所示及圖10A至圖11所示之缺陷偵測方法之不同組合實施改良或更準確之缺陷偵測用於校準。舉例而言，為了改良之缺陷偵測，系統100可執行圖5及圖7之方法之一者且隨後圖8所示之方法之實施例。在各情況中，總體缺陷圖更新可藉由對來自不同選項之結果(例如，缺陷圖)進行邏輯OR運算而形成(例如，若任意圖在像素位置上具有1之條目，則總體缺陷圖更新具有1之條目)。在特定例示性實施例中，此一缺陷圖更新可保持與出廠缺陷圖分開。

此外，如本文所述，在缺陷校正之前或期間，出廠缺陷圖可與當前缺陷圖更新組合(例如，邏輯OR運算)。此外，當來自暗影像之缺陷識別根據本文實施例在下次運行時，缺陷圖更新較佳用新結果取代。

本文之特定例示性實施例解決且有利於可在未取得影像時斷電(例如，以節省電池電力)之無線、可攜式數位x射線偵測器。此外，本文之例示性實施例可執行以在無使用者介入的情況下更新缺陷偵測及/或形成缺陷圖更新，其可提供高效的工作流程，因為此等偵測器與固定裝置(例如，布凱或放射線攝影台裝置中之x射線偵測器)經歷更粗糙處置(例如，機械應力)且因此需要更頻繁校準。此外，演算法可組合或單獨用於偵測器來檢查經更新缺陷圖或總體缺陷圖是否超過缺陷之數量大小及濃度之預定臨限使偵測器不適於醫療診斷或工業使用。在此情況中，軟體可視需要停用偵測器；在主機電腦80上顯示警告訊息或舉例而言，藉由改變發光二極體之色彩而在偵測器本身上提供可視指示符。

本文之例示性方法/設備實施例可實施為與放射線攝影系統100相關之電腦及其他控制邏輯處理器硬體及支援儲存媒體。此可包括由主機電腦80與控制邏輯處理器70協作執行之控制邏輯函數(例如，見圖1)及視需要額外嵌入式處理器，諸如作為DR偵測器10之部分之微處理器。在此上下文中，電腦與控制邏輯處理器70之間之協作意味著舉例而言，此等裝置經由有線或無線協定通信。作為此協作之部分，邏輯控制信號可源自主機以及嵌入式處理器。計算之一些部分或所有可共享、在主機電腦及嵌入式處理器兩者上執行或可在其等任一者上執行。例示性實施例亦可具體體現為電腦程式碼之形式，其包括具體體現為有形媒體，諸如不同形式之磁或光儲存媒體、硬碟或任意其他電腦可讀儲存媒體之指令，其中當編碼指令載入電腦或其他邏輯處理器並由其執行時，電腦或其他處理器變為用於實踐例示性實施例或實施方法實施例之設備。例示性實施例亦可具體體現為電腦程式碼之形式，舉例而言，其是否儲存在儲存媒體中，載入電腦或處理器及/或由其執行、或經由一些傳輸媒體傳輸，諸如經由電線或電纜，透過光纖或經由電磁輻射，其中當電腦程式碼載入電腦或其他類型之邏輯處理器並由其執行時，電腦或處理器變為用於實踐例示性實施例或實施方法實施例之設備。當實施在通用電腦、處理器或微處理器上時，電腦程式碼段組態電腦、處理器或微處理器以形成特定邏輯電路。

本文描述之不同臨限可憑經驗決定或可為統計量度之函數。校準及缺陷計量可儲存在板載控制邏輯處理器70或主機電腦80上，連同不同的輔助系統資料，諸如時間、系統操作者、系統名稱、偵測器序列號、位置、溫度及衝擊及振動值之任意者。此等參數可為可源自偵測器本身之影像元資料之部分，例如，溫度及衝擊資料或偵測器ID/序列號及與面板操作相關或來自主機電腦之其他資料。源自使用者與主機電腦互動之影像元資料之許多，例如，當偵測器首次在電腦上註冊時之偵測器ID、名稱或操作者ID、待執行之檢查之類型及用於檢查之曝光技術。影像元資料可連同影像儲存在諸如透過網絡化主機控制之永久性影像檔案中，及/或主機電腦本身上。

如本文所使用，術語「集合」指的是非空集，因為一組元素或成員之集合之概念在初等數學中廣泛所知。如本文所使用之術語「子集」指的是具有一個或多個成員之一集合之非空子集。對於集合S，子集可包括全集S(非真子集)或可具有比全集S少之成員(真子集)。

在一實施例中，數位放射線攝影成像偵測器可包括薄膜元件，諸如但不限於薄膜光感測器及薄膜電晶體。如放射線攝影成像技術之技術人員所知，薄膜電路可由絕緣基板上之沈積薄膜製成。例示性薄膜電路可包括非晶矽裝置，諸如a-Si PIN二極體、肖特基二極體、MIS光電容器且可使用非晶半導體材料、多晶半導體材料，諸如矽或單晶玻璃上矽(SiOG)實施。本文之特定例示性實施例可應用於數位放射線攝影成像陣列，其中DR偵測器為平板偵測器、曲面偵測器或包括可撓成像基板之偵測器。

根據一實施例，提供一種放射線攝影偵測器，其包括：電腦，其在偵測器之正常診斷使用期間可操作用於存取包括偵測器之數位影像資料之數位影像；缺陷校準圖，其包括包括複數個位元平面之單個檔案，位元平面包括：第一位元平面，其經組態以儲存出廠校準；至少一第二位元平面，其經組態以儲存重複更新之第二操作者更新校準；及至少一第三位元平面，其經組態以儲存在無操作者的情況下重複更新之第三校準更新，其中至少一第三位元平面比至少一第二位元平面更新更頻繁，電腦可存取缺陷校準圖。在一實施例中，缺陷圖更新可由成像程序產生，諸如暗成像、診斷影像捕獲及平場成像程序(例如，用於其他目的之校準程序，諸如但不限於增益校準)。

雖然已參考一或多個實施方案圖解說明本發明，但是可對所示之實例進行更改及/或修改而不脫離隨附申請專利範圍之精神及範圍。此外，雖然已參考數個實施方案/實施例之至少一者揭示本發明之特定特徵，但是此特徵可根據任意給定或特定功能之需要及對其有利地與其他實施方案/實施例之一或多個其他特徵組合。術語「至少一者」用來意指可選擇所列項目之一者或多者。術語「大約」指示所列值可稍作更改，只要更改不導致製程或結構不符合所示之實施例。最後，「例示性」指示描述用作實例，而非暗示其係理想的。考慮到本說明書及本文所揭示之本發明之實踐，熟習此項技術者應瞭解本發明之其他實施例。本說明書及實例旨在僅視作例示性。本發明之範圍由隨附申請專利範圍指示，且在其等效物之含義及範圍內之所有改變旨在涵蓋其中。

10‧‧‧可攜式DR偵測器

14‧‧‧閃爍器/閃爍螢幕

20‧‧‧平板偵測器(FPD)

22‧‧‧光感測器

24‧‧‧像素

25‧‧‧讀出元件

26‧‧‧切換元件

60‧‧‧x射線源

62‧‧‧病人

64‧‧‧產生器

66‧‧‧產生器介面

70‧‧‧控制邏輯處理器

72‧‧‧無線介面

74‧‧‧外部電源

76‧‧‧板載電池

78‧‧‧功率調節器

80‧‧‧外部主機電腦

82‧‧‧感測器

84‧‧‧無線介面

86‧‧‧控制電路

88‧‧‧校正及校準電路

90‧‧‧嵌入式影像處理單元

92‧‧‧可移除儲存器

100‧‧‧放射線攝影成像系統

212‧‧‧陣列

228‧‧‧閘極驅動晶片

230‧‧‧讀出晶片

240‧‧‧平板成像器

270‧‧‧光電二極體

271‧‧‧薄膜電晶體(TFT)

283‧‧‧閘極線

284‧‧‧資料線

285‧‧‧偏壓線

286‧‧‧電荷放大器

287‧‧‧類比多工器

288‧‧‧類比數位轉換器(ATD)

310‧‧‧缺陷線段

320‧‧‧暗區域

405‧‧‧操作塊

410‧‧‧操作塊

415‧‧‧操作塊

420‧‧‧操作塊

425‧‧‧操作塊

430‧‧‧操作塊

435‧‧‧操作塊

440‧‧‧操作塊

445‧‧‧操作塊

501‧‧‧操作塊

511‧‧‧操作塊

512‧‧‧操作塊

513‧‧‧操作塊

514‧‧‧操作塊

515‧‧‧操作塊

516‧‧‧操作塊

521‧‧‧操作塊

522‧‧‧操作塊

523‧‧‧操作塊

524‧‧‧操作塊

525‧‧‧操作塊

526‧‧‧操作塊

531‧‧‧操作塊

541‧‧‧操作塊

542‧‧‧操作塊

543‧‧‧操作塊

544‧‧‧操作塊

545‧‧‧操作塊

551‧‧‧操作塊

554‧‧‧操作塊

555‧‧‧操作塊

561‧‧‧操作塊

564‧‧‧操作塊

565‧‧‧操作塊

573‧‧‧操作塊

574‧‧‧操作塊

575‧‧‧操作塊

576‧‧‧操作塊

610‧‧‧操作塊

610'‧‧‧操作塊

615‧‧‧操作塊

620‧‧‧操作塊

625‧‧‧操作塊

630‧‧‧操作塊

635‧‧‧操作塊

640‧‧‧操作塊

645‧‧‧操作塊

650‧‧‧操作塊

655‧‧‧操作塊

660‧‧‧操作塊

665‧‧‧操作塊

670‧‧‧操作塊

675‧‧‧操作塊

720‧‧‧操作塊

740‧‧‧操作塊

755‧‧‧操作塊

760‧‧‧操作塊

775‧‧‧操作塊

780‧‧‧操作塊

785‧‧‧操作塊

835‧‧‧操作塊

855‧‧‧操作塊

875‧‧‧操作塊

880‧‧‧操作塊

885‧‧‧操作塊

930‧‧‧操作塊

935‧‧‧操作塊

940‧‧‧操作塊

945‧‧‧操作塊

950‧‧‧操作塊

1010‧‧‧操作塊

1015‧‧‧操作塊

1020‧‧‧操作塊

1025‧‧‧操作塊

1030‧‧‧操作塊

1035‧‧‧操作塊

1110‧‧‧操作塊

1115‧‧‧操作塊

1120‧‧‧操作塊

1125‧‧‧操作塊

1130‧‧‧操作塊

1135‧‧‧操作塊

E‧‧‧放大截面

圖1係繪示使用可攜式DR偵測器之放射線攝影系統之架構之示意圖。

圖2A係繪示透視、部分剖視圖之圖，該透視、部分剖視圖繪示相關技術DR偵測器之一部分。

圖2B係繪示相關技術DR偵測器成像陣列之一部分之示意圖之圖。

圖3係繪示放射線攝影臨床影像之一部分之平面圖。

圖4係繪示用於校準數位放射線攝影偵測器之方法實施例之邏輯流程圖。

圖5係繪示數位放射線攝影偵測器之場校準之例示性方法實施例之邏輯流程圖。

圖6係繪示來自數位放射線攝影偵測器之暗校準影像之缺陷識別之另一例示性方法實施例之邏輯流程圖。

圖7係繪示來自數位放射線攝影偵測器之校準之缺陷識別之另一例示性方法之邏輯流程圖。

圖8係繪示來自數位放射線攝影偵測器之暗校準影像之缺陷識別之另一例示性方法實施例之邏輯流程圖。

圖9A及圖9B係繪示數位放射線攝影偵測器之缺陷識別操作之例示性實施例之邏輯流程圖。

圖10A及圖10B係繪示數位放射線攝影偵測器之校準之缺陷識別之例示性方法實施例之邏輯流程圖。

圖11係繪示數位放射線攝影偵測器之校準之缺陷識別之另一例示性方法實施例之邏輯流程圖。

圖12係根據實施例之用缺陷圖更新校正之放射線攝影臨床影像之一部分之平面圖。