TW201327800A - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

有機發光顯示裝置包含位於基板上的薄膜電晶體、彼此互相重疊的第一導線與第二導線，此第一及第二導線位於相對於基板之不同高度且連接於薄膜電晶體以及介於第一導線及第二導線之間的複數個絕緣層。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法

相關申請案之交互參照

本申請案主張2011年12月16日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請案，申請案號為10-2011-0136569之優先權效益，其全部內容併入此處作為參考。

實施例涉及一種有機發光顯示裝置，其具有可簡單地預防短路之產生的一種改良的導線結構，以及製造此有機發光顯示裝置的方法。

一般而言，有機發光顯示裝置包含薄膜電晶體(TFT)、藉由TFT而驅動且形成影像的電致發光(electroluminescence, ET)裝置及其相似物。換句話說，若透過TFT供應電流於此EL裝置，光發射產生於此EL裝置中，因此而形成影像。同時，在有機發光顯示裝置中，連接於TFT之不同的線，例如導線，係形成於複數個層中。例如，電源電壓供應線，即ELVdd線，可連接於TFT。

實施例係提供一種有機發光顯示裝置，其具有可簡單地預防短路之產生的一種改良的導線結構，以及製造此有機發光顯示裝置的方法。

根據例示性實施例，提供一種有機發光顯示裝置，其包含位於基板上之薄膜電晶體、彼此互相重疊之第一導線及第二導線，第一及第二導線係位於相對於基板之不同高度且連接於薄膜電晶體以及介於第一導線及第二導線之間的複數個絕緣層。

第一導線可為整體控制線，且第二導線可為電源電壓供應線。

整體控制線可位於與薄膜電晶體中之主動層相同之層級。

整體控制線可由多晶矽形成。

整體控制線及薄膜電晶體之主動層可具有實質上地相同厚度以及包含實質上地相同材料。

電源電壓供應線之頂面可實質地與薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之頂面一樣高。

介於第一導線之底面與第二導線之頂面之間的距離可相等於介於薄膜電晶體之主動層之底面與該薄膜電晶體之汲極電極之頂面之間的距離。

薄膜電晶體可水平地與各個第一導線及第二導線分開。

複數個絕緣層可直接地互相堆疊於第一導線及第二導線之間。

延著垂直方向之複數個絕緣層之總厚度可相等於介於薄膜電晶體之主動層之頂面及薄膜電晶體之汲極電極之水平部份之底面之間的距離。

根據例示性實施例，提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，此方法包含形成連接於基板上之像素之薄膜電晶體的第一導線；形成複數個絕緣層於第一導線上；以及形成第二導線於複數個絕緣層上，此第二導線重疊於第一導線且連接於薄膜電晶體。

形成第一導線及第二導線可包含分別形成整體控制線及電源電壓供應線。

形成整體控制線可包含形成整體控制線位於與薄膜電晶體之主動層相同之層級。

整體控制線及主動層係由多晶矽形成。

在此，例示性實施例將參考附圖而更詳細地描述。相同參考符號於整篇說明書中意旨相同元件。在說明中，可忽略已知的功能及結構的詳細描述，以免阻礙例示性實施例的理解。

第1圖為有機發光顯示裝置的電路圖。第2圖為有機發光顯示裝置的平面示意圖。

參閱第1圖，各個像素包含作為開關的薄膜電晶體的第一薄膜電晶體TR1、用於驅動的薄膜電晶體的第二薄膜電晶體TR2、用於補償訊號的薄膜電晶體的第三薄膜電晶體TR3、做為儲存元件的電容Cst及Cvth以及電致發光(EL)裝置，如二極體，EL係藉由第一至第三薄膜電晶體TR1至TR3而驅動。在此，並未限制第一至第三薄膜電晶體TR1至TR3的數量及電容Cst及Cvth的數量，且可設置較多的薄膜電晶體及電容。

在此，將描述薄膜電晶體的功能。首先，薄膜電晶體TR1係根據供應至掃瞄線S的掃描訊號而驅動以及傳輸供應至資料線D的資料訊號。

第二薄膜電晶體TR2透過電源電壓供應線而決定供應於電致發光裝置EL的電流量，其係根據透過第一薄膜電晶體TR1而傳輸的資料訊號。

第三薄膜電晶體TR3連接於整體控制線GC以補償電壓閥值。

第2圖為顯示第一至第三薄膜電晶體TR1至TR3的平面示意圖，電源電壓供應線Vdd及整體控制線GC設置於有機發光顯示裝置的基板上。

值得注意的是，參考符號TFT表示於其中設置有第一至第三薄膜電晶體TR1至TR3以及電容Cst及Cvth的區域，且參考符號EL表示電致發光裝置。更值的注意的是，當電致發光裝置EL及薄膜電晶體TFT互相連接時，為了方便第2圖說明此電致發光裝置EL及薄膜電晶體TFT為示意的單獨區塊。

更進一步，參考符號GC表示連接於上述所提及的薄膜電晶體TFT的第三薄膜電晶體TR3的整體控制線（在此，被提及為第一導線GC），以及參考符號Vdd表示電源電壓供應線（在下文中，被提及為第二導線Vdd）。

在此，因為第一導線GC穿過第二導線Vdd的廣闊區域而連接於薄膜電晶體TFT，可形成介於第一導線GC及第二導線Vdd之間的相對較大的重疊區域。為了防止潛在的短路發生在此相對較大的重疊區域，在例示性實施例的有機發光顯示裝置中可設置複數個絕緣層於第一導線GC及第二導線Vdd之間。此絕緣層的詳細描述將參考第3圖而提供於下文。

參閱第3圖，複數個絕緣層，例如第一絕緣層11及第二絕緣層12，係形成於第一導線GC及第二導線Vdd之間。因此，因為第一及第二絕緣層11及12，即絕緣層的數量是傳統的有機發光顯示裝置的絕緣層的數量的兩倍大，係形成於第一導線GC及第二導線Vdd之間，所以在此重疊區域中的短路機率可實質上減少。此外，因為第一導線GC係由膜電晶體TFT之主動層21的相同材料形成於同一層級，所以與傳統的製程相比此製程可簡化。

具有第一及第二導線的有機發光顯示裝置的製造方法將參考第4A至4E圖而詳細描述。

首先，如第4A圖所示，緩衝層2形成於基板1上。此外，薄膜電晶體TFT的主動層21、電容Cst的下電極22及第一導線GC可由相同材料，例如多晶矽，形成於緩衝層2上。

如第4B圖所示，第一絕緣層形成，金屬層41、42及43依序分別形成於氧化銦錫(ITO)層31、32及33上，且第二絕緣層12係形成於第一絕緣層11上。在此例中，氧化銦錫層31及金屬層41對應於電致發光(EL)裝置之像素電極，氧化銦錫層32及金屬層42對應於薄膜電晶體TFT之閘極電極，氧化銦錫層33及金屬層43對應於電容Cst之上電極。

接著，如第4C圖所示，藉由使用蝕刻方法而形成複數個孔H1、H2、H3、H4及H5於第二絕緣層12中。於是，如第4D圖所示，可由相同材料形成薄膜電晶體TFT之源極及汲極電極51及52以及第二導線Vdd位於同一層級。因此，如上所述，因為形成複數個絕緣層11及12介於第一導線GC以及第二導線Vdd之間，所以介於第一導線GC以及第二導線Vdd之間的短路機率係大幅減少。

接著，如第4E圖所示之結構係藉由形成像素定義層13、發光層60以及電致發光裝置之對向電極70而得。

根據例示性實施例，當複數個絕緣層11及12係設置於第一導線GC及第二導線Vdd之間時，增加介於第一及第二導線GC及Vdd之間之距離，因此減少介於第一導線GC及第二導線Vdd之間的短路機率。換言之，根據例示性實施例，上述有機發光顯示裝置包含在垂直方向中介於電源電壓供應線及相鄰的重疊線之間的增加的絕緣性。同樣地，介於此多個重疊線之間的垂直距離可能增加。於是，儘管介於這兩條線之間的重疊區域的電位增加，介於此二個重疊線之間的短路機率可能減少，因此減少不良品的比率。

相反地，因為傳統的有機發光顯示裝置只有設置單獨的絕緣層於第一導線GC及第二導線Vdd之間，所以可能發生於第一導線GC及第二導線Vdd之間的短路機率較高。亦即，因為Vdd線可能比其他線具有相對地較大的寬度，Vdd線重疊設置於不同層中的其它線的區域大小可能增加，因此增加介於多條線之間的短路機率，例如，介於Vdd線及穿過Vdd線的整體控制線之間。依此而論，因為短路的導線，傳統的有機發光顯示裝置可能有不良品數量的增加。

當例示性實施例已詳細地顯示且參考其例示性實施例而描述，該領域中具有通常知識者將了解的是，可製造不同形式及細節的改變而不脫離下述申請專利範圍所界定的例示性實施例的精神及範圍。

1．．．基板

2．．．緩衝層

11．．．第一絕緣層

12．．．第二絕緣層

13．．．像素定義層

21．．．主動層

22．．．下電極

31、32、33．．．氧化銦錫層

41、42、43．．．金屬層

51．．．源極電極

52．．．汲極電極

60．．．發光層

70．．．對向電極

H1~H5．．．孔

D．．．資料線

S．．．掃瞄線

Cst,Cvth．．．電容

TR1．．．第一薄膜電晶體

TR2．．．第二薄膜電晶體

TR3．．．第三薄膜電晶體

EL．．．電致發光裝置

GC．．．第一導線

Vdd．．．第二導線

TFT．．．薄膜電晶體

上述及其它特徵及例示性實施例的優點將藉由參考附圖且詳細地描述其例示性實施例而變得更清楚，其中：
第1圖 係為有機發光顯示裝置中的像素的電路圖；
第2圖 係為有機發光顯示裝置之示意平面圖；
第3圖 係為根據實施例之有機發光顯示裝置的橫切面圖；以及
第4A至4E圖 係為根據實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的多個階段的橫切面圖。

1．．．基板

2．．．緩衝層

11．．．第一絕緣層

12．．．第二絕緣層

13．．．像素定義層

21．．．主動層

22．．．下電極

31、32、33．．．氧化銦錫層

41、42、43．．．金屬層

51．．．源極電極

52．．．汲極電極

60．．．發光層

70．．．對向電極

EL．．．電致發光裝置

GC．．．第一導線

Vdd．．．第二導線

TFT．．．薄膜電晶體

Claims (14)

1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：
   一薄膜電晶體，係位於一基板上；
   一第一導線及一第二導線，係互相重疊，該第一導線及該第二導線係位於相對於該基板之不同高度且連接於該薄膜電晶體；以及
   複數個絕緣層，係設置於該第一導線及該第二導線之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一導線係為一整體控制線，且該第二導線係為一電源電壓供應線。
3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該整體控制線係位於與該薄膜電晶體之ㄧ主動層相同之層級。
4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中該整體控制線係由多晶矽形成。
5. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中該整體控制線及該薄膜電晶體之該主動層具有實質上相同厚度以及包含實質上相同材料。
6. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中該電源電壓供應線之ㄧ頂面係實質地與該薄膜電晶體之ㄧ源極電極及一汲極電極之多個頂面一樣高。
7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中介於該第一導線之ㄧ底面與該第二導線之ㄧ頂面之間的距離相等於介於該薄膜電晶體之ㄧ主動層之ㄧ底面與該薄膜電晶體之ㄧ汲極電極之ㄧ頂面之間的距離。
8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該薄膜電晶體係水平地與各個該第一導線及該第二導線分開。
9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個絕緣層係直接地互相堆疊於該第一導線及該第二導線之間。
10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中延著垂直方向之該複數個絕緣層之總厚度相等於介於該薄膜電晶體之ㄧ主動層之ㄧ頂面及該薄膜電晶體之ㄧ汲極電極之ㄧ水平部份之ㄧ底面之間的距離。
11. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：
    形成連接於一基板上之ㄧ像素之一薄膜電晶體的一第一導線；
    形成複數個絕緣層於該第一導線上；以及
    形成一第二導線於該複數個絕緣層上，該第二導線重疊於該第一導線且連接於該薄膜電晶體。
12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成該第一導線及該第二導線包含分別形成一整體控制線及一電源電壓供應線。
13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中形成該整體控制線包含形成該整體控制線位於與該薄膜電晶體之ㄧ主動層相同之層級。
14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該整體控制線及該主動層係由多晶矽形成。