TW201327681A - 熱處理裝置 - Google Patents
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Abstract
一種熱處理裝置，係具備有：處理容器，係收容被施有熱處理之複數基板；基板保持構件，係於處理容器內保持複數基板；感應加熱線圈，係用以於處理容器內形成感應磁場來感應加熱；高頻電源，係施加高頻電功率至感應加熱線圈；氣體供應機構，係供應處理氣體至處理容器內；排氣機構，係將處理容器內加以排氣；感應發熱體，係在處理容器內圍繞基板保持構件般地設置在感應加熱線圈及基板保持構件之間，藉由感應磁場所形成之感應電流來加熱，以其輻射熱來加熱基板保持構件所保持之基板。藉由感應發熱體，便能阻止感應電流朝基板流動。
Description
本發明係關於一種利用感應加熱來對基板施以熱處理之熱處理裝置。
例如，對半導體晶圓等基板進行成膜處理或氧化處理等之熱處理的情況，係廣泛使用於石英製的處理容器內配置複數基板而藉由電阻發熱型加熱器或加熱燈來加熱基板之批次式熱處理裝置。
最近，亦有檢討於批次式熱處理裝置來成膜SiC或GaN等之化合物。此般化合物之成膜需要將基板加熱至超過1000℃的高溫，但藉由電阻發熱型加熱器或加熱燈來加熱基板之熱處理裝置的情況，加熱溫度為1000℃左右便是極限，而難以對應於此般化合物成膜之用途。
可加熱至超過1000℃之高溫的技術，已知有在容器外側配置高頻感應加熱線圈，來感應加熱其內部所設之晶座所保持的複數基板者(例如，參照專利文獻1之圖4)。
【專利文獻】
專利文獻1：日本特開平5-21359號公報
然而，利用此般感應加熱來加熱基板的情況，基板亦會流有感應電流，而會帶來處理均勻性惡化等之不良
影響。
因此，本發明之目的在於提供一種利用感應加熱之熱處理裝置，可排除感應電流對基板之影響而均勻地進行熱處理。
本發明提供一種熱處理裝置，係對複數基板施以熱處理之熱處理裝置，具備有：處理容器，係收容被施有熱處理之複數基板；基板保持構件，係於該處理容器內保持複數基板；感應加熱線圈，係用以於該處理容器內形成感應磁場來感應加熱；高頻電源，係施加高頻電功率至該感應加熱線圈；氣體供應機構，係供應處理氣體至該處理容器內；排氣機構，係將該處理容器內加以排氣；感應發熱體，係在該處理容器內圍繞該基板保持構件般地設置在該感應加熱線圈及該基板保持構件之間，藉由該感應磁場所形成之感應電流來加熱，以其輻射熱來加熱該基板保持構件所保持之基板；其中，係藉由該感應發熱體，來阻止感應電流流動至基板。
本發明中，較佳地係藉由該感應發熱體，來阻止感應電流朝基板流動之方式，來調整該感應發熱體的厚度、該高頻電功率之頻率、以及感應加熱線圈及基板之距離中的至少一者。
本發明中，該處理容器係由介電體所構成，該感應加熱線圈可捲繞於該處理容器之外周。又，該基板保持構件係成為延伸於該處理容器之上下方向的多角柱，而
可將基板保持於其側面。再者，較佳地該感應發熱體係由石墨所構成。
本發明中，該氣體供應機構可具有將處理氣體噴淋狀地導入該處理容器內之噴淋頭。又，較佳地更具備有將該基板保持構件加以旋轉之旋轉機構。再者，該熱處理係例示於基板上讓處理氣體反應而成膜既定膜之成膜處理，該成膜處理可舉出碳化矽(SiC)膜或氮化鎵(GaN)膜之成膜。
本發明中，該熱處理係使用複數處理氣體來成膜化合物膜之成膜處理，更具備有將該基板保持構件加以旋轉之旋轉機構，該氣體供應機構係將該各處理氣體供應至該處理容器之不同區域，藉由該旋轉機構將該基板保持機構旋轉，來讓基板依序通過該各區域，而可在基板依序吸附該複數處理氣體。此情況，較佳地該氣體供應機構係具有用以將該各處理氣體噴淋狀地導入各該處理容器的不同區域之複數噴淋頭。又，作為一範例，該化合物膜為SiC膜，作為該複數處理氣體可舉出使用Si源氣體、C源氣體、還原氣體。
以下，便參照添附圖式就本發明實施形態進行具體說明。
<第1實施形態>
首先，就第1實施形態加以說明。
圖1係顯示本發明第1實施形態相關之熱處理裝置
之剖視圖。如圖1所示，熱處理裝置1係具有成為延伸於上下方向之圓筒狀的縱型處理容器2。處理容器2具有封閉其上端之頂壁2a，而下端為開放狀。此處理容器2係由具有耐熱性，而可讓電磁波(高頻電功率)穿過之介電體材料(例如石英)所構成。
此處理容器2內部可由其下方插入作為保持複數基板S之基板保持構件的晶座3。晶座3係成為延伸於處理容器2上下方向之多角柱的桶型，而例如以石墨所構成。然後，於晶座3側面保持有複數枚基板S。晶座3的形狀可例示如圖2般之六角柱，或圖3般之三角柱。當然亦可為其他多角柱。
晶座3係藉由其下方所設置之旋轉機構4而旋轉於箭頭方向。旋轉機構4係支撐於蓋體5，蓋體5與旋轉機構4與晶座3係藉由升降機構(未圖示)而一體地升降。藉此，晶座3便會被裝載及卸載。將晶座3裝載於處理容器2內的狀態下，蓋體5會封閉處理容器2下端開口部，蓋體5與處理容器2底部係藉由密封環(未圖示)而被加以密封。蓋體5係以石英等之耐熱材料所構成。處理容器2內部係沿著處理容器2內壁而配置有由例如高純度碳所構成之圓筒狀絕熱材6。絕熱材6內側係圍繞被裝載之晶座3而設有圓筒狀之感應發熱體7。感應發熱體7如後述般會流有感應電流而發熱，而以高輻射率之導電性材料(例如石墨)所構成。
處理容器2之頂壁2a形成有用以導入處理氣體之
氣體導入口8，氣體導入口8連接有氣體供應配管9，氣體供應配管9連接有氣體供應部10。然後，從氣體供應部10透過氣體供應配管9及氣體導入口8而至處理容器2內之1或複數處理氣體係藉由流量控制器(未圖示)來控制流量並供應。
處理容器2底部形成有排氣口11，排氣口11連接有排氣配管12。排氣配管12係介設自動壓力控制閥(APC)13及包含真空泵之排氣裝置14，藉由調整自動壓力控制閥13之開合度並藉由排氣裝置14來排氣，便可將處理容器2內控制於既定真空度。
處理容器2外側設有感應加熱線圈15。感應加熱線圈15係將金屬製管沿上下方向螺旋狀地捲繞於處理容器2外周，上下方向之捲繞區域係較基板S之載置區域要來的寬廣。構成感應加熱線圈15之金屬製管較佳地可使用銅。此感應加熱線圈15係從高頻電源16透過供電線18而被供應有高頻電功率。又，供電線18途中設有用以進行阻抗匹配之匹配電路17。
藉由於感應加熱線圈15施加高頻電功率，會從感應加熱線圈15放射高頻，而此會穿過處理容器2壁部而到達其內部，來形成感應磁場。然後，藉由此感應磁場所產生之感應電流會流於感應發熱體7而使得感應發熱體7發熱，藉由此輻射熱來加熱基板S。此高頻電源16之高頻頻率係設定於例如17kHz以上之範圍內。
由於藉由感應發熱體7來感應加熱會消耗感應電
流，故透過感應發熱體7而到達基板S之感應電流的量會減少，藉由感應發熱體7而阻止感應電流流動於基板S。透過感應發熱體7之感應電流的大小由於會依感應發熱體7之厚度、高頻電功率之頻率以及感應加熱線圈15與基板S之距離而變化，故本實施形態係以阻止感應電流朝基板S流動之方式來調整該等之至少一者。例如，在高頻電功率之頻率及感應加熱線圈15與基板S之距離被固定的情況，僅調整感應發熱體7之厚度。在僅固定感應加熱線圈15與基板S之距離的情況，則調整高頻電功率之頻率及感應發熱體7之厚度。在感應發熱體之厚度及感應加熱線圈15與基板S之距離被固定的情況，則僅調整高頻電功率之頻率。此時，較佳地係以感應電流不會流動於基板S之方式來調整條件。但是，流動於基板S之感應電流只要為不會對處理均勻性造成影響程度之微小值的話則可被允許。
熱處理裝置1之各構成部係藉由控制部(電腦)20所控制。控制部20係具有具備微處理器之控制器、用以供操作者管理熱處理裝置1而進行輸入指令之輸入操作等之鍵盤或將熱處理裝置1之運轉狀況可視化地加以顯示之顯示器所構成之使用者介面、收納有以控制器之控制來實現熱處理裝置1所實行之各種處理之控制程式或對應於處理條件來於熱處理裝置1實行既定處理的處理配方之記憶部。處理配方等係被記憶在記憶媒體，而從記憶部之記憶媒體加以讀出來實行。記憶媒體
可為硬碟或半導體記憶體，亦可為CD-ROM、DVD、快閃記憶體等可移動者。配方等係對應需要而依來自使用者介面之指示等而從記憶部讀出，並實行於控制器，於控制器之控制下在熱處理裝置1進行所期望的處理。
接著，就使用如上構成之熱處理裝置1所進行之熱處理加以說明。
在將晶座3下降之狀態下，將複數基板S載置於晶座3上，藉由升降機構將搭載有基板S之晶座3加以上升，而裝載至處理容器2內。此時，蓋體5會上升而封閉處理容器2下端開口部，藉由密封環(未圖示)將蓋體5與處理容器2底部加以密封，而使得處理容器2內成為密閉狀態。
此時，將高頻電源16開啟而對感應加熱線圈15施加高頻電功率，藉以加熱晶座上之基板S。具體而言，係藉由對感應加熱線圈15施加高頻電功率來於處理容器2內形成感應磁場，藉由此感應磁場來使感應電流流動於感應發熱體7，以使得感應發熱體7發熱。然後，藉由感應發熱體7之輻射熱來加熱晶座3上之基板S。
如此地加熱基板S的同時，從氣體供應部10將熱處理所需要之處理氣體流量控制而供應至處理容器2內，並一邊控制自動壓力控制閥(APC)13一邊藉由排氣裝置14從排氣口11排氣，來將處理容器2內維持於既定壓力，並藉由旋轉機構4來旋轉晶座3。此時，藉由處理容器2內所設未圖示之熱電偶來測定基板S溫度，
並基於該溫度來控制高頻電功率之功率。藉此，藉由將基板S溫度控制於既定之製程溫度並以既定之處理氣體來對基板S進行既定之熱處理。
熱處理可舉出有將處理氣體於基板上加以反應而成膜既定膜之成膜處理或將基板表面氧化之氧化處理等。特別是適用於以電阻加熱或燈加熱而難以適用之需要超過1000℃加熱的熱處理，此般熱處理可舉出典型範例有碳化矽(SiC)膜或氮化鎵(GaN)膜等之化合物膜之成膜。在SiC的情況，可使用Si或SiC作為基板S而藉由磊晶成長來形成單晶的SiC，亦可藉由CVD來形成多晶之SiC。又，在GaN的情況，可使用藍寶石或GaN作為基板S而藉由磊晶成長來形成單晶的GaN，亦可藉由CVD來形成多晶之GaN。
在成膜SiC膜的情況，作為處理氣體，可使用例如SiH4般之矽烷系氣體作為Si源，使用例如C3H8氣體般之碳化氫氣體作為C源，使用例如H2氣體作為還原氣體。
又，在成膜GaN膜的情況，可舉出例如三甲基鎵(TMGa)般之有機鎵化合物作為Ga源，例如NH3作為N源及還原氣體。
在藉由感應加熱來加熱基板S的情況，以往係將感應電流作用於晶座3而以其熱來加熱基板S，但此般情況會使得感應電流亦流動於基板S，而難以進行均勻的處理。尤其是，在成膜化合物膜的情況，便連繫到膜厚
或膜組成等之不均勻。
此處，本實施形態中，於感應加熱線圈15與基板S之間設置感應發熱體7，將感應電流作用於感應發熱體7來加以發熱，並藉由此時感應發熱體7之輻射熱來加熱基板S。藉此，感應電流便會被感應發熱體7消耗，可明顯地減少透過感應發熱體7而流動於基板S之感應電流，可藉由感應發熱體7而阻止感應電流流動於基板S。未於感應發熱體7被消耗而穿過的感應電流大小由於會依感應發熱體7之厚度、高頻電功率之頻率以及加熱線圈15與基板S之距離而變化，故本實施形態係以充分阻止到達基板S之感應電流的方式來調整該等中至少一者。此時，較佳係以感應電流不會流動於基板S之方式來規定條件，但感應電流只要為不會對處理均勻性造成影響程度之微小值的話則可被允許。
如此般，本實施形態由於處理容器2內部所產生之感應電流幾乎不會流動於基板S，不會產生感應電流流動所導致之處理均勻性的惡化而可實現均勻的熱處理。
熱處理為成膜處理的情況，從處理氣體均勻性良好地供應至基板S的觀點，亦可如圖4所示，取代頂壁2a而設置噴淋頭30。噴淋頭30具有本體31、設於本體31上部並連接有氣體供應配管9之氣體導入口32、水平地形成於本體31內部之氣體擴散空間33、以及從氣體擴散空間33貫穿至本體31下面之複數氣體噴出孔34。然後，處理氣體會從該等複數氣體噴出孔34噴淋
狀地噴出至處理容器2內。藉此，處理氣體會均勻地被供應至處理容器2內。
又，從提升處理容器2內高度方向的溫度均勻性之觀點，如圖5所示，可將感應加熱線圈分為複數區域，並分別控制高頻功率。圖5範例中，係於高度方向分為A、B、C之3個區域，區域A係捲繞感應加熱線圈15a，並從高頻電源16a供應高頻電功率，區域B係捲繞感應加熱線圈15b，並從高頻電源16b供應高頻電功率，區域C係捲繞感應加熱線圈15c，並從高頻電源16c供應高頻電功率，並控制各區域之高頻功率。區域數量不限於3個，可為2個亦可為4個以上。另外，17a、17b、17c則為各區域之匹配電路，18a、18b、18c則為各區域之供電線。
如上述，依本實施形態，係以在處理容器內包圍為基板保持構件之晶座的方式來於感應加熱線圈與晶座之間設置感應發熱體，並藉由因處理容器內之感應磁場所形成之感應電流來加熱感應發熱體，並以其輻射熱來加熱晶座所保持之基板，由於藉由感應發熱體便會阻止感應電流朝基板流動，故可排除感應電流對基板的影響而進行均勻的熱處理。
<第2實施形態>
接著，就本發明之第2實施形態加以說明。
本實施形態係以適於化合物膜之成膜的熱處理裝置來表示。圖6係顯示本發明第2實施形態相關之熱處
理裝置之剖視圖。圖7係顯示使用本發明第2實施形態相關之熱處理裝置來成膜SiC膜時的概念之概略圖。
圖6、7中，與第1實施形態相同者則賦予相同符號並省略說明。如該等圖所示，本實施形態之熱處理裝置1’係以處理容器2之頂壁成為分割型之圓板狀的噴淋頭40所構成。本例中，噴淋頭40係於周圍方向3分割為第1噴淋頭40a、第2噴淋頭40b、第3噴淋頭40c(參照圖7)。第1噴淋頭40a係具有本體41a、設於本體41a上部之氣體導入口42a、水平地形成於本體41a內部之氣體擴散空間43a、以及從氣體擴散空間43a貫穿至本體41a下面之複數氣體噴出孔44a。第2噴淋頭40b係具有本體41b、設於本體41b上部之氣體導入口42b、水平地形成於本體41b內部之氣體擴散空間43b、以及從氣體擴散空間43b貫穿至本體41b下面之複數氣體噴出孔44b。第3噴淋頭40c係具有本體41c、設於本體41c上部之氣體導入口42c、水平地形成於本體41c內部之氣體擴散空間43c、以及從氣體擴散空間43c貫穿至本體41c下面之複數氣體噴出孔44c。氣體導入口42a,42b,42c係連接有氣體供應配管9a,9b,9c，該等氣體供應配管9a,9b,9c分別連接至氣體供應部10之第1氣體源10a、第2氣體源10b、第3氣體源10c。然後，從第1氣體源10a朝第1噴淋頭40a供應第1氣體，從第2氣體源10b朝第2噴淋頭40b供應第2氣體，從第3氣體源10c朝第3噴淋頭40c供應第3氣體，而分別從
第1噴淋頭40a噴出第1氣體，從第2噴淋頭40b噴出第2氣體，從第3噴淋頭40c噴出第3氣體。雖未有圖示，但氣體供應配管9a,9b,9c係設有閥及流量控制器，而可進行第1氣體、第2氣體、第3氣體之供應與停止，以及該等之流量控制。
此般構成之第2實施形態之熱處理裝置中，與第1實施形態同樣地，在晶座3下降的狀態下，將複數基板S搭載於晶座3上，藉由升降機構將搭載有基板S之晶座上升，並裝載至處理容器2內，藉由蓋體5封閉處理容器2下端開口部，而使得處理容器2內成為密閉狀態。
此時，將高頻電源16開啟而對感應加熱線圈15施加高頻電功率，來於處理容器2內形成感應磁場，藉由此感應磁場來使感應電流流動於感應發熱體7，以使得感應發熱體7發熱，藉由其輻射熱來加熱晶座3上之基板S。
如此一來，在加熱基板S的同時，會從氣體供應部10之第1氣體源10a、第2氣體源10b、第3氣體源10c分別將第1氣體、第2氣體、第3氣體朝第1噴淋頭40a、第2噴淋頭40b、第3噴淋頭40c供應，並從該等分別將第1氣體、第2氣體、第3氣體噴出至處理容器2內。此時，將該等第1氣體、第2氣體、第3氣體流量控制而供應，並一邊控制自動壓力控制閥(APC)13一邊藉由排氣裝置14從排氣口11排氣，來將處理容器2內維持於既定壓力。藉由處理容器2內所設未圖示之熱
電偶來測定基板S溫度，並基於該溫度來控制高頻電功率之功率，以將基板S溫度控制於既定之製程溫度。
此時，處理容器2內之第1噴淋頭40a所對應之區域(圖7之區域I)會成為第1氣體氛圍，處理容器2內之第2噴淋頭40b所對應之區域(圖7之區域II)會成為第2氣體氛圍，處理容器2內之第3噴淋頭40c所對應之區域(圖7之區域III)會成為第3氣體氛圍。此狀態下，藉由以旋轉機構4來旋轉晶座3，基板S便會通過各區域，第1氣體、第2氣體、第3氣體會反覆吸附，而以ALD(Atomic Layer Deposition)的形態而形成既定之化合物膜。
典型的具體範例係使用C3H8氣體作為C源，SiH4氣體作為Si源，H2氣體作為還原氣體，從第1噴淋頭40a將作為第1氣體之C3H8氣體噴出，從第2噴淋頭40b將作為第2氣體之SiH4氣體噴出，從第3噴淋頭40c將作為第3氣體之H2氣體噴出，將處理容器2內之區域I作為C3H8供應區域而形成C3H8氣體氛圍，區域II作為SiH4供應區域而形成SiH4氣體氛圍，區域III作為H2供應區域而形成H2氣體氛圍，藉由將晶座3旋轉，基板S便會依序通過該等區域，而以ALD般之方法來形成SiC膜(參照圖7)。
藉由使用如此般之ALD方法，便可提高各氣體之反應性，以更低溫來成膜純度高的化合物膜。
此時，氣體導入部分數量及區域數量不限於3個，
係以用以成膜化合物膜之處理氣體之數量來加以決定。
另外，本發明不限於上述實施形態而可為各種變形。例如，雖係顯示多角柱之桶型者來作為晶座3，但不限於此，亦可為如圖8所示般剖面為星形者，或如圖9所示般剖面為十字型者等，而使用各種樣態。
又，熱處理雖適合於成膜處理，尤其是化合物膜之成膜處理，但只要為氧化處理、退火處理、擴散處理、改質處理等一邊供應處理氣體一邊加熱基板之處理，便包含於本發明之熱處理。
再者，關於基板，亦可對應於處理而使用半導體基板、藍寶石基板、ZnO基板、玻璃基板等各種樣態，並未有特別限定。
又，本實施形態中，雖係例示石墨為感應發熱體材料，但不限於此，亦可使用SiC等導電性陶瓷。
1‧‧‧熱處理裝置
2‧‧‧處理容器
3‧‧‧晶座
4‧‧‧旋轉機構
5‧‧‧蓋體
7‧‧‧感應發熱體
8,32,42a,42b,42c‧‧‧氣體導入口
9,9a,9b,9c‧‧‧氣體供應配管
10‧‧‧氣體供應部
11‧‧‧排氣口
12‧‧‧排氣配管
14‧‧‧排氣裝置
15‧‧‧感應加熱線圈
16‧‧‧高頻電源
20‧‧‧控制部
30,40‧‧‧噴淋頭
40a‧‧‧第1噴淋頭
40b‧‧‧第2噴淋頭
40c‧‧‧第3噴淋頭
S‧‧‧基板
圖1係顯示本發明第1實施形態相關之熱處理裝置之剖視圖。
圖2係顯示用於圖1之熱處理裝置之桶型晶座一範例之概略圖。
圖3係顯示用於圖1之熱處理裝置之桶型晶座另一範例之概略圖。
圖4係就圖1之熱處理裝置，顯示設有用以將處理氣體導入處理容器內之噴淋頭的要部之剖視圖。
圖5係就圖1之熱處理裝置，顯示於處理容器高度
方向設置3個區域而各自設有個別加熱線圈，來控制各區域之高頻功率者之剖視圖。
圖6係顯示本發明第2實施形態相關之熱處理裝置之剖視圖。
圖7係顯示使用本發明第2實施形態相關之熱處理裝置來成膜SiC膜時的概念之概略圖。
圖8係顯示晶座另一範例之概略圖。
圖9係顯示晶座再一範例之概略圖。
S‧‧‧基板
1‧‧‧熱處理裝置
10‧‧‧氣體供應部
11‧‧‧排氣口
12‧‧‧排氣配管
13‧‧‧自動壓力控制閥
14‧‧‧排氣裝置
15‧‧‧感應加熱線圈
16‧‧‧高頻電源
17‧‧‧匹配電路
18‧‧‧供電線
2‧‧‧處理容器
2a‧‧‧頂壁
20‧‧‧控制部
3‧‧‧晶座
4‧‧‧旋轉機構
5‧‧‧蓋體
6‧‧‧絕熱材
7‧‧‧感應發熱體
8‧‧‧氣體導入口
9‧‧‧氣體供應配管
Claims (12)
- 一種熱處理裝置，係對複數基板施以熱處理之熱處理裝置，具備有：處理容器，係收容被施有熱處理之複數基板；基板保持構件，係於該處理容器內保持複數基板；感應加熱線圈，係用以於該處理容器內形成感應磁場來感應加熱；高頻電源，係施加高頻電功率至該感應加熱線圈；氣體供應機構，係供應處理氣體至該處理容器內；排氣機構，係將該處理容器內加以排氣；感應發熱體，係在該處理容器內圍繞該基板保持構件般地設置在該感應加熱線圈及該基板保持構件之間，藉由該感應磁場所形成之感應電流來加熱，以其輻射熱來加熱該基板保持構件所保持之基板；其中，係藉由該感應發熱體，來阻止感應電流流動至基板。
- 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其係藉由該感應發熱體，來阻止感應電流朝基板流動之方式，來調整該感應發熱體的厚度、該高頻電功率之頻率、以及感應加熱線圈及基板之距離中的至少一者。
- 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中該處理容器係由介電體所構成，該感應加熱線圈係捲繞於該處理容器之外周。
- 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中該基板保持構件係成為延伸於該處理容器之上下方向的多角柱，而將基板保持於其側面。
- 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中該感應發熱體係由石墨所構成。
- 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中該氣體供應機構係具有將處理氣體噴淋狀地導入該處理容器內之噴淋頭。
- 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其更具備有將該基板保持構件加以旋轉之旋轉機構。
- 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中該熱處理係於基板上讓處理氣體反應而成膜既定膜之成膜處理。
- 如申請專利範圍第8項之熱處理裝置，其中該成膜處理係成膜碳化矽(SiC)膜或氮化鎵(GaN)膜者。
- 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中該熱處理係使用複數處理氣體來成膜化合物膜之成膜處理，更具備有將該基板保持構件加以旋轉之旋轉機構，該氣體供應機構係將該各處理氣體供應至該處理容器之不同區域，藉由該旋轉機構將該基板保持機構旋轉，來讓基板依序通過該各區域，而在基板依序吸附該複數處理氣體。
- 如申請專利範圍第10項之熱處理裝置，其中該氣體供應機構係具有用以將該各處理氣體噴淋狀地 導入各該處理容器的不同區域之複數噴淋頭。
- 如申請專利範圍第10項之熱處理裝置，其中該化合物膜為SiC膜，作為該複數處理氣體係使用Si源氣體、C源氣體、還原氣體。
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