TW201326365A - 成膜用墨水、成膜方法、發光元件之製造方法、發光元件、發光裝置及電子機器 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 227
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 147
- -1 ether compound Chemical class 0.000 claims abstract description 74
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 110
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 88
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 78
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 59
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 claims description 16
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 9
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 404
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 198
- 239000010408 film Substances 0.000 description 159
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 124
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 97
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 97
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 87
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 73
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 55
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 48
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 48
- APQSQLNWAIULLK-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=C(C)C2=C1 APQSQLNWAIULLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 45
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 40
- QNLZIZAQLLYXTC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=C(C)C(C)=CC=C21 QNLZIZAQLLYXTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 30
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 239000005967 1,4-Dimethylnaphthalene Substances 0.000 description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 20
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 9
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 9
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 7
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 6
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 6
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 6
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 5
- CRUILBNAQILVHZ-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1OC CRUILBNAQILVHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XHLHPRDBBAGVEG-UHFFFAOYSA-N 1-tetralone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)CCCC2=C1 XHLHPRDBBAGVEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004807 desolvation Methods 0.000 description 4
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N veratrole Chemical compound COC1=CC=CC=C1OC ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 3
- QYGBYAQGBVHMDD-XQRVVYSFSA-N (z)-2-cyano-3-thiophen-2-ylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(\C#N)=C/C1=CC=CS1 QYGBYAQGBVHMDD-XQRVVYSFSA-N 0.000 description 2
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- FPEUDBGJAVKAEE-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethoxy-2-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1C FPEUDBGJAVKAEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRRDISHSXWGFRF-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]-2-methoxyethane Chemical compound CCOCCOCCOCCOC JRRDISHSXWGFRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYLLZXPMJRMUHH-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOC HYLLZXPMJRMUHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOC SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound COCC(C)OCC(C)OCC(C)OC RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLWCWEGVNJVLAX-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-phenylbenzene Chemical group COC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 NLWCWEGVNJVLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GUMOJENFFHZAFP-UHFFFAOYSA-N 2-Ethoxynaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(OCC)=CC=C21 GUMOJENFFHZAFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RJBIZCOYFBKBIM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]propane Chemical compound COCCOCCOC(C)C RJBIZCOYFBKBIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPUSEOSICYGUEW-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxy-n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n,n-bis(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 WPUSEOSICYGUEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISSOWOSBIGYLGG-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC=C1.CC(=O)C.C(C)(=N)N Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC=C1.CC(=O)C.C(C)(=N)N ISSOWOSBIGYLGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000557 Nafion® Polymers 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 2
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 description 2
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001562 benzopyrans Chemical class 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229950005499 carbon tetrachloride Drugs 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical compound C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229940032007 methylethyl ketone Drugs 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940078552 o-xylene Drugs 0.000 description 2
- BOTNYLSAWDQNEX-UHFFFAOYSA-N phenoxymethylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1COC1=CC=CC=C1 BOTNYLSAWDQNEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 1,1'-Oxybisoctane Chemical compound CCCCCCCCOCCCCCCCC NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADYKPXIKPPZOQF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;hydrazine Chemical class NN.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ADYKPXIKPPZOQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C=C)=CC=CC3=CC2=C1 UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropane Chemical compound CCCOCC NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFKNYYQRWMMFSM-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-9h-carbazole;formaldehyde Chemical compound O=C.N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(CC)=CC=C2 LFKNYYQRWMMFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBFJWYYUVYESMJ-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n-tetrakis(3-methylphenyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SBFJWYYUVYESMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetrakis(4-methylphenyl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPDUPGAVXNALOL-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetraphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JPDUPGAVXNALOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTOFNRMEKUYYOE-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-yl-9h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C(C)C ZTOFNRMEKUYYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCUPBIBNSTXCPQ-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butyl-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 MCUPBIBNSTXCPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYLUGCBEEXMRDF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-2,21-dihydroporphyrin platinum(2+) Chemical compound [Pt+2].C=1C(C(=C2CC)CC)=NC2=CC(C(=C2CC)CC)=NC2=CC(C(=C2CC)CC)=NC2=CC2=C(CC)C(CC)C=1N2 TYLUGCBEEXMRDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- CTUSWJPWMNVXEE-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-4-(2-ethylhexoxy)-1-methoxybenzene Chemical compound CCCCC(CC)COC1=CC=C(OC)C(C=C)=C1 CTUSWJPWMNVXEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEXFDEKTELCPNF-UHFFFAOYSA-N 2-propoxynaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(OCCC)=CC=C21 UEXFDEKTELCPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJBPBQKYCDQIQV-UHFFFAOYSA-N 4-n-benzo[a]anthracen-1-ylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1NC1=CC=CC2=CC=C(C=C3C(C=CC=C3)=C3)C3=C12 QJBPBQKYCDQIQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003352 4-tert-butyl benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1C([H])([H])*)C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical group C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000156724 Antirhea Species 0.000 description 1
- 101100099988 Arabidopsis thaliana TPD1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJXUFBUYCLOLBZ-UHFFFAOYSA-N C(C)(=N)N.CC(=O)C Chemical compound C(C)(=N)N.CC(=O)C MJXUFBUYCLOLBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEMCGAMWFGSRRH-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=C(C=C1)N(C2=CC=C(C=C2)C)C3=CC=CC4=C3C5=CC=CC=C5C4 Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)N(C2=CC=C(C=C2)C)C3=CC=CC4=C3C5=CC=CC=C5C4 MEMCGAMWFGSRRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 101000679365 Homo sapiens Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Proteins 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNEJBJYHRBIWPY-UHFFFAOYSA-N N,N-diethyl-4-[2-(9H-fluoren-9-yl)ethenyl]aniline Chemical compound C(C)N(C1=CC=C(C=CC2C3=CC=CC=C3C=3C=CC=CC2=3)C=C1)CC GNEJBJYHRBIWPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 102100022578 Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Human genes 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- 101100352918 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PTC1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100161168 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) TPD3 gene Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229960001701 chloroform Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229930004069 diterpene Natural products 0.000 description 1
- 150000004141 diterpene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAQNYYDYGVSPNQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;hydrazine Chemical compound O=C.NN LAQNYYDYGVSPNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N methoxycyclopentane Chemical compound COC1CCCC1 SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYPNIFFYJHKCFO-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-4-(2-phenyl-1,3-dihydropyrazol-5-yl)aniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C1=CCN(C=2C=CC=CC=2)N1 BYPNIFFYJHKCFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N n-(4-methoxyphenyl)-4-[4-(n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKZHNHRLNBPFBZ-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]benzo[a]anthracen-1-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1NC1=CC=CC2=CC=C(C=C3C(C=CC=C3)=C3)C3=C12 YKZHNHRLNBPFBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150115538 nero gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- RFYYQFJZJJCJNT-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione;ruthenium Chemical compound [Ru].CC(=O)CC(C)=O RFYYQFJZJJCJNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N phenyl acethylene Natural products C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- KNXKVYCVGXFLES-UHFFFAOYSA-N pyridine-2-carboximidamide Chemical compound NC(=N)C1=CC=CC=N1 KNXKVYCVGXFLES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical compound C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185107 quinolinone Natural products 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008279 sol Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylporphyrin Chemical compound C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N trans,trans-1,4-Diphenyl-1,3-butadiene Chemical group C=1C=CC=CC=1\C=C\C=C\C1=CC=CC=C1 JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N 0.000 description 1
- RUVINXPYWBROJD-ONEGZZNKSA-N trans-anethole Chemical compound COC1=CC=C(\C=C\C)C=C1 RUVINXPYWBROJD-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000006163 transport media Substances 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
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- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
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- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
- H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
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- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
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- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
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Abstract
本發明提供一種保存穩定性優異並且可形成具有優異之膜質之膜的成膜用墨水、成膜方法及發光元件之製造方法，又，提供一種藉由該發光元件之製造方法而製造之發光元件，進而提供一種具備該發光元件之發光裝置及電子機器。本發明之成膜用墨水300包含成膜材料、及使成膜材料溶解或分散之液性介質，並且液性介質包含下述式(I)所表示之醚系化合物。□
Description
本發明係關於一種成膜用墨水、成膜方法、發光元件之製造方法、發光元件、發光裝置及電子機器。
有機電致發光元件(有機EL(Electroluminescence，電致發光)元件)係具有於陽極與陰極之間至少插入有1層發光性有機層(發光層)之結構的發光元件。於此種發光元件中，藉由於陰極與陽極之間施加電場，而對發光層自陰極側注入電子並且自陽極側注入電洞，電子與電洞於發光層中再結合而生成激子，於該激子恢復至基態時，其能量部分以光之形式釋放。
一般而言，於有機EL元件中，於陽極上設置有電洞注入層，於其電洞注入層上設置有電洞傳輸層或發光層。
作為形成該等層之方法(成膜方法)，已知使用溶解或分散有成膜材料之成膜用墨水的方法(例如參照專利文獻1)。
此種成膜方法可不使用光微影法而圖案化，故而有製造製程簡單，並且原材料之使用量亦較少便足夠之優點。
一般而言，有機EL元件之各層之構成材料中使用有π共軛系化合物。並且，先前係使用將該π共軛系化合物作為成膜材料溶解於芳香族烴溶劑中而成之成膜用墨水來形成有機EL元件之各層。
然而，於先前之成膜用墨水中，芳香族烴溶劑對成膜材料產生由π-π堆疊所引起之相互作用，故而有引起凝膠化
或黏度上升而缺乏保存穩定性之問題。
又，於先前之成膜用墨水中，除如上所述之由π-π堆疊所引起之相互作用以外，由於溶劑為高沸點，故而亦有脫溶劑性較差，結果導致所獲得之有機EL元件之特性惡化之問題。於藉由液滴噴出法而成膜之情形時，與旋轉塗佈法不同，防止π共軛系化合物彼此之凝聚之力不發揮作用，因而π共軛系化合物彼此容易凝聚之問題變得明顯。
又，於使用含有包含金屬錯合物之磷光發光材料的成膜用墨水而形成發光層之情形時，於先前之成膜用墨水中，如上所述之關於保存穩定性之問題、及關於有機EL元件之特性之惡化之問題較明顯。推測其原因在於，因溶劑中之溶氧或水分所產生之影響，金屬錯合物之金屬與配位基之間的鍵變得不穩定。
又，先前之使用非水系之溶劑或分散介質之成膜用墨水有對使用水系之溶劑或分散介質所形成之電洞注入層之接觸角較大(即濡濕性較低)，而無法充分地濡濕擴散之問題。
於專利文獻1中為了避免該問題而於溶劑或分散介質中添加界面活性劑，但會因殘留於所獲得之膜中之界面活性劑而使發光元件之特性惡化，故而不實用。
[專利文獻1]日本專利特開2008-77958號公報
本發明之目的在於解決上述課題之至少一部分，其可作為以下之形態或應用例而實現。
此種目的可藉由下述本發明而達成。
本發明之成膜用墨水之特徵在於包含成膜材料、及使上述成膜材料溶解或分散之液性介質，並且上述液性介質包含下述式(I)所表示之醚系化合物。
藉由以如上所述之方式構成之成膜用墨水，於成膜材料包含π共軛系化合物之情形時，不為芳香族之脂肪族之醚系化合物介隔於π共軛系化合物彼此之間，故而可防止π共軛系化合物彼此由π-π堆疊所引起之凝聚。
因此，本發明之成膜用墨水於成膜材料包含π共軛系化合物之情形時，保存穩定性及脫溶劑性(或脫分散介質性)亦優異。
又，本發明之成膜用墨水由於脫溶劑性或脫分散介質性
優異，故而可防止或抑制於所獲得之膜中殘留液性介質，結果可形成具有優異之膜質之膜。
尤其是本發明之成膜用墨水所使用之醚系化合物由於醚氧原子之數量及碳數得以最佳化，並且不含醚氧原子以外之雜原子(即不含醚基以外之極性基(例如酯、乙酸酯、酮、羥基、羧基、磺基))，故而可用作非水系之溶劑或分散介質，並且即便殘留於所獲得之膜中，亦可減少對膜之電氣特性所產生之不良影響。進而，該化合物對成膜材料之進攻性較低，就該方面而言，亦可防止所獲得之膜之特性惡化。
進而，於成膜材料包含金屬錯合物之情形時，醚氧原子與金屬錯合物之金屬配位，故而可緩和溶劑中或分散介質中之溶氧或水分對金屬錯合物之金屬與配位基之間之鍵的影響。因此，本發明之成膜用墨水於成膜材料包含金屬錯合物之情形時，保存穩定性亦優異，並且可形成具有優異之膜質之膜。
本發明之成膜用墨水之液性介質之特徵在於表面張力為35 dyn/cm2以下。
藉由以如上所述之方式構成之成膜用墨水，於使用非水系之溶劑或分散介質之情形時，對使用水系之溶劑或分散介質所形成之層(膜)上亦可容易地濡濕擴散。
又，本發明之成膜用墨水由於無需使用界面活性劑之類的添加劑，故而可防止由添加物殘留於所獲得之膜中所導致之膜之特性惡化。
於本發明之成膜用墨水中，於上述式(I)中，n較佳為2以上、4以下。
藉此，可使成膜用墨水之保存穩定性更優異。又，可使成膜用墨水對使用水系之溶劑或分散介質而形成之層(膜)上之濡濕性、及成膜用墨水之脫溶劑性或脫分散介質性兩者均優異。又，可防止液性介質(醚系化合物)之沸點變得過低，結果例如可防止液滴噴出法所使用之液滴噴出頭之噴嘴堵塞。
於本發明之成膜用墨水中，於上述式(I)中，R3之碳數較佳為2或3。
藉此，於成膜材料為可溶於非水系溶劑中者之情形時，可使成膜材料確實地溶解於液性介質中，並且防止或抑制液性介質溶解無意溶解者(例如構成液滴噴出法所使用之液滴噴出頭之構件)。
於本發明之成膜用墨水中，上述液性介質中之上述醚系化合物之含量較佳為0.1%以上、100重量%以下。
藉此，可使成膜用墨水之保存穩定性更優異。又，可使成膜用墨水對使用水系之溶劑或分散介質而形成之層(膜)上之濡濕性優異。
於本發明之成膜用墨水中，上述成膜材料較佳為包含π共軛系化合物。
藉此，可防止成膜材料(π共軛系化合物)彼此由π-π堆疊所引起之凝聚。
於本發明之成膜用墨水中，上述成膜材料較佳為包含金
屬錯合物。
藉此，可緩和溶劑中或分散介質中之溶氧或水分對成膜材料(金屬錯合物)之金屬與配位基之間之鍵的影響。
於本發明之成膜用墨水中，上述液性介質較佳為除上述醚系化合物以外，亦包含芳香族烴化合物。
藉此，於成膜材料為可溶於非水系溶劑中者之情形時，可使成膜材料確實地溶解於液性介質中，並且於製造成膜用墨水時，根據醚系化合物與芳香族烴化合物之混合比而簡單地製備具有所需之表面張力之液性介質。
於本發明之成膜用墨水中，上述成膜材料較佳為可溶於非水系溶劑中者。
此種成膜材料可溶解於液性介質中。
於本發明之成膜用墨水中，上述成膜材料較佳為構成有機電致發光元件之有機層之材料或其前驅物。
一般而言，於有機EL元件之有機層之構成材料中使用π共軛系化合物。因此，藉由使用本發明之成膜用墨水，可使有機EL元件之特性優異。
本發明之成膜用墨水較佳為用於藉由對基材賦予，並去除上述液性介質，而形成以上述成膜材料為主材料而構成之膜。
藉此，可形成作為成膜之目標之膜或其前驅物膜。
本發明之成膜用墨水較佳用於利用液滴噴出法之成膜。
藉此，即便對於微細之區域，亦可於所需之位置及區域賦予成膜用墨水。又，液滴噴出法與氣相成膜法相比，有
成膜製程簡單，並且原材料(成膜材料)之使用量較少便足夠的優點。
又，若利用液滴噴出法，則於使用π共軛系化合物作為成膜材料之情形時，π共軛系化合物彼此容易因π-π堆疊而凝聚，故而應用本發明所產生之效果變得明顯。
本發明之成膜方法之特徵在於具有如下步驟：於基材上賦予本發明之成膜用墨水之步驟；及自上述成膜用墨水去除上述液狀介質而形成膜之步驟。
藉由此種成膜方法，可形成具有優異之膜質之膜。
本發明之發光元件之製造方法之特徵在於具有如下步驟：於基材上賦予本發明之成膜用墨水之步驟；及
自上述成膜用墨水去除上述液狀介質而形成有機層之步驟。
藉由此種發光元件之製造方法，可形成具有優異之膜質之有機層(例如電洞傳輸層、發光層、中間層等)。
本發明之發光元件之特徵在於，其係使用本發明之製造方法而製造。
藉此，可提供廉價且具有優異之發光特性之發光元件。
本發明之發光裝置之特徵在於，其具備本發明之發光元件。
藉此，可提供廉價且具有優異之發光特性之發光裝置。
本發明之電子機器之特徵在於，其具備本發明之發光裝置。
藉此，可提供具有優異之可靠性之電子機器。
以下，基於隨附圖式所示之較佳之實施形態說明本發明之成膜用墨水、成膜方法、發光元件之製造方法、發光元件、發光裝置及電子機器。
(發光元件)
圖1係模式性地表示本發明之發光元件之縱剖面的圖。再者，以下，為了方便說明，將圖1中之上側設為「上」，將下側設為「下」而進行說明。
圖1所示之發光元件(電致發光元件)1係使R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)發光而進行白色發光者。
此種發光元件1係於陽極3與陰極12之間依序積層電洞注入層4、電洞傳輸層5、紅色發光層(第1發光層)6、第1中間層7A、藍色發光層(第2發光層)8、第2中間層7B、綠色發光層(第3發光層)9、電子傳輸層10、電子注入層11、陰極12而成者。
換言之，發光元件1係將依序積層電洞注入層4、電洞傳輸層5、紅色發光層6、第1中間層7A、藍色發光層8、第2中間層7B、綠色發光層9、電子傳輸層10、電子注入層11而積層之積層體15插入兩個電極間(陽極3與陰極12之間)而構成。
再者，構成積層體15之層(有機層)中之至少1層係使用下述本發明之成膜用墨水及成膜方法而形成。一般而言，於有機EL元件之有機層之構成材料中使用有π共軛系化合
物。因此，藉由使用本發明之成膜用墨水，可使有機EL元件之特性優異。
並且，發光元件1係將其整體設置於基板2上，並利用密封構件13密封。
於此種發光元件1中，對紅色發光層6、藍色發光層8、及綠色發光層9各發光層自陰極12側供給(注入)電子，並自陽極3側供給(注入)電洞。並且，於各發光層中，電洞與電子再結合，並藉由該再結合時釋放之能量而生成激子(exciton)，激子恢復至基態時釋放能量(螢光或磷光)，故而紅色發光層6、藍色發光層8、及綠色發光層9分別發出紅色、藍色、及綠色之光。藉此，發光元件1進行白色發光。
基板2係支持陽極3者。本實施形態之發光元件1係自基板2側提取光之構成(底部發光型)，故而基板2及陽極3係分別設為實質上透明(無色透明、著色透明或半透明)。
作為基板2之構成材料，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯、環烯烴聚合物、聚醯胺、聚醚碸、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚芳酯之類的樹脂材料，或石英玻璃、鈉玻璃之類的玻璃材料等，可使用該等中之一種或組合兩種以上而使用。
此種基板2之平均厚度並無特別限定，較佳為0.1~30 mm左右，更佳為0.1~10 mm左右。
再者，於發光元件1為自與基板2相反側提取光之構成(頂部發光型)之情形時，基板2可使用透明基板及不透明基
板之任一者。
作為不透明基板，例如可列舉由氧化鋁之類的陶瓷材料所構成之基板、於不鏽鋼之類的金屬基板之表面上形成有氧化膜(絕緣膜)者、由樹脂材料所構成之基板等。
以下，依序說明構成發光元件1之各部。
(陽極)
陽極3係將電洞經由下述電洞注入層4注入電洞傳輸層5之電極。作為該陽極3之構成材料，較佳為使用功函數較大，導電性優異之材料。
作為陽極3之構成材料，例如可列舉ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)、In3O3、SnO2、含Sb之SnO2、含Al之ZnO等氧化物，Au、Pt、Ag、Cu或包含該等之合金等，可使用該等中之一種或組合兩種以上而使用。
此種陽極3之平均厚度並無特別限定，較佳為10~200 nm左右，更佳為50~150 nm左右。
(陰極)
另一方面，陰極12係將電子經由下述電子注入層11注入電子傳輸層10之電極。作為該陰極12之構成材料，較佳為使用功函數較小之材料。
作為陰極12之構成材料，例如可列舉Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb或包含該等之合金等，可使用該等中之一種或組合兩種以上(例如複數層之積層體等)而使用。
尤其是於將合金用作陰極12之構成材料之情形時，較佳為使用包含Ag、Al、Cu等穩定之金屬元素之合金，具體而言為MgAg、AlLi、CuLi等合金。藉由將該合金用作陰極12之構成材料，可謀求陰極12之電子注入效率及穩定性之提高。
此種陰極12之平均厚度並無特別限定，較佳為100~10000 nm左右，更佳為200~500 nm左右。
再者，本實施形態之發光元件1為底部發光型，故而對陰極12並未特別要求透光性。
(電洞注入層)
電洞注入層4係具有提高自陽極3之電洞注入效率之功能者。
該電洞注入層4如以下詳述，亦可為使用水系之溶劑或分散介質之成膜用墨水而形成者。
作為該電洞注入層4之構成材料(電洞注入材料)，並無特別限定，例如可列舉：聚(3,4-乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT-PSS,poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate))、PEDOT-PSS-Nafion(註冊商標)、聚噻吩及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、N,N,N',N'-四苯基對二胺基苯及其衍生物等，可使用該等中之一種或組合兩種以上而使用。
此種電洞注入層4之平均厚度並無特別限定，較佳為5~150 nm左右，更佳為10~100 nm左右。
(電洞傳輸層)
電洞傳輸層5係具有將自陽極3經由電洞注入層4注入之電洞傳輸至紅色發光層6之功能者。
於該電洞傳輸層5之構成材料中，可將各種p型之高分子材料或各種p型之低分子材料單獨或組合使用。
作為p型之高分子材料(有機聚合物)，例如可列舉聚(2,7-(9,9-二正辛基茀)-(1,4-伸苯基-((4-第二丁基苯基)亞胺基)-1,4-伸苯基)(TFB,poly(2,7-(9,9-di-n-octyl fluorene)-(1,4-phenylene-((4-sec-butyl phenyl)imino)-1,4-phenylene))等聚芳基胺之類的具有芳基胺骨架者，茀-聯噻吩共聚物之類的具有茀骨架者，茀-芳基胺共聚物之類的具有芳基胺骨架及茀骨架雙方者，聚(N-乙烯基咔唑)、聚乙烯基芘、聚乙烯基蒽、聚噻吩、聚烷基噻吩、聚己基噻吩、聚對苯乙炔、聚噻吩乙炔、芘甲醛樹脂、乙基咔唑甲醛樹脂或其衍生物等。
此種p型之高分子材料亦可作為與其他化合物之混合物而使用。作為一例，可列舉聚(3,4-乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT-PSS)等作為含有聚噻吩之混合物。
另一方面，作為p型之低分子材料，例如可列舉：1,1-雙(4-二對三胺基苯基)環己烷、1,1'-雙(4-二對三胺基苯基)-4-苯基-環己烷之類的芳基環烷系化合物、4,4',4"-三甲基三苯基胺、N,N,N',N'-四苯基-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-雙(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(TPD1,N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methyl phenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)、N,N'-二苯基-N,N'-雙(4-甲氧基苯基)-1,1'-聯苯-
4,4'-二胺(TPD2,N,N'-diphenyl-N,N'-bis(4-methoxyphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(TPD3,N,N,N',N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)、N,N'-雙(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(α-NPD，N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)、TPTE(N,N'-bis(phenyl)-N,N'-bis(4'-(N,N-bis(phenylamino)biphenyl-4-yl)benzidine，N,N'-雙苯基-N,N'-雙(4'-(N,N-二(苯基胺基)-4-聯苯基)聯苯胺)之類的芳基胺系化合物，N,N,N',N'-四苯基-對苯二胺、N,N,N',N'-四(對甲苯基)-對苯二胺、N,N,N',N'-四(間甲苯基)-間苯二胺(PDA,N,N,N',N'-tetra(meta-tolyl)-meta-phenylene diamine)之類的苯二胺系化合物，咔唑、N-異丙基咔唑、N-苯基咔唑之類的咔唑系化合物，茋、4-二對甲苯基胺基茋之類的茋系化合物，OxZ之類的唑系化合物、三苯基甲烷、m-MTDATA(4,4',4"-tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)triphenylamine，4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基胺基)三苯基胺)之類的三苯基甲烷系化合物，1-苯基-3-(對二甲基胺基苯基)吡唑啉之類的吡唑啉系化合物，石油精(環己二烯)系化合物，三唑之類的三唑系化合物，咪唑之類的咪唑系化合物，1,3,4-二唑、2,5-二(4-二甲基胺基苯基)-1,3,4,-二唑之類的二唑系化合物，蒽、9-(4-二乙基胺基苯乙烯基)蒽之類的蒽系化合物，茀酮、2,4,7,-三硝基-9-茀酮、2,7-雙(2-羥基-3-(2-氯苯基胺甲醯基)-1-萘基偶氮)茀酮之類的茀酮系化合物，聚苯胺之類的苯胺系化合物，
矽烷系化合物，1,4-二硫酮-3,6-二苯基-吡咯并-(3,4-c)吡咯并吡咯之類的吡咯系化合物，茀之類的茀系化合物，卟啉、金屬四苯基卟啉之類的卟啉系化合物，喹吖啶酮之類的喹吖啶酮系化合物，酞菁、酞菁銅、四(第三丁基)酞菁銅、酞菁鉄之類的金屬或非金屬之酞菁系化合物，萘酞菁銅、萘酞菁氧釩、單氯萘酞菁鎵之類的金屬或非金屬之萘酞菁系化合物，N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺、N,N,N',N'-四苯基聯苯胺之類的聯苯胺系化合物等。
此種電洞傳輸層5之平均厚度並無特別限定，較佳為10~150 nm左右，更佳為10~100 nm左右。
再者，可省略該電洞傳輸層5。
(紅色發光層)
該紅色發光層(第1發光層)6係包含發出紅色(第1色)之光之紅色發光材料而構成。再者，於省略上述電洞傳輸層5之情形時、或電洞傳輸層5係使用水系之溶劑或分散介質之成膜用墨水而形成之情形時，該紅色發光層6係使用如下所述之本發明之成膜用墨水及成膜方法而形成。
作為此種紅色發光材料，並無特別限定，可將各種紅色螢光材料、紅色磷光材料使用一種或組合兩種以上而使用。
作為紅色螢光材料，只要為發出紅色之螢光者，則並無特別限定，例如可列舉：苝衍生物、銪錯合物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、苯并9-氧硫衍生物、卟啉衍生物、尼祿紅、2-(1,1-二甲基乙基)-6-(2-(2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-
四甲基-1H,5H-苯并(ij)喹-9-基)乙烯基)-4H-吡喃-4H-亞基)丙烷二腈(DCJTB，2-(1,1-dimethyl ethyl)-6-(2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo(ij)quinolizine-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4H-ylidene)propane dinitrile)、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(對二甲基胺基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM，4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethyl aminostyryl)-4H-pyran)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-(1-氰基伸乙烯基伸苯基)]、聚[{9,9-二己基-2,7-雙(1-氰基伸乙烯基)伸茀基}鄰-共-{2,5-雙(N,N'-二苯基胺基)-1,4-伸苯基}]、聚[{2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-(1-氰基伸乙烯基伸苯基)}-共-{2,5-雙(N,N'-二苯基胺基)-1,4-伸苯基}]等。
作為紅色磷光材料，只要為發出紅色之磷光者則並無特別限定，例如可列舉：銥、釕、鉑、鋨、錸、鈀等金屬錯合物，亦可列舉該等金屬錯合物之配位基之內之至少一者具有苯基吡啶骨架、聯吡啶骨架、卟啉骨架等者。更具體而言，可列舉三(1-苯基異喹啉)銥、雙[2-(2'-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3'](乙醯丙酮)合銥(btp2Ir(acac)，bis[2-(2'-benzo[4,5-α]thienyl)pyridinato-N,C3']iridium(acetyl acetonate))、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-12H,23H-卟啉-鉑(II)、雙[2-(2'-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3']銥、雙(2-苯基吡啶)(乙醯丙酮)合銥。
又，於紅色發光層6中，除上述紅色發光材料以外，亦可包含將紅色發光材料作為客體材料而添加之主體材料。
主體材料具有將電洞與電子再結合而生成激子，並且使該激子之能量轉移(福斯特(Förster)轉移或德克斯特(Dexter)轉移)至紅色發光材料而激發紅色發光材料的功能。於使用此種主體材料之情形時，例如可將客體材料之紅色發光材料作為摻雜劑而摻雜至主體材料中使用。
作為此種主體材料，只要為對所使用之紅色發光材料發揮如上所述之功能者，則並無特別限定，於紅色發光材料包含紅色螢光材料之情形時，例如可列舉：稠四苯衍生物、萘衍生物、蒽衍生物之類的并苯衍生物(并苯系材料)，二苯乙烯基伸芳基衍生物、苝衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基胺衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁錯合物(Alq3)等羥基喹啉系金屬錯合物、三苯基胺之四聚體等三芳基胺衍生物、二唑衍生物、矽雜環戊二烯基衍生物、二咔唑衍生物、寡聚噻吩衍生物、苯并吡喃衍生物、三唑衍生物、苯并唑衍生物、苯并噻唑衍生物、喹啉衍生物、4,4'-雙(2,2'-二苯基乙烯基)聯苯(DPVBi，4,4'-bis(2,2'-diphenyl vinyl)biphenyl)等，可使用該等中之一種或亦可組合兩種而使用。
於使用如上所述之紅色發光材料(客體材料)及主體材料之情形時，紅色發光層6中之紅色發光材料之含量(摻雜量)較佳為0.01~10重量%，更佳為0.1~5重量%。藉由將紅色發光材料之含量設為此種範圍內，可使發光效率最佳化。
此種紅色發光層6之平均厚度並無特別限定，較佳為10~150 nm左右，更佳為10~100 nm左右。
(第1中間層)
該第1中間層7A係於上述紅色發光層6與下述藍色發光層8之層間以連接該等之方式設置。並且，第1中間層7A係構成為實質上不含具有發光性之材料，且具有於紅色發光層(第1發光層)6與藍色發光層(第2發光層)8之間調整載子(電洞及電子)之轉移之功能。藉由該功能，可使紅色發光層6及藍色發光層8分別高效地發光。
作為此種第1中間層7A之構成材料，只要為可發揮如上所述之載子調整功能者，則並無特別限定，可較佳地使用并苯系材料、胺系材料等。
作為并苯系材料，只要為具有并苯骨架，並且發揮如上所述之效果者，則並無特別限定，例如可列舉萘衍生物、蒽衍生物、并四苯(稠四苯)衍生物、稠五苯衍生物、稠六苯衍生物、稠七苯衍生物等，可使用該等中之一種或組合兩種以上而使用。
作為此種第1中間層7A所使用之胺系材料，只要為具有胺骨架，並且發揮如上所述之效果者，則並無特別限定，例如可使用上述電洞傳輸材料中之具有胺骨架之材料，較佳為使用聯苯胺系胺衍生物。
又，第1中間層7A之平均厚度並無特別限定，較佳為1~100 nm，更佳為3~50 nm，進而較佳為5~30 nm。藉此，可抑制驅動電壓，並使第1中間層7A確實地調整紅色發光層6與藍色發光層8之間之電洞及電子之轉移。
再者，可省略該第1中間層7A。
(藍色發光層)
藍色發光層(第2發光層)8係包含發出藍色(第2色)之光之藍色發光材料而構成。
作為此種藍色發光材料，例如可列舉各種藍色螢光材料及藍色磷光材料，可使用該等中之一種或組合兩種以上而使用。
作為藍色螢光材料，只要為發出藍色之螢光者，則並無特別限定，例如可列舉：二苯乙烯基二胺系化合物等二苯乙烯基胺衍生物、熒蒽衍生物、芘衍生物、苝及苝衍生物、蒽衍生物、苯并唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、衍生物、菲衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、四苯基丁二烯、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑伸乙烯基)-1,1'-聯苯(BczVBi，4,4'-bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1,1'-biphenyl)、聚[(9.9-二辛基茀-2,7-二基)-共-(2,5-二甲氧基苯-1,4-二基)]、聚[(9,9-二己氧基茀-2,7-二基)-鄰-共-(2-甲氧基-5-{2-乙氧基己氧基}苯-1,4-二基)]、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共-(乙炔基苯)]等。
作為藍色磷光材料，只要為發出藍色之磷光者，則並無特別限定，例如可列舉銥、釕、鉑、鋨、錸、鈀等之金屬錯合物，具體而言，可列舉：雙[4,6-二氟苯基吡啶-N,C2']吡啶甲醯合銥、三[2-(2,4-二氟苯基)吡啶-N,C2']銥、雙[2-(3,5-三氟甲基)吡啶-N,C2']-吡啶甲醯合銥、雙(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2')(乙醯丙酮)合銥等。
又，於藍色發光層8中，除上述藍色發光材料以外，亦
可包含將藍色發光材料作為客體材料而添加之主體材料。
作為此種主體材料，可使用與上述紅色發光層(第1發光層)6所說明之主體材料相同者。
(第2中間層)
該第2中間層7B係於上述藍色發光層8與下述綠色發光層9之層間以連接該等之方式設置。並且，第2中間層7B係構成為實質上不含具有發光性之材料，並且具有於藍色發光層(第2發光層)8與綠色發光層(第3發光層)9之間調整載子(電洞及電子)之轉移之功能。藉由該功能，可阻止藍色發光層8與綠色發光層9之間之激子之能量轉移，故而可抑制自藍色發光層8至綠色發光層9之能量轉移，使藍色發光層8及綠色發光層9分別高效地發光。
作為此種第2中間層7B之構成材料，只要第2中間層7B與藍色發光層8之主體材料及綠色發光層9之主體材料中之至少一方之主體材料包含相同或同種材料，且構成為實質上不含具有發光性之材料，並可發揮如上所述之載子調整功能，則並無特別限定，作為與上述主體材料同種或相同之材料，可較佳地使用并苯系材料。
作為并苯系材料，可使用與上述第1中間層7A所說明者相同者。
又，第2中間層7B之厚度並無特別限定，較佳為2 nm以上、10 nm以下之程度，更佳為3 nm以上、7 nm以下之程度。藉由將第2中間層7B之厚度設定為該範圍內，可抑制或防止激子(電洞及電子)之擴散而確實地調整激子之轉
移。
再者，可省略該第2中間層7B。
(綠色發光層)
綠色發光層(第3之發光層)9係包含發出綠色(第3色)之光之綠色發光材料而構成。
作為此種綠色發光材料，並無特別限定，例如可列舉各種綠色螢光材料及綠色磷光材料，可使用該等中之一種或組合兩種以上而使用。
作為綠色螢光材料，只要為發出綠色之螢光者，則並無特別限定，例如可列舉：香豆素衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、9,10-雙[(9-乙基-3-咔唑)-伸乙烯基]-蒽、聚(9,9-二己基-2,7-伸乙烯基伸茀基)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共-(1,4-二伸苯基-伸乙烯基-2-甲氧基-5-{2-乙基己氧基}苯)]、聚[(9,9-二辛基-2,7-二伸乙烯基伸茀基)-鄰-共-(2-甲氧基-5-(2-乙氧基己氧基)-1,4-伸苯基)]等。
作為綠色磷光材料，只要為發出綠色之磷光者則並無特別限定，例如可列舉銥、釕、鉑、鋨、錸、鈀等之金屬錯合物，具體而言可列舉面式-三(2-苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3，fac-tris(2-phenyl pyridine)iridium)、雙(2-苯基吡啶-N,C2')(乙醯丙酮)合銥、面式-三[5-氟-2-(5-三氟甲基-2-吡啶)苯基-C,N]銥等。
又，於綠色發光層9中，除上述綠色發光材料以外，亦可包含將綠色發光材料作為客體材料而添加之主體材料。
作為此種主體材料，可使用與上述紅色發光層(第1發光
層)6所說明之主體材料相同者。
(電子傳輸層)
電子傳輸層10係具有將自陰極12經由電子注入層11注入之電子傳輸至綠色發光層9之功能者。
作為電子傳輸層10之構成材料(電子傳輸材料)，例如可列舉三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等將8-羥基喹啉或其衍生物作為配位基之有機金屬錯合物等喹啉衍生物、二唑衍生物、苝衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、喹啉衍生物、聯苯醌衍生物、經硝基取代之茀衍生物等，可使用該等中之一種或將兩種以上組合使用。
電子傳輸層10之平均厚度並無特別限定，較佳為0.5~100 nm左右，更佳為1~50 nm左右。
再者，可省略該電子傳輸層10。
(電子注入層)
電子注入層11係具有提高自陰極12之電子注入效率之功能者。
作為該電子注入層11之構成材料(電子注入材料)，例如可列舉各種無機絕緣材料、各種無機半導體材料。
作為此種無機絕緣材料，例如可列舉鹼金屬硫屬化物(氧化物、硫化物、硒化物、碲化物)、鹼土金屬硫屬化物、鹼金屬之鹵化物及鹼土金屬之鹵化物等，可使用該等中之一種或將兩種以上組合使用。藉由將該等設為主材料構成電子注入層，可進一步提高電子注入性。尤其是鹼金屬化合物(鹼金屬硫屬化物、鹼金屬之鹵化物等)之功函數
非常小，藉由使用其來構成電子注入層11，可使發光元件1獲得高亮度。
作為鹼金屬硫屬化物，例如可列舉Li2O、LiO、Na2S、Na2Se、NaO等。
作為鹼土金屬硫屬化物，例如可列舉CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSe等。
作為鹼金屬之鹵化物，例如可列舉CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等。
作為鹼土金屬之鹵化物，例如可列舉CaF2、BaF2、SrF2、MgF2、BeF2等。
又，作為無機半導體材料，例如可列舉包含Li、Na、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn中之至少一種元素之氧化物、氮化物或氧化氮化物等，可使用該等中之一種或將兩種以上組合使用。
電子注入層11之平均厚度並無特別限定，較佳為0.1~1000 nm左右，更佳為0.2~100 nm左右，進而較佳為0.2~50 nm左右。
再者，可省略該電子注入層11。
(密封構件)
密封構件13係以覆蓋陰極12之方式設置，具有氣密密封陽極3、積層體15、及陰極12，遮斷氧氣或水分之功能。藉由設置密封構件13，可獲得提高發光元件1之可靠性、或防止變質、劣化(提高耐久性)等效果。
作為密封構件13之構成材料，例如可列舉Al、Au、Cr、
Nb、Ta、Ti或包含該等之合金、氧化矽、各種樹脂材料等。再者，於將具有導電性之材料用作密封構件13之構成材料之情形時，為了防止短路，較佳為於密封構件13與陰極12之間視需要設置絕緣膜。
又，亦可將密封構件13設為平板狀並與基板2相對向，並且將該等之間例如利用熱硬化性樹脂等密封材料密封。
(發光元件之製造方法)
繼而，以用於上述發光元件1之製造之情形為例對本發明之成膜用墨水及成膜方法進行說明。再者，以下代表性地說明使用本發明之成膜用墨水及成膜方法形成電洞傳輸層5之情形。
如上所述之發光元件1例如可以如下所述之方式製造。
[1]首先，準備基板2，於該基板2上形成陽極3。
陽極3例如可使用電漿CVD、熱CVD之類的化學蒸鍍法(CVD，Chemical Vapor Deposition)、真空蒸鍍等乾鍍敷法、電解鍍敷等濕式鍍敷法、噴敷法、溶膠-凝膠法、MOD(Metallo Organic Decomposition，金屬有機物分解)法、金屬箔之接合等而形成。
[2]繼而，於陽極3上形成電洞注入層4。
電洞注入層6例如可藉由使用CVD法、或真空蒸鍍、濺鍍等乾鍍敷法等之氣相製程而形成。
又，電洞注入層4可藉由於陽極3上供給使電洞注入材料溶解於溶劑中或分散於分散介質中而成之電洞注入層形成用材料(墨水)後，進行乾燥(脫溶劑或脫分散介質)而形
成。
作為電洞注入層形成用材料之供給方法，例如可列舉旋轉塗佈法、輥塗法、噴墨印刷法(液滴噴出法)等各種塗佈法。藉由使用該塗佈法，可相對容易地形成電洞注入層4。
作為電洞注入層形成用材料之製備所使用之溶劑或分散介質，例如可列舉各種無機溶劑或各種有機溶劑、或者包含該等之混合溶劑等。
又，為了謀求液滴噴出之穩定性，可於該等溶劑或分散介質中添加高沸點溶劑。作為該高沸點溶劑之具體例，例如可列舉芳香族烴、異丙醇(IPA,isopropyl alcohol)、正丁醇、γ-丁內酯、N-甲基吡咯烷酮(NMP,N-methyl pyrrolidone)、二甲基甲醯胺(DMF,dimethyl formamide)、六甲基磷醯胺(HMPA,hexamethyl phosphoramide)、二甲基亞碸(DMSO,dimethyl sulfoxide)、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮(DMI,1,3-dimethyl-2-imidazolidinone)及其衍生物、卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯等二醇醚類等。
再者，乾燥例如可藉由大氣壓或減壓環境中之放置、加熱處理、惰性氣體之噴附而進行。
又，於本步驟前，亦可對陽極3之上表面實施氧電漿處理。藉此，可進行對陽極3之上表面賦予親液性、去除(清洗)附著於陽極3之上表面之有機物、調整陽極3之上表面附近之功函數之操作。
此處，作為氧電漿處理之條件，例如較佳為設為電漿功
率100~800 W左右、氧氣流量50~100 mL/min左右、被處理構件(陽極3)之搬送速度0.5~10 mm/sec左右、支持被處理構件之支持體之溫度70~90℃左右。
[3]繼而，於電洞注入層4上形成電洞傳輸層5。
該電洞傳輸層5係藉由於電洞注入層4上供給將上述電洞傳輸材料溶解於溶劑中或分散於分散介質中而成之電洞傳輸層形成用材料(本發明之成膜用墨水)後，進行乾燥(脫溶劑或脫分散介質)而形成。
尤其是作為電洞注入層形成用材料(成膜用墨水)之供給方法，例如可使用利用如下述之液滴噴出裝置之噴墨印刷法(液滴噴出法)。
(液滴噴出裝置)
此處，對電洞傳輸層5之成膜所使用之液滴噴出裝置進行說明。
圖2係表示液滴噴出裝置(噴墨裝置)之較佳之實施形態之一例的立體圖，圖3係用以說明圖2之液滴噴出裝置所具備之液滴噴出頭(噴墨頭)之概略構成的模式圖。
如圖2所示，液滴噴出裝置200具有液滴噴出頭(噴墨頭，以下僅稱為噴頭)110、基座130、平台140、墨水貯存部(未圖示)、平台定位機構170、噴頭定位機構180、控制裝置190。
基座130係支持平台140、平台定位機構170、及噴頭定位機構180等液滴噴出裝置200之各構成構件之平台。
平台140經由平台定位機構170而設置於基座130上。
又，平台140係載置基材S(於本實施形態中係包含基板2、陽極3、電洞注入層4之積層體)者。
又，於平台140之背面配設有橡膠發熱體(未圖示)。載置於平台140上之基材S之上表面整體藉由橡膠發熱體而加熱至特定之溫度。
平台定位機構170具有第1移動機構171及馬達172。平台定位機構170決定基座130上之平台140之位置，藉此，決定基座130上之基材S之位置。
第1移動機構171具有大致平行於Y方向而設置之2條軌道、及於該軌道上移動之支持台。第1移動機構171之支持台經由馬達172而支持平台140。並且，藉由使支持台於軌道上移動而使載置基材S之平台140於Y方向上移動及定位。
馬達172支持平台140，並使平台140於θz方向上搖動及定位。
噴頭定位機構180具有第2移動機構181、線性馬達182、馬達183、184、185。噴頭定位機構180決定噴頭110之位置。
第2移動機構181具有自基座130立設之2根支持柱、由該支持柱支持而設置於該支持柱彼此之間且具有2條軌道之軌道台、可沿軌道移動並支持噴頭110之支持構件(未圖示)。並且，藉由使支持構件沿軌道移動而使噴頭110於X方向移動及定位。
線性馬達182設置於支持構件附近，可進行噴頭110之Z
方向之移動及定位。
馬達183、184、185使噴頭110分別於α、β、γ方向搖動及定位。
藉由如上所述之平台定位機構170及噴頭定位機構180，可使液滴噴出裝置200正確地控制噴頭110之墨水噴出面115P與平台140上之基材S之相對位置及姿勢。
如圖2所示，噴頭110係藉由噴墨方式(液滴噴出方式)而自噴嘴(突出部)118噴出成膜用墨水300者。於本實施形態中，噴頭110利用使用作為壓電體元件之壓電元件113而噴出墨水之壓電方式。壓電方式由於不對成膜用墨水300加熱，故而具有不對材料之組成產生影響等優點。
噴頭110具有噴頭本體111、振動板112、壓電元件113。
噴頭本體111具有本體114、於其下端面具有噴嘴板115。並且，藉由使板狀之噴嘴板115與振動板112夾持本體114，而形成作為空間之儲墨器116及自儲墨器116分支之複數之墨水室117。
自未圖示之墨水貯存部將成膜用墨水300供給於儲墨器116中。儲墨器116形成用以將成膜用墨水300供給於各墨水室117之流路。
又，噴嘴板115係安裝於本體114之下端面，並構成墨水噴出面115P。於該噴嘴板115上，噴出成膜用墨水300之複數之噴嘴118對應於各墨水室117而開口。並且，自各墨水室117朝向對應之噴嘴(噴出部)118形成有墨水流路。
振動板112係安裝於噴頭本體111之上端面，並構成各墨
水室117之壁面。振動板112可根據壓電元件113之振動而振動。
壓電元件113係對應於各墨水室117而設置於該振動板112之與噴頭本體111之相反側。壓電元件113係利用一對電極(不圖示)夾持水晶等壓電材料而成者。該一對電極係連接於驅動電路191。
並且，若自驅動電路191對壓電元件113輸入電訊號，則壓電元件113膨脹變形或收縮變形。若壓電元件113收縮變形，則墨水室117之壓力降低，成膜用墨水300自儲墨器116流入墨水室117。又，若壓電元件113膨脹變形，則墨水室117之壓力增加，成膜用墨水300自噴嘴118噴出。再者，藉由使施加電壓變化，可控制壓電元件113之變形量。又，藉由使施加電壓之頻率變化，可控制壓電元件113之變形速度。即，藉由控制對壓電元件113之施加電壓，可控制成膜用墨水300之噴出條件。
控制裝置190控制液滴噴出裝置200之各部位。例如調節驅動電路191中生成之施加電壓之波形而控制成膜用墨水300之噴出條件，或控制噴頭定位機構180及平台定位機構170，藉此控制成膜用墨水300對基材S之噴出位置。
(成膜用墨水)
本發明之成膜用墨水300具有成膜材料及使該成膜材料溶解或分散之液性介質。
該成膜用墨水300係用於藉由對基材S(於本實施形態中為電洞注入層4)賦予並去除上述液性介質，從而形成以上
述成膜材料為主材料而構成之膜(於本實施形態中為電洞傳輸層5)者。藉此，可形成作為成膜之目標之膜(於本實施形態中為電洞傳輸層5)或其前驅物膜。
尤其是該成膜用墨水300係利用如上所述之液滴噴出裝置200之成膜、即利用液滴噴出法之成膜所使用者。藉此，即便對於微細之區域，亦可於所需之位置及區域賦予成膜用墨水300。又，液滴噴出法與氣相成膜法相比，具有成膜製程簡單，並且原材料(成膜材料)之使用量較少便足夠之優點。
又，若利用液滴噴出法，則於將π共軛系化合物用作成膜材料之情形時，π共軛系化合物彼此容易藉由π-π堆疊而凝聚，故而應用本發明所產生之效果變得明顯。
以下，詳細說明本發明之成膜用墨水300之各成分。
(成膜材料)
本發明之成膜用墨水300所包含之成膜材料係作為成膜之目標之膜(於本實施形態中為電洞傳輸層5)之構成材料或其前驅物。
於成膜用墨水300中，成膜材料可為溶解於下述液性介質中者，亦可為分散於下述液性介質中者，於成膜材料為分散於液性介質中者之情形時，成膜材料之平均粒徑較佳為20~200 nm，更佳為5~90 nm。藉此，可使成膜用墨水300中之成膜材料之分散穩定性優異。
成膜材料較佳為可溶於非水系溶劑中者。此種成膜材料可溶解於液性介質中。因此，於將高分子材料用作成膜材
料之情形時，亦可形成均質之膜。
於本實施形態中，本步驟所使用之成膜材料係構成有機電致發光元件之電洞傳輸層之材料或其前驅物。
又，於上述發光元件1中，於陽極3上設置有電洞注入層4，於該電洞注入層4上設置有電洞傳輸層5。並且，於形成電洞傳輸層5時，於使用水系之溶劑或分散介質而形成之電洞注入層4上塗佈使電洞傳輸層5之構成材料或其前驅物溶解或分散於非水系之溶劑或分散介質中而成之成膜用墨水300。因此，若將本發明之成膜用墨水300用於電洞傳輸層5之形成，則本發明之效果變得明顯。
再者，於發光元件1中，可如上所述省略電洞傳輸層5。因此，於該情形時，於其電洞注入層4上設置發光層(紅色發光層6)。並且，於該情形時，於形成紅色發光層6時，於電洞注入層4上塗佈使紅色發光層6之構成材料或其前驅物溶解或分散於非水系之溶劑或分散介質中而成之成膜用墨水。因此，若將本發明之成膜用墨水用於此種紅色發光層6之形成，本發明之效果亦變得明顯。
成膜用墨水300中之成膜材料之含有率可視成膜用墨水300之用途而決定，並無特別限定，例如較佳為0.01~20重量%，更佳為0.05~15重量%。若成膜材料之含有率為上述範圍內之值，則可使自成膜用之液滴噴出頭(噴墨頭)之噴出性(噴出穩定性)尤為優異。
(液性介質)
本發明之成膜用墨水300所包含之液性介質係使上述成
膜材料溶解或分散者，即溶劑或分散介質。該液性介質於下述成膜過程中，其大部分被除去。
尤其是該液性介質之表面張力為35 dyn/cm2以下，並且含有下述式(I)所表示之醚系化合物。
藉由如此構成之成膜用墨水300，於成膜材料包含π共軛系化合物之情形時，不為芳香族之脂肪族之醚系化合物介隔於π共軛系化合物彼此之間，故而可防止π共軛系化合物彼此由π-π堆疊所引起之凝聚。
因此，本發明之成膜用墨水300於成膜材料包含π共軛系化合物之情形時，保存穩定性及脫溶劑性(或脫分散介質性)亦優異。
又，本發明之成膜用墨水300由於脫溶劑性或脫分散介質性優異，故而可防止或抑制液性介質殘留於所獲得之膜(於本實施形態中為電洞傳輸層5)中，其結果，可形成具有優異之膜質之膜。
又，於使用非水系之溶劑或分散介質之情形時，-對使用水系之溶劑或分散介質而形成之層(於本實施形態中為電洞注入層4)上亦可容易地濡濕擴散。
又，本發明之成膜用墨水由於無需使用界面活性劑之類的添加劑，故而可防止於所獲得之膜中殘留添加物所導致之膜之特性惡化。
尤其是成膜用墨水300所使用之上述醚系化合物中，醚氧原子之數及碳數最佳化，並且不含醚氧原子以外之雜原子(即醚基以外之極性基(例如酯、乙酸酯、酮、羥基、羧基、磺基))，故而可用作非水系之溶劑或分散介質，並且即便殘留於所獲得之膜(於本實施形態中為電洞傳輸層5)中，亦可減少對膜之電氣特性產生之不良影響。進而，該化合物對成膜材料(於本實施形態中為電洞傳輸性材料)之進攻性較低，就該方面而言，亦可防止所獲得之膜之特性惡化。
相對於此，若假設成膜用墨水300所包含之液性介質之表面張力大於35 dyn/cm2，則無法使成膜用墨水300對電洞注入層4上均勻地濡濕擴散。
又，為了使成膜用墨水300對電洞注入層4上之濡濕性更優異，成膜用墨水300所包含之液性介質之表面張力較佳為30 dyn/cm2以下。
又，於上述式(I)中，若假設n為0或1，則醚系化合物之分子尺寸過小，無法防止成膜材料彼此(π共軛系化合物彼此)由π-π堆疊所引起之凝聚。又，液性介質(醚系化合物)
之沸點會變得過低，其結果，例如會產生液滴噴出法所使用之液滴噴出頭之噴嘴之堵塞。另一方面，於上述式(I)中，若假設n為5以上，則液性介質(醚系化合物)之黏度會變得過高，其結果，無法使成膜用墨水對使用水系之溶劑或分散介質而形成之層(膜)上均勻地塗佈擴散，或液性介質(醚系化合物)之沸點變得過高，其結果，成膜用墨水之脫溶劑性或脫分散介質性降低。
就此種觀點而言，於上述式(I)中，n較佳為2以上、4以下。即，上述式(I)所表示之醚系化合物之醚鍵較佳為3個以上、5個以下。藉此，可使成膜用墨水300之保存穩定性更優異。又，可使成膜用墨水300對使用水系之溶劑或分散介質而形成之層(膜)上之濡濕性、及成膜用墨水300之脫溶劑性或脫分散介質性兩者均優異。又，可防止液性介質(醚系化合物)之沸點變得過低，其結果，例如可防止液滴噴出法所使用之液滴噴出頭之噴嘴之堵塞。
又，於上述式(I)中，n為2以上、4以下之情形時，R3較佳為碳數為2或3。藉此，於成膜材料為可溶於非水系溶劑中者之情形時，可使成膜材料確實地溶解於液性材料中，並且可防止或抑制液性介質溶解無意溶解者(例如構成液滴噴出法所使用之液滴噴出頭之構件)。
相對於此，於上述式(I)中，若假設R3之碳數過少，則有非極性材料對液性介質之溶解性過高，液性介質溶解無意溶解者之情形。另一方面，於上述式(I)中，若假設R3之碳數過多，則難以兼顧成膜用墨水300對使用水系溶劑或分
散介質而形成之層(膜)上之濡濕性、及成膜用墨水300之脫溶劑性或脫分散介質性。
又，上述液性介質中之上述醚系化合物之含量較佳為0.1%以上、100重量%以下，更佳為10%以上、100重量%以下，進而較佳為20%以上、100重量%以下。藉此，可使成膜用墨水300之保存穩定性更優異。又，可使成膜用墨水300對使用水系之溶劑或分散介質而形成之層(膜)上之濡濕性優異。
又，於液性介質中亦可包含上述式(I)所示之化合物以外之化合物。作為可含有於液性介質中之化合物，例如可列舉：萘、二甲基萘等萘衍生物、苯(Benzene，沸點80.1℃，熔點5.5℃)、甲苯(Toluene，沸點110.6℃，熔點-93℃)、鄰二甲苯(o-Xylene(p-,m-)，沸點144℃，熔點-25℃)、三甲基苯(Trimethylbenzene，沸點165℃，熔點-45℃)、萘滿(四氫萘，Tetralin，沸點208℃，熔點-35.8℃)、環己基苯(cyclohexylbenzene，沸點237.5℃，熔點5℃)、1,4-二氯苯(1,4-dchlorobenzene，沸點174℃，熔點53.5℃)、1,2,3-三氯苯(1,2,3-Trichlorobenzene、沸點221℃、熔點52.6℃)、四氫呋喃(Tetrahydrofuran，沸點66℃，熔點-108.5℃)、二乙醚(diethyl ether，沸點35℃，熔點-116℃)、二異丙醚(Diisopropyl ether，沸點69℃，熔點-85.6℃)、乙二醇(ethylene glycol，沸點197.3℃，熔點-12.9℃)、乙二醇二乙醚(Ethylene glycol diethyl ether，沸點190℃，熔點-44.3℃)、二烷(Dioxane，沸點101.1℃，
熔點11.8℃)、苯甲醚(甲氧基苯，Anisole，沸點154℃，熔點-37℃)、二氯甲烷(dichloromethane，沸點40℃，熔點-96.7℃)、三氯甲烷(trichloromethane、沸點61.2℃、熔點-64℃)、四氯化碳(tetrachloromethane，沸點76.7℃，熔點-28.6℃)、戊烷(pentane，沸點36℃，熔點-131℃)、己烷(Hexane，沸點69℃，熔點-95℃)、環己烷(cyclohexane，沸點81℃，熔點7℃)、丙酮(Acetone，沸點56.5℃，熔點-94℃)、1-甲基-2-吡咯啶酮(NMP，1-Methyl-2-pyrrolidinone，沸點204℃，熔點-24℃)、甲基乙基酮(methylethylketone，沸點79.6℃，熔點-86℃)、α-四氫萘酮(Alpha-tetralone，沸點257℃，熔點7℃)、環己酮(Cyclohexanone，沸點157℃，熔點-45℃)、乙酸乙酯(ethyl acetate，沸點77.1℃，熔點-83.6℃)、乙酸丁酯(butyl acetate，沸點126℃，熔點-74℃)、甲醇(methanol，沸點67℃，熔點-97℃)、乙醇(ethanol，沸點78.4℃，熔點-114.3℃)、異丙醇(Isopropyl alcohol，沸點82.4℃，熔點-89.5℃)、1-丙醇(1-Propanol，沸點97.15℃，熔點-126.5℃)、乙腈(acetonitrile，沸點82℃，熔點-45℃)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF，N,N-dimethylformamide，沸點153℃，熔點-61℃)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc，N,N-Dimethylacetamide，沸點165℃，熔點-20℃)、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮(1,3-dimethyl-2-imidazolidinone，沸點220℃，熔點8℃)、二甲基亞碸(dimethyl sulfoxide，沸點189℃，熔點18.5℃)、4-第三丁基苯甲醚(4-tert-Butylanisole，沸點222℃，熔點18℃)、反
式茴香腦(Trans-Anethole，沸點235℃，熔點20℃)、1,2-二甲氧基苯(1,2-Dimethoxybenzene，沸點206.7℃，熔點22.5℃)、2-甲氧基聯苯(2-Methoxybiphenyl，沸點274℃，熔點28℃)、苯醚(Phenyl Ether，沸點258.3℃，熔點28℃)、2-乙氧基萘(2-Ethoxynaphthalene，沸點282℃，熔點35℃)、苄基苯醚(Benzyl Phenyl Ether，沸點288℃，熔點39℃)、2,6-二甲氧基甲苯(2,6-Dimethoxytoluene，沸點222℃，熔點39℃)、2-丙氧基萘(2-Propoxynaphthalene，沸點305℃，熔點40℃)、1,2,3-三甲氧基苯(1,2,3-Trimethoxybenzene，沸點235℃，熔點45℃)、1,4-二氯苯(1,4-dichlorobenzene，沸點174℃，熔點53.5℃)等，可使用該等中之一種或組合兩種以上而使用。
又，作為該上述式(I)所示之化合物以外之化合物，較佳為使用芳香族烴化合物。即，上述液性介質除上述醚系化合物以外，較佳為包含芳香族烴化合物。藉此，於成膜材料為可溶於非水系溶劑中者之情形時，可使成膜材料確實地溶解於液性介質中，並且於製造成膜用墨水300時，可根據醚系化合物與芳香族烴化合物之混合比而簡單地製備具有所需之表面張力之液性介質。
液性介質之常溫(20℃)下之黏度(以下亦僅稱為「黏度」)較佳為4 cP以下，更佳為2 cP以下。藉此，可有效地提高成膜用墨水300對使用水系之溶劑或分散介質而形成之層(於本實施形態中為電洞注入層4)上之濡濕性。
又，液性介質之常壓下之沸點較佳為80℃以上、350℃以
下，更佳為160℃以上、300℃以下，進而較佳為200℃以上、280℃以下。藉此，可抑制成膜用墨水300之液性介質之揮發性，使用液滴噴出法穩定地噴出成膜用墨水300。又，可使成膜用墨水之脫溶劑性或脫分散介質性優異。
此種液性介質於成膜用墨水300中之含量較佳為80~99.99重量%，更佳為85~99.95重量%。
如以上說明之成膜用墨水係用於如下所述之使用噴墨法(液滴噴出法)之成膜者。藉由噴墨法，可相對簡單且確實地進行微細之圖案化。
此種成膜用墨水係於下述墨水賦予步驟[3-1]中呈液狀者。
又，此種成膜用墨水之黏度並無特別限定，較佳為1 cP以上、5 cP以下之程度。藉由將成膜用墨水之黏度製備於該範圍內，可使如上所述之液性介質之低黏度化所產生之效果變得明顯。
使用如以上說明之液滴噴出裝置200及成膜用墨水300形成電洞傳輸層5。
(成膜方法)
具體而言，電洞傳輸層5之形成方法(成膜方法)具有如下步驟：[3-1]於基材S(具體而言為電洞注入層4)上賦予成膜用墨水，[3-2]自成膜用墨水去除液狀介質而形成電洞傳輸層5。
藉此，可形成具有優異之膜質之膜。
又，於使用非水系之溶劑或分散介質之情形時，對使用
水系之溶劑或分散介質而形成之層上亦可不使用界面活性劑之類的添加劑而容易地濡濕擴散。其結果，可簡單且於短時間內形成具有優異之膜質之膜。
[3-1]
具體而言，使用上述液滴噴出裝置200而於電洞注入層4上賦予所需之量之成膜用墨水300。
該步驟[3-1]中之環境之溫度及壓力分別視成膜用墨水300之組成而決定，只要可於基材S上賦予成膜用墨水300，則並無特別限定，較佳為常溫常壓。藉此，可簡單地進行成膜用墨水300之賦予。
[3-2]
並且，自形成於基材S上(於本實施形態中為包含基板2、陽極3及電洞注入層4之積層體，具體而言為電洞注入層4上)之成膜用墨水300去除液性介質，藉此，獲得以成膜材料為主成分之膜(即電洞傳輸層5或其前驅物膜)。
該步驟[3-2]中之環境之溫度及壓力分別視成膜用墨水300之組成而決定，只要可自基材S上之成膜用墨水300去除液性介質，則並無特別限定，較佳為於加熱、減壓下進行液性介質之除去。藉此，可高效地自成膜用墨水300去除液性介質。
該加熱並無特別限定，可利用加熱板或紅外線等進行。又，該加熱亦可藉由設置於上述液滴噴出裝置200之平台140上之橡膠發熱體進行。
該加熱溫度並無特別限定，較佳為60~100℃左右。
又，加熱時間並無特別限定，為1分鐘以上、60分鐘以下之程度。
於如上所述減壓時，其壓力並無特別限定，較佳為10-7 Pa以上、10 Pa以下之程度。
以如上所述之方式去除液性介質而形成之膜成為作為成膜之目標之電洞傳輸層5之構成材料或其前驅物所構成者。
並且，於將電洞傳輸層5之構成材料之前驅物用作成膜材料之情形時，可對去除液性介質而獲得之膜視需要實施特定之處理。例如，於惰性氣體環境下實施熱處理(焙燒處理)。
該加熱溫度並無特別限定，較佳為100~200℃左右。
又，加熱時間並無特別限定，為10分鐘以上、2小時以下之程度。
以如上方式形成電洞傳輸層5。
[4]繼而，於電洞傳輸層5上形成紅色發光層6。
紅色發光層6例如可藉由使用CVD法、或真空蒸鍍、濺鍍等乾鍍敷法等之氣相製程而形成。
又，紅色發光層6例如亦可藉由於電洞傳輸層5上供給將其構成材料溶解於溶劑中或分散於分散介質中而成之紅色發光層形成用材料後，進行乾燥(脫溶劑或脫分散介質)而形成。
再者，該紅色發光層6可以與上述電洞傳輸層5之形成相同之方式使用本發明之成膜用墨水及成膜方法而形成。此
時，於成膜材料包含金屬錯合物之情形時，醚氧原子與金屬錯合物之金屬配位，故而可緩和溶劑中或分散介質中之溶氧或水分對金屬錯合物之金屬與配位基之間之鍵的影響。因此，所使用之成膜用墨水於成膜材料包含金屬錯合物之情形時，保存穩定性亦優異，並且可形成具有優異之膜質之膜。
再者，於省略上述電洞傳輸層5之情形時、或電洞傳輸層5係使用水系之溶劑或分散介質之成膜用墨水而形成之情形時，該紅色發光層6係以與上述電洞傳輸層5之形成相同之方式使用本發明之成膜用墨水及成膜方法而形成。
[5]繼而，於紅色發光層6上形成第1中間層7A。
第1中間層7A例如可藉由使用CVD法、或真空蒸鍍、濺鍍等乾鍍敷法等之氣相製程而形成。
又，第1中間層7A例如亦可藉由於紅色發光層6上供給將其構成材料溶解於溶劑中或分散於分散介質中而成之第1中間層形成用材料後，進行乾燥(脫溶劑或脫分散介質)而形成。
[6]繼而，於第1中間層7A上形成藍色發光層8。
藍色發光層8例如可藉由使用CVD法、或真空蒸鍍、濺鍍等乾鍍敷法等之氣相製程而形成。
[7]繼而，於藍色發光層8上形成第2中間層7B。
第2中間層7B可使用與上述步驟[5]所說明之第1中間層7A之形成方法相同之方法而形成。
[8]繼而，於第2中間層7B上形成綠色發光層9。
綠色發光層9例如可藉由使用CVD法、或真空蒸鍍、濺鍍等乾鍍敷法等之氣相製程而形成。
[9]繼而，於綠色發光層9上形成電子傳輸層10。
電子傳輸層10例如可藉由使用CVD法、或真空蒸鍍、濺鍍等乾鍍敷法等之氣相製程而形成。
又，電子傳輸層10例如亦可藉由於綠色發光層9上供給將電子傳輸材料溶解於溶劑中或分散於分散介質中而成之電子傳輸層形成用材料後，進行乾燥(脫溶劑或脫分散介質)而形成。
[10]繼而，於電子傳輸層10上形成電子注入層11。
於將無機材料用作電子注入層11之構成材料之情形時，電子注入層11例如可利用使用CVD法、或真空蒸鍍、濺鍍等乾鍍敷法等之氣相製程、無機微粒子墨水之塗佈及焙燒等而形成。
[11]繼而，於電子注入層11上形成陰極12。
陰極12例如可使用真空蒸鍍法、濺鍍法、金屬箔之接合、金屬微粒子墨水之塗佈及焙燒等而形成。
經由如上所述之步驟而獲得發光元件1。
最後，以覆蓋所獲得之發光元件1之方式形成密封構件13。
根據如以上說明之發光元件1之製造方法，具有如上所述之步驟[3-1]及[3-2]，故而可形成具有優異之膜質之電洞傳輸層5。尤其是不會於發光元件1內殘留界面活性劑，故而可使發光元件1之特性優異。又，可廉價地製造發光元
件1。
又，於藉由使用非水系之溶劑或分散介質之成膜用墨水而形成電洞傳輸層5之情形時，對使用水系之溶劑或分散介質而形成之電洞注入層4上亦可不使用界面活性劑之類的添加劑而使該成膜用墨水300容易地濡濕擴散。其結果，可簡單且於短時間內形成具有優異之膜質之電洞傳輸層5。尤其是不會於發光元件1內殘留界面活性劑，故而可使發光元件1之特性優異。又，可廉價地製造發光元件1。
如以上說明之發光元件1例如可用作光源等。又，藉由將複數之發光元件1配置為矩陣狀，可構成顯示裝置(顯示裝置)。
再者，作為顯示裝置之驅動方式，並無特別限定，可為主動矩陣方式、被動矩陣方式之任一者。
於第二實施形態中，與第一實施形態相異，發光元件係由分別發出紅色、綠色、藍色之光之元件所形成。
<發光裝置>
繼而，參照圖8及圖9，針對具有以用本實施形態之發光元件之製造方法所製造之發光元件的發光裝置進行說明。圖8係表示本實施形態之發光裝置之構成的概略正面圖，圖9係表示本實施形態之發光裝置之構造之主要部份的概略剖面圖。
如圖8所示，本實施形態之有機EL裝置240包括具備R(紅)、G(綠)、B(藍)3色之發光像素207之元件基板201、
與距離預定之間隔而對向配置於元件基板201上之密封基板202。密封基板202以封合設有複數發光像素207之發光區域206之方式，使用具有高氣密性之封合劑貼合於元件基板201。
發光像素207係包括下述作為發光元件之有機EL元件212(參照圖9)者，發出同色之光之發光像素207以沿著圖面上之縱向排列即所謂的條狀排列方式形成。另外，實際上之發光像素207極為微小，故為便於圖示而將其放大表現。
元件基板201略大於密封基板202，於框狀突出之部分設有驅動發光像素207之2個掃描線驅動電路部203及1個資料線驅動電路部204。掃描線驅動電路部203及資料線驅動電路部204可安裝於元件基板201上作為例如積體電路之IC，亦可將掃描線驅動電路部203及資料線驅動電路部204直接形成於元件基板201之表面。
於元件基板201之端子部201a，安裝用以使該等掃描線驅動電路部203或資料線驅動電路部204與外部驅動電路連接之中繼基板205。中繼基板205可使用例如可撓性電路基板等。
如圖9所示，於有機EL裝置240中，有機EL元件212具有作為像素電極之陽極231、區分陽極231之間隔壁部233及包含由形成於陽極231上之有機膜所構成之發光層之功能層232。又，有機EL元件212具有作為共通電極之陰極234，其係以經由功能層232而與陽極231對向之方式形
成。
間隔壁部233係藉由例如以CF4作為處理氣體之電漿處理進行疏液化或使用對下述功能液具有疏液性之感光性阻劑而形成。作為該感光性阻劑，可列舉於感光性之丙烯酸系樹脂中含有氟系聚合物之疏液性阻劑組合物。間隔壁部233係以覆蓋構成發光像素207之陽極231周圍之一部份且將複數之陽極231分別區分之方式而設置。
陽極231連接於元件基板201上形成之TFT元件208之3端子中之其中一者，且係將例如透明電極材料ITO(Indium Tin Oxide)以約100 nm之厚度成膜者。
陰極234由例如Al或Ag等具有反光性之金屬材料或該金屬材料與其他金屬(如Mg)之合金等所形成。
本實施形態之有機EL裝置240係所謂底部發光型之構造，藉由使驅動電流流過陽極231與陰極234之間而將功能層232所發出之光以陰極234反射而自元件基板201側汲取。因此，元件基板201係使用玻璃等之透明基板。又，密封基板202則透明基板及不透明基板均可使用。作為不透明基板，除例如氧化鋁等陶瓷、於不銹鋼等金屬板上實施表面氧化等絕緣處理者，其他尚可列舉熱固性樹脂、熱塑性樹脂等。
功能層232包含複數之薄膜層，含有包含有機膜之電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層，自陽極231側以該順序進行積層。於本實施形態中，該等薄膜層係使用液體塗布法或真空蒸鍍法成膜。液體塗
布法包含上述使用液滴噴出裝置200之液滴噴出法或旋塗法等。
<發光元件之製造方法>
繼而，參照圖10至圖13，針對作為本實施形態之發光元件之製造方法的有機EL元件212之製造方法進行說明。圖10係表示本實施形態之有機EL元件之製造方法的流程圖，圖11A至圖11D、圖12E至圖12G、圖13H至圖13J係表示本實施形態之有機EL元件之製造方法的概略剖面圖。
本實施形態之有機EL元件212之製造方法，如圖10所示，至少包括間隔壁部形成步驟(步驟S10)、於形成有間隔壁部之基板上實施表面處理之表面處理步驟(步驟S20)、電洞注入層形成步驟(步驟S30)、電洞傳輸層形成步驟(步驟S40)、發光層形成步驟(步驟S50)、電子傳輸層形成步驟(步驟S60)、電子注入層形成步驟(步驟S70)、陰極形成步驟(步驟S80)及將形成有有機EL元件之元件基板201與密封基板202接合之密封基板接合步驟(步驟S90)。另外，由於在元件基板201上形成陽極231之步驟使用已知製造方法即可，故於本實施形態中省略詳細說明。
圖10之步驟S10係間隔壁部形成步驟。於步驟S10中，如圖11A所示，以覆蓋陽極231周圍之一部份而區分陽極231之各者之方式形成間隔壁部233。作為形成方法，例如將感光性之酚樹脂或聚醯亞胺樹脂以約1μm至3μm之厚度塗布於形成有陽極231之元件基板201之表面。作為塗布方法，可列舉轉印法、狹縫式塗布法等。繼而，可藉由使用
對應發光像素之形狀之遮罩進行曝光、顯影，形成對應發光像素之間隔壁部233。此處，發光像素之形狀為矩形形狀，且平面地配置於矩陣上。因此，間隔壁部233係平面地形成為格子狀，具有區分發光像素之各者之功用。以下，將由間隔壁部233所區分之發光像素之區域稱為膜形成區域A。繼而，進行步驟S20。
圖10之步驟S20係表面處理步驟。於步驟S20中，於形成有間隔壁部233之元件基板201之表面實施親液處理與疏液處理。首先，進行以氧作為處理氣體之電漿處理，於主要包含無機材料之陽極231之表面實施親液處理。繼而，進行以CF4等氟系氣體作為處理氣體之電漿處理，將氟導入包含有機材料之間隔壁部233之表面而實施疏液處理。繼而，進行步驟S30。
圖10之步驟S30係電洞注入層形成步驟。於步驟S30中，首先，如圖11B所示，將包含電洞注入層形成材料之液狀體275塗布於膜形成區域A。液狀體275係本發明之功能層形成用墨水之一例，使用第一實施形態中所說明之成膜用墨水。
作為塗布液狀體275之方法，使用先前所說明之可將液狀體(墨水)自噴頭110之噴嘴118噴出之液滴噴出裝置200。使噴頭110與元件基板201對向而自噴頭110噴出液狀體275。所噴出之液狀體275成為液滴噴於經親液處理之陽極231而濡濕擴散。又，以乾燥後之電洞注入層之膜厚成為約50 nm至70 nm之方式，依據膜形成區域A之面積將必要
量之液滴噴出。繼而，進行乾燥步驟。
於乾燥步驟中，藉由將元件基板201以例如減壓乾燥及燈退火等之方法進行乾燥加熱，而將液狀體275之溶劑成分乾燥去除，如圖11C所示，於膜形成區域A之陽極231上形成電洞注入層232a。另外，於本實施形態中，雖於各膜形成區域A形成含同一材料之電洞注入層232a，但亦可對應其後形成之發光層而依據每一發光色變更電洞注入層232a之材料。繼而，進行步驟S40。
圖10之步驟S40係電洞傳輸層形成步驟。於步驟S40中，如圖11D所示，對膜形成區域A賦予包含電洞傳輸層形成材料之液狀體280。
於以液體塗布法形成電洞傳輸層上所形成之發光層之情形時，液狀體280係使用第一實施形態中所說明之成膜用墨水作為電洞傳輸層形成材料。
作為塗布液狀體280之方法，與塗布液狀體275時同樣使用液滴噴出裝置200。以乾燥後之電洞傳輸層之膜厚成為約10 nm至30 nm之方式，依據膜形成區域A之面積而將必要量之液滴噴出。繼而，進行乾燥步驟。
於乾燥步驟中，藉由將元件基板201以例如減壓乾燥及燈退火等之方法進行乾燥加熱，而將液狀體280之溶劑成分乾燥去除，如圖12E所示，於膜形成區域A之電洞注入層232a上形成電洞傳輸層232c。繼而，進行步驟S50。
圖10之步驟S50係發光層形成步驟。於步驟S50中，如圖12F所示，將包含發光層形成材料之液狀體285R、285G、
285B塗布於其分別對應之膜形成區域A。
液狀體285R、285G、285B係本發明之功能層形成用墨水之一例，分別使用第一實施形態中所說明之成膜用墨水。
塗布液狀體285R、285G、285B之方法，可使用液滴噴出裝置200，將其分別填充於相異之噴頭110而噴出。
至於發光層之成膜，係使用可將液狀體285R、285G、285B均勻地噴出於膜形成區域A且穩定噴出必要量之液滴噴出法。以乾燥後之發光層之膜厚成為約50 nm至100 nm之方式，依據膜形成區域A之面積將必要量之液滴噴出。繼而，進行乾燥步驟。
於本實施形態中所噴出之液狀體285R、285G、285B之乾燥步驟係藉由減壓乾燥及燈退火等之方法進行乾燥加熱而進行。藉由使用液滴噴出法，將必要量之液狀體285R、285G、285B均勻地塗布於膜形成區域A。因此，如圖12G所示，乾燥後所形成之發光層232r、232g、232b於每一膜形成區域A中具有約略固定之膜厚。繼而，進行步驟S60。
圖10之步驟S60係電子傳輸層形成步驟。電子傳輸層232d係如第一實施形態，使用氣相製程而形成。如圖13H所示，電子傳輸層232d形成於包含各發光層232r、232g及232b上之基板201之全面。繼而，進行步驟S70。
圖10之步驟S70係電子注入層形成步驟。電子注入層232e亦如第一實施形態，使用氣相製程而形成。如圖13I所示，電子注入層232e形成於包含各發光層232r、232g及
232b上之基板201之全面。繼而，進行步驟S80。
圖10之步驟S80係陰極形成步驟。於步驟S80中，如圖13J所示，以覆蓋間隔壁部233與各功能層232R、232G、232B之方式形成陰極234。藉此構成有機EL元件212。
陰極234較好的是將上述材料組合使用。另外，較好的是於功能層232R、232G、232B與陰極234之間視需要導入電子傳輸層或電子注入層。作為陰極234之形成方法，可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法等。尤其是就可防止功能層232R、232G、232B因熱受損而言，較好的是真空蒸鍍法。繼而，進行步驟S90。
圖10之步驟S90係密封基板接合步驟。於步驟S90中，將透明之封合層235塗布於形成有有機EL元件212之元件基板201，使元件基板201與透明之密封基板202之間無空隙地完全密封。進而較好的是於密封基板202之周邊區域設置防止水分或氧等進入之接著層而接合。
(顯示裝置)
繼而，對具備本發明之發光裝置之顯示裝置之一例進行說明。
圖4係表示具備本發明之發光裝置之顯示裝置之實施形態的縱剖面圖。
圖4所示之顯示裝置100具有基板21、對應於子像素100R、100G、100B而設置之複數之發光元件1R、1G、1B及彩色濾光片19R、19G、10B、及用以分別驅動各發光元件1R、1G、1B之複數之驅動用電晶體24。此處，顯示裝置100係頂部發光結構之顯示面板。
於基板21上設置有複數之驅動用電晶體24，以覆蓋該等驅動用電晶體24之方式形成有由絕緣材料所構成之平坦化層22。
各驅動用電晶體24具有包含矽之半導體層241、形成於半導體層241上之閘極絕緣層242、形成於閘極絕緣層242上之閘極電極243、源極電極244、及汲極電極245。
於平坦化層上對應於各驅動用電晶體24而設置有發光元件1R、1G、1B。
發光元件1R係於平坦化層22上依序積層反射膜32、抗腐蝕膜33、陽極3、積層體(有機EL發光部)15、陰極12、陰極遮罩34而成。於本實施形態中，各發光元件1R、1G、1B之陽極3構成像素電極，並藉由導電部(配線)27而電性連接於各驅動用電晶體24之汲極電極245。又，各發光元件1R、1G、1B之陰極12係設為共用電極。
再者，發光元件1G、1B之構成與發光元件1R之構成相同。又，於圖4中，關於與圖1相同之構成，係附以相同符號。又，反射膜32之構成(特性)亦可根據光之波長而於發光元件1R、1G、1B間不同。
於鄰接之發光元件1R、1G、1B彼此之間設置有間隔壁31。又，於該等發光元件1R、1G、1B上以覆蓋該等之方式形成有利用環氧樹脂所構成之環氧樹脂層35。
根據此種發光裝置101，由於具備具有與上述發光元件1相同之構成之發光元件1R、1G、1B，故而可成為廉價且具有優異之發光特性者。
彩色濾光片19R、19G、19B係對應於發光元件1R、1G、1B而設置於上述環氧樹脂層35上。
彩色濾光片19R係將來自發光元件1R之白色光W轉換成紅色者。又，彩色濾光片19G係將來自發光元件1G之白色光W轉換成綠色者。又，彩色濾光片19B係將來自發光元件1B之白色光W轉換成藍色。藉由將此種彩色濾光片19R、19G、19B與發光元件1R、1G、1B組合使用，可顯示全彩圖像。
又，於鄰接之彩色濾光片19R、19G、19B彼此之間形成有遮光層36。藉此，可防止子像素100R、100G、100B無意之發光。
並且，於彩色濾光片19R、19G、19B及遮光層36上以覆蓋該等之方式設置有基板20。
如以上說明之顯示裝置100可為單色顯示，亦可藉由選擇各發光元件1R、1G、1B所使用之發光材料而進行彩色顯示。
此種顯示裝置100(顯示裝置)可組入各種電子機器中。
圖5係表示應用本發明之電子機器之行動型(或筆記型)之個人電腦之構成的立體圖。
於該圖中，個人電腦1100係由具備鍵盤1102之本體部1104、及具備顯示部之顯示單元1106而構成，經由鉸鏈結構部而相對於本體部1104可旋動地支持顯示單元1106。
於該個人電腦1100中，顯示單元1106所具備之顯示部係由上述顯示裝置100所構成。
圖6係表示應用本發明之電子機器之行動電話機(亦包含PHS(Personal-Handy Phone System，個人手持電話系統))之構成的立體圖。
於該圖中，行動電話機1200具備複數之操作按鈕1202、聽筒口1204及話筒口1206、以及顯示部。
於行動電話機1200中，該顯示部係由上述顯示裝置100所構成。
圖7係表示應用本發明之電子機器之數位靜態相機之構成的立體圖。再者，於該圖中對與外部機器之連接亦簡易地進行表示。
此處，通常之相機係藉由被攝體之光學影像而使銀鹽照相膠片感光，相對於此，數位靜態相機1300係藉由CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)等攝像元件而對被攝體之光學影像進行光電轉換並生成攝像訊號(圖像訊號)。
於數位靜態相機1300中之外殼(機體)1302之背面設置有顯示部，成為基於CCD所產生之攝像訊號而進行顯示之構成，並作為以電子圖像之形式顯示被攝體之取景器而發揮功能。
於數位靜態相機1300中，該顯示部係由上述顯示裝置100所構成。
於外殼之內部設置有電路基板1308。該電路基板1308中設置有可存儲(記憶)攝像訊號之記憶體。
又，外殼1302之正面側(於圖示之構成中為背面側)設置
有包含光學透鏡(攝像光學系統)或CCD等之受光單元1304。
於攝影者確認顯示於顯示部中之被攝體像，並按下快門按鈕1306時，該時間點上之CCD之攝像訊號傳輸、存儲至電路基板1308之記憶體中。
又，於該數位靜態相機1300中，於外殼1302之側面設置有視頻訊號輸出端子1312、及資料通信用之輸入輸出端子1314。並且，如圖所示，於視頻訊號輸出端子1312上可視需要連接電視監視器1430，於資料通信用之輸入輸出端子1314上可視需要連接個人電腦1440。進而，成為藉由特定之操作而使存儲於電路基板1308之記憶體中之攝像訊號輸出於電視監視器1430或個人電腦1440之構成。
根據如以上說明之電子機器，由於分別具有如上所述之顯示裝置100(發光裝置101)，故而具有優異之可靠性。
再者，本發明之電子機器除圖5之個人電腦(行動型個人電腦)、圖6之行動電話機、圖7之數位靜態相機以外，例如亦可應用於電視、視訊攝影機、取景器型、監視器直觀型之錄影機、膝上型個人電腦、汽車導航裝置、尋呼機、電子記事本(亦包含附通信功能者)、電子辭典、計算器、電子遊戲機器、文字處理機、工作站、電視電話、防盜用電視監視器、電子雙筒望遠鏡、POS(Point Of Sale，銷售點)終端、具備觸控面板之機器(例如金融機構之提款機、自動售票機)、醫療機器(例如電子體溫計、血壓計、血糖計、心電顯示裝置、超音波診斷裝置、內視鏡用顯示裝
置)、魚群探測機、各種測定機器、儀錶類(例如車輛、飛機、船舶之儀錶類)、飛行模擬器、其他各種監視器類、投影儀等投射型顯示裝置等。
以上，基於圖示之實施形態說明了本發明之成膜用墨水、成膜方法、發光元件之製造方法、發光元件、發光裝置及電子機器，但本發明並不限定於該等。
例如，於上述實施形態中，對發光元件具有3層發光層者進行說明，但發光層可為1層或2層，亦可為4層以上。例如於上述實施形態中，可省略發光元件之發光層之1層或2層，亦可追加其他1層以上之發光層。又，作為發光層之發光色，並不限定於上述實施形態之R、G、B。
又，接觸於電洞注入層或電洞傳輸層而設置之發光層所使用之發光材料並不限定於紅色發光材料，例如亦可為藍色發光材料、綠色發光材料、黃色發光材料等。
又，於上述實施形態中，說明了將發光裝置組入顯示裝置之例，但本發明之發光裝置並不限定於此，例如亦可用作電致變色調光玻璃、電子紙、照明裝置、電子照片方式之列印機之曝光裝置之光源。
又，於上述實施形態中，以將本發明之成膜用墨水及成膜方法應用於有機EL元件之製造之情形為例進行說明，但本發明之成膜用墨水及成膜方法並不限定於此。其中，於成膜材料包含π共軛系化合物之情形時，若使用本發明之成膜用墨水及成膜方法，則其效果變得明顯，故而較佳。
其次，對本發明之具體實施例進行說明。
準備以下樣品No.1-1~No.1-41之液性介質(溶劑)。
[樣品No.1-1]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有作為上述式(I)所示之化合物(n=0，R1之碳數=2，R2之碳數=2)之二乙醚(bp：34.6℃)10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-2]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有作為上述式(I)所示之化合物(n=0，R1之碳數=2，R2之碳數=3)之乙基丙基醚(bp：62℃)10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-3]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有作為上述式(I)所示之化合物(n=0，R1之碳數=3(分支)，R2之碳數=3(分支))之二異丙醚(bp：69℃)10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-4]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有作為上述式(I)所示之化合物(n=0，R1之碳數=3，R2之碳數=3)之二丙醚(bp：34.6℃)10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-5]
作為上述式(I)所示之化合物(n=0，R1之碳數=5，R2之碳數=1)的環戊基甲基醚(bp：106℃)之單一溶劑
[樣品No.1-6]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品
No.5之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-7]
作為上述式(I)所示之化合物(n=0，R1之碳數=4，R2之碳數=4)的二丁醚(bp：141℃)之單一溶劑
[樣品No.1-8]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.7之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-9]
作為上述式(I)所示之化合物(n=0，R1之碳數=8，R2之碳數=8)的二辛醚(bp：287℃)之單一溶劑
[樣品No.1-10]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.9之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-11]
作為上述式(I)所示之化合物(n=1，R1之碳數=1，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的乙二醇二甲醚(bp：85℃)之單一溶劑
[樣品No.1-12]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.11之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-13]
作為上述式(I)所示之化合物(n=1，R1之碳數=2，R2之碳數=2)的乙二醇二乙醚(bp：121℃)之單一溶劑
[樣品No.1-14]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品
No.13之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-15]
作為上述式(I)所示之化合物(n=1，R1之碳數=4，R2之碳數=4)的乙二醇二丁醚(bp：203℃)之單一溶劑
[樣品No.1-16]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.15之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-17]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=1，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的二乙二醇二甲醚(bp：162℃)之單一溶劑
[樣品No.1-18]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.17之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-19]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=2，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的二乙二醇乙基甲基醚(bp：176℃)之單一溶劑
[樣品No.1-20]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.19之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-21]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=3，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的二乙二醇異丙基甲基醚(bp：179℃)
之單一溶劑
[樣品No.1-22]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.21之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-23]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=2，R2之碳數=2，R3之碳數=2)的二乙二醇二乙醚(bp：188℃)之單一溶劑
[樣品No.1-24]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.23之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-25]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=4，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的二乙二醇丁基甲基醚(bp：212℃)之單一溶劑
[樣品No.1-26]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.25之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-27]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=4，R2之碳數=4，R3之碳數=2)的二乙二醇二丁醚(bp：256℃)之單一溶劑
[樣品No.1-28]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品
No.27之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-29]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=1，R2之碳數=1，R3之碳數=3)的二丙二醇二甲醚(bp：171℃)之單一溶劑
[樣品No.1-30]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.29之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-31]
作為上述式(I)所示之化合物(n=3，R1之碳數=1，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的三乙二醇二甲醚(bp：216℃)之單一溶劑
[樣品No.1-32]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.31之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-33]
作為上述式(I)所示之化合物(n=3，R1之碳數=2，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的三乙二醇乙基甲基醚(bp：225℃)之單一溶劑
[樣品No.1-34]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.33之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-35]
作為上述式(I)所示之化合物(n=3，R1之碳數=4，R2之碳
數=1，R3之碳數=2)的三乙二醇丁基甲基醚(bp：261℃)之單一溶劑
[樣品No.1-36]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.35之液性介質10質量份之混合溶劑
[樣品No.1-37]
作為上述式(I)所示之化合物(n=3，R1之碳數=1，R2之碳數=1，R3之碳數=3)的三丙二醇二甲醚(bp：215℃)之單一溶劑
[樣品No.1-38]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.37之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-39]
作為上述式(I)所示之化合物(n=4，R1之碳數=1，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的四乙二醇二甲醚(bp：275℃)之單一溶劑
[樣品No.1-40]
相對於1,4-二甲基萘(bp：268℃)90質量份，添加有樣品No.39之液性介質10質量份的混合溶劑
[樣品No.1-41]
1,4-二甲基萘之單一溶劑
將以上樣品編號之液性介質匯總示於表1-1。
<1>首先，準備平均厚度為0.5 mm之透明之玻璃基板。繼而，藉由濺鍍法於該基板上形成平均厚度為100 nm之ITO電極(陽極)。
並且，將基板依序浸漬於丙酮、2-丙醇中，並進行超音波清洗後，實施氧電漿處理。
<2>繼而，於ITO電極上形成平均厚度為50 nm之電洞注入層。
該電洞注入層係藉由利用液滴噴出法於ITO電極上賦予電洞注入層形成用之成膜用墨水，並進行真空乾燥後，於氮氣環境下以150℃進行加熱處理(焙燒處理)30分鐘而形成。
於電洞注入層形成用之成膜用墨水中，使用PEDOT-PSS(1/20)作為成膜材料，使用包含聚苯乙烯磺酸、作為聚噻吩衍生物之3,4-聚乙二氧基噻吩、及水的混合分散介質作為液性介質(分散介質)。
<3>繼而，於電洞注入層上形成平均厚度為50 nm之電洞傳輸層。
該電洞傳輸層係藉由如下方式形成：利用使用如圖2所示之液滴噴出裝置之液滴噴出法，於電洞注入層上賦予電洞傳輸層形成用之成膜用墨水(本發明之成膜用墨水)，並進行真空乾燥後，於氮氣環境下以180℃進行加熱處理(焙
燒處理)1小時。所獲得之層(電洞傳輸層)成為不溶於有機介質中者。
於電洞傳輸層形成用之成膜用墨水中，使用TFB(0.9重量%)作為成膜材料，使用上述樣品No.1-1之液性介質(混合溶劑)作為液性介質(溶劑)。
於電洞注入層上賦予此種成膜用墨水，結果可均勻地濡濕擴散。
<4>繼而，於電洞傳輸層上形成平均厚度為60 nm之紅色發光層(第1發光層)。
該紅色發光層係藉由利用液滴噴出法於電洞傳輸層上賦予紅色發光層形成用之成膜用墨水，並進行真空乾燥後，以130℃進行加熱處理(焙燒處理)30分鐘而形成。
於紅色發光層形成用之成膜用墨水中，使用紅色磷光發光材料(主體：聚乙烯基咔唑(69%)、PBD(29%)，客體：雙(2-苯基吡啶)(乙醯丙酮)合銥(2%))1.4重量%作為成膜材料，使用二甲基萘作為液性介質(溶劑)。
<5>繼而，使用真空蒸鍍法(真空度1.33×10-4 Pa)於紅色發光層上依序積層平均厚度為10 nm之Ca層及平均厚度為200 nm之Al層，形成由該等積層體所構成之陰極。
藉由以上步驟，製造發光元件。
於形成電洞傳輸層時，使用表1-2所示之樣品編號之液性介質代替上述樣品No.1-1之液性介質(混合溶劑)作為液性介質(溶劑)，除此以外，以與上述實施例1-1相同之方式
製造發光元件。
省略電洞傳輸層之形成，並且紅色發光層之形成方法不同，除此以外，以與上述實施例1-1相同之方式製造發光元件。
於本實施例中，紅色發光層係藉由如下方式形成：利用使用圖2所示之液滴噴出裝置之液滴噴出法，於電洞注入層上賦予紅色發光層形成用之成膜用墨水(本發明之成膜用墨水)，並進行真空乾燥後，於氮氣環境下以130℃進行加熱處理(焙燒處理)30分鐘。
於紅色發光層形成用之成膜用墨水中，使用紅色磷光發光材料(主體：聚乙烯基咔唑(69%)、PBD(29%)，客體：雙(2-苯基吡啶)(乙醯丙酮)合銥(2%))1.4重量%作為成膜材料，使用上述樣品No.1之液性介質(混合溶劑)作為液性介質(溶劑)。
於電洞注入層上賦予此種成膜用墨水，結果均勻地濡濕擴散。
於形成紅色發光層時，使用表1-3所示之樣品編號之液性介質代替上述樣品No.1-1之液性介質(混合溶劑)作為液性介質(溶劑)，除此以外，以與上述實施例1-41相同之方式製造發光元件。
<保存性(墨水保存穩定性)之評價>
於各實施例及各比較例中，將電洞注入層上之成膜(電洞傳輸層或紅色發光層之形成)所使用之成膜用墨水於室溫下保存3個月，觀察該保存後之成膜用墨水之狀態，根據以下評價基準進行評價。
○：無凝膠化及黏度上升。
△：雖然可見少許凝膠化及黏度上升，但為實際使用上無問題之範圍內。
×：可見明顯之凝膠化及黏度上升。
<發光效率之評價>
對於各實施例及各比較例之發光元件，使用直流電源對發光元件通入10 mA/cm2之恆定電流。並且，此時使用亮度計測定亮度，評價發光效率(亮度/電流密度)。再者，於發光效率之評價中，對實施例1-1~1-40及比較例1-1以比較例1-1為基準進行標準化並評價，對實施例1-41~1-80及比較例1-2以比較例1-2為基準進行標準化並評價。
<發光壽命之評價>
對於各實施例及各比較例之發光元件，使用直流電源對發光元件持續通入100 mA/cm2之恆定電流，其間使用亮度計測定亮度，並測定其亮度成為初期之亮度之50%之時間(LT50)。再者，於發光壽命之評價中，對實施例1-1~1-40及比較例1-1以比較例1-1為基準進行標準化並評價，對實施例1-41~1-80及比較例1-2以比較例1-2為基準進行標準化並評價。
將該等評價結果示於表2、3。
根據表2、3可知，與各比較例相比，各實施例於墨水保存穩定性、發光效率及壽命之評價中均獲得良好之評價結果。
尤其是於實施例1-17~1-40、1-57~1-80中，墨水保存穩定性極為良好。認為其原因在於，於成膜用墨水中，液性介質中所包含之脂肪族之醚系化合物緩和電洞傳輸性材料彼此或發光材料彼此之π-π堆疊之影響的作用較大。
準備以下樣品No.2-1~No.2-27之液性介質(溶劑)。
[樣品No.2-1]
對二甲基萘(bp：268℃，表面張力37 dyn/cm2)添加作為上述式(I)所示之化合物(n=1，R1之碳數=1，R2之碳數=1，R3之碳數=2)之乙二醇二甲醚(bp：85℃，表面張力23 dyn/cm2)而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-2]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=1，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的二乙二醇二甲醚(bp：162℃，表面張力28 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-3]
對二甲基萘添加樣品No.2之液性介質而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-4]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=2，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的二乙二醇乙基甲基醚(bp：176℃，表面張力27 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-5]
對二甲基萘添加樣品No.4之液性介質而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-6]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=3，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的二乙二醇異丙基甲基醚(bp：179℃，表面張力24 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-7]
對二甲基萘添加樣品No.6之液性介質而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-8]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=2，R2之碳數=2，R3之碳數=2)的二乙二醇二乙醚(bp：188℃，表面張力30 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-9]
對二甲基萘添加樣品No.8之液性介質而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-10]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=4，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的二乙二醇丁基甲基醚(bp：212℃，表
面張力24 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-11]
對二甲基萘添加樣品No.10之液性介質而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-12]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=4，R2之碳數=4，R3之碳數=2)的二乙二醇二丁醚(bp：256℃，表面張力25 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-13]
對二甲基萘添加樣品No.12之液性介質而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-14]
作為上述式(I)所示之化合物(n=2，R1之碳數=1，R2之碳數=1，R3之碳數=3)的二丙二醇二甲醚(bp：171℃，表面張力26 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-15]
對二甲基萘添加樣品No.14之液性介質而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-16]
作為上述式(I)所示之化合物(n=3，R1之碳數=1，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的三乙二醇二甲醚(bp：216℃，表面張力31 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-17]
對二甲基萘添加樣品No.16之液性介質而以表面張力成
為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-18]
作為上述式(I)所示之化合物(n=3，R1之碳數=2，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的三乙二醇乙基甲基醚(bp：225℃，表面張力29 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-19]
對二甲基萘添加樣品No.18之液性介質而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-20]
作為上述式(I)所示之化合物(n=3，R1之碳數=4，R2之碳數=1，R3之碳數=2)的三乙二醇丁基甲基醚(bp：261℃，表面張力28 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-21]
對二甲基萘添加樣品No.20之液性介質而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-22]
作為上述式(I)所示之化合物(n=3，R1之碳數=1，R2之碳數=1，R3之碳數=3)的三丙二醇二甲醚(bp：215℃，表面張力26 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-23]
對二甲基萘添加樣品No.22之液性介質而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-24]
作為上述式(I)所示之化合物(n=4，R1之碳數=1，R2之碳
數=1，R3之碳數=2)的四乙二醇二甲醚(bp：275℃，表面張力33 dyn/cm2)之單一溶劑
[樣品No.2-25]
對二甲基萘添加樣品No.24之液性介質而以表面張力成為35 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
[樣品No.2-26]
二甲基萘之單一溶劑
[樣品No.2-27]
對二甲基萘添加樣品No.24之液性介質而以表面張力成為36 dyn/cm2之方式製備的混合溶劑
將上樣品編號之液性介質匯總示於表2-1。
<1>首先，準備平均厚度為0.5 mm之透明之玻璃基板。繼而，藉由濺鍍法於該基板上形成平均厚度為100 nm之ITO電極(陽極)。
並且，將基板依序浸漬於丙酮、2-丙醇中，並進行超音波清洗後，實施氧電漿處理。
<2>繼而，於ITO電極上形成平均厚度為50 nm之電洞注入層。
該電洞注入層係藉由利用液滴噴出法於ITO電極上賦予電洞注入層形成用之成膜用墨水，並進行真空乾燥後，於氮氣環境下以150℃進行加熱處理(焙燒處理)30分鐘而形成。
於電洞注入層形成用之成膜用墨水中，使用PEDOT-PSS(1/20)作為成膜材料，使用包含聚苯乙烯磺酸、作為聚噻吩衍生物之3,4-聚乙二氧基噻吩、及水之混合分散介質作為液性介質(分散介質)。
<3>繼而，於電洞注入層上形成平均厚度為50 nm之電洞傳輸層。
該電洞傳輸層係藉由如下方式形成：利用使用如圖2所
示之液滴噴出裝置之液滴噴出法，於電洞注入層上賦予電洞傳輸層形成用之成膜用墨水(本發明之成膜用墨水)，並進行真空乾燥後，於氮氣環境下以180℃進行加熱處理(焙燒處理)1小時。所獲得之層(電洞傳輸層)成為不溶於有機介質中者。
於電洞傳輸層形成用之成膜用墨水中，使用TFB(0.9重量%)作為成膜材料，使用上述樣品No.2-1之液性介質(混合溶劑)作為液性介質(溶劑)。
於電洞注入層上賦予此種成膜用墨水，結果可均勻地濡濕擴散。
<4>繼而，於電洞傳輸層上形成平均厚度為60 nm之紅色發光層(第1發光層)。
該紅色發光層係藉由利用液滴噴出法於電洞傳輸層上賦予紅色發光層形成用之成膜用墨水，並進行真空乾燥後，以130℃進行加熱處理(焙燒處理)30分鐘而形成。
於紅色發光層形成用之成膜用墨水中，使用作為紅色發光材料之二茚并苝(1.5重量%)作為成膜材料，使用二甲基萘作為液性介質(溶劑)。
<5>繼而，使用真空蒸鍍法(真空度1.33×10-4 Pa)於紅色發光層上依序積層平均厚度為10 nm之Ca層及平均厚度為200 nm之Al層，形成由該等積層體構成之陰極。
藉由以上步驟，製造發光元件。
於形成電洞傳輸層時，使用表2-2所示之樣品編號之液
性介質代替上述樣品No.2-1之液性介質(混合溶劑)作為液性介質(溶劑)，除此以外，以與上述實施例2-1相同之方式製造發光元件。
省略電洞傳輸層之形成，並且紅色發光層之形成方法不同，除此以外，以與上述實施例1相同之方式製造發光元
件。
於本實施例中，紅色發光層係藉由如下方式形成：利用使用如圖2所示之液滴噴出裝置之液滴噴出法於電洞注入層上賦予紅色發光層形成用之成膜用墨水(本發明之成膜用墨水)，並進行真空乾燥後，於氮氣環境下以130℃進行加熱處理(焙燒處理)30分鐘。
於紅色發光層形成用之成膜用墨水中，使用作為紅色發光材料之二茚并苝(1.5重量%)作為成膜材料，使用樣品No.2-1之液性介質(混合溶劑)作為液性介質(溶劑)。
於電洞注入層上賦予此種成膜用墨水，結果可均勻地濡濕擴散。
於形成紅色發光層時，使用表2-3所示之樣品編號之液性介質代替上述樣品No.2-1之液性介質(混合溶劑)作為液性介質(溶劑)，除此以外，以與上述實施例2-26相同之方式製造發光元件。
<濡濕性之評價>
關於製造各實施例及各比較例之發光元件時電洞傳輸層或紅色發光層之形成所使用之成膜用墨水對下層(電洞注入層上)之濡濕性，將良好者評價為「○」，將不良者評價為「×」。
<發光狀態之評價>
對於各實施例及各比較例之發光元件，分別於陽極與陰極之間利用直流電源通入電流密度為30 mA/cm2之電流，觀察發光元件之發光狀態，並藉由以下評價基準進行評價。
○：可獲得均勻且無斑點之發光。
×：不發光之部分相對較大，成為有斑點之發光。
<發光效率之評價>
對於各實施例及各比較例之發光元件，使用直流電源對發光元件通入30 mA/cm2之恆定電流。並且，此時使用亮度計測定亮度，評價發光效率(亮度/電流密度)。再者，於發光效率之評價中，對實施例2-1~2-27及比較例2-1、2-2以比較例2-1為基準進行標準化並評價，對實施例2-28~2-50及比較例2-3、2-4以比較例2-3為基準進行標準化並評價。
將該等評價結果示於表2-2、2-3。
根據表2、3可知，於各實施例中，電洞注入層上之成膜用墨水之濡濕性較佳，又，亦可縮短成膜用墨水之塗佈所需之時間。又，各實施例之發光元件可獲得均勻且良好之發光。
相對於此，於各比較例中，電洞注入層上之成膜用墨水之濡濕性較差，又，成膜用墨水之塗佈所需之時間延長。又，各比較例之發光元件之發光不均勻。
又，於如上所述之各實施例中，關於電洞注入層之構成材料，分別使用聚吡咯衍生物、聚苯胺衍生物、SPAN(sulfonated poly(aniline)，磺化聚苯胺)(硫酸根離子修飾聚苯胺)及三苯基胺衍生物代替PEDOT，同樣地製造發光元件，結果電洞注入層上之成膜用墨水之濡濕性均良好。
又，於如上所述之各實施例中，關於電洞注入層之構成材料，使用Nafion(註冊商標)代替PSS，同樣地製造發光元件，結果電洞注入層上之成膜用墨水之濡濕性均良好。
又，於如上所述之各實施例中，關於電洞注入層之構成
材料，省略PSS同樣地製造發光元件，結果電洞注入層上之成膜用墨水之濡濕性均良好。
1‧‧‧發光元件
1B‧‧‧發光元件
1G‧‧‧發光元件
1R‧‧‧發光元件
2‧‧‧基板
3‧‧‧陽極
4‧‧‧電洞注入層
5‧‧‧電洞傳輸層
6‧‧‧紅色發光層
7A‧‧‧第1中間層
7B‧‧‧第2中間層
8‧‧‧藍色發光層
9‧‧‧綠色發光層
10‧‧‧電子傳輸層
11‧‧‧電子注入層
12‧‧‧陰極
13‧‧‧密封構件
15‧‧‧積層體
19B‧‧‧彩色濾光片
19G‧‧‧彩色濾光片
19R‧‧‧彩色濾光片
20‧‧‧基板
21‧‧‧基板
22‧‧‧平坦化層
24‧‧‧驅動用電晶體
27‧‧‧導電部
31‧‧‧間隔壁
32‧‧‧反射膜
33‧‧‧抗腐蝕膜
34‧‧‧陰極遮罩
35‧‧‧環氧樹脂層
36‧‧‧遮光層
100‧‧‧顯示裝置
100B、100G、100R‧‧‧子像素
101‧‧‧發光裝置
110‧‧‧噴頭
111‧‧‧噴頭本體
112‧‧‧振動板
113‧‧‧壓電元件
114‧‧‧本體
115‧‧‧噴嘴板
115P‧‧‧墨水噴出面
116‧‧‧儲墨器
117‧‧‧墨水室
118‧‧‧噴嘴
130‧‧‧基座
140‧‧‧平台
170‧‧‧平台定位機構
171‧‧‧第1移動機構
172‧‧‧馬達
180‧‧‧噴頭定位機構
181‧‧‧第2移動機構
182‧‧‧線性馬達
183‧‧‧馬達
184‧‧‧馬達
185‧‧‧馬達
190‧‧‧控制裝置
191‧‧‧驅動電路
200‧‧‧液滴噴出裝置
241‧‧‧半導體層
242‧‧‧閘極絕緣層
243‧‧‧閘極電極
244‧‧‧源極電極
245‧‧‧汲極電極
300‧‧‧成膜用墨水
1100‧‧‧個人電腦
1102‧‧‧鍵盤
1104‧‧‧本體部
1106‧‧‧顯示單元
1200‧‧‧行動電話機
1202‧‧‧操作按鈕
1204‧‧‧聽筒口
1206‧‧‧話筒口
1300‧‧‧數位靜態相機
1302‧‧‧外殼
1304‧‧‧受光單元
1306‧‧‧快門按鈕
1308‧‧‧電路基板
1312‧‧‧視頻訊號輸出端子
1314‧‧‧輸入輸出端子
1430‧‧‧電視監視器
1440‧‧‧個人電腦
圖1係模式性地表示本發明之發光元件之縱剖面的圖。
圖2係表示液滴噴出裝置之概略構成之立體圖。
圖3係表示圖2之液滴噴出裝置所具備之液滴噴出頭之概略構成的模式圖。
圖4係表示具備本發明之發光裝置之顯示裝置之實施形態的縱剖面圖。
圖5係表示應用本發明之電子機器之行動型(或筆記型)之個人電腦之構成的立體圖。
圖6係表示應用本發明之電子機器之行動電話機(亦包括PHS)之構成的立體圖。
圖7係表示應用本發明之電子機器之數位靜態相機之構成的立體圖。
圖8係表示本發明之一實施形態之發光裝置之構成的概略正面圖。
圖9係表示本發明之一實施形態之發光裝置之構造的主要部份概略剖面圖。
圖10係表示本發明之一實施形態之發光元件之製造方法的流程圖。
圖11A至圖11D係表示本發明之一實施形態之發光元件之製造方法的概略剖面圖。
圖12E至圖12G係表示本發明之一實施形態之發光元件
之製造方法的概略剖面圖。
圖13H至圖13J係表示本發明之一實施形態之發光元件之製造方法的概略剖面圖。
110‧‧‧噴頭
111‧‧‧噴頭本體
112‧‧‧振動板
113‧‧‧壓電元件
114‧‧‧本體
115‧‧‧噴嘴板
115P‧‧‧墨水噴出面
116‧‧‧儲墨器
117‧‧‧墨水室
118‧‧‧噴嘴
191‧‧‧驅動電路
300‧‧‧成膜用墨水
Claims (17)
- 一種成膜用墨水，其特徵在於包含：成膜材料，及使上述成膜材料溶解或分散之液性介質；並且上述液性介質包含下述式(I)所表示之醚系化合物；
- 如請求項1之成膜用墨水，其中上述液性介質之表面張力為35 dyn/cm2以下。
- 如請求項1之成膜用墨水，其中於上述式(I)中，n為2以上、4以下。
- 如請求項3之成膜用墨水，其中於上述式(I)中，R3之碳數為2或3。
- 如請求項1至4中任一項之成膜用墨水，其中上述液性介質中之上述醚系化合物之含量為0.1%以上、100重量%以下。
- 如請求項1至5中任一項之成膜用墨水，其中上述成膜材料包含π共軛系化合物。
- 如請求項1至6中任一項之成膜用墨水，其中上述成膜材料包含金屬錯合物。
- 如請求項1至7中任一項之成膜用墨水，其中上述液性介質除上述醚系化合物以外，亦包含芳香族烴化合物。
- 如請求項1至8中任一項之成膜用墨水，其中上述成膜材料為可溶於非水系溶劑中者。
- 如請求項9之成膜用墨水，其中上述成膜材料為構成有機電致發光元件之有機層之材料或其前驅物。
- 如請求項1至10中任一項之成膜用墨水，其係用於藉由對基材賦予，並去除上述液性介質，而形成以上述成膜材料為主材料而構成之膜。
- 如請求項1至11中任一項之成膜用墨水，其係用於利用液滴噴出法之成膜。
- 一種成膜方法，其特徵在於具有如下步驟：於基材上賦予如請求項1至12中任一項之成膜用墨水之步驟；及自上述成膜用墨水去除上述液狀介質而形成膜之步驟。
- 一種發光元件之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於基材上賦予如請求項1至12中任一項之成膜用墨水之步驟；及自上述成膜用墨水去除上述液狀介質而形成有機層之步驟。
- 一種發光元件，其特徵在於使用如請求項14之發光元件 之製造方法而製造。
- 一種發光裝置，其特徵在於具備如請求項15之發光元件。
- 一種電子機器，其特徵在於具備如請求項16之發光裝置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011278881A JP6106917B2 (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 成膜用インク、成膜方法および発光素子の製造方法 |
| JP2011278882A JP6078947B2 (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 成膜用インク、成膜方法および発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201326365A true TW201326365A (zh) | 2013-07-01 |
| TWI563065B TWI563065B (en) | 2016-12-21 |
Family
ID=48609206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101148500A TWI563065B (en) | 2011-12-20 | 2012-12-19 | Film-forming ink, film-forming method, method of manufacturing light emitting element, light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9331295B2 (zh) |
| KR (1) | KR102127219B1 (zh) |
| CN (1) | CN103173060B (zh) |
| TW (1) | TWI563065B (zh) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014154354A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Japan Display Inc | 発光素子表示装置 |
| WO2015041053A1 (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-26 | ソニー株式会社 | 有機発光素子の製造方法および表示装置の製造方法 |
| WO2016117392A1 (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-28 | 株式会社ダイセル | 印刷法による電子部品製造用溶剤 |
| KR101825612B1 (ko) * | 2015-10-28 | 2018-02-05 | 난징고광반도체재료유한회사 | 청색 형광 도판트 물질, 이를 포함하는 유기 박막 및 유기 전계 발광 소자 |
| WO2017080324A1 (zh) * | 2015-11-12 | 2017-05-18 | 广州华睿光电材料有限公司 | 含无机纳米材料的印刷组合物及其应用 |
| CN108291103B (zh) | 2015-11-12 | 2021-12-07 | 广州华睿光电材料有限公司 | 印刷组合物、包含其的电子器件及功能材料薄膜的制备方法 |
| KR102364136B1 (ko) * | 2016-06-15 | 2022-02-18 | 도레이 카부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 |
| JP2018009078A (ja) | 2016-07-12 | 2018-01-18 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機発光素子用インキ組成物、並びにこれを用いた有機発光素子およびその製造方法 |
| CN109790407B (zh) | 2016-11-23 | 2021-12-07 | 广州华睿光电材料有限公司 | 印刷油墨组合物及其制备方法和用途 |
| CN106960922B (zh) * | 2017-04-10 | 2019-03-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 喷墨打印成膜方法 |
| WO2019069738A1 (ja) * | 2017-10-04 | 2019-04-11 | Dic株式会社 | 発光層の形成方法および発光素子の製造方法 |
| US10892297B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
| US10892296B2 (en) * | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
| TWI706205B (zh) * | 2019-02-19 | 2020-10-01 | 陳冠宇 | 有機發光顯示裝置 |
| JP7424069B2 (ja) * | 2020-01-21 | 2024-01-30 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波デバイス及び超音波センサー |
| JP6932279B1 (ja) * | 2021-03-24 | 2021-09-08 | 住友化学株式会社 | インク組成物の製造方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091004A (en) * | 1987-09-22 | 1992-02-25 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Ink composition |
| JP3940523B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2007-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット方式カラーフィルタ用樹脂組成物、カラーフィルタおよびカラーフィルタの製造方法 |
| US6630017B2 (en) * | 2000-03-31 | 2003-10-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Inkset for graphic art ink jet image printers |
| US7462405B2 (en) * | 2003-12-05 | 2008-12-09 | Eastman Kodak Company | Organic element for electroluminescent devices |
| KR100644530B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2006-11-10 | 엘지전자 주식회사 | 전자 래더층을 갖는 유기 전계 발광 소자 |
| KR100773248B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-11-05 | 엘지전자 주식회사 | 신규 적색 발광 화합물 및 이를 사용한 유기 전계 발광 소자 |
| KR101277916B1 (ko) | 2005-05-20 | 2013-06-21 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 중합체 조성물 및 그것을 이용한 고분자 발광 소자 |
| JP5148843B2 (ja) | 2005-05-20 | 2013-02-20 | 住友化学株式会社 | 高沸点組成物及びそれを用いた高分子発光素子 |
| TW200720376A (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-01 | Jetbest Corp | Green type inkjet ink composition |
| JP4869707B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2012-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット記録用油性インク組成物 |
| JP2008077958A (ja) | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2010080058A (ja) | 2007-08-30 | 2010-04-08 | Seiko Epson Corp | 発光体粒子の製造方法、発光体形成用の材料液の製造方法、有機ｅｌ表示装置の製造方法、発光体粒子、材料液、有機ｅｌ表示装置、電荷移動体形成用の有機化合物粒子の製造方法、電荷移動体形成用の材料液の製造方法および有機化合物粒子 |
| JP5233285B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2013-07-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法および電気光学装置 |
| GB0803950D0 (en) * | 2008-03-03 | 2008-04-09 | Cambridge Display Technology O | Solvent for printing composition |
| EP2851383A1 (en) * | 2008-04-11 | 2015-03-25 | Solvay USA Inc. | Doped conjugated polymers, devices, and methods of making devices |
| JP2009272588A (ja) | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
| JP5572920B2 (ja) | 2008-05-16 | 2014-08-20 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにそれらの製造方法 |
| JP5423064B2 (ja) | 2009-03-06 | 2014-02-19 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明 |
| CN102668156B (zh) * | 2009-08-18 | 2016-01-13 | 大电株式会社 | 有机电致发光元件及新型的醇可溶性磷光发光材料 |
| JP2011171243A (ja) | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
-
2012
- 2012-12-14 US US13/715,428 patent/US9331295B2/en active Active
- 2012-12-17 KR KR1020120147028A patent/KR102127219B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-19 TW TW101148500A patent/TWI563065B/zh active
- 2012-12-20 CN CN201210559260.3A patent/CN103173060B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130071376A (ko) | 2013-06-28 |
| CN103173060A (zh) | 2013-06-26 |
| US20130153873A1 (en) | 2013-06-20 |
| US9331295B2 (en) | 2016-05-03 |
| CN103173060B (zh) | 2017-05-31 |
| KR102127219B1 (ko) | 2020-07-07 |
| TWI563065B (en) | 2016-12-21 |
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