TW201325427A - 電波暗室 - Google Patents

Abstract

一種電波暗室，包括周壁及底面，該周壁內表面鋪設有吸波材料。所述底面為圓形，並沿其一直徑劃分為兩個半圓場地，一個半圓底面為反射接地平板，另一個半圓底面鋪設吸波材料。

Description

電波暗室

本發明涉及電磁測試領域，尤其涉及一種電波暗室。

一般的電磁相容（Electromagnetic Compatibility，EMC）測試需要使用電波暗室作為測試場地。通常地，電波暗室分為全電波暗室(fully anechoic chamber)及半電波暗室(semi-anechoic chamber)。全電波暗室的內表面完全鋪滿吸波材料，半電波暗室則有一部分內表面覆蓋吸波材料。一般資訊技術類的設備（如電腦）在進行電磁相容測試時，需要在低頻（通常為30MHz~1GHz）及高頻（通常為1GHz~6GHz）兩個頻段內進行測試。一般來說，低頻段測試需要在半電波暗室內進行，高頻段測試需要在全電波暗室內進行。因此，在進行不同頻段的電磁相容測試時需要將被測試的電子裝置在不同的電波暗室之間轉移，需要花費較多的人力及時間。

有鑒於此，有必要提供一種能進行多個頻段電磁相容測試的電波暗室。

一種電波暗室，包括周壁及底面，該周壁內表面鋪設有吸波材料。所述底面為圓形，並沿其一直徑劃分為兩個半圓場地，一個半圓底面為反射接地平板，另一個半圓底面鋪設吸波材料。

基於上述結構，所述電波暗室同時具有半電波暗室及全電波暗室的功能。待測電子裝置在該電波暗室內進行電磁相容測試時，無須更換測試場地，減少所耗用的人力及時間，簡化了測試過程，也避免了因更換測試場地而產生的不必要的實驗誤差。

請參閱圖1及圖2，本發明較佳實施例的電波暗室100包括周壁10、底面20、旋轉台30以及天線陣列40。所述電波暗室100的周壁10為一半球形狀，底面20為一圓形。所述周壁10罩設於底面20上並與底面20共同圍成一個大致為半球形狀的封閉的容置空間110。所述旋轉台30及天線陣列40均處於該容置空間110內部並置於底面20上，該旋轉台30與天線陣列40之間相隔一定距離放置。該電波暗室100可用於對電腦或電視機等電磁輻射源進行電磁相容測試。

所述周壁10內表面鋪滿吸波材料16，吸波材料16表面形成緊密排列的尖錐部162，用於吸收電磁波。該周壁10內表面的吸波材料16表面形成的尖錐部162頂端沿著該周壁10的徑向延伸，從而都指向該容置空間110的中心位置。

所述底面20大致為圓形，該底面20沿該圓形的一直徑分開為第一底面22及第二底面24，該第一底面22為反射接地平板，該第二底面24表面鋪滿吸波材料16，吸波材料16表面形成緊密排列的尖錐部162指向該容置空間110。這樣，將該電波暗室100內部區分為兩個不同類型的電波暗室，該第一底面22及其上方對應設置的部分周壁10形成一半電波暗室130，該第二底面24及其上方對應設置的部分周壁10形成一全電波暗室150。

所述旋轉台30位於該圓形底面20的圓心位置。該旋轉台30上承載一測試桌32，該測試桌32上放置一待測物50，該待測物50為電磁相容測試中的電磁輻射源，可為電腦或電視機等。測試桌32支撐待測物50，使其距離底面20具有一定的高度。

請參閱圖1及圖3，所述天線陣列40包括低頻水準天線42、低頻垂直天線44、高頻水準天線46及高頻垂直天線48。該低頻水準天線42、低頻垂直天線44、高頻水準天線46及高頻垂直天線48等間距地放置於圓形底面20的邊緣，即每兩個相鄰天線的角位置相隔九十度。其中，低頻水準天線42與低頻垂直天線44放置於第一底面22上，即處於半電波暗室130內；高頻水準天線46及高頻垂直天線48放置於第二底面24上，即處於全電波暗室150內。該等天線陣列40與待測物50之間均間隔一預定距離，且該等天線陣列40的接收部均對準該待測物50。

較佳地，該周壁10內表面鋪設的吸波材料16的尖錐部162的頂端均垂直地指向該待測物50。當待測物50工作時，待測物50產生的雜訊及其他測試所不需要的電磁波輻射至周壁10時，可被吸波材料16可較大程度地吸收，從而避免被反射到天線陣列40而對測試造成干擾。

在該電波暗室100內進行電磁相容測試時，需要對待測物50分別處於低頻段（通常為30MHz~1GHz）及高頻段（通常為1GHz~6GHz）進行測試，且在每一頻段內需要分別將天線置於水準極性及垂直極性進行測試。本實施例中，可先選擇在低頻段中使用天線陣列40中的低頻水準天線42進行測試。開啟待測物50使其工作，接收機（圖未示）連接至所述低頻水準天線42，其接收該待測物50產生的工作信號並轉換為電信號，供接收機讀值，檢測待測物50對空間輻射出的工作信號強度。其後，可使用接收機依次連接低頻垂直天線44、高頻水準天線46及高頻垂直天線48以進行低頻段天線陣列40處於垂直極性、高頻段天線陣列40處於水準極性及高頻段天線陣列40處於垂直極性的測試。

通常地，天線陣列40中每兩個相鄰天線之間的距離可設置為大於3米，這樣可以儘量避免天線陣列40中每兩個相鄰天線之間產生互耦效應，從而進一步提高測試結果的準確性。

所述電波暗室100通過將圓形底面20劃分為兩個半圓場地，一個半圓底面為反射接地平板，另一半圓底面鋪設吸波材料16，使該電波暗室100同時具有半電波暗室及全電波暗室的功能。且在該電波暗室100內同時放置低頻水準天線42與低頻垂直天線44於該半電波暗室130內，放置高頻水準天線46及高頻垂直天線48與全電波暗室150內，使該電波暗室100在進行電磁相容測試時，可以分別完成低頻段測試與高頻段測試，不必待測物50在半電波暗室與全電波暗室之間轉移。另外，由於天線陣列40中同時包含水準極性及垂直極性的天線，在每一頻段的測試中，完成天線在一種極性下的測試後不必重新調整天線陣列40中每個天線的極性。由此，減少了測試過程中因調節測試天線的極性及更換測試場地所損耗的人力及時間，簡化了測試過程，也避免了因調節測試天線的極性及更換測試場地而重新定位儀器而產生不必要的實驗誤差。

可以理解的是，對於本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術構思做出其他各種相應的改變與變形，而所有這些改變與變形都應屬於本發明權利要求的保護範圍。

100．．．電波暗室

110．．．容置空間

130．．．半電波暗室

150．．．全電波暗室

10．．．周壁

16．．．吸波材料

162．．．尖錐部

20．．．底面

22．．．第一底面

24．．．第二底面

30．．．旋轉台

32．．．測試桌

40．．．天線陣列

42．．．低頻水準天線

44．．．低頻垂直天線

46．．．高頻水準天線

48．．．高頻垂直天線

50．．．待測物

圖1為本發明較佳實施例的電波暗室的示意圖。

圖2為圖1所示電波暗室的截面圖。

圖3為圖1所示電波暗室的另一角度的截面圖。

100．．．電波暗室

110．．．容置空間

130．．．半電波暗室

150．．．全電波暗室

10．．．周壁

16．．．吸波材料

162．．．尖錐部

20．．．底面

22．．．第一底面

24．．．第二底面

30．．．旋轉台

32．．．測試桌

40．．．天線陣列

42．．．低頻水準天線

44．．．低頻垂直天線

46．．．高頻水準天線

48．．．高頻垂直天線

50．．．待測物

Claims (7)

1. 一種電波暗室，包括周壁及底面，該周壁內表面鋪設有吸波材料，其改良在於：所述底面為圓形，並沿其一直徑劃分為兩個半圓場地，一個半圓底面為反射接地平板，另一個半圓底面鋪設吸波材料。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電波暗室，其中所述周壁為半球形狀，該周壁連同該底面圍成一半球形罩體狀的密閉的容置空間。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電波暗室，其中所述電波暗室內設置有旋轉台、測試桌及天線列陣，該旋轉台設置於圓形底面的圓心位置，測試桌放置於旋轉臺上且用於放置待測物，天線列陣分佈在圓形底面的邊緣。
4. 如申請專利範圍第3項所述之電波暗室，其中所述天線陣列包括低頻水準天線、低頻垂直天線、高頻水準天線及高頻垂直天線，分別每相隔角位置九十度放置於圓形底面的邊緣，該天線列陣的天線均對準待測物。
5. 如申請專利範圍第4項所述之電波暗室，其中所述低頻水準天線與低頻垂直天線放置於反射接地平板的半圓底面，高頻水準天線及高頻垂直天線放置於鋪設吸波材料的半圓底面。
6. 如申請專利範圍第4項所述之電波暗室，其中所述周壁內表面鋪設的吸波材料表面形成的尖錐部的頂端垂直指向所述待測物。
7. 如申請專利範圍第1項所述之電波暗室，其中所述底面反射接地平板的一個半圓底面與其對應設置的周壁圍成半電波暗室，底面鋪設吸波材料的一個半圓底面與其對應設置的周壁圍成全電波暗室。