KR101935259B1 - 전자파 잔향실 - Google Patents

전자파 잔향실 Download PDF

Info

Publication number
KR101935259B1
KR101935259B1 KR1020170018453A KR20170018453A KR101935259B1 KR 101935259 B1 KR101935259 B1 KR 101935259B1 KR 1020170018453 A KR1020170018453 A KR 1020170018453A KR 20170018453 A KR20170018453 A KR 20170018453A KR 101935259 B1 KR101935259 B1 KR 101935259B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electromagnetic wave
reverberation chamber
mode
agitator
wave reverberation
Prior art date
Application number
KR1020170018453A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180093176A (ko
Inventor
심동욱
곽상일
권종화
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020170018453A priority Critical patent/KR101935259B1/ko
Priority to US15/717,407 priority patent/US10598711B2/en
Publication of KR20180093176A publication Critical patent/KR20180093176A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101935259B1 publication Critical patent/KR101935259B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
    • G01R29/08—Measuring electromagnetic field characteristics
    • G01R29/0807—Measuring electromagnetic field characteristics characterised by the application
    • G01R29/0814—Field measurements related to measuring influence on or from apparatus, components or humans, e.g. in ESD, EMI, EMC, EMP testing, measuring radiation leakage; detecting presence of micro- or radiowave emitters; dosimetry; testing shielding; measurements related to lightning
    • G01R29/0821—Field measurements related to measuring influence on or from apparatus, components or humans, e.g. in ESD, EMI, EMC, EMP testing, measuring radiation leakage; detecting presence of micro- or radiowave emitters; dosimetry; testing shielding; measurements related to lightning rooms and test sites therefor, e.g. anechoic chambers, open field sites or TEM cells
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/001—Measuring interference from external sources to, or emission from, the device under test, e.g. EMC, EMI, EMP or ESD testing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/14—Reflecting surfaces; Equivalent structures
    • H01Q15/18—Reflecting surfaces; Equivalent structures comprising plurality of mutually inclined plane surfaces, e.g. corner reflector

Abstract

본 발명의 일실시예에 따르면, 전자파 잔향실에 있어서, 상기 전자파 잔향실의 바닥에 설치된 금속기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되는 기둥형 모드 교반기; 상기 전자파 잔향실의 벽면에 설치된 금속 기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되고, 상기 전자파 잔향실의 천장 주변에 위치하는 천장형 모드 교반기; 및 복수의 피라미드 형태의 전자파 반사체로 구성되고, 상기 전자파 잔향실의 벽면에 위치하는 피라미달 모드 교반기를 포함하는 전자파 잔향실 일 수 있다.

Description

전자파 잔향실{ELECTROMAGNETIC WAVE REVERBERATION CHAMBER}
본 발명은 전자파 잔향실에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 모드 교반기를 이용하여 고유 모드에 대한 변화를 크게 함으로써 전자파 잔향실의 성능을 향상시키는 전자파 잔향실에 대한 것이다.
IT의 발전에 따라 무선 통신을 활용한 전자기기의 사용이 여러 주파수 대역에서 급증하였다. 그래서, 무선 통신의 사용이 증가함에 따라 무선 통신의 전자파 장해 및 복사 내성을 규제하는 규제 범위도 과거에 비해 규제 범위가 확장되었다.
즉 다양한 서비스를 제공하는 전자기기에 대한 적절한 전자파 장해(EMI: Electromagnetic Interference) 및 복사 내성(Radiation immunity)의 측정이 필요하다. 종래는 대부분 큰 공간을 차지하며, 제작시 많은 비용이 소요되는 전자파 무향실(Anechoic chamber)을 이용하여 측정하였다.
그래서, 전자파 장해 및 복사 내성의 측정을 위한 대용 시험시설로써 전자파 잔향실 (Reverberation chamber)이 이미 미국 표준과학연구원(NIST: National Institute Standards and Technology)의 연구 결과로 발표되었으며, 국제 전자파 장해 특별 위원회(CISPR: International Special Committee on Radio Interference)는 IEC 61000-4-21에서 전자파 잔향실에 대한 사양을 규정하였다.
이와 같은 전자파 잔향실은 내부에서 전자파 균일도를 확보하는 것이 중요하며, 이에 대한 연구가 필요하다.
본 발명은 전자파 균일도를 확보하기 위하여, 전자파 잔향실의 여러 가지 구조를 제안한다.
본 발명은 전자파 잔향실 에서 고유 모드의 변화를 크게 하는 방법을 제안한다.
본 발명은 전자파 잔향실 내부 전자기장의 낮은 표준편차를 통해, 전자파 균일도를 향상시켜 개선된 전자파 잔향실을 제안한다.
본 발명의 일실시예로서, 전자파 잔향실에 있어서, 상기 전자파 잔향실의 바닥에 설치된 금속기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되는 기둥형 모드 교반기; 상기 전자파 잔향실의 벽면에 설치된 금속 기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되고, 상기 전자파 잔향실의 천장 주변에 위치하는 천장형 모드 교반기; 및 복수의 피라미드 형태의 전자파 반사체로 구성되고, 상기 전자파 잔향실의 벽면에 위치하는 피라미달 모드 교반기를 포함하는 전자파 잔향실 일 수 있다.
상기 전자파 잔향실의 고유 모드는, 상기 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 및 피라미달 모드 교반기에 의해 변화되는 전자파 잔향실 일 수 있다.
요철 형태로 배치되는 전자파 반사체로 구성되어, 상기 피라미달 모드 교반기가 위치하는 벽면과 다른 벽면에 위치하는 요철식 모드 교반기를 더 포함하는 전자파 잔향실 일 수 있다.
상기 요철식 모드 교반기는, 복수의 요철식 모드 교반기가 벽면에 평행하게 설치되는 전자파 잔향실 일 수 있다.
상기 요철식 모드 교반기는, 요철식 모드 교반기의 너비, 길이, 높이, 개수를 조절하여 고유 모드에 변화를 주는 전자파 잔향실 일 수 있다.
상기 기둥형 모드 교반기와 상기 천장형 모드 교반기는, 상기 복수의 판상형태의 전자파 반사체가 결합되어 특정한 형태를 나타내는 전자파 잔향실 일 수 있다.
상기 판상형태의 전자파 반사체의 크기는 특정한 값으로 결정되는 전자파 잔향실 일 수 있다.
상기 판상형태의 전자파 반사체 간의 간격은 특정한 값으로 결정되는 전자파 잔향실 일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 전자파 잔향실에 있어서, 상기 전자파 잔향실의 바닥에 설치된 금속기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되는 기둥형 모드 교반기; 및 상기 전자파 잔향실의 벽면에 설치된 금속 기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되고, 상기 전자파 잔향실의 천장 주변에 위치하는 천장형 모드 교반기를 포함하는 전자파 잔향실 일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 전자파 잔향실에 있어서, 상기 전자파 잔향실의 바닥에 설치된 금속기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되는 기둥형 모드 교반기; 및 복수의 피라미드 형태의 전자파 반사체로 구성되고, 상기 전자파 잔향실의 벽면에 위치하는 피라미달 모드 교반기를 포함하는 전자파 잔향실 일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 전자파 잔향실에 있어서, 상기 전자파 잔향실의 벽면에 설치된 금속 기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되고, 상기 전자파 잔향실의 천장 주변에 위치하는 천장형 모드 교반기; 및 복수의 피라미드 형태의 전자파 반사체로 구성되고, 상기 전자파 잔향실의 벽면에 위치하는 피라미달 모드 교반기를 포함하는 전자파 잔향실 일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 전자파 균일도를 확보하기 위하여 전자파 잔향실의 여러 가지 구조를 제안할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 전자파 잔향실에서 고유 모드의 변화를 크게 하는 방법을 제안할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 전자파 잔향실 내부 전자기장의 낮은 표준편차를 통해, 전자파 균일도를 향상시켜 개선된 전자파 잔향실을 제안할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예를 나타내는 도 2의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예를 나타내는 도 4의 전자파 잔향실의 평면도를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예를 나타내는 도 4의 전자파 잔향실의 측면도를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예를 나타내는 도 4의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예를 나타내는 도 8의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예를 나타내는 도 10의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 제5 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 제5 실시예를 나타내는 도 12의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 제6 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 15는 본 발명의 제6 실시예를 나타내는 도 14의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
도 16은 본 발명의 제7 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 17은 본 발명의 제7 실시예를 나타내는 도 16의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
전자파 잔향실(Reverberation chamber)은 전자파 장해(EMI: Electromagnetic Interference) 및 복사 내성(Radiation immunity)의 측정을 위한 대용 시험시설이다. 전자파 잔향실은 대용 시험시설로서 사용되기 위해서 전자파 균일도를 유지해야 한다. 전자파 균일도의 향상은 전자파 잔향실의 내부에서 고유 모드(eigenmode)의 변화를 크게 할 때 가능할 수 있다. 고유 모드는 도파관 또는 캐비티(cavity)와 같은 공진기 구조에서의 기본적인 공진 모드를 의미할 수 있다.
고유 모드의 변화를 크게 하는 것은 전자파 잔향실의 내부에서 측정된 전자기장의 표준편차(Standard deviation)를 낮게 하는 것을 의미할 수 있다. 전자파 잔향실 내부에 측정 대상이 놓일 수 있는 직육면체의 워킹볼륨(working volume)을 정의하고, 워킹볼륨(working volume)의 8개의 꼭지점에서 측정된 전자기장의 표준편차를 전자파 잔향실의 성능을 나타내는 척도로 사용할 수 있다. 구체적으로, 전자파 잔향실의 기본 성능을 만족하는 전자기장의 표준편차는 대부분의 주파수 영역에서 3dB 이하를 요구할 수 있다. 따라서, 개선된 전자파 잔향실을 구현하기 위한 방법은 고유 모드의 변화를 크게 하고, 측정된 전자기장의 표준편차를 낮게 할 수 있도록 전자파 잔향실의 외형 구조와 내부의 모드 교반기를 설계하는 방법일 수 있다.
전자파 잔향실(100)의 외형 구조는 다양한 다면체의 형태를 가질 수 있다. 일례로, 전자파 잔향실(100)의 외형 구조는 직육면체의 형태를 가질 수 있다. 구체적으로, 직육면체의 형태를 가질 경우, 직육면체는 바닥(110), 천장(120), 제1 벽면(130), 제2 벽면(140), 제3 벽면(150), 제4 벽면(160)으로 표현될 수 있다.
전자파 잔향실(100)의 내부의 모드 교반기는 전자파 균일도의 향상을 위해 적어도 한 개 이상의 모드 교반기(mode stirrer)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 모드 교반기는 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기, 피라미달 모드 교반기, 요철식 모드 교반기 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 모드 교반기는 전자파를 반사할 수 있다. 이 때, 모드 교반기의 종류에 따라 모드 교반기가 고정된 상태로 전자파를 반사할 수 있다. 또는 모드 교반기의 종류에 따라 모드 교반기가 회전하는 상태로 전자파를 반사할 수 있다. 일례로, 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기는 회전하며 전자파를 반사할 수 있고, 피라미드 모드 교반기와 요철식 모드 교반기는 전자파 잔향실 내부에 고정된 상태로 전자파를 반사할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 전자파를 반사할 수 있는 다양한 실시예를 포함할 수 있다.
모드 교반기(mode stirrer)는 다양한 구조를 나타내는 복수의 전자파 반사체 로 구성될 수 있다. 전자파 반사체는 금속과 같은 전자파를 반사할 수 있는 소재로 만들어지며, 모드 교반기에 입사하는 전자파를 여러 각도로 반사할 수 있다. 일례로, 전자파 반사체의 종류는 금속으로 이루어지는 판넬로서, 판넬은 모드 교반기에 입사하는 전자파를 반사할 수 있다.
전자파 반사체는 다양한 구조를 나타낼 수 있다. 일례로, 다양한 구조는 전자파를 여러 각도로 반사하기 위해서 판상형태, 피라미드 형태와 같은 구조 일 수 있으며, 본 발명은 이러한 구조에 한정되지 않고 다양한 실시예를 포함할 수 있다.
기둥형 모드 교반기(101) 및 천장형 모드 교반기(102)를 구성하는 판넬은 모두 서로 다른 각도로 꺾여서 배치될 수 있다. 또한, 판넬의 중심 사이의 간격은 같거나, 또는 다를 수 있다. 그리고, 판넬의 크기는 모두 같거나 다를 수 있다.
모드 교반기의 개수, 모양, 크기, 설치 위치등의 물리적 파라미터는 전자파 잔향실의 내부에서 고유 모드의 변화를 크게 하는 최적화 과정에서 값들이 결정될 수 있다. 모브 교반기를 구성하는 전자파 반사체의 크기, 형태, 간격, 설치 위치 등의 물리적 파라미터 역시 같은 원리에 의해 값들이 결정될 수 있다.
모드 교반기의 설치 위치 등의 물리적 파라미터들은 전자파 잔향실(100)의 성능을 개선하는데 중요한 변수일 수 있다. 일례로, 기둥형 모드 교반기(101)와 천장형 모드 교반기(102)가 설치되는 위치는 전자파 균일도를 향상할 수 있도록 결정된 위치에 배치될 수 있다.
모드 교반기의 개수 등의 물리적 파라미터들은 전자파 잔향실(100)의 성능을 개선하는데 중요한 변수 일 수 있다. 일례로, 기둥형 모드 교반기(101)와 천장형 모드 교반기(102)는 적어도 1개가 설치될 수 있다.
모드 교반기를 구성하는 판넬의 크기 등의 물리적 파라미터들은 전자파 잔향실(100)의 성능을 개선하는데 중요한 변수 일 수 있다. 일례로, 기둥형 모드 교반기(101)와 천장형 모드 교반기(102)를 구성하는 판넬의 크기는 같거나 다르게 선택할 수 있다.
모드 교반기는 다양한 구조로 구성될 수 있다. 일례로, 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기는 'Z'형 구조뿐만 아니라 다양한 구조로 구성될 수 있다. 즉, 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기를 이루는 판넬의 꺽여진 정도, 꺾인 방향, 꺾인 기울기, 꺾인 각도 등에 따라 다양한 구조를 가질 수 있다. 일례로, 복수의 판넬로 구성되는 요철식 모드 교반기의 크기는 전자파 잔향실의 크기에 따라 조절되어, 요철식 모드 교반기는 전자파 잔향실의 벽면에 설치될 수 있다. 이 때, 요철식 모드 교반기를 구성하는 복수개의 판넬은 전자파 반사체의 종류이며, 판넬의 모양은 판상 형태뿐만 아니라 다양한 형태를 가질 수 있다.
전자파 잔향실(100)의 내부는 전자파의 반사를 위해 금속으로 구성될 수 있다. 또한, 기둥형 모드 교반기(101)와 천장형 모드 교반기(102)의 판넬도 금속으로 구성될 수 있다. 또한, 모드 교반기를 지지하고 세워줄 수 있는 각 판넬을 통과하는 기둥도 금속으로 구성될 수 있다. 다만, 기둥형 모드 교반기 및 천장형 모드 교반기를 연결하는 금속기둥은 전자파 잔향실의 내부 구성 표현을 명료하게 나타내기 위해 이하 도면에서 생략될 수 있다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 2를 참고하면, 피라미달 모드 교반기(203)가 전자파 잔향실(100)의 벽면에 배치될 수 있다. 피라미달 모드 교반기(203)는 피라미드 형태의 전자파 반사체로 구성된 모드 교반기이다. 피라미달 모드 교반기는 전자파 잔향실의 내부 전자파를 반사할 수 있다. 그래서, 전자파 잔향실(100)의 내부의 전자파 반사하는 특성을 조절하여 고유 모드의 변화를 크게 일으킬 수 있다. 그 결과, 위에서 언급한 전자기장의 표준편차를 낮게 하여 전자파 잔향실의 전자파 균일도를 향상시켜, 전자파 잔향실(100)의 성능을 개선할 수 있다.
피라미달 모드 교반기(203)의 크기, 개수, 설치 위치등에 따라 전자파 잔향실의 고유 모드는 크게 변할 수 있다. 고유 모드의 변화는 전자파 잔향실의 워킹볼륨(working volume)의 전자기장 표준편차를 낮게 하여, 전자파 잔향실의 성능을 개선하는 효과가 있다. 그래서, 피라미달 모드 교반기(203)는 전자파 잔향실의 성능을 최대화 할 수 있도록 크기, 개수, 설치 위치 등이 결정될 수 있다. 피라미달 모드 교반기를 구성하는 전자파 반사체는 금속 판넬이 사용될 수 있다. 피라미달 모드 교반기를 구성하는 피라미드 형태는 전자파의 반사를 위한 것으로, 피라미드 형태의 개수는 전자파를 반사하는 다른 요소와의 관계에서 최적화 과정을 통해 결정될 수 있다.
피라미달 모드 교반기(203)은 전자파 잔향실(100)의 내부의 한 벽면에 설치될 수 있다. 일실시예로서, 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기가 회전하며 전자파를 반사할 수 있는 것에 비교하여, 피라미달 모드 교반기(203)는 전자파 잔향실(100)의 설치된 벽면에 고정되어 전자파를 반사할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예를 나타내는 도 2의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 효과를 증명하기 위해 선택된 일실시예이다. 고유 모드의 변화는 그래프의 고유주파수 변화량(eigenfrequency shift)을 의미한다. 이 때, 고유 주파수는 도파관이나 캐비티(cavity)같은 공진기 구조에서 기본적인 공진 모드인 고유 모드가 생기는 특정 주파수를 의미할 수 있다. 일례로, 그래프(301)는 도 1의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량을 의미한다. 그래프(302)는 도 2의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량을 의미한다. 즉, 그래프(301)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우의 고유주파수 대비 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기(101)와 천장형 모드 교반기(102)가 있는 경우의 고유주파수에 대한 변화량을 의미한다. 또한, 그래프(302)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우의 고유주파수 대비 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기(201), 천장형 모드 교반기(202), 피라미달 모드 교반기(203)가 있는 경우의 고유 주파수에 대한 변화량을 의미한다.
결과적으로, 도 2의 전자파 잔향실은 대부분의 모드넘버(mode number)에서 도 1의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량보다 크다. 모드넘버는 고유주파수가 생성되는 고유 모드의 순서를 의미할 수 있다. 또한, 모드넘버1~10번 에서의 결과는 전자파 잔향실의 최저 동작 주파수(LUF: Lowest Useable Frequency)에서의 성능을 보여줄 수 있다. 최저 동작 주파수는 고유 모드 1번의 주파수를 의미할 수 있다. 즉, 도 2의 전자파 잔향실이 최저 동작 주파수에서 고유주파수 변화량이 증가하였음을 나타낸다. 즉, 도 2의 피라미달 모드 교반기(203)를 설치한 전자파 잔향실의 성능이 도 1의 전자파 잔향실보다 전자파 잔향실의 워킹볼륨(working volume)의 전자기장 표준편차를 낮추고, 결국 전자파 균일도가 개선된 것을 알 수 있다.
본 발명의 일실시예로서, 명세서에서 본 발명의 효과를 증명하기 위해 선택된 도 1의 전자파 잔향실의 크기는 1.4m*1.95m*1.85m 이고, 기둥형 모드 교반기의 판넬 크기는 가로 세로 0.46m*0.46m, 천장형 모드 교반기의 판넬 크기는 0.40m*0.40m 이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
기둥형 모드 교반기(401), 천장형 모드 교반기(402), 피라미달 모드 교반기(403)는 도 2에 따라 배치된다. 그리고, 도 4를 참고하면, 요철식 모드 교반기(404)는 전자파 잔향실(100)의 벽면에 배치될 수 있다. 이 때, 벽면은 피라미달 모드 교반기(403)가 배치되는 벽면과 다른 벽면일 수 있다.
일실시예로서, 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기는 회전하며 전자파를 반사할 수 있다. 그러나, 피라미달 모드 교반기와 요철식 모드 교반기는 전자파 잔향실 내부에 고정된 상태로 전자파를 반사할 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고, 다양한 실시예를 포함할 수 있다.
전자파 잔향실(100)의 고유 모드의 변화는 요철식 모드 교반기(404)의 개수, 설치 위치, 너비, 높이, 길이, 간격등과 같은 물리적 파라미터의 설정에 따라 큰 영향을 받을 수 있다. 요철식 모드 교반기를 구성하는 전자파 반사체의 너비, 높이, 길이, 간격, 설치 위치, 개수 등의 파라미터가 연관되어 고유 모드의 변화에 영향을 줄 수 있다. 일례로, 요철식 모드 교반기를 구성하는 전자파 반사체의 일종인 판넬의 너비, 개수, 설치 위치, 높이, 길이, 간격등은 최적화 과정을 통해 결정될 수 있다. 일례로, 요철식 모드 교반기(404)의 판넬 3개는 판넬의 너비, 길이, 높이 등의 물리적 파라미터와의 최적화 과정을 통해 결정된 값일 수 있다. 이 때, 요철식 모드 교반기(404)는 y축에 평행하게 설치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 도 4의 전자파 잔향실의 평면도를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 모드 교반기의 구조에 대한 이해를 위해 천장에서 기둥형 모드 교반기(501), 천장형 모드 교반기(502), 피라미달 모드 교반기(503), 요철식 모드 교반기(504)를 본 평면도를 나타낸다.
요철식 모드 교반기(504)의 너비, 높이, 간격, 개수와 같은 물리적 파라미터는 전자파 균일도의 향상을 위해 최적화 과정을 통해 결정되는 변수이다. 일례로, 전자파 균일도는 요철식 모드 교반기(504)의 너비(w)에 따라 결정될 수 있다. 또한, 전자파 균일도는 요철식 모드 교반기(504)의 간격(g)에 따라 결정될 수 있다. 또한, 전자파 균일도는 요철식 모드 교반기(504)의 높이(h)에 따라 결정될 수 있다.
만약, 요철식 모드 교반기(504)의 너비, 높이, 간격, 개수와 같은 물리적 파라미터가 잘못 설정된 경우, 전자파 잔향실(100) 내부 전자기장의 표준편차는 크게 증가할 수 있다. 따라서, 물리적 파라미터는 전자파 잔향실(100)의 최저 동작 주파수 이상에서 많은 고유 모드를 발생시키도록 설정될 수 있다. 그래서, 최저 동작 주파수 이상에서 고유 모드의 변화를 크게 함으로써, 최저 동작 주파수 이상에서 개선된 전자파 잔향실을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 도 4의 전자파 잔향실의 측면도를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 모드 교반기의 구조에 대한 이해를 위해 제1 벽면에서 기둥형 모드 교반기(601), 천장형 모드 교반기(602), 피라미달 모드 교반기(603), 요철식 모드 교반기(604)를 본 측면도를 나타낸다.
요철식 모드 교반기(601)의 길이와 같은 물리적 파라미터는 전자파 균일도의 향상을 위한 중요한 변수이다. 일례로, 전자파 균일도는 요철식 모드 교반기(604)의 길이(l)에 따라 전자파 잔향실 내부 전자기장의 표준편차가 결정될 수 있다.
만약, 요철식 모드 교반기(604)의 길이와 같은 물리적 파라미터가 잘못 설정된 경우, 전자파 잔향실 내부 전자기장의 표준편차는 크게 증가할 수 있다. 따라서, 물리적 파라미터는 전자파 잔향실(100)의 최저 동작 주파수 이상에서 많은 고유 모드를 발생시키도록 설정될 수 있다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예를 나타내는 도 4의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
도 7은 도 4 전자파 잔향실의 성능의 개선을 나타내기 위해 도 1의 전자파 잔향실을 비교 대상으로 하였다. 도 1의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 그래프(701)로 표현되었다. 그래프(701)은 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우의 고유주파수 대비 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기가 있는 경우 고유주파수에 대한 변화량을 의미한다. 도 4 구조를 나타내는 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 그래프(702)로 표현되었다. 그래프(702)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우의 고유주파수 대비 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기, 피라미달 모드 교반기, 요철식 모드 교반기가 있는 경우의 고유주파수에 대한 변화량을 의미한다.
즉, 적절하게 물리적 파라미터가 설정된 요철식 모드 교반기의 추가 설치로 인해서, 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 대부분의 모드 넘버에서 크게 증가했음을 확인할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 8의 기둥형 모드 교반기(801)와 천장형 모드 교반기(802)는 2개 이상의 판넬의 결합으로 구성될 수 있다. 판넬은 전자파 반사체의 일례이며, 본 발명은 판넬에 한정되지 않고 전자파 반사체를 통해 결합되는 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 일 수 있다. 구체적으로, 기둥형 모드 교반기(801)와 천장형 모드 교반기(802)는 2개 이상의 판넬이 결합되어 복수의 'ㄷ' 형태로 구성되는 모드 교반기일 수 있다. 본 발명의 실시예는 'ㄷ'형태에 한정되지 않고, 'ㄹ'형태, 'ㅁ'형태처럼 적어도 2개 이상의 판넬로 구성될 수 있는 실시예를 모두 포함할 수 있다.
기둥형 모드 교반기(801)와 천장형 모드 교반기(802)의 판넬의 크기는 전자파 균일도를 향상시키도록 설정될 수 있다. 또한, 기둥형 모드 교반기(801)와 천장형 모드 교반기(802)의 벌어진 판넬 간의 간격은 제한된 공간 내에서 고유 모드의 변화를 크게 하도록 설정될 수 있다. 판넬의 크기는 최저 동작 주파수의 파장에 비해 클수록 유리할 수 있고, lambda/4를 최소값으로 가질 수 있다.
또한, 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기 모두 도 8과 같은 'ㄷ' 형태를 한 경우 전자파 잔향실의 성능이 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기 중에서 어느 하나만 도 8과 같은 'ㄷ' 형태를 한 경우 전자파 잔향실의 성능보다 전자파 균일도가 개선될 수 있다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예를 나타내는 도 8의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
도 8의 전자파 잔향실의 성능의 향상을 나타내기 위해 도 1의 전자파 잔향실을 비교 대상으로 하였다. 도 1의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 그래프(901)로 표현되었다. 그래프(901)은 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우의 고유주파수 대비 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기가 있는 경우 고유주파수에 대한 변화량을 의미한다.
도 8 구조를 나타내는 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 그래프(902)로 표현되었다. 그래프(902)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우의 고유주파수에 대해 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기, 피라미달 모드 교반기가 있는 경우의 고유주파수에 대한 변화량을 의미한다. 이 때, 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기는 구체적인 실시예로서 판넬이 'ㄷ'형태로 구성될 수 있다. 판넬은 전자파 반사체의 일례이며, 본 발명은 판넬에 한정되지 않고 전자파 반사체를 통해 결합되는 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 일 수 있다. 다만, 판넬은 'ㄷ'형태에 한정되는 것은 아니고, 'ㄹ'형태, 'ㅁ'형태등의 실시예를 모두 포함할 수 있다.
즉, 도 8의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 도 1의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량보다 대부분의 모드 넘버에서 증가하였음을 확인할 수 있다. 따라서, 전자파 잔향실의 전자파 균일도는 향상되었음을 확인할 수 있다.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 10의 기둥형 모드 교반기(1001)와 천장형 모드 교반기(1002)는 2개 이상의 판넬의 결합으로 구성될 수 있다. 판넬은 전자파 반사체의 일례이며, 본 발명은 판넬에 한정되지 않고 전자파 반사체를 통해 결합되는 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 일 수 있다. 구체적으로, 기둥형 모드 교반기(1001)와 천장형 모드 교반기(1002)는 '11' 형태처럼 2개의 판넬이 마주보며 배치되는 형태일 수 있다.
기둥형 모드 교반기(1001)와 천장형 모드 교반기(1002)의 판넬의 크기는 전자파 균일도를 향상시키도록 설정될 수 있다. 또한, 기둥형 모드 교반기(1001)와 천장형 모드 교반기(1002)의 벌어진 판넬 간의 간격은 고유 모드의 변화를 크게 하도록 설정될 수 있다.
또한, 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기 모두 도 10과 같은 '11' 형태를 한 경우 전자파 잔향실의 성능은 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기 중에서 어느 하나만 도 10과 같은 '11' 형태를 한 경우 전자파 잔향실의 성능보다 뛰어날 수 있다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예를 나타내는 도 10의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
도 10의 전자파 잔향실의 성능의 개선을 나타내기 위해 도 1의 전자파 잔향실을 비교 대상으로 하였다. 도 1의 전자파 잔향실의 고유주파수의 변화량은 그래프(1101)로 표현되었다. 그래프(1101)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우의 고유주파수 대비 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기가 있는 경우 고유주파수 변화량을 의미한다.
도 10의 구조를 나타내는 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 그래프(1102)로 표현되었다. 그래프(1102)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우의 고유주파수 대비 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기, 피라미달 모드 교반기가 있는 경우의 고유주파수에 대한 변화량을 의미한다. 이 때, 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기는 구체적인 실시예로서 판넬이 '11'형태로 구성될 수 있다. 판넬은 전자파 반사체의 일례이며, 본 발명은 판넬에 한정되지 않고 전자파 반사체를 통해 결합되는 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 일 수 있다. 다만, 판넬은 '11'형태에 한정되는 것은 아니고, 다른 실시예를 모두 포함할 수 있다.
즉, 도 10의 구조에서 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 도 1의 구조의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량보다 대부분의 모드 넘버에서 증가하였음을 확인할 수 있다. 따라서, 전자파 잔향실의 전자파 균일도는 향상되었음을 확인할 수 있다.
도 12는 본 발명의 제5 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 12의 전자파 잔향실의 구조는 도 8의 전자파 잔향실의 어느 한 벽면에 요철식 모드 교반기(1204)를 추가로 설치한 구조를 나타낸다. 도 8의 전자파 잔향실의 구조는 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기, 피라미달 모드 교반기로 구성되어 있으며, 동시에 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기는 2개 이상의 판넬의 결합으로 구성된 구조이다. 판넬은 전자파 반사체의 일례이며, 본 발명은 판넬에 한정되지 않고 전자파 반사체를 통해 결합되는 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 일 수 있다. 이 때, 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기는 구체적인 예로서 판넬이 'ㄷ'형태로 구성될 수 있다.
즉, 도 12는 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량을 증가시켜 전자파 균일도를 향상시키기 위해 요철식 모드 교반기를 더 구비한 전자파 잔향실의 내부 구성을 나타낸다.
도 13은 본 발명의 제5 실시예를 나타내는 도 12의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
도 12의 전자파 잔향실의 성능의 개선을 나타내기 위해 도 1의 전자파 잔향실을 비교 대상으로 하였다. 도 1의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 그래프(1301)로 표현되었다. 그래프(1301)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우의 고유주파수 대비 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기가 있는 경우 고유주파수 변화량을 의미한다.
도 12의 구조를 나타내는 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 그래프(1302)로 표현되었다. 그래프(1302)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우 고유주파수 대비 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기, 피라미달 모드 교반기, 요철식 모드 교반기가 있는 경우 고유주파수 변화량을 의미한다. 이 때, 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기는 구체적인 예로서 판넬이 'ㄷ'형태로 구성될 수 있다. 그러나, 'ㄷ'형태에 한정되는 것은 아니고, 'ㄹ'형태, 'ㅁ'형태와 같은 다른 형태의 실시예도 모두 본 발명에 포함된다. 판넬은 전자파 반사체의 일례이며, 본 발명은 판넬에 한정되지 않고 전자파 반사체를 통해 결합되는 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 일 수 있다.
즉, 도 12의 구조에서 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 도 1의 구조의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량보다 대부분의 모드 넘버에서 증가하였음을 확인할 수 있다. 따라서, 전자파 잔향실의 전자파 균일도는 향상되었음을 확인할 수 있다.
도 14는 본 발명의 제6 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 14의 전자파 잔향실의 구조는 도 10의 전자파 잔향실의 어느 한 벽면에 요철식 모드 교반기(1404)를 추가로 설치한 구조를 나타낸다. 도 10의 전자파 잔향실의 구조는 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기, 피라미달 모드 교반기로 구성되어 있으며, 동시에 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기는 2개 이상의 판넬의 결합으로 구성되는 구조이다. 판넬은 전자파 반사체의 일례이며, 본 발명은 판넬에 한정되지 않고 전자파 반사체를 통해 결합되는 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 일 수 있다. 이 때, 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기는 구체적인 예로서 판넬이 '11'형태로 구성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 '11'형태에 한정되지 않고, 다른 형태를 모두 포함할 수 있다.
즉, 도 14는 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량을 증가시켜 전자파 균일도를 향상시키기 위해 요철식 모드 교반기를 더 구비한 전자파 잔향실의 내부 구성을 나타낸다.
도 15는 본 발명의 제6 실시예를 나타내는 도 14의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
도 14의 전자파 잔향실의 성능의 개선됨을 나타내기 위해 도 1의 전자파 잔향실을 비교 대상으로 하였다. 도 1 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 그래프(1501)로 표현되었다. 그래프(1501)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우 고유주파수에 대비 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기가 있는 경우 고유주파수 변화량을 의미한다.
도 14의 구조를 나타내는 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 그래프(1502)로 표현되었다. 그래프(1502)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우의 고유주파수에 대해 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기, 피라미달 모드 교반기, 요철식 모드 교반기가 있는 경우의 고유주파수 변화량을 의미한다. 이 때, 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기는 구체적인 예로서 판넬이 'ㄷ'형태로 구성될 수 있다. 판넬은 전자파 반사체의 일례이며, 본 발명은 판넬에 한정되지 않고 전자파 반사체를 통해 결합되는 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 일 수 있다. 본 발명은 'ㄷ'형태에 한정되지 않고, 'ㄹ'형태, 'ㅁ'형태와 같은 다른 형태를 모두 포함할 수 있다.
즉, 도 14의 구조에서 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 도 1의 구조의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량보다 대부분의 모드 넘버에서 증가하였음을 확인할 수 있다. 따라서, 전자파 잔향실의 전자파 균일도는 향상되었음을 확인할 수 있다.
도 16은 본 발명의 제7 실시예에 따른 전자파 잔향실의 구조를 도시한 도면이다.
도 16의 전자파 잔향실의 구조는 도 10의 전자파 잔향실의 어느 한 벽면에 요철식 모드 교반기(1604)를 추가로 설치한 구조를 나타낸다. 도 10의 전자파 잔향실의 구조는 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기, 피라미달 모드 교반기로 구성되어 있으며, 동시에 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기는 2개 이상의 판넬의 결합으로 구성되는 구조이다.
이 때, 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기는 구체적인 예로서 판넬이 'ㄷ'형태 또는 '11'형태 혼합된 형태로 구성될 수 있다. 판넬은 전자파 반사체의 일례이며, 본 발명은 판넬에 한정되지 않고 전자파 반사체를 통해 결합되는 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 일 수 있다. 즉, 기둥형 모드 교반기(1601)의 판넬이 'ㄷ'형태라면, 천장형 모드 교반기(1602)의 판넬은 '11'형태일 수 있다. 또는, 기둥형 모드 교반기(1601)의 판넬이 '11'형태라면, 천장형 모드 교반기(1602)의 판넬은 'ㄷ'형태일 수 있다. 본 발명은 'ㄷ'형태 '11'형태에 한정되지 않고, 다른 형태를 모두 포함할 수 있다.
도 17은 본 발명의 제7 실시예를 나타내는 도 16의 전자파 잔향실에 대해 수치해석을 통해 계산된 고유주파수 변화량을 비교한 것을 도시한 도면이다.
도 17은 도 16의 전자파 잔향실의 성능의 개선을 나타내기 위해 도 1의 전자파 잔향실을 비교 대상으로 하였다. 도 1의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 그래프(1701)로 표현되었다. 그래프(1701)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우 고유주파수 대비 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기와 천장형 모드 교반기가 있는 경우 고유주파수에 대한 변화량을 의미한다.
도 16의 구조를 나타내는 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 그래프(1702)로 표현되었다. 그래프(1702)는 전자파 잔향실의 내부가 비어있는 경우 고유주파수에 대해 전자파 잔향실의 내부에 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기, 피라미달 모드 교반기, 요철식 모드 교반기가 있는 경우 고유주파수 변화량을 의미한다. 이 때, 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기는 구체적인 예로서 판넬이 'ㄷ'형태로 구성될 수 있다. 판넬은 전자파 반사체의 일례이며, 본 발명은 판넬에 한정되지 않고 전자파 반사체를 통해 결합되는 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 일 수 있다.
즉, 도 16의 구조에서 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량은 도 1의 구조의 전자파 잔향실의 고유주파수 변화량보다 대부분의 모드 넘버에서 증가하였음을 확인할 수 있다. 따라서, 전자파 균일도가 향상되었음을 확인할 수 있다.
본 명세서는 다수의 특정한 구현물의 세부사항들을 포함하지만, 이들은 어떠한 발명이나 청구 가능한 것의 범위에 대해서도 제한적인 것으로서 이해되어서는 안되며, 오히려 특정한 발명의 특정한 실시형태에 특유할 수 있는 특징들에 대한 설명으로서 이해되어야 한다. 개별적인 실시형태의 문맥에서 본 명세서에 기술된 특정한 특징들은 단일 실시형태에서 조합하여 구현될 수도 있다. 반대로, 단일 실시형태의 문맥에서 기술한 다양한 특징들 역시 개별적으로 혹은 어떠한 적절한 하위 조합으로도 복수의 실시형태에서 구현 가능하다. 나아가, 특징들이 특정한 조합으로 동작하고 초기에 그와 같이 청구된 바와 같이 묘사될 수 있지만, 청구된 조합으로부터의 하나 이상의 특징들은 일부 경우에 그 조합으로부터 배제될 수 있으며, 그 청구된 조합은 하위 조합이나 하위 조합의 변형물로 변경될 수 있다.
마찬가지로, 특정한 순서로 도면에서 동작들을 묘사하고 있지만, 이는 바람직한 결과를 얻기 위하여 도시된 그 특정한 순서나 순차적인 순서대로 그러한 동작들을 수행하여야 한다거나 모든 도시된 동작들이 수행되어야 하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 특정한 경우, 멀티태스킹과 병렬 프로세싱이 유리할 수 있다. 또한, 상술한 실시형태의 다양한 장치 컴포넌트의 분리는 그러한 분리를 모든 실시형태에서 요구하는 것으로 이해되어서는 안되며, 설명한 프로그램 컴포넌트와 장치들은 일반적으로 단일의 소프트웨어 제품으로 함께 통합되거나 다중 소프트웨어 제품에 패키징 될 수 있다는 점을 이해하여야 한다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
100: 전자파 잔향실
101, 102: 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기
110, 120: 바닥, 천정
130~160: 제1 벽면~제4 벽면

Claims (11)

  1. 전자파 잔향실에 있어서,
    상기 전자파 잔향실의 바닥에 설치된 금속기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되는 기둥형 모드 교반기;
    상기 전자파 잔향실의 벽면에 설치된 금속 기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되고, 상기 전자파 잔향실의 천장 주변에 위치하는 천장형 모드 교반기; 및
    복수의 피라미드 형태의 전자파 반사체로 구성되고, 상기 전자파 잔향실의 벽면에 위치하는 피라미달 모드 교반기
    를 포함하고,
    상기 기둥형 모드 교반기의 상기 전자파 반사체, 상기 천장형 모드 교반기의 상기 전자파 반사체, 상기 피라미달 모드 교반기의 상기 전자파 반사체는 입사하는 전자파를 복수의 방향으로 반사함으로써, 상기 전자파 잔향실 내부의 고유 모드의 변화가 발생되는
    전자파 잔향실.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전자파 잔향실의 상기 고유 모드는,
    상기 기둥형 모드 교반기, 천장형 모드 교반기 및 피라미달 모드 교반기에 의해 변화되는 전자파 잔향실.
  3. 제1항에 있어서,
    요철 형태로 배치되는 전자파 반사체로 구성되어, 상기 피라미달 모드 교반기가 위치하는 벽면과 다른 벽면에 위치하는 요철식 모드 교반기
    를 더 포함하는 전자파 잔향실.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 요철식 모드 교반기는,
    복수의 요철식 모드 교반기가 벽면에 평행하게 설치되는 전자파 잔향실.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 요철식 모드 교반기는,
    요철식 모드 교반기의 너비, 길이, 높이, 개수를 조절하여 고유 모드에 변화를 주는 전자파 잔향실.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기둥형 모드 교반기와 상기 천장형 모드 교반기는,
    상기 복수의 판상형태의 전자파 반사체가 결합되어 특정한 형태를 나타내는 전자파 잔향실.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 판상형태의 전자파 반사체의 크기는 특정한 값으로 결정되는 전자파 잔향실.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 판상형태의 전자파 반사체 간의 간격은 특정한 값으로 결정되는 전자파 잔향실.
  9. 삭제
  10. 전자파 잔향실에 있어서,
    상기 전자파 잔향실의 바닥에 설치된 금속기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되는 기둥형 모드 교반기; 및
    복수의 피라미드 형태의 전자파 반사체로 구성되고, 상기 전자파 잔향실의 벽면에 위치하는 피라미달 모드 교반기
    를 포함하고,
    상기 기둥형 모드 교반기의 상기 전자파 반사체, 상기 피라미달 모드 교반기의 상기 전자파 반사체는 입사하는 전자파를 복수의 방향으로 반사함으로써, 상기 전자파 잔향실 내부의 고유 모드의 변화가 발생되는
    전자파 잔향실.
  11. 전자파 잔향실에 있어서,
    상기 전자파 잔향실의 벽면에 설치된 금속 기둥에 의해 복수의 판상 형태의 전자파 반사체가 연결되고, 상기 전자파 잔향실의 천장 주변에 위치하는 천장형 모드 교반기; 및
    복수의 피라미드 형태의 전자파 반사체로 구성되고, 상기 전자파 잔향실의 벽면에 위치하는 피라미달 모드 교반기
    를 포함하고.
    상기 천장형 모드 교반기의 상기 전자파 반사체, 상기 피라미달 모드 교반기의 상기 전자파 반사체는 입사하는 전자파를 복수의 방향으로 반사함으로써, 상기 전자파 잔향실 내부의 고유 모드의 변화가 발생되는
    전자파 잔향실.

KR1020170018453A 2017-02-10 2017-02-10 전자파 잔향실 KR101935259B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170018453A KR101935259B1 (ko) 2017-02-10 2017-02-10 전자파 잔향실
US15/717,407 US10598711B2 (en) 2017-02-10 2017-09-27 Electromagnetic wave reverberation chamber

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170018453A KR101935259B1 (ko) 2017-02-10 2017-02-10 전자파 잔향실

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180093176A KR20180093176A (ko) 2018-08-21
KR101935259B1 true KR101935259B1 (ko) 2019-01-07

Family

ID=63105083

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170018453A KR101935259B1 (ko) 2017-02-10 2017-02-10 전자파 잔향실

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10598711B2 (ko)
KR (1) KR101935259B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101935259B1 (ko) * 2017-02-10 2019-01-07 한국전자통신연구원 전자파 잔향실
CN109541512B (zh) * 2018-12-20 2021-03-23 北京无线电计量测试研究所 一种用于混响室装置的搅拌器及混响室装置
CN110082608B (zh) * 2019-04-28 2020-07-28 西安交通大学 一种降低混响室测量不确定度的电调电磁波轨道角动量模式的源搅拌方法
US11609254B2 (en) 2021-08-11 2023-03-21 Apple Inc. Electromagnetic shielded testing chamber with ventilation
KR20230031521A (ko) 2021-08-27 2023-03-07 한국전자통신연구원 품질 계수 조절이 가능한 전자파 평가 장치
CN116879666B (zh) * 2023-09-07 2023-11-28 合肥航太电物理技术有限公司 一种机载设备高强辐射场测试装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004347439A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 National Institute Of Information & Communication Technology 無線機の空中線電力推定方法
JP2014228337A (ja) * 2013-05-21 2014-12-08 株式会社村田製作所 電波反射箱

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3120641A (en) * 1960-06-08 1964-02-04 Emerson & Cuming Inc Microwave anechoic chamber
US3273150A (en) * 1964-03-26 1966-09-13 Goodrich Co B F Anechoic chamber
JPH0241197B2 (ja) * 1987-10-28 1990-09-14 Kashima Kogyo Kk Denpamukyoshitsu
USH821H (en) * 1990-03-27 1990-09-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Means and method for performing shielding effectiveness measurements using mode-stirred chambers
FR2706623B1 (fr) * 1993-06-15 1995-09-22 Siepel Dispositif de positionnement d'antennes à l'intérieur d'une chambre de mesure de type anéchoïque ou semi-anéchoïque.
CA2179703C (en) * 1996-06-21 2006-10-10 Andrew S. Podgorski Broadband horn antenna useful in mass spectroscopy
SE0002980D0 (sv) * 2000-03-31 2000-08-23 Kildal Antenn Consulting Ab A method and an apparatus for measuring the performance of antennas
FR2809183B1 (fr) * 2000-05-16 2002-07-26 Inrets Dispositif d'essai en compatibilite electromagnetique
EP1223432B1 (en) * 2001-01-16 2005-03-23 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) A chamber for and a method of processing electronic devices and the use of such a chamber
SG106069A1 (en) * 2002-03-28 2004-09-30 Inst Of High Performance Compu Hybrid mode stirred and tuned chamber
DE10329411B4 (de) * 2003-07-01 2006-01-19 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Mikrowellenresonator, eine aus einem solchen Mikrowellenresonator modular aufgebaute Prozessstraße, ein Verfahren zum Betreiben und nach diesem Verfahren thermisch prozessierte Gegenstände/Werkstücke mittels Mikrowelle
US7102562B2 (en) * 2004-03-22 2006-09-05 Motorola, Inc. Radio frequency anechoic chamber with improved test stand
FR2906040B1 (fr) * 2006-09-14 2009-03-20 Eads Ccr Groupement D Interet Chambre reverberante
WO2009039481A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 University Of South Florida Reconfigurable chamber for emulating multipath fading
EP2256507A1 (en) * 2009-05-27 2010-12-01 Thales Nederland B.V. A dual deformable reverberation chamber
US8462039B2 (en) * 2009-12-09 2013-06-11 Electronics And Telecommunications Research Institute Indoor electromagnetic environment implementing structure and a constructing method thereof
KR101758917B1 (ko) * 2010-12-23 2017-07-17 한국전자통신연구원 전자파 잔향실
WO2012097732A1 (en) * 2011-01-18 2012-07-26 The University Of Hongkong Compact electronic reverberation chamber
ES2749459T3 (es) * 2011-06-15 2020-03-20 Bluetest Ab Método y aparato mejorados para medir el rendimiento de antenas, teléfonos móviles y otros terminales inalámbricos
KR101826355B1 (ko) 2011-08-22 2018-02-07 한국전자통신연구원 전자파 잔향실
US8854246B1 (en) * 2011-11-02 2014-10-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of converting an electromagnetic anechoic test chamber to an electromagnetic reverberation test chamber
CN103163340A (zh) * 2011-12-12 2013-06-19 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电波暗室
WO2013175263A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Supelec Method and system for generation of a statistically spatially-uniform field distribution inside a reverberation chamber
WO2013179016A1 (en) * 2012-05-28 2013-12-05 Mbda Uk Limited A chamber for testing electrical and electronic apparatus
EP2669689A1 (en) * 2012-05-29 2013-12-04 MBDA UK Limited A chamber for testing electrical and electronic apparatus
US9482708B2 (en) * 2013-01-29 2016-11-01 ETS-Lindgren Inc. Enhanced reverberation chamber
US9746423B2 (en) * 2013-05-15 2017-08-29 ETS-Lindgren Inc. Reverberation chamber loading
WO2015113649A1 (en) * 2014-01-30 2015-08-06 Kildal Antenn Ab Methods and apparatuses for testing wireless communication to vehicles
KR101548240B1 (ko) 2014-06-11 2015-08-28 국방과학연구소 보조스터러가 설치된 전자파 잔향실용 스터러 장치
DE102015118458A1 (de) * 2015-10-29 2017-05-04 Hamburg Innovation Gmbh Prüfkammer zur Prüfung der elektromagnetischen Verträglichkeit eines in der Kammer angeordneten Objekts
KR101935259B1 (ko) * 2017-02-10 2019-01-07 한국전자통신연구원 전자파 잔향실

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004347439A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 National Institute Of Information & Communication Technology 無線機の空中線電力推定方法
JP2014228337A (ja) * 2013-05-21 2014-12-08 株式会社村田製作所 電波反射箱

Also Published As

Publication number Publication date
US20180231593A1 (en) 2018-08-16
KR20180093176A (ko) 2018-08-21
US10598711B2 (en) 2020-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101935259B1 (ko) 전자파 잔향실
KR101758917B1 (ko) 전자파 잔향실
KR20190126651A (ko) 잔향 챔버
Remski Analysis of photonic bandgap surfaces using Ansoft HFSS
Jha et al. A simple synthesis technique of single-square-loop frequency selective surface
KR20090075678A (ko) 잔향 챔버
US20100109957A1 (en) Apparatus for measuring antenna radiation performance and method of designing the same
Hansen A one-parameter circular aperture distribution with narrow beamwidth and low sidelobes
US10700438B2 (en) Guide element for an antenna and method for producing such guide element
CN109462014A (zh) 压缩水平面波宽的基站天线
CN109444821B (zh) 一种极化可控的角反射器
US11747380B2 (en) Electromagnetic wave evaluation apparatus with adjustable quality factor
Asander et al. Field uniformity analysis of a mode stirred reverberation chamber using high resolution computational modeling
Wanderlinder et al. Experimental analysis for metamaterials used to lower the LUF of a reverberation chamber
KR102579396B1 (ko) 전자파 잔향실
Farahbakhsh et al. Metallic spherical anechoic chamber for antenna pattern measurement
CN210954182U (zh) 散射组件和电磁混响装置
Scholnik Optimization of array tapers subject to transmit constraints
KR20110114245A (ko) 반사벽을 구비한 전파무향실
NL2030203B1 (en) Structure for antennae
Fallahi et al. A synthesis process for microwave absorber design based on pyramidal absorbers
US20180007784A1 (en) Electromagnetic blocking structure, dielectric substrate, and unit cell
CN109216933A (zh) 新型轴向压缩二维平面透镜天线
Remski et al. Frequency selective surfaces
CN201556706U (zh) 一种相控阵列天线的半球型互耦补偿天线罩

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right