TW201320141A

TW201320141A - 低電流保險絲

Info

Publication number: TW201320141A
Application number: TW100139996A
Authority: TW
Inventors: Alona Goldstein; Irina Daynov; Herzl Ovadia; Elinor O'neill; Michael Dakhyia; Evgeny Glickman
Original assignee: Avx Corp
Priority date: 2011-11-02
Filing date: 2011-11-02
Publication date: 2013-05-16

Abstract

本發明揭示一種多層保險絲裝置，其包含一基板及一伸長保險絲元件，該伸長保險絲元件具有形成於該基板之一個表面上在其對置縱向端處與其一起形成之一對接觸墊。提供一對鈍化層，從而覆蓋保險絲及接觸墊。在某些實施例中，通過兩個鈍化層在該等接觸墊兩者上方開出一對窗口，且通過該等窗口電鍍導電電極材料以接觸該等接觸墊且在該等鈍化層之一頂表面上方部分地延伸。可接著用可焊接導電材料塗佈該經電鍍材料之曝露區域或可提供一表面安裝端接。在其他實施例中，經電鍍材料在施加該等鈍化層之前覆蓋該保險絲表面之一部分且延伸至該基板之一末端以使得不再需要窗口。在此等實施例中，該經電鍍材料提供該已完成裝置之表面安裝端接之一導電路徑。

Description

低電流保險絲

本標的物大體而言係關於電保險絲且特定而言係關於採用薄膜技術之平臺柵格陣列(LGA)及表面安裝(SMD)毫電流保險絲。本技術進一步係關於用於製作此等保險絲之方法。

對於電路板總成而言，表面安裝已變成一較佳技術。因此，實際上所有類型之電子組件已經或正經重新設計以用於表面安裝(亦即，無引線)實施例或應用。快速將表面安裝裝置(SMD)併入至所有類型之電子電路中已產生對SMD保險絲之一對應需求。

保險絲在諸多電路板上起一必要作用。藉由將保險絲接入一電路、經選擇之子電路及/或甚至某些個別組件，可防止對一整個系統之原本可因一單個局部組件之故障引起之損壞。

存在電組件之諸多不同效能特性，針對其，可試圖進行改良以促成所期望操作。討論某些保險絲態樣之一先前技術實例揭示於Parker等人之美國專利7,570,148中。Parker等人之專利關注一低電阻保險絲，其包含一保險絲元件層及在該保險絲元件層之相對側延伸且耦合至其之第一及第二中間絕緣層。保險絲元件層形成於該第一中間絕緣層上且該第二絕緣層經層壓至該保險絲元件層。另一實例係第5,296,833號美國專利(Breen等人)。Breen等人關注一表面安裝保險絲裝置，其包含一氧化鋁-玻璃-保險絲-玻璃-氧化鋁之層壓結構。

揭示保險絲設計態樣之例示性技術之額外參考包含Badihi等人之第5,228,188號美國專利及第5,166,656號美國專利兩者。此等Badihi等人之參考通常關注表面安裝保險絲及用於製作其之方法。

出於所有目的，所有前述美國專利文件之揭示內容特此以引用方式全文併入本文中。

應注意，先前技術論文中無一者滿足提供經額定用於約50毫安之毫電流之可表面安裝之保險絲之需求。較佳實施例以小於80密爾×50密爾(約2 mm×1.5 mm)，且有時小達40密爾×20密爾(約1 mm×0.5 mm)之封裝滿足此需求。

本標的物辨識並討論如先前所論述之各種設計態樣，以及關於某些保險絲態樣及相關電子技術之其他態樣。因此，廣泛而言，當前所揭示之技術之一個主要目的係提供一經改良保險絲裝置。更特定而言，本發明闡述可經組態成一平臺柵格陣列(LGA)組態或一表面安裝(SMD)組態之一低電流保險絲裝置。

本標的物進一步大體而言係關於一多層保險絲裝置，且更特定而言係關於此一多層保險絲裝置包含一基板，該基板具有一伸長保險絲元件及形成於該基板之一個表面上在其對置縱向端處與其一起形成之一對接觸墊。在具體實施例中，可提供一對鈍化層，從而覆蓋該保險絲及該等接觸墊，且通過兩個鈍化層在該等接觸墊兩者上方開出一對窗口，以接納通過其之經電鍍導電電極材料。該經電鍍材料可在該等鈍化層之一頂表面上方延伸且用可銲導電材料加以塗佈。

特別需要具有0.025安培至0.125安培之額定值之低電流錶面安裝保險絲。

注意，一保險絲之額定值係打算將其用於之電流。保險絲通常經設計以在約額定電流之250%之一電流下熔斷。

本發明之一第一態樣係針對提供一可表面安裝保險絲，其經額定以在曝露於約0.06安培至0.5安培之範圍中之一最大電流之情形下熔斷。

可使用一適當金屬薄膜來獲得此一表面安裝保險絲。

通常，該可表面安裝保險絲包括係3微米至20微米寬及0.2微米至2微米厚之一鎳或銅跡線。

通常，該可表面安裝保險絲進一步包括一介電基板，其包括陶瓷、玻璃或玻璃陶瓷。

最佳地，該介電基板包括玻璃。

通常，在該表面安裝保險絲包括一鎳跡線之情況下，其進一步在該保險絲金屬下方包括一薄鉭層以促進基板與金屬之間的黏合。

通常，該薄鉭層具有數百埃之一厚度。

通常，該可表面安裝保險絲進一步包括保護該保險絲金屬之一鈍化層。

在一項實施例中，該鈍化層包括氮氧化矽。

視情況，一鉭層提供於該保險絲金屬上及該鈍化層下方以促進該鈍化層至該保險絲金屬之黏合。

視情況，該鈍化層係1微米至6微米厚。

通常，該可表面安裝保險絲進一步包括聚醯亞胺之一囊封層。

通常，該可表面安裝保險絲經組態以供在一平臺柵格陣列(LGA)中或在一表面安裝(SMD)應用中使用。

最通常，該可表面安裝保險絲進一步包括端接部。

在一項實施例中，該等端接部包括可通過該鈍化層中之窗開口接達之接觸墊。

通常，該可表面安裝保險絲進一步包括具有大體對應於形成於該鈍化層中之彼等窗開口之窗開口之一聚醯亞胺材料之一囊封層。

另外，該可表面安裝保險絲可包括苯環丁烯(BCB)或環氧樹脂之一保護塗層。

視情況，該可表面安裝保險絲進一步包括銅(Cu)電極，其係通過該等窗開口在該等接觸墊上方電鍍的以使得該電極在該鈍化層上延伸。

通常，該等Cu電極112之曝露部分與鎳及錫(Ni/Sn)層端接。

另一選擇為，使用一球柵陣列(BGA)技術來端接該等Cu電極之該曝露部分。

在一項例示性實施例中，當前所揭示標的物係關於一保險絲，其包括：一基板，其具有各別頂表面、底表面、側表面及端表面；一伸長保險絲元件，其形成於此基板之此頂表面上；一對接觸墊，其整體形成於此保險絲元件之對置端處；至少一個鈍化層，其覆蓋此保險絲元件及此等接觸墊之至少一部分；第一導電電極及第二導電電極，其分別耦合至此對接觸墊中之每一者之一頂表面；及至少一個導電端接層，其用於此等電極中之每一者。

在某些實施例中，此第一導電電極及第二導電電極可在其一末端處耦合至此對接觸墊中之每一者。在其他實施例中，此第一導電電極及第二導電電極各自可使其一第二末端延伸通過此至少一個鈍化層。在又一些實施例中，此至少一個導電端接層可包括此第一導電電極及第二導電電極中之每一者之此第二末端之一塗層。

在其他本發明替代方案中，此第一導電電極及第二導電電極沿其一個邊緣可延伸至此基板之各別邊緣部分。在其他替代方案中，此至少一個導電端接層可包括分別與此第一導電電極及第二導電電極中之每一者電相關聯之各別末端端接部。在又一些替代方案中，此第一導電電極及第二導電電極可沿其一側耦合至此對接觸墊中之每一者。在某些此等其他替代方案中，此至少一個導電端接層可包括分別與此第一導電電極及第二導電電極中之每一者電相關聯之各別末端端接部。在其替代方案中，此端接層可覆蓋毗鄰其每一末端之此基板之側之一部分。

在其他當前所揭示變化形式中，此一保險絲例示性實施例可包括覆蓋此保險絲元件及接觸墊之至少一對此等鈍化層。此外，此端接層可覆蓋此等鈍化層之此頂表面之至少一部分，且可覆蓋接近其每一末端之此基板之此底表面之部分及所有此等端表面，藉此此端接層達成此保險絲之表面安裝。仍進一步，此端接層可覆蓋毗鄰於其每一末端之此基板之側之一部分。

在其他當前所揭示變化形式中，此一保險絲可進一步包括通過此對鈍化層形成於此等接觸墊中之每一者上方之一窗口；且其中此第一導電電極及第二導電電極可在此等接觸墊上方之此等鈍化層之一頂表面上方延伸；且此端接層可覆蓋在此等鈍化層之頂表面上方延伸之此等導電電極之至少一部分，且覆蓋此基板之底表面之至少一部分，藉此此端接層達成此保險絲之表面安裝。此外，在某些例項中，此端接層可覆蓋毗鄰其每一末端之此基板之側之一部分。

在又一些變化形式中，此一保險絲可進一步可包括覆蓋此等鈍化層之一玻璃層；且其中此第一電極及第二電極可沿此基板之末端之方向延伸且經曝露於此基板之該等末端處；且此端接層可覆蓋此玻璃層之該頂表面之至少一部分，且可覆蓋接近於其每一末端之此基板之端表面及底表面。在某些替代方案中，此等鈍化層可包括聚合材料。在其他替代方案中，此等鈍化層可包括SiNO、Al₂O₃、SiO₂、Si₃N₄、聚醯亞胺、苯環丁烯及玻璃中之一或多者。

在其他當前所揭示變化形式中，此一保險絲可進一步包括通過此至少一個鈍化層形成於此等接觸墊之每一者上方之一窗口；且其中此第一導電電極及第二導電電極可在此等接觸墊上方之此至少一個鈍化層之一頂表面上方延伸；且此端接層可覆蓋在此至少一個鈍化層之此頂表面上方延伸之此等導電電極之至少一部分，藉此此端接層達成該保險絲之柵格陣列安裝。

在其他本發明替代方案中，此保險絲元件及此等接觸墊可形成為黏合劑材料及導電材料之整體多層。此外，此第一導電電極及第二導電電極可在其一末端處耦合至此對接觸墊中之每一者之鎳層。此外，此保險絲元件及此等接觸墊可形成為銅、鎳、鈷及鐵或其合金中之至少一者之一整體層。而且，在某些替代方案中，此第一導電電極及第二導電電極可包括導電金屬。此外，此第一導電電極及第二導電電極可包括銅電極。在其他配置中，此基板可包括玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、矽及聚合材料中之一者。此外，導電端接層可包括一端接金屬。而且，此端接金屬可包括鎳及錫層。

本標的物之額外目的及優點闡明於本文中之詳細說明中，或熟習此項技術者將自本文中之詳細闡述明瞭本標的物之額外目的及優點。而且，熟習此項技術者應進一步瞭解，藉由對本發明之參考，可在各種實施例及本標的物之使用中實踐對本發明之經具體圖解說明、提及及論述之特徵及步驟的修改及變化，而不背離其精神及範疇。此等變化形式可包含(但不限於)用等效構件與特徵、材料或步驟代替所展示、所提及或所論述之彼等構件與特徵、材料、步驟，以及各種部件、特徵、步驟或諸如此類之功能、操作或位置顛倒。

仍進一步，應理解，所揭示技術之不同實施例以及不同當前較佳實施例可包含當前所揭示特徵或元件，或其等效形式之各種組合或組態(包含圖中未明確展示或實施方式中未明確陳述之特徵組合或其組態)。

熟習此項技術者在審閱本說明書之剩餘部分之後將較佳瞭解當前所揭示標的物之特徵及態樣。

在參考隨附圖之說明書中闡明針對熟習此項技術者之當前所揭示之標的物(包含其最佳模式)之一已完成且有效之說明。

本說明書及隨附圖式通篇中之參考字符之重複使用意欲表示本技術之相同或類似特徵、步驟、或其他元件。

如本發明之發明內容中所提及，本標的物之態樣係針對一經改良之低電流保險絲裝置。

現在參考圖式，圖1圖解說明根據本技術之一低電流保險絲(通常為100)之一例示性第一實施例之一局部剖視圖。低電流保險絲100經構建於以對應於基板102之一玻璃陶瓷層開始之若干個層上。一玻璃基板係較佳的，但可採用具有適合熱性質(具有或不具有適合鈍化層)之任何陶瓷(諸如氧化鋁或其他陶瓷、矽(Si)、聚合物)基板或玻璃陶瓷材料。

具有形成於其每一末端處之黏合劑層105及整體接觸墊106(在圖1中僅一個可見)之保險絲元件104藉由濺鍍至基板102上或其他物理汽相沈積技術且然後藉由將保險絲金屬層圖案化而產生。各種金屬可用於保險絲，包含具有高導電性及延展性之銅。已發現，鎳(Ni)係一良好候選者，尤其針對較低電流保險絲，應注意，鎳展示隨溫度之電阻率之一劇烈增加。在不希望受任一特定理論約束之情況下，據信，此係歸因於其鐵磁特性。其他磁性材料(諸如鈷及某些基於鎳與鈷之合金)期望係有利的。因此，在替代實施例中，可使用其他磁性金屬(Ni、Co、Fe或其合金)。

此等金屬演示相對低焦耳發熱及對電子遷移及其他擴散以及熱啟動降格過程之高抵抗性。鎳及鈷亦具有高延展性及對空氣、水及氯化物之腐蝕之高抵抗性，其甚至在潮濕、略微腐蝕環境中提供可靠操作。

然而，應注意，舉例而言，亦可採用具有適當電阻/熔點之其他金屬。

保險絲元件102之厚度可(舉例而言)自0.2 μm至2 μm不等。此等厚度可相對容易地依據可接受公差沈積。亦可在保險絲材料之上方及/或下方採用包含(但不限於)Ta、Cr、TaN、TiW、Ti、TiN之黏合層。較佳地，一薄的鉭(Ta)黏合劑層可用於促進至該基板之黏合。

此等黏合層103之厚度可(舉例而言)自100至1000不等。熟習此項技術者亦應瞭解，雖然保險絲元件104經圖解說明為一直線元件，但在(舉例而言)需要或期望額外長度之情況下其他組態係可能的。在某些此等例項中，可提供一大體曲線或正弦曲線之元件。

具有位於接觸墊106上之窗開口之一氮氧化矽(SiNO)鈍化層108經放置於元件104及接觸墊106上。在一例示性組態中，鈍化層108可係約1微米至6微米厚且具有自鈍化層108之微影應用或經由在該鈍化材料之一覆蓋層上進行蝕刻而提供之窗開口。在替代實施例中，鈍化層108可係由任一無機鈍化材料(包含但不限於Al₂O₃、SiO₂及Si₃N₄)形成。

為輔助鈍化層至其下方之保險絲金屬之黏合，添加一薄材料層，通常為鉭，但視情況為Ta、Cr、TaN、TiW、Ti、TiN。適當黏合層之挑選取決於保險絲金屬、鈍化層及沈積技術，且其在不希望受具體技術約束之情況下經設計以克服諸如晶格不匹配及殘餘應力之現象。

一第二鈍化層或保護密封層110可施加於鈍化層108上。為了快速沈積，第二鈍化層110可係(舉例而言)約5微米至25微米之諸如一聚醯亞胺材料之一聚合物，且舉例而言亦可形成有通常在範圍上對應於形成於鈍化層108中之彼等窗開口之窗開口。在額外可選實施例中，亦可為第二鈍化層110供應苯環丁烯(BCB)、環氧樹脂或其他保護塗層之一保護塗層。

然後通過該等窗開口在接觸墊106上電鍍電極112以使得電極112延伸通過鈍化層110。在保險絲金屬係銅之情況下，且甚至在其係諸如鎳之另一材料之情況下，舉例而言，為易於製作，電極112通常係銅(Cu)。

Cu電極112之曝露部分然後通常藉由塗佈而與鎳及錫(Ni/Sn)層114端接。可使用其他金屬且其可尤其適於更具體端接要求。在替代組態中，球柵陣列(BGA)技術可與或不與銅柱形凸塊技術一起採用。

參考圖2，圖解說明根據本技術所構造之一例示性保險絲200之一組裝透視圖。如自圖2可見，保險絲200包含基板202、鈍化層208及210，以及銅電極(未展示)上之曝露的Ni/Sn塗層214。

參考圖3，圖解說明對應於圖1及圖2中所示之例示性實施例之一例示性保險絲300之一分解圖。在分解圖中，保險絲300展示基板302且更清晰地圖解說明與保險絲元件304相關聯且定位於該保險絲元件之各別對置縱向端處之接觸墊306、306'對。此外，分別更充分地圖解說明鈍化層308及310中之開口318、318'及開口320、320'。應瞭解，開口318與320係實質上在區域上有同等範圍的，且在接觸墊306上方一致地對準。開口318'及320'(在鈍化層308、310之相對端上)相對於接觸墊306'類似地放置。

現在參考圖4A，圖解說明根據本技術之一低電流保險絲(通常為400)之一例示性第二實施例之一局部剖視圖。低電流保險絲400經構建於以實質上與先前相對於圖1所圖解說明相同之方式之以一玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷基板層402開始之若干個層上。

保險絲元件404及位於其每一末端處之整體接觸墊406係藉由濺鍍至基板402上，且然後藉由將在其下方及其上具有鉭(Ta)黏合層之一保險絲金屬跡線(諸如一銅或鎳層)圖案化而形成。如熟習此項技術者將理解，亦可按照當前所揭示之標的物結合本圖4A之實施例來實踐黏合層(當前未標記但諸如結合圖1及圖3由層103及105所表示之彼等黏合層)。如在圖4B中所圖解說明之經放大的接觸墊區域中較佳可見，在一例示性組態中，一第一Ta層416、隨後一Ni層426及一第二Ta層436(其一起可組合以形成約0.1 μ至約10 μ厚)經濺鍍於一玻璃基板402上。如同圖1之保險絲102，在替代實施例中，可採用諸如Ni、Co、Fe或其合金之磁性金屬，或具有適當電阻/熔點之諸如銅之其他金屬。類似地亦相對於圖1，亦可採用在保險絲材料上方及/或下方之其他黏合層。

根據此第二實施例，藉由使電極結構與先前結合圖1至圖3所圖解說明之彼電極結構不同而提供一表面安裝裝置(SMD)。根據第二實施例，電極材料446可經提供於保險絲金屬(通常為鎳或銅)層426上方且與其接觸且經定位以實質上覆蓋Ni層426及以延伸至基板402之一邊緣部分450。在一例示性組態中，電極材料446可係銅(Cu)且可經電鍍於Ni層426上。如熟習此項技術者將辨識到，亦可採用其他用於提供Cu層446之方法。亦應瞭解，電極可係由除銅以外之導電材料製作。另外，應注意，此額外電極材料並非必要的，此乃因形成墊區域及保險絲之材料係自身導電的。

在電極材料446之放置之後，係放置氮氧化矽(SiNO)之一第一鈍化層408，其後將一第二鈍化層或保護密封層410施加於鈍化層408上。最後可施加一玻璃蓋412(或另一選擇為，其他絕緣材料)。在此實施例中，不需要窗開口(如相對於第一實施例所圖解說明)，然而窗口可經形成以容納如稍後將相對於圖6中所圖解說明之實施例所闡述之一電極。然後可使用熟習此項技術者眾所周知之技術來施加用以准許已完成裝置之表面安裝之末端端接部442、444。

參考圖5，圖解說明根據本技術所構造之一例示性保險絲400之一組裝透視圖。如自圖5可見，保險絲400包含基板402、鈍化層408及410以及玻璃蓋412。末端端接部442、444供應於裝置400之各別末端452、454處且如圖5中所圖解說明覆蓋頂表面456與底表面458兩者之部分。末端端接材料可視情況施加至如圖8中所圖解說明之側表面。末端端接部442、444可對應於Cu末端接部且可包含諸如Ni/Sn或其他焊接材料組合之材料塗層(未單獨圖解說明)以輔助將已完成裝置固定至一電路板，舉例而言，使用已知焊接或其他固定技術。

現在參考圖6，圖解說明根據本技術之一低電流保險絲(通常為600)之一例示性第三實施例之一局部剖視圖。低電流保險絲600經構建於以實質上與先前相對於圖1及圖3所圖解說明相同之方式之以對應於基板602之諸如一玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷之一電介質層開始之若干個層上。

根據本標的物之此第三實施例，藉由使電極結構與先前結合圖4至圖5所圖解說明之彼電極結構不同而提供一表面安裝裝置(SMD)。根據第三實施例，電極材料646可經提供於金屬層606上方且與其接觸且經定位以覆蓋金屬層606之一部分。電極材料646向上延伸(如缺口部分646'處所圖解說明)可能通過鈍化層608、610中之窗口以延伸至少至上部鈍化層610之表面。然後可使用熟習此項技術者眾所周知之技術來施加用以准許已完成裝置之表面安裝之末端端接部644、644，如先前相對於圖4A及圖5所闡述。

在圖6及圖8中所圖解說明之實施例中，端接材料644、842、644、844、852可不僅沿已完成裝置之端表面、頂表面及底表面延伸，而且沿如圖8中862、864處所圖解說明之側延伸。

參考圖7，圖解說明根據本技術所構造之在端接材料744、752、754限於已完成裝置之端表面及頂表面以及底表面之情況下提供替代端接部之一例示性保險絲700之一組裝透視圖。

用於計算適當尺寸(針對用作一保險絲之金屬條之厚度、長度及寬度)之理論及所得方程式係眾所周知的。

實例

參考圖1，以下較佳實施例係針對提供經額定以在曝露於超過介於0.1安培與0.5安培之間的一最大電流之電流之情形下熔斷之低電流保險絲100。

尺寸需要係準確可重現的，且保險絲需要具有對電子遷移之一高抵抗性。可藉助沈積由一3 μm(微米)至20 μm(微米)寬之鎳或銅跡線組成之具有在0.2微米至2微米之範圍中之一預定厚度且較佳地具有整體墊106之一保險絲元件104來獲得此類型之準確的低電流保險絲。

較佳地，首先沈積一薄鉭層103以獲得良好黏合且以防止基板102與鎳保險絲元件104之間的相互作用。

所選基板102係玻璃。應注意，可使用各種各樣之玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷。

可藉由物理汽相沈積(PVD)來沈積之薄鉭層103通常係數百埃之厚度。

已發現，針對此等易損壞之保險絲，藉由聚醯亞胺之囊封係適當的。

可首先藉由化學汽相沈積來將氮氧化矽之一保護層沈積於鎳保險絲元件104上以鈍化，然後可將聚醯亞胺之一第二層110施加於鈍化層108上。

較佳地，將一第二鉭層沈積於保險絲金屬上及鈍化層下方以獲得該鈍化層之良好黏合及以防止保險絲元件104與該鈍化層之間的相互作用。

一旦經封裝，此等裝置之總尺寸可小於2 mm×3 mm且可小達1 mm×0.5 mm，從而使得其能夠經表面安裝於小裝置中。

雖然已相對於本標的物之具體實施例對其予以詳細闡述，但應瞭解，熟習此項技術者在獲得對前文之理解時可容易產生對此等實施例之變更、變化及等效形式。因此，本發明之範圍係藉由實例之方式而非限制之方式，且本發明並不排除包含如熟習此項技術者將易於明瞭之對本標的物之此等修改、變化及/或添加。

100．．．低電流保險絲

102．．．基板

103．．．黏合層

104．．．保險絲元件

105．．．黏合劑層

106．．．整體接觸墊

106'．．．接觸墊

108．．．鈍化層

110．．．第二鈍化層

112．．．電極

114．．．鎳及錫層

118．．．開口

118'．．．開口

120．．．開口

120'．．．開口

200．．．保險絲

202．．．基板

208．．．鈍化層

210．．．鈍化層

214．．．Ni/Sn塗層

400．．．低電流保險絲

402．．．基板

404．．．保險絲元件

406．．．整體接觸墊

408．．．第一鈍化層

410．．．第二鈍化層/保護密封層

412．．．玻璃蓋

416．．．第一Ta層

426．．．Ni層

436．．．第二Ta層

442．．．末端端接部

444．．．末端端接部

446．．．電極材料

450．．．邊緣部分

452．．．末端

454．．．末端

456．．．頂表面

458．．．底表面

600．．．低電流保險絲

602．．．基板

606．．．金屬層

608．．．鈍化層

610．．．鈍化層

644．．．端接部

646．．．電極材料

646'．．．缺口部分

652．．．端接材料

662．．．側

664．．．側

700．．．保險絲

744．．．端接材料

752．．．端接材料

圖1圖解說明根據本技術之一低電流保險絲之一例示性第一實施例之一局部剖視圖；

圖2圖解說明圖1之例示性保險絲實施例之一組裝透視圖；

圖3圖解說明圖1之例示性保險絲實施例之一分解圖；

圖4A圖解說明經組態以供表面安裝使用之根據本技術之一低電流保險絲之一例示性第二實施例之一部分局部剖視圖；

圖4B圖解說明圖4A實施例之接觸墊區域之一經放大部分；

圖5圖解說明圖4A之例示性保險絲實施例之一組裝透視圖；

圖6圖解說明經組態以供表面安裝使用之根據本技術之一低電流保險絲之一例示性第三實施例之一部分局部剖視圖；

圖7圖解說明展示一替代端接部之圖6之例示性保險絲實施例之一組裝透視圖；及

圖8圖解說明圖6之例示性保險絲實施例之一組裝透視圖。