TW201316437A - 用於處理基板之設備及方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種將一流體供應於一基板上之設備和方法。該設備可包含：一處理溶液供應部件，其將一處理溶液供應於一基板上；和一處理溶液回收單元，其回收該基板上殘留之該處理溶液。此處，該處理溶液回收單元可包含：一第一支撐滾柱，其被提供成平行於傳送軸；一加壓流體供應部件，其將一加壓流體噴灑至該基板之由該第一支撐滾柱支撐之一區域。因此，可將一流體均勻地供應於該基板之一區域上以維持該基板之被供應該流體之各區域之間的平行，且即使當該基板以高速傳送時亦抑制該基板滑動。

Description

用於處理基板之設備及方法

本發明係關於用於處理基板之設備和方法，且詳言之，係關於將處理溶液供應於正在傳送之基板上的設備和方法。

近來，資訊處理裝置已快速發展至具有各種功能和更高的運算速度。資訊處理裝置可具有顯示面板以顯示某些資訊。例如，液晶顯示器(LCD)之平板顯示面板已廣泛使用，此外，該顯示面板的尺寸和重量皆有增加的趨勢。

平板顯示面板可經各種製程(例如，光微影、蝕刻和沈積製程)製造。通常，光微影可包含塗敷、曝光、顯影和清潔光致抗蝕劑層。在使光致抗蝕劑層顯影之步驟中，可於基板上供應和回收顯影溶液，接著可將清潔溶液供應於基板上。圖1為示意性地說明用於執行顯影和清潔製程之習知設備的剖視圖。參看圖1，使基板S顯影之步驟可於顯影腔室10中執行，且接著，清潔基板S之步驟可於清潔腔室20中執行。在顯影和清潔步驟期間，基板S可沿特定方向分別在腔室10和20中傳送。例如，若基板S位於顯影腔室10之水平截面A處，則可將顯影溶液供應於正在水平傳送之基板S上。之後，於顯影腔室10之角度改變區，可將基板S以傾斜狀態傳送以回收基板S上殘留之顯影溶液。

然而，根據習知製程，當顯影溶液沿基板之傾斜表面流動時，基板上可能產生污點。可使用增加基板之傳送速度的方式克服該污點問題，但此方式可能導致製程失敗，如基板滑動。

本發明概念之實施例提供將處理溶液供應於正在傳送之基板上的設備和方法。

本發明概念之其他實施例提供當自正在傳送之基板回收處理溶液時防止污點產生的設備和方法。

本發明概念之其他實施例提供改良自正在傳送之基板回收處理溶液之效率的設備和方法。

本發明概念之其他實施例提供當以高速傳送基板時防止基板滑動的設備和方法。

根據本發明概念之示範性實施例，一基板處理設備可包括：第一腔室；第二腔室，其具有內部空間，該內部空間連接至第一腔室之內部空間；基板傳送部件，其沿第一方向傳送基板；處理溶液供應部件，其提供於第一腔室中以將處理溶液供應於基板上；和清潔溶液供應單元，其提供於第二腔室中以包含將清潔溶液供應於基板上之清潔溶液供應部件。該基板傳送部件可包括：多個傳送軸，其提供於第一腔室與第二腔室中之每一者中且沿第一方向配置；和框架，其支撐該等傳送軸。該框架可包括：水平框架，其提供於第一腔室中；傳送軸，其由具有水平頂部之水平框架支撐；傾斜框架，其提供於第二腔室中；傳送軸，其由具有傾斜頂部之傾斜框架支撐；和角度改變框架，其於水平框架與傾斜框架之間提供於第二腔室中，該角度改變框架將其支撐的傳送軸之頂部自水平狀態改變至傾斜狀態。

在示範性實施例中，該設備可進一步包括：處理溶液回收單元，其提供於第一腔室中以回收基板上殘留之處理溶液。該處理溶液回收單元可包括：第一支撐滾柱；加壓流體供應部件，其於基板之由第一支撐滾柱支撐的區域上噴灑加壓流體。該第一支撐滾柱可提供於傳送軸之間。在 示範性實施例中，該第一支撐滾柱可具有頂部，該頂部具有與傳送滾柱相同之垂直高度。在其他實施例中，第一支撐滾柱可具有頂部，該頂部位於高於傳送滾柱之垂直高度的垂直高度處。該第一支撐滾柱可具有圓柱形形狀和縱向方向，該縱向方向平行於傳送軸之縱向方向。該第一支撐滾柱之直徑可大於傳送軸之直徑。該處理溶液回收單元可定位於第一腔室之端部。該角度改變框架可包括：第一角度改變框架，其支撐傳送軸之一側端部；第二角度改變框架，其支撐傳送軸之另一側端部且可在垂直方向上移動。該清潔溶液供應部件可定位於角度改變框架上。該清潔溶液供應單元可進一步包括：第二支撐滾柱，其提供於傳送軸之間以具有由角度改變框架支撐之端部，且該清潔溶液供應部件可配置在基板之由第二支撐滾柱支撐之區域上噴灑清潔溶液。

根據本發明概念之示範性實施例，一基板處理設備可包括：腔室、基板傳送部件，其提供於該腔室中以包括多個傳送軸，該基板傳送部件可沿第一方向配置以沿第一方向傳送基板；和多個傳送滾柱，其每一者可提供於傳送軸中之每一者的外圓周表面上以與基板接觸；處理溶液供應部件，其提供於該腔室中以將處理溶液供應於基板上；和處理溶液回收單元，其回收基板上殘留之處理溶液。該處理溶液回收單元可包括：第一支撐滾柱，其提供於傳送軸之間；和加壓流體供應部件，其將加壓流體噴灑至基板之由第一支撐滾柱支撐的區域。

在示範性實施例中，該第一支撐滾柱可具有頂部，該頂部位於與傳送滾柱大致相同之垂直高度處。該第一支撐滾柱可具有頂部，該頂部位於高於傳送滾柱之垂直高度的垂直高度處。該第一支撐滾柱可具有圓柱形形狀和縱向方 向，該縱向方向平行於傳送軸之縱向方向。該第一支撐滾柱之長度可等於或大於基板之寬度。

根據本發明概念之示範性實施例，處理正在傳送之基板的方法包括：將處理溶液供應於基板上，該基板可於第一腔室中水平傳送；噴灑加壓流體以回收基板上殘留之處理溶液；和接著，於第二腔室中將基板之位置自水平狀態改變至傾斜狀態。

在示範性實施例中，該方法可進一步包括：在基板自水平狀態改變至傾斜狀態期間，將清潔溶液供應於基板上。

現在將參考示出示範性實施例之隨附圖式更詳盡地描述本發明概念之示範性實施例。然而，本發明概念之示範性實施例可以許多不同形式具體化且不應解釋為限於本文示出之實施例；確切言之，提供此等實施例以使得本揭示案全面且完整，且將向一般技藝人士充分傳達示範性實施例之概念。為明確起見，圖式之層和區域之厚度被誇示。圖式之相同參考數字表示相同元件，因此將省略對其之描述。

應理解，當一元件被稱作「連接」或「耦接」至另一元件時，其可直接連接或耦接至另一元件或可能存在中間元件。相反，當一元件被稱作「直接連接」或「直接耦接」至另一元件時，則不存在中間元件。全文中相同數字指示相同元件。本文使用之術語「和/或」包含一個或多個相關聯列舉項目之任一和全部組合。用於描述元件或層間之關係的其他措辭應以類似方式解釋(如，「在......之間」對「直接在......中間」、「相鄰」對「直接相鄰」、「上」對「正上方」)。

應理解，雖然本文可使用術語「第一」、「第二」等描 述各元件、組件、區域、層和/或區，但此等元件、組件、區域、層和/或區不應受此等術語限制。此等術語僅用於區別一個元件、組件、區域、層或區與另一元件、組件、區域、層或區。因此，以下論述之第一元件、組件、區域、層或區可稱為第二元件、組件、區域、層或區，而不脫離示範性實施例之教示。

為便於描述，本文可使用空間相對術語，如「之下」、「以下」、「下」、「上方」、「上」和其類似者以描述如圖式所示之一個元件或特徵與另一(些)元件或特徵之關係。應理解，空間相對術語意欲包含裝置在使用或操作中除圖式中描繪之定向外的不同定向。例如，若圖式之裝置被翻轉，則描述為在其他元件或特徵「下」或「之下」的元件將定向為在其他元件或特徵之「上方」。因此，示範性術語「下」可包含上方和下兩個定向。裝置可不同地定向(旋轉90度或其他定向)，且本文使用之空間相對描述詞會相應做出解釋。

本文使用之術語僅用於描述特定實施例之目的且不意欲限制示範性實施例。於本文中使用時，除非上下文另行明確表明，否則單數形式「一」和「該」意欲亦包含多形式。將進一步理解，若本文使用術語「包括」、「包含」，則說明存在所述特徵、整數、步驟、操作、元件和/或部件，但不排除存在或增加一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、部件和/或其群組。

本文參考為示範性實施例之理想化實施例(和中間結構)的示意性說明的橫截面說明來描述本發明概念之示範性實施例。因此，可預期由於例如製造方法和/或公差而導致之自所說明形狀的變化。因此，本發明概念之示範性實施例不應被解釋為限於本文說明之區域之特定形狀，而應 包含由於例如製造而導致之形狀上的背離。例如，說明為矩形之植入區域在其邊緣可具有圓或彎曲特徵和/或植入濃度之梯度，而非自植入區域至非植入區域之二元改變。同樣，由植入形成之掩埋區域可導致於掩埋區域與植入發生之表面間的區域中的一些植入。因此，圖式說明之區域本質上係示意性的，且其形狀不意欲說明裝置之區域之實際形狀且不意欲限制示範性實施例之範疇。

除非另行定義，否則本文使用之所有術語(包含技術和科學術語)之意義與熟習本發明概念之示範性實施例所屬之技術者所通常理解的意義相同。將進一步理解，除非本文明確定義，否則如常用辭典中所定義之術語應解釋為其意義與相關技術之上下文中的意義一致且不以理想化或過於正式之意義來解釋。

為簡單起見，以下描述將關於本實施例中使用了用於製造平板顯示面板之基板的實例。然而，本發明概念之示範性實施例可不限於此。例如，基板S可為用於製造半導體晶片之晶圓。此外，基板S上之顯影製程將描述為本發明概念之實施例之實例，而本發明概念之示範性實施例可不限於此。例如，以下將描述之本發明概念將適用於各製程，包含將處理溶液供應於基板S上/自基板S回收處理溶液或清潔基板S和用於執行該等製程之設備。

圖2為說明根據本發明概念之示範性實施例之基板處理設備的剖視圖。參看圖2，基板處理設備1000可配置於基板上執行顯影製程。基板處理設備1000可包含：顯影腔室100、清潔腔室200、基板傳送部件300、處理溶液供應部件400、處理溶液回收單元500和清潔溶液供應單元600。

顯影腔室100和清潔腔室200中之每一者可提供將執行處理基板S之製程的空間。例如，可於顯影腔室100中 執行使基板S顯影之製程，且可於清潔腔室200中執行清潔基板S之製程。在示範性實施例中，顯影腔室100和清潔腔室200可於沿第一方向12配置成列。顯影腔室100和清潔腔室200可配置成具有大致相同之形狀或結構。顯影腔室100和清潔腔室200中之每一者可具有類似長方體之形狀。顯影腔室100和清潔腔室200中之每一者可包含：入口102或202，其用於將基板S裝載於其中；和出口104或204，其用於從其中卸載基板S。顯影腔室100之出口104可提供成面向清潔腔室200之入口202。此外，顯影腔室100和清潔腔室200可以其內部空間彼此連接之方式提供。

基板傳送部件300可配置成沿第一方向12運送基板S。基板傳送部件300中之至少一者可提供於顯影腔室100和清潔腔室200中。基板傳送部件300中之每一者可包含傳送軸330、傳送滾柱320、框架340和導向滾柱350。在示範性實施例中，可於基板傳送部件300中提供多個傳送軸330。每個傳送軸330可配置成具有垂直於第一方向12之縱向方向(例如，沿第二方向14)。傳送軸330可配置成沿第一方向12相互平行。傳送軸330可相互隔開。傳送軸330可提供成具有垂直位置，該等垂直位置可對應於八口102與202和出口104與204之位置。

可為傳送軸330配備傳送滾柱320以支撐基板S之底表面。在示範性實施例中，可為每個傳送軸330配備多個傳送滾柱320。每個傳送滾柱320可具有提供於其中心軸線處之孔，且傳送軸330可強制性地插入傳送滾柱320之孔中。傳送滾柱320可隨傳送軸330旋轉。

框架340可支撐傳送軸330，且以可旋轉傳送軸330之方式配置。例如，可於傳送軸330之兩側提供一對框架340以支撐傳送軸330之兩個端部。框架340可包含水平框架 342、傾斜框架346和角度改變框架344。水平框架342可提供於顯影腔室100中。可以使得傳送軸330之兩端具有相同垂直高度之方式提供水平框架342。

可以使得傳送軸330之兩端具有彼此不同的垂直高度之方式提供傾斜框架346。傾斜框架346可提供於清潔腔室200中。可以使得傳送軸330之一個端部與由水平框架342支撐之傳送軸330的端部具有相同垂直高度的方式提供傾斜框架346。此外，可以使得傳送軸330之另一端部所處之垂直高度高於由水平框架342支撐之傳送軸330的垂直高度的方式提供傾斜框架346。例如，傳送軸330可配置成具有相對地面約5°之角度。

角度改變框架344可經配置以改變傳送軸之角度。圖3為說明提供於圖2之清潔腔室中的基板傳送部件的透視圖。參看圖3，角度改變框架344可支撐傳送軸330之兩端，且配置成能實現傳送軸330之傾斜。角度改變框架344可提供於清潔腔室200中。角度改變框架344可經配置以改變傳送軸330之角度，使得基板S可經由水平框架342支撐之傳送軸330傳送至由傾斜框架346支撐之傳送軸330。角度改變框架344可包含第一角度改變框架344a和第二角度改變框架344b。第一角度改變框架344a可經配置以支撐傳送軸330之端部。第一角度改變框架344a可提供成具有與水平框架342相同之垂直高度。第二角度改變框架344b可支撐傳送軸330之另一端部。第二角度改變框架344b可以使其可定位於水平或傾斜位置之方式而藉由驅動部件(未圖示)垂直移動。此處，水平位置可為第二角度改變框架344b與水平框架342具有相同垂直高度之位置。傾斜位置可為第二角度改變框架344b之垂直高度高於水平框架342之垂直高度的位置。

基板S可由導向滾柱350導向，使得基板S可沿第一方向12運送。導向滾柱350可經配置以支撐基板S之一側。導向滾柱350可提供於顯影腔室100和清潔腔室200中之每一者中。導向滾柱350可提供於傳送軸330之間。提供於顯影腔室100中之導向滾柱350可經配置以支撐基板S之兩側。提供於清潔腔室200中之導向滾柱350可經配置以支撐基板S之一側。提供於清潔腔室200中之導向滾柱350可安置為接近傳送軸330之另一端部。

再次參看圖2，處理溶液供應部件400可經配置以將處理溶液供應於基板S上。處理溶液供應部件400可提供於顯影腔室100中。處理溶液供應部件400可安置於傳送軸330上以將處理溶液供應於待朝向第一方向12傳送之基板S上。在示範性實施例中，處理溶液可為顯影溶液。處理溶液供應部件400可包含本體和噴嘴。本體可為類似桿之形狀，其縱向方向朝向第二方向14。在示範性實施例中，本體之縱向方向可提供為平行於傳送軸330。本體之長度可等於或大於基板S之寬度。本體可包含沿第二方向14於其底表面上形成之多個孔。可向該等孔分別配備噴嘴。

處理溶液回收單元500可經配置以回收基板S上殘留之處理溶液。處理溶液回收單元500可提供於顯影腔室100中。處理溶液回收單元500可安置於接近顯影腔室100之出口104之區域處。處理溶液回收單元500可包含加壓流體供應部件510和第一支撐滾柱530。加壓流體供應部件510可經配置以於基板S上噴灑加壓流體和回收處理溶液。加壓流體可為例如大氣氣體或惰性氣體。加壓流體供應部件510可提供於傳送軸330上。加壓流體供應部件510可包含本體和噴嘴。該本體可為類似桿之形狀，其縱向方向朝向第二方向14。本體之長度可等於或大於基板S之寬 度。該本體可包含沿第二方向14於其底表面上形成之多個孔。可向該等孔分別配備噴嘴。每個噴嘴之噴射孔可朝向向下傾斜方向，使得出自噴嘴之溶液可遠離顯影腔室100之出口104而噴灑。加壓流體供應部件510可以使得處理溶液可朝向與基板之傳送方向相反之方向流動的方式噴灑加壓流體。

多個傳送軸330可沿第一方向12相互隔開地提供。由於基板S之重量或體積的增加，基板S可能下垂於基板傳送部件300之間。結果，基板S可能具有沿第一方向12之不平坦的頂表面。如圖4和圖5所示，自基板S之凹陷頂表面回收處理溶液可能有困難。

甚至在基板S之由傳送滾柱320支撐之部分，基板S亦可能下垂於傳送滾柱320之間。例如，基板S可具有沿第二方向之不平坦的頂表面。

第一支撐滾柱530可以使得基板S之將被供應加壓流體之部分可具有平坦輪廓之方式支撐基板S。第一支撐滾柱530可以使得基板S之將被供應加壓流體之頂表面可為平坦的方式支撐基板S之底表面。圖6為說明圖2之第一支撐滾柱的前視圖。參看圖6，第一支撐滾柱可形成為具有圓柱形形狀。第一支撐滾柱530可提供為具有平行於第二方向14之縱向方向。第一支撐滾柱530可提供於傳送軸330之間。可定位第一支撐滾柱530以支撐基板S之將被噴灑加壓流體之區域。第一支撐滾柱530之頂部可位於等於或略高於傳送滾柱320之垂直高度的垂直高度處。例如，第一支撐滾柱530和傳送滾柱320可具有由相同材料形成之外圓周表面。

再次參看圖2，清潔溶液供應單元600可經配置以清潔基板S。清潔溶液供應單元600可提供於清潔腔室200中。 清潔溶液供應單元600可提供為接近於清潔腔室200之入口202。清潔溶液供應單元600可包含清潔溶液供應部件610。清潔溶液供應部件610可經配置以於裝載入清潔腔室200中之基板S上噴灑清潔溶液。例如，清潔溶液可為去離子水。清潔溶液供應部件610可定位於由角度改變框架344支撐之傳送軸330上。清潔溶液供應部件610可包含本體和噴嘴。該本體可為類似桿之形狀，其縱向方向朝向第二方向14。本體之長度可等於或大於基板S之寬度。該本體可包含沿第二方向14於其底表面上形成之多個孔。可向該等孔分別配備噴嘴。在示範性實施例中，可以使得清潔溶液供應部件610之本體的縱向方向平行於在其下提供之傳送軸330之縱向方向的方式來提供清潔溶液供應部件610之本體。若傳送軸330之角度改變，則亦可調整清潔溶液供應部件610之本體之角度以補償該改變。

在其他實施例中，清潔溶液供應部件610之本體可配置成具有固定縱向方向(例如，平行於水平方向)。

在其他實施例中，圖7之清潔溶液供應單元600可進一步包含第二支撐滾柱630。可提供第二支撐滾柱630以支撐基板S之底表面，使得基板S之頂表面在將被供應清潔溶液之區域處可為平坦的。第二支撐滾柱630可具有圓柱形形狀。可以使得第二支撐滾柱630之縱向方向朝向第二方向的方式來提供第二支撐滾柱630。第二支撐滾柱630可提供於傳送軸330之間。第二支撐滾柱630可提供成具有頂部，該頂部定位於與第一支撐滾柱530相同之高度處。第二支撐滾柱630之兩端可配備於角度改變框架344上，使得第二支撐滾柱630可類似於傳送軸330而傾斜。

以下將描述使用基板處理設備1000傳送基板S之方法。若將基板S裝載入顯影腔室100中，則基板S可由基 板傳送部件300朝向第一方向12傳送。在傳送基板S期間，基板S之頂表面可維持水平。此外，在傳送基板S期間，可將處理溶液供應於基板S上，且可自基板S之頂表面回收殘留處理溶液。基板S可自顯影腔室100之出口104卸載，且同時被裝載入清潔腔室200中。在傳送基板S期間，基板S可逐步自水平狀態傾斜成傾斜狀態。在傾斜地傳送基板S期間，可將清潔溶液供應於基板S上。在完成供應清潔溶液之後，可以傾斜狀態傳送基板S。基板S上殘留之清潔溶液可沿基板S之傾角向下流動且被回收。

接下來將描述使用基板處理設備1000之顯影和清潔方法。若在曝光製程之後將基板S裝載入顯影腔室100中，則可將處理溶液供應於基板S上。在傳送基板S期間，加壓流體供應部件510可於基板S之由第一支撐滾柱530支撐之部分上噴灑加壓流體。基板S上殘留之處理溶液可被加壓流體吹走，且於與第一方向12相反之側被回收。基板S可經由第一支撐滾柱530裝載入清潔腔室200中。清潔溶液供應單元600可於正在清潔腔室200中傳送之基板S上噴灑清潔溶液。在此階段，基板S可自水平狀態改變至傾斜狀態，且接著朝第一方向傳送。基板S上殘留之清潔流體可沿基板S之傾角向下流動。

在其他實施例中，可定位圖8之第一支撐滾柱530a以支撐基板S之將被供應來自處理溶液供應部件400之處理溶液的部分。第一支撐滾柱530a可以使得可將處理溶液均勻地供應於基板S上之方式支撐基板S。

根據本發明概念之示範性實施例，提供將處理溶液供應於正在傳送之基板上的設備和方法。

根據本發明概念之其他實施例，當自正在傳送之基板回收處理溶液時防止污點產生係可能的。

根據本發明概念之其他實施例，改良自正在傳送之基板回收處理溶液之效率係可能的。

根據本發明概念之其他實施例，即使以高速傳送基板時，防止基板滑動亦係可能的。

雖然已特定示出和描述本發明概念之示範性實施例，但一般技藝人士將理解，可於其中做出形式和細節上之變化而不脫離附屬申請專利範圍之精神和範疇。

A‧‧‧水平截面

S‧‧‧基板

10‧‧‧顯影腔室

12‧‧‧第一方向

14‧‧‧第二方向

20‧‧‧清潔腔室

100‧‧‧顯影腔室

102‧‧‧入口

104‧‧‧出口

200‧‧‧清潔腔室

202‧‧‧入口

204‧‧‧出口

300‧‧‧基板傳送部件

320‧‧‧傳送滾柱

330‧‧‧傳送軸

340‧‧‧框架

342‧‧‧水平框架

344‧‧‧角度改變框架

344a‧‧‧第一角度改變框架

344b‧‧‧第二角度改變框架

346‧‧‧傾斜框架

350‧‧‧導向滾柱

400‧‧‧處理溶液供應部件

500‧‧‧處理溶液回收單元

510‧‧‧加壓流體供應部件

530‧‧‧第一支撐滾柱

530a‧‧‧第一支撐滾柱

600‧‧‧清潔溶液供應單元

610‧‧‧清潔溶液供應部件

630‧‧‧第二支撐滾柱

根據以下結合隨附圖式之簡要描述將更清晰地理解示範性實施例。圖1至圖8表示本文描述之非限制性、示範性實施例。

圖1為示意性地說明用於執行顯影和清潔製程之習知設備的剖視圖。

圖2為說明根據本發明概念之示範性實施例之基板處理設備的剖視圖。

圖3為說明提供於圖2之清潔腔室中的基板傳送部件的透視圖。

圖4為說明當圖2之基板處理設備不具有第一支撐滾柱時可能發生之技術問題的透視圖。

圖5為說明當圖2之基板處理設備不具有第一支撐滾柱時可能發生之技術問題的剖視圖。

圖6為說明圖2之第一支撐滾柱的前視圖。

圖7為說明根據本發明概念之其他示範性實施例之基板處理設備的剖視圖。

圖8為說明根據本發明概念之其他示範性實施例之基板處理設備的剖視圖。

應注意，此等圖式意欲說明於某些示範性實施例中使用之方法、結構和/或材料的一般特徵和補充以下提供之文 字描述。然而，此等圖式並非按比例繪製，且可能未反映任一給定實施例之準確的結構或效能特徵，且不應解釋為界定或限制示範性實施例包含之數值或性質之範圍。例如，為明確起見，分子、層、區域和/或結構元件之相對厚度和位置可能被減小或誇示。各圖式中類似或相同之參考數字之使用意欲表明存在類似或相同之元件或特徵。

100‧‧‧顯影腔室

102‧‧‧入口

104‧‧‧出口

200‧‧‧清潔腔室

202‧‧‧入口

204‧‧‧出口

300‧‧‧基板傳送部件

320‧‧‧傳送滾柱

330‧‧‧傳送軸

340‧‧‧框架

342‧‧‧水平框架

344‧‧‧角度改變框架

346‧‧‧傾斜框架

400‧‧‧處理溶液供應部件

500‧‧‧處理溶液回收單元

510‧‧‧加壓流體供應部件

530‧‧‧第一支撐滾柱

600‧‧‧清潔溶液供應單元

610‧‧‧清潔溶液供應部件

630‧‧‧第二支撐滾柱

Claims (18)

1. 一種基板處理設備，其包括：一第一腔室；一第二腔室，其具有一內部空間，該內部空間連接至該第一腔室之內部空間；一基板傳送部件，其沿一第一方向傳送一基板；一處理溶液供應部件，其提供於該第一腔室中以將一處理溶液供應於該基板上；以及一清潔溶液供應單元，其提供於該第二腔室中以包含一清潔溶液供應部件，該清潔溶液供應部件將一清潔溶液供應於該基板上；其中，該基板傳送部件包括：多個傳送軸，其提供於該第一腔室與該第二腔室中之每一者中且沿該第一方向配置；以及一框架，其支撐該傳送軸，且其中該框架包括：一水平框架，其提供於該第一腔室中，該等傳送軸由具有水平頂部之該水平框架支撐；一傾斜框架，其提供於該第二腔室中，該等傳送軸由具有傾斜頂部之該傾斜框架支撐；以及一角度改變框架，其在該水平框架與該傾斜框架之間提供於該第二腔室中，該角度改變框架將其支撐之該等傳送軸之頂部自一水平狀態改變至一傾斜狀態。
2. 如申請專利範圍第1項之設備，其進一步包括一處理溶液回收單元，該處理溶液回收單元提供於該第一腔室中以回收一基板上殘留之一處理溶液，其中該處理溶液回收單元包括：一第一支撐滾柱；及 一加壓流體供應部件，其於該基板之由該第一支撐滾柱支撐之一區域上噴灑一加壓流體。
3. 如申請專利範圍第2項之設備，其中該第一支撐滾柱提供於該等傳送軸之間。
4. 如申請專利範圍第3項之設備，其中該第一支撐滾柱被提供成具有一頂部，該頂部位於與該傳送滾柱相同之垂直高度。
5. 如申請專利範圍第3項之設備，其中該第一支撐滾柱被提供成具有一頂部，該頂部位於高於該傳送滾柱之垂直高度的一垂直高度處。
6. 如申請專利範圍第4或5項之設備，該第一支撐滾柱具有一圓柱形形狀及一縱向方向，該縱向方向平行於該傳送軸之縱向方向。
7. 如申請專利範圍第6項之設備，其中該第一支撐滾柱之一直徑大於該傳送軸之直徑。
8. 如申請專利範圍第7項之設備，其中該處理溶液回收單元定位於該第一腔室之一端部。
9. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該角度改變框架包括：一第一角度改變框架，其支撐該等傳送軸之一側端部；及一第二角度改變框架，其支撐該等傳送軸之另一側端部且可在一垂直方向上移動。
10. 如申請專利範圍第9項之設備，其中該清潔溶液供應部件定位於該角度改變框架上。
11. 如申請專利範圍第10項之設備，其中該清潔溶液供應單元進一步包括一第二支撐滾柱，該第二支撐滾柱提供於該等傳送軸之間以具有由該角度改變框架支撐之端部， 且該清潔溶液供應部件被配置成於該基板之由該第二支撐滾柱支撐之一區域上噴灑該清潔溶液。
12. 一種基板處理設備，其包括：一腔室；一基板傳送部件，其提供於該腔室中以包含沿一第一方向配置以沿該第一方向傳送一基板之多個傳送軸，和多個傳送滾柱，該等傳送滾柱中之每一者提供於該等傳送軸中之每一者的一外圓周表面上以與該基板接觸；一處理溶液供應部件，其提供於該第一腔室中以將一處理溶液供應於該基板上；以及一處理溶液回收單元，其回收該基板上殘留之該處理溶液；其中，該處理溶液回收單元包括：一第一支撐滾柱，其提供於該等傳送軸之間；以及一加壓流體供應部件，其將一加壓流體噴灑至該基板之由該第一支撐滾柱支撐之一區域。
13. 如申請專利範圍第12項之設備，其中該第一支撐滾柱具有一頂部，該頂部位於與該傳送滾柱相同之垂直高度。
14. 如申請專利範圍第12項之設備，其中該第一支撐滾柱具有一頂部，該頂部位於高於該傳送滾柱之垂直高度的一垂直高度處。
15. 如申請專利範圍第12至14項之設備，其中該第一支撐滾柱具有一圓柱形形狀和一縱向方向，該縱向方向平行於該傳送軸之縱向方向。
16. 如申請專利範圍第15項之設備，其中該第一支撐滾柱之一長度等於或大於該基板之一寬度。
17. 一種於傳送中處理一基板之方法，其包括將一處理溶液 供應於正在一第一腔室中水平傳送之一基板上，噴灑一加壓流體以回收該基板上殘留之該處理溶液，且接著於一第二腔室中將該基板之一位置自一水平狀態改變至一傾斜狀態。
18. 如申請專利範圍第17項之方法，其進一步包括於該基板自一水平狀態改變至一傾斜狀態期間，將一清潔溶液供應於該基板上。