KR102624822B1 - 석출물 제거를 위한 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

석출물 제거를 위한 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102624822B1
KR102624822B1 KR1020190059670A KR20190059670A KR102624822B1 KR 102624822 B1 KR102624822 B1 KR 102624822B1 KR 1020190059670 A KR1020190059670 A KR 1020190059670A KR 20190059670 A KR20190059670 A KR 20190059670A KR 102624822 B1 KR102624822 B1 KR 102624822B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
spray
transfer
shaft
opening
Prior art date
Application number
KR1020190059670A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200134085A (ko
Inventor
조원호
백운영
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020190059670A priority Critical patent/KR102624822B1/ko
Publication of KR20200134085A publication Critical patent/KR20200134085A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102624822B1 publication Critical patent/KR102624822B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 축을 중심으로 회전하고, 서로 나란하게 배치되는 복수의 이송 샤프트; 상기 복수의 이송 샤프트 각각에 구비되고, 상기 기판의 하면에 접촉되어 상기 기판을 이송시키는 복수의 이송 접촉부재; 상기 복수의 이송 샤프트와 대응되는 높이에 나란하게 배치되고, 내부로 약액이 공급되는 분사 샤프트; 및 상기 분사 샤프트에 구비되고 상기 개폐부를 향해 약액을 분사하는 복수의 분사 노즐을 포함할 수 있다.

Description

석출물 제거를 위한 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{INJECTION APPARATUS FOR REMOVING PRECIPITATE AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS COMPRISING THE SAME}
아래의 실시 예는 석출물 제거를 위한 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체는 리소그래피, 증착 및 에칭 등과 같은 일련의 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 각 공정마다 다양한 약액들이 공급되기 때문에, 챔버 내부에는 약액의 석출물이 형성될 수 있다. 이러한 약액 석출물 등이 형성되면, 반도체 품질에 영향을 줄 수 있으므로, 석출물을 제거하거나 방지하는 것이 중요할 수 있다. 일반적으로, 석출물을 제거하기 위하여 약액을 분사하는 분사 장치가 이용되고 있다. 다만, 종래의 분사 장치는 챔버의 바닥 부근에 위치되었다. 종래의 분사 장치에서 개폐부를 향해 약액을 분사하더라도, 이송부의 간섭으로 인하여 약액이 목표 지점까지 충분히 도달되지 못하는 문제가 있었다. 그에 따라 석출물 제거 효율이 저하되거나, 많은 양의 약액이 소모된다는 문제가 있었다. 따라서, 다른 구조물의 간섭 없이 석출물 발생 영역에 정확하고 효과적으로 약액을 분사할 수 있는 구조를 갖는 기판 처리 장치 및 분사 장치가 요구된다.
전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
일 실시 예의 목적은, 다른 구조물의 간섭 없이 약액을 분사할 수 있는 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
일 실시 예의 목적은, 석출물 발생 영역에 정확하고 효과적으로 약액을 분사할 수 있는 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
일 실시 예의 목적은, 기판의 이송을 보조할 수 있는 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 축을 중심으로 회전하고, 서로 나란하게 배치되는 복수의 이송 샤프트; 상기 복수의 이송 샤프트 각각에 구비되고, 상기 기판의 하면에 접촉되어 상기 기판을 이송시키는 복수의 이송 접촉부재; 상기 복수의 이송 샤프트와 대응되는 높이에 나란하게 배치되고, 내부로 약액이 공급되는 분사 샤프트; 및 상기 분사 샤프트에 구비되고 상기 개폐부를 향해 약액을 분사하는 복수의 분사 노즐을 포함할 수 있다.
상기 분사 샤프트에 구비되고, 상기 기판의 하면에 접촉되어 상기 기판의 이송에 따라 회전하는 복수의 아이들 접촉부재를 더 포함할 수 있다.
상기 기판이 수평 방향으로 이송되도록, 상기 복수의 이송 접촉부재 및 복수의 아이들 접촉부재는 서로 대응되는 높이에 위치될 수 있다.
상기 분사 샤프트는, 상기 복수의 이송 샤프트 중 상기 개폐부와 가장 인접한 이송 샤프트 및 상기 개폐부의 사이에 배치될 수 있다.
상기 복수의 이송 샤프트 및 분사 샤프트는 서로 등간격으로 배열될 수 있다.
상기 분사 샤프트를 지지하고, 높이 조절 가능한 분사 지지부를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 분사 노즐은 상기 분사 샤프트에 대하여 상기 개폐부를 향하는 방향으로 설치되되, 적어도 일부는 다른 일부와 다른 각도로 설치될 수 있다.
상기 분사 샤프트는 상기 분사 노즐의 분사 각도가 조절되도록 회전 가능할 수 있다.
상기 개폐부는 타 챔버와 연결되는 연결 공간을 제공할 수 있다.
일 실시 예에 따른 챔버의 개폐부에 형성되는 석출물을 제거하기 위한 분사 장치는, 상기 챔버 내부에 구비되되 상기 개폐부와 인접하게 배치되고, 내부로 약액이 공급되는 분사 샤프트; 상기 분사 샤프트에 대하여 회전 가능하게 연결되고, 기판의 하면에 접촉되는 복수 개의 아이들 접촉부재; 및 상기 분사 샤프트에 구비되고 상기 개폐부를 향하여 상기 약액을 분사하는 복수 개의 분사 노즐을 포함할 수 있다.
상기 분사 샤프트는, 상기 기판을 이송시키는 이송부 및 개폐부의 사이에 배치될 수 있다.
상기 분사 샤프트는, 상기 기판을 이송시키는 이송부와 대응되는 높이에 위치될 수 있다.
상기 아이들 접촉부재는, 상기 기판의 이송에 따라 회전되어 상기 기판의 이송을 보조할 수 있다.
상기 복수 개의 분사 노즐은, 상기 분사 샤프트와 제1각도를 형성하는 제1군 분사 노즐; 및 상기 분사 샤프트와 제2각도를 형성하는 제2군 분사 노즐을 포함할 수 있다.
상기 제1군 분사 노즐 및 제2군 분사 노즐은 서로 교대로 배열될 수 있다.
일 실시 예에 따른 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하면, 다른 구조물의 간섭 없이 약액을 분사하여 석출물을 제거할 수 있다.
일 실시 예에 따른 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하면, 석출물 발생 영역에 정확하고 효과적으로 약액을 분사할 수 있다.
일 실시 예에 따른 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는, 기판의 이송을 보조할 수 있다.
일 실시 예에 따른 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시 예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 종래의 분사 장치의 개략도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 분사 장치의 개략도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 분사 장치의 사시도이다.
이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 종래의 분사 장치의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 챔버의 개폐부에 형성되는 석출물을 제거하기 위한 종래의 분사 장치는 챔버의 바닥 부근에 위치되었다. 종래의 분사 장치에서 개폐부를 향해 약액을 분사하더라도, 이송부의 간섭으로 인하여 약액이 목표 지점까지 충분히 도달되지 못하는 문제가 있었다. 그에 따라 석출물 제거 효율이 저하되거나, 많은 양의 약액이 소모된다는 문제가 있었다.
도 2는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 분사 장치의 개략도이다. 도 3은 일 실시 예에 따른 분사 장치의 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 분사 장치를 이용하면, 석출물 발생 영역까지 약액을 정확하고 효과적으로 분사할 수 있으며, 그에 따라 석출물 제거 효율을 상승시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 챔버(10), 이송부(11) 및 분사 장치(12)를 포함할 수 있다.
챔버(10)는 기판(W)의 처리가 수행되는 챔버일 수 있다. 예를 들어, 챔버(10)는 에칭 공정이 수행되는 챔버일 수 있다. 챔버(10)는 증착, 세정 또는 연마 공정 등이 수행되는 챔버일 수 있다. 챔버(10)는 개폐부(101)를 포함할 수 있다. 기판(W)은 개폐부(101)를 통하여 챔버(10)에 입출될 수 있다. 개폐부(101)는 기판(W)이 입출 가능하도록 개방 또는 폐쇄될 수 있다. 개폐부(101)는 타 챔버와 연결되는 연결 공간을 제공할 수 있다. 즉, 개폐부(101)는 챔버끼리 서로 연결되는 부위를 의미할 수 있다.
기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스를 포함할 수 있다. 그러나, 기판(W)의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판(W)은 반도체 장치(semiconductor) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수도 있다.
이송부(11)는 기판(W)을 이송시킬 수 있다. 이송부(11)는 챔버(10) 내부에 구비될 수 있다. 이송부(11)는 기판(W)을 챔버(10) 내에서 일측에서 타측으로 이송시킬 수 있다. 이송부(11)는 기판(W)을 챔버(10) 내부로 반입하거나, 외부로 반출할 수 있다. 이송부(11)는 기판(W)을 타 챔버로 이송시킬 수 있다.
이송부(11)는 이송 샤프트(111) 및 이송 접촉부재(112)를 포함할 수 있다.
이송 샤프트(111)는 챔버(10) 내부에 구비될 수 있다. 이송 샤프트(111)는 축을 중심으로 회전할 수 있다. 이송 샤프트(111)는 복수 개 구비될 수 있다. 복수 개의 이송 샤프트(111)는 서로 나란하게 배치될 수 있다. 복수 개의 이송 샤프트(111)는 서로 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 복수 개의 이송 샤프트(111)는 서로 등간격으로 배치될 수 있다.
이송 접촉부재(112)는 이송 샤프트(111)에 구비될 수 있다. 이송 접촉부재(112)는 기판(W)의 하면에 접촉되어 기판(W)을 이송시킬 수 있다. 예를 들어, 이송 접촉부재(112)는 롤러 등을 포함할 수 있다. 이송 접촉부재(112)는 이송 샤프트(111)와 일체로 회전할 수 있다. 즉, 이송 접촉부재(112)는 이송 샤프트(111)와 함께 회전함으로써, 이송 접촉부재(112)에 접촉된 기판(W)을 회전 방향의 접선 방향으로 이송시킬 수 있다. 이송 접촉부재(112)는 복수 개 구비될 수 있다. 복수 개의 이송 접촉부재(112)는 복수 개의 이송 샤프트(111) 각각에 구비될 수 있다. 복수 개의 이송 접촉부재(112)는 이송 샤프트(111)의 길이 방향에 대하여 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 이송 접촉부재(112)는 이송 샤프트(111)의 길이 방향에 대하여 등간격으로 배치될 수 있다.
분사 장치(12)는 개폐부(101)에 형성되는 석출물을 제거하기 위한 분사 장치일 수 있다. 분사 장치(12)는 개폐부(101)를 향하여 약액을 분사함으로써, 개폐부(101)에 형성된 석출물을 제거하거나, 개폐부(101)에 석출물이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이와 동시에, 분사 장치(12)는 기판(W)의 이송을 보조할 수 있다. 약액은 약품, 순수, 공기 또는 기체 등을 포함할 수 있다.
분사 장치(12)는 분사 샤프트(121), 아이들 접촉부재(122), 분사 노즐(123) 및 분사 지지부(124)를 포함할 수 있다.
분사 샤프트(121)는 챔버(10) 내부에 구비될 수 있다. 분사 샤프트(121)는 내부로 약액이 공급될 수 있다. 분사 샤프트(121)는 복수 개의 이송 샤프트(111)와 나란하게 배치될 수 있다. 분사 샤프트(121)는 이송부(11)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 예를 들어, 분사 샤프트(121)는 복수 개의 이송 샤프트(111)와 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 분사 샤프트(121)는 이송부(11)와 개폐부(101) 사이에 배치될 수 있다. 분사 샤프트(121)는, 개폐부(101)와 가장 인접한 이송 샤프트(111) 및 개폐부(101)의 사이에 배치될 수 있다. 다시 말해, 분사 샤프트(121)는 개폐부(101)에 가장 인접하게 설치되는 샤프트일 수 있다. 분사 샤프트(121) 및 복수 개의 이송 샤프트(111)는 서로 등간격으로 배치될 수 있다.
아이들 접촉부재(122)는 분사 샤프트(121)에 구비될 수 있다. 아이들 접촉부재(122)는 분사 샤프트(121)에 대하여 회전 가능하게 연결될 수 있다. 즉, 아이들 접촉부재(122)는 분사 샤프트(121)를 중심으로, 분사 샤프트(121)에 대하여 회전할 수 있다. 예를 들어, 아이들 접촉부재(122)는 베어링 등을 포함할 수 있다. 아이들 접촉부재(122)는 기판(W)의 하면에 접촉되어 기판(W)의 이송에 따라 회전할 수 있다. 즉, 이송부(11)에 의하여 기판(W)이 이송되어지면, 아이들 접촉부재(122)는 이송되는 기판(W)의 하면에 접촉되어 기판(W)의 이송에 따라 회전함으로써, 기판(W)의 이송을 보조할 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 아이들 접촉부재(122)가 기판(W)의 이송을 보조할 수 있으므로, 분사 장치(12)가 이송부(11)와 대응되는 높이에 위치되더라도 기판(W)의 이송에 영향을 주지 않을 수 있다. 아이들 접촉부재(122)는 복수 개 구비될 수 있다. 복수 개의 아이들 접촉부재(122)는 분사 샤프트(121)의 길이 방향에 대하여 이격되어 배치될 수 있다. 복수 개의 아이들 접촉부재(122)가 분사 샤프트(121)의 길이 방향을 따라 배열되는 패턴은, 복수 개의 이송 접촉부재(112)가 이송 샤프트(111)의 길이 방향을 따라 배열되는 패턴에 대응될 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 아이들 접촉부재(122)는 분사 샤프트(121)의 길이 방향에 대하여 등간격으로 배치될 수 있다. 기판(W)이 수평 방향으로 이송되도록, 이송 접촉부재(112) 및 아이들 접촉부재(122)는 서로 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 즉, 복수 개의 이송 접촉부재(112) 및 아이들 접촉부재(122)와 기판(W)이 서로 접촉되는 접점들은, 일 평면상에 위치될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 기판(W)이 이송 접촉부재(112)에 의하여 이송되는 중에 아이들 접촉부재(122)를 지나더라도, 기판(W)의 이송 경로가 수평 방향으로 유지될 수 있다.
분사 노즐(123)은 분사 샤프트(121)에 구비될 수 있다. 분사 노즐(123)은 분사 샤프트(121)로 공급된 약액을 분사할 수 있다. 분사 노즐(123)은 챔버(10)의 개폐부(101)를 향해 약액을 분사할 수 있다. 분사 노즐(123)은 개폐부(101)를 향하는 방향으로 분사 샤프트(121)에 설치될 수 있다. 분사 노즐(123)이 개폐부(101)를 향해 약액을 분사함으로써, 개폐부(101)에 형성되는 석출물을 제거할 수 있으며 개폐부(101)에 석출물이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 분사 노즐(123)은 복수 개 구비될 수 있다. 복수 개의 분사 노즐(123)은 분사 샤프트(121)의 길이 방향을 따라 배열될 수 있다. 복수 개의 분사 노즐(123)은 복수 개의 아이들 접촉부재(122)의 사이사이에 배치될 수 있다. 복수 개의 분사 노즐(123)은 개폐부(101)를 향하는 방향으로 설치되되, 서로 다른 각도로 설치될 수 있다. 즉, 복수 개의 분사 노즐(123) 중 적어도 일부는, 분사 샤프트(121)와 이루는 각도가 다른 분사 노즐(123)과 다르게 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1군을 이루는 분사 노즐(123)은 분사 샤프트(121)에 대하여 제1각도를 형성하고, 제2군을 이루는 분사 노즐(123)은 분사 샤프트(121)에 대하여 제2각도를 형성할 수 있다. 제1군을 이루는 분사 노즐(123)과 제2군을 이루는 분사 노즐(123)은 서로 교대로 배열될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 분사 노즐(123)에서 분사되는 약액이 도달되는 범위를 넓힐 수 있고, 석출물 제거 및 방지 효과를 상승시킬 수 있다. 한편 이는 예시적인 것으로, 복수 개의 분사 노즐(123)은 2개 이상의 군을 이루는 분사 노즐(123)을 포함할 수 있다.
상술한 구조에 의하면, 분사 샤프트(121)가 이송 샤프트(111)와 대응되는 높이에 위치할 수 있으므로, 분사 노즐(123)에서 분사되는 약액이 다른 구조물에 의하여 간섭되지 않을 수 있다. 따라서, 개폐부(101)에서 석출물이 자주 발생되는 영역까지 충분한 양의 약액을 분사할 수 있으며, 약액이 분사되는 강도 또한 향상될 수 있다. 그에 따라, 석출물 제거 및 방지 효과가 상승될 수 있고, 소모되는 약액의 양을 줄일 수 있다. 나아가, 아이들 접촉부재(122)가 기판(W)의 이송에 따라 회전하면서 기판(W)의 이송을 보조하기 때문에, 이와 같은 구조에 의하여도 기판(W)은 안정적으로 이송될 수 있다. 또한, 분사 장치(12)가 약액을 분사함과 동시에 기판의 이송 보조라는 2가지 기능을 동시에 수행하기 때문에, 챔버(10) 내부의 공간을 효율적으로 활용할 수 있다.
분사 지지부(124)는 분사 샤프트(121)를 지지할 수 있다. 분사 지지부(124)는 높이 조절 가능할 수 있다. 분사 지지부(124)는 분사 샤프트(121)의 높이를 조절함으로써, 분사 노즐(123)에서 약액이 분사되는 범위를 조절할 수 있다.
한편, 분사 샤프트(121)는 회전 가능하도록 구성될 수 있다. 분사 샤프트(121)는 분사 노즐(123)의 분사 각도가 조절되도록 회전 가능할 수 있다. 분사 샤프트(121)가 회전함으로써, 분사 노즐(123)에서 약액이 분사되는 범위를 조절할 수 있다. 다만, 이 경우에도, 분사 샤프트(121) 및 아이들 접촉부재(122)는 서로 독립되어 회전할 수 있다. 즉, 아이들 접촉부재(122)는 분사 샤프트(121)의 회전에 종속되지 않을 수 있다.
이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
1: 기판 처리 장치
10: 챔버
101: 개폐부
11: 이송부
111: 이송 샤프트
112: 이송 접촉부재
12: 분사 장치
121: 분사 샤프트
122: 아이들 접촉부재
123: 분사 노즐
124: 분사 지지부

Claims (15)

  1. 기판이 입출되는 개폐부를 포함하고, 상기 기판의 처리가 수행되는 챔버;
    축을 중심으로 회전하고, 서로 나란하게 배치되는 복수의 이송 샤프트;
    상기 복수의 이송 샤프트 각각에 구비되고, 상기 기판의 하면에 접촉되어 상기 기판을 이송시키는 복수의 이송 접촉부재;
    상기 복수의 이송 샤프트와 대응되는 높이에 나란하게 배치되고, 내부로 약액이 공급되는 분사 샤프트; 및
    상기 분사 샤프트에 구비되고 상기 개폐부를 향해 약액을 분사하는 복수의 분사 노즐을 포함하고,
    상기 분사 샤프트를 지지하고, 높이 조절 가능한 분사 지지부를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분사 샤프트에 구비되고, 상기 기판의 하면에 접촉되어 상기 기판의 이송에 따라 회전하는 복수의 아이들 접촉부재를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판이 수평 방향으로 이송되도록, 상기 복수의 이송 접촉부재 및 복수의 아이들 접촉부재는 서로 대응되는 높이에 위치되는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 분사 샤프트는, 상기 복수의 이송 샤프트 중 상기 개폐부와 가장 인접한 이송 샤프트 및 상기 개폐부의 사이에 배치되는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 이송 샤프트 및 분사 샤프트는 서로 등간격으로 배열되는, 기판 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 기판이 입출되는 개폐부를 포함하고, 상기 기판의 처리가 수행되는 챔버;
    축을 중심으로 회전하고, 서로 나란하게 배치되는 복수의 이송 샤프트;
    상기 복수의 이송 샤프트 각각에 구비되고, 상기 기판의 하면에 접촉되어 상기 기판을 이송시키는 복수의 이송 접촉부재;
    상기 복수의 이송 샤프트와 대응되는 높이에 나란하게 배치되고, 내부로 약액이 공급되는 분사 샤프트; 및
    상기 분사 샤프트에 구비되고 상기 개폐부를 향해 약액을 분사하는 복수의 분사 노즐을 포함하고,
    상기 복수의 분사 노즐은 상기 분사 샤프트에 대하여 상기 개폐부를 향하는 방향으로 설치되되, 적어도 일부는 다른 일부와 다른 각도로 설치되는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 분사 샤프트는 상기 분사 노즐의 분사 각도가 조절되도록 회전 가능한, 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 개폐부는 타 챔버와 연결되는 연결 공간을 제공하는, 기판 처리 장치.
  10. 챔버의 개폐부에 형성되는 석출물을 제거하기 위한 분사 장치에 있어서,
    상기 챔버 내부에 구비되되 상기 개폐부와 인접하게 배치되고, 내부로 약액이 공급되는 분사 샤프트;
    상기 분사 샤프트에 대하여 회전 가능하게 연결되고, 기판의 하면에 접촉되는 복수 개의 아이들 접촉부재; 및
    상기 분사 샤프트에 구비되고 상기 개폐부를 향하여 상기 약액을 분사하는 복수 개의 분사 노즐을 포함하고,
    상기 복수 개의 분사 노즐은,
    상기 분사 샤프트와 제1각도를 형성하는 제1군 분사 노즐; 및
    상기 분사 샤프트와 제2각도를 형성하는 제2군 분사 노즐을 포함하는, 분사 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 분사 샤프트는, 상기 기판을 이송시키는 이송부 및 개폐부의 사이에 배치되는, 분사 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 분사 샤프트는, 상기 기판을 이송시키는 이송부와 대응되는 높이에 위치되는, 분사 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 아이들 접촉부재는, 상기 기판의 이송에 따라 회전되어 상기 기판의 이송을 보조하는, 분사 장치.
  14. 삭제
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제1군 분사 노즐 및 제2군 분사 노즐은 서로 교대로 배열되는, 분사 장치.
KR1020190059670A 2019-05-21 2019-05-21 석출물 제거를 위한 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 KR102624822B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190059670A KR102624822B1 (ko) 2019-05-21 2019-05-21 석출물 제거를 위한 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190059670A KR102624822B1 (ko) 2019-05-21 2019-05-21 석출물 제거를 위한 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200134085A KR20200134085A (ko) 2020-12-01
KR102624822B1 true KR102624822B1 (ko) 2024-01-15

Family

ID=73790604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190059670A KR102624822B1 (ko) 2019-05-21 2019-05-21 석출물 제거를 위한 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102624822B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010089014A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Jpe:Kk プラズマ洗浄装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100929577B1 (ko) * 2008-05-08 2009-12-03 세메스 주식회사 롤러 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010089014A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Jpe:Kk プラズマ洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200134085A (ko) 2020-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109216236B (zh) 基片处理装置、基片处理方法和存储介质
US10289005B2 (en) Unit for supplying liquid, apparatus for treating a substrate, and method for treating a substrate
KR20050068063A (ko) 회전가능한 건조가스 노즐들을 갖는 린스/건조 장비 및이를 사용하여 반도체 웨이퍼들을 린스/건조시키는 방법
KR20150090943A (ko) 기판처리장치 및 방법
US7926439B2 (en) Substrate processing apparatus
JP6929652B2 (ja) 基板処理装置および間隙洗浄方法
KR101204725B1 (ko) 기판의 처리 장치
KR102624822B1 (ko) 석출물 제거를 위한 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20080009645A (ko) 기판의 처리 장치
KR20080062342A (ko) 기판 처리 장치
JP2007207973A (ja) 表面処理方法及び表面処理装置
JP2017135169A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH1133503A (ja) 基板処理装置
JP3866856B2 (ja) 基板処理装置
KR102010267B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101097932B1 (ko) 약액 분사 장치 및 그것을 구비한 기판 처리 장치
US11361985B2 (en) Substrate supporting device and substrate processing apparatus
KR20200035249A (ko) 식각 장치
TWI479589B (zh) 用於處理基板之設備及方法
KR101149455B1 (ko) 기판의 처리 장치, 반송 장치 및 처리 방법
KR101605714B1 (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20150055655A (ko) 기판 세정 장치
KR102680986B1 (ko) 기판처리장치
US20230201863A1 (en) Gas supply unit and substrate processing apparatus including same
KR102672853B1 (ko) 기판 세정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant