TW201305600A - 顯示裝置及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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Takeshi Kuriyagawa
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Abstract

本發明提供一種無需專用裝置，不會使製造產能下降，即可除去端子上之鈍化膜之顯示裝置。本發明之顯示裝置係包含：複數個像素，其係以矩陣狀配置於基板上，並具有開關元件及藉由開關元件驅動之MEMS快門；及複數個端子，其係配置於基板上，並與外部端子連接。MEMS快門係具有：具有開口部之快門、連接於快門之第1彈簧、連接於第1彈簧之第1錨定、第2彈簧、及連接於第2彈簧之第2錨定；且在快門、第1彈簧、第2彈簧、第1錨定及第2錨定之表面中，於相對於基板之表面為垂直方向之面上具有絕緣膜；而在複數個端子之表面，以及快門、第1彈簧、第2彈簧、第1錨定及第2錨定之表面中，於相對於基板之表面為平行方向並與面向基板側為相反側之面上無該絕緣膜。

Description

顯示裝置及顯示裝置之製造方法
本發明係關於使用機械快門之顯示裝置。
[相關申請案之交互參照]
本申請案享有以日本專利申請案2011-137656號(申請日期：2011年6月21日)為基礎申請之優先權。本申請案因參照該基礎申請而包含基礎申請之全部內容。
近年來，使用應用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems微機電系統)技術之機械快門(以下，稱為「MEMS快門」)之顯示裝置備受矚目。使用MEMS快門之顯示裝置(以下，稱為「MEMS顯示裝置」)係指藉由使用TFT高速開關設置於每個像素之MEMS快門，來控制透射快門之光量，進行圖像之明暗調整之顯示裝置(例如，專利文獻1「日本特開2008-197668號公報」)。MEMS顯示裝置係採用時間階段方式，藉由依序切換來自紅色、綠色及藍色LED背光源之光，而進行圖像之顯示。MEMS顯示裝置係無需液晶顯示裝置所使用之偏光膜或彩色濾光器等，與液晶顯示裝置比較背光源之利用效率大約為10倍，耗電量為1/2以下，且有色彩再現性優異之特徵。
在MEMS顯示裝置中，於基板上形成用於驅動MEMS快門之開關元件、及構成驅動開關元件之閘極驅動器或資料驅動器之TFT。於基板上同時形成用於從外部向TFT供給信號之端子。通常，在MEMS顯示裝置中，於形成有TFT及端子之TFT基板上，形成覆蓋TFT及端子之鈍化膜，並 該鈍化膜上形成MEMS快門。其後，於形成有MEMS快門之TFT基板上，貼合對向基板。由於必須從外部將信號供給至形成於TFT基板上之端子，故以對向基板不覆蓋住端子上部的方式，使TFT基板與對向基板貼合。
由於必須從外部將信號供給至形成於TFT基板上之端子，故必須除去端子上之鈍化膜。通常，在TFT或半導體製程中，端子上之鈍化膜係藉由光微影製程與蝕刻製程之組合來除去。另一方面，於MEMS顯示裝置之情形，MEMS快門之運轉部為中空狀態，難以在MEMS快門形成後，適用光微影製程(抗蝕劑塗布等)。
又，有於將TFT基板與對向基板貼合，切斷成1個1個之MEMS顯示裝置後，藉由乾式蝕刻製程，除去端子上之鈍化膜之方法。但，該鈍化膜之除去方法需要專用裝置，且MEMS顯示裝置之製造產能有大幅下降之問題。
又，有藉由對端子上部照射雷射，而除去鈍化膜之方法，但有導致MEMS顯示裝置之製造產能大幅下降之問題。
因此，本發明係鑑於上述問題而完成者，提供一種無需專用裝置，不會使製造產能下降，即可除去端子上之鈍化膜之顯示裝置及其製造方法。
根據本發明之一實施形態，係提供一種顯示裝置，其特徵在於其係包含：複數個像素，其係以矩陣狀配置於基板上，並具有開關元件及藉由前述開關元件驅動之MEMS快門；及複數個端子，其係配置於前述基板上，並與外部端 子連接；且前述MEMS快門係具有：具有開口部之快門、連接於前述快門之第1彈簧、連接於前述第1彈簧之第1錨定、第2彈簧、及連接於前述第2彈簧之第2錨定；在前述快門、前述第1彈簧、前述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定之表面中，於相對於前述基板之表面為垂直方向之面上具有絕緣膜；而在前述快門、前述第1彈簧、前述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定之表面中，於相對於前述基板之表面為平行方向，並與面向前述基板側為相反側之面上、及前述複數個端子之表面上無前述絕緣膜。
藉由前述第1錨定與前述第2錨定之電位差，靜電驅動前述第1彈簧與前述第2彈簧。
前述第1錨定與前述第2錨定之電位差，係由前述開關元件而供給。
亦可進一步具有背光源，且前述基板具有開口部，使由前述背光源所供給之光，從前述快門之前述開口部與前述基板之開口部重疊之部份透射。
亦可進一步具有配置於前述基板上之反射部，並藉由前述快門之前述開口部與前述反射部重疊之部份，使由前述反射部反射之光透射。
前述開關元件上具有絕緣膜。
在前述快門、前述第1彈簧及前述第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向，並面向前述基板側之面上具有絕緣膜；且在前述快門、前述第1彈簧及前述第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向，並面向 前述基板側之面之絕緣膜，亦可較在前述快門、前述第1彈簧及第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為垂直方向之面之絕緣膜薄。
前述快門，亦可積層透射率不同之材料來形成。
前述快門係積層透射率不同之材料而形成，且亦可在前述快門之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向，並與面向前述基板側為相反側之面上，設置透射率最低之材料。
此外，利用本發明之一實施形態，提供一種顯示裝置之製造方法，其特徵係於基板上形成開關元件及端子，於前述開關元件上形成第1絕緣膜，於前述第1絕緣膜上形成複數個像素，該等複數個像素係具有：快門，其係藉由前述開關元件驅動，並具有開口部；連接於前述快門之第1彈簧；連接於前述第1彈簧之第1錨定；第2彈簧；及連接於前述第2彈簧之第2錨定；且於前述快門、前述第1彈簧、前述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定，以及前述端子上形成第2絕緣膜，並對前述第2絕緣膜進行異向性蝕刻。
對前述第2絕緣膜進行異向性蝕刻直至前述端子露出。
前述第2絕緣膜亦形成於在前述快門、前述第1彈簧、前述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定之表面中，相對於前述基板之表面為垂直方向之面上；且在前述異向性蝕刻後，形成於前述快門、前述第1彈簧、前述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定之表面中，相對於前述基板之表面為垂直方向之面上之第2絕緣膜，係亦可殘留。
前述第2絕緣膜亦形成於在前述快門、前述第1彈簧、前 述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定之表面中，相對於前述基板之表面為垂直方向之面上，以及在前述快門、前述第1彈簧及前述第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向，並面向前述基板側之面上；且在前述快門、前述第1彈簧及第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向，並面向前述基板側之面之前述第2絕緣膜，亦可較在前述快門、前述第1彈簧及前述第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為垂直方向之面之前述第2絕緣膜薄。
前述快門亦可積層透射率不同之材料來形成。
前述快門係積層透射率不同之材料而形成，且亦可在前述快門之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向，並與面向前述基板側為相反側之面上，形成有透射率最低之材料。
以下，一面參照圖式，一面說明本發明之顯示裝置之實施形態。又，本發明之顯示裝置並非限定於以下之實施形態，可進行各種變化實施。
於圖1(A)及(B)顯示本發明之一實施形態之顯示裝置100。於圖1(A)顯示本實施形態之本發明之顯示裝置100之立體圖。於圖1(B)顯示本實施形態之本發明之顯示裝置100之平面圖。本實施形態之本發明之顯示裝置100，具有基板102及對向基板106。基板102係具有顯示部102a、驅動電路102b、102c及102d，以及端子部102e。
於圖2顯示本實施形態之本發明之顯示裝置100之電路方塊圖。從控制器120對圖2所示之本實施形態之本發明之顯示裝置100供給圖像信號及控制信號。此外，從藉由控制器120控制之背光源122，對圖2所示之本實施形態之本發明之顯示裝置100供給光。又，亦可包含控制器120及背光源122來構成本發明之顯示裝置100。
如圖2所示，顯示部102a具有像素200，該像素200係具有：以矩陣狀配置之機械快門(MEMS快門)202、開關元件204、及保持電容206。驅動電路102b及102c為資料驅動器，經由資料線(D1、D2、…、Dm)將資料信號供給至開關元件204。開關元件驅動電路102d為閘極驅動器，經由閘極線(G1、G2、…、Gn)將閘極信號供給至開關元件204。又，在本實施形態中，如圖1所示，資料驅動器即驅動電路102b及102c，係以包夾顯示部102a之方式而配置，但並不限定於此。開關元件204係基於由資料線(D1、D2、…、Dm)供給之資料信號，驅動MEMS快門202。
此處，於圖3及圖4顯示本實施形態之本發明之顯示裝置100所使用之MEMS快門202的構成。為便於說明，於圖3顯示1個MEMS快門202，但本實施形態之本發明之顯示裝置100，係以矩陣狀配置有圖3所示之MEMS快門202。
MEMS快門202係具有：快門210；第1彈簧216、218、220及222；第2彈簧224、226、228及230；以及錨定部232、234、236、238、240及242。快門210具有開口部211及212，且快門210本體成為遮光部。此外，基板102具有 開口部213及214。快門210之開口部211及212與基板102之開口部213及214，係以於平行方向大致重疊的方式配置，使從基板102之背面供給並透射基板102之開口部213及214之光，透射快門210之開口部211及212。又，本實施形態所示之MEMS快門202，僅為可用於本發明之顯示裝置100之MEMS快門之一例，只要為可以開關元件驅動之MEMS快門，任何態樣者均可使用。又，亦可不使用背光源122，且不設置基板102之開口部213及214，而於快門210之開口部211及212之下部設置反射部，作為反射型之顯示裝置。
快門210之一側係經由第1彈簧216及218，連接於錨定部232及234。錨定部232及234係具有與第1彈簧216及218共同支撐快門210成離開基板102之表面而浮動之狀態之功能。錨定部232與第1彈簧216電性連接，並且，錨定部234與第1彈簧218電性連接。從開關元件204將偏壓電位供給至錨定部232及234，並將偏壓電位供給至第1彈簧216及218。此外，第2彈簧224及226連接於錨定部236。錨定部236具有支撐第2彈簧224及226之功能。錨定部236係與第2彈簧224及226電性連接。將接地電位供給至錨定部236，並將接地電位供給至第2彈簧224及226。
此外，快門210之另一側係經由第1彈簧220及222而連接於錨定部238及240。錨定部238及240係具有與第1彈簧220及222共同支稱快門210成離開基板102之表面浮動之狀態之功能。錨定部238與第1彈簧220電性連接，並且，錨定 部240與第1彈簧222電性連接。從開關元件204將偏壓電位供給至錨定部238及240，並將偏壓電位供給至第1彈簧220及222。此外，第2彈簧228及230連接於錨定部242。錨定部242具有支撐第2彈簧228及230之功能。錨定部242與第2彈簧228及230電性連接。將接地電位供給至錨定部242，並將接地電位供給至第2彈簧228及230。
又，在圖4之上部，為便於說明，將具有快門210之區域表示為「A」；將具有第1彈簧216、218、220及222、以及第2彈簧224、226、228及230之區域表示為「B」；將具有錨定部232、234、236、240及242之區域表示為「C」。
如上所述，在本實施形態中，從開關元件204將供給偏壓電位供給至錨定部232及234，將偏壓電位供給至第1彈簧216及218；並且，將接地電位供給至錨定部236，將接地電位供給至第2彈簧224及226。藉由第1彈簧216及218與第2彈簧224及226之間之電位差，靜電驅動第1彈簧216與第2彈簧224，以相互拉近的方式移動；並且，靜電驅動第1彈簧218與第2彈簧234，以相互拉近的方式移動，而使快門210移動。
此外，同樣地，從開關元件204將偏壓電位供給至錨定部238及240，將偏壓電位供給至第1彈簧220及222；並且，將接地電位供給至錨定部242供給接地電位，將接地電位供給至第2彈簧228及230。藉由第1彈簧220及222與第2彈簧228及230之間之電位差，靜電驅動第1彈簧220與第2彈簧228，以相互拉近的方式移動；並且，靜電驅動第1彈 簧222與第2彈簧230，以相互拉近的方式移動，而使快門210移動。
又，在本實施形態中，雖已說明於快門210之兩側連續配置有第1彈簧、第2彈簧及錨定部之例，但本發明之顯示裝置並不限定於此。亦可於快門210之一側連續配置第1彈簧、第2彈簧及錨定部，並於快門210之另一側僅連續配置第1彈簧及錨定部，使另一側之第1彈簧及錨定部具有支撐快門成離開基板而浮動之狀態之功能，靜電驅動快門210之一側之第1彈簧及第2彈簧，而使快門210動作。
其次，參照圖5。圖5為本實施形態之本發明之顯示裝置100之顯示部(藉由圖4所示之MEMS快門202之A-A'線而表示之部位)及端子部102e(端子104)的剖面圖。又，在圖5上部，為便於說明，將具有端子部102之區域表示為「D」。
如圖5所示，在本實施形態之本發明之顯示裝置100中，快門210係具有a-Si(210a)及透射率較a-Si低之遮光用之AlSi(210b)之積層體，以及絕緣膜(鈍化膜)210c。在本實施形態中，僅在a-Si(210a)及遮光用AlSi(210b)之積層體之側部(相對於基板102之表面為垂直方向之面)及下部(相對於基板102之表面為平行方向，並面向基板102側之面)具有絕緣膜(鈍化膜)210c。換而言之，在a-Si(210a)及遮光用AlSi(210b)之積層體之上部(相對於基板102之表面為平行方向，並與面向基板102側為相反側之面)不存在絕緣膜(鈍化膜)。又，在本實施形態中，快門210係使用a-Si(210a)及遮光用AlSi(210b)之積層體，但並不限定於此，只要為僅 於側部及下部形成有絕緣膜(鈍化膜)之構造，任何之構造及材料均可使用。此外，在本實施形態中，雖已說明僅於a-Si(210a)及遮光用AlSi(210b)之積層體之側部及下部具有絕緣膜(鈍化膜)210c之例，但重要的是於快門210之上部不存在絕緣膜(鈍化膜)，下部有無絕緣膜(鈍化膜)均可；此外，側部與下部之絕緣膜(鈍化膜)之厚度亦可不同。例如，下部之絕緣膜(鈍化膜)有時亦可較側部薄。
此外，如圖5所示，本實施形態之本發明之顯示裝置100中，第1彈簧216、218、220及222(218以外省略圖式)，以及第2彈簧224、226、228及230(226以外省略圖式)，係分別在a-Si之側部(相對於基板102之表面為垂直方向之面)及下部(相對於基板102之表面為平行方向，並面向基板102側之面)具有絕緣膜(鈍化膜)。如圖5所示，若以第1彈簧226及第2彈簧218為例進行說明，則第1彈簧226於a-Si(226a)之側部及下部具有絕緣膜(鈍化膜)226c，而第2彈簧218於a-Si(218a)之側部及下部具有絕緣膜(鈍化膜)218c。換而言之，在第1彈簧226中，於a-Si(226a)之上部(相對於基板102之表面為平行方向，並與面向基板102側為相反側之面)不存在絕緣膜(鈍化膜)；並且，在第2彈簧218中，於a-Si(218a)之上部(相對於基板102之表面為平行方向，並與面向基板102側為相反側之面)不存在絕緣膜(鈍化膜)。藉此，藉由絕緣膜(鈍化膜)使第1彈簧216、218、220及222，以及第2彈簧224、226、228及230之間絕緣分離。又，在本實施形態中，第1彈簧216、218、220及 222，以及第2彈簧224、226、228及230係使用a-Si，但並不限定於此，只要為僅於側部及下部形成有絕緣膜(鈍化膜)之構造，則任何之構造及材料均可使用。又，在本實施形態中，雖已說明僅於第1彈簧216、218、220及222，以及第2彈簧224、226、228及230之側部及下部具有絕緣膜(鈍化膜)之例，但重要的是於第1彈簧216、218、220及222，以及第2彈簧224、226、228及230之上部不存在絕緣膜(鈍化膜)，於下部有無絕緣膜(鈍化膜)均可；此外，側部與下部之絕緣膜(鈍化膜)之厚度亦可不同。
如圖5所示，在本實施形態之本發明之顯示裝置100中，錨定部232、234、236、238、240及242(234以外省略圖式)係分別具有a-Si及AlSi之積層體，以及絕緣膜(鈍化膜)。如圖5所示，若以錨定部234為例進行說明，則錨定部234係具有a-Si(234a)及AlSi(234b)之積層體，以及絕緣膜(鈍化膜)234c。錨定部234係形成於之絕緣膜302(鈍化膜)上，該絕緣膜302(鈍化膜)係形成於構成基板102之TFT基板300上。在本實施形態中，僅於a-Si(234a)及AlSi(234b)之積層體之側部(相對於基板102之表面為垂直方向之面)及下部(相對於基板102之表面為平行方向，並面向基板102側之面)具有絕緣膜(鈍化膜)234c。換而言之，於a-Si(234a)及AlSi(234b)之積層體之上部(相對於基板102之表面為平行方向，並與面向基板102側為相反側之面)不存在絕緣膜(鈍化膜)。又，雖在本實施形態中，錨定部232、234、236、238、240及242係使用a-Si及AlSi之積層體，但並不限定於 此，只要於側部及下部形成有絕緣膜(鈍化膜)之構造，任何構造及材料均可。此外，在本實施形態中，雖已說明僅於a-Si及AlSi之積層體之側部及下部具有絕緣膜(鈍化膜)之例，但重要的是於錨定部232、234、236、238、240及242之上部不存在絕緣膜(鈍化膜)，於下部有無絕緣膜(鈍化膜)均可；此外，側部與下部之絕緣膜(鈍化膜)之厚度亦可不同。
又，如圖5所示，在本實施形態之本發明之顯示裝置中，端子部102e之端子104係由MoW(104a)、Al(104b)、MoW(104c)及ITO(104d)所構成。又，端子104之構成及材料並不限定於此，可根據開關元件(本實施形態中為TFT)之構成適當變更；此外，Al(104b)亦可使用與開關元件204之汲極配線同層之配線。端子部120e係形成於構成基板102之TFT間300之一部份。在本實施形態中，TFT基板之顯示部102a、資料驅動器102b及102c，以及閘極驅動器102d上，係以絕緣膜(鈍化膜)302覆蓋，而於端子104之表面上不存在絕緣膜(鈍化膜)，並露出端子104。
如上所述，在本實施形態之本發明之顯示裝置100中，從外部供給信號之端子部102e之端子104之上部露出；並且，藉由絕緣膜將MEMS快門202之第1彈簧216、218、220及222，以及第2彈簧224、226、228及230之間絕緣分離。因此，可良好地進行MEMS快門202之靜電驅動動作。又，即使於第1彈簧216、218、220及222，以及第2彈簧224、226、228及230以外之部份(例如，快門210之上表 面等)不存在絕緣膜，亦不會產生問題。
其次，參照圖6，說明本實施形態之本發明之顯示裝置100之製造過程。
首先，於基板102形成：構成顯示部102a、資料驅動器102b及102c，以及閘極驅動器102d之開關元件(本實施形態中為TFT)；及構成端子部102e之端部104(圖6中為MoW(104a)、Al(104b)及MoW(104c))；且形成TFT基板300，除了端子部102e以外形成SiN等絕緣膜(鈍化膜)302。 又，關於ITO(104d)，可形成於絕緣膜302形成前，亦可形成於絕緣膜302形成後之端子部102e之部份(未形成絕緣膜302之部份)。其次，於絕緣膜(鈍化膜)302上形成MEMS快門202(在圖6中，顯示為快門210、第1彈簧218、第2彈簧226及錨定部234)。其次，藉由一般之PECVD法，於基板102整體形成成為鈍化膜之SiN等絕緣膜，並形成絕緣膜210c、218c、226c、234c及304(圖6(A))。此時，MEMS快門202之快門210等、第1彈簧218等、第2彈簧226等及錨定部234等相對於基板102之表面為平行方向，並面向基板102側之面上，有未形成絕緣膜之情形，或有形成膜厚與相對於基板102之表面為垂直方向之面、及相對於基板102之表面為平行方向並與面向基板102側為相反側之面不同(例如較薄)之絕緣膜之情形。
其次，藉由異向性乾式蝕刻，加工絕緣膜210c、218c、226c、234c及304(圖6(B))。由於係異向性乾式蝕刻製程，故位於相對於基板102之表面為平行方向，並與面向基板 102側為相反側之面上之絕緣膜(圖6(B)之虛線箭頭)以高蝕刻速率被蝕刻；而位於相對於基板102之表面為垂直方向之面、及相對於基板102之表面為平行方向並面向基板102側之面上之絕緣膜則不被蝕刻而殘留(圖6(C))。此時，端子部102e之端子104上之絕緣膜304亦被除去，而露出端子104。位於相對於基板102之表面為平行方向，並與面向基板102側為相反側之面之絕緣膜被除去，而露出端子104，進行該蝕刻製程，直至第1彈簧216、218、220及222，以及第2彈簧224、226、228及230之間之絕緣膜成殘留之狀態。絕緣膜為SiN之情形，可使用氟系氣體，且可使用電容耦合電漿方式或感應耦合電漿方式、電子迴旋加速器共振電漿方式，作為乾式蝕刻設備。又，可藉由添加O2氣體，於側壁形成保護層，進一步提高蝕刻之異向性。
其次，根據眾所周知之方法貼合對向基板(未圖示)，完成本實施形態之本發明之顯示裝置。由於端子部102e之端子104露出，故亦可與柔性線纜等外部端子電性連接。
在本實施形態之本發明之顯示裝置100中，在貼合TFT基板與對象基板前(前端製程)，由於藉由一般所使用之乾式蝕刻製程除去了端子上之絕緣膜(鈍化膜)，故無需特殊製程，即可以高產能加工，因此可謀求顯示裝置之成本減少。此外，可提供一種無需先前之將TFT基板與對向基板貼合並切斷後，為了利用乾式蝕刻製程除去端子上之鈍化膜所需之專用裝置，不會使製造產能降低，即可除去端子上之絕緣膜(鈍化膜)之顯示裝置及其製造方法。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧基板
102a‧‧‧顯示部
102b‧‧‧驅動電路
102c‧‧‧驅動電路
102d‧‧‧驅動電路
102e‧‧‧端子部
104‧‧‧端子
104a‧‧‧MoW
104b‧‧‧Al
104c‧‧‧MoW
104d‧‧‧ITO
106‧‧‧對向基板
120‧‧‧控制器
122‧‧‧背光源
200‧‧‧像素
202‧‧‧MEMS快門
204‧‧‧開關元件
206‧‧‧保持電容206
210‧‧‧快門
210a‧‧‧a-Si
210b‧‧‧遮光用AlSi
210c‧‧‧鈍化膜
211‧‧‧快門之開口部
212‧‧‧快門之開口部
213‧‧‧基板之開口部
214‧‧‧基板之開口部
216‧‧‧第1彈簧
218‧‧‧第1彈簧
218a‧‧‧a-Si
218c‧‧‧鈍化膜
220‧‧‧第1彈簧
222‧‧‧第1彈簧
224‧‧‧第2彈簧
226‧‧‧第2彈簧
226a‧‧‧a-Si
226c‧‧‧鈍化膜
228‧‧‧第2彈簧
230‧‧‧第2彈簧
232‧‧‧錨定部
234‧‧‧錨定部
234a‧‧‧a-Si
234b‧‧‧AlSi
234c‧‧‧鈍化膜
236‧‧‧錨定部
238‧‧‧錨定部
240‧‧‧錨定部
242‧‧‧錨定部
300‧‧‧TFT基板
302‧‧‧鈍化膜
304‧‧‧鈍化膜
D1‧‧‧資料線
D2‧‧‧資料線
Dm‧‧‧資料線
G1‧‧‧閘極線
G2‧‧‧閘極線
Gn‧‧‧閘極線
圖1(A)係一實施形態之本發明之顯示裝置100之立體圖；(B)係一實施形態之本發明之顯示裝置100之平面圖。
圖2係一實施形態之本發明之顯示裝置100之電路方塊圖。
圖3係顯示一實施形態之本發明之顯示裝置100所使用之MEMS快門202之構成之圖。
圖4係顯示一實施形態之本發明之顯示裝置100所使用之MEMS快門202之構成之圖。
圖5係一實施形態之本發明之顯示裝置100之顯示部(藉由圖4所示之MEMS快門202之A-A'線而表示之部位)及端子部102e(端子104)之剖面圖。
圖6(A)-(C)係顯示一實施形態之本發明之顯示裝置100之製造過程之圖。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧基板
102a‧‧‧顯示部
102b‧‧‧驅動電路
102c‧‧‧驅動電路
102d‧‧‧驅動電路
102e‧‧‧端子部
104‧‧‧端子
106‧‧‧對向基板

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，其特徵在於包含：複數個像素，其係以矩陣狀配置於基板上，並包含開關元件及藉由前述開關元件驅動之MEMS快門；及複數個端子，其係配置於前述基板上，並與外部端子連接；且前述MEMS快門係包含：包含開口部之快門、連接於前述快門之第1彈簧、連接於前述第1彈簧之第1錨定、第2彈簧、及連接於前述第2彈簧之第2錨定；在前述快門、前述第1彈簧、前述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定之表面中，相對於前述基板之表面為垂直方向之面上具有絕緣膜；而在前述快門、前述第1彈簧、前述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向並與面向前述基板側為相反側之面上、與前述複數個端子之表面上無前述絕緣膜。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其係藉由前述第1錨定與前述第2錨定之電位差，靜電驅動前述第1彈簧與前述第2彈簧。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中前述第1錨定與前述第2錨定之電位差，係由前述開關元件所供給。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其係進一步包含背光源；前述基板包含開口部；使由前述背光源供給之光，從前述快門之前述開口部 與前述基板之開口部重疊之部份透射。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其係進一步包含配置於前述基板上之反射部；藉由前述快門之前述開口部與前述反射部重疊之部份，使由前述反射部反射之光透射。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其中前述開關元件上具有絕緣膜。
  7. 如請求項1之顯示裝置，其中前述快門、前述第1彈簧及前述第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向並面向前述基板側之面上具有絕緣膜；且前述快門、前述第1彈簧及前述第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向並面向前述基板側之面之絕緣膜，係較在前述快門、前述第1彈簧及前述第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為垂直方向之面之絕緣膜薄。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中前述快門係積層透射率不同之材料而形成。
  9. 如請求項1之顯示裝置，其中前述快門係積層透射率不同之材料而形成；且在前述快門之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向並與面向前述基板側為相反側之面上，設置透射率最低之材料。
  10. 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於：於基板上形成開關元件及端子； 於前述開關元件上形成第1絕緣膜；於前述第1絕緣膜上形成複數個像素，該等複數個像素係包含：快門，其係藉由前述開關元件驅動，並包含開口部；連接於前述快門之第1彈簧；連接於前述第1彈簧之第1錨定；第2彈簧；及連接於前述第2彈簧之第2錨定；且於前述快門、前述第1彈簧、前述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定、以及前述端子上形成第2絕緣膜；對前述第2絕緣膜進行異向性蝕刻。
  11. 如請求項10之顯示裝置之製造方法，其係對前述第2絕緣膜進行異向性蝕刻直至前述端子露出。
  12. 如請求項10之顯示裝置之製造方法，其中前述第2絕緣膜亦形成於前述快門、前述第1彈簧、前述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定之表面中相對於前述基板之表面為垂直方向之面上；且在前述異向性蝕刻後，形成於前述快門、前述第1彈簧、前述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定之表面中相對於前述基板之表面為垂直方向之面上之前述第2絕緣膜亦殘留著。
  13. 如請求項10之顯示裝置之製造方法，其中前述第2絕緣膜亦形成於前述快門、前述第1彈簧、前述第2彈簧、前述第1錨定及前述第2錨定之表面中，相對於前述基板之表面為垂直方向之面上，以及前述快門、前述第1彈簧及前述第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為平 行方向並面向前述基板側之面上；且前述快門、前述第1彈簧及第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向並面向前述基板側之面之前述第2絕緣膜，係較前述快門、前述第1彈簧及前述第2彈簧之表面中，相對於前述基板之表面為垂直方向之面之前述第2絕緣膜薄。
  14. 如請求項10之顯示裝置之製造方法，其中前述快門係積層透射率不同之材料而形成。
  15. 如請求項10之顯示裝置之製造方法，其中前述快門係積層透射率不同之材料而形成；且在前述快門之表面中，相對於前述基板之表面為平行方向並與面向前述基板側為相反側之面上，形成有透射率最低之材料。
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