TW201305357A - 鍍膜件及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種鍍膜件,包括基體、依次形成於基體表面的白色的第一膜層、無色透明的第二膜層及無色透明且具有抗指紋效果的第三膜層;該第一膜層為一鋁、鋁合金、鋅或鋅合金膜層,該第二膜層主要由M、O及N三種元素組成,其中M為Al或Zn,該第三膜層為氧化鋁層或二氧化矽層。該鍍膜件呈現出如骨瓷般的外觀的同時還具有抗指紋效果。本發明還提供了所述鍍膜件的製造方法。
Description
本發明涉及一種鍍膜件及其製造方法,尤其涉及一種具有骨瓷質感的鍍膜件及其製造方法。
習知技術,通常採用噴塗方式於電子產品(如手機、PDA等)的殼體表面形成白色的裝飾性膜層,以使殼體呈現出如陶瓷般的白色外觀。然而,由於噴塗技術本身的缺陷,噴塗形成的裝飾性膜層難以具有高透光性及高光澤性,使上述殼體無法呈現出如骨瓷般的潔白、細膩、通透、清潔等視覺或外觀效果。
隨著3C電子產品的使用越來越頻繁,消費者對產品的外觀亦有了越來越高的要求。除了要求產品具有如骨瓷般外觀之外,還希望產品具有抗指紋效果,如此在使用電子產品的過程中不因難以去除的指紋痕跡而影響其骨瓷般的外觀。為了不影響產品的骨瓷般外觀,用以實現抗指紋效果的抗指紋層需具有高透光性和高光澤度。
然而,習知的藉由化學氣相沉積、噴塗及PVD鍍膜等技術形成的抗指紋層均難以達到上述要求。如,化學氣相沉積、噴塗等方法獲得的抗指紋層呈霧狀而難以呈現出透明的效果;藉由PVD鍍膜技術形成的複合多層抗指紋層易於產生薄膜干涉,如此亦難以呈現透明的效果。
鑒於此,本發明提供一種具有抗指紋效果且呈現出骨瓷質感的鍍膜件。
另外,本發明還提供一種上述鍍膜件的製造方法。
一種鍍膜件,包括基體、依次形成於基體表面的白色的第一膜層、無色透明的第二膜層及無色透明且具有抗指紋效果的第三膜層;該第一膜層為一鋁、鋁合金、鋅或鋅合金膜層,該第二膜層主要由M、O及N三種元素組成,其中M為Al或Zn,該第三膜層為氧化鋁層或二氧化矽層。
一種鍍膜件的製造方法,其包括如下步驟:
提供基體;
對所述基體的表面進行精拋處理;
採用真空鍍膜法,以鋁、鋁合金、鋅及鋅合金中的一種為靶材,在該基體上形成白色的第一膜層,該第一膜層為一鋁、鋁合金、鋅及鋅合金膜層;
採用真空鍍膜法,以鋁靶、鋁合金靶、矽靶及矽合金靶中的一種為靶材,以氧氣及氮氣為反應氣體,在該第一膜層上形成無色透明的第二膜層,該第二膜層主要由M、O及N三種元素組成,其中M為Al或Zn;
採用真空鍍膜法,以氧化鋁或二氧化矽為蒸發材料,以氧氣為補償氣體,在該第二膜層上形成無色透明的、具有抗指紋性能的第三膜層,該第三膜層為氧化鋁層或二氧化矽層。
所述第一膜層呈白色,濺射形成於該第一膜層表面的第二膜層呈無色透明狀,蒸鍍形成於該第二膜層表面的第三膜層不僅呈無色透明狀還具有抗指紋性能,如此,所述第一膜層、第二膜層及第三膜層結合使所述鍍膜件呈現出如骨瓷般的外觀的同時還具有抗指紋效果。
請參閱圖1,本發明一較佳實施例的鍍膜件10包括基體11、依次形成於基體11表面的第一膜層13、第二膜層15及第三膜層17。該鍍膜件10可為電子裝置外殼,亦可為鐘錶外殼、金屬衛浴件及建築用件。
基體11的材質為金屬或非金屬,其中金屬可為不銹鋼、鋁、鋁合金、鎂及鎂合金中的一種,非金屬可為塑膠。
所述第一膜層13可為一鋁、鋁合金、鋅或鋅合金膜層。當第一膜層13為鋁合金或鋅合金膜層時,其中鋁或鋅的質量百分含量為80%~90%。該第一膜層13的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標為85至91,a*座標為-0.5至0.5,b*座標為-0.5至0.5,呈白色,為鍍膜件10提供陶瓷般的外觀顏色。第一膜層13可藉由磁控濺射、真空蒸鍍等真空鍍膜的方式形成。所述第一膜層13的厚度為0.4μm~1μm。
所述第二膜層15可藉由磁控濺射、真空蒸鍍及電弧電漿鍍等真空鍍膜的方式形成。該第二膜層15由M、O及N三種元素組成,其中M為Al或Si。該第二膜層15中M、O及N元素的原子個數比大致為0.9~1.1:0.5~1:0.5~1,較佳為1:1:1。第二膜層15為無色透明層,具有較高的光澤度,其形成在第一膜層13上,為鍍膜件10提供仿釉的外觀效果。第二膜層15的厚度為50nm~200nm。
所述第一膜層13與第二膜層15的結合使鍍膜件10呈現如骨瓷般質感的外觀。
所述第三膜層17藉由真空蒸鍍的方式形成。該第三膜層17使所述鍍膜件10具有抗指紋效果。該第三膜層17為二氧化矽層或氧化鋁層。請參閱圖4,該第三膜層17主要由平均粒徑為10~30nm的奈米顆粒組成,質地均勻緻密。該第三膜層17的粗糙度Ra為20~50nm。該第三膜層17的厚度為0.5~1.5μm。該第三膜層17為無色透明層,因此,該第三膜層17對鍍膜件10的透光性幾乎沒有影響。
從該第三膜層17一側測試鍍膜件10表面的60°角光澤度為100~150;色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標為85至91,a*座標為-0.5至0.5,b*座標為-0.5至0.5,與由第一膜層13所測得的色度值一致。
本發明一較佳實施方式的鍍膜件10的製造方法包括以下步驟:
提供基體11,該基體11的材質為金屬或非金屬,其中金屬可為不銹鋼、鋁、鋁合金及鎂合金中的一種,非金屬可為塑膠。
提供一精拋機(圖未示),對基體11的表面進行精拋處理,用以提高基體11的光澤度,相應提高後續形成於該基體11表面的第一膜層13、第二膜層15及第三膜層17的光澤度,從而提供給所述鍍膜件10高光澤的外觀。所述精拋機包括一布輪,將含有氧化鋁粉末的懸浮狀水溶液塗覆在該布輪上,對所述基體11的表面進行精拋,精拋的時間為10~15min。
將經上述精拋處理後的基體11進行清潔處理。該清潔處理包括用丙酮溶液對基體11進行超聲波清洗等步驟。
對經上述處理後的基體11的表面進行電漿清洗,以進一步去除基體11表面的油污,以及改善基體11表面與後續鍍層的結合力。結合參閱圖2,提供一真空鍍膜機100,該真空鍍膜機100包括一鍍膜室20及連接於鍍膜室20的一第一真空泵30,第一真空泵30用以對鍍膜室20抽真空。該鍍膜室20內設有轉架(未圖示)、相對設置的二第一靶材22及相對設置的二第二靶材23。轉架帶動基體11沿圓形的軌跡21公轉,且基體11在沿軌跡21公轉時亦自轉。每一第一靶材22及每一第二靶材23的兩端均設有第一氣源通道24,氣體經該第一氣源通道24進入所述鍍膜室20中。其中,所述第一靶材22為鋁靶、鋁合金靶、鋅靶及鋅合金靶中的一種,所述第一靶材22為鋁合金靶或鋅合金靶時,其中鋁或鋅的質量百分含量為80%~90%。所述第二靶材23為鋁合金靶或矽合金靶時,其中鋁或矽的質量百分含量為80%~90%。
該電漿清洗過程如下:將基體11放入真空鍍膜機100的鍍膜室20內,將鍍膜室20抽真空至8.0×10-3Pa;然後向鍍膜室20內通入流量為100~400sccm(標準狀態毫升/分鐘)的氬氣(純度為99.999%),並施加-200~-500V的偏壓於基體11,對基體11表面進行電漿清洗,清洗時間為3~20分鐘。
在基體11上濺射該第一膜層13。調節氬氣流量為100~300sccm。調節偏壓至-100~-300V,將基體11溫度控製在20~200℃。開啟第一靶材22,並設置所述第一靶材22的功率為7~13kW,對基體11濺射10~30分鐘,以於基體11表面形成該第一膜層13。
在該第一膜層13上濺射第二膜層15。關閉第一靶材22,氬氣流量維持在100~300sccm,同時向鍍膜室20通入氧氣和氮氣。氧氣流量為50~200sccm,氮氣流量為80~300sccm。維持施加於基體11偏壓為-100~-300V,基體11溫度為20~200℃。開啟第二靶材23,調節所述第二靶材23的功率為8~10kW,在該第一膜層13上沉積該第二膜層15。濺射該第二膜層15的時間為3~20分鐘。從該第二膜層15表面的60°角測試其光澤度為150~200。
結合參閱圖3,提供一真空蒸鍍機200。所述真空蒸鍍機200包括一蒸鍍腔210及連接於蒸鍍腔210的一第二真空泵230,該第二真空泵230用以對該蒸鍍腔210抽真空。該蒸鍍腔210內設置有一蒸發源211、一與該蒸發源211相對設置的支承架213、及一第二氣源通道215。所述基體11固定在所述支承架213上。所述蒸發源211用以對放置於其內的蒸發材料217進行加熱,使蒸發材料217熔化、蒸發或昇華產生蒸氣,進而對基體11進行鍍膜。氣體經該第二氣源通道215進入所述蒸鍍腔210中。其中,所述蒸發材料217為二氧化矽或氧化鋁。
在該第二膜層15上蒸鍍第三膜層17。將鍍覆有第一膜層13及第二膜層15的基體11固定在所述支承架213上,將蒸鍍腔210抽真空至6×10-3Pa~8×10-3Pa,加熱該蒸鍍腔210至溫度為50~100℃;以氧氣為補充氣體用以補充鍍膜過程中二氧化矽或氧化鋁損失的氧元素,氧氣的流量為10~30sccm,蒸鍍電流為80~120mA,蒸鍍速率為8~20kA /s。蒸鍍該第三膜層17的時間為1~10min。
可以理解的,所述第一膜層13及第二膜層15還可藉由真空蒸鍍及電弧電漿鍍等真空鍍膜的方式形成。
可以理解的,所述第三膜層17還可藉由真空濺鍍及電弧電漿鍍等真空鍍膜的方式形成。
所述第一膜層13呈白色,濺射形成於該第一膜層13表面的第二膜層15呈無色透明狀,蒸鍍形成於該第二膜層15表面的第三膜層17不僅呈無色透明狀還具有抗指紋性能,如此,所述第一膜層13、第二膜層15及第三膜層17結合使所述鍍膜件10呈現出如骨瓷般的外觀的同時還具有抗指紋效果。
10...鍍膜件
11...基體
13...第一膜層
15...第二膜層
17...第三膜層
100...真空鍍膜機
20...鍍膜室
30...第一真空泵
21...軌跡
22...第一靶材
23...第二靶材
24...第一氣源通道
200...真空蒸鍍機
210...蒸鍍腔
211...蒸發源
213...支承架
215...第二氣源通道
217...蒸發材料
230...第二真空泵
圖1為本發明一較佳實施例鍍膜件的剖視圖。
圖2為本發明一較佳實施例鍍膜件的製造方法中所用真空鍍膜機的示意圖。
圖3為本發明一較佳實施例鍍膜件的製造方法中所用真空蒸鍍機的示意圖。
圖4為本發明一較佳實施例鍍膜件的第三膜層表面掃描電鏡圖。
10...鍍膜件
11...基體
13...第一膜層
15...第二膜層
17...第三膜層
Claims (15)
- 一種鍍膜件,包括基體,其改良在於:該鍍膜件還包括依次形成於基體表面的白色的第一膜層、無色透明的第二膜層及無色透明且具有抗指紋效果的第三膜層;該第一膜層為一鋁、鋁合金、鋅或鋅合金膜層,該第二膜層主要由M、O及N三種元素組成,其中M為Al或Zn,該第三膜層為氧化鋁層或二氧化矽層。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中所述鋁合金或鋅合金膜層中,鋁或鋅的質量百分含量為80%~90%。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中所述第二膜層M、O及N元素的原子個數比為0.9~1.1:0.5~1:0.5~1。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中所述第二膜層M、O及N元素的原子個數比為1:1:1。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中該第一膜層的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標為85至91,a*座標為-0.5至0.5,b*座標為-0.5至0.5。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中該第二膜層主要由平均粒徑為10~30nm的奈米顆粒組成,第二膜層的粗糙度Ra為20~50nm。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中該鍍膜件於第三膜層表面的60°角光澤度為100~150;色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標為85至91,a*座標為-0.5至0.5,b*座標為-0.5至0.5。
- 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜件,其中所述第一膜層的厚度為0.4μm~1μm,第二膜層的厚度為50nm~200nm,第三膜層的厚度為0.5~1.5μm。
- 一種鍍膜件的製造方法,其包括如下步驟:
提供基體;
對所述基體的表面進行精拋處理;
採用真空鍍膜法,以鋁、鋁合金、鋅及鋅合金中的一種為靶材,在該基體上形成白色的第一膜層,該第一膜層為一鋁、鋁合金、鋅及鋅合金膜層;
採用真空鍍膜法,以鋁靶、鋁合金靶、矽靶及矽合金靶中的一種為靶材,以氧氣及氮氣為反應氣體,在該第一膜層上形成無色透明的第二膜層,該第二膜層主要由M、O及N三種元素組成,其中M為Al或Zn;
採用真空鍍膜法,以氧化鋁或二氧化矽為蒸發材料,以氧氣為補償氣體,在該第二膜層上形成無色透明的、具有抗指紋性能的第三膜層,該第三膜層為氧化鋁層或二氧化矽層。 - 如申請專利範圍第9項所述之鍍膜件的製造方法,其中所述精拋處理的方法為:提供一精拋機,所述精拋機包括一布輪,將含有氧化鋁粉末的懸浮狀水溶液塗覆在該布輪上,對所述基體的表面進行精拋,精拋的時間為10~15min。
- 如申請專利範圍第9項所述之鍍膜件的製造方法,其中用以形成所述第一膜層的靶材中,鋁合金靶或鋅合金靶中鋁或鋅的質量百分含量為80%~90%。
- 如申請專利範圍第9項所述之鍍膜件的製造方法,其中用以形成所述第二膜層的靶材中,鋁合金靶或矽合金靶中的鋁或矽的質量百分含量為80%~90%。
- 如申請專利範圍第9項所述之鍍膜件的製造方法,其中形成所述第一膜層的方法為:採用磁控濺射鍍膜法,設置鋁靶、鋁合金靶、矽靶或矽合金靶的功率為7~13kw,以氬氣為工作氣體,氬氣的流量為100~300sccm,施加於基體的偏壓為-100~-300V,鍍膜溫度為20~200℃,鍍膜時間為10~30min。
- 如申請專利範圍第9項所述之鍍膜件的製造方法,其中形成所述第二膜層的方法為:採用磁控濺射鍍膜法,設置鋁靶、鋁合金靶、矽靶或矽合金靶的功率為8~10kW,氧氣流量為50~200sccm,氮氣流量為80~300sccm,以氬氣為工作氣體,氬氣的流量為100~300sccm,施加於基體的偏壓為-100~-300V,鍍膜溫度為20~200℃,鍍膜時間為3~20min。
- 如申請專利範圍第9項所述之鍍膜件的製造方法,其中形成所述第三膜層的的工藝參數為:氧氣的流量為10~30sccm,蒸鍍電流為80~120mA,蒸鍍速率為8~20kA/s,溫度為50~100℃,蒸鍍時間為1~10min。
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