TW201303742A - Ｉｃ模組及ｉｃ卡 - Google Patents

Abstract

一種IC模組，其具有：基板，具有第一面及此第一面之相反面的第二面，且在前述第一面形成有用來與存取裝置連接之連接端子；IC晶片，組裝於前述第二面上，藉由引線接合與前述連接端子導通；及樹脂模，被覆前述IC晶片；在前述基板之厚度方向，從前述樹脂模之厚度減去前述IC晶片之厚度後的剩餘厚度係比前述IC晶片之厚度大。

Description

IC模組及IC卡

本發明為關於IC模組之發明。

本申請案係根據2011年4月12日於日本申請之特願2011-088190號主張優先權，將其內容引用於此。

安裝有IC模組之IC卡已為周知。比起以往安裝磁條的卡，IC卡具有記憶容量大且難以偽造的特徵。

IC卡的形狀係依ISO而規格化。例如，可將小於0.76mm之厚度的IC模組組裝於厚度尺寸制定為0.76mm的IC卡。一般的IC模組具備有：樹脂基板，其具有可與外部之存取裝置連接之接觸端子；IC晶片，組裝於樹脂基板上；及樹脂模，被覆IC晶片。

攜帶安裝有IC模組之IC卡時，會有因彎折或負載所產生的外力施加於IC模組的情形。一旦外力施加於IC模組而使IC模組損壞時，IC模組的機能便會受損。為防止IC模組破損，例如在專利文獻1至專利文獻9中，已揭示有可防止IC模組中之IC晶片破裂的構造。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開昭63-145093號公報

[專利文獻2]日本特開平2-188298號公報

[專利文獻3]國際公開第99/04367號說明書

[專利文獻4]日本特開2002-123809號公報

[專利文獻5]日本特開2004-264983號公報

[專利文獻6]日本特開2006-268718號公報

[專利文獻7]日本特開2006-18371號公報

[專利文獻8]日本特開2006-331198號公報

[專利文獻9]日本特開2007-1836號公報

專利文獻1至專利文獻9所揭示之各發明，為了防止IC模組中之IC晶片破裂，而具有補強IC晶片之手段。但是，實際詳細調查IC卡故障的原因後發現，大部分的原因不是IC晶片本身破損而是因樹脂模破損而斷線。

另外，近年來IC晶片因技術革新而小型化，故對IC卡施加外力時造成IC晶片破損的可能性比以往還低。對此，為了保有IC卡的互換性而將IC模組的連接端子的形狀、配置等規格化，故也難以將樹脂模小型化。

專利文獻1至9所記載的各個發明中，因為無法防止因樹脂模的破損所導致之斷線，故就用以防止IC模組故障的因應對策來說是不足的。

本發明係有鑑於上述情形而完成者，其目的在於提供故障發生頻率少的IC模組及IC卡。

為解決上述課題，本發明採用以下之手段。

關於本發明的一種樣態之IC模組，其係具有：基板，其具有第一面及此第一面之相反面的第二面，且在前述第一面形成有用來與存取裝置連接之連接端子；IC晶片，組裝於前述第二面上，藉由引線接合與前 述連接端子導通；樹脂模，被覆前述IC晶片；且在前述基板之厚度方向上，從前述樹脂模之厚度減去前述IC晶片之厚度後的剩餘厚度比前述IC晶片之厚度大。

上述之IC模組，亦可滿足下述式子。

在此，h₁為前述IC晶片之厚度，E₁為前述IC晶片之彈性模數，ha為前述樹脂模之厚度，E₂為前述樹脂模之彈性模數。

上述IC模組，亦可滿足下述式子。

在此，y₁為前述IC晶片之厚度，E₁為前述IC晶片之彈性模數，t為前述樹脂模之厚度，E₂前述樹脂模之彈性模數。

前述樹脂模係由含有熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及紫外線硬化性樹脂中至少任一者之均勻的混練材料所構成者較佳。

亦可前述IC晶片的楊氏模數比前述樹脂模的楊氏模數高。

關於本發明的一種樣態之IC卡係具有：IC模組；而該IC模組具有：基板，其具有第一面及此第一面之相反面的第二面，且在前述第一面形成有用來與存取裝置連 接之連接端子；IC晶片，組裝於前述第二面上，藉由引線接合與前述連接端子導通；樹脂模，被覆前述IC晶片；及樹脂基材，形成有供收納前述IC模組之具有底孔形狀的收納部；前述IC模組5係以前述樹脂模10與前述收納部2之底面對向的方式，被收納於前述收納部2；而在前述IC卡之厚度方向，從前述樹脂模之厚度與形成有前述收納部的區域之前述樹脂基材的厚度和，減去前述IC晶片之厚度後的剩餘厚度比前述IC晶片之厚度大。

上述IC卡亦可滿足以下式子。

在此，h₁為前述IC晶片的厚度，E₁為前述IC晶片的彈性模數，ha為前述樹脂模的厚度，E₂為前述樹脂模的彈性模數。

上述IC卡亦可滿足以下式子。

在此，y₁為前述IC晶片的厚度，E₁為前述IC晶片的彈性模數，t為前述樹脂模的厚度，E₂為前述樹脂模的彈性模數。

藉由上述本發明態樣之IC模組及IC卡，可減少IC模組發生故障的頻率。

[實施發明之形態] (第1實施形態)

說明關於本發明之第1實施形態的IC模組5及IC卡1。

圖1係表示IC卡1的平面圖。圖2係圖1之A-A線的剖面圖。

如圖1所示，IC卡1具備形成板狀的樹脂基材2與固定於樹脂基材2的IC模組5。

樹脂基材2係由例如熱可塑性樹脂等形成既定的形狀。樹脂基材2的形狀係因應IC卡1的使用目的而決定。IC卡的尺寸係藉由ISO等之規格團體而規格化。若以金融機關所使用的提款卡為例，樹脂基材2的形狀依照ISO/IEC7810或JIS X 6301等之規範，是寬度85.60mm、高度53.98mm、厚度0.76mm(760μm)。以下，以寬度85.60mm、高度53.98mm、厚度760μm的IC卡1之例進行說明。

如圖2所示，於樹脂基材2中形成有用來收納IC模組5的收納部3。樹脂基材2中之收納部3的位置，例如在上述之提款卡的情況下，被決定在後述連接端子7能夠配置於ISO 7816-2所定的位置。

在本實施形態中，收納部3具備例如，在樹脂基材2的第一面2a(以下將此面稱為「表面」。)具有矩形狀開口之有底孔形狀。收納部3之底部4，亦即，樹脂基材2中的形成收納部3的區域，係以樹脂基材2的第二面2b(以下將此面稱為「背面」。)能達到平坦的方式形成具有 足夠剛性的厚度。在本實施形態中，收納部3的底部4的厚度尺寸t4為100μm。在本實施形態中，形成於樹脂基材2的收納部3之深度尺寸d3係為，從樹脂基材2的厚度760μm減去底部4的厚度100μm後而得的660μm。IC模組5係以不會從深度660μm的收納部3之開口突出的方式收納於收納部3。

IC模組5具有：基板6，其用以與存取裝置連接的連接端子7形成於第一面6a；IC晶片8，組裝於基板6的第一面6a之相反側的第二面6b上，且藉由引線接合而與連接端子7導通；及樹脂模10，披覆IC晶片8。

基板6係包含玻璃環氧樹脂基板、聚醯亞胺基板或引線框架等的配線基板。基板6可適當選擇使用單面基板、雙面基板或多層基板等周知的構造。基板6的厚度尺寸t6係可因應樹脂基材2的厚度尺寸t2與基板6所需的強度而適當設定。本實施形態中，基板6的厚度尺寸t6為160μm。形成於基板6的各連接端子7的位置及面積係依據ISO 7816-2所定的尺寸而設定。在各連接端子7的表面係藉由鎳、金、或銀鍍敷，或是將鈀等蒸鍍於各連接端子7之表面。各連接端子7係與金屬線9的一端接合。金屬線9係為了藉由引線接合連接各連接端子7及IC晶片8而使用。

IC晶片8藉由接著劑或黏著劑固定於基板6。IC晶片8具備具有未圖示之電路部及端子部的矽晶圓。IC晶片8的電路部具備：輸出輸入手段，對存取裝置進行資訊或訊號的輸出輸入；記憶手段，記憶從存取裝置輸出的資訊。IC晶片8的端子部係用來電性連接電路部及各連接端 子7的端子。供引線接合用的金屬線9之另一端係與IC晶片8的端子部接合。

金屬線9的材料可採用例如金、銀、銅、鋁等。

組裝於基板6上的IC晶片8之尺寸(以下將此尺寸稱為「IC晶片8的厚度尺寸t8」。)在基板6的厚度方向為200μm以下。另外，在IC晶片8產生彎曲應力的情況下，IC晶片8因其厚度尺寸t8愈小愈容易撓曲，故難以破裂。在樹脂模的厚度尺寸為440μm的情況下，IC晶片8的厚度尺寸t8較佳為例如小於220μm。另外，IC晶片8的厚度尺寸t8更佳為139μm以下更佳，最佳為105μm以下。

再者，當IC晶片8受到衝撃等外力時，IC晶片8在基板6的第二面6b的組裝面積愈小且IC晶片8的體積愈小，IC晶片8愈不易破裂。IC晶片8的體積愈小，從1片晶圓可得到的IC晶片8的數量愈多，而且IC晶片8良率也愈高。例如，IC晶片8的組裝面積係以一邊約10mm²以下為佳。另外，IC晶片8的體積較佳約2mm³以下。再者，於本實施形態中，從基板6的厚度方向看時，組裝於基板6上的IC晶片8為2.5mm四方之正方形。

樹脂模10係由含有熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及紫外線硬化性樹脂當中至少一者的混練材料所構成的絕緣體。

樹脂模10形成為完全披覆IC晶片8及金屬線9。IC模組5係以樹脂模10與收納部3的底面相對向的方式被收納於收納部3。在本實施形態中，固定於基板6的樹脂模10其在基板6的厚度方向尺寸(以下，將此尺寸稱為「樹脂 模10的厚度尺寸t10」。)為440μm以下。另外，從樹脂模10的厚度尺寸t10減去IC晶片8的厚度尺寸t8之樹脂模10後的剩餘厚度t10a係比IC晶片8的厚度尺寸t8大。

樹脂模10係藉由例如轉注成形法(transfer molding method)模、罐封法及印刷法等設置於基板6上，以密封IC晶片8及金屬線9。再者，也可適當採取使用樹脂模10來密封IC晶片8的其他方法。

IC模組5在基板6的厚度方向上之尺寸(以下將此尺寸稱為「IC模組5的厚度尺寸t5」。)，係為樹脂模10的厚度尺寸t10與基板6的厚度尺寸t6的和。即，在本實施形態中，IC模組5的厚度尺寸t5為600μm。被收納於深度尺寸d3為660μm的收納部3之IC模組5的連接端子7與樹脂基材2的表面係位在同一面上。另外，收納部3的底3a與樹脂模10之間有60μm的間隙。再者，滿足樹脂模10的剩餘厚度t10a比IC晶片8的厚度尺寸t8大之條件時，IC模組5的厚度尺寸t5亦可未滿600μm。

IC晶片8的厚度尺寸t8與樹脂模10的剩餘厚度t10a之間的關係如以下所詳述，可由使IC晶片8及樹脂模10的撓曲量相同的觀點來決定。以下說明關於使IC晶片及樹脂模的撓曲量相同的條件。

單純的樑之撓曲量係因負荷施加於樑的方式而異。例如，固定長度l、厚度h、深度b之樑的一端(懸臂)且在另一端施加負荷P(集中負荷)時，其撓曲量V如以下所示。

又，例如，固定長度l、厚度h、深度b之樑的兩端(兩端支持)且對遍及樑的全長均等地施加負荷P(等分布負荷)時，其撓曲量V如以下所示。

如上述，其撓曲量係根據對樑施加負荷的方式(懸臂/兩端支持、集中負荷/等分布負荷)而相異。但是，在積層體La中使IC晶片及樹脂模的撓曲量成為相同的條件並非依據對積層體La施加負荷的方式。對於由厚度尺寸h1、彈性模數E1的IC晶片及厚度尺寸h2、彈性模數E2的樹脂模所構成之總厚度ha、長度la的積層體La施加彎曲負荷時，IC晶片及樹脂模的撓曲量相同的條件，係以下述式(3)表示。

針對h1解出上述式(3)，可導出下述式(4)。

IC晶片的厚度尺寸h1滿足上述式(4)時，可抑制因IC晶片及樹脂模的撓曲量的差異所產生的IC晶片/樹脂模界面之破損。

接著，如圖2之例示，於實際的IC模組5中IC晶片8披覆於樹脂模10，在IC模組5的基板6的面中，IC晶片8 的面積比樹脂模10的面積小。因此，在IC晶片8的撓曲量比樹脂模10的撓曲量大的情況下，也能得到抑制IC晶片/樹脂模界面之破損的效果。

綜上所述，滿足下述式(5)時，即能抑制因IC晶片及樹脂模的撓曲量之差異所產生的IC晶片/樹脂模界面之破損。

以滿足上述式(4)及式(5)的IC模組5為例，在使用彈性模數E1為170GPa的IC晶片及彈性模數E2為16.6GPa的樹脂模之總厚度415μm的IC模組中，為了使IC晶片及樹脂模的撓曲量相同，IC晶片的厚度尺寸h1為大約131μm。另外，相當於上述的剩餘厚度t10a之樹脂模的厚度尺寸h2為284μm。

IC晶片8的厚度尺寸t8與樹脂模10的剩餘厚度t10a之間的關係如以下所詳述，可從在IC晶片8及樹脂模10的2層積層體之中立面使IC晶片8及樹脂模10之間的交界面一致的觀點來決定。所謂某種材料的中立面係指材料對於彎曲不發生伸縮的地方，即，不產生拉伸應力及壓縮應力的地方。以下，針對IC晶片及樹脂模之間的界面與中立面一致的條件作說明。

如圖8所示，設樑的上面為y=0，中立面在y=y₀的位置，樑的下面在y=t的位置，彎曲的曲率中心O在y=-ρ的 位置。考量於點a、b、c、d所規定的微小領域中之微小變形。

如圖8所示之中立面上的2點a、b之間的圓弧的長度ab為(ρ+y₀)dθ。另外，與中立面平行的面上之2點c、d之間的圓弧之長度cd為(ρ+y)dθ。點c位在連接曲率中心O及點a之2點的直線上，點d位在連接曲率中心O及點b之2點的直線上。另外，y位在樑的厚度方向之任意位置。

產生於微小圓弧cd之撓曲ε用以下的式子表示。

因此，樑的彈性模數設為E時，產生於微小圓弧cd的應力σ係以下列的式子表示。

將應力σ在樑的厚度方向全體範圍積分而得值為零，因此以下的式子成立。

在此，針對由厚度尺寸y₁、彈性模數E₁之IC晶片、及厚度尺寸y₂、彈性模數E₂之樹脂模所構成之總厚度t的積層體Lb，適用上述式(8)時，可得到以下的式子。

在上述式(9)中，在y₀=y₁的情況下，即，在IC晶片下面/樹脂模界面與中立面一致時，y₁以如下的式子表示。

IC晶片的厚度尺寸y₁滿足上述式(10)時，可抑制IC晶片下面/樹脂模界面中因彎曲應力所產生的破損。

再者，再將IC晶片的厚度尺寸作得更小，且IC晶片下面/樹脂模界面比中立面更接近曲率中心的情況下，會有壓縮應力施加於IC晶片下面/樹脂模界面，而非拉伸應力。此情況下，不會發生因IC晶片下面/樹脂模界面之拉伸應力所致樹脂模等之破損。因此，在IC晶片下面/樹脂模界面比中立面更接近曲率中心的情況下，也可得到抑制在IC晶片下面/樹脂模界面中因彎曲應力所產生的破損之效果。

綜上所述，滿足下列式(11)時，即可抑制因IC晶片下面/樹脂模界面與中立面的位置關係所導致IC晶片下面/樹脂模界面之破損。

以滿足上述式(10)及(11)之IC模組5為例，在使用彈性模數E1為170GPa的IC晶片及彈性模數E2為16.6GPa的樹脂模之總厚度t=415μm的積層體Lb中，IC晶片的厚度y1約為100μm。另外，相當於上述的剩餘厚度t10a之樹脂模的厚度t-y₁約為315μm。

且，相當於上述的剩餘厚度t10a之樹脂模的厚度為600μm以下，較佳為400μm以下。因IC模組的基板的厚度為100~200μm，IC晶片的厚度為數十μm~200μm，因此 當樹脂模的厚度比600μm大時，IC卡的厚度成為未收在JIS規格的IC卡之厚度760μm。根據IC模組的基板之厚度或IC晶片的厚度，樹脂模的厚度比400μm更大時，IC卡的厚度成為未收在JIS規格的IC卡之厚度760μm。

說明以上述所說明之構成的IC模組5的作用。圖3係表示對安裝有以往的IC模組的IC卡施加外力的狀態之模式圖。圖4係表示對本實施形態之IC模組5施加外力的狀態之模式圖。

一般來說，IC卡會收納於錢包或卡閘內。另外，收納有IC卡的錢包或卡閘會有例如收納於褲子的口袋而攜帶的情形。當在錢包或卡閘收納於褲子的口袋的狀態下坐在椅子上等情況下，IC卡有可能會有因過度負荷，而如圖3及圖4所示使IC卡產生彎曲的情況。攜帶者的體重和其他外力傳至IC模組的樹脂模時，樹脂模便會產生彎曲應力。

圖3所示之以往的IC模組105中，會在樹脂模(以符號110表示)產生從IC晶片108的周緣往IC晶片108的厚度方向延伸之龜裂。此乃因IC晶片108與樹脂模110的硬度不同所致。例如在IC晶片108的材質為矽(Si)的情況下，IC晶片108的楊氏模數在170GPa左右。在樹脂模110的材質為一般使用的熱硬化樹脂的情況下，樹脂模110的楊氏模數在17GPa左右。

即，在IC晶片108與樹脂模110中，與彎曲應力對應的撓曲量之大小完全不同。即，比起較硬的IC晶片108，較軟的樹脂模110會產生較大的撓曲。

可認為由於IC晶片108與樹脂模110的撓曲量之差，會從IC晶片108與樹脂模110之界面產生龜裂。

對以往的IC卡101施加強力外力或重複施加外力的情況下，於上述界面產生的龜裂會在樹脂模110成長而到達密封在樹脂模110內的接合引線109。當龜裂到達接合引線109時，便會產生因在樹脂模110的龜裂面中之分離或偏移而使接合引線109碎裂的情況。

相對於此，在圖4所示之本實施形態的IC卡1中，樹脂模10的剩餘厚度t10a比IC晶片8的厚度大。若單純考慮相對於上述彎曲應力的撓曲量時，是由硬度(楊氏模數)及厚度所支配。即，以愈硬的IC晶片8的厚度愈薄，愈軟的樹脂模10的厚度愈厚之IC卡1來說，兩者的撓曲量之差可成為比以往的IC卡小。因此，比起以往的IC卡更不易因外力而在樹脂模10產生龜裂。樹脂模10不產生龜裂則接合引線亦不會碎裂而能維持IC模組5的功能。

在本實施形態的IC卡1中，IC晶片8的厚度尺寸t8薄且如上述不易於樹脂模10產生龜裂，因而可壓低金屬線9斷線的可能性。因此，IC晶片8不會破損而IC模組5的功能損壞的可能性也比以往的IC模組105低。再者，在本實施形態的IC卡1中，對樹脂模10施加會發生如上述之產生龜裂的外力之情況時，IC晶片8本身有可能破裂。

如以上所說明，依據本實施形態之IC模組5及IC卡1，可降低在IC模組5中發生故障的頻率。

另外，亦可為了補強樹脂模而於樹脂模組裝補強板等。如本實施形態之樹脂模10係由含有熱可塑性樹脂、 熱硬化性樹脂及紫外線硬化性樹脂中至少任一者之均勻的混練材料所構成的情況下，不須考慮樹脂模與補強板剝離的可能性，因此，可壓低在IC模組5中的故障發生率因每個IC卡或使用條件的不同所產生的偏差。

(第2實施形態)

接著，說明關於本發明之第2實施形態的IC卡1A。在本實施形態中，對與上述之第1實施形態中已說明之構成要素相同之構成要素賦與相同的符號，省略重複說明。圖5係表示本實施形態之接觸式IC卡的圖，選擇沿著與圖1之A-A線相同的線之剖面圖。

如圖5所示，本實施形態的IC卡1A係由在收納部3的底部4，即，收納部3在樹脂基材2當中形成的領域補強樹脂模10的這點上與上述的第1實施形態之IC卡1不同。

IC卡1A為，在由單層或複數層所構成的樹脂基材2之厚度方向中依序積層收納部3的底部4、樹脂模10、IC晶片8及基板6。即，IC模組5係以樹脂模10與收納部3的底面相對向的方式收納於收納部3。在本實施形態中，樹脂模10密接於收納部3的底部4。例如，在樹脂模10的一面塗布接著劑，將塗布接著劑的面貼合於收納部3的底面，而可將樹脂模10固定於收納部3。

收納部3的底部4之厚度尺寸t4係能以IC模組5不自樹脂基材2的表面突出之方式將IC模組5收納於收納部3內，且設定為不損及IC卡1A背面之美觀的值即可。例如，收納部3的底部4之厚度尺寸t4係可從100μm以上未滿160μm的範圍來選擇。在厚度760μm的IC卡1A中，IC模組 5的厚度尺寸t5為未滿600μm的情況下，收納部3的底部4之厚度尺寸t4為160μm以上。底部4的厚度尺寸t4係以IC卡1A的厚度不超過760μm來決定。

在IC卡1A的厚度方向，從樹脂模10的厚度與底部4的厚度之和減去IC晶片8的厚度後之剩餘厚度t10aA係比IC晶片8的厚度大。

在本實施形態中，藉由固定收納部3的底部4與樹脂模10，樹脂模10能因收納部3的底部4而補強。因此，即使對IC卡1A施加彎曲或衝撃等外力，樹脂模10也與第1實施形態同樣不易破裂。另外，在IC卡1A中，樹脂模10因收納部3的底部4而被補強，所以即使樹脂模10的厚度尺寸t10做成比上述之第1實施形態還小，只要滿足剩餘厚度t10aA比IC晶片8的厚度大之關係，就能得到與第1實施形態的IC卡1同等的效果。

再者，藉由將天線線圈形成於使用於IC卡的樹脂基材或將形成天線的其他天線薄片積層於IC卡，且藉由將天線與安裝於IC卡上之上述實施形態之IC模組5連接，可得到所謂能進行接觸式通訊與非接觸式通訊之二元IC卡。

接著，根據以下所示的各實施例更加詳細地說明本發明之上述實施形態的IC模組及IC卡。

下述IC模組中的樹脂模之剩餘厚度與IC晶片的厚度尺寸之關係，在各實施例及比較例之間各不相同。使用這些IC模組來調查樹脂模的剩餘厚度及IC晶片的厚度尺寸與樹脂模發生龜裂之間的關係。具體而言，製造滿足 下述尺寸條件的IC模組，將各IC模組各自固定於樹脂基材的收納部而製造IC卡。對所製造的各IC卡進行線壓評價測試。圖6及圖7係表示線壓評價測試的結果之圖表。

<尺寸條件> (實施例1)

IC模組的厚度尺寸：540μm

基板的厚度尺寸：160μm

IC晶片的厚度尺寸：150μm

樹脂模的厚度尺寸：380μm

樹脂模的剩餘厚度：230μm

(實施例2)

IC模組的厚度尺寸：540μm

基板的厚度尺寸：160μm

IC晶片的厚度尺寸：180μm

樹脂模的厚度尺寸：380μm

樹脂模的剩餘厚度：200μm

(實施例3)

IC模組的厚度尺寸：575μm

基板的厚度尺寸：159μm

IC晶片的厚度尺寸：80μm

樹脂模的厚度尺寸：416μm

樹脂模的剩餘厚度：336μm

(實施例4)

IC模組的厚度尺寸：575μm

基板的厚度尺寸：159μm

IC晶片的厚度尺寸：100μm

樹脂模的厚度尺寸：416μm

樹脂模的剩餘厚度：316μm

(實施例5)

IC模組的厚度尺寸：575μm

基板的厚度尺寸：159μm

IC晶片的厚度尺寸：130μm

樹脂模的厚度尺寸：416μm

樹脂模的剩餘厚度：286μm

(實施例6)

IC模組的厚度尺寸：575μm

基板的厚度尺寸：159μm

IC晶片的厚度尺寸：185μm

樹脂模的厚度尺寸：416μm

樹脂模的剩餘厚度：231μm

(實施例7)

IC模組的厚度尺寸：575μm

基板的厚度尺寸：159μm

IC晶片的厚度尺寸：250μm

樹脂模的厚度尺寸：416μm

樹脂模的剩餘厚度：166μm

(比較例1)

IC模組的厚度尺寸：540μm

基板的厚度尺寸：160μm

IC晶片的厚度尺寸：210μm

樹脂模的厚度尺寸：380μm

樹脂模的剩餘厚度：170μm

<線壓評價測試>

從IC卡的厚度方向觀看時，在與IC晶片的4邊中之1邊平行且與IC晶片間隔1mm左右的直線(在圖1中以符號X表示。以下稱為「第一直線X」。)上按壓IC卡的表面，計算樹脂模產生龜裂時的負荷。另外，關於用上述尺寸條件所製造的其他安裝有IC模組的IC卡，則在從IC卡的厚度方向觀看時，與第一直線X正交且與IC晶片間隔1mm左右的直線(在圖1中以符號Y表示。以下稱為「第二直線Y」。)上按壓IC卡的表面，計算在樹脂模產生龜裂時的負荷。

<結果>

如圖6及圖7所示，實施例1、2及比較例1的線壓評價測試的結果係表示，樹脂模的剩餘厚度比IC晶片的厚度尺寸大時，要使樹脂模發生龜裂所需的負荷亦變大。

依照上述結果，可知如實施例1所示，將樹脂模的剩餘厚度作成比IC晶片的厚度尺寸大，使樹脂模及IC晶片的撓曲量接近，藉此即能壓低在樹脂模發生龜裂的可能性。亦即，可知藉由將樹脂模的剩餘厚度做成比IC晶片的厚度尺寸還大，即能降低IC模組發生故障的頻率。

圖9及圖10係表示，關於使用實施例3~7的IC模組之各IC卡的線壓評價測試結果。在實施例3~7的IC模組中，樹脂模的厚度尺寸雖是固定，但IC晶片的厚度尺寸並不相同，其分別為80、100、130、185、250μm。

另外，以表1表示關於實施例3~7的IC模組，在IC晶片/樹脂模界面中樹脂模發生龜裂的次數，亦即，在IC晶片/樹脂模界面中樹脂模損壞的次數。

根據圖9及圖10的結果，得知有IC晶片的厚度尺寸愈小，即，樹脂模的剩餘厚度愈大，使樹脂模產生龜裂所需的負荷有愈大的傾向。另外，根據表1可知，以實施例5(IC晶片的厚度尺寸：130μm)為分界，IC晶片/樹脂模界面的損壞次數急遽減少，在實施例4(IC晶片的厚度尺寸：100μm)中，在相同界面的損壞次數更減少。即，可知IC晶片的厚度尺寸為130μm以下時不易發生在IC晶片/樹脂模界面的破損，更甚者，IC晶片的厚度尺寸為100μm以下時，破壞模式變化因而更不易發生在界面的破損。

更具體言之，實施例5的IC模組滿足上述式(4)。即，實施例5的IC模組係建構成IC晶片及樹脂模之撓曲量為相同。因此，可認為在實施例5的IC模組中，更能抑制因IC晶片及樹脂模撓曲量之差異所導致在IC晶片/樹脂模界面的損壞。

再者，如圖2所例示，IC模組5中，IC晶片8被樹脂模10所披覆，於IC模組5的基板6之面中，IC晶片8的面積比樹脂模10的面積小。因此，即使在IC晶片8的撓曲量比樹脂模10的撓曲量大的情況下，也能獲得抑制在IC晶片/樹脂模界面之損壞的效果。

根據以上說明，可認為在實施例3~7的IC模組中，於IC晶片的厚度尺寸為130μm以下之實施例3~5的IC模組中，更能抑制因IC晶片及樹脂模的撓曲量之差異所導致在IC晶片下面/樹脂模界面的損壞。

實施例4的IC模組為，滿足上述式(10)。即，實施例4的IC模組係建構成IC晶片及樹脂模間的界面與中立面呈一致。因此，可認為在實施例4的IC模組中，更能抑制在IC晶片下面/樹脂模界面之彎曲應力所致之破損。

再者，IC晶片的厚度尺寸做得較小，在IC晶片下面/樹脂模界面比中立面更接近曲率中心的情況下，會有壓縮應力施加於IC晶片下面/樹脂模界面，而非拉伸應力。此情況下，不會產生在IC晶片下面/樹脂模界面中因拉伸應力所造成之樹脂模等的破裂。因此，在IC晶片下面/樹脂模界面比中立面更接近曲率中心的情況下，可得到抑制在IC晶片下面/樹脂模界面因彎曲應力而造成的破損之效果。

由以上說明可認為，在實施例3~7的IC模組中，於IC晶片的厚度尺寸為100μm以下之實施例3及4的IC模組中，更可抑制在IC晶片下面/樹脂模界面因彎曲應力而產生的破損。

以上，雖參照圖示詳述關於本發明之實施形態，但具體之構成不限於上述實施形態，亦包含不超脫本發明要旨範圍的設計之變更等。

[產業上之可利用性]

可提供故障發生頻率少的IC模組及IC卡。

1、1A‧‧‧IC卡

2‧‧‧樹脂基材

3‧‧‧收納部

4‧‧‧底部

5‧‧‧IC模組

6‧‧‧基板

7‧‧‧連接端子

8‧‧‧IC晶片

9‧‧‧金屬線

10‧‧‧樹脂模

圖1係關於本發明之第1實施形態之安裝有IC模組之IC卡的平面圖。

圖2係圖1中A-A線的剖面圖。

圖3係表示施加外力於以往之安裝有IC模組的IC卡之狀態的模式圖。

圖4係表示施加外力於同一實施形態的IC模組之狀態的模式圖。

圖5係表示本發明之第2實施形態的IC卡的圖，其係選擇沿著與圖1的A-A線相同的線之剖面圖。

圖6係表示本發明之實施例及比較例中線壓評價測試之結果的圖表。

圖7係表示本發明之實施例及比較例中線壓評價測試之結果的圖表。

圖8係說明承受彎曲負荷的樑之曲率中心及中立面的說明圖。

圖9係表示本發明之實施例3~7中線壓評價測試之結果的圖表。

圖10係表示本發明之實施例3~7中線壓評價測試之結果的圖表。

2‧‧‧樹脂基材

2a‧‧‧第一面

2b‧‧‧第二面

3‧‧‧收納部

4‧‧‧底部

5‧‧‧IC模組

6‧‧‧基板

6a‧‧‧第一面

6b‧‧‧第二面

7‧‧‧連接端子

8‧‧‧IC晶片

9‧‧‧金屬線

10‧‧‧樹脂模

Claims (8)

1. 一種IC模組，具有：基板，其具有第一面及此第一面之相反面的第二面，且在前述第一面形成有用來與存取裝置連接之連接端子；IC晶片，組裝於前述第二面上，藉由引線接合與前述連接端子導通；樹脂模，被覆前述IC晶片；及在前述基板之厚度方向上，從前述樹脂模之厚度減去前述IC晶片之厚度後的剩餘厚度係比前述IC晶片之厚度大。
2. 如申請專利範圍第1項之IC模組，其係滿足以下式子， 在此，h₁為前述IC晶片的厚度，E₁為前述IC晶片的彈性模數，ha為前述樹脂模的厚度，E₂為前述樹脂模的彈性模數。
3. 如申請專利範圍第1項之IC模組，其係滿足以下式子， 在此，y₁為前述IC晶片的厚度，E₁為前述IC晶片的彈性模數，t為前述樹脂模的厚度，E₂為前述樹脂模的彈性模數。
4. 如申請專利範圍第1項之IC模組，其中前述樹脂模係由含有熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及紫外線硬化性樹脂中至少任一者之均勻的混練材料所構成。
5. 如申請專利範圍第1項之IC模組，其中前述IC晶片之楊氏模數比前述樹脂模之楊氏模數高。
6. 一種IC卡，其具有：IC模組；該IC模組具有：基板，其具有第一面及此第一面之相反面的第二面，且在前述第一面形成有用來與存取裝置連接之連接端子；IC晶片，組裝於前述第二面上，藉由引線接合與前述連接端子導通；樹脂模，被覆前述IC晶片；及樹脂基材，形成有供收納前述IC模組之具有底孔形狀的收納部；前述IC模組5係以前述樹脂模10與前述收納部2之底面對向的方式，被收納於前述收納部2，在前述IC卡之厚度方向，從前述樹脂模之厚度與形成有前述收納部的區域之前述樹脂基材的厚度和，減去前述IC晶片之厚度後的剩餘厚度係比前述IC晶片之厚度大。
7. 如申請專利範圍第6項之IC卡，其係滿足以下式子， 在此，h₁為前述IC晶片的厚度，E₁為前述IC晶片的彈性模數，ha為前述樹脂模的厚度，E₂為前述樹脂模的彈性模數。
8. 如申請專利範圍第6項之IC卡，其係滿足以下式子， 在此，y₁為前述IC晶片的厚度，E₁為前述IC晶片的彈性模數，t為前述樹脂模的厚度，E₂為前述樹脂模的彈性模數。