TW201301390A - 進行蝕刻時利用頻譜以使射頻切換與氣體切換兩者同步 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層之方法。提供光學定時沉積階段，其包含供給沉積階段氣體之流量、偵測電漿處理腔室內沉積氣體的存在、供給射頻能量以在電漿處理腔室中自沉積階段氣體形成電漿、以及停止進入電漿處理腔室的沉積氣體之流量。提供光學定時蝕刻階段，包含供給蝕刻氣體之流量、偵測電漿處理腔室內蝕刻氣體的存在、供給射頻能量以在電漿處理腔室中自蝕刻氣體形成電漿、以及停止進入電漿處理腔室的蝕刻氣體之流量。
Description
本發明係關於一種藉由蝕刻蝕刻層而在半導體晶圓上獲得結構之方法。
在於基板上形成半導體裝置的過程中，蝕刻層受到蝕刻。蝕刻層可為基板的一部份或基板上的一層。蝕刻可發生在電漿處理腔室中。
為了達成前述事項並依據本發明之目的，本發明提供一種在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層之方法。提供光學定時(optically timed)沉積階段，其包含供給沉積階段氣體之流量、偵測電漿處理腔室內沉積氣體的存在、供給射頻能量以在電漿處理腔室中自沉積階段氣體形成電漿、以及停止進入電漿處理腔室的沉積氣體之流量。提供光學定時蝕刻階段，包含供給蝕刻階段氣體之流量、偵測電漿處理腔室內蝕刻氣體的存在、供給射頻能量以在電漿處理腔室中自蝕刻氣體形成電漿、以及停止進入電漿處理腔室的蝕刻氣體之流量。
在本發明的另一表現形式中，提供一種在電漿處理腔室中提供光學定時氣體調節半導體製程之方法，其包含複數循環，其中每一循環包含第一光學定時階段及第二光學定時階段。
在本發明的另一表現形式中，提供一種用以蝕刻蝕刻層之設備。提供電漿處理腔室，其包含形成電漿處理腔室封閉體之腔室壁、在電漿處理腔室封閉體內用以支撐晶圓之基板支座、調節電漿處理腔室封閉體中壓力之壓力調節器、供給電力至電漿處理腔室封閉體以維持電漿之至少一電極、提供氣體進入電漿處理腔室封閉體之進氣口、以及用以從電漿處理腔室封閉體排出氣體之排氣口。光譜計係裝設在適當位置以量測來自電漿處理腔室內部
的光。至少一射頻電源電性連接至該至少一電極。氣體源係與進氣口流體連接，並且包含沉積氣體源和蝕刻氣體源。控制器係可控制地連接至氣體源、光譜計、以及上述之至少一射頻電源。控制器包含至少一處理器及電腦可讀媒體。電腦可讀媒體包含用以蝕刻蝕刻層之電腦可讀碼，其包含複數循環，其中每一循環包含提供光學定時沉積階段之電腦可讀碼，其包含供給沉積氣體之流量之電腦可讀碼、使用光譜計以偵測電漿處理腔室內沉積氣體的存在之電腦可讀碼、供給射頻能量以在電漿處理腔室中自沉積氣體形成電漿之電腦可讀碼、及停止進入電漿處理腔室的沉積氣體之流量之電腦可讀碼；以及提供光學定時蝕刻階段之電腦可讀碼，其包含供給蝕刻氣體之流量之電腦可讀碼、使用光譜計以偵測電漿處理腔室內蝕刻氣體的存在之電腦可讀碼、供給射頻能量以在電漿處理腔室中自蝕刻氣體形成電漿之電腦可讀碼、及停止進入電漿處理腔室的蝕刻氣體之流量之電腦可讀碼。
本發明的這些和其他特徵將在以下的詳細發明說明中及結合以下圖式更加詳述。
此刻將參考幾個如附圖所示之本發明的較佳實施例來詳細地描述本發明。在下面敘述中，為了提供對本發明徹底的瞭解，而提出許多具體細節。然而，對於熟悉本技藝者將顯而易見，本發明可在不具有這些具體細節之部份或全部者的情形下加以實施。在其他情況下，為了不非必要地模糊本發明，故已不詳細地描述熟知的製程步驟及/或結構。
圖1係本發明之實施例的高階流程圖。在此實施例中，圖形化遮罩係形成在基板上的蝕刻層之上(步驟104)。蝕刻層可為基板的一部分(例如矽晶圓的矽層)、或者可為基板之上的一層(例如介電或導電層)。基板上方之蝕刻層係置於電漿處理腔室中(步驟108)。蝕刻層受到光學定時氣體調節循環蝕刻(步驟112)。光學定時氣體調節循環蝕刻包含複數循環，其中每一循環包含光學
定時層沉積階段(步驟116)以及光學定時蝕刻階段(步驟120)。晶圓接著自電漿處理腔室移開(步驟124)。
在本發明之一較佳實施例中，待蝕刻之特徵部係直通半導體晶圓穿孔(TSVs，through semiconductor wafer vias)。在本實施例中，遮罩係圖形化於矽晶圓上之光阻遮罩(步驟104)。圖2A係矽晶圓208之橫剖面示意圖，其上已形成圖形化有機遮罩204。如抗反射塗層(ARC，antireflective coating)的一或更多中間圖形化層可配置在矽晶圓(基板)208和圖形化有機遮罩204之間以改善遮罩圖形化製程。
基板係置於處理工具中(步驟108)。圖3示意性地說明依據本發明之一實施例的電漿處理系統300之範例，其可用以執行蝕刻矽晶圓之製程。電漿處理系統300包含其中具有電漿處理腔室304之電漿反應器302。由匹配網路308調整之電漿電源供應306供應電力至位於電力窗口312附近之TCP線圈310，以在電漿處理腔室304中產生電漿314。TCP線圈310(上電源)可配置成在電漿處理腔室304內部產生均勻的擴散曲線。例如，可將TCP線圈310配置成在電漿314中產生環形電力分佈。電力窗口312係設置成分隔TCP線圈310和電漿處理腔室304，同時允許能量從TCP線圈310傳到電漿處理腔室304。由匹配網路318調整之晶圓偏壓電源供應316提供電力至電極320以設定由電極320支撐之晶圓322上的偏壓。控制器324設定電漿電源供應306及晶圓偏壓電源供應316之操作點。
電漿電源供應306及晶圓偏壓電源供應316可配置成在特定的射頻操作，例如13.56MHz、27MHz、2MHz、400kHz、或其組合。為了達到期望的製程效能，電漿電源供應306及晶圓偏壓電源供應316可適當地按照尺寸製作以供應一範圍之電力。例如，在本發明之一實施例中，電漿電源供應306可供應範圍在300至10000Watts中之功率，且晶圓偏壓電源供應316可供應範圍在10至1000V中之偏壓。此外，TCP線圈310及/或電極320可由二或更多的次線圈或次電極組成，其可由單一電源供應供電或由複數
電源供應供電。
如圖3所示，電漿處理系統300更包含氣體源/氣體供應機構330。氣體源330包含沉積階段氣體源332、蝕刻階段氣體源334、以及選擇性地包含附加氣體源336。氣體源332、334、及336係透過如噴淋頭340之進氣口而與電漿處理腔室304流體連接。進氣口可位於電漿處理腔室304中任何有利的位置，並且可採取任何的方式注入氣體。然而較佳地，可將進氣口配置成產生“可調整(tunable)”之氣體注入曲線，其允許流至電漿處理腔室304中複數區域的各別氣體流之單獨調整。製程氣體及副產物係經由壓力控制閥342和泵344自電漿處理腔室304移除，其中壓力控制閥342和泵344也用以維持電漿處理腔室304內特定的壓力。氣體源/氣體供應機構330係由控制器324控制。Lam Research Corp.之2300 Syndion可用以實施本發明之實施例，而且將光學窗口352增加於此裝置上。光譜計356係裝設於適當位置以測量來自電漿通過光學窗口352的光線。來自光譜計356的輸出係供予控制器。
圖4顯示電腦系統400之高階方塊圖，其中該電腦系統400適用於實施用在本發明之實施例中的控制器324。此電腦系統可具有從積體電路、印刷電路板、及小型手持裝置以至於大型超級電腦的許多實體形式。電腦系統400包含一或更多處理器402，且更可包含電子顯示裝置404(用於顯示圖表、文字、和其他資料)、主記憶體406(例如隨機存取記憶體(RAM))、儲存裝置408(例如硬式磁碟機)、可卸除式儲存裝置410(例如光碟機)、使用者介面裝置412(例如鍵盤、觸控螢幕、按鍵、滑鼠、或其他指向裝置等等)、以及通信介面414(例如無線網路介面)。通信介面414允許軟體及資料通過連結在電腦系統400和外部裝置之間傳輸。此系統也可包含上述裝置/模組所連接之通信基礎設施(communication infrastructure)416(例如通信匯流排、交越帶(crossover bar)、或網路)。
透過通信介面414傳輸的資訊可為如電子、電磁、光學、或其他可經由通信連結而由通信介面414接收之信號的信號形
式，該通信連結傳送信號且可使用電線或電纜、光纖、電話線、行動電話連結、射頻連結、及/或其他通信通道實施。藉由如此的通信介面，預期一或更多之處理器402在執行上述方法步驟的過程中，可從網路接收資訊、或可輸出資訊到網路。此外，本發明之方法實施例可僅在此處理器上執行、或可在例如網際網路之網路上連同分享處理之一部分的遠端處理器來執行。
用語“非暫時性電腦可讀媒體(non-transient computer readable medium)”一般用於指示如主記憶體、輔助記憶體、可卸除式儲存器、以及儲存裝置(如硬式磁碟機、快閃記憶體、磁碟機記憶體、CD-ROM、以及其他形式之永久記憶體)，且不應理解為涵蓋例如載波或信號之短暫性標的物。電腦碼的範例包括：諸如由編譯器產生之機器碼、以及含有由電腦使用直譯器執行的較高階編碼之檔案。電腦可讀媒體亦可為藉由體現在載波中之電腦資料信號傳送並代表被處理器執行之指令序列之電腦碼。
蝕刻層係受到光學定時氣體調節循環蝕刻(步驟112)。光學定時氣體調節循環蝕刻包含複數循環，其中每一循環包含光學定時層沉積階段(步驟116)及光學定時蝕刻階段(步驟120)。圖5係光學定時層沉積階段之更詳細流程圖。沉積氣體流入電漿處理腔室304(步驟504)。偵測沉積氣體的存在(步驟508)。供給射頻以使沉積氣體形成為電漿(步驟512)。其他如沉積壓力之可立即切換之沉積參數也可在此時供給。停止沉積氣體流(步驟516)。圖2B為沉積階段(步驟116)期間已形成沉積層212後之矽晶圓208和遮罩204的橫剖面圖。
沉積配方之範例提供100 sccm之C4F8流至電漿處理腔室304。當在電漿處理腔室偵測到C4F8存在時，提供100 mTorr之壓力、200 volts之偏壓、及2000 Watts之射頻。
圖6係光學定時蝕刻階段之更詳細流程圖(步驟120)。蝕刻氣體流入電漿處理腔室304(步驟604)。偵測蝕刻氣體的存在(步驟608)。供給射頻以使蝕刻氣體形成為電漿(步驟612)。其他如蝕刻壓力之可立即切換之蝕刻參數也可在此時供給。停止
蝕刻氣體流(步驟616)。圖2C為光學定時蝕刻階段(步驟120)後之矽晶圓208和遮罩204的橫剖面圖，其形成蝕刻特徵部216的一部份。圖2D為蝕刻特徵部216幾乎完整受到蝕刻後之矽晶圓208和遮罩204的橫剖面圖。
蝕刻配方之範例提供150 sccm之SF6流至電漿處理腔室。當在電漿處理腔室偵測到SF6存在時，將120 mTorr之壓力、150 volts之偏壓、及2300 Watts之射頻功率提供至電漿處理腔室。
本發明提供增高之蝕刻效率，其容許更快速的蝕刻、以及資源更有效率的使用-減少所需能源及氣體的浪費。圖7係表示氣體調節製程之圖式以說明增高之蝕刻效率。在此氣體調節的範例中，沉積階段之後接著蝕刻階段。沉積階段開始於時間T1。線條704顯示射頻功率、壓力、和其他在沉積階段可幾乎立即切換之參數的應用。線條708顯示沉積氣體的應用，其中沉積氣體係無法幾乎立即切換，而是經過一實質時段的切換。線條712顯示射頻功率、壓力、和其他在蝕刻階段可幾乎立即切換之參數的應用。線條716顯示蝕刻氣體的應用，其中蝕刻氣體係無法幾乎立即切換，而是經過一實質時段的切換。因此在圖7中，沉積氣體流量在時間T2達到最大氣體流量之一半，所以時間延遲△D為介於當供給沉積射頻和壓力時以及沉積氣體流量達到最大沉積氣體流量之一半的時候之間的一段時間。在一範例中，取決於腔室設計及氣體流速，沉積階段介於100 ms(毫秒)至2秒之間，其中時間延遲△D可從50 ms至2秒。蝕刻階段開始於時間T3。蝕刻氣體流量在時間T4達到最大氣體流量之一半，所以時間延遲△E為當供給蝕刻射頻和壓力時以及蝕刻氣體流量達到最大蝕刻氣體流量之一半的時候之間的一段時間。在一範例中，蝕刻階段介於100 ms至2秒之間，其中時間延遲△E可從50 ms至2秒。在此範例中，沉積階段的時間延遲△D係不同於蝕刻階段的時間延遲△E。雖然時間延遲可和機器相依，但時間延遲亦可相依於氣體流速。不同製程時間延遲的此差異意謂著基於所使用的機器在射頻中使用簡單的延遲設定將無法運作，因為如範例所示，不同的製程造成不同的
延遲。據相信，使用此範例中之方法而無光學定時延遲的實際製程有10%至50%的無效率，其中百分比率是一個循環中只有階段射頻或階段氣體其一者存在，而非階段射頻及階段氣體兩者皆存在之百分比率。
圖8說明本發明如何提供射頻功率、壓力、和其他可幾乎立即切換之參數的光學定時延遲。圖8是說明本發明之較佳實施例中的氣體調節製程的圖表。在此氣體調節的範例中，沉積階段之後接著蝕刻階段。沉積階段開始於時間T1。線條804顯示射頻功率、壓力、和其他在沉積階段可幾乎立即切換之參數的應用。線條808顯示沉積氣體的應用，其中沉積氣體係無法幾乎立即切換，而是經過一實質時段的切換。線條812顯示射頻功率、壓力、和其他在蝕刻階段可幾乎立即切換之參數的應用。線條816顯示蝕刻氣體的應用，其中蝕刻氣體係無法幾乎立即切換，而是經過一實質時段的切換。沉積射頻功率和其他參數之光學定時延遲△D允許這些參數在時間T2被提供，此時沉積氣體流量達到最大氣體流量之一半。蝕刻射頻功率和其他參數之光學定時延遲△E允許這些參數在時間T4被提供，此時蝕刻氣體流量達到最大氣體流量之一半。在此實施例中，每一階段之結束可延遲。在此範例中，每一階段結束之延遲直到下一階段開始為止。在其他實施例中，每一階段之結束可不延遲。當與沒有延遲之製程相比時，藉由提供延遲，在當沉積功率及其他參數被供給之時段的較大部分期間，沉積氣體係存在於電漿處理腔室中、以及在當蝕刻功率及其他參數被供給之時段的較大部分期間，蝕刻氣體係存在於電漿處理腔室中。在此範例中，對於每一循環而言，一階段的氣體以及此階段的其他參數(如功率)兩者皆存在佔此循環的80%至100%。
在一範例中，蝕刻階段介於100 ms至2秒之間，其中時間延遲△E可從100 ms至2秒。在此範例中，沉積階段的時間延遲△D係不同於蝕刻階段的時間延遲△E。雖然時間延遲可和機器相依，但時間延遲亦可相依於氣體流速。不同製程時間延遲的此差異意謂著基於所使用的機器在射頻中使用簡單的延遲設定將無法
運作，因為如範例所示，不同的製程造成不同的延遲。更佳地，光學定時延遲係介於50 ms至400 ms之間。較佳地，循環重覆至少3次。更佳地，循環重覆至少100次。
在本發明之實施例中，光學偵測即時地發生，當光學光譜計偵測到氣體時，提供信號以供給射頻或其他相關參數。如此的即時延遲為光學定時式，因為光學光譜計之偵測提供信號以提供功率切換。
在本發明之另一實施例中，光學偵測可藉控制器記錄並且用以修改配方，其提供沉積階段之一時間延遲、以及蝕刻階段之一不同的時間延遲。接著將這些時間延遲使用在處理期間。如此的配方時間延遲為光學定時式，因為蝕刻或沉積氣體之光學光譜計偵測係用於提供配方中的延遲。
光學光譜計係量測光的頻率以判定氣體成份之光譜計。
在本發明之實施例中，延遲可隨時間改變。例如，當腔室參數隨時間漂移或製程參數隨時間勻變(ramp)時，用於沉積的時間延遲可隨時間增長或減短。光學定時延遲提供將漂移計入之延遲。即時光學定時延遲將對變動的延遲提供改善補償。
在矽晶圓為蝕刻層的實施例中，該矽晶圓可被完全蝕穿以形成直通矽穿孔(through silicon vias)。在蝕刻層為介電層的實施例中，電漿處理腔室可提供電容耦合取代電感耦合。在另一實施例中，蝕刻層可為導電層。
更一般而言，本發明提供一種半導體製程，其包含二或更多光學定時階段之複數循環，如一光學定時沉積階段和一光學定時蝕刻階段、或一光學定時蝕刻階段和一光學定時蝕刻階段、或一光學定時沉積階段和一光學定時沉積階段、或複數光學定時沉積階段和複數光學定時蝕刻階段。如此的製程提供第一光學定時階段，其後接著第二光學定時階段。在如此範例中，第一光學定時階段使第一氣體流入電漿處理腔室、使用設置成接收來自電漿處理腔室之光的光譜計偵測第一氣體的存在、以及當偵測到第一氣體存在時，提供第一射頻輸出；以及，第二光學定時階段使不
同於第一氣體之第二氣體流入電漿處理腔室、使用設置成接收來自電漿處理腔室之光的光譜計偵測第二氣體的存在、以及當偵測到第二氣體存在時，提供不同於第一射頻輸出之第二射頻輸出。第三或更多的光學定時階段可選擇性地依相同方法使用不同氣體或不同射頻能量接續在後面。較佳地，使此循環重覆至少三次。更佳地，使此循環重覆至少100次。
雖然本發明已經就一些較佳實施例加以說明，仍有落於本發明範圍內之變化、置換、及替代均等者。亦應注意有許多實施本發明之方法及設備的替代方式。因此欲使以下隨附之申請專利範圍均被理解為將所有此等變化、置換、及替代相等者包含成落於本發明之真正精神及範圍內。
104‧‧‧設置遮罩於蝕刻層上
108‧‧‧置於電漿處理腔室中
112‧‧‧光學定時氣體調節循環蝕刻
116‧‧‧光學定時層沉積階段
120‧‧‧光學定時蝕刻階段
124‧‧‧自電漿處理腔室移開
204‧‧‧遮罩
208‧‧‧矽晶圓
212‧‧‧沉積層
216‧‧‧蝕刻特徵部
300‧‧‧電漿處理系統
302‧‧‧電漿反應器
304‧‧‧電漿處理腔室
306‧‧‧電漿電源供應
308‧‧‧匹配網路
310‧‧‧TCP線圈
312‧‧‧電力窗口
314‧‧‧電漿
316‧‧‧偏壓電源供應
318‧‧‧匹配網路
320‧‧‧電極
322‧‧‧晶圓
324‧‧‧控制器
330‧‧‧氣體源/氣體供應機構
332‧‧‧沉積階段氣體
334‧‧‧蝕刻氣體
336‧‧‧附加氣體
340‧‧‧噴淋頭
342‧‧‧壓力控制閥
344‧‧‧泵
352‧‧‧光學窗口
356‧‧‧光譜計
400‧‧‧電腦系統
402‧‧‧處理器
404‧‧‧顯示裝置
406‧‧‧記憶體
408‧‧‧儲存裝置
410‧‧‧可卸除式儲存裝置
412‧‧‧使用者介面裝置
414‧‧‧通信介面
416‧‧‧通信基礎設施
504‧‧‧流入沉積氣體
508‧‧‧偵測沉積氣體的存在
512‧‧‧供給射頻以自沉積氣體形成電漿
516‧‧‧停止沉積氣體流
604‧‧‧流入蝕刻氣體
608‧‧‧偵測蝕刻氣體的存在
612‧‧‧供給射頻以自蝕刻氣體形成電漿
616‧‧‧停止蝕刻製程
704‧‧‧射頻功率、壓力、和其他在沉積階段可幾乎立即切換之參數的應用
708‧‧‧沉積氣體的應用
712‧‧‧射頻功率、壓力、和其他在蝕刻階段可幾乎立即切換之參數的應用
716‧‧‧蝕刻氣體的應用
804‧‧‧射頻功率、壓力、和其他在沉積階段可幾乎立即切換之參數的應用
808‧‧‧沉積氣體的應用
812‧‧‧射頻功率、壓力、和其他在蝕刻階段可幾乎立即切換之參數的應用
816‧‧‧蝕刻氣體的應用
本發明係藉由舉例的方式而非限制的方式於隨附圖式之圖形加以說明，且其中相似的參考數字表示類似元件，且其中：圖1係本發明之實施例的流程圖。
圖2A-D係使用發明製程之形成特徵部的示意圖。
圖3係可用在本發明之實施例中之電漿處理腔室的示意圖。
圖4係可用於實施本發明之電腦系統的示意圖。
圖5係光學定時沉積階段更詳細之流程圖。
圖6係光學定時蝕刻階段更詳細之流程圖。
圖7說明氣體調節製程之時序。
圖8說明根據本發明之實施例的光學定時氣體調節製程之時序。
300‧‧‧電漿處理系統
302‧‧‧電漿反應器
304‧‧‧電漿處理腔室
306‧‧‧電漿電源供應
308‧‧‧匹配網路
310‧‧‧TCP線圈
312‧‧‧電力窗口
314‧‧‧電漿
316‧‧‧偏壓電源供應
318‧‧‧匹配網路
320‧‧‧電極
322‧‧‧晶圓
324‧‧‧控制器
330‧‧‧氣體源/氣體供應機構
332‧‧‧沉積階段氣體
334‧‧‧蝕刻氣體
336‧‧‧附加氣體
340‧‧‧噴淋頭
342‧‧‧壓力控制閥
344‧‧‧泵
352‧‧‧光學窗口
356‧‧‧光譜計
Claims (19)
- 一種在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層中之方法，其包含複數循環，其中每一循環包含：一光學定時沉積階段，包含：提供一沉積階段氣體之流量；偵測該電漿處理腔室內之沉積氣體的存在；提供射頻能量以在該電漿處理腔室中自該沉積階段氣體形成一電漿；以及停止進入該電漿處理腔室的該沉積氣體之流量；以及一光學定時蝕刻階段，包含：提供一蝕刻氣體之流量；偵測該電漿處理腔室內之該蝕刻氣體的存在；提供射頻能量以在該電漿處理腔室中自該蝕刻氣體形成一電漿；以及停止進入該電漿處理腔室的該蝕刻氣體之流量。
- 如申請專利範圍第1項之在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層中之方法，其中偵測該沉積氣體的存在以及偵測該蝕刻氣體的存在係使用設置成接收來自該電漿處理腔室之光的一光譜計。
- 如申請專利範圍第2項之在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層中之方法，其中一控制器接收輸入自該光譜計並控制射頻源。
- 如申請專利範圍第3項之在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層中之方法，其中當該光譜計指示一沉積氣體存在時，該控制器即時使該射頻源提供一沉積射頻功率輸出。
- 如申請專利範圍第4項之在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層中之方法，其中當該光譜計指示一蝕刻氣體存在時，該控制器即時使該射頻源提供一蝕刻射頻功率輸出。
- 如申請專利範圍第5項之在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層中之方法，其中該沉積階段係從100 ms(毫秒)至2秒，且其中該蝕刻階段係從100 ms至2秒。
- 如申請專利範圍第6項之在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層中之方法，其中該複數循環包含至少三個循環。
- 如申請專利範圍第6項之在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層中之方法，其中該複數循環包含至少100個循環。
- 如申請專利範圍第8項之在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層中之方法，其中該蝕刻層係一矽晶圓，且其中該特徵部係穿孔(vias)。
- 如申請專利範圍第3項之在電漿處理腔室中蝕刻特徵部至蝕刻層中之方法，其中該控制器記錄用以提供該沉積階段氣體之流量的一時間延遲、以及基於所記錄之用以提供該沉積氣體之流量的該時間延遲修改一配方，以提供用以提供自該沉積階段氣體形成一電漿之射頻能量之一時間延遲；且其中該控制器記錄用以提供該蝕刻階段氣體之流量的一時間延遲、以及基於所記錄之用以提供該蝕刻階段氣體之流量的該時間延遲修改該配方，以提供用以提供自該蝕刻氣體形成一電漿之射頻能量之一時間延遲。
- 一種在電漿處理腔室中提供光學定時氣體調節半導體製程之方法，其包含複數循環，其中每一循環包含：一第一光學定時階段；以及一第二光學定時階段。
- 如申請專利範圍第11項之在電漿處理腔室中提供光學定時氣 體調節半導體製程之方法，其中該第一光學定時階段使一第一氣體流入該電漿處理腔室、使用設置成接收來自該電漿處理腔室之光的一光譜計偵測該第一氣體的存在、以及當偵測到該第一氣體存在時，提供一第一射頻輸出；且其中該第二光學定時階段使不同於該第一氣體的一第二氣體流入該電漿處理腔室、使用設置成接收來自該電漿處理腔室之光的該光譜計偵測該第二氣體的存在、以及當偵測到該第二氣體存在時，提供不同於該第一射頻輸出之一第二射頻輸出。
- 如申請專利範圍第12項之在電漿處理腔室中提供光學定時氣體調節半導體製程之方法，其中一控制器接收輸入自該光譜計並控制至少一射頻源。
- 如申請專利範圍第13項之在電漿處理腔室中提供光學定時氣體調節半導體製程之方法，其中當該光譜計指示該第一氣體存在時，該控制器即時使該至少一射頻源提供該第一射頻功率輸出。
- 如申請專利範圍第14項之在電漿處理腔室中提供光學定時氣體調節半導體製程之方法，其中當該光譜計指示該第二氣體存在時，該控制器即時使該至少一射頻源提供該第二射頻功率輸出。
- 如申請專利範圍第15項之在電漿處理腔室中提供光學定時氣體調節半導體製程之方法，其中該第一階段係從100 ms至2秒，且其中該第二階段係從100 ms至2秒。
- 如申請專利範圍第16項之在電漿處理腔室中提供光學定時氣體調節半導體製程之方法，其中該複數循環包含至少100個循環。
- 一種用以蝕刻蝕刻層之設備，包含：一電漿處理腔室，包含： 一腔室壁，形成一電漿處理腔室封閉體；一基板支座，在該電漿處理腔室封閉體內支撐一晶圓；一壓力調節器，調節該電漿處理腔室封閉體中之壓力；至少一電極，提供電力至該電漿處理腔室封閉體以維持一電漿；一進氣口，用以提供氣體進入該電漿處理腔室封閉體；以及一排氣口，用以從該電漿處理腔室封閉體排出氣體；一光譜計，設置於適當位置以量測來自該電漿處理腔室內部的光；至少一射頻電源，電性連接至該至少一電極；一氣體源，與該進氣口流體連接，包含：一沉積氣體源；以及一蝕刻氣體源；以及一控制器，可控制地連接至該氣體源、該光譜計、以及該至少一射頻電源，包含：至少一處理器；以及電腦可讀媒體，包含：用以蝕刻該蝕刻層之電腦可讀碼，其包含複數循環，其中每一循環包含：提供一光學定時沉積階段之電腦可讀碼，包含：提供一沉積氣體之流量之電腦可讀碼；使用該光譜計以偵測在該電漿處理腔室內沉積氣體的存在之電腦可讀碼；提供射頻能量以在該電漿處理腔室中自該沉積氣體形成一電漿之電腦可讀碼；以及停止進入該電漿處理腔室的該沉積之流量之電腦可讀碼；以及提供一光學定時蝕刻階段之電腦可讀碼，包含：提供一蝕刻氣體之流量之電腦可讀碼； 使用該光譜計以偵測在該電漿處理腔室內蝕刻氣體的存在之電腦可讀碼；提供射頻能量以在該電漿處理腔室中自該蝕刻氣體形成一電漿之電腦可讀碼；以及停止進入該電漿處理腔室的該蝕刻氣體之流量之電腦可讀碼。
- 如申請專利範圍第18項之用以蝕刻蝕刻層之設備，其中該用以提供射頻能量以自該沉積氣體形成該電漿之電腦可讀碼包含：當該光譜計指示該沉積氣體存在時，即時使該至少一射頻源提供一沉積射頻功率輸出之電腦可讀碼；且其中該用以提供射頻能量以自該蝕刻氣體形成該電漿之該電腦可讀碼包含：當該光譜計指示該蝕刻氣體存在時，即時使該至少一射頻源提供一蝕刻射頻功率輸出之電腦可讀碼。
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