TW201251256A - A power receiver and a contactless electrical power transmission system using same - Google Patents

A power receiver and a contactless electrical power transmission system using same Download PDF

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TW201251256A
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TW
Taiwan
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circuit
power
power receiving
voltage
driving
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TW101108093A
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English (en)
Inventor
Koichi Mishina
Koji Sato
Original Assignee
Nec Tokin Corp
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    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Description

201251256 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 【0 0 〇 1】 本發明係關於一種，在充雷哭位 電子機器等之電力接收裝置間，以非:二於攜帶式 觸式電力傳送系統，特別是關於以力之非接 【先前技術】 【0 0 〇 2】 傳逆自if給電裝置對複數電力接收裝置以非接觸的太— 之電獻r作為整流電=ί:⑽ [專利文獻;1 【0 0 0 3】 專利文獻1日本頂號公報，實施_㈣ 【發明内容】 [本發明所欲解決的問題] 【◦ 0 0 4】 等^而，專利文獻1之電力接收裝置，具有電力之利用效率低 【0 0 0 5】 士發明之目的在於，提供—種可謀求提 免力接收裝置。 免力之利用效率之 [解決問題之技術手段] 201251256 【00〇6】 ^發明提供之第1電力接收裝置，具備； 裝置電Ϊ，於ϊί觸式電力傳送系統中接收自給電 電路所接收之振電容器；整流電路，將該電力接收天線 天線電路之電：接妆^流，頻率變換電路，供變換該電力接收 電路； 率所用，以及驅動電路，驅動該頻率變換 該電力接收天線電路具有2個端子； 器路之2個該端子間； ^該電力接收天線電路之27‘;;^接具端子’分別 輪出端子，輸出整流過之直流電^子連接，接私子；以及整流 該頻率變換電路具備； 路之—方的端子相連接·笛？ 抗，—知與該電力接收天線電 之另—方的端子相連接;’以及該電力接收天線電路 抗的另*7端與該第2阻抗的另關電路，連接於該第1阻 該半導體開闕電路，具有 由 有對該中心分接頭為對稱之電. 分接頭，且具 頭接地端子相連接; 半導體開闕電路為⑽。出而子連接並因應該直流電塵使該 [00 0 7] 置 it’本發瞧之第2 €力接繼，如第1電力街 器 該第1阻抗與該第2阻抗為具有彼此相等之靜電容量的電容 【0008】 接收ίί: ir提供之第3電力接收裝置，如第1或第2電力 該轉電路，若自該整流輪㈣子細之該錢魅達到既 201251256 定値則使該半導體開關電路為0N。 【0009】 置，^本發明提供之第4電力接收裝置，如第3電力接收裝 iS:路為壓ί變動感測用的稽納二極體; 【〇^"〇『°哀稽納—極體之崩潰電壓。 置，本發明提供之第5電力接收裝置，如第4電力接收裝 陽極，與該半導體開關電路相連接。 置，^:本發·供之第6電力接收裝置，如第4電力接收裝 連接於該稽納二i體:動電壓產生電路 極體動該半導體^於該稽納二 置，轉嶋❿電力梅置，㈣6電力接收裝 產生電路’於輸出人關針具有滞後現象。 置，=，’她提㈣δ電域咖，如第6電力接收裝 驅動㉝開納二極體崩潰時將脈衝作為該 置二本發，供购力—電力接收裝 及歸生電路，產縫準電屋·以 導體開闕電路。_基丰·及該整流過之直流電該^ 【0014】 201251256 之二ίί明Ϊΐ之第1G電力接收裝置，如第1至第8任- 射2個猶的卿_d施ci 5亥2個FET的間極互相電性連接； s亥2個FET的源極互相連接； ’自該源極間之連接點引出。 此外’本發明提供之第U雷 之電力接收裝置，其中， 、置，如弟1至第8任一 開關電路至少具有2個ηρη型的雙極性電曰體. 该2個雙極性電晶體的基極互相電性 阳體， 該2個雙極性電晶體的射極互相連接；， ，：心分接頭，自該射極間之連 【0016】 此外，本發明提供之第丨非接觸 至第11任―之電力接收裝置、以及給具備：第1 [本發明之效果] [0017] 一依本叙明，使用單相橋式整流電路 a♦— 提高接收到之電力的利用效率。 、’、仙电。猎此，可 [0018] 以具有對t心分接頭為對稱之電路 電路。此外’對電力接收天線電路將電^員率變換 (正成分β負波形（負成分）進敕Μ正波形 接收頻率係為共振電路之共振頻率，並.々乂ι另，電力 之電力接收天線電路。 〃振電路包含用於接收電力 [0019] 201251256 將頻率變換電路之半導體 與整流電路的接地端子連接（亦^包路的電路中點（中心分接頭) 電路產生的整流後電壓之接地電位此使中心^分接頭之電位與整流 關電路之驅動用而準備另外二二通）°藉此，不必為半導體開 【0020】 的％源系統。 於驅動電路設置稽納二極體，將发， 動感測用的元件使用。藉此，與僅將為整流後直流電壓之變 況比較，容易控制頻率變換電&的動^流後的直流電壓分壓之情 【實施方式】 [實施本發明之最佳形態] 【0 0 2 2】 " (第1實施形態） 參考圖1 ’本發明第1實施形態 、 具備：非接觸充電器等之給署“、、接觸式電力傳送系統1〇〇 傳送來之電力的電力接收裝置2^。、以及接收自給電裝置1〇 【0023】 、° 從电袈置ίο具備··給電天綠恭 Η，與給電天線電路12相連接^ 2給，力；以及控制部 【0 0 24】 ’、座生父流磁場所用 電力接收裝置20，具備：電力接 裝置10傳送來之電力；電容哭^接，天線電路32，接收自給電 之2個端子La、Lb間；整流電°路如連f於電力接收天線電路32 接收之電力予以整流，，平^=4〇將=力接收天線電路幻所 滑化；負_，供給情化 整流之電力平 力接收天線電路32中的電力接;轉換電路，供變換電 動頻率變換電路7〇。此—構成巾，'，以及购電路80，驅 器34、及頻率變換電路70組成之共振 線電路32二電容 J力接收天線電路32中的電力接^^ ϋ振^率φ為實質上 _ 率之 201251256 力最完整地接收的頻率。 【0025】 本實施形態之整流電路4〇， .橋式整流電路。整流電路4〇 H用4個二極體而構成之單相 力接收天線電路32之2個端子L輸入端子Via、Vib，分別與電 有輸出整流後的直流電麼二'Lb連接。整流電路40,更具 直流電壓其接地電位之接地以及輸出整流後的 %，為電容器，其兩端與整流輸本實施形態之平流電路 【0026】 出而子Vd及接地端子GND連接。 負載60，模擬搭载電力 轉換器等的系統負載。倉恭^叹忒置20之電子機器其DC—DC 若負载60為重負載之狀態中使電況變為，負一載或重負载。 力接收頻率與給電裝置1〇側】 效率為最向（將初始之電 邀變得過高。此-情況，本實^負载60變輕時電力接收電 電力接收電塵減低，而變換頻=币’由於將供給至負载60之 電力接收天線電路32之共振電Hi路7G之狀態，藉此將包含 初始値偏移。藉此，電力接 〔、/、振頻率（電力接收頻率）自 【0 0 27】 I不變得比需要以上更高。 詳而言之，本實施形態之頻 72a、第2阻抗72b、半導 換电路7〇具備：第1阻抗 瓜與第2阻抗72b 電，、及電阻76。第！阻抗 1阻抗72a之-端與電力接收天線電路2皮 之靜電容量。第 阻抗72b之-端與電力接收天線^路32咖而子La相連接；第2 體開關電路74，連接於第i阻^^ 32的Lb相連接。半導 另一端。半導體開關電路74，且、端與第2阻抗72b的 CT，且具有對中心分接頭CT為對之辛心之中心分接頭 解’頻率變換電路7G亦具有對電、=構t如同自此之理 關電路74之中心分接頭CT)為對稱之'=況，為半導體開 產生供使半導體開關電路74為成。電阻76，用於 '中的中心分接頭ct，與整流電路形態 201251256 【0028】 圖不之，導體開關電路Μ，具有2個嫩的贈 d職以 效電晶體伽、灿°此等聰4a、州具有内接二 炻S ^ 74b的閑極G互相電性連接，FET74a、74b的源 s°盥πττϋ生連接。上述之中心分接頭CT，自FET74a的源極 74h、M Vi μ ς ώ源極S之連接點引出。電阻76，連接於FET74a、 74b的源極S與閘極g之間。 【0029】 j 之頻率交換電路70 ’在FET74a、74b為ON時與為
=率=路同7之0=具體而W 、 、 之荨效電路，成為將FET74a、74b之若干導 及第2阻抗似串聯的電路。另—方面 電容與第1阻抗瓜及第2阻 ί4在於電力接收天線電路32的端子La、Lb間之阻 變得相異。本實施形態中，如同上述，贈t、71 力 f％電力接收效率為最高，故使FET74a、74 意地將電力接收效率降低。 、J 了田 【0030】 相ΪΪ電路80 ’決定在何種情況下驅動頻率變換電路7〇之半導 ==ΐ—驅動電路80，感測整流後的直流糙之ii 而進灯+導體開關電路74之on/off切換。 【0031】 ' 如同自此之理解，驅動電路80，連接於整流電路4〇的整 出端子Vd與半導體開關電路74之間。具體而言，本實
=動=80，僅由整流後直流之變動感測用的稽納二^ s構成。稽納一極體ZDs的陰極與整流電路40的整流輸 vd相連接，稽納二極體ZDs的陽極與半導體開闕電:H FET74a、74b的閘極G相連接。 "^、 201251256 【0032】 整流後的直流電厨芒泛 即，若稽納二極體^ 内二極體ZDs之崩潰電壓以上（亦 率變換電路7〇，於带 /貝則自驅動電路80將電壓供給至頻 將此時電阻76之兩^ 兩端產生電壓。此處，本實施形態中， 極間電壓Vgs以上，定^ Ff 的閘極—源 將稽納二極體ZDs之鹿、、主♦ H & 為〇N。本實施形態中’ 電力接收電壓㈣力接收電壓，故 【0033】 頻率自初始値偏移而降低接收電力。 所:負況中即便給電電力變高電力接收電 形（b)。 力接收电二艾传尚於必要以上的情 【0034】 (弟2實施1形態） 102，除/電力接!置月形態的非接觸式電力傳送系統 ί f1 ^罐的非接觸式電力__ ^= 等之構成要素省略說明。亦即，以下禮斜考付唬，對此 動作的差異魏行綱。下斟轉電路82與依據其之 【0035】 如圖3所示，驅動電路82且備：餐 ，稽納二極伽以及_產生，以 電路92係於_二極體ZDs赌日枝生,f ^ 之驅動電4 (本實施形態中為使FET74a 电路74 =實施形態同樣地對稽納二極體ZDs的陰極施加1^)直^ 電遷。亦即，積納二極體瓜的陰極與整流輸出端子^目^: 201251256 二與第1實施形態同異，不與 與頻之間設體现的陽極 之，：動出入具有滞後現象。詳而言 亦被作為電晶體ΐ1τΓ之之間。亦即，整流後的直流電屬 體丁η的基極與接地之間；‘==;^且曰二，2電晶 接地之間。電晶體丁r2的基極盥電日的Trl的射極與 與電晶體Tr2的集極相連接；稽二ϋ’ZDP的陰極 稽納二極體取極與電與接地連接。 ZDC的陽極與半導體開關電路曰74相連接Γ連接；稽納二極體 【0 0 3 7】 稽納—極體ZDs —崩潰，則於雷曰雜T， 電_，制限電晶體W的基極電壓。 體別的射極對於接地之電 為係在電晶 被供給至電晶體w _之情況。4Λϋχ上的電壓， 稽納二極體ZDs崩潰時，供給使電电〇=·^4，以於 進行選擇。 电日日體Trl為ON的電壓之方式 【0038】 晶體%為〇n，電 ^tP.R3 , ° ! ί5 电阻奶更大。此外，將電阻R5設定 12 201251256 為遠較電阻R2更小的倍。具體而言 IY2為0FF時，電晶體M的射 而電晶體 =，且R5之兩端產生的電‘ ==1 電 θ , 糸乂自電晶體Tr2流入電阻R5夕+、ώ c i 疋故，電晶體Trl的射極電 =之电而決定。
時相異。®此，電晶體T f H^:體Trl為0N時與為〇FF
時(亦即，電自。㈣為ON
變為OFF (亦即，電曰_ ^ 與電晶體Μ自0N 【0 0 3 9】 自 變為0以時)相異。 本實施形態中，此時的電i設定為較ϋ半之電屢。 ON而必要之電歷更低。因此 導體開關电路74為 率維持為初始値。 日曝Tr2為0N時’電力接收頻 【0040】 若稽納二極體ZDs崩潰而電晶體公2 決定之電齡由稽納二鋪z皮供^1以=二 幾ί;一，一稽納二極體 可確貫地使半導體關電路 本形恶中， 二極體ZDp決定之輕—供給 ^’以稽納 sr為。N ’施行供減低電力接收電 【0041】 如同上述，因電晶體Tr2為〇FF時 壓相當小，故電晶體Trl之間倍 ^且^之兩端產生的電 ™所需要之電晶體Trl的基極〜射^ ^為=開關電晶體 由使電晶體Tr2變為0FF而降低H二:H °因此，藉 201251256 將^曰體Trl保持為0N之狀態，但基極—射極 則電晶體Trl變為〇FF，雷曰舻Tr9料或ηνΓ BE—受小 峰带政π μ仏λ i 體變為〇N。亦即，驅動電壓產 生私路92的輸入（對電晶體m的基極施加之 ^ j 現象。因此，並非反應由於稽納二 =地進行電力接收電叙減低後，可將電力接收頻率回復 <ls» [0042] *如此地，本實施形態中，使驅動電壓產生電路92的輸出入呈 有滯後現象，故在稽納二極體ZDs崩潰時對於頻率變換 ^ 之半導體開關電路74 ’至電力接收鮮調整之效果出現為止之 ，，供給幾近一定之電壓。因此，依本實施形態，可確地 半導體開關電路74之驅動。 、施订 【0043] 另，若整流後的直流電壓之值成為極高的値，則有半導體開 關電路74損壞的疑慮。因此，本實施形態中，使稽納二極體2〇 之崩潰電壓較構成半導體開關電路74之FET74a、74b的耐電塵更 低。因此’即便整流後的直流電壓漸變高，仍可避免對FE丁74a、 74b施加高電壓而造成破壞等情況。 【0 044】 (第3實施形態） 參考圖4，則本發明第3實施形態的非接觸式電力傳送系統 1〇4 ’除了電力接收裝置24之驅動電路84的構成以外，具備與上 述第1實施形.態的非接觸式電力傳送系統100 (參每圖1 )相同之 構成。將圖1與圖4中共通之構成要素賦予相同參考符號，對此 等之構成要素省略說明。亦即，以下僅對驅動電路84與根據其之 動作的差異等進行說明。 〃 【0045】 本實施形態之驅動電路84，與第2實施形態相同，具備驅動 201251256 電壓產生電路94。然而，稽納二炻駚山、主+ 施形態的驅動電壓產生電路92，相對於第2實 導·關電路%， ==94,係將電壓脈衝供給予頻率變換電㈣之半導體 【0 0 4 6】 -"；^/rRr4rcr t: ；r 〇ρι ZD2。 00 C1，以及2個稽納二極體ZD卜 【0 0 4 7】 算放壓電路，經分壓之電壓被供給至運 位其下 +奶輸出之分龜的變^航亦可抑制自分壓電路⑽ 【0 0 48】 〇p^Rr^tT，R^ 5 ^ 施密T輪出之矩形波積；，成為成3電路。於積分電路將自 【0049】 則經電大^0P3作為比較器使用。稽納二極體瓜-崩潰 〇?3 基準電== 而將脈衝波形祕η，脈衝寬度觸 【〇〇5〇】 15 201251256 接收S變ίί:將半導體開關電路74脈衝驅動，而可將電力 【0051】 (第4實施形態） 祕參除 =接非接觸式電力傳送系统 述第1實施形態的非接觸式電力傳送系^構成以外，具備與上 構成。將圖1與圖5中共通之構成要素賦:(荼，1)相同之 等之構成要素省略說明予相同參考符號，對此 動作的差異等進行綱。丨^下僅對驅動電路86與依據其之 【0 0 5 2】 本具知形悲之驅動電路86具備：基準带 基準電壓；以及滞後比較器98，因舞基路％，產生 行半導體開關電路74之,驅動。’“錢®及整流後的電壓施 【0 0 5 3】 斤示，電阻R1與電㈣，構成將電源電塵^塵之二:路 ^刀堅之電源電麼，作為基準電壓被供，给予運二哭二-^ ^端子:電阻R3與電隨，構成將 “ tTf交 準電麗更高時’運算放大器0p使半導 帮率之$敕0N'f此’施行供減低電力接收電麗所用的電 後藉由施行電力接收電壓之減低使整流 乂土準電堡為一足値以下時，運算放大器ορ，使半導體 Ξ ==F。:此一一定?/係以電阻R5決定。亦= 丨、Γ~大為op具有坪後現象。藉此，可防止因雜訊等 之裰小龟壓差而使運算放大器〇p動作。 【0 0 5 4】 201251256 八姐以ΐ，雖揭露複數實施形態對本發明進行具體地說明，但本 电明亚未限定於此等實施形態。 【0055】 例如，上述實施形態中頻率變換電路70，雖皆為一段，但亦 電路7G並聯。此—情財，亦可使各頻率 ίΐί 時讀目異並將電力接收電壓之控制分為複數 【0056】 你田上述之頻率變換電路7Q雖具備FET74a、⑽，但亦可 使用例如雙極性電晶體取代FET74a、74b。 【0 0 5 7】 ^^而言，如圖6所示，頻率變換電路17〇具備：第工阻 172a Μ弟2阻抗l72b '半導體開關電路174、 限制電阻178。1巾，筮！阳产m Γ 包丨且以及電流 八二^ / 抗72a、第2阻抗172b及電阻176， 刀別?第1阻k 72a、第2阻抗72b及電阻76相同。 【0058】 174 ^ ；77； ? ；12 ^ ^ ^ t 174a . B互相带神查與雙極性電晶體174b的基極 曰浐雙極㈣晶體174a的射極E與雙極性電 3卜=fE亦互相電性連接，自其連_|出中; ZD同樣的機能。電流聞電阻178，於稽納二極體 電^用 制往雙極性電晶體咖、174㈣基極B流通之 【0059】 可將具有此一半導體開關♦ ΐ々1 u X μ + 述之==施形態電路17°與上 (弟5實施形態） 上述實施形態中，雖以防μ + + 丨方止電力接收裝置之過電壓為主要目 201251256 的，但本發明之實施形態並不限於此。以下說明之第5 调整電路常數，以將第2至第4實施形態中的整流後電 ^ 望^定電塵輸出。電路構成可與第2至第4實施形態相 = ^ 5) ’ ^ W整流後使用"極體與平滑電容器進行電 【0061】 正々丨〔後笔塵之最大値可依稽納二極體z£)s之崩潰電摩却_ — 此外’驅動產生電路92、94 (參考圖3及圖Μ於=: 有滯後現象因而使整流後電壓保持於一定電壓範圍内。、八具 [0062] (4 高’則f納二極體ZDs崩潰，使FET74a， 二考圖3 4)為ON，阻抗切換，整流後電壓下降。 2低’則稽納崩潰被解除，使FET74a、74b為0Fn查 整流後電壓上升。由此—動作使阻抗循 ’ 此一循環中保持於一定電壓範圍内。 換正机後电壓在 【0063】 被伴：弋?，配置於整流電路4。之後，檢·流後電壓。 於-心圍内之整流後電壓，介由二極 2 ，電壓變動減少。藉此，可將更齡之 換器等之負載60。 &仏叛出4主DC-DC轉 【0064] 本構成由於可輪出穩定之定電壓， + 路。此外’無關負載之大小，可成為於 ^輪出電 負载不包含電壓轉換部之構成。’ ' ^、益等之系毵 [產業上利用性] 【0 0 6 5】 本發明，例如，可應用於供搭 恭 5位相機等之可攜式電子機器的蓄5池充2刮鬍刀、 傳送系統。 田甩，也兄电所用之非接觸式電力 18 201251256 【圖式簡單說明】 【〇〇21】 t% 構成=意t發明第1實施形態的非接觸式電力值〜 圖2顯干pn 孝遊系統之1 電 力接收輯圖之ί接觸式電力傳送系_的給電電力與 構成的示意圖。弟2㈣恶的非接觸式電力傳送系統之電路 構成白 發明第3實施形態的非接觸式電力傳送系統之㈣ 構成:ί意明弟4貫施形態的非接觸式電力傳送系統之電路 圖6顯示電力接嶋㈣頻機電路之變形例的圖。 【主要元件符號說明】 【0066】 10給電裝置 12給電天線電路 14控制部 20、22、24、26電力接收裝置 32電力接收天線電路 34電容器 2整流電路（單相橋式整流電路） 50平流電路 60負載 7〇、170頻率變換電路 72a、172a第1阻抗（電容器） 72b、172b第2阻抗（電容器） 74、174半導體開關電路 19 201251256 74a ' 74b FET 76、176 電阻 80、82、84、86驅動電路 92、94驅動電壓產生電路 96基準電壓產生電路 98滯後比較器 100、102、104、106非接觸式電力傳送系統 174a、174b雙極性電晶體 178電流限制電阻 C1電容器 CT中心分接頭 GND接地端子
La、Lb 端子 ΟΡ、ΟΡ1〜OP3 運算放大器 R1〜R9 電阻
Trl、Tr2 電晶體
Via、Vib輸入端子
Vd整流輸出端子 ZDp、ZDc、ZD卜ZD2稽納二極體 ZDs (變動感測用的）稽納二極體 S源極 G閘極 20

Claims (1)

  1. 201251256 七、申請專利範圍： 1、一種電力接收裝置， 自給電襄置電路’於非接觸式電力傳送系統中接枚 收天線;共振電抑；整流電路，將該電力接 電力接收天線電:之:頻率賴路’用以變換該 變換電路； 接收v員率，以及驅動電路，驅動該頻率 iff接枚天線電路具有2個端子； 電力接收天線電路之2個該端子間； 該電力茲;==式整流電路，具有:輪入端子，分別與 出端f，輸出整ί過之直連接;接地端子;以及整流輪 路之備第=抗’與該電力接收天線電 之另-方的端子相連接知與該電力接收天線電路 抗的f :端與該第2阻抗===關電路，連接於該第1阻 針，:半導體開關電路具有作為電路中％之巾、、八Μ-5 對该中心分接頭為對稱之電路構造；之中〜刀接碩，且具有 的該接地端子相連接，· 導體開關電路成為01^r雨&子連接亚因應該直流電愿使該半 電力接收裝置。 器 ^第如細第1項之電力純《置，苴中， 41地與該h阻抗為财彼此辦之靜ς量的電容 ^該如^:第以之二接收…其中， 講印令該半導體_電路成為0ί7 μ達到既疋値時，該驅動 奴姆_，其中， '、備趙流電®之變動感咖的稽納二極體； 201251256 稽納二極體之崩潰電歷。 5、 如申請專利範圍第4項之 該稽納二極體的陽極與置’其卜 6、 如申物咖$ 4項%==目連接。 該驅動電路更具備糜動電塵 ^置’其中， 連接於該稽納二極體騎極虚 ，該驅動電麼產生電路 極體崩潰_生,帛_辭導電路間，於該稽辦二 7、 如申請專利範圍第6項^=動電[:。 该驅動電壓產生電路於輪 ；德規中， 8、 如申請翻r_ 6具有严現象。 該驅動電麼產生電路，料力接收裝置，其中， 驅動電舰給予該半導體開關電^':内二極體崩潰時將脈衝作為讀 9、 如申請專利範圍第3項之 該驅動電路具備：美準雷茂 破置，中， 以及滞後比較器，電路，用以產生基準電I 該半導體開關電路。丰祕及该整流過之直流電壓而驅動 10、 如中請專利範圍第丨項之電力 該半讀_電路至少具有2個N ^ F、 Transistor,場效電晶體）； (^ Effect δ亥2個FET的閘極互相電性連接； s亥2個FET的源極互相連接； 该中心分接頭自讓源極間之連接點引出。 ί1 :如申請專利範圍第1項之電力接收裝置，其中， :Ϊ?至少具有2個—型的雙極性電晶體； °〆 又極性電晶體的基極互相電性連接； 該2個雙極性電晶體的射極互相連接；’ 邊中心分接頭自該射極間之連接點引出。 12、一種非接觸式電力傳送系統， 具備如申請專利範圍第！項之電力接收裝置、以及給電裝置。 22
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