TW201246549A - Thin film transistor device and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

201246549 發明說明 【發明所屬之技術領域】 尤指一種利 本發明係關於一種薄膜電晶體元件及其製作方、去 抗摻雜層的薄膜電 用非離子植入製程以及雷射處理製程來形成低阻 晶體及其製作方法 【先前技術】 多晶矽(poly silicon)薄膜電晶體藉由多晶矽材料本身高電子移 動率(electrical mobility)的特性因而具有較一般廣泛使用之非晶矽薄 膜電晶體更佳的電性表現。隨著低溫多轉Ggw tempe^e ^ < silicon，LTPS)製程技術不斷精進，一些主要問題例如大面積之薄膜 均勻性不佳已逐漸獲得改善。因此，目前低溫製程亦朝著更 大尺寸基板應用上進行發展。然而，於習知的低溫多晶矽製程中， 一般係利用離子植入(ion implant)製程來形成摻雜層以降低薄膜電 晶體中的接觸阻抗，而用來進行離子植入製程的離子植入機要導入 大尺寸基板製程，除了許多技術問題還需克服之外，機台製作成本 亦是另一大問題。因此，如何以其他方式來形成低阻抗之摻雜層亦 為目前業界致力發展的方向之一。 另外，由於低溫多晶矽具有可搭配不同導電類型摻雜層以組成 N型薄膜電晶體或P型薄膜電晶體的特性，因此低溫多晶矽製程一 般亦可用來於一基板上同時形成N型薄膜電晶體以及P型薄祺電晶 4 201246549 體。而於習知的低溫多晶矽製程中，係在同一平面上分別形成 化N型摻雜層以及圖案化p型摻雜層，因此需增加許多額外的= 步驟以避免各不同導電類型摻雜層形成時造成互相影響，但另一= 面卻也因此使得整體製程複雜化並相對地使成本增加。 【發明内容】 本發明之主要目的之-在於提供一種薄膜電晶體元件及其製作 方法，利財離子植人製程錢雷射纽製絲職低阻抗之推雜 層，同時搭配將不同導電類型之摻雜層設置於不同平面上之設計”， 達到製程簡化、效能提升以及成本降低之效果。 為達上述目的，本發明之一較佳實施例提供一種薄膜電晶體元 件。此薄膜電晶體it件包括―第—導電類型電晶體以及—第二導電 類型電晶體。第-導電類型電晶體包括一第一圖案化摻雜層、一第 -閘極、—第—源極、—第—沒極以及—第—半導體圖案。第二導 電類型電晶體包括-第二圖案化摻雜層、—第二閘極、—第二源極、 第-及極以及-第二半導賴案^第—源極以及第_祕係與第 圖案化摻雜層電性連結，而第二源極以及第二錄係與第二圖案 化推雜層電性賴。第—半導體_錢$二半導麵諸成一圖 案化半導體層。第一圖案化摻雜層係設置於第一半導體圖案之下， 且第二圖案化摻雜層係設置於第二半導體圖案之上。 為達上述目的，本發明之一較佳實施例提供一種薄膜電晶體元

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成一半導體層， 其中第-導電_區之半導體層係覆蓋第_圖案化 件的製作方法。此製作方法包括： 電類型區以及-第二導電類型區；

-及對半導體層、第一圖案化換雜層 一次雷射處理製程。 摻r -層 類3 以及第二圖案化摻雜層進行至少 本發月制用非離子植入製程於不同表面上形成不同導電類变 的圖魏雜層’並搭配t射處理縣麵低摻雜層雜抗，以實 現、座由簡化的餘來同時製作具有高效社不同導電翻的薄膜電 旦触_ 【實施方式】 為使熟習本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本 發明，下文特列舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說 明本發明的構成内容及所欲達成之功效。 請參考第1圖。第1圖繪示了本發明之一第一較佳實施例之薄 膜電晶體元件的示意圖。為了方便說明，本發明之各圖式僅為示意 以更容易了解本發明，其詳細的比例可依照設計的需求進行調整。 如第1圖所示’薄膜電晶體元件100包括一第一導電類型電晶體110 201246549 以及一第二導電類型電晶體120。第一導電類型電晶體no包括一 . 第一圖案化摻雜層15、一第一閘極11A、一第一源極12A、一第一 汲極13A以及一第一半導體圖案14A。第二導電類型電晶體120包 括一第二圖案化摻雜層16、一第二閘極11B、一第二源極12B、一 第二汲極13B以及一第二半導體圖案16。在本實施例中，第一圖案 化摻雜層15可包括至少一 N型摻雜物例如峨(phosphorous)或其他含 磷之化合物，而第二圖案化摻雜層16可包括至少一 p型摻雜物例如 爛(boron)或其他含硼之化合物’但本發明並不以此為限而可利用其 他適合之N型摻雜物與P型摻雜物來分別形成第一圖案化摻雜層15 與第二圖案化摻雜層16。此外，在本實施例中，第一導電類型電晶 體110較佳為一 N型薄膜電晶體而第二導電類型電晶體12〇較佳為 一 P型薄膜電晶體，但本發明並不以此為限。此外，在本實施例中， 第一源極12A以及第一汲極13A係與第一圖案化摻雜層15電性連 結，而第二源極12B以及第二汲極13B係與第二圖案化摻雜層Μ 電性連結。在本實施例中，第一半導體圖案14A以及第二半導體圖 案14B構成一圖案化半導體層14c，亦即第一半導體圖案14八以及 第-半導體圖案MB係分別為圖案化半導體層Mc的一部分但不 、此為限例如，第一半導麵案14A以及第二半導體圖案1犯亦 :為不同的半導體材料。本實施例之圖案化半導體層Μ可包括一 f晶石夕層’但並不以此為限而可_其他適合的半導體材料例如非 •晶石夕半導體、氧化物半導體或有機半導體等材料來形成圖案化半導 -體層14C另外，如第1圖所示，第一圖案化摻雜層15係設置於第 —半導體圖案14A之下’且第二圖案化摻雜層⑹系設置於第二半 201246549 導體圖案14B之上。本實施例之第一圖案化摻雜層15與第二圖案 化摻雜層16可利用非離子植入製程例如化學氣相沉積(chemicd vapor deposition，CVD)的方式加以形成，但不以此為限。例如第一 圖案化摻雜層15與第二圖案化摻雜層16亦可利用離子植入方式來 形成。另值得說明的走，如第1圖所示，本實施例之薄膜電晶體元 件1〇〇可更包括一閘極介電層π設置於圖案化半導體層14C、第一 圖案化摻雜層15以及第二圖案化摻雜層π之上，而第一閘極 以及第二閘極11B係設置於閘極介電層17之上。因此，本實施例 之第-導電類型電晶體110與第二導電類型電晶體1;2〇係屬於頂部 ’(t〇P-gate)結構之薄膜電晶體。此外，本實施例之薄膜電晶體元 件1〇〇可更包括-層間介電層18設置於閘極介電層17、第一間極 11A以及第二閘極11B之上。第—源極以與第一祕i3A係穿過 層間介電層、閘極介電層17以及第—半導體圖案m而與第一 圖案化摻雜層15電性連結。第二源極12B以及第二沒極別係穿 過層間介電層18以及閘極介電層17而與第二圖案化摻雜層Μ電性 連、、.》值喊明的疋’藉由本實酬之結構，可糊—圖案化導電 層來形成I源極12Α、第—祕13Α、第二源極uB以及第二沒 極ΠΒ而達到簡化製程步驟的效果，但本實施例並不以此為限而可 視需要使_同或研之導赌料來職各源極以及各沒極。 一 j考第2Α·第2Η圖。第2Α圖至第扭圖繪示了本發明 =第一錄實補之_電晶體元件職作方法示_。請注音 第从圖至第2謝各_增為上輸下半物應上棚 8 201246549 之剖線A_A’崎^:之剖關。本實施例之_電㈣元件的製作方 法包括下列步驟。如第2A圖所示，首先提供一基板1〇，基板ι〇 具有第導電類型區1〇Α以及一第二導電類型區l〇B。然後，於 基板ίο之第-導電類型區10A形成一第一圖案化推雜層15。在本 實施例中帛—圖案化掺雜層15可包括至少一 N型摻雜物例如鱗 或其他含磷之化合物，但不以此為限。第一圖案化摻雜層Μ可為利 用非離子植入製私例如化學氣相沉積、物理氣相沉積⑽ vapor depositio術佈(__加)成膜等方^ 混入第一圖案化摻賴15中，但本發明並不以此為限而可將成膜製 程與植入摻雜物製_如離子植人製程分別於不_程步财進 行。 接者’如第2B圖所示，於基板1〇之第一導電類型區i〇a與 二導電類型區咖形成一半導體層14。本實施例之半導體層Μ 包括-非晶料’但不以此為限。第—導魏寵舰 14係覆蓋第-圖案化掺雜層15。接著，對半導體層μ以及第一 行—雷射處理製程31。在本實施例中，係藉由1 、崦、將半導體層14由非晶石夕層改質為-多晶石夕層，但 =乂此為限另外值传注意的是，藉由雷射處理製程^亦可同 第—圖案化摻雜層15的阻值降低。因此在本發明之製作方、， ::單產:=製程31同時對半導體層14以及第，榜 处里效果’或是亦可視需要選擇於半導體層 之如先進行-雷射處理製程使第—圖案化摻雜層15敝值 201246549 接著於半導體層Μ形成之後再另進行雷射處理製程Μ來對半導體 層Η產生處理效果以及更進一步降低第一圖案化推雜層㈣阻值。 然後，如第2C圖所示，於第二導電類型區ι〇β之半導體層μ ^形第二轉化摻雜層.在本實施例t第二圖案化換雜層 可已括至少-N型捧雜物例如硼或其他含侧之化合物，但不以此 案化摻雜層16的形成方式可參考上述對第-圖案化摻 '、曰/、方式之說明’在此並不再贅述。另值得說明的是，如第 圖斤丁本發明之製作方法可包括利用—雷射處理製程^對半 體層14'第1案化摻雜層15與第二圖案化摻雜層㈣行處 理^而雷射處理製程32的效果可包括降低第二圖案化摻雜層Μ的 :雜:吏15 Γ體層14由非晶矽層改質為多晶矽層或降低第-圖案化 ，但並不以此為限。舉_，本發明之製作方式 可僅I括-次f射處理製程例如雷射處理_3 =、第一_化摻雜層15以及第二圖案化摻雜層_^里體;使 簡化，或是亦可視需要選擇性地再分別於半導體層14 =驟:刖進行一雷射處理製程或/及於第二圖案化摻雜層㈣ ==進行雷射處理製程31，以確保有效地降低第一圖案化摻 雜層15與第一圖案化摻雜層16的阻值。 接著，如第2D圖所示，對半導體層14進行圖案化 導電類型區嫩之半導體層Μ與第二導電類型區观之半導體声 Η互相分離。在本實施例卜半導體層_過圖案化製程後形成 201246549 一圖案化半導體層14C，而圖案化半導體層14C包括位於第一導電 類型區10A之一第一半導體圖案14A以及位於第二導電類型區i〇B 之一第二半導體圖案14B。之後，如第2E圖所示，形成一閘極介電 層17 ’同時覆蓋第一半導體圖案14A、第二半導體圖案14B以及第 二圖案化摻雜層16。然後，如第2F圖所示，於第一導電類型區l〇A 之閘極介電層Π上形成一第一閘極11A’並於第二導電類型區10B 之閘極介電層Π上形成一第二閘極11B。第一閘極11A與第二閘 極11B可由同—導電層並由同一圖案化製程加以定義’但不以此為 限。隨後如第2G圖所示，於閘極介電層π、第一閘極11A以及第 二閘極11B上形成一層間介電層18。 接著’如第2H圖所示’於層間介電層18與閘極介電層17中 形成複數個接觸孔洞19，其中第二導電類型區1〇B之接觸孔洞19 暴露出部分之第二圖案化摻雜層16，而第一導電類型區i〇a之接觸 孔洞19係更向下穿過第一半導體圖案14A而暴露出部分之第一圖 案化摻雜層15。隨後，於第-導電類型區嫩形成—第—源極12八 與-第-祕13A，以及於第二導電類型區ισΒ形成一第二源極i2B 與一第二汲極13B。第二源極12B與第二汲極13B係透過第二導電 _區10B之接觸孔洞19與第二圖案化摻雜層16電性連結，而第 1 原極UA與第—汲極13A係透過第—導賴龍猶之接觸孔 洞二與第—_化摻雜層15電性連結。本實施例之第—源極以、 =一及極13A、第二源極12B以及第二没極13B可由同一導電層或 刀別由不同之導電層所形成，轉電層可由單層或錢的導電材料 201246549 所瓜成藉由上述之製作方法可完成如第m圖所示之薄膜電晶體 兀件值传°兒明的疋，如第Μ圖所示，本實施例之薄膜電晶禮 元件刚的第-没極13A可與第二閘極im電性連結，此結構可利 用於例如鶴有機發光二極體顯示器_動元件設計中，而本實施 例之薄膜電晶體元件i00可視為一種互補式薄膜電晶體 _plementarythinfllmt職—树，但本發明並不以此為限而 可視❸十需要彈性地使各閘極、各源極以及各沒極彼此電性連結或 分離。 下文將針對本發明之薄膜電晶體元件及其製作方法的不同實施 樣I、進行》兒明，且為簡化說明，以下說明主要針對各實施例不同之 處進行詳述，而不再對相同之處作重覆贅述。此外，本發明之各實 施例中相同之元件係以相同之標號進行#示，以利於各冑施例間互 相對照。 請參考第3圖。第3圖繪示了本發明之另一較佳實施樣態之薄 膜電晶體元件的示意圖。如第3圖所示，本實施樣態之薄膜電晶體 元件101與上述之薄膜電晶體元件100的差異處在於薄膜電晶體元 件101之第一汲極13A係與第二源極12B電性連接，且第一閘極 11A係與第二閘極11B電性連結。換句話說，本實施樣態之薄膜電 晶體元件101可視為一種可利用於轉換器(inverter)之互補式薄膜電 晶體元件’但本發明並不以此為限。 12 201246549

請參考第4圖。第4圖繪示了本發明之一第二較佳實施例之薄 膜電晶體元件的示意圖。如第4圖所示，薄膜電晶體元件2〇〇包括 一第一導電類型電晶體210以及一第二導電類型電晶體22〇。與上 述之第一較佳實施例不同的地方在於，本實施例之第一導電類型電 晶體210更包括一第一閘極介電層17A設置於基板1〇與第一圖案 化摻雜層15之間，且第一閘極11A係設置於第—閘極介電層nA 與基板ίο之間。此外，本實施例之第二導電類型電晶體22〇更包括 一第二閘極介電層17B，設置於圖案化半導體層14(：、第一圖案化 摻雜層15以及第二圖案化摻雜層16之上，且第二閘極uB係設置 於第二閘極介電層17B之上。換句話說，本實施例之薄膜電晶體元 件200除了另具有第一閘極介電層ΠΑ與第二閘極介電層μ以取 代上述實施例之介電層17，以及調整第—閘極Μ之相對位置 之外’其餘各部件之雜與材料雜與上述第—触實施例相似， 故^此並不再贅述。值得說明的是，如第4圖所示，本實 :導電_電晶體210可為-底·極(b咖m挑 ^體^第二導電類型電晶體220可為一頂部閘極結構之薄膜電晶 體不以此為限而可視設計需要調整第二導電類型電晶 溫22〇之第二閘極hb的相對位置。 明，考第5A圖至第心固。弟圓 -第二較佳實施例之薄膜電晶趙元件的製作第：圖:會:了本發明: 5A圖至筮st岡士々ta 法不忍圖。請注意角 A圖至第5;射各_上半部為上 剖線B-B，所給干之刘&圍卜牛。卩為對應上視圖之 “之侧。值得說明的是，如第Μ圖至第5層

S 13 201246549 :件=7__異處在於，本實施例之薄膜電晶體 姑笛一/法躲第―®案化摻闕15形成之前，於⑺基 區嫩⑽成第—祕UA，並接著於第一圖案 =日15形成之前’於基板1G上形成—第—間極介電層μ以 覆盖第一閘極1U。此外，本實施例之製作方法另包括於基板i0 上形成-紅閘極介電層17B，覆蓋第二導電類型區⑽之半導體 層Μ(也就是第二半導體圖案MB)與第二圖案化摻雜層…並且於 第二導電類型區咖之第二閘極介電層⑽上形成第二閘極。除了 上述各步料，本實侧之_電晶航件的製作方法與上述 第了較佳實施例相似’在此並不再贅述。值得說明的是，藉由上述 之製作方法可完成如第]圖所示之薄膜電晶體元件·。如第Η 圖所示，本實施例之薄臈電晶體元件2〇㈣第一沒極Μ可與第二 閘極im電性連結’此結構可利用於例如驅動有機發光二極體顯示 器的驅動7〇件輯巾，*本實補之細電晶體元件亦可視為 -，互補式薄膜電晶體元件，但本發明並不以此為限而可視設計需 要彈丨生地使各間極、各源極以及各&極彼此電性連結或分離。 請參考第6圖。第6圖繪示了本發明之又一較佳實施樣態之薄 膜電晶體元件的示賴。如第6圖所示，本實施縣之薄膜電晶體 元件2〇1與上述之薄膜電晶體元件勘的差異處在於薄膜電晶體元 件201之第一/及極13A係與第二源極⑽電性連接，且第一閘極 UA係與第二閘極11B紐連結。換句職，本實施樣態之薄膜電 阳體7L件201可視為-種可利用於轉換器之互補式薄膜電晶體元 201246549 件，但並不以此為限。 請參考第7圖。第7圖繪示了本發明之一第三較佳實施例之薄 膜電晶體元件的示意圖。如第7圖所示，薄膜電晶體元件3〇〇包括 一第一導電類型電晶體310以及一第二導電類型電晶體32〇。與上 述之第一較佳實施例不同的地方在於，本實施例之第一源極12A與 第一汲極13Λ係至少部分設置於基板10與第一圖案化摻雜層15之 間，換句話說，在製作本實施例之薄膜電晶體元件3〇〇時，可先於 基板10上形成第一源極12A與第一汲極13A，接著再形成第一圖 案化摻雜層15以覆蓋部分之第一源極12八與部分之第一汲極 13A本實施例之薄膜電晶體元件3〇〇除了第一源極12A與第一汲 極13A，其餘各部件之特徵、材料特性以及製作方法與上述第一較 佳實把例相似’故在此並不再贅述。此外’在本實施例中，亦可視 設計需要彈性地使各閘極、各源極以及各汲極彼此電性連結或分離。 請參考第8圖。第8圖繪示了本發明之一第四較佳實施例之薄 膜電晶體元件的示意圖。如第8圖所示，薄膜電晶體元件働包括 一第一導電類型電晶體41〇以及一第二導電類型電晶體42〇。與上 述之第二較佳實施例不同的地方在於，本實施例之第一源極〗2A與 第一汲極13A絲少部分設置於第一閘極介電層17A與第一圖案化 捧雜層15之間，換句話說，在製作本實施例之薄膜電晶體元件彻 時’可先於第1極介電層17A形成後於第—閘極介電層17A上形 成第-源極12A與第-祕13A，接著再形成第_圖案化摻雜層15 15 201246549 以覆蓋部分之第-源極以與部分之第—雜13A。本實施例之薄 膜電晶體元件働除了第—源極12A與第一祕-，其餘各部件 之特徵、㈣雜以及製作方法與上述第二_實施_似，故在 不再4述此外，在本實施例中，亦可視設計需要彈性地使各 閘極各源極以及各汲極彼此電性連結或分離。 綜合以上所述，本發明之薄膜電晶體元件係利用將不同導電類 =圖案化摻雜層分別設置於半導體層之不同上下表面，達到簡化 ，域效果’啊糊雷射處理製絲降伽非軒植人方式形成 之摻雜層雜k ’使得在製程簡化的狀況下健可麟高效能之薄 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍 所做之均特化與軸’皆應屬本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 第圖，會不了本發明之一第一較佳實施例之薄膜電晶體元件的示 圖。 第-圖至第2H圖繪不了本發明之一第一較佳實施例之薄膜電晶體 元件的製作方法示意圖。 第圖、a示了本發明之另一較佳實施樣態之 薄膜電晶體元件的不意 圖。 第4圖繪* 了本發明之—第二難實施例之 薄膜電晶體元件的不意 201246549 圖。 第5A圖至第5J圖綠示了本發明之一第二較佳實施例之薄膜電晶體 元件的製作方法示意圖。 第6圖繪了本㈣之又_較佳實施樣態之_電晶體元件的示意 圖。 第7圖繪示了本發明之一第三較佳實施例之薄膜電晶體元件的示意 圖。 第8圖繪示了本發明之一第四較佳實施例之薄膜電晶體元件的示意 圖。 【主要元件符號說明】 10 基板 10A 第一導電類型區 10B 第二導電類裂區 11A 第一閘極 11B 第二閘極 12A 第一源極 12B 第二源極 13A 第一沒極 13B 第二浪極 14 半導體層 14A 第__•半導體圖案 14B 第二半導體圖案 14C 圖案化半導體層 15 第一圖案化摻雜層 16 第二圖案化摻雜層 17 閘極介電層 17A 第一閘極介電層 17B 第二閘極介電層 18 層間介電詹 19 接觸孔洞 31 雷射處理製程 32 雷射處理製程 17 201246549 100 薄膜電晶體元件 101 薄膜電晶體元件 110 第一導電類型電晶體 120 第二導電類型電晶體 200 薄膜電晶體元件 201 薄膜電晶體元件 210 第一導電類型電晶體 220 第二導電類型電晶體 300 薄膜電晶體元件 310 第一導電類型電晶體 320 第二導電類型電晶體 400 薄膜電晶體元件 410 第一導電類型電晶體 420 第二導電類型電晶體 18

Claims (1)

1. 201246549 七、申請專利範圍·· 1. 一種薄膜電晶體元件，設置於一基板上，該薄膜電晶體元件包括： 一第一導電類型電晶體，包括一第一圖案化摻雜層、一第一閘 極、一第一源極、一第一汲極以及一第一半導體圖案，其中 該第-源極以及該第-没極係與該第—圖案化摻雜層電性 連結；以及 一第二導電類型電晶體’包括一第二圖案化摻雜層、一第二閘 極、-第一源極、-第二没極以及一第二半導體圖案，其中 該第二源極以及該第二沒極係與該第二圖案化推雜層電性 連結； 其中該第-半導體圖案以及該第二半導體圖案構成一圖案化半 導體層，該第-圖案化捧雜層係設置於該第一半導體圖案之 下，且該第二圖案化摻雜層係設置於該第二半導體圖案之 Jl ° '、 2. 如請求们所述之_電晶體元件，其中該第—圖案化推雜層包 括至少- N型換雜物，且該第二圖案化摻雜層包括至少一 p型換 雜物。 3. 如請求们所述之細電晶體元件，其巾案化半導體層包括 一多晶珍層。 4. 如請求項i所述之薄膜電晶體元件，更包括—閘極介電層，設置 201246549 於該圖案化半導體層、該第化摻雜層以及該第二圖案化摻 雜層之上’其中該第—閘極以及該第二_係設置於該閘極介電 5. 如請求項4所述之薄職㈣祕，更包括-層間介電層設置於 該閘極介電層、該第—閘極以及該第二閘極之上，其巾該第二源 極以及該第二沒極係穿過該層間介電層以及該閘極介電層而與 該第二圖案化摻雜層電性連結，且該第1極以及該第—沒極係 穿過該層間介電層、·極介電層以及該第—半導體圖案而與該 第一圖案化摻雜層電性連結。 6. 如請求項4所述之薄職晶體元件，更包括—層間介電層設置於 该閘極介電層、該第—閘極以及該第二_之上，其中該第二源 極以及該第二沒極係穿過該層間介電層以及該閘極介電層而與 該第二圖案化摻雜層概連結，践第—源極及 少部分設置於該基板與該第一圖案化摻雜層之間。，〃 7. 如請求項1所述之薄膜電晶體元件，其中該第—導電類型電晶體 更包括-第-閘極介電層，設置於該基板與該第一圖案化推雜唐 之間，且該第-閘極係設置於該第一閘極介電層與該基板之間； 以及該第二導電類型電晶體更包括一第二閘極介電層設置於該 圖案化半導體層、該第-圖案化摻雜層以及該第二圖^案^推雜層 之上，且該第二閘極係設置於該第二閘極介電層之上。 20 201246549 月长項1所述之薄膜電晶體元件，其t該第—沒極與該第二門 極電性連結。 f 如》月长項1所述之薄膜電晶體元件，其中該第一沒極係與該第二 源極電性連接，該第一閘極係與該第二閘極電性連結。 ίο. 一種薄膜電晶體元件的製作方法，包括： 提供一基板，該基板具有一第一導電類型區以及一第二導電類型 區； 於該基板之該第-導電類型區形成H案化摻雜層； 於該基板之該第-導電類型區與該第二導電類型區形成一半導 體層’其中該第-導電類型區之該半導體層係覆蓋該第一圖 案化摻雜層； 於該第二導電類型區之該半導體層上形成—第二圖案化推雜層； 圖案化該半導體層’使該第一導電類型區之該半導體層與該第二 導電類型區之該半導體層互相分離；以及 ΜΜ 一 對該半導體層、該第-圖案化摻雜層與該第二圖案化摻雜層進行 至少一次雷射處理製程。 11.如請求項10所述之薄膜電晶體元件的製作方法，其中該雷射處 理製程包括兩次雷射處理製程，分別於形成該第二圖魏推雜^ 之前及之後進行。 曰 S 21 201246549 其中該雷射處 12.如請求項10所述之薄膜電晶體元件的製作方法， 理製程係於形成該第二圖案化摻雜層之後進行。 13.如請求項10所述之薄膜電晶體元件的製作方法，耸 /、〒該第*一圖 案化摻雜層與該第二圖案化摻雜層係分別利用一 ^ c予氧相沉積 製私所形成。 14. 如請求項1〇所述之薄膜電晶體元件的製作方法，其中卞第囝 案化摻雜層包括至少- Ν型摻雜物，且該第二圖案化捧^包^ 至少一Ρ型摻雜物。 曰 15. 如請求項1()所述之薄膜電晶體元件的製作方法，其中該雷射處 理製程將該半導體層由一非晶矽層改質為一多晶矽屛。 16. 如請求項1〇所述之薄膜電晶體元件的製作方法，更包括： 形成-閘極介電層，同時覆蓋該第一導電類型區之該=導體層以 及該第二導電_區之該半導體層與該第二圖案化換雜層； 於該第-導電類型區之該閘極介電層上形成—第一閘極;以及於 該第二導電類型區之該閘極介電層上形成一第二間極； 於該第-導電類型區中形成-第一源極與一第一沒極，並使該第 -源極以及該第-触與該第化摻雜層電性連結；以 及 22 201246549 於該第二導電類型區中形成-第二源極與—第二沒極並使該第 二源極以及該第二汲極與該第二_化摻雜層電性連結。 π.如請求項16所述之互補式薄膜電晶體的製作方法，更包括 於該:極:r、該第一該第二閉極上形成-騰電 於該^料層與該閘極介電層中形成複數個接觸孔洞，以暴露 =該第二圖案化摻雜層，其中該第二源極 二 及極係透過該等接觸孔洞與該第二圖案化摻雜層電性連結。 嶋賴恤，更包括： 形‘第=層形成之前’於該基板之該第一導電類型區 前’於•形成-第_閘極介 電層:覆蓋該第二導電類型區之半 於該第二導電_區之該:雜層’ 於該第-導電類刮斤/、 一開極介電層上形成一第二閘極； 源極以及該第源=一:一汲極，並使該第一 於該第二導電類型 …茨第—圖案化摻雜層電性連結；以及 二源極，第上極，並使該第 豕第一圖案化摻雜層電性連結。 S 23 201246549 19_如請求項18所述之_電晶體元件的製作方法更包括 以及 於該第二閘極介電層以及該第二閘極上形成—相介電層. 洞，以 於該層間介電層與該第二閘極介電層中形成複數個接術曰/ 暴露出部分之該第二圖案化摻雜層，其中該第二 第二沒極魏過該孔酿該第二随化摻雜該 速結。 9 %性 20.如請求項10所述之薄膜電晶體元件的製作方法， 案化摻雜層與該第二圖案化摻雜層係分別利用—非離子°枯第 (non-implant)製程所形成。 八、圖式： 24