TW201240158A - Producing method of light emitting diode device and light emitting diode element - Google Patents

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Yuki Shinbori
Yasunari Ooyabu
Satoshi Sato
Hisataka Ito
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Nitto Denko Corp
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Description

201240158 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光二極體裝置之製造方法及發光二 極體元件，詳細而言，本發明係關於一種發光二極體裝置 之製造方法、及該製造方法中所使用之發光二極體元件。 【先前技術】 近年來’作為可發出高能量之光之發光裝置，已知有白 色發光裝置。於白色發光裝置中，例如設有基底基板、積 層於該基底基板且發出藍色光之LED(Light Emitting Diode，發光二極體）、可將藍色光轉換為黃色光且被覆 LED之螢光體層、以及密封led之密封層。此種白色發光 裝置係自由密封層密封且自基底基板供給有電力之lED發 光’藉由穿透密封層及螢光體層之藍色光、與於螢光體層 中部分藍色光經波長轉換而得之黃色光的混色，發出高能 量之白色光。 作為製造此種白色發光裝置之方法，例如提出有以下方 法（例如’參照曰本專利特開2〇〇5·191420號公報）》 即，提出有如下方法：首先形成包含基板部、與自其周 邛向上側突出之白色反射框部的基體，其次，將半導體發 光元件以於基板部之中央由反射框部形成之凹部之底部， 在反射框部之内側隔開間隔之方式打線接合。 其-人，藉由塗佈向凹部填充螢光體與液狀之環氧樹脂之 混。物，繼而，使螢光體於凹部之底部自然沈澱，其後， 使環氧樹脂加熱硬化。 159466.doc 201240158 於藉由日本專利特開2005-191420號公報所提出之方法 而獲得之白色發光裝置中，由沈澱所形成之含有高濃度螢 光體之螢光體層（波長轉換層）係區劃於半導體發光元件之 上側之區域，含有高濃度環氧樹脂之密封部係區劃於螢光 體層上側之區域。 而且’於該白色發光裝置中，光半導體發光元件係以輻 射狀發出藍色光，其中’自光半導體發光元件朝向上方發 出之藍色光之一部分於螢光體層轉換為黃色光，並且剩餘 部分通過螢光體層。又’自光半導體發光元件朝向側方發 出之藍色光被反射框部反射，繼而朝向上側照射。而且， 曰本專利特開2005-191 420號公報之白色發光裝置係藉由 其等藍色光及黃色光之混色而發出白色光。 【發明内容】 然而’曰本專利特開2005_191420號公報之螢光體層係 藉由混合物中因螢光體之自然沈澱所產生之螢光體的濃度 差而區劃的區域，故厚度容易變得不均。於此種情形時， 存在螢光體層之波長轉換之效率變得不均，且白色發光妒 置發出不均之白色光的不良狀況β 又，形成螢光體層時係利用上述自然沈澱，故需要較長 時間’進而，$需要嚴格管理花費之時間，故製造步驟變 得複雜。其結果為’存在製造成本上升之不良狀況。 進而，由於光半導體層係與反射框部隔開«而配置， 故而1光半導體層朝向側方發出之部分光在被反射框部反 射之則由密封部吸收，因此存在出光效率降低之不良 159466.doc 201240158 狀況。 進而，於曰本專利特開2005-19 1420號公報之白色發光 裝置中’於光半導體發光元件上依序形成有螢光體層及密 封部’故光半導體發光元件於發光時所發出之熱即便向含 有高濃度螢光體之螢光體層進行熱傳導，其後，亦容易由 含有鬲濃度環氧樹脂之密封部蓄熱。因此，光半導體發光 元件之發光時之散熱不充分，其結果，存在光半導體發光 元件之發光效率降低之不良狀況。 又，於曰本專利特開2005-1 91420號公報之白色發光裝 置中，係藉由打線接合而將光半導體發光元件與基板部連 接，故存在因導線之陰影導致亮度降低之不良狀況。 本發明之目的在於提供一種可抑制製造成本之上升，並 且一方面可防止光半導體層之發光效率之降低，一方面發 出均勻之白色光而提高出光效率的發光二極體裝置之製造 方法、及該製造方法中所使用之發光二極體元件。 本發明之發光二極體裝置之製造方法之特徵在於：其係 包括設置有端子之基底基板、與覆晶安裝於上述基底基板 上之發光二極體元件的發光二極體裝置之製造方法，且該 製造方法包括如下步驟：準備形成為片狀之螢光體層二 上述營光體層之厚度方向一面上形成光半導體層；於上述 ^半導體層之上述厚度方向—面上，以與上述光半導體層 連接之方式形成電極部；以被覆上述料㈣層及上述電 極部之方式形成含有光反射成分之密封樹脂層；將上述密 封樹脂層以上述電極部之上述厚度方向一面露出之 159466.doc 201240158 分去除，藉此製造包括上述螢光體層、上述光半導體層及 上述電極部的上述發光二極體元件；及使上述發光二極體 兀件與上述基底基板於厚度方向對向配置，將上述電極部 與上述端子電性連接，而將上述發光二極體元件覆晶安裝 於上述基底基板上。 又，本發明之發光二極體元件之特徵在於包括：螢光體 層，其形成為片狀；光半導體層，其形成於上述螢光體層 之上述厚度方向一面上；電極部，其以與上述光半導體層 連接之方式形成於上述光半導體層之上述厚度方向一面 上；及密封樹脂層，其被覆上述光半導體層及上述電極部 且將上述電極部之上述厚度方向一面露出，且含有光反射 成分。 於使用本發明之發光二極體^件的本發明之發光二極體 裝置之製造方法中’準備形成為片狀之螢光體層，故可確 實地形成均勻之螢光體層。因此，於螢光體層中可完成均 勻之波長轉換。其結果，由本發明之發光二極體裝置之製 造方法獲得之發光二極體裝置可發出肖勻之白色《。 又於使用本發明之發光二極體元件的本發明之發光二 極體裝置之製造方y 中預先準備形成為片狀之螢光體 層，故可短時間且簡便地形成勞光體層，因此，可抑制製 造成本之上升。 進而於使用本發明之發光二極體元件的本發明之發光 二極體裝置之製造方法中’以被覆光半導體層之方式形成 含有光反射成分之密封樹脂層，故自光半導體層發出之光 159466.doc 201240158 於由其他構件吸收之前，由密封樹脂層之光反射成分反 射。因此，可提高出光效率。 進而，於藉由使用本發明之發光二極體元件的本發明之 發光一極體裝置之製造方法而獲得之發光二極體裝置中， 螢光體層係形成於光半導體層之厚度方向另一面，故可將 光半導體層之熱經由螢光體層而向厚度方向另一側散熱。 因此，可防止光半導體層之發光效率之降低。 又，於使用本發明之發光二極體元件的本發明之發光二 極體裝置之製造方法中，係將發光二極體元件覆晶安裝於 基底基板上，故可謀求亮度之提高且可謀求出光效率之進 一步提高。 【實施方式】 圖磷表示本發明之發光二極體元件之一實施形 面圖。 於圖1中’該發光二極體元件20包括：勞光體層"、形 成於螢光體層η之上表面(厚度方向一面)之光半導體層3 形成於光半導體層3之上表面(厚度方向一面)之電極部4、 及密封光半導體層3之密封樹脂層14β發光二極體元㈣ 係於下述圖2(a)〜圖4(f)之製造步驟中製造 、 风’如參照下 述圖5(g)之製造步驟般上下反轉（翻轉），而覆晶安裝: 底基板16(下述）上。 、、土 如圖1所示’螢光體層17係形成為片狀，具體而言，係 對應於發光二極體元件20之外形形狀而形成。 。糸 螢光體層17係由例如含有螢光體之螢光體組合物而形 159466.doc 201240158 成。 榮光體組合物較佳為含有螢光體及樹脂。 作為螢光體，例如可列舉能夠將藍色光轉換為黃色光之 黃色螢光體。作為此種螢光體，例如可列舉於複合金屬氧 化物或金屬硫化物等中摻雜例如鈽（Ce)或銪（Eu)等金屬原 子之螢光體。 具體而言，作為螢光體，可列舉例如具有γ3Αΐ5〇ι2: Ce(YAG(YttriUm Aluminium Garnet，釔.链·石榴石）： Ce) > (Y,Gd)3Al5012:Ce ^ Tb3Al3012:Ce ^ Ca3Sc2Si3Ol2:Ce ^
Li^CaMgJSi’GehOaCe等石榴石型晶體結構之石榴石型 榮光體、例如（Sr，Ba)2Si04:Eu ' Ca3Si04CI2:Eu ' Sr3Si05: Eu、Li2SrSi04:Eu、Ca3Si207:Eu 等矽酸鹽螢光體、例如 CaAl12〇19:Mn、SrAl2〇4:Eu等鋁酸鹽螢光體、例如
ZnS:Cu，A卜 CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu 等硫化物勞 光體、例如CaSi202N2:Eu、SrSi2〇2N2:Eu、BaSi202N2:Eu、
Ca-a-SiAlON等氮氧化物螢光體、例如CaA1SiN3:Ell、 CaSisNyEu 等氮化物螢光體、例如 K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mn 等氟化物系螢光體等。較佳可列舉石榴石型螢光體，進而 較佳可列舉 Y3Al5012:Ce(YAG)。 又’上述螢光體例如呈粒子狀，且平均粒徑例如為 0.1〜30 μπι，較佳為0.2〜10 μηι。螢光體（螢光體粒子）之平 均粒徑係利用粒度分佈測定裝置測定。 螢光體可單獨使用或將2種以上併用。 螢光體相對於例如螢光體組合物之調配比例，例如為 159466.doc 201240158 質量％’較佳為5〜3Q質量％。又，榮光體相對於樹脂 ⑽質量。/。之調配比例，例如為卜1()()質量％，較佳為⑽ 質量％。 樹脂係使螢光體分散之基f，例如，可列㈣氧樹脂' - 冑氧樹脂、丙稀㈣樹脂等透明樹料1耐久性之觀點 - 而言，較佳可列舉矽氧樹脂。 石夕氧樹〗日主要於分子内具有包含秒氧鍵（_si_〇_Si_)之主 鍵^鍵,.Ό於主鍵之石夕原子（Si)的包含院基（例如甲基等） 或烷氧基（例如甲氧基）等有機基之側鏈。 具體而§ ’作為錢樹脂，例如，可列舉脫水缩合型石夕 ^樹脂、加成反應型矽氧樹脂、過氧化物硬化型矽氧樹 月曰'…氣硬化型矽氧樹脂、硬化型矽氧樹脂等。較佳可列 舉加成反應型矽氧樹脂等。 石夕氧樹脂之25°c之運動黏度例如為10〜30 mm2/s。 樹脂可單獨使用或將2種以上併用。 樹月曰相對於螢光體組合物之調配比例例如為50〜99質量 %，較佳為70〜95質量％。 . 螢光體組合物係藉由將螢光體及樹脂按上述調配比例調 配且授拌混合而製備。 營光體層17之厚度例如為20〜5〇〇 μηι ’較佳為5〇〜3〇〇 μιη。 光半導體層3係於螢光體層〗7之上表面之面方向（與厚度 方向正交之方向，即，圖1之紙面左右方向及紙面深度方 向）中央部形成為特定圖案。 159466.doc 201240158 光半導體層3包括：緩衝層6、形成於其上之n型半導體 層7、形成於其上之發光層8、及形成於其上之p型半導體 層9。 緩衝層6係對應於光半導體層3之外形形狀而形成。 緩衝層6係緩衝接下來說明之n型半導體層7之晶格常數 之不正。 作為形成緩衝層6之緩衝材料，例如，可列舉元素半導 體（單元素半導體）、氧化物半導體、化合物半導體（除氧化 物半導體以外）等半導體。 作為元素半導體，例如’可列舉Si、Ge、Sn等4B元素 (長週期型週期表中之4B元素，以下相同）。 作為氧化物半導體，可列舉例如Al2〇3、znO、Sn02等 典型元素之氧化物，例如Ti〇2、v2〇5、Cr2〇3、Mn〇2、
Fe2〇3、NiO、ChO等過渡元素之氧化物等。其等可單獨使 用或併用。 化合物半導體係除〇以外之複數個元素鍵結之化合物， 可列舉例如 AIN、A1P、A1AS、AlSb、GaN、Gap、GaAs、
GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlGaN、InGaN、AlInN '
AlGaln等之3B元素與5B元素之化合物，例如ZnS、SnSe、
ZnTe等之2B元素與6B元素之化合物等。較佳可列舉3色元 素與5Β元素之化合物。 上述半導體中’較佳可列舉化合物半導體。 緩衝層6之厚度例如為〇·5〜2〇〇 nm，較佳為丨〜丨⑼nm。 N型半導體層7係形成於緩衝層6之整個上表面。作為形 159466.doc -10· 201240158 型半導體層心型半導體，並無特 知之N型半導體，且可列廒 J幻举周 县" 舉向上返半導體接雜（添加）有微 量之例如5Β元素或邮素等㈣的雜質半導體。 Ν型半導體層7之厚度並無特別 热将別限定，例如為10 nm〜10 μπι 〇 發光層8係_型半導體層7之上表面，於面方向一側（圖 1之左側)端部形成為特定圖案。即，發光層8係於面方向 另-側端部（圓i之右側_型半導體層7之上表面露出。 作為形成發光層8之發光材料，可列舉與上述緩衝層艸 例示之半導體相同之本邕栌 卞守瓶和U乏牛導體，且較佳可列舉化合物半 體。 發光層8之厚度例如為2〇〜3〇〇 nm，較佳為3〇〜·⑽。 p型半導體層9係於發光層8之整個上表面形成為與發光 層8相同之圖案。作為形成p型半導體層9之？型半導體，並 無特別限定，可列舉周知之p型半導體，且可列舉例如， 向上述半導體摻雜（添加）微量之3B元素、2A元素等雜質的 雜質半導體》作為2A元素，例如，可列舉Be、Mg等鹼土 金屬。 p型半導體層9之厚度並無特別限定，例如為1〇 nm〜1〇 μιη 〇 電極部4係與光半導體層3電性連接，且包括陽極電極1〇 及陰極電極11。 陽極電極10係於Ρ型半導體層9之上部，以插入透明電極 12之方式形成，且經由透明電極12而與ρ型半導體層9電性 159466.doc 201240158 連接。 透明電極12係於P型半導體層9之上表面形成，且以於厚 度方向投景> 時被P型半導體層9所包含之方式配置❶作為形 成透明電極12之電極材料，例如，可列舉氧化銦錫（ιτ〇，
Indium Tin Oxide)、氧化鋅（Ζη0) '氧化錫（Sn〇2)等金屬氧 化物，其厚度例如為10〜300 nm，較佳為2〇〜2〇〇nm。 陽極電極ίο於厚度方向投影時，形成為透明電極12所包 含之圖案。 作為形成陽極電極10之電極材料，例如，可列舉金、鋁 等。較佳可列舉金。陽極電極10之厚度例如為10〜300 nm ’較佳為2〇〜200 nm。 陰極電極11係於N型半導體層7之上部形成，具體而言， 於自P型半導體層9及發光層8露出之N型半導體層7之上表 面形成。陰極電極U係與N型半導體層7電性連接。 作為形成陰極電極U之電極材料，例如，可列舉金、鋁 等。較佳可列舉金《陰極電極丨丨之厚度例如為1〇〜3〇〇 nm ’較佳為20〜2〇〇 nm。 又’於該電極部4中設置有凸塊丨3。 凸塊13係於陽極電極1〇之上表面、與陰極電極u之上表 面形成。各凸塊13係分別於俯視時，形成為陽極電極1 〇及 陰極電極11所包含之圖案° X 塊13係形成為與基底基 板16之端子15(下述，圖5(g))實際上相同之圖案。 作為形成凸塊13之材料，例如，可列舉金、銀、鉛、 錫、其等之合金（具體而言，焊錫等）等導體。 159466.doc -12- 201240158 各凸塊13之厚度係於向基底基板16之覆晶安裝前，以與 形成於陽極電極1〇之上表面之凸塊13之上表面、及形成於 陰極電極11之上表面之凸塊13之上表面成為相同高度之方 式進行調整。即，各凸塊13之厚度係於面方向投影時，以 其等成為相同位置（厚度方向位置）之方式進行調整。 密封樹脂層14含有光反射成分，具體而言，密封樹脂層 14係由含有密封材料與光反射成分之密封樹脂組合物形 成0 作為密封材料，例如，可列舉熱硬化性矽氧樹脂、環氧 樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂、酚系樹脂、脲樹脂、三聚 氰胺樹脂、不飽和聚s旨樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙醋樹脂、 熱硬化性胺酯樹脂等熱硬化性樹脂，較佳可列舉熱硬化性 石夕氧樹脂、環氧樹脂。 光反射成分係例如白色化合物，且作為此種白色化合 物，具體而言，可列舉白色顏料。 作為白色顏料，例如，可列舉白色無機顏料，且作為此 種白色無機顏料，可列舉例如氧化鈦、氧化鋅 '氧化錯等 氧化物 <列如紹白（碳酸錯）、碳酸弼等碳酸鹽，例如高嶺 土（局嶺石）等黏土礦物等。 進而較佳可列 作為白色無機顏料，較佳可列舉氧化物， 舉氧化鈦。 性右：：化鈦'則可獲得較高之白色度、較高之光反 異之隱蔽性（隱蔽力）、優異之著色性（著色力）、 Μ分散性、優異之耐候性、較高之化學敎性等特性 159466.doc •13- 201240158 具體而言 欽）〇 此種氧化鈦為Ti〇2(氣 化鈦（IV) 二氧化 氧化鈦之晶體結構並無特別限定，例如為金紅石、 br〇〇ldte(板敛礦）、anatase(銳銳礦）等較佳為金紅石。 氧化欽之晶系並無特別限定，例如為正方晶系、斜 方晶系等，較佳為正方晶系。 ’ 氧化欽之晶體結構及以若為金紅石及正方晶系，則即 便於社封樹脂層14被長時間高溫地暴露之情形時，亦可有 效防止相對於光（具體而言，可見光，尤其波長彻⑽附 近之光）之反射率降低。 光反射成分為粒子狀，其形狀未作限定，例如，可列舉 球狀、板狀、針狀算 ^ 丁狀寺7b反射成分之最大長度之平均值 (於球狀之情形時，其平均粒徑）例如為卜刪⑽。最大 長度之平均值係使用雷射繞射散射式粒度分佈儀測定。 光反射成分相對於密封材料刚質量％之調配比例，例 如為〇,5〜90質量％，就著色性、光反射性及密封樹脂組合 物之處理性之觀點而言，較佳為】5〜7〇質量。，。。 上述光反射成分係均勻地分散混合於密封材料中。 又’於密封樹脂組合物中，進而亦可添加填充劑。即， 可將填充劑與光反射成分（具體而言，白色顏料房用。 填充劑除上述白色顏料之外，可列舉周知之填充劑，具 體而言，可列舉無機質填充劑，且作為此種無機質填充 劑例如，可列舉二氧化砂粉末、滑石粉末、氧化紹粉 末、氮化鋁粉末、氮化矽粉末等。 159466.doc 201240158 作為填充劑，就降低密封樹 而言，較佳可列舉二氧切粉末之線膨脹係數之觀點 體作^氧切粉末，可列舉例如_二氧切粉末、晶 體一氧化矽粉末等，較佳可 石英破璃粉末）。肖佳π舉炫融二氧切粉末（即， 作為填充劑之形狀，例如，可列舉球狀、板狀、針狀 ^就優異之填充性及流動性之觀點而言，較佳可列舉球 因此，作為二氧化石夕粉末，較佳可列舉球狀炫融二氧化 矽粉末。 书*1匕 "填充劑之最大長度之平均值（於球狀之情形時，平均粒 徑)例如為5〜60叫，較佳為15〜45 μιηβ最大長度之平均值 係使用雷射繞射散射式粒度分佈儀測定。 填充劑之添加比例係以填充劑及纽射成分之總量相對 於例如密封樹脂100質量％ ’成為10〜8Gf量％之方式進行 =整、’且就線膨脹係數之降低及流動性之確保之觀點而 5，以相對於密封樹脂100質量％，較佳為成為 25〜75質量 〇進而較佳為成為40〜60質量％之方式進行調整。 密封樹脂組合物係藉由將上述密封材才斗、光&射成分、 與按需添加之填充劑調配，且均勻混合而製備。 密封樹脂層14係於螢光體層17之上部，以被覆光半導體 層3及電極部4之側面且將電極部4之上表面（厚度方向一面） 露出之方式形成。 詳細而言，由密封樹脂層14被覆有：對應於陽極電極1〇 I59466.doc 15 201240158 之凸塊13之側面、自該凸塊π露出之陽極電極1〇之上表面 及侧面、自陽極電極10露出之透明電極12之上表面及側 面、自透明電極12露出之P型半導體層9之上表面及側面、 發光層8之側面、N型半導體層7之側面、與緩衝層6之側 面。又，對應於陽極電極10之凸塊13之上表面係自密封樹 脂層14露出》 又，由密封樹脂層14被覆有：對應於陰極電極丨丨之凸塊 13之側面、與自該凸塊13露出之陰極電極丨丨之上表面及側 面。又，對應於陰極電極U之凸塊13之上表面係自密封樹 脂層14露出。 進而，由密封樹脂層14亦被覆有^^型半導體層7之上表面 (自發光層8及陰極電極n露出之N型半導體層7之上表 面）。 進而，由密封樹脂層14被覆有自光半導體層3露出之螢 光體層17之上表面。 如此，光半導體層3係由密封樹脂層14密封。 圖2〜圖5係表示說明本發明之發光二極體裝置之製造方 法之一實施形態之步驟圖。 其次，參照圓2〜圖5，對藉由形成上述發光二極體 繼而於基底基板16上安裝該發光二極體元件2〇，從而 製造發光二極體裝置21的方法進行說明。 首先，準備形成為片狀之 於該方法中’如圖2(a)所示 螢光體層17。 於準備螢光體層17中 例如，將上述螢光體組合物塗佈 I59466.doc •16· 201240158 於以虛線表不之脫模基材18之表面，而形成片狀之營光體 皮膜（未圖示）。 脫模基材18成片狀，例如，由聚對苯二曱酸乙二酯等樹 脂材料形成。脫模基材18之厚度例如為10〜1000 μη!。 其後’藉由使螢光體皮膜例如於5〇〜150°C加熱乾燥，而 形成為上述圖案之片狀。 藉此，準備片狀之螢光體層17。 其次，於該方法中，如圖2(b)所示，於螢光體層丨7之上 表面（厚度方向一面）形成光半導體層3。 光半導體層3係於螢光體層17之上表面，於面方向彼此 隔開間隔而形成複數個。 具體而言，例如，利用磊晶成長法等周知之成長法於螢 光體層17之上表面積層各光半導體層3。再者，各緩衝層 6、各N型半導體層7、各發光層8及各p型半導體層9係於上 述成長法之後’例如藉由使用遮罩之蝕刻而形成為上述圖 案0 其次，於該方法中，如圖3(c)所示’於光半導體層3之上 表面（厚度方向-面）以與光半導體層3連接之方式，利用周 知之圖案化法形成電極部4。電極部4係對應於各光半導體 層3而設置複數個。 其次’於該方法中，如圖3⑷所示，於螢光體層Η之上 個光半導體層3及複數個電極部4之方式形成 於形成密封樹脂層14中，於包含光半導體層3及電極部4 I59466.doc 201240158 螢光體層1 7之上。p，例如’藉由使用貼合機或敷料器之 塗佈方法塗佈上述密封樹脂組合物而形成密封皮膜。其 後’於密封材料為熱硬化性樹脂之情形時，藉由加熱使密 封皮膜硬化。 又’於密封樹脂組合物預絲成為片狀之情形時，以埋 設光半導體層3及電極部4之方式使該密封樹脂組合物載置 於螢光體層17之上部’且藉由加熱硬化，藉此亦可成形密 封樹脂層14。 進而’於密封樹脂組合物含有粉末狀之熱硬化性樹脂之 情形時，Μ用加壓成形機一面加熱一面加壓成形而使密封 樹脂組合物硬化，亦可成形密封樹脂層14。 藉此，形成密封樹脂層14。 關於如上所述形成之密封樹脂層14，其上表面形成於較 電極。卩4之上表面（即，凸塊〗3之上表面）更上側。 密封樹脂層14之上表面與凸塊13之上表面之間的長度l 例如為2000 μηι以下，較佳為1〇〜1〇〇〇 μιη。 藉此，光半導體層3及電極部4由密封樹脂層14密封。 其人如圖4(e)所示，以電極部4之上表面（厚度方向一 面）露出之方式部分去除密封樹脂層14。 具體而言，於密封樹脂層14中，去除位於較凸塊13之上 表面更上側之上側部。 於密封樹脂層14之上側部之去除令，例如，可採用上述 蝕刻、機械加工（具體而言’研磨加工等）等。 去除上側部之密封樹脂層14係將凸塊13之上表面露出。 159466.doc 201240158 藉此，於密封樹脂層14中，凸塊13之周圍之上表面形成於 與凸塊13之上表面同一面。 藉此，一體地形成有複數個發光二極體元件2〇，且該等 發光二極體元件20包含：螢光體層17、由密封樹脂層14密 封之各光半導體層3、及側面由密封樹脂層14被覆且凸塊 13之上表面自密封樹脂層14露出之各電極部4。 其後，如圖4(f)之單點虛線所示，對各發光二極體元件 2〇間之密封樹脂層14(及脫模基材18)與螢光體層17進行切 斷加工（切割）。 即，切割螢光體層17及密封樹脂層14，而切分為複數個 發光二極體元件20。即，將發光二極體元件2〇個別化（單 體化）。 具體而言，將光半導體層3及電極部4之周圍之螢光體層 17、與密封樹脂層14沿圖4(f)之單點虛線所示之厚度方向 切割。 藉此’可獲得圖1所示之發光二極體元件2〇。 其後’如圖5(g)所示’使獲得之發光二極體元件2〇上下 反轉（翻轉），且與基底基板16於厚度方向上對向配置。 基底基板16成大致平板狀，具體而言，係於絕緣基板之 上部，由積層有作為電路圖案之導體層的積層板而形成。 絕緣基板例如，包含矽基板、陶瓷基板、聚醯亞胺樹脂基 板等，較佳為包含陶瓷基板，具體而言，係藍寶石（Al2〇3) 基板。導體層係例如由金、銅、銀、鎳等導體形成。該等 導體可單獨使用或併用。 159466.doc -19- 201240158 又，導體層包含端子15。 端子1 5係於絕緣基板之表面’於面方向隔開間隔而形 成，且形成為對應於上述凸塊13之圖案。再者，端子15雖 未圖示’但經由導體層與電力供給部電性連接。 繼而’如圖5 (h)所示’將凸塊13與端子15電性連接，將 發光二極體元件20覆晶安裝於基底基板16上。 於覆晶安裝中’於將發光二極體元件20以凸塊13與端子 15於厚度方向鄰接之方式載置於基底基板16之上部之後， 例如藉由加熱或超音波等使凸塊13回流焊。藉此，凸塊13 與端子15於厚度方向上接觸。 其後’視需要’如圖5(h)之虛線之箭頭所示，自螢光體 層17上剝離脫模基材丨8。 藉此’可獲得包括基底基板16、與覆晶安裝於基底基板 16上之發光二極體元件2〇的發光二極體裝置21。 而且’於使用上述發光二極體元件20的上述發光二極體 裝置21之製造方法中，準備形成為片狀之螢光體層17，故 可確實地形成均勻之螢光體層17。因此，於螢光體層17中 可達成均勻之波長轉換。其結果，上述發光二極體裝置21 可發出均勻之白色光。 又’於上述發光二極體裝置21之製造方法中，預先準備 形成為片狀之螢光體層17，故可短時間且簡便地形成勞光 體層17。因此，可抑制製造成本之上升。 進而，於上述發光二極體裝置21之製造方法中，以被覆 光半導體層3之方式形成含有光反射成分之密封樹脂層 159466.doc 201240158 14’故自光半導體層3發出之光在由其他構件吸收之前， 由密封樹脂層14之光反射成分反射。因此，可使出光效率 提高。 進而’於上述發光二極體裝置21中，於光半導體層3之 上表面形成螢光體層17，故可經由螢光體層17而向上側散 熱光半導體層3之熱。因此’可防止光半導體層3之發光效 率之降低。 又，於上述發光二極體裝置21之製造方法中，係將發光 二極體元件20覆晶安裝於基底基板16上，故可謀求亮度之 提高且可謀求出光效率之進一步提高。 再者，於圖5(h)之虛線箭頭之實施形態中，於向基底基 板16之覆晶安裝之後自螢光體層17上剝離脫模基材18，但 脫模基材1 8之剝離時期並不限定於此。例如，亦可如參照 圖2(a)般準備螢光體層17之後，又，如參照圖2(b)般形成 光半導體層3之後’又，如參照圖3(c)般形成電極部4之 後’又，如參照圖3(d)般形成密封樹脂層14之後，又，如 參照圖4(e)般去除密封樹脂層14之上側部之後，又，如參 照圖4(f)般切割密封樹脂層14及螢光體層17之後，自榮光 體層17上剝離脫模基材18。 實施例 以下表示實施例’進一步具體說明本發明，但本發明並 不限定於實施例。 實施例1 準備形成為片狀之厚度為75 μιη之螢光體層（參照圖 159466.doc •21- 201240158 2⑷）。 即’藉由將包含Y3Al5012:Ce之螢光體粒子（球形狀，平 均粒徑為8 μηι)26質量。/。、及矽氧樹脂（加成反應型矽氧樹 脂’運動黏度（25°c )為20 mm2/s，旭化成瓦克矽酮公司製 造）74質量％進行調配且均勻攪拌，製備螢光體組合物。 其次’於包含聚對苯二曱酸乙二酯的厚度為5〇 μπι之脫 模基材之表面塗佈製備而成之螢光體組合物，形成片狀之 營光體皮膜。其後’使形成之螢光體皮膜於1〇〇它乾燥， 而形成上述圖案之片狀之螢光體層。 其次，於螢光體層之上表面形成光半導體層（參照圖 2(b))。 即，根據磊晶成長法，於螢光體層之上部按上述圖案依 次形成有：包含GaN之厚度為3〇 nm之緩衝層 '包含摻雜 有SAN型GaN(n-GaN:Si’以下相同地表示）的厚度為5叫 之Ν型半導體層、包含InGaN之厚度為120 nm之發光層、 及包含P_GaN:Mg之厚度為5〇 nm之P型半導體層。再者， 緩衝層及N型半導體層係、於形成㈣半導體層之後，藉由 触刻而#刻為上述相同圖案，又，發光層及p型半導體層 係於形成P型半導體層之後，藉由㈣而㈣為上述相同 圖案。 其次’於光半導體層之上表面，藉由圖案化法以與光半 導體層連接之方式形成電極部(參照圖3(c))。 、 即’於P型半導體層之上部形成包含⑽之厚度為π⑽ 之透明電極’、繼而，於透明電極之上部形成包含金之厚度 159466.doc
S •22· 201240158 為50 nm之陽極電極。同時，於N型半導體層之上部形成包 含金之厚度為50 nm之陰極電極。 繼而’於陽極電極及陰極電極之上部分別形成包含金之 凸塊。 詳細而言，調整陽極電極之上部之凸塊之厚度、與陰極 電極之上部之凸塊之厚度，以使其等凸塊之上表面於面方 向上投影時成為相同高度。 其次，於螢光體層之上部以被覆光半導體層及電極部之 方式形成密封樹脂層（參照圖3(d)) β ”體而。，首先，藉由將熱硬化性石夕氧樹脂⑺〇質量 %、及球狀且平均粒徑為3〇〇 nm2氧化鈦（Ti〇2金紅石之 正方明系）粒子20質1 %均勻混合，而製備膏狀之密封樹脂 、且5物繼而，於包含光半導體層及電極部之螢光體層之 上部塗佈製備而成之密封樹脂組合物，形成半硬化狀態（b 階段狀態)之密封皮膜。其後，藉由加熱使密封皮膜硬 化。 曰 利用密封树知層而密封光半導體層及電極部（參 照圖4(e))。 再者於比凸塊之上表面長3〇叫⑻之上側形成密封樹 脂層之上表面。 =後卩電極部之上表面露出之方式藉由研磨加工而去 除松封樹脂層之上側部（厚戶 1 1序度為30 μιη)(參照圖4(f))。再 者’以電極部之上表面斑盆 .π 衣面與其周圍之密封樹脂層之上表面成 為同-面之方式，去除密封樹脂層之上側部。 I59466.doc -23. 201240158 藉此，一體地形成包括螢光體層、由密封樹脂層密封之 各光半導體層'與侧面由密封樹脂層被覆且凸塊之上表面 自密封樹脂層露出的各電極部之複數個發光二極體元件。 其後，切割各發光二極體元件間之螢光體層及密封樹脂 層，而切分為複數個發光二極體元件（參照圖4(f)之單點虛 線）。即，將發光二極體元件單體化。 其後，翻轉發光一極體元件。繼而，準備於包含藍寶石 (Al2〇3)之絕緣基板之表面上積層有包含端子之導體層的厚 度為1 mm之基底基板，且上述端子包含銅、鎳及金而使 發光二極體元件與基底基板對向配置（參照圖5(g))。 其後，藉由加熱使凸塊回流焊並使凸塊與端子接觸，且 將其等直接電性連接，然後於基底基板上覆晶安裝發光二 極體元件（參照圖5(g)p其後，自螢光體層剝離脫模基材 (參照圖5(g)虛線之箭頭）。 藉此，製造包括基底基板、與安裝於基底基板上之發光 二極體元件的發光二極體裝置。 再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提 供但其僅為例示，不可限定性地理解。由該技術領域之 技術人員而明確之本發明之變形例係包含於下述專利申請 範圍者。 【圖式簡單說明】 圆1係表示本發明之發光二極體元件之一實施形態之剖 面圖。 圖2係說明本發明之發光二極體裝置之製造方法之一實 I59466.doc • 24· 201240158 施形態之步驟圖，且 (a) 係表示準備螢光體層之步驟’ (b) 係表示形成光半導體層之步驟。 圖3係繼圖2之後，說明士 月本發明之發光二極體裝置之製發 方法之一實施形態之步驟圖，且 (c) 係表示形成電極部之步驟， (d) 係表示形成密封樹脂層之步驟。 ^係繼圖3之後，說明本發明之發光：_裝置<^ 方法之一實施形態之步驟圖，且 (e) 係表示部分去除密封樹脂層之步驟， ⑺係表示對密封樹脂層及營光體層進 驟。 1 "丄 圖5係繼圖4之後，說明本發明之發光二極 方法之一實施形態之步驟圖，且 之製3 驟 (g)係表示將發光二極體元件覆晶安裝於基底基板 之 (h)係表示獲得發光二極體裝置之步驟。 【主要元件符號說明】 3 光半導體層 4 電極部 6 緩衝層 7 N型半導體層 8 發光層 9 P型半導體層 159466.doc -25 201240158 10 陽極電極 11 陰極電極 12 透明電極 13 凸塊 14 密封樹脂層 15 端子 16 基底基板 17 螢光體層 18 脫模基材 20 發光二極體元件 21 發光二極體裝置 159466.doc -26-

Claims (1)

  1. 201240158 七、申請專利範圍： 1. 一種發光一極體裝置之製造方法，其特徵在於該發光二 極體裝置係包括設置有端子之基底基板、與覆晶安裝於 上述基底基板上之發光二極體元件者，且該方法包括如 下步驟： 準備形成為片狀之螢光體層； 於上述螢光體層之厚度方向一面形成光半導體層； 於上述光半導體層之上述厚度方向一面以與上述光半 導體層連接之方式形成電極部； 以被覆上述光半導體層及上述電極部之方式形成含有 光反射成分之密封樹脂層； 將上述密封樹脂層以上述電極部之上述厚度方向一面 露出之方式予以部分去除，藉此製造包含上述螢光體 層、上述光半導體層及上述電極部之上述發光二極體元 件；及 使上述發光二極體元件與上述基底基板於厚度方向對 向配置，將上述電極部與上述端子電性連接，而將上述 發光二極體元件覆晶安裝於上述基底基板上。 2. —種發光二極體元件，其特徵在於包括： 螢光體層’其形成為片狀； 光半導體層，其形成於上述登光體層之厚度 上； 電極部，其以與上述光半導體層連接之方式形成於上 述光半導體層之上述厚度方向一面上；及 、 I59466.doc 201240158 密封樹脂層，其被覆上述光半導體層及上述電極部且 將上述電極部之上述厚度方向一面露出，且含有光反射 成分。 159466.doc
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JP (1) JP2012216712A (zh)
KR (1) KR20120110050A (zh)
CN (2) CN105470372A (zh)
TW (2) TW201705542A (zh)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5670249B2 (ja) * 2011-04-14 2015-02-18 日東電工株式会社 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置
JP5680472B2 (ja) * 2011-04-22 2015-03-04 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
US20140009060A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-09 Nitto Denko Corporation Phosphor layer-covered led, producing method thereof, and led device
JP6086738B2 (ja) * 2013-01-21 2017-03-01 シチズン時計株式会社 Ｌｅｄ装置
KR20150000676A (ko) * 2013-06-25 2015-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 제조방법
JP2015023175A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 ソニー株式会社 半導体発光素子および半導体発光装置
JP6713720B2 (ja) * 2013-08-30 2020-06-24 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びそれを含む車両用照明装置
JP2015106641A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9954144B2 (en) * 2014-01-10 2018-04-24 Cree, Inc. Wafer level contact pad solder bumping for surface mount devices with non-planar recessed contacting surfaces
US20150200336A1 (en) * 2014-01-10 2015-07-16 Cree, Inc. Wafer level contact pad standoffs with integrated reflector
JP2015133369A (ja) * 2014-01-10 2015-07-23 アピックヤマダ株式会社 光デバイス及び光デバイスの製造方法
EP3158594A1 (en) * 2014-06-19 2017-04-26 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device with small source size
CN104167482B (zh) * 2014-07-29 2018-01-23 广东晶科电子股份有限公司 一种白光led芯片及其制作方法
JP6582382B2 (ja) * 2014-09-26 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN104465966A (zh) * 2014-12-17 2015-03-25 江苏稳润光电有限公司 一种白光led封装结构及其封装方法
DE102015100575A1 (de) * 2015-01-15 2016-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
EP3273493B1 (en) 2015-03-18 2022-03-02 Dexerials Corporation Method for manufacturing light emitting device
JP6471641B2 (ja) 2015-08-04 2019-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
TWI632698B (zh) * 2015-10-02 2018-08-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP6776764B2 (ja) * 2015-10-30 2020-10-28 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017168808A (ja) * 2015-11-06 2017-09-21 株式会社カネカ Ｃｓｐ−ｌｅｄ用熱硬化性白色インク
KR102263041B1 (ko) 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
US10720415B2 (en) * 2016-11-01 2020-07-21 Innolux Corporation Display device and method for forming the same
US10580932B2 (en) * 2016-12-21 2020-03-03 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device
JP6645486B2 (ja) * 2017-02-13 2020-02-14 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JPWO2019031183A1 (ja) * 2017-08-10 2020-08-20 シャープ株式会社 半導体モジュール、表示装置、及び半導体モジュールの製造方法
US10804442B2 (en) 2018-01-29 2020-10-13 Nichia Corporation Light emitting device
KR102484799B1 (ko) * 2018-04-16 2023-01-05 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
JP6766900B2 (ja) * 2019-01-15 2020-10-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102325791B1 (ko) * 2019-12-05 2021-11-12 웨이브로드 주식회사 반도체 발광소자
US11527684B2 (en) * 2020-12-04 2022-12-13 Lumileds Llc Patterned downconverter and adhesive film for micro-LED, mini-LED downconverter mass transfer

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6630691B1 (en) * 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
JP2003273408A (ja) * 2000-07-31 2003-09-26 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP4529319B2 (ja) * 2001-06-27 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 半導体チップとその製造方法
JP2005191420A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007324586A (ja) * 2006-05-02 2007-12-13 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光素子の製造方法
JP2007329465A (ja) * 2006-05-09 2007-12-20 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光素子の製造方法
JP5158472B2 (ja) * 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US9024340B2 (en) * 2007-11-29 2015-05-05 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method for producing the same
JP5190993B2 (ja) * 2008-11-20 2013-04-24 日東電工株式会社 光半導体封止用シート
JP4799606B2 (ja) * 2008-12-08 2011-10-26 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
US7952106B2 (en) * 2009-04-10 2011-05-31 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode device having uniform current distribution and method for forming the same
JP2011040494A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
JP2011040495A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
TWI415308B (zh) * 2009-12-21 2013-11-11 Harvatek Corp 用於增加發光效率及散熱效果之晶圓級發光二極體封裝結構及其製作方法
JP5666962B2 (ja) * 2011-03-28 2015-02-12 日東電工株式会社 発光ダイオード装置およびその製造方法

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CN102723410B (zh) 2016-06-22
KR20120110050A (ko) 2012-10-09
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