TW201232569A - Transparent conductive film and touch panel - Google Patents

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201232569 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種於膜基材上經由介電體層而設置有經圖 案化之透明導電層之透明導電性膜。另外，本發明關於一 種具備該透明導電性膜之觸控面板。 【先前技術】 觸控面板根據位置檢測方法之不同，有光學方式、超音 波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等。電阻膜方式之; 控面板通常採用上部電極之透明導電性膜與下部電極之附 透明導電層之玻璃或透明導電性膜經由間隔件而對向配 置，於上部電極通過電流並測量位於下部電極之電位的構 造。靜電電容方式之觸控面板係以基材上具有經圖案化之 透明導電層者作為基本構成，具有高时久性、高穿透率， 故而應用於車載用途等中。 就可同時多點輸入（多點觸控）、操作性優異而今，正各 速提高靜電電容方式之觸控面板之需求。另一方面，若： ，用^平板電極之電阻財式之觸控面板上產生2處以 =點觸控’則檢測其平均電位，所觸控之2處間的令 式之控地點而被識別。因此，認為先前電阻膜方 八疋觸控面板不適合多點觸控。 ^彳面’近年來，提出可藉由上部電極及下 向正交之方Γ 條 明導電層，以該等之圖索方 板，而進行：：：置成矩陣狀的矩陣型電阻臈方式觸控面 輸入(例如專利文獻”。此種矩陣型電阻臈 160637.doc 201232569 方式觸控面板與靜電電容方式之觸控面板相比，就可使所 需透明導電性膜或IC(integrated circuit，積體電路）之數量 較少且廉價製造方面而言，引人注目。 靜電電容方式之觸控面板及矩陣型電阻膜方式觸控面板 中之任一者中，構成電極之透明導電性膜均具有於基材上 形成有透明導電層之圖案部與未形成透明導電層之圖案開 口部。如此’關於透明導電層經圖案化之透明導電性膜， 例如’為了抑制透明導電性膜之圖案部與圖案開口部之可 見度的差異’於專利文獻2中提出於基板之形成有透明導 電層之側的面上設置塗佈層。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:曰本專利特開2〇 10-250801號公報 專利文獻2 : W02006/126604號國際公開說明書 【發明内容】 發明欲解決之問題 通常靜電電容方式之觸控面板中所使用之透明導電性膜 中，透明導電層彼此未接觸，電阻膜方式之觸控面板中， 以透明導電層形成面彼此對向之方式而配置，進而利用筆 等進行按壓輸入。因此，電阻膜方式之觸控面板中所使用 之透明導電性膜可於輸入時在上下電極間，產生透明導電 層形成部（圖案部）彼此、透明導電層非形成部（圖案開口 部）彼此、及透明導電層形成部與透明導電層非形成部之 間的接觸及滑動。 160637.doc 201232569 根據本發明者等人之研究，判明透明導電層經圖案化之 電阻膜方式之觸控面板中，與先前之電阻膜方式之觸控面 板相比，於透明導電性膜上易於產生傷痕。進而進行研究 發現，此種傷痕於未形成透明導電層之圖案開口部易於產 、特別疋於圖案開口部中有機物之介電體層所露出之構 成的透明導電性臈中，易於產生傷痕。鑒於該觀點，本發 明之目的在於提供一種透明導電層形成面彼此對向配置之 情形時，亦抑制滑動時傷痕之產生的透明導電性膜。 解決問題之技術手段 本申請案發明者等為了解決上述課題進行努力研究“士 果發現於透明導電性膜之圖案開口部具有特定之表面形狀 之情形時1制滑動時傷痕之產生，從而完成本發明。 本發明係關於—種具有透明膜基材、及透明膜基材之第 1主面上經由至少1層之介電體層而形成之透明導電層的透 明導電性膜。上述透明導電層經圖案化，於未形成透明導 電層▲之圖案開σ部中’第i主面側之表面（介電體層之露出 面)較佳為算術平均粗度以為22 nm以上，且具有14〇個/ mm以上咼度25〇 nm以上之突起。 透明導電性膜之形成有透明導電層之圖案部中第1主 面側之表面（透明導電層之表面）較佳為算術平均粗度㈣ 22 nm以上，且具有14〇個/mm2以上高度250 nm以上之突 起。圖㈣口料之透料電性臈之濁度較佳為2.0%以 下°圖案部中之透明導電性膜之濁度較佳為2〇%以下。另 外，透明導電層之厚度較佳為50 nm以下。 J60637.doc 201232569 於-實施形‘4中’透明膜基材包含粒子。於—實施形態 中，至少1層之介電體層包含粒子。另外，於一實施形態 中，透明導電性膜之圖案開口部中所露出之介電體層為由 有機物獲得之介電體層。 於一實施形態中，透明導電性膜中，透明導電層經圖案 化成條紋狀。本發明之透明導電性膜尤其較佳用作電阻膜 方式觸控面板用。 進而，本發明關於一種具備上述透明導電性膜之觸控面 板。本發明之-實施形態之觸控面板中，經由間隔件配置 有上部電極基板與下部電極基板。上部電極基板與下部電 極基板中之任一者具備上述透明導電性膜。上部電極基板 與下部電極基板以各個透明導電層形成面側彼此對向之方 式而配置。上部電極基板之透明導電層與下部電極基板之 透明導電層均圖案化成條紋狀，並以其圖案化方向正交之 方式而配置。 發明之效果 本發明之透明導電性膜100中，形成有透明導電層之圖 案部及未形成透明導電層之圖案開口部的兩者具有特定之 表面形狀。因此，於圖案部彼此接觸之 彼此接觸之部分、圖案部與圖案開口部接觸之=的： 一者中均抑制滑動時因摩擦引起的劃傷。 【實施方式】 以下，一面參照圖式一面說明本發明之實施形態。圖卫 係示意性表示本發明之透明導電性臈1〇〇之一實施形態的 160637.doc 201232569 剖面圖。於圖1中，於透明膜基材】之—個主面即第 j經由介電體層2形成有透明導電層3。於圖丨中 八 電體層2，自透明膜基材!側圖示有第i介電體 ‘”1 電體層22之2層，但介電體層可僅包含^ = SB。之透生膜，有 電之圖案部P與未形成透明導電層3之圖案開口部〇。 圖意性表示本發明之透明導電性膜⑽之其 形態的剖面圖。於圖2之形態中，介電體㈠ 之介電體層，距透明膜基最遠之第2入;^層以上 導雷屏… $遇之第2介電體層22與透明 導電層3同樣經圖案化。另一方面，透明臈基材！之第！主 面上所形成的第丨介電體層21未經圖案化。於圖枓 層2 ’圖示第1介電體層21、及第2介電體層22,但 八。〆之間可具有】層或2層以上之介電體層。另外 介電體層21、22之間所形成的介電體層可與第 ： :2同樣經圖案化’亦可與第1介電體層2〗同樣未經圖: 化。 承 於透明膜基材之與形成有介電體層2相反側之主面即第2 =面上可設置硬塗層、防眩處理屠、抗反射層等表面塗佈 11。另外’如圖3所示，可於透明膜基材之第2主面側蛵 由適當之黏著劑層4貼合有透明基體5。 (透明膜基材） 作為透明膜基材I，並無特別限制，使用具有透明性之 種塑膠膜例如，作為其材料，可列舉：聚酿系樹脂、 乙駄知系樹月曰、聚醚石風系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺

I60637.doc S 201232569 系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、（甲基）丙烯酸 系樹脂、聚氣乙烯系樹脂、聚偏氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯 系树月曰、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫醚系樹 月曰等°亥等之中，尤其較佳為聚醋系樹脂、聚碳酸酯系樹 脂、聚婦烴系樹脂。 μιΙ1〈靶圍内，更佳為 2Μ00 μΓπ之範圍内。若透明膜基材丨之厚度未達2 ，則 有透明膜基材！之機械強度不足，不易進行將膜基材形成 為輕狀並連續形成介電體層2、透明導電層3的操作之情 形。另一方面’若厚度超過2〇〇 月 導電層3之耐磨性及作為觸控面板用之1有未貫現提高透明 F勹觸衩面板用之打點特性之 亦可於透明臈基材i之第i主面， 啻昼必恭, 頂无對表面貫施濺鍍、 電軍放電、火焰、紫外線照射、電子束照射、 乳化等飯刻處理或底塗處理，提高與膜基材上:、 ^體層2的密接^另外，於形成介電體層之前，=介 要’藉由溶劑清洗或超音波清 視需 而將其清潔化^ 膜基材表面進行除塵 (介電體層） 較佳為於透明膜基材丨 ba m, 入兩A 开）成至少1屁 體層。介電體層不具有作為導電層之功^ 1層之介電 2設置成使經圖案化之透 此。即，介電體層 个电層3之[§|安加 因此，介電體層2通常表面電 ·’、邛P、絕緣。 I’7 Ω/□以上，進而較佳為… 口以上，較佳為 體層2之表面電阻之上限並無 ^上。再者’介電 160637.doc 通卜介電體層2之表 201232569 面電阻之上限為測定極限即1χ1〇η Ω/口左右，但亦可超過 1χ1〇,3 Ω/口。 如下文詳細敍述，於介電體層2上形成經圖案化之透明 導電層3〇就抑制形成有透明導電層之圖案部ρ與未形成透 明導電層之圖案開口部〇的可見度之差異的觀點而言，作 為介電體層2，較佳使用透明導電層3之折射率與介電體層 之折射率的差為G.nx上之材料。透明導電層3之折射率與 介電體層之折射率的差較佳為G.bXjL().9以下，進而較佳 為〇·1以上0.6以下。再者，介電體層2之折射率通常較佳為 1·3 2.5，進而較佳為〜2_3，進而較佳為14〜2.3。 介電體層2可藉由無機物、有機物或無機物與有機物之 混合物而形成。例如，作為無機物，可列舉：NaF(i 3)、 Na3AlF6(1.35) > LiF(1.36) > MgF2(1.38) ^ CaF2(1.4), BaF2(1.3) . Si02(1.46) > LaF3(1.55)，CeF3(1.63).

Al2〇3(1.63)等無機物[上述各材料之（）内之數值為光的折射 率]。該等之中，較佳使用Si〇2、MgF2、Al2〇3等。尤其較 佳為Si〇2。上述之外，可使用相對於氧化銦，含有氧化鈽 10〜40重量份左右、氧化錫〇〜20重量份左右之複合氧化 物。 另外，作為有機物，可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸醋 樹脂、二聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物、有機 矽烷縮合物等。該等有機物至少使用丨種。特別是作為有 機物，較理想使用包含三聚氰胺樹脂與醇酸樹脂與有機石夕 院縮合物之混合物的熱固型樹脂。 160637.doc 201232569 就藉由姓刻使透明導電層3圖案化之方面而言，較佳為 於透明膜基材1之第丨主面上所形成的介電體層係藉由有機 物形成。因此’於介電體層2包含1層之情形時，介電體層 2較佳為由有機物形成。 另外，於介電體層2包含2層或2層以上之情形時，較佳 為至少距透明膜基材1最遠之第2介電體層22由無機物形 成於"電體層2為3層以上之情形時，較佳為距透明膜基 材1起第2層之上的介電體層亦由無機物形成。只要第2介 電體層由無機物形成，則不會蝕刻透明膜基材上所形成之 第1介電體層，由於可藉由蝕刻僅使第2介電體層圖案化， 可谷易製作圖2所示之透明導電性膜。 由無機物形成之介電體層可藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、 離子電鍍法等乾式製程，或喷塗、狹峰式塗佈機、澆鑄、 旋轉塗佈、喷塗計量、凹版印刷等利用塗佈法之濕式製程 而形成。作為形成介電體層之無機物，如上所述，較佳為 Si〇2。於濕式製程中，可藉由塗佈矽溶膠等而形成si〇2 膜。由有機物形成之介電體層可藉由濕式製程而形成。特 別是為了控制介電體層之表面形狀等，較佳為於介電體層 中含有微粒之情形時，藉由濕式製程而製膜。 介電體層2之厚度並無特別限制，就光學設計 '密封自 上述膜基材1產生之寡聚物、或抑制圖案部伙圖案開口部 〇之間的可見度之差的觀點而言，通常為卜则⑽左右。 通常’為了提高輸送性或操作性，透明膜基材於膜中含有 粒子’就維持該基材固有之表面形狀並獲得具有特定之表 160637.doc -10- 201232569 面形狀之透明導電性膜之觀點而言，介電體層2之厚度較 佳為50 nm以下，更佳為4 nm〜45 nm，進而較佳為$疆〜⑽ ⑽。再者’於介電體層2包含2層以上之介電體層之情形 時，各層之厚度之合計較佳為上述範圍内。 ("電體層之表面形狀） 介電體層2之表面較佳為算術平均粗度心為22⑽以上， 且較佳為具有140個/mm2以上高度250 nm以上之突起。表 面之异術平均粗度Ra更佳為24 nm〜5G nm，進而較佳為24 nm 40 nm，尤其較佳為24〜35 nm。介電體層之表面之高 度250 nm以上的突起數更佳為14〇個/mm2〜55〇個/my，進 而較佳為200個/mm2〜5⑻個/_2。再者，就防止光散射增 大霧度提高的觀點而言，突起之高度之上限較佳為· nm以下。 如圖1所示之介電體層2未經圖案化之實施形態中，於圖 案開口部〇中’介電體層2之表面成為透明導電性膜之露出 面。另外，於介電體層2上藉由㈣法等乾式製程而形成 透明導電層3之情形時，透明導電層3具有大致維持介電體 層2之表面形狀的表面形狀。因此，只要介電體層2之表面 具有如上所述之表面形狀，則可獲得圖案部p及圖案開口 部〇亦具有同樣之表面形狀之透明導電性膜。 進而，如圖2所示，於介電體層2之距透明臈基材丨最遠 之第2介電體層22經圖案化之形態中’較佳為介電體層2之 表面（第2介電體層22之表面）除具有如上所述之表面形狀以 外，圖案開口部〇中成為露出面之介電體層21之表面亦具 160637.doc 201232569 有同樣之表面形狀。 形成具有如上所述表面形狀之介電體層之方法並無特別 限制，可採用適當之方式。例如可列舉：以喷砂或壓紋 輥、化學姓刻等適當之方式對介電體層之表面進行粗面化 處理’對表面賦予微細凹凸之方法；或使用以如上所述之 方法對表面進行粗面化處理之透明膜基材}，於經粗面化 處理之表面上形成介電體層之方法。另外，即便藉由於含 有微粒且具有特定之表面形狀之透明膜基材上形成介電體 層之方法，或介電體層2含有微粒，亦可形成具有所期望 之表面形狀之介電體層。其中，就可容易形成所期望之表 面形狀之觀點而言，較佳為透明膜基材及/或介電體層含 有微粒。 作為透明膜基材及/或介電體層中所含有之微粒，可無 特別限制而使用各種金屬氧化物、玻璃、塑膠等具有透明 性者。例如可列舉：二氧化矽' 氧化鋁、二氧化鈦、氧化 結、氧化碎等無機系微粒，包含聚甲基丙烯酸曱酯、聚苯 乙烯、聚胺基曱酸酯、丙烯酸系樹脂 '丙烯酸_苯乙烯共 聚物、苯并胍胺、三聚氰胺、聚碳酸酯等各種聚合物之交 聯或未交聯之有機系微粒或者聚矽氧系微粒等。上述微粒 可適當選擇1種或2種以上而使用。 於透明膜基材含有微粒之情形時’作為該微粒，就一面 維持基材之透明性一面賦予輸送性或易滑性之觀點而言， 較佳使用聚石夕乳系微粒。另外’透明膜基材中所含微粒之 平均粒控較佳為〇_〇〇5 pm〜5 μπι左右，更佳為〇.〇1〜3 μπ^ 160637.doc -12- 201232569 右二外’微粒可將不同粒捏者加以組合而使用。 ρ㈣層含有微粒之㈣時，料該録 -面賦予輸送性或易滑性之觀點而言，較佳使用維 明導:性:二另見:’就控制介電體層之折射率並提高透 等八心 觀點而言’較佳使用氧化錯粒子 公，電體層中所含微粒之平均粒經較佳為 μιη左右，更佳為〇 〇1〜3 μιη左右。 人於介電體層2包含2層以上之情形時，可形成至少丨層之 3有微粒之介電體層與不含有微粒之介電體層。例如，可 於透明膜基材】上，藉由濕式製程形成含有微粒之第】介電 體層21，並於其上藉由乾式劁 乾飞製程形成由不含微粒之無機物 獲仵的第2介電體層。 (透明導電層） 作為透明導電層3之構成材料，並無特別限定，使用選 自由銦、錫、鋅、鎵、銻、鈦、矽、錯、鎂、鋁、金、 銀、銅、纪、鶴所組成之群中的至少i種金屬之金屬氧化 物。該金屬氧化物中’可視需要進而含有上述群中所示之 金屬原子。較佳使用例如含有氧化錫之氧化銦（IT〇)、含 有銻之氧化錫（ΑΤΟ)等。 透明導電層3之厚度並無特別限制，為了製成其表面電 阻為1 X 1 〇3 Ω/□以下之具有良好的導電性之連續覆膜，較 佳為使厚度為10 nm以上。若膜厚過厚，則導致透明性降 低等’故而膜厚較佳為15〜35 nm ’更佳為20〜3〇 nm之範圍 内。若透明導電層之膜厚過小，則表面電阻變高，且不易

S 160637.doc 201232569 、覆膜。若透明導電層之膜厚過大，則有引起透明性降 低等之情形。另外，若透明導電層之膜厚較大，則有其表 面成為緩和作為底層之介電體層之表面凹凸的形狀之傾 向因此，有透明導電層表面之算術平均粗度1^或突起數 小於所期望之範圍’於形成觸控面板之情形時易於產生傷 痕之情形。 作為透明導電層3之形成方法，並無特別限定，可採用 先前公知之方法。具體而言，例如可例示：真空蒸鍍法、 濺鍍法 '離子電鍍法。另外，亦可根據所需膜厚採用適當 之方法。再者，於形成透明導電層3之後，可視需要於 100〜150 C之範圍内實施退火處理進行結晶化。因此膜 基材1較佳為具有l〇(TC以上、進而佳為15(rc以上之耐熱 性。於本發日"’透明導電層3經蝕刻而圖案化。若將透 明導電層3結晶化’則有#刻變難之情形，故而透明導電 層3之退火化處理較佳為於將透明導電層3圖案化之後進 行。進而，於蝕刻介電體層2之情形時，較佳為蝕刻介電 體層2之後，進行透明導電層3之退火化處理。 如圖1、2等所示，透明導電層3圖案化成於介電體層2上 形成有透明導電層之圖案部p與未形成透明導電層之圖案 開口。卩Ο作為圖案形狀，例如可列舉各圖案部p形成為短 條狀®案。p p與圖案開σ部〇配置成條紋狀之形態。特別 疋於透明導電性膜用於矩陣型電阻膜方式觸控面板之情形 時，較佳為透明導電層經圖案化成條紋狀。圖4係本發明 之透明導電性臈1〇〇之示意性平面，係於各圖案部ρ中， 160637.doc 201232569 透明導電層31〜36形成為短條狀、並圖案化成條紋狀之形 態的一例。再者，於圖4中，圖示圖案部p之寬度大於圖案 開口 β Ο之寬度，但本發明並不限制於該形態。 (圖案化方法） 本發明之透明導電性臈只要於透明膜基材i上形成如上 所述之介電體層2及透明導電層3，則其製造方法並無特別 限制。例如可藉由如下方式而製造：依據常規方法，製作 於透明膜基材上經由至少1層之介電體層，具有透明導電 層之透明導電性膜之後，將上述透明導電層姓刻而進行圖 案化於ϋ刻時，藉由用以形成圖案之掩模覆蓋透明導電 層，並藉由蝕刻液對透明導電層進行蝕刻。 如上所述，作為透料電層3之材料，較佳使用含有氧 錫之氧化銦3有綈之氧化錫，故而作為餘刻液，較佳 使用酸》作為酸，例如可列舉：氯化氫、漠化I、硫酸、 硝酸、碟酸等無機酸，乙酸等有機酸，及該等之混合物， 以及該等之水溶液。 於介電體層2至少包含2層之情形時，除如圖卜斤示僅對 透明導電層3進行餘刻並進行圖案化外，亦可如圊2所示藉 由酸對透明導電層3進行银刻並進行®案化後，至少將距 透明膜基材最遠之第2介電體層22與透明導電層3同樣進行 银刻並進行圖案化。於介電體層包含3層以上之情形時， 較佳為將透明膜基材上之第1介電體層以外之透明導電層 與透明導電層3同樣進純刻並進行圖案化。 於介電體層蝕刻時， 藉由與蝕刻透明導電層3之情形同 s 160637.doc 15 201232569 樣之用以形成圖案的掩模覆蓋介電體層2表面，並藉由蝕 刻液對介電體層進行蝕刻。如上所述，作為第2介電體層 22,較佳使用Si〇2等無機物，故而作為蝕刻液，較佳使用 鹼。作為鹼，例如可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、四 甲基氫氧化銨等之水溶液，及該等之混合物。再者，於該 實施形態中，透明膜基材丨上之第丨介電體層較佳為如上所 述由未經酸或鹼蝕刻之有機物形成。 (透明導電性膜之表面形狀） 透明導電性膜100之圖案開口部〇之第i主面側表面即介 電體層2之露出面的表面較佳為算術平均粗度Ra為⑽以 上，且較佳為具有140個/mm2以上高度25〇 nm以上之突 起。算術平均粗度Ra更佳為24 nm〜5〇 nm，進而較佳為Μ ⑽〜40 nm，尤其較佳為以化nm。介電體層之表面之高 度250 nm以上的突起數更佳為14〇個/mm2〜55〇個/my，進 而較佳為200個/mm2〜500個/mm2。於透明導電性膜之圖案 開口部具有此種表面形狀之情形時，形成有以其他附透明 導電層之基板(例如其他透明導電性膜或附透明導電層之 玻旬與透明導電層彼此對向之方式而配置的觸控面板之 情形時，亦抑制圖案開口部之介電體層表面上之傷痕的產 生:再者，就防止光散射增大霧度變高之觀點而言，突起 之局度之上限較佳為15〇〇 nrn以下。 根據本發明者等人之研究確認，於透明導電層經圖案化 之電阻膜方式觸控面板中，圖案部之透明導電層與圖案開 口部之介電體層的接觸部分、及圖案開口部之介電體層彼 I60637.doc 201232569 此接觸部分特别是圖案開口部即 生傷痕。特別是圖㈣ 層之以面易於產 露出之情形時，例 獲传之介電體層 電體層之情形時或介電=包含由有機物獲得之1層介 t ^ ^ J. Α έ-— 層如圖2所示包含2層以上之介 電體層且未經圖幸卟 η 介電體層21為由有機物蒋得之 介電體層之情形時有機物獲得之 於產生傷痕之傾向。開口部之有機物介電體層易 由於二：：透明導電性膜之圖案開口部易於產生傷痕係 .\吊"冑層之硬度小於透明導電層。相對於此，於 透明導電性膜具有如上所述之表面形狀之情形時，發現圖 案邛與圖案開口部之間的動摩擦係數及圖案開口部彼此之 動摩擦係數減小’於透明導電性膜滑動之情形時，不易產 生因膜彼此磨擦引起之傷痕。並且，於本發明中，圖案開 邛之兩者具有如上所述之表面形狀，故而認為降低動摩 擦係數，抑制滑動時之傷痕的產生。 於表面之算術平均粗度!^過小之情形或超過高度〇打瓜 之犬起數過少之情形時，上部電極與下部電極接觸或滑動 時，有於透明導電性膜之表面、特別是未形成透明導電層 之圖案開口部易於產生傷痕之傾向。另一方面，於表面之 #術平均粗度Ra過大之情形或超過高度250 nm之突起數過 夕之情形時，電極表面上之光之散射增大，故而有可見度 變差、或粒子易於自膜表面脫落之傾向。 再者’通常若Ra增大，則有突起數亦增大之傾向，例如 只要使基材膜或介電體層中含有之微粒之平均粒徑為 160637.doc 17 201232569 〇·3 3 μιη左右，則可成為如上所述具有特定算術平均粗度 以及突起數之表面形狀。此外，藉由於基材或介電體層中 混口粒度么佈範圍較寬之粒子 '或具有不同粒徑（粒度分 佈）或特性之粒子而使用，亦可將以與突起數獨立控制在 所期望之範圍内。再者，表面之算術平均粗度以及超過高 度250 nm之突起數可藉由下述實施例中記載之方法而測 定。 進而，透明導電性膜100之圖案部1>之第丨主面側表面即 透明導電層3之表面較佳為算術平均粗度以為22⑽以上， 且較佳為具有140個/mm2以上高度25〇 nm以上之突起。算 術平均粗度Ra更佳為24 rnn〜50 nm，進而較佳為24 nm〜4〇 nm，尤其較佳為24〜35 nme介電體層之表面之高度乃〇 nm以上的突起數更佳為14〇個/mm2〜55〇個，進而較佳 為200個/mm2〜500個/mm\再者，就防止光散射增大提高 霧度之觀點而言，突起之高度之上限較佳為i5〇〇 nm以 下。 於形成觸控面板之情形時，透明導電性膜圖案開口部〇 有與對向之基板形成有透明導電層之圖案部的接觸面上易 於產生傷痕之傾向。於圖案部P具有此種表面形狀之情形 時，抑制了對向之基板之圖案開口部〇的傷痕之產生。認 為其原因在於，一個電極之圖案部p具有如上所述之表面u 形狀，藉此與對向之另一電極之圖案開口部ο之間的動摩 擦係數減小，即使於透明導電性膜滑動之情形時，亦抑制 了因膜彼此摩擦引起之圖案開口部〇的傷痕之產生。 160637.doc • 18 · 201232569 透月‘电！·生膜1〇〇之圖案開口部〇的濁度較佳為以 下更佳為〇.1%〜Κ5%。所謂上述濁纟係指依據JIS Κ (年版）之圖案開口部的透明導電性膜之整體的濁 度（霧度）右渴度超過上述範圍，則有光散射之產生增大 有損透明導電性獏之可見度之情形。 透明導電性膜100之圖案部Ρ的濁度較佳為2.0〇/〇以下，更 佳為0.1/。1.5%。所謂上述濁度係指依據爪κ η耶刪 年版)之圖案部的透明導電性臈之整體的濁度(霧度)。若濁 度超過上述範圍，則有光散射之產生增大有損透明導電性 膜之可見度之情形。 (表面塗佈層） 作為透明V電性膜1〇〇之表面塗佈層η，可設置為了提 高表面硬度之硬塗層、或者為了提高可見度之防眩處理層 或抗反射層。特別是透明導電性膜用於電阻膜方式觸控面 板之上部電極之情形時，較佳為於透明膜基材i之第2主面 上形成此種表面塗佈層。 作為硬塗層’例如較佳使用包含三聚氰胺系樹脂、胺基 甲酸I系樹脂、醇酸系樹脂、丙稀酸系樹脂、聚石夕氧系樹 脂等硬化賴脂之硬化㈣。硬塗層之厚度較佳為01〜30 μ曰m。若厚度未達〇」μηι，則有硬度不足之情形。另外，若 厚度超過30㈣’則有於硬塗層產生裂痕或於透明導電性 膜整體產生筆曲之情形。 作為防眩處理層之構成材料，並無特別限定，例如可使 用電離放射線硬化型樹脂、熱固型樹脂、熱塑性樹脂等。 s 16063 7.doc •19- 201232569 防眩處理層之厚度較佳為o.l〜3 0 μπη。 作為抗反射層，使用氧化鈦、氧化錯、氧化矽、敦化鎮 等。為了更強表現出抗反射功能，較佳使用氧化鈦層與氧 化石夕層之積層體。此種積層體較佳為於硬塗層上形成折射 率較高之氧化鈦層（折射率：約1.8)並於該氧化鈦層上形成 折射率較低之氧化矽層（折射率：約1·45)的2層積層體，進 而於該2層積層體上依序形成氧化鈦層及氧化矽層之*層積 層體。藉由設置此種2層積層體或4層積層體之抗反射層， 可更均勻降低可見光線之波長區域（38〇〜78〇 nm)的反射。 <圖3之實施形態之說明> 如圖3所示，本發明之透明導電性膜亦可為於透明膜基 材1之第2主面側上經由透明黏著劑層4貼合有透明基體$之 形癌。透明基體5可包含1片基體膜，亦可為2片以上之基 體膜之積層體（例如經由透明黏著劑層而積層者）。另外， 如圖3所示，可於透明基體5之外表面上設置硬塗層（樹脂 層）、防眩處理層、抗反射層等表面塗佈層u。再者，圖3 例示圖1之透明導電性膜1 〇〇上貼合有透明基體5之形態， 亦可應用具有圖2之構成之透明導電性膜代替圖丨之構成。 (透明基體） 透明基體5之厚度通常較佳為9〇〜3 〇〇 μπι，更佳為 100〜250 μηι。另外’於由複數個基體膜形成透明基體$之 情形時’各基體膜之厚度較佳為1〇〜2〇〇 μιΏ，進而較佳為 20〜150 μηι ’較佳為將該等基體膜中包括透明黏著劑層之 透明基體5的總厚度控制在上述範圍内。作為基體膜，較 160637.doc 201232569 佳使用與上述透明膜基材1同樣之材料。 透明導電性膜100與透明基體5之貼合，可預先於透明基 體5側設置黏著劑層4 ’於其上貼合透明導電性膜之透明膜 基材1 ’亦可相反預先於透明導電性膜之透明膜基材丨側設 置黏著劑層4，於其上貼合透明基體5。利用後者之方法， 可將透明膜基材1製成輥狀而連續形成黏著劑層4,故而就 生產性方面而言更有利。另外，亦可藉由於透明膜基材i 依序經由黏著劑層貼合複數片基體膜，而將透明導電性臈 100與透明基體5積層。再者，透明基體5之積層所使用之 透明黏著劑層可使用與下述透明黏著劑層4相同之層。另 外’於將透明導電性膜彼此貼合時，亦可適當選擇積層黏 著劑層4之透明導電性膜之積層自，將透明導電性膜彼此 貼合。 (黏著劑層） 作為黏著劑層4,只要具有透明性者，則可無特別限 而使用。具體而言’例如可適當選擇以丙婦酸系聚合物 聚矽氧系聚合物、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、聚乙 趟、乙酸乙烯醋/氯乙烯共聚物、改性聚烯煙、環氧系 氟系、天然橡膠、合成橡㈣橡㈣等聚合物作為基體 合物者而使用。特別是就光學透明性優異，表現出適度: 潤濕性、凝聚性及接著性等黏著特性，耐候性或耐熱⑷ 亦優異之方面而言’較佳使用丙稀酸系黏著劑。 右：據作為黏著劑層4之構成材料之黏著劑種類的不同, …、藉由使用適當之黏著用底塗劑而提高錨固力。^ 160637.doc 21 201232569 此，於使用此種黏著劑之情形時，較佳使用黏著用底塗 劑。 上述黏著劑層4中可含有對應基體聚合物之交聯劑。另 外，於黏著劑層4中，亦可視需要調配例如包含天然物或 合成物之樹脂類、玻璃纖維或玻璃珠、金屬粉或其他無機 粉末等之填充劑 '顏料、著色劑、抗氡化劑等適當之添加 劑。另外，亦可含有透明微粒而製成賦予光擴散性之黏著 劑層4。 上述黏著劑層4通常以使基體聚合物或其組合物溶解或 分散於溶劑中而成之固形物成分濃度1〇〜5〇重量％左右之 黏著劑溶液的形式使用。作為上述溶劑，可適當選擇甲笨 或乙酸乙酯等有機溶劑或水等之對應黏著劑之種類的溶劑 而使用。 該黏著劑層4例如於接著透明基體5後，藉由其緩衝效 果 了具有k鬲设置於透明膜基材之一個面上的透明導電 層3之耐磨性或作為觸控面板用之打點特性、所謂筆輸入 耐久性及面壓耐久性的作用。因此，特別是用於電阻膜方 式之觸控面板之上部電極（輸入面側電極）之情形時，較佳 採用圖3所示之積層形態。就更好地發揮該緩衝效果之觀 點而5，較理想為將黏著劑層4之彈性係數設定為}〜丨⑼ N/Cm之範圍，厚度設定為1 Pm以上、通常5〜100 μιη之範 圍若黏著劑層之厚度在上述範圍内，則可充分發揮緩衝 效果，並且亦可充分獲得透明基體5與透明膜基材丨之密接 力若黏著劑層4之厚度較上述範圍更薄，則有無法充分 160637.doc •22· 201232569 確保上述耐久性或密接性之情形，另外，若較上述範圍更 厚，則有透明性等外觀產生不良之情形。 此種i由黏著劑層4而貼合之透明基體5可對透明膜基材 1賦予良好之機械強度，除筆輸人财久性及面壓对久性以 外亦有助於防止彎曲等之產生。 (觸控面板） 本發明之透明導電性膜例如可較佳應用於光學方式、超 音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等之觸控面板。特 別是就抑制滑動時圖案開口部所附傷痕而t，較佳使用電 P膜方式之觸控面板’《巾，較佳使用可多點輸入之電阻 膜方式之觸控面板。 圖5係示意性表示本發明之觸控面板2 〇 〇之實施形態的剖 面圖。圖5之觸控面板為具有輸入面側之上部電極基板 51、及顯示部側之下部電極基板52的電阻膜方式之觸控面 板。上部電極基板51與下部電極基板52之間配置有適當之 間隔件53 ^上部電極基板及下部電極基板分別具有於基板 上所形成之透明導電層。各個透明導電層係以圖4之平面 圖示意性所示之方式圖案化成條紋狀，兩者之圖案化方向 為正交。 上部電極基板51之基材la包含可撓性透明膜。作為間隔 件53 ’例如可使用包含丙烯酸或胺基甲酸酯等絕緣性材料 之點隔片。該觸控面板2〇〇起到作為透明開關結構體之功 月& ’自上部電極基板5丨側以輸入筆6〇對抗間隔件53之彈性 力進行按壓打點時’透明導電層3a、补彼此接觸，電子電 160637.doc •23- 201232569 路成為ON狀態，若解除上述按壓則恢復至原來之〇1?1：狀 態。觸控面板200之上部電極基板51或下部電極基板52中 任一者或兩者具有上述本發明之透明導電性膜。 於上部電極基板51具備本發明之透明導電性膜之情形 時’下部電極基板52可為本發明之透明導電性膜，亦可為 其他透明導電性膜。另外，下部電極基板之基材11?無需可 撓性’例如亦可使用玻璃基板等。 於下部電極基板52具備本發明之透明導電性膜之情形 時，上部電極基板5 1可為本發明之透明導電性膜，亦可為 其他透明導電性膜，較佳為至少基材1&為可撓性基材。 再者，於圖5中，圖示上部電極基板51及下部電極基板 52分別具備1片基材la、lb之形態，例如如圖3所示，可使 用透明導電性臈經由黏著劑層貼合有透明基體者。另外， 於下部電極基板中亦可於透明導電性膜上貼合玻璃等基材 使用另外，只要一個電極基板具備本發明之透明導電 性膜’則另-透明電極基板可不具有介電體層2a、2b。另 外’介電體層2a、2b可如圖示未經圖案化，此外亦可 如圖2所示’其一部分之層與透明導電層同樣經圖案化。 於本發明之觸控面板中，上部電極基板51之圖案開口部 (透明導電層非形成部）與上述下部電極基板52之圖案開口 =摩擦係數較佳為0.45以下。另夕卜，上部電極基板” 〃開口部與上述τ部電極基板之圖案 形成部）之動摩擦係數、及上部電極 導電層 卩電極基板之圖案部與上述 。 板之圖案開口部的動摩擦係數均較佳為0 45以 160637.doc •24- 201232569 下。只要上部電極與下部電極之間的動摩擦係數在上述範 圍内’則可抑制因膜彼此摩擦而產生圖案開口部之傷痕。 圖案部之動摩擦係數更佳為0·36以下，進而較佳為〇33以 下。圖案部與圖案開口部之動摩擦係數更佳為〇.45以下， 進而較佳為0.40以下。 於僅上部電極基板與下部電極基板中之—者使用本發明 之透明冑電性膜之情料，例何藉由將另一電極基板之 圖案部及圖案開口部之表面形狀調整為對本發明之透明導 電性膜而言如上所述較佳之範圍内，而將動摩擦係數設為 上述範圍内。另外，於上部電極基板與下部電極基板之兩 者使用本發明之透明導電性膜之情形時，上部電極與下部 電極之兩者具有特定之表面形狀，故而可將動摩擦係數設 為上述範圍内。 本發明之觸控面板即便受到筆之按壓、滑動亦不易於透 明導電性膜之圖案開口部產生傷痕，故而可見度優異，可 較佳用作各種顯示裝置之觸控面板。特別是如圖2所示， 介電體層2之一部分層使用與透明導電層3同樣經圖案化之 形態的透明導電性膜之情形時，可製成抑制圖案部與圖案 開口部之可見度的差異並且即便於圖案開口部中有機物之 "電體層露出，亦抑制因傷痕之產生而降低可見度的觸控 面板。 實施例 以下，使用實施例對本發明進行詳細說明，但本發明只 要不超過其要旨則不限定於以下實施例。 160637.doc •25· 201232569 <透明導電性膜之製作> [實施例1] (基材） 使用厚度23 μιη之聚對苯二甲酸乙二酯膜（以下為pet膜） 作為基材。該PET膜含有聚矽氧系微粒，基材表面之算術 平均粗度Ra為30.5 nm，高度250 nm以上之突起數為425個/ mm2 ° (介電體層之形成） 於PET基材上塗佈三聚氰胺樹脂：醇酸樹脂：有機矽烷 縮合物之重量比為2:2:1之熱固型樹脂組合物，並使其乾燥 •硬化，形成膜厚10 nm之第1介電體層。於第1介電體層 之上塗佈石夕溶膠（COLCOAT(股）製造之COLCOAT PX)於乙 醇中稀釋以使固形物成分濃度成為2重量％者，其後，使 其乾燥•硬化，形成膜厚25 nm之第2介電體層。 (ITO膜之形成） 繼而’於第2介電體層上，於包含氬氣98%與氧氣2%之 0.4 Pa環境中’藉由使用氧化銦97重量％、氧化錫3重量％ 之燒結體材料的反應性濺鍍法，形成厚度23 nm2IT〇膜。 (ΙΤΟ膜及第2介電體層之圖案化） 於透明導電性膜之透明導電層上塗佈圖案化成條紋狀之 光阻劑，並乾燥硬化後，於25它下，於5重量％鹽酸（氣化 氫水溶液）中浸潰1分鐘，進行ITO膜之蝕刻。以積層有光 阻劑之狀態，於，於2重量％氫氧化鈉水溶液中浸 潰3分鐘，進行第2介電體層之蝕刻，其後，除去光阻劑。 160637.doc •26· 201232569 (ιτο膜之結晶化） 於14(TC下對圖案化後之透明導電性膜進行9〇分鐘加熱 處理，將ITO膜結晶化。 、 以如此方式獲得之透明導電性膜具有圖2所示之積層形 態，於PET膜基材1上形成有機物之介電體層21、無機物之 經圖案化之介電體層21及包含結晶性IT0膜之經圖案化的 透明導電層3。將實施例丨中所獲得之透明導電性膜設為 「透明導電性膜A」。 [實施例2] 於形成上述實施例1之介電體層時，僅形成膜厚35 nm之 第1介電體層代替形成第1介電體層與第2介電體層。此外 以與實施例1同樣之方式，形成IT0膜並進行圖案化及結晶 化（介電體層未圖案化）。 以如此方式獲得之透明導電性膜於PET膜基材上形成有 機物之介電體層及包含結晶性IT〇膜之經圖案化的透明導 電層。將實施例2中所獲得之透明導電性膜設為「透明導 電性膜Β」。 [比較例1] 於形成上述實施例1之介電體層時，將第1介電體層與第 2介電體層之膜厚分別設為nrn、3 3 nm。其以外以與實 施例1同樣之方式形成ITO膜’並進行ιτο臈及第2介電體層 之圖案化 '及ITO膜之結晶化。將比較例2中所獲得之透明 導電性臈設為「透明導電性膜C」。 <表面形狀之評價> 160637.doc -27· 201232569 使用原子力顯微鏡（AFMDigital Instruments製造之商品 名「Nanscope IIIa+D3000」），於600 μιηχ450 μιη之範圍内 測定實施例1、2及比較例1中所獲得之透明導電性膜a、 B、及C的圖案部及圖案開口部之表面形狀。根據所獲得 之表面形狀求出算術平均粗度Ra ’根據測定範圍（0.27 mm2)中之距Ra的平均線（Ra成為〇 nm之線）高度為25〇 nm以 上l5〇Onm以下之突起數，計算每1 mm2之突起數。 <濁度之測定> 測定實施例1、2及比較例1中所獲得之透明導電性膜a、 B、及C的圖案部及圖案開口部之濁度。濁度之測定方法 係依據JIS K 71 36(2000年版）之濁度（霧度），使用霧度計 (村上色彩技術研究所（股）製造，商品名「HM15〇」）而測 定。其中，若於圖案部與圖案開口部混合存在之狀態下測 定濁度，則一個部分受到另一者之影響，變得不反應各部 分單獨之濁度，因此濁度之測定係分別進行，關於圖案部 之濁度，以全部留下IT0膜之透明導電性膜（即，未進行 ΙΤΟ膜之圖案化的透明導電性膜）為對象而進行，關於圖案 開口部之濁f，以藉由钱刻除去全部Ιτ之 膜為對象而進行。 160637.doc -28- 201232569 ig τ!ϋ »£ 劍 m s m ^ 濁度0½) ο 〇 〇 250 nm以上之突起數 (個/mm2) 400 C^ Ra(nm) 28.5 25.8 19.0 g Ο 〇 ρ 叛 Μ S' W "s 躺茑 -Μ 1 〇 l〇 画Ο Η 3學 r Ο κη fN 1 m ο ο m in (N y-^ (Ν < CQ υ η η 链 ±i r-M (Ν Jj 160637.doc -29- 201232569 <動摩擦係數之測定> 於2片透明導電性膜A彼此以使透明導電性彼此對向之方 式而配置之情形時’測定圖案部彼此、圖案部與圖案開口 部、圖案開口部彼此之各個動摩擦係數。動摩擦係數之測 定係依據JIS K 7125使用自動立體測圖儀（島津製作所製造 之AG-1S)而實施。 同樣，分別测定2片透明導電性膜(：彼此之組合、及透明 導電性膜A與透明導電性膜C之組合的動摩擦係數。測定 結果示於表2。再者，關於表2之透明導電性膜a、c之组 合的圖案部與圖案開口部之間的動摩擦係數，上段表示透 明導電性膜A之圖案開口部與透明導電性膜c之圖案部的 組合之動摩㈣數’下段表示透明導電性膜A之圖案部斑 透明導電性膜C之圖案開σ部的組合之動摩擦係數。 [表2] 透明導電性膜之組合 圖案部彼此 ^— 圖案開口部彼此 圖案部與圖案開口部 A A 0.34 --- 〇 32 0.44 C C 0,35 1- 一 0.37 --- 0.69 A C — ------ 0.45 --—- 0.36 0.33 0.46 <觸控面板之製作及滑動試驗> [實施例3] 製作上部電極及下部雷搞+工心 ., 丨電極之兩者使用切成20 mm><20 mm 大小之透明導電性胺 、’於其兩端部配置厚度180 μιη之間 &件並以2片透明導電 Γ 生膜之形成面彼此對向之方式配置 160637.doc 201232569 的圖5示意性所示之觸 颂控面板（其_，不具有球狀間隔件 53)。於觸控面板形放 双❿战時，將上部電極之透明導電性膜與 下P電極之透明導電性膜以兩者之透明導電層形成面側彼 此對向且圖案方向正交之方式而配置。 自觸控面板之上部電極基板51側，使用包含聚縮搭之筆 6〇(筆尖R=G_8 mm)’於荷重1 kg下進行5〇_次（25_往 返)之’月冑。於滑動試驗後’分解觸控面板，分別對上部 電極基板及下部電極基板，於螢光燈之反射光下，目視確 認圖案部及圖案開口部之傷痕的產生水平。 [實施例4] 除上部電極及下部電極兩者使用透明導電性膜B以外， 以與上述實施例3同樣之方式，製作觸控面板。 [實施例5] 除上部電極使用透明導電性膜C，下部電極使用透明導 電性膜A以外，以與上述實施例3同樣之方式，製作觸控面 板0 [實施例6] 除上部電極使用實施例1中所獲得之透明導電性膜，下 部電極使用比較例i中所獲得之透明導f性膜以外，、以與 上述實施例3同樣之方式，製作觸控面板。 、 [比較例4] 除上部電極及下部電極兩者使用透明導電性臈c以外， 以與上述實施例3同樣之方式，製作觸控面板。 滑動試驗後之傷痕之評價結果示於* 3 、衣再者，評價係 160637.doc -31· 201232569 以下文之3階段進行。 1 :目視未確認傷痕。 2 :目視確認小傷痕，但為實用上無問題之水平 3 :目視確認白色較大傷痕。 160637.doc 32- 201232569 【εΐ 下部電極 圖案開口部 與上部電極 〇之滑動 與上部電極p | 之滑動| CN CS cn cn <s 圖案部 與上部電極 〇之滑動 1-^ 與上部電極P 之滑動 上部電極 口部〇 與下部電極 0之滑動 (N (N m (N 圖案開 與下部電極P 之滑動 (N CN m (N cn 圖案部P 與下部電極 0之滑動 與下部電極 P之滑動 透明導電性 膜之組合 下部 電極 < CQ U u < 上部 電極 < PQ U < U 實施例3 |實施例4 I 比較例1 實施例5 實施例6 s 160637.doc -33- 201232569 :據表3可知，於上部電極、下部電極均未使用本發明 円㈣r上^電極、下部電極均於 圖案開口部存在評價「3」之部分，可見度下降。相對於 此於上部電極基板及下部電極基板兩者使用本發明之透 明導電性獏之實施例3、4中， τ上邛電極、下部電極中均不 存在評價4「3」之料，滑動試驗後亦保持 度。 』兄 於j部電極、下部電極之—者使用本發明之透明導電性 膜之實把例5、6中，於未使用本發明之透明導電性膜之側 的電極之圖案開σ部中確認與對向之電極之圖案部（㈤ 膜)之滑動部分有較大傷痕。然而，可知於使用本發明之 透明導電性膜之電極中’不存在評價「3」之部分，滑動 試驗後亦保持良好之可見度。 又，根據表3可知，於一個電極之圖案部]?與另一電極之 圖案開口部〇滑動之情形時有易於產生傷痕之傾向但如 表2所示’使用實施例之透明導電性膜之情形與比較例相 比，圖案部與圖案開口部之動摩擦係數較小，故而抑制傷 痕之產生。 【圖式簡單說明】 圖 圖1係本發明之實施形態之透明導電性膜的示意性剖面 〇 圖 圖2係本發明之貫施形態之透明導電性膜的示意性剖面 〇 圖3係本發明之實施形態之透明導電性膜的示意性剖面 160637.doc -34· 201232569 圖 圖 圖4係本發明之實施形態之透明導電性膜 的示意性平面 圖5係本發明之實施形態之觸控面板的示意性剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 透明膜基材 1 a ' 1 b 基材 2 介電體層 2a、2b 介電體層 3 透明導電層 3a、3b 透明導電層 4 黏著劑層 5 透明基體 7 表面塗佈層 11 表面塗佈層 21 介電體層 22 介電體層 51 上部電極基板 52 下部電極基板 53 間隔件 100 透明導電性膜 200 觸控面板 〇 圖案開口部 P 圖案部 160637.doc -35-

Claims (1)

1. 201232569 七、申請專利範園·· 於透明膜基 及於介電體 】·一種透明導電性膜，其係具有透明臈基材 材之第1主面上形成之至少i層之介電體層 層上形成之透明導電層者，且 上述透明導電層經圖案化， ;未形成透明導電層之圖案開口部中，透明導電性膜 第1主面側之表面的算術平均粗度Ra為22⑽以上，且 具有H0個/mm2以上高度25〇nm以上之突起。 2·如請求項!之透明導電性膜’其中於形成有透明導電層 之圖案部中，透明導電性膜之第!主面側之表面的算術 +均粗度Ra為22 nm以上，且具有刚俯‘以上高声 250 nm以上之突起。 又 3. 如請求項丨或2之透明導電性膜，其 濁度為2.0%以下。 ^ ^ 4. 如請求項2之透明導電性 甘 .2.0%以下。 膜’其中上述圖案部之濁度為 5 ·如請求項1之透明導雷Η 粒子。 導電_，其中上述透明膜基材含有 其中上述至少1層之介電體 其中上述介電體層之厚度 6.如請求項1之透明導電性臈， 層含有粒子》 7 ·如請求項1之透明導電性膜， 為50 nm以下。 8·如請求項1之透明導電性 路出之介電體層為由有機 膜，其中上述圖案開 物獲得之介電體層。 口部中所 160637.doc 小 s 201232569 9.如請求項丨之透明導電性臈，其中上述透明導電層經圖 案化成條紋狀。 如請求項！之透明導電性膜，其係電阻膜方式觸控面板 用。 11· 一種觸控面板，其係具備上部電極基板、下部電極基 板、及配置於上部電極基板與下部電極基板之間的間隔 件者，且 上述上部電極基板具有如請求項9之透明導電性膜， 上述下部電極基板具有包含形成有透明導電層之圖案 部與未形成透明導電層之圖案開口部的經圖案化之透明 導電層，該透明導電層經圖案化成條紋狀， 上述上部電極基板及下部電極基板以兩者之透明導電 層彼此對向，且圖案化方向正交之方式而配置。 12. —種觸控面板，其係具備上部電極基板、下部電極基 板、及配置於上部電極與下部電極之間的間隔件者，且 上述上部電極基板具有含有形成有透明導電層之圖案 部與未形成透明導電層之圖案開口部的經圖案化之透明 導電層，該透明導電層經圖案化成條紋狀， 上述下部電極基板具有如請求項9之透明導電性臈， 上述上部電極基板及下部電極基板以兩者之透明導電 層彼此對向，且圖案化方向正交之方式而配置。 13. -種觸控面板’其係具備上部電極基板、下部電極基 板及配置於上部電極基板與下部電極基板之間之 件者，且 0㈣ 160637.doc 201232569 上述上部電極基板及上述下部電極分別具有如請求項 9之透明導電性膜， 上述上部電極基板之透明導電性膜及上述下部電極基 板之透明導電性膜以兩者之透明導電層彼此對向，且透 月導電層之圖案化方向正交之方式而配置。 14.如w求項1G至12t任_項之觸控面板，其中上述上部電 二：之圖案開口部與上述下部電極基板之圖案 的動摩擦係數為0.45以下， :述上部電極基板之圖案 之圖案部的動摩擦係數、好" $下邛電極基板 與上述下部電極基板之 /上部電極基板之圖案部 0.45以下。 案開口部的動摩擦係數均為 160637.doc