TW201227806A - Sectional wafer carrier - Google Patents

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TW201227806A
TW201227806A TW100144240A TW100144240A TW201227806A TW 201227806 A TW201227806 A TW 201227806A TW 100144240 A TW100144240 A TW 100144240A TW 100144240 A TW100144240 A TW 100144240A TW 201227806 A TW201227806 A TW 201227806A
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TW
Taiwan
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carrier
support member
wafer
platform
top surface
Prior art date
Application number
TW100144240A
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English (en)
Inventor
Alexander I Gurary
Joseph Arthur Kraus
Ajit Paranjpe
William E Quinn
David Albert Crewe
Original Assignee
Veeco Instr Inc
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Publication date
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Description

201227806 … 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於晶圓加工裝置，用於此加工裝置之排放系 統’及晶圓加工之方法。 【先前技術】 許多半導體裝置係藉由在—基板上進行加工而形成。該 基板一般係結晶材料片，常稱為「晶圓」。一般而言，晶 圓係藉由生長巨大晶體及將該晶體切割成盤形而形成。在 此晶圓上實施之一常見方法係磊晶生長。 例如，由諸如III-ν半導體之化合物半導體所形成之裝置 一般係利用金屬有機化學氣相沈積或「M〇CVD」生長化合 物半導體連續層而形成。於此方法中，將晶圓曝露於氣體 組合，該氣體組合常包括金屬有機化合物作為ΠΙ族金屬 源，且亦包括V族元素源，該氣體組合會流過晶圓表面，同 時使Β曰圓維持在高溫下。一般而言，將該金屬有機化合物 及V族源與完全不參與反應之載氣（例如，氮氣）組合。πι_ν 半導體之一貫例係氮化鎵，其可藉由有機鎵化合物與氨在 具有適宜晶格間距之基板（如，例如，藍寶石晶圓）上之反應 而形成。一般而言，在氮化鎵及相關化合物之沈積期間， 使晶圓維持在約5 〇 〇至1 1 〇 0 °C之溫度下。 可藉由在稍有不同的反應條件下將多層連續沈積於晶圓 表面上來製造複合裝置，如，例如，添加其他III族或V族 元素以改變半導體之晶體結構及帶隙。例如，於氮化鎵基 半導體中’可以不同比例使用銦、鋁或兩者以改變半導體 160292.doc 201227806 帶隙。且，可添加p.型或n_型摻雜物以控制各層之導電率。 所有半導體層形成後’及—般而言’施加適當電接觸之後， 將晶圓切割成單個裝置。可以此方式製造諸如發光二極體 (LED)、雷射器及其他電子及光電子裝置之裝置。 於常見化學氣相沈積方法中，將許多晶圓固持在常稱 圓载體t 件上，以使各晶圓之頂表面在晶圓載體 之頂表面處曝露。隨後將該晶圓載體置於一反應室中並維 持在所需溫度下，料使氣體混合物流過該晶圓載體之表 面。在該方法期間，重要的是使载體上各晶圓之頂表面上 =所有點維持均一條件。反應性氣體之組成及晶圓表面之 4的微小差異會導致所獲得之半導體裝置之性質存在非 所需之差異。 士右沈積氮化銦鎵層，則晶圓表面溫度或反應性氣 體組成之差異將導致沈積層之組成及帶隙存在差異。由於 品^有相對间之瘵氣壓，故在晶圓之表面溫度較高之彼等 區域中’沈積層將具有較低比例之銦及較大帶隙。若沈積 層係LED結構之活性發光層，則由該晶圓所形成之LED之發 射波長亦不同。因此’時至今曰，在本技藝中已作出大量 研究來維持均一條件。 業廣泛接丈之一類CVD裝置使用呈巨盤形式之晶圓載 。、曰曰圓載體具有各適用於固持一晶圓之許多晶圓固持 1 °將該晶圓載體支樓於反應室内之-軸桿上，以使具 IS曝：表面之該晶圓載體之頂表面朝上面向-氣體分 田忒軸柃旋轉時，氣體向下朝向該晶圓載體之頂 160292.doc 201227806 表面並流過該頂表面朝向晶圓載體周邊。所用氣體係經由 :置：晶圓载體下方及分配於該軸桿之軸周圍，一般而 言，靠近該室之周邊處之排放孔自反應室排出。 晶圓載體係藉由加熱元件(-般而言，佈置於晶圓載體底 表面下方之電阻性加熱元件）維持在所需高溫下。此等加熱 元件係維持在高於所需之晶圓表面溫度之溫度下，而氣體 分配元件一般係維持在低於所需反應】度之溫度下以防止 氣體過早反應。如此’熱量係自加熱元件轉移至晶圓載體 之底表面及向上流過晶圓載體到達各個晶圓。 雖然至今已在本技藝中作出大量研究來優化此等系統， 然而仍需求進-步改良。特定言4，需更輕易地將晶圓及 晶圓載體裝载至反應室，尤其對於相對大型的晶圓載體而 言0 【發明内容】 提供一種用於化學氣相沈積反應器之結構，一種用於將 晶圓輸送至化學氣相沈積反應器中之載體區段，一種用於 化學氣相沈積反應器之支撐元件，及一種晶圓加工方法。 本發明之一態樣提供一種用於化學氣相沈積反應器之結 構。該結構包括一支撐元件，該支撐元件界定背向之實質 平坦之上及下表面及實質上垂直於該上及下表面之一垂直 旋轉軸；及與該支撐元件以可卸除方式嚙合之複數個載體 區段。各載體區段可包括背向之實質平坦之頂及底表面及 在该頂與底表面之間延伸之至少_孔。可將該等載體區段 佈置於支撐元件上’使該等載體區段之底表面面向該支撐 160292.doc 201227806 元件之上表面，以使晶圓可固持於載體區段之孔中，各晶 圓之一表面朝向該支撐元件及另一表面在該等載體區段之 頂表面處曝露。 於一實例中，朝向支撐元件之各晶圓之一表面可接觸該 支撐元件。於一具體實例中，各載體區段可進一步包括界 定各孔且在該載體區段之頂與底表面之間延伸之一孔圓周 表面。各載體區段可進一步包括與至少一支撐物定位特徵 件嚙合之至少一載體定位特徵件。該載體及支撐物定位特 徵件可當支撐元件繞旋轉軸旋轉時用於防止載體區段自支 撐元件脫離。各載體區段可進一步包括自各孔圓周表面向 内凸出之至少一載體元件。可將各載體元件用於固持一晶 圓。 於一具體實施例中，該結構可進一步包括一反應室，該 反應室具有一内部，與該反應室之内部連通之一氣體入口 結構以允許製程氣體在内部固持之晶圓上形成沈積；安裝 在該反應器内之一加熱元件；及安裝於該反應室中之一軸 杯’支樓兀件安裝在該軸桿上以與其一起圍繞垂直旋轉轴 旋轉。於-實例中’各載體區段之至少一孔可係複數個孔。 於-示例性實施例中，該支撐元件可基本上呈盤形且各載 體區段可基本上以-aj㈣區之形式。於—具體實例令， 該支樓元件可進—步包括自該支撐元件之上表㈣上凸出 之至少-平台。各平台可界定一頂表面及在其頂表面與支 撐凡件之上表面之間延伸之一平台圓周表面。各平台可嚙 合於一對應孔中。 160292.doc 201227806 於一實例中，支撐物定位特徵件可包括該等平台中之至 少一者。於一示例性實施例中，該平台圓周表面中最靠近 旋轉軸之部分可界定相對切元件上表面之-第-銳角。 於-具體實例中’孔圓周表面中最靠近旋轉轴之内側部分 可界定相對載體區段底表面之m於—具體實施 Ή中該帛銳角與该第二銳角可近似相等。於一實例中， 各孔圓周表面中最遠離旋轉軸之外側部分可界定相對載體 區段底表面之一純角。 於一示例性實施例中’該結構可進—步包括位於各孔中 之日日®。在其頂與底表面之間之載體區&之厚度可大於 支撐元件之上表面與晶圓之頂表面之間之距離。於一具體 實例中，各平台可用於將佈置於—對應孔中之—晶圓固持 在載體元件上方。於一具體實施例中，各平台可進一步界 定自平台圓周表面向内延伸之至少一凹口，且各載體元件 可唾合於一對應凹口中。於-實例中，各平台可用於固持 -晶圓’以使晶圓下表面之大部分與平台之頂表面分隔 開。於-示例性實施財，各平台可包括自其頂表面向上 凸出之至少—支標突片。各支樓突片可用於固持-晶圓， 以使晶圓之整個下表面與平台之頂表面分隔開。 本發明之另—態樣提供用於將晶圓運送至-化學氣相沈 積反應器中之一載體區該載體區段包括一主體，該主 體界定背向之頂及底表面；^穿該主體之至少—孔，1主 體界定-圓周表面，該圓周表面定界各孔並在該主體:頂 與底表面之間延伸；及自各孔之圓周表面向内凸出之複數 160292.doc 201227806 個載體7G件。各孔之載體元件 曰圓之μ主 J用於固持-晶圓，以使該 日日圓之上表面在主體之頂表面 用於琦人, 蜗路。该載體區段可界定 用於唾合一支撐元件之嚙合表面。 於—具體實施例中，該主體 .0., m了界疋—實質弓形周邊表 面各孔之圓周表面中最遠離該周邊表 e. α0 ., . ^ 门瓊表面之内側部分可界 寺主體底表面之一銳角。各孔 田，息主π 、圓周录面中最靠近該 Μ表面之外側部分可界定相對主體底表面之-鈍角。於 二中’各孔之圓周表面内側部分之銳角與各孔之圓周 表面外側部分之鈍角可互補。於一示例性實施例中，各孔 之圓周表面可呈斜圓柱體之形式。 之又另—態樣提供—種用於化學氣相沈積反應器 之支撐元件。該支樓元件包括一主體，該主體界定彼此背 向之上及下表面及實質上垂直於該上及下表面且大體上貫 穿該主體之慣性中心之一垂直旋轉轴；及自該主體之上表 面向上四出之至少一平台。各平台界定一頂表面及在該頂 表面與主體之上表面之間延伸之一圓周表面。該支標元件 可界定適用於使-或多個載體區段上覆該主體上表面之嗔 合表面。 於-具體實施例中，各平台之圓周表面中最靠近旋轉軸 之内側部分可界定相對主體上表面之-銳角，而該等嚙合 表面包括該等内側部分。於一實例令，各平台之整個圓周 表面之—銳角。於一示例性實施例 中’該支撐兀件亦可包括自各平台之頂表面向上凸出之複 數個支撐突片。該等支撐突片可適用於固持—晶圓，以使 160292.doc 201227806 該晶圓之下表面與該平台之頂表面分隔。於一具體實例 中，該支撐元件可實質上呈盤形。於一具體實施例中，各 平台之頂表面可實質上呈圓形。 本發明之又一態樣提供一種晶圓加工方法。該方法包括 步驟.將至少一晶圓固持在具有頂及底表面之一載體區段 上，以將各晶圓佈置於自頂表面至底表面貫穿該載體區段 之一孔中及支撐於凸出向該孔之該載體區段之載體元件 上；將該載體區段置於一支撐元件之上表面上，以使該載 體區段位於操作位置；及當該載體區段位於支撐元件上之 操作位置中時’處理該等晶圓之頂表面。當該等載體區段 位於操作位置時，載體之底表面可面向支撐元件之上表 面，自該支樓元件之上表面向上凸出之一平台可响合於各 孔中及可將佈置於此孔中之晶圓支樓在載體元件上方，及 可使各晶圓之頂表面在該載體區段之頂表面處曝露。 /於一具體實施例中，該方法可包括步驟：在處理步驟之 後將載體區段自支撐元件移除，以將晶圓再次支揮於該 等載體元件上。於—實例中，可使用複數個載體區段如上 斤述般實施固持、放置及移除步驟’以於處理步驟期間將 複數個載體區段佈置於單個支撐元件上。於—示例性實施 例中’錢樓7L件可基本上呈盤形及各載體區段可基本上 呈圓形扇區之形式。於—具體實例中，該等載體區段之頂 表面及晶圓之頂表面可共同界定覆蓋該支#元件大部分之 一基本平坦曝露表面。於-具體實施射，可實施放置步 驟以將載體元件各自。齒合於自定界該平台之-圓周表面： 160292.doc 201227806 内凸出之一對應凹口中。 於一實例中’可實施放置步驟以使該晶圓藉由自平台頂 表面向上凸出之至少一支撐突片支撐’及使該晶圓之下表 面與平台頂表面分隔。於一示例性實施例中，可實施處理 步驟，同時使載體區段及支撐元件圍繞一垂直旋轉軸旋 轉。於一具體實例中，可實施該處理步驟，以當載體區段 及支撐元件旋轉時，該載體區段對該晶圓之頂表面施以向 下力。於一具體實施例中’可實施該處理步驟，以當載體 區段及支撐元件旋轉時，自該支撐元件凸出之平台對載體 區段施以向下力。 【實施方式】 參照圖卜根據本發明一實施例之一化學氣相沈積裝置1〇 包括一反應室12，該反應室具有佈置於該室12之一末端處 之氣體入口歧官14。具有氣體入口歧管14之該室12末端 在本文中稱為至12之「頂」端。該室之此末端—般，但不 必，以正常重力參考框架佈置於該室之頂部。因此，如本 文中所使用之下行方向係指遠離氣體入口歧管14之方向； 而上行方向係指在該室内，指向氣體入口歧管14之方向， 且不考慮此等方向是否與重力上行及下行方向對準。類似 地，元件之「了苗 貝J及底」表面於本文中係參照室12及歧 管14參考框架描述。 室^有-圓柱形壁2〇,該壁在該室頂端處之—頂凸緣 ^與遠室底端處之—基平板24之間延伸。壁2〇、凸緣22及 土平板24界定_氣密封内部區域％，該内部區域可容納自 160292.doc 201227806 該氣體入口歧管14排出之氣體。雖然室12顯示為圓柱形， 然而’其他實施例可包括呈另一形狀之室，包括，例如， 錐形或其他平面旋轉體、方形、六邊形、八邊形或任何其 他適當形狀》 氣體入口歧管14連接至供應晶圓處理製程所使用之製程 氣體之源（如載氣及反應物氣體，如金屬有機化合物及V族 金屬源）。於一常見化學氣相沈積法中，載氣可係氮氣、氫 氣或氮氣與氫氣之混合物，及因此在晶圓載體頂表面處之 製程氣體可主|由氮氣及/或氫氣與—^量之反應性氣體 組分構成。該氣體入口歧管14係經排佈以接收各種氣體及 基本上沿下行方向來引導製程氣體流動。 氣體入口歧管亦可連接至經排佈以使液體傭環通過氣 體分配元件之-冷卻劑系統（未顯示），以於操作期間將元件 溫度維持在所f溫度p可提供—類似冷卻義佈（未顯 以冷卻室12之壁。 室12亦提供有通向-預燃室17之一進入開口 Μ，及用於 關閉及打開該進入開口 16之一可移動閘⑽。該開門 如（例如）美國專利案7,276，124中所揭 引用之方式併入本文。 该案係以 ":-轴桿40排佈於該室内，使該轴桿4。之中 订及下行方向延伸。藉由併合有軸承及密 。 習知旋轉貫通裝置44將該軸桿安裝至兮—、示）之 圍繞中心軸42旋轉，同時將一密’以使該轴桿可 室以基平板24之間。該軸桿4〇在^持於該轴桿與該 U端(即，該轴桿最靠 360292.doc 201227806 近氣體入口歧管14之末端）處具有—配合件牝。 該軸桿40連接至-旋轉驅動機構48(如電馬達驅動器）， 該旋轉驅動機構48係經排佈以使該轴桿圍繞中心軸似走 轉。該軸桿40亦可在氣體過道内提供有基本上沿轴桿之轴 向方向延伸之㈣冷卻_道1内部冷卻劑通道可連接 至-冷卻劑源’以使流體冷卻劑可自源傭環通過冷卻劑通 道及返回至冷卻劑源。 -支撑元件50包括實質上呈具有—中心軸52之圓盤形式 之一主體51。於圖1中所示之操作位置中，主體51之中心軸 52係與軸桿之軸42重合。主體51可形成為一單工件或複數 個工件之複合物。例如，如以引用方式併入本文中之美國 專利公開申請案20090155028中所揭示，主體可包括一輪 殼，該輪殼界定圍繞中心轴52之主體51之小區域及界定盤 开> 主體其餘部分之較大部分。於其他實施例中（未顯示），支 樓元件50可具有其他形狀’包括’例如，正方形、六邊形 或八邊形。 主體51可由不會污染CVD製程且可耐受製程溫度之材料 形成。例如，支撐元件50之較大部分可大部份或完全由諸 如石墨、碳化矽、氮化硼、氮化鋁或其他耐火材料之材料 开>成。主體51具有基本上彼此平行且基本上垂直該支撐元 件50之垂直旋轉轴52延伸之基本平坦上及下表面。於一實 例中，主體51可具有約500 mm至約1000 mm之直徑。 如圖3中所示，支撐元件50亦包括自該支撐元件之上表面 59向上凸出且圍繞該支撐元件沿圓周排佈之9個平台53。各 160292.doc -13· 201227806 平σ 53適用於可卸除式納入—載體區段之一對應孔73中 (如下所&述之圖3^各平台53具有約等於盤狀晶圓％之直 徑之直徑，以使晶圓可支樓於各平台上。各晶圓3〇可係由 藍寶石、碳化石夕、石夕或其他結晶基板形成。一般而言，各 晶圓30具有比其主表面之尺寸小之厚度。例如，約2英寸⑼ 叫直徑之圓形晶圓30可厚約43〇㈣或更薄。將各晶圓3〇 佈置於各平台5 3上，合Α ίέ φ. t- .1. 7其頂表面朝上，以使晶圓之頂表面 在平台之頂表面處曝露。雖然圖3中顯示9個平台53,然而， 該支標元件5G可包括任意數量之平台，包括，例如，2、4、 5 、 6 、 7 、 8 、 1〇 、 12或15個。 如圖5中所示，各平台53包括一平台圓周表面⑽自其向 内沿徑向延狀4個凹口 55。當將一對應載體區段7〇與支撑 元件50嚙合時’各凹口 55適用於接納一對應載體元件75(將 在下文描述）。雖然圖5及6Α中顯示4個凹口 55，然而各平台 53可包括任意數量之凹口 ’包括，例如，3、$、6、7小 、12 或 15 個。 正如圖6八、紐及7所示’各平台53包括自各平台之頂表 面58向上凸出之7個支樓突片56(例如，該等突片自平台之 頂表面向圖丨中所顯示之室12之頂端凸出）。支#突片二係 在平台圓周表面54上圍繞平台53沿圓周間隔。各平台似 支撐突片56適用於支撐其上之晶圓3〇(如圖】、3及7中所示 之晶圓）之底表面32,以使晶圓之底表面32僅在支撐 接觸平台。將一間隙9〇佈置在晶圓3〇之底表面“與平台W 之頂表面58之間。較佳使晶圓30之底表面32與平台53之頂 I60292.doc 14 201227806 表面58之間存在此間隙90’係因，在裝置1〇操作期間，其 可使大部份熱自支撐元件50經該間隙9〇傳遞至晶圓3〇，以 使晶圓頂表面3 1之溫度均勻性最大化。 雖然圖6A中顯示7個支撐突片56,然而，各平台53可包括 任意數量之支撐突片，包括，例如，3、5、6、8、9、1〇、 12或15個。支撐突片56可具有任何形狀且可環繞平台圓周 表面54之任何部分延伸。於一較佳實施例中，各支撐突片 56具有較平台53之頂表面58極小之頂表面57。 如圖7中所示’各平台53之平台圓周表面54之最靠近支樓 元件50之旋轉軸52之部分（即，圖7之左側）界定相對支撐元 件上表面59之銳角A2(即，小於90。）。平台圓周表面54適用 於對載體區段70之一孔圓周表面74(將在下文描述）施以向 下力。平台圓周表面54之最遠離旋轉軸52之部分可界定相 對支撐元件上表面59之任意角，但在圖7中顯示為銳角。 再參照圖卜支撐元件50適用於可卸除式嚙合一或多個載 體區段70。各載體區段70可大部份或完全由諸如鉬、石墨、 碳化矽、氮化硼、氮化鋁或其他耐火材料之一或多種材料 形成。各載體區段70可由與支撐元件5〇相同或不同材料製 成°可將各載體區段7〇支撐於支撐元件50之主體51之上表 面59上，以使各載體區段之頂表面之取向實質上平行於支 樓元件之上表面。如圖中所示，各載體區段7〇係以圍繞旋 轉軸52之約120。弓形延伸’以使三個載體區段7〇可延伸以 完全覆蓋支撐元件50。雖然圖3中顯示三個載體區段70，然 而裝置10包括任意數量之載體區段7〇,包括，例如，2、4、 160292.doc 15 201227806 5、6、7、8、I〇、12或15個。載體區段令之各者較佳延伸 以與其他載體區段覆蓋相等之一支撐元件5〇弓形部分。 各載體區段70具有貫穿之三個基本上呈圓形之孔73。於 載體元件運輸進出室⑽間，各孔73適用於將—晶圓则 持於载體元件上（顯示於圖4、6八及沾）。如圖中所示，延伸 以完全覆蓋支樓元件50之三個載體區段7〇可提供遍及所有 載體區段之9個孔73。雖然在圖3中將各載體區段7〇顯示為 具有三個孔73，然而’各載體區段可包括任意數量之孔， 包括，例如 ’ 2、4、5、6、7、8、1〇、12或15個。 亥等載體區#又中之各者較佳包括如其他載體區段般以類 似幾何態樣排佈之相等數量之孔73。雖然孔73顯示為以弧 形方式沿各載體區段70之外圍邊緣71佈延，然而，該等孔 73可在各載體區段7G内以任何幾何組態排佈。雖缺該等孔 73顯示為大致，於其他實施射（未顯示），該等 孔可具有任何其他形狀，包括，例如’正方形、六邊形或 八邊形。於較佳實施例中， f各孔73大致上與需承載於載體 區^又中之晶圓3 〇之形狀匹配。 70= 5之’單個化學氣相沈積裝置1〇中之所有載體區段 〇(例如’三個載體區段）較佳包括數量與支撐元件50中之平 台53數量相同之孔73，以使各孔可環繞-對應平台。於各 載體區段70中之孔73較佳传 、 子又1主你以支撐凡件5〇中之對二 之對應幾何組態排佈。 Τα十 正如圖4及6Α中所示，4個載俨亓生 表面74沿徑向向内延伸 ： ”3之孔圓周 .之伸雖然顯示有4個載體元件75，然而 I60292.doc -16 - 201227806 各孔73可包括任意數量之載體元件，包括，例如，3、5、6、 7 8、10、12或15個。較佳，包含於各孔73中之載體元件 75之數i等於延伸至各對應平台53中之凹口55之數量。較 佳’ 4個載體元件75係環繞孔73大致上位於與延伸至對應平 台53中之各凹口55相同的圓周位置。該等載體元件乃可具 有任何形狀及可在孔圓周表面74之任何部分延伸。於—較 佳實施例中，各載體元件75具有較孔73之面積極小之頂表 面77。 例如，如圖6A中所示，當將載體區段7〇與支撐元件”嚙 合時，各孔73配合-對應平台53，以使該孔之孔圓周表面 74鄰接目繞其圓周之平台之平台圓周纟面54。目繞一對應 平台53之各孔73之嚙合用作將载體區段定位在支撐元件π 上之機構。孔73之孔圓周表面74用作各載體區段之定位 特徵件及對應平台53之平台圓周表面54用作支樓元件5〇 之對應定位特徵件。 如圖7十所示，當載體區段70與支撐元件5〇嚙合時，各孔 73之孔圓周表面74之最靠近支樓元件旋轉軸52之内侧部分 (即，圖7之左側）界定相對該載體區段底表面79之銳角 A1(即，小於90。）。孔圓周表面74之内側部分適用於與平台 圓周表面54之對應内側部分大致匹配，該平台圓周表面 之對應内側部分界定相對支撐元件5Q頂表面59之銳角A2， 以使支撐元件圍繞旋轉軸52旋轉時，該平台圓周表面可向 孔圓周表面施以向下力。 各孔73之孔圓周表面74之最遠離支撐元件％旋轉軸52之 160292.doc 201227806 外側》卩刀（即，圖7右側）界定相對載體區段7〇底表面79之鈍 角B 1 (即，大於9〇。）。該鈍角B丨較佳大於由位於孔内之晶 圓30之外圓周表面33與晶圓底表面32之間所界定之實質直 角B2。支撐元件5〇之上表面59與晶圓3〇之頂表面^之間之 距離D較佳小於載體區段7〇之厚度τ，以於支撐元件％圍繞 方疋轉軸52旋轉期間，使孔圓周表面74之外側部分可適用於 對晶圓之頂表面施以向下力。然而，支撐元件5〇之上表面 59與晶圓30之頂表面31之間之距離D宜略小於載體區段7〇 之厚度Τ，以使裝置1 〇插作期間，流過載體區段之頂表面π 及晶圓之頂表面之製程氣體因通過不平整表面而發生最小 程度的流動中斷。 再參照圖卜一加熱元件6〇係安裝在室12内且在配合件46 下方環繞軸桿40。加熱元件6〇可主要藉由輻射傳熱將熱傳 遞至支撐70件50之底表面。施加至支撐元件5〇之底表面之 熱可經支撐元件50之主體51向上流至其頂表面。熱可向上 通向各晶圓30之底表面及各載體區段7〇，及經晶圓3〇及載 體區段70向上通向其等頂表面。熱可自晶圓3〇之頂表面及 自載體區段70之頂表面輻射至製程室12之較冷元件，如， 例如，輻射至製程室12之壁2〇及氣體入口歧管14。熱亦可 自晶圓30之頂表面及載體區段7〇之頂表面傳遞至通過此等 表面之製程氣體。 室12亦包括一外部襯墊28，該襯墊減少製程氣體滲透至 容納加熱元件60之室區域。於一實例實施例中，可在加熱 疋件60下方提供隔熱板（未顯示），例如，可與支撐元件5〇 160292.doc 201227806 平行佈置，以幫助熱量自加熱元件60向上直接至支樓元件 50而非向下至室12底端處之基平板24。 室12亦裝配有經排佈以將廢氣自室之内部區域％移除之 一排放系統62。該排放系統62包括在室12底部或附近之一 排放歧管63。該排放歧管63耦合至向下延伸通過基平板24 之一排放導管64且係經組態以將廢氣運載出反應室12。該 排放歧管63在軸桿40之頂部下方及在支撐元件5〇下方圍繞 室12外圍延伸。導管64亦連接至一泵65或其他真空源。 使用排放歧官6 3以提供流速限制可導致在裝置1 〇操作期 間於排放歧管中及周圍所形成之固體顆粒（例如，反應物之 產物）寄生沈積。此等固體顆粒可藉由（例如）可移動活塞移 除，如2010年8月2日申請之共待審美國專利申請案 12/848,540中所示及描述，該案係以引用之方式併入本文。 如圖3及4中所示，裝置1〇可進一步包括一叉8〇，該叉可 適合用作將一載體區段70運輸進出室12之一把手。該叉8〇 可包括複數個可移除地夾固於一載體區段7〇之外圍邊緣7 j 之夾片82。該叉80可包括一把手84，該把手適合由一名使 用者或可使載體區段7 0自預燃室1 7移至室12中並於操作條 件下將載體區段70與支撐元件50嚙合，且亦可使載體區段 7〇移出支撐元件50並移入預燃室17中之一負載機構（未顯 示）抓握。該叉80亦可包括一架子86，該架子適用於支撑一 載體區段70之外圍邊緣71，以使該外圍邊緣可夾固在該架 子與一或多個夾片82之間。 現參照圖6A及6B，於將一載體區段7〇放置於一支撐元件 I60292.doc •19· 201227806 50上之製程期間，可將支撐於該等載體元件75上之晶圓3〇 轉換為支撐於支撐突片5 6上，以將載體區段嚙合於支撐元 件上之後’該晶圓不接觸載體元件中之任一者。例如，在 載體區段70進入諸如圖丨中所示之室12之一反應室之前，可 將一晶圓位於一孔73中，以使晶圓之底表面停留在個別載 體元件75之頂表面77上❶當使載體區段7〇降至一支撐元件 50上’以使孔73位於平台53周圍時，載體元件75便降至凹 口 55中。當載體區段7〇已大部份或完全降至支撐元件5〇上 時，載體元件75之頂表面77可位於支撐突片56之頂表面57 下方（即，如圖6B所示更靠近支撐元件主體之頂表面），以 使晶圓之底表面自停留在載體元件之頂表面上轉換至支撐 突片之頂表面。 於將載體區段70放置於支撐元件5〇上之製程期間，將載 體區段之孔73喷合至支撑元件之對應平台53中可令載體區 段自組裝至支撐元件。換言之，可將载體區段7〇放置於支 撐元件50上之大致位置，且孔73嚙合至對應平台53中可導 致載體區段相對支樓元件移動至更準確之所需位置，藉此 提供載體區段之自組裝特徵。 於將載體區段70自支撐元件50提離之製程期間（例如，在 晶圓完成所需之處理之後），可將支撐於支撐突片56上之一 晶圓轉換為再次支撐於載體元件75上。當將載體區段7〇自 支撐件50提離時，使載體元件75之頂表面77提升高出支 撐突片56之頂表面57，以使晶圓之底表面自停留在支撐突 片之頂表面轉移至載體元件之頂表面。由於晶圓支撐於孔 I60292.doc -20- 201227806 73内之載體元件75上，故當將載體區段70自支撐元件50移 除時，晶圓將與該載體區段70—起提升。 現參照圖7 ’於支撐元件50及其上所嚙合之載體區段70 圍繞旋轉軸52旋轉期間，可將離心力F1施加於载體區段 上’ s亥離心力藉由將載體區段自中心抽沿徑向向外推而趨 於使載體區段彼此分離。該離心力F1在相對高旋轉速度下 可相對較大。可藉由利用各孔圓周表面74與對應平臺圓周 表面54之互鎖特徵來防止載體區段70在相對高旋轉速度下 分離。 在孔圓周表面74相對支撐元件50上表面59之銳角A1及平 台圓周表面54相對支揮元件上表面之銳角A2存在下，容許 平台圓周表面對孔圓周表面74施以向下力，藉此令載體區 段70可卸除式地互鎖於支撐元件上及防止載體區段於裝置 1〇操作期間提離支撐元件。 於支撐元件5 0旋轉期間若對載體區段7 〇施加離心力ρ i， 則需各載體區段70具有與其他載體區段實質上相同之質量 及/或質量分佈，以減少支撐元件及載體區段在支撐元件旋 轉期間之失衡。 於支撐元件50及其上所嚙合之載體區段7〇圍繞旋轉轴52 旋轉期間’對晶圓30施以離心力F2,該離心力趨於將晶圓 自中心軸52沿徑向向外推動。如圖7中所示，孔圓周表面74 相對支撐元件5G上表面59之㈣大於晶圓料圓周表面^ 相對支撐元件上表面之角B2，且支撐元件上表面距晶圓頂 表面Μ之距離D小於支樓元件上表面與載體區段7〇之頂表 160292.doc •21- 201227806 面78間之厚度τ。因此，載體區段7〇之孔圓周表面74將對晶 圓30之頂表面31施以向下力，藉此防止晶圓在裝置1〇操作 期間提離平台53及自孔73提出。 於操作時，於根據本發明之一實施例之方法中，藉由降 低閘門18來打開進入開口16。然後，將其上負載有晶圓％ 之載體區段70自預燃室17裝载至室12中並置於支撐元件5〇 上之可操作位置，如圖！中所示。當將載體區段7〇放置在支 撐兀件50上時，參照6八及6Β以如上所描述方式將晶圓μ由 載體區段支樓轉換為由支撐元件支樓。於此條件中，晶圓 3〇之頂表面朝上，面向氣體入口歧管14。藉由使閘門咐 升至圖1中所示之關閉位置來關閉進入開口 16。啟動加與元 件6〇,及使旋轉驅動器48運作以轉動轴桿⑽及藉此使晶圓 載體5〇圍繞中心轴42旋轉…般而言，轴桿40係以約5〇至 1500轉/分鐘之旋轉速度旋轉。 啟㈣程氣體供應單元（未顯示）以經由氣體入口歧管Μ 供應礼體該等乳體向下通向載體區段7〇，流過载體區段 之頂表面及晶圓30之頂砉而 s 及圍，澆支撐元件50之外圍向 L °非’、統62。因此’使載體區段7〇及晶圓30之頂表 面曝Γ包括由各個製程氣體供應單元所供應之各種氣體 物之製程氣體1常見地，頂表面處之製程氣體主 要係由載氣供應單元（夫甚 ”體主 要)所供應之贼組成。由於熱主 要係精由直接自支撐元仕 ,.. 牛〇傳遞之熱傳遞至晶圓，έ文截I* 兀件之熱傳遞差異對晶圓之溫度之作 文載體 晶圓維持在均一溫度下。 < 因此，可使 160292.doc •22- 201227806 該製程繼續進行直至晶圓3〇完成所需處理…旦完成製 程，藉由降低間門18來打開進入開口16。_旦打開進入開 口 16’便可將載體區段7〇及晶圓3〇自支樓元件5〇移除。告 將載體區段70提離支#元件科，參照圖^請以如上所 描述之方式’將晶圓3〇由支撐元件切轉換為載體區段支 撐。最後，可以新載體區段及晶圓來代替載體區段7〇及晶 圓30，以進行下一操作循環。 現參照圖8，顯示適用於圖！中所顯示之化學氣相沈積裝 置丨〇之另一實施例支撐元件及載體區段。支撐元件15〇類似 於上述支撐元件50 ’但支撐元件15〇不包括自其上表面159 向上突出之平台。載體區段17〇類似於上述載體區段70,但 晶圓30可於裝置操作期間及將載體區段插入反應室，及將 載體區段自反應室移除期間由載體元件175固持。此等載體 區段170可將晶圓3〇固持於其等各自的孔173中，令各晶圓 3〇之底表面32朝向支撐元件150但不接觸該支撐元件，及使 各晶圓之頂表面31在各載體區段之頂表面178處曝露。 位於晶圓30之底表面32間之間隙190可容許大部份熱量 以參照圖7所描述之類似方式直接自支撐元件15〇傳遞至晶 圓30。孔圓周表面174之外側部分可具有相對載體區段17〇 底表面179之鈍角，以於支撐元件150及載體區段旋轉期 間’孔圓周表面可適用於以參照圖7所描述之類似方式對晶 圓3〇之外圓周表面33提供向下保持力。 支撐元件150不將平台及孔用作將載體區段定位於支撐 70件上之機構，而包括一或多個突起158a及/或凹口 158b作 160292.doc -23- 201227806 為疋位特徵件。該等載體區段〗7〇可包括一或多個突起 8a該等犬起可適用於配合至支撐元件15〇之對應凹口 8b中j等載體區段17Q可包括__或多個凹。，該等 凹口可適用於容許讀元件之對應突起158a插人。該支樓 凡件150及載體區段17〇可包括此等突起或對應凹口中之一 者或兩者作為定位特徵件。 現參照圖9，其顯示適用於圖⑴斤顯示之化學氣相沈積 裝置10之另一替代實施例支撐元件及載體區段。支撐元件 250及載體區段270類似於上述支撐元件5〇及載體區段7〇, 但包括可減小支撐元件250與載體區段27〇間之接觸表面積 之特徵件。 支撐7G件250不藉由與支撐元件之平整上表面接觸來支 推載體區段之底表面（例如，如圖7中所示），而包括在支撐 元件之上表面259與載體區段270之底表面279之間延伸之 一或多個突起258a，藉此在兩者之間界定一間隙29〇。各載 體區段270可包括在支樓元件250之上表面259與載體區段 之底表面279之間延伸之一或多個突起278a，藉此在兩者之 間界定間隙290。可將突起258a及278a中之一或兩類用於支 撐元件250及載體區段270之一具體實施例中以在兩者之間 界定該間隙290。 該支撐元件250可包括自其上表面259向下延伸之一或多 個凹口258b’藉此減小支樓元件上表面與載體區段270底表 面279之間之接觸表面積。各載體區段270可包括自其底表 面279向上延伸之一或多個凹口 278b，藉此減小載體區段底 I60292.doc • 24· 201227806 表面與支撐元件250之上表面259之間之接觸表面積。可將 凹口 25 8b及278b中之一或兩類用於支撐元件250及載體區 段270之一具體實施例中以減小兩者之間之接觸表面積。 在支撐元件250及載體區段270中各別包含突起258a及 278a中之一或兩類及/或凹口 258b及278b中之一或兩類有 助於減小各載體區段270之頂表面278由載體區段之複雜形 狀、載體區段間之不均一質量分佈或載體區段之傾斜或彎 曲所導致之溫度不均一性。頂表面278之此溫度不均一性可 由間隙290減小及/或在凹口 258b及278b内所包含之空間可 容許支撐元件250與載體區段270間之間隙及/或凹口之更 均勻傳熱。 使用具有與支撐元件可拆卸嚙合之載體區段之化學氣相 沈積裝置（如，於上述實施例中）可具有數個潛在優點。例 如’就指定尺寸之反應器而言，複數個載體區段中之各者 較單個巨大晶圓載體更輕且因此更易轉移進出反應器。較 單個巨大晶圓載體可更易以較嚴格製造容限來製造複數個 相對小之載體區段中之各者。較單個相對巨大晶圓載體可 更易製造較大規模化學氣相沈積裝置之複數個相對小之載 體區段，以可更輕易地將具有相對小之载體區段之化學氣 相沈積裝置之設計依比例擴大至較大尺寸。 具有一獨立支撐元件及載體區段之化學氣相沈積裝置可 包括針對支撐元件及載體區段使用不同材料。例如，支撐 元件可係由石墨製成，及載體區段可各自由鉬製成。於— 不例性實施例中，各載體區段可係多種材料之複合物。於 160292.doc -25· 201227806 -具體實施例中，各載體區段可係經構造以在其頂表面上 達成所需溫度及/或溫度分佈，例如，以使載體區段之頂表 面溫度可高於、等於或低於位於載體區段之孔内之晶圓之 頂表面之溫度4有獨立支撐元件及載體區段之化學氣相 沈積裝置可具有車交具有單一整體晶圓m體之習知裝置降低 之熱誘導環向應力。 本發明可應用於各種晶圓處理製程，如，例如，化學氣 相沈積、晶圓化學蝕刻及類似者。雖然本發明已參照具體 實施例進行描述，然而，應理解，此等實施例僅用於說明 本發明之原理及應用。因此，應理解，可對該等說明性實 施例進行許多修改及可在不脫離由附接專利申請範圍所限 定之本發明精神及範圍下創建其他佈局。將瞭解，可將各 獨立技術方案及其中所述之特徵以不同於初始技術方案所 述之方式組合。亦將瞭解，與獨立實施例組合描述之特徵 可存在於所描述之其他實施例中。 【圖式簡單說明】 圖1係一透視截面圖，其顯示根據本發明一實施例之化學 氣相沈積裝置。 圖2係一局部截面圖，其顯示圖丨中所顯示之化學氣相沈 積裝置之元件之一實施例。 圖3係一透視分解圖，其顯示圖丨中所顯示之化學氣相沈 積裝置之元件。 圖4係圖3中所顯示之一載體區段之俯視平面圖。 圖5係圖3中所顯示之支撐元件之局部俯視平面圖。 160292.doc •26- 201227806 圖6A係圖1中所顯示之载體區段及支撐元件之局部俯視 平面圖。 圖6B係圖6A中所顯示元件之局部放大透視圖。 圖7A係圖1中所顯示之化學氣相沈積裝置之元件之放大 透視截面圖。 圖7B係圖7A中所顯示之一部份晶圓、載體區段及支撐元 件之放大局部透視截面圖。 圖7C係圖7A中所顯示之另一部份晶圓、载體區段及支撐 元件之放大局部透視截面圖。 圖8係適用於圖1中所顯示之化學氣相沈積裝置之替代實 施例載體區段及支撐元件之元件之放大側面截面圖。 圖9係適用於圖1中所顯示之化學氣相沈積裝置之另一替 代實施例載體區段及支撐元件之元件之放大側面截面圖。 【主要元件符號說明】 10 化學氣相沈積裝置 12 反應室 14 氣體入口歧管 16 進入開口 17 預燃室 18 閘門 20 圓柱形壁 22 凸緣 24 基平板 26 内部區域 160292.doc -27- 201227806 28 外部襯墊 30 晶圓 31 晶圓頂表面 32 晶圓底表面 33 晶圓外圓周表面 40 軸桿 42 中心軸 44 旋轉貫通裝置 46 配合件 48 旋轉驅動機構 50 支撐元件 51 主體 52 中心軸 53 平台 54 平台圓周表面 55 凹口 56 支撐突片 57 頂表面 58 頂表面 59 上表面 60 加熱元件 62 排放系統 63 排放歧管 64 排放導管 160292.doc -28- 201227806 65 泵或真空源 70 載體區段 71 外圍邊緣 73 孔 74 孔圓周表面 75 載體元件 77 頂表面 78 頂表面 79 底表面 80 叉 82 失片 84 把手 86 架子 90 間隙 150 支撐元件 158a 突起 158b 凹口 159 上表面 170 載體區段 173 子L 174 孔圓周表面 175 載體元件 178 頂表面 178a 凹口 160292.doc -29 201227806 178b 突起 179 底表面 190 間隙 250 支撐元件 258a 突起 258b 凹口 259 上表面 270 載體區段 278 頂表面 278a 突起 278b 凹口 279 底表面 290 間隙 160292.doc

Claims (1)

  1. 201227806 七、申請專利範圍： 1. 一種用於化學氣相沈積反應器之結構，該結構包含： (a) 支禮元件，該支標元件界定彼此背向之實質平坦 上及下表面及垂直於該上及下表面之一垂直旋轉軸；及 (b) 與該支撐元件可卸除式嚙合之複數個載體區段，各 載體區段包括背向之實質平坦頂及底表面及在該頂與底 表面之間延伸之至少一孔； 該等載體區段係置於該支撐元件上，該等載體區段之 底表面朝向該支撐元件之上表面，以使晶圓可固持於該 等載體區段之孔中，各晶圓之一表面面對該支撐元件及 相反表面在該等載體區段之頂表面處曝露。 2. 如請求項1之結構，其中各晶圓中面對該支撐元件之一表 面接觸該支撑元件。 3. 如請求項1之結構，其中各載體區段進一步包括： 疋界各孔且在該載體區段之頂與底表面之間延伸之一 孔圓周表面； 與該支撐元件之至少一支撐定位特徵件嚙合之至少— 載體定位特徵件，該載體及支撐定位特徵件適用於防止 該載體區段於該支樓元件圍繞旋轉轴旋#時自該支樓元 件分離；及 自各孔圓周表面向内凸出之至少一載體元件，各載體 元件適用於固持一晶圓。 4. 如請求項1之結構，其進一步包含： (c)具有一内部之一反應室； 160292.doc 201227806 (d)與該室之内部連通之一氣體入口結構，其用於接納 製程氣體以於該内部固持之晶圓上形成沈積物； 0) t裝在该反應室内之一加熱元件；及 (f)安裝在該反應室中之一軸桿，該支撐元件係安裝於 3玄軸桿上以與該軸桿一起圍繞該垂直旋轉軸旋轉。 5·如请求項1之結構’其中各載體區段之至少一孔係複數個 孑L 。 6. 如請求項5之結構，其中該支撐元件基本上呈盤形及各載 體區段基本上係呈圓形扇區形式。 7. 如請求項3之結構’其中該支撐元件進一步包括自該支撐 元件之上表面向上凸出之至少一平台，各平台界定一頂 表面及於其頂表面與該支撐元件之上表面之間延伸之一 平台圓周表面，各平台係嚙合於一對應孔内。 8. 如s青求項7之結構’其中該支撐定位特徵件包括該等平台 中之至少一者。 9. 如請求項8之結構’其中該平台圓周表面之最靠近該旋轉 轴之部分界定相對該支撐元件上表面之第一銳角。 10. 如請求項9之結構’其中該孔圓周表面之最靠近該旋轉軸 之内側部分界定相對該載體區段底表面之第二銳角。 11. 如請求項10之結構，其中該第一銳角及該第二銳角大致 相同。 12. 如請求項3之結構，其中各孔圓周表面之最遠離該旋轉軸 之外側部分界定相對該載體區段底表面之鈍角。 1 3 ·如請求項1 2之結構，其進一步包含位於各孔中之一晶 160292.doc -2- 201227806 圓其中該載體區段之頂與底表面間之厚度比該支標元 件之上表面與該晶圓之頂表面間之距離大。 如請求項7之結構，其中各平台適用於將佈置於一對應孔 中之一晶圓固持在該等载體元件上方。 • 15.如請求項14之結構’其中各平台進-步以自該平台圓 ‘ 周表面向内延伸之至少-凹σ，及各載體元件係嗤合於 一對應凹口中。 16·如請求項14之結構，其中各平台適用於固持-晶圓，以 使該晶圓之下表面中之大部分與該平台之頂表面分隔。 17. :請求項16之結構，其令各平台包括自其頂表面向上凸 之至少"'支擇突片，各切突片適用於固持-晶圓， 以使該晶圓之整個下表面與該平台之頂表面分隔。 18. 種用於將晶圓運輸至一 卜風名 「讲 化學軋相沈積反應器中之载體 區& ’該載體區段包含： (a) 界定背向之頂及底表面之—主體，· (b) 貫穿該主體之至少—孔，哕 A ± m °^主體界疋一定界各孔且 在該主體之頂與底表面間延伸之圓周表面·及 (C)自各孔之圓周表面向内凸屮+, ^ # ^ . 出之複數個載體元件，各 =载體件適用於固持-晶圓，以使該晶圓之上表面 在°亥主體之頂表面處曝露； 2载體區段界定適用於嘴合-支撐元件之嘴合表面。 19.如明求項18之載體區段，1 主體界定一實質弓形外 圍表面，各孔之圓周表面之 W外 ^ η ^ ± 通雖s亥外圍表面之内側部 分界疋相對該主體底表 W 〇P 銳角，及各孔之圓周表面之 160292.doc 201227806 最靠近該外圍表面之外側部分界定相對該主體底表面之 純角。 20. 如請求項1 9之載體區段，其中各孔之圓周表面之内側部 分之銳角與各孔之圓周表面之外側部分之鈍角互補。 21. 如凊求項20之載體區段’其中各孔之圓周表面係呈斜圓 柱之形式。 22. —種用於化學氣相沈積反應器之支撐元件，該支撐元件 包含： (a) —主體’其界定背向之上及下表面及實質上垂直於 該上及下表面且大致上貫通該主體之慣性中心之一垂直 旋轉軸；及 (b) 自該主體之上表面向上凸出之至少一平台，各平台 界定一頂表面及於該頂表面與該主體之上表面之間延伸 之一圓周表面； 該支撐元件界定適用於將一或多個載體區段維持覆蓋 在該主體之上表面之嚙合表面。 23. 如請求項22之支撐元件，其中各平台之圓周表面之最靠 近該旋轉軸之内侧部分界定相對該主體上表面之銳角， 該等响合表面包括該等内側部分。 24. 如印求項23之支撐元件，其中各平台之整個圓周表面界 定相對該主體上表面之銳角。 25. 如請求項22之支撐元件，其進—步包含自各平台之頂表 面向上凸出之複數個支撐突片，該等支撐突片適用於固 持一晶圓，以使該晶圓之下表面與該平台之頂表面分隔 160292.doc 201227806 開。 26. 如請求項22之支撐元件，其中該支撐元件基本上係盤形。 27. 如請求項22之支撐元件，其中各平台之頂表面基本上係 圓形。 . 28. —種晶圓加工方法，其包含： ^ 將至少一晶圓固持在具有頂及底表面之一載體區 •k上，以將各晶圓佈置於自該頂表面經該載體區段延伸 至該底表面之一孔内及支撐於凸出向該孔之該載體區段 之載體元件上； (b)將該載體區段放置於一支撐元件之上表面上，以使 該載體區段處於操作位置，其中該載體之底表面朝向該 支撐元件之上表面，自該支撐元件之上表面向上凸出之 平台嗜合於各孔中並將佈置於該孔中之晶圓支撲在該 等載體元件上方，及使各晶圓之頂表面在該載體區段之 頂表面處曝露；及 (0當該載體區段位於該支撐元件上之操作位置時，處 理δ玄專晶圓之頂表面。 29.如凊求項28之方法，其進一步包含在處理步驟之後將該 * 載體區段自該支撐元件移除之步驟，以將該等晶圓再次 - 支撐於該等載體元件上。 30·如請求項29之方法，其中固持、放置及移除步驟係如上 所述利用複數個載體區段實施，以此在處理步驟期間將 該複數個載體區段佈置於單一支撐元件上。 31_如請求項30之方法，其中該支撐元件基本上係盤形及各 I60292.doc 201227806 載體區段基本上係呈圓形扇區形式。 3 2.如請求項3 1之方法，其中該等載體區段之頂表面及該等 晶圓之頂表面共同界定覆蓋該支撐元件之大部分之一基 本平坦曝露表面。 3 3.如請求項28之方法，其中實施該放置步驟以將該等載體 元件各自嚙合於自定界該平台之一圓周表面向内凸出之 一對應凹口中。 34·如請求項28之方法，其中實施該放置步驟以藉由自該平 台之頂表面向上凸出之至少一支撐突片支撐該晶圓及 使該晶圓之下表面與該平台之頂表面分隔開。 35·如請求項28之方法，其中實施該處理步驟同時使該載 體區段及该支撐元件圍繞一垂直旋轉軸旋轉。 U員3 5之方法，其中實施該處理步驟以當該載體區 段及該支撐元件旋轉時，該載體區段對該晶圓之頂表面 施以向下力。 3 7.如請求項3 5之方法，其中 段及該支撐元件旋轉時， 該載體區段施以向下力。 實施該處理步驟以當該載體區 自該支撐元件凸出之該平台對 160292.doc
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