TW201224648A - Method of forming pattern and method of forming metal structure - Google Patents
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201224648 六、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種藉由熱微影術來 的圖案形成方法。而且,本發明 圖案形成方法所形成的圖案來形成戸处 使用由此種 下,稱為金屬環)的金屬結構形成方^。的金屬結構(以 【先前技術】 最近,對包含光的電磁波表現出具有 然界的物質所不具備的性曾 、<、斤射率專自 (Metamaterial;)的人工物質J稱為超材料 象的_波的波長更小的金屬環來 於專利文獻1中,接屮古 顆粒的狀態下,對其側面實於」^ 2片基板爽持並壓碎 材料的金屬環的方法。 &、、’、佈,藉此形成構成超 [先前技術文獻] [專利文獻] 號公報 所述的特雜的= 粒紐的電顧顯示如上 的大小的金屬環。超材料’需要形成數百謂級以下 中,Ιιΐ山Γ上述專利文獻】中所記載的金屬環形成方法 屈泠佑’數微米或其以上的大小的顆粒的側面實施金 ^佈來形成金屬環’故結果所形成的金屬環的大小的下 201224648 jyyoapif 限最多亦僅為數微米,由該金屬環所製作的超材料雖 微波或波長比微波更長的電磁波顯示如上所述的作為 料的特徵性的性質,但對波長更短的可見光 料 材料的性質。 【發明内容】 雲於上述情況,本發明的目的在於提供一種可 百nm級以下的環狀的圖案的圖案形成方法、及使用由此 種圖案形成方法所形成的圖案來形成環狀的金屬 屬結構形成方法。 的生 本發明的圖案形成方法是藉由熱微影 圖案的圖案形成方法,其特徵在於:於基板上成^的 包含氧雜㈣色素、且對於波長獨^層的 以上、1,6以下;於所形成的光阻層上以3 _ 上m/s以下的掃描速度掃描雷射光;以及利用 為主成分的顯影液對經雷射光掃描的光阻層進行顯影。 此處’將主成分定義為含量為5()莫= 另外,亦可利用水等溶劑來稀釋顯影液。i的成为。 於上述方法中,亦可更進一步於光阻層 10 nm以下的你罐爲 0 .. 子度為 行雷射光的掃描^ 〇成有_制的光阻層上進 另外’掃描速度亦可為3.8 m/s以上、9 2 m/s以下 另外,醇可為〒醇,亦可為乙醇。 金屬^==結構戦絲是形__金屬結構的 金屬、、,°觀成方法,其特徵在於:於基板上形成金屬層 201224648 ^yy^cpii 於所形成的金屬層上形成光阻層,此光阻層 色素、且對於波長580 nm的光的OD值為 以下,於所形成的光阻層上以3 m/s以上、1〇 _以下的 2速度掃描雷射光;㈣為主成分_影液對經該 雷射光掃描的光阻層進行聽,藉聽金屬層上形成環狀 的圖案;以及將所形成的環狀的圖案作為遮罩來對金屬層 進行I虫刻。 、曰 [發明的效果] ,據本發_目案形成方法,於基板上形成包含氧雜 、色素、且對於波長58〇nm的光的〇D值為丨〇以上、 Μ以下的光阻層,於所形成的光阻層上以3 _以上、1〇 域以下的掃描速度掃描雷射光,且利用以醇為主成分的 顯影液對經雷射光掃描的絲層進行顯影 百nm級以下的環狀的圖案。 」域數 严声ttn述方法中’ #更進-步於所形成的光阻層上形成 尽度為l〇nm以下的保護層,且於形成有保護層的光阻層 上進行雷射光的掃描時,可使環狀的圖案形成為更良好二 形狀。 v 根據本發明的金屬結構形成方法,於基板上形成 曰’於所形成的金屬層上形成包含氧料純素、且對於 波長湖nm的光的0D值為^上、】相下的光阻屏、, ::形成的光阻層上以3 m/s以上、1〇 m/s以下的掃描曰速 二掃描雷射光,利用以醇為主成分的顯影液對經雷射光 S的光阻層進行㈣,藉此於上述金屬層上形成環狀的圖 201224648 39958pif 案,且將所形成的環狀的圖案作為遮罩來對上述 行㈣’藉此可形成數百⑽級以下的環狀的金屬^進 【實施方式】 ^ …Μ下,參關式對本判賴案軸方法的實施形態 進行說明。® 1表示利用本發明的圖案的形成過程。本發 =的圖案形成方法是藉由熱微影術來形成環狀的圖案的圖 ^形成方法,其包括:於基板1G上形成光阻層3〇的光阻 三形成步驟、於光阻層30上形成保護層4〇的保護層形成 4、於光阻層30上掃描雷射光的#射紐描步驟以及利 =顯影液對經㈣光掃描的雜層3G進行顯影的顯影步 驟。以下,對各步驟進行詳細說明。 [光阻層形成步驟] 首先’如圖1的(a)及⑻所示,準備平坦的基板 並於基板10上形成包含氧雜菁系色素的光阻層30。 基板10例如使用石夕基板。 2阻们G是藉由如下方式形成:使氧料色素溶解於 中來製備塗佈液’將所調整的塗佈液塗佈於基板1〇 表面而形成塗膜後’對所形成的塗膜進行乾燥。此時,光 阻層30的厚度是以其對於波長彻nm的光的光學密度 Density ’ 0D)值)成為1〇以上、16以下的 ^决^:。其原因在於:若QD值過低或過高,則最終所 j的環狀的圓案的形狀會產生偏差。此處,所謂〇D值, 疋指以對數來表示光通過光阻層3〇時被吸收的程度的值。 作為氧雜菁色素,例如可使用曰本專利特開 201224648 2006-212790號公報中所記載的氧雜菁色素。例如,作為 氧雜菁色素的較佳的結構的一例,有由下述通式(丨)所^ 示的結構。
Ma1—Ma2^=Wla3—^
Qy 通式(1) 上述通式(1)巾,Za1及Za2分賴錢表示形成酸 性核的原子群。Ma1、Ma2、Ma3分翻立地表轉取代 未經取代的次曱基。ka表示〇至3為止的整數’當“為二 以上時,存在多個的Mal、Ma2可相㈤,亦可不㈤。另外, Q表不中和電荷的離子,y表示電荷財和所需的數。 作為氧雜菁色素的較佳的結構的-例,有由下 述k式(2)所表示的結構。 (R*9 R30 R21 R22、R2兔於妒 R27 R2« R25 R24 /1/2 通式(2) 通式(2)中,Ri、R2、R3、R4分別獨立地表示經取 代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的芳基、經取代 或未經取代的雜環基。r21、R22、r23、r24、r25、r26、r27、 s 8 201224648 jyy^spif R28、R29、r3G分賴立地表示氫原子或取代基。 再者,除上述以外,作為氧雜菁色素,亦可使用以下 所說明的氧雜菁系色素A及氧雜菁系色素丑。作為氧雜菁 色素A,較佳為由下述通式(3)所表示的化合物。
«m+2)/x>2*+
通式(3) 通式(3)中’ R11、R12 ' Rn、pu分別獨立地表示氫 原子、經取代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的芳 基、以及經取代或未經取代的雜環基的任一者,p21、R22、 R3表示氫原子、經取代或未經取代的烷基、經取代或未經 取代的烷氧基、經取代或未經取代的芳基、經取代或未經 取代的芳氧基、經取代或未經取代的雜環基、鹵素原子、 羧基、經取代或未經取代的烷氧基羰基、氰基、經取代或 未經取代的醯基、經取代或未經取代的胺甲醯基、胺基、 取代胺基、磺基、羥基、硝基、經取代或未經取代的烷基 磺醯基胺基、經取代或未經取代的芳基磺醯基胺基、經取 代或未經取代的胺甲醯基胺基、經取代或未經取代的烷基 續醯基、經取代或未經取代的芳基只水二爪基、經取代或 未經取代的烷基亞磺醯基、經取代或未經取代的芳基亞磺 酿基、以及經取代或未經取代的胺續醯基的任一者。m表 示0以上的整數,當m為2以上時,多個R3可相同,亦 201224648 可不同〇 2X+表千陪私7 ± _ # a &衣除離子,x表示1以上的整數 (4)所表示的 化合物 為氧雜菁色素B,較佳為由下述通式 〇 Ό ,^ Ο** 2a25 /C^ft/Ia27〜Ma28sj=Ma29—(/
Ka 23
Za26
Q 通式(4) 通式(4)中,Za25、Za26分別獨立為形成酸性核的原 子群,Ma27、Ma28、Ma29分別獨立為經取代或未經取代的 -人曱基。Ka23表示0至3之間的整數。q表示中和電荷的 離子。 作為塗佈液的溶劑,可列舉:乙酸丁酯、乳酸乙酯、 溶纖劑乙酸酯等酯;曱基乙基酮、環己酮、曱基異丁基酮 等酮;二氣曱烷、1,2-二氣乙烷、氣仿等氣化烴;二曱基 曱醯胺等醢胺;環己烷等烴;四氫呋喃、乙醚、 醚;乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醢、->一心寻 此』醇、一丙酮醇等醇;2233 四氟丙醇等氟系溶劑;乙二醇單㈣m^醇單 乙醚、7。口 tf k > >二醇單曱醚等二醇醚類等。 作為塗佈方法’可列舉:噴霧法、旋塗法、浸潰法、 輕塗法、刮刀塗佈法、刮刀輥法、網版印刷法等。 [保護層形成步驟] 其次,如圖1的(C)所示,於光阻層30上形成保護 201224648 39958pif
LnO ί 是藉由以舰或蒸鍍、塗佈等成膜方法 L 、Ta0x、Nb0x、siN等材料成膜來形成。作 ^可列舉舰法等。此時,保護層4G是以其厚 =為U) nm以下的方式形成。其原因在於:若保 〇 形成環狀的圖#。另外,較佳為保護“於 、雷射波長為透明。另外,亦可對應於保護層的折 射率’調錢述的雷射光掃糾的f射功率。 [雷射光掃描步驟] 其次,如圖1的(d)所示,於光阻層3〇上 j系統40的透鏡而聚光的雷射光進行掃据。例如,二面 使帶有光阻層3〇及保護層4〇的圓盤狀的基板1〇旋轉,一 =學系統50於半徑方向上移動’藉此使雷射光遍及整 個基板10進行掃描。 此時’以使於光阻層3〇上進行掃描的雷射光的相對的 ,田速度成為3 m/s以上、1〇 m/s以下的方式,控制基板 光學祕4〇的任—者或兩者的舉動4原因在於: 右^描速度過低或過高’則無法形成環狀的圖案。另外, 該掃4田速度更佳為3.8 m/s以上、9.2 m/s以下的範圍内。 雷射光的功率γ於將光阻層30的〇D值設為丨23、 且不設置魏層的情況下’ 相躲雷射光的掃描速度 Χ ’滿足下述式(1)的條件的方式設定。其原因在於:若 功率過低或過高,則不會形成環狀的圖案。 201224648 Υ>-0.033ΐχ2 +1.3475χ + 21〇81 ⑴ [Υ <-0.0552Χ2 +2.2458Χ +3.5136 雷射光的功率γ更佳為以進而滿足下述式(2)的條 件的方式設定,進而更佳為以滿足下述式(3)的條件的方 式3免疋。當雷射光的功率γ滿足式(2 )的條件時,可更 穩定地形成高解析度的環狀的圖案,當雷射光的功率Υ滿 足式(3)的條件時,可將高解析度的環狀的圖案形成為最 良好的形狀。 Υ > -0.0353Χ2 +1.4373Χ + 2.2487 < Υ < -0.053Χ2 + 2.156Χ + 3.373 ⑵ Υ = _〇.〇442Χ2 +1.7966Χ +2.8109 ⑶ 另外,雷射光的功率Υ於不設置保護層、且將雷射光 的婦插速度設為9.2 m/s的情況下,較佳為以相對於光阻層 30的OD值T,滿足下述式(4)的條件的方式設定。 V = 12.303T2 - 25.236T + 28.026 (4) 另外’雷射光的功率Y於將光阻層30的〇D值設為 、將保護層的厚度設為5 nm、將雷射光的掃描速$設 為9.2 m/s的情況下,較佳為以相對於保護層4〇 :折=率
S 12 201224648 39958pif R,滿足下述式(5)的條件的方式設定。 Y = 18.284R2 - 68.221 R +77.53 (5) [顯影步驟] 最後’如圖1的(e)所示,利 液對經上__物且層3Q進行^ 射有雷射光的部分形率環狀的圖案3〇a。 Ty於疋於”
Uthyulc0h0l)等。作為顯影方法,有如下方法 有 ==掃描的光阻層30的基板10於顯影槽中所蓄 二的貝規定時間。當顯影液為甲醇時,浸潰時 =為5分鐘〜20分鐘的範圍内。其原因在於若浸潰 解财會形成環狀賴案,若過長,則環狀的圖 枯山下述表1是表示於上述本發明的圖案形成方法中,將 由下述化學式所麵的「氧㈣色素A」2.GG g溶解於 f,3,3-四氟丙醇1〇〇 ml中而成的塗佈液旋塗於包含石夕
Sl)的基板10上,藉此形成〇D值為1.23的光阻層3〇, 且不形成保護層4〇,於使雷射光的掃描速度分別以3 8、 9·2、15·4 (m/s)固定的狀態下,使雷射光的功率變化成 6·5、7·0、7·5.....20 (mW)來形成圖案,並評價所形成 的圖案的結果的表。 13 201224648
S 14 201224648 J-aoog66e
1^^ 1 cn /—N Xi X 〇 /-~N cd S—/ X r^5i /<—s x> X 〇 cd Sw/ X <N \ Xi X < /*~N (¾ X 1 11-5 1 /*~N x> X /-~N cd X v—/ X < X X | 10.5 | 〇 /•—V cd X /—N cd X o 〇 cd X s—✓ X w yn Os 〇 \ cd X cd X 〇\ 〇 /—N CQ X •s—X X «r> 00 〇 cd X Q 'v-/ X 00 o /-~N cd X /-N cd X in 〇 -^~N cd X S-/ X 卜 < /^N Λ X V—/ X v〇 /--N οϋ X /-*n cd X a X 00 rn <N On 15.4 線速 Γ— /^1 7 H
Vw/ X X /-"N S—✓ X 功率[m\V] 卜 9.5 1 X /-N 二 X /-N X 〇\ JD X < \ o X 1 18·5 1 /-"N x> X o /-~s o Vw/ X OO Xi X 〇 /-N o V-X X 1 17·5 1 JD v-/ X 〇 〇 X 卜 /*~N X) X 〇 o s—✓ X | 16.5 | x> X 〇 /^N o v—/ X VO \ Xi X o /^s 〇 S-X X | 15.5 I Xi X 〇 /*~N (J / X -D X o /"N cd X 1 14.5 I /-N X 〇 /-N cd V—/ X 二 /^S X> X 〇 /-~s cd S-X X 13_5 I x> X 〇 /-"s cd Nw^ X 00 cn (N 〇\ 15.4 線速 Γ— /内 1 τ 2 201224648 表1中,將於經雷射光掃描的光阻層部分形成有光學 系統4 0的點徑以下的環狀的圖案的情況設為〇,將雖然形 成裱形狀,但其形狀有較大的偏差的情況設為△,將不形 成環形狀的情況設為X (a),將形成有光學系統3〇的點徑 以上的環狀的圖案的情況設為x (b),將未利用甲醇進行 顯影、且於經雷射光掃描的整個光阻層部分形成有孔部(凹 部)的情況設為X (C)。 如表1所示 稽田將无阻層30的OD值設為1.23,將 雷射光的掃描速度X設為38_以上、9 2m/s以下且 =雷射光的功率γ滿足上述式⑴的條件,可形成光學 系統30的點徑以下的環狀的圖案。 音上述實施形態中,對光阻層3G是包含氧雜菁色 雜菩$ ^況物了朗,但可認為於光阻層30是包含氧 阻;30 /外的其他材料的層的情況下,藉由適宜設定光 值、雷射光的掃描條件等圖案形成條件,亦 色此處,作為其他材料, 色素、氣轉色、半料色素、苯己· 萘酞菁色音、卩t月素4)、大環狀色素(酞菁色素、 物色辛I素等)、偶氣色素(包含偶氮金屬螯合 素、香豆素色素、销 喹啉黃系色素等。 土丁—烯何生物、桂皮酸衍生物、 明。、人對確林發明的效果的實例、及味例進行說 201224648 39958pif [實例1] •光阻層的形成 將使上述「氧料色素A」2⑻g 丙醇酬W中而成的塗佈液旋塗於包切(si),的基板ι〇 上,藉此形成光阻層30。此時,光阻層3〇是以對於波長 580細的光的光學密度(〇D值)成為12〇的方式形成。 再者,光阻層30的折射率為22。 •保護層的形成 於上述光阻層30上濺鍍Zn〇_Ga2〇3 (靶材組成
ZnO : 以2〇3 = 30 Wt% : 70加%),形成膜厚為5.6 nm的保護層 4〇。再者,保護層40的折射率為i8。 •雷射光的掃描 於形成有上述光阻層3〇及保護層4〇的基板1〇上,使 用雷射曝光裝置(雷射波長λ:66〇ηπι,物鏡數值孔徑NA: 0.60雷射光束點控D . 0.66 um ( = 0.6 λ/ΝΑ)) ’以下述 條件掃描雷射光。 掃描速度 9.2 m/s, 功率 15.6 m\V, 雷射脈衝 10.43 MHz (負載比(Duty ratio)為 26%) ' •顯影 使帶有經雷射光掃描的光阻層30的基板10於曱醇中 浸潰10分鐘。 •評價 17 201224648 利用知為型電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope’SEM)觀察顯影後的基板1〇的表面。其結果, 可確認於經雷射光掃描的部位形成有如圖2所示的雷射掃 描方向的寬度為0.51 um、與雷射掃描方向正交的方向的 寬度為0.46 um、線寬為〇·〇8 um的環狀的圖案3〇a。 [實例2] ^ 作為保護層40,濺鍍TaOx (折射率:2 0)來形成膜 厚為2.8 nm的薄膜,並將雷射光的掃描時的功率設為18 mW ’除此以外’以與實例1相同的條件進行加工、評價。 其結果,可確認於經雷射光掃描的部位形成有如圖3所示 的雷射掃描方向的寬度為〇.5〇 um、與雷射掃描方向正交 的方向的寬度為0.46 um、線寬為〇.〇6 um的環狀的圖案 30a。 ' [實例3] 、作為保護層40,錢鍍NbOx (折射率:2.υ來形成膜 厚為iaGnm的薄膜,並將雷射摘掃描時的功率設為20.7 mW,除此以外’以與實例2相同的條件進行加卫、評價。 其、”σ果可確5心於經雷射光掃描的部位形成有如圖4所示 的雷射掃描方向的寬度為0.51 um、與雷射掃描方向正交 =方向的寬度為〇 46 um、線寬為〇.〇5 um的環狀的圖案 [實例4] 形成保護層4G(省略保護層形成步驟),並將雷射 光的掃描時的功率設為17_6 mW,除此以外,以與實例i 201224648 3yy58Pif 相同的條件進行加工、評價。 掃搞的部位形成有如圖5所示的雷,於經雷射光 0.46 Um、財崎财心交时向=的寬度為 線寬為0.05 um的環狀的圖案3〇a。 X為um、 [實例5] ^ 以使OD值成為丨1G的方式形 外,以與實例4相同的條件進行加工 層3〇,除此以 確5忍於經雷射光播描66细A W _L、_l_ A ▲…負其結果,可 um 確認於經雷射铸描的部位形成㈣射以:其結果,可 0.45 mn、與雷射掃描方向正交的方向的寬=向的寬度為 線寬為0.06 m的環狀的圖案3〇a。 0.39 [實例6] 以使OD值成為1 4〇的方式形成光阻層 外,以與實例4相同的條件進行加工、評價' 沾除此以 確認於經雷射光掃描的部位形成有雷射掃描方向、’、°果,可 0.47 um、與雷射掃描方向正交的方向的寬度為。的寬度為 線寬為0.07 m的環狀的圖案3〇a。 41 Um ' [實例7] 以使OD值成為1 50的方式形成光卩且層 外,以與實例4相同的條件進行加工、評價。其鈐除此以 確認於經雷射光掃描的部位形成有雷射掃插方向,可 0.46 um、與雷射掃描方向正交的方向的寬度為〇4〇見度為 線寬為0.06 m的環狀的圖案3〇a。 、 [比較例1] 以使膜厚成為16.7 nm的方式形成保護屑4n 噌40 ’並將雷 201224648 射光的掃描時的功率設為16 3 mW,除此以外,以與 1一相同的條件進行加工、評價。其結果,如圖6所示,於 經雷射光掃描的部位未觀察到環狀的圖案。 [比較例2] 、以使獏厚成為33 〇nm的方式形成保護層4〇,並將雷 射光的掃描時的功率設為15 8 mW,除此以外以與實例 2目同=條件進行加工、評價。其結果,於經雷射光掃描 的。IM立未觀察到環狀的圖案。 [比較例3] 、作為保護層40,滅鍍SiN (折射率:16)來形成獏厚 為48 nm的薄臈,並將雷射光的掃描時的功率設為^予6 mW ’除此以外’以與實例】相同的條件進行加工、評價·。 其結果,於經雷射光掃描的雜未觀_環狀的圖案。、 [比較例4] 以下述條件進行雷射光的掃描,除此以外,以與 1相同的條件進行加工、評價。 掃描速度 15.4 m/s, 功率 18.7 m\V, 雷射脈衝 17.47 MHz (負載比為33%) 其結果,於經雷射光掃描的部位未觀察到環狀的圖案。 本發明者根據以上的實例及比較例的評價结果,發現 於基板1〇上形成包含氧雜菁系色素 '且對於波長580 nm 的光的OD值為1,〇以上、16以下的光阻層%,並於所形 成的光阻層3〇上以3 m/s以上、1G m/s以下的掃描速度掃 20 20122464839958pif = ^==液對:雷射光掃描 案,其理由並不十心;==可, 例中進行評價的範圍内^ 際上’精由至少於實 円滿足上述條件,而可於基板10表面 形成數百n m級以下的環狀的圖案3 〇 a。 施料:行:明、圖J ’對本發明的金屬結構形成方法的實 的金屬結構的金屬結構形成方法, == 成包全括:下步驟:於光阻』^ ί Μ後/ 2G的金屬層形成步驟;以及於顯影 々驟之後將所形成的環狀的圖案作為遮罩來對金屬声2〇 , 丁# 對於與圖案形成方法相同的構成,標註 相同的符號並省略其說明。 首先’於金屬層形成步驟中,如圖7的⑴及⑻ 二2基ί 1〇上形成金屬層2〇。金屬層20是藉由以賤 开:等成膜方法使Ag、Au、Cu等材料成膜來 心成。於錢屬層形成步驟之後,如圖7❺⑷〜⑺ == 欠進行上述光阻層形成步驟、保護層形成步驟、 描步驟、以及顯影步驟。於是,於金屬層20上的 …、射有雷射光的光阻部分形成環狀的光阻圖案。 所开於顯影步驟之後,如圖7的⑷所示,實施將 所域的%狀的光阻圖案作為遮罩來對金屬層2〇進行蝕 21 201224648 jyyoopir ,,步驟’藉此形成環狀的金屬結構2Ga。此處,餘 刻量是以使基板10於金屬層20上所形成的光阻圖案的所 有孔部中露出的方式,對應於金屬層20的厚度來決定。 其次’對確認本發明的效果的實例進行說明。 [實例] b於形成光阻層30之前,濺鍍Ag而在基板10上形成 ,厚為2〇nm的Ag的金屬層2〇,於顯影後,將所形成的 =狀的圖案3〇a作為遮罩並藉由Ar離子銑削來對金屬層 /進行蝕刻,除此以外,以與實例丨相同的條件進行加工、 平價其結果’可確認形成有雷射掃描方向的寬度為0.53 T、與雷射掃描方向正交的方向的寬度為0.48 um、線寬 為〇.〇9 rnn的包含Ag的金屬環。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的圖案形成方法的步驟圖 圖2是表示藉由實例1所形成的圖案的加工狀態的圖 圖3是表示藉由實例2所形成的圖案的加工狀態的圖 圖4是表示藉由實例3所形成的圖案的加工狀態的圖 圖5是表示藉由實例4所形成的圖案的加工狀態的圖 圖6是表示藉由比較例1所形成的圖案的加工狀態的 圖 圖7是表示本發明的金屬結構形成方法的步驟圖 【主要元件符號說明】 10 :基板 :金屬層
S 22 201224648 iyy^spif 30 : 40 : 50 : 20a 30a 光阻層 保護層 光學系統 :環狀的金屬結構 :環狀的圖案 23
Claims (1)
- 201224648 七、申請專利範圍: 1. -種圖絲成方法’其藉由熱微景彡術來形成環狀的 圖案,其特徵在於: 於基板上形成光阻層,上述光阻層包含氧雜菁系色 素、且對於波長580 nm的光的OD值為i 〇以上、i 6 下; 於所形成的上述光阻層上以3 m/s以上、1〇 _以下 的掃描速度掃描雷射光;以及 利用以醇為主成分的顯影液對經上述雷射光掃描的上 述光阻層進行顯影。 2. 如申請專利範圍帛i項所述之圖案形成方法,盆中 更包括於卿成的上述細層上形成厚度為1()應以下的 保s蒦層;以及 於形成有上述賴層的上述級層上進行上述雷射光 的知指。 3 计如申請專利範圍第!項或第2項所述之圖案形成方 法’其中上述掃指速度為3.8 m/s以上、9 2 _以下。 =如巾請專利範圍第2項或第2項所述之圖案形成方 法,其中上述醇為曱醇或乙醇。 其特金屬結構形成方法,其形成環狀的金屬結構, 於基板上形成金屬層; 含氧rc述金屬層上形成光阻層,上述光阻層包 乳雜普糸色素、且對於波長580 nm的光的OD值為i 0 24 201224648 ^yy^spif 以上、1.6以下; 於所形成的上述光阻層上以3 m/s以上、10 m/s以下 的掃描速度掃描雷射光; 利用以醇為主成分的顯影液對經上述雷射光掃描的上 ,光阻層進行顯影,藉此於上述金屬層上形成環狀的圖 案;以及 、將所形成的上述環狀的圖 進行触刻。 案作為遮罩軸上述金屬層 25
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