TW201224648A - Method of forming pattern and method of forming metal structure - Google Patents
Method of forming pattern and method of forming metal structure Download PDFInfo
- Publication number
- TW201224648A TW201224648A TW100134163A TW100134163A TW201224648A TW 201224648 A TW201224648 A TW 201224648A TW 100134163 A TW100134163 A TW 100134163A TW 100134163 A TW100134163 A TW 100134163A TW 201224648 A TW201224648 A TW 201224648A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- pattern
- laser light
- photoresist layer
- forming
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 61
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims description 5
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 claims description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 24
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930182558 Sterol Natural products 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000003432 sterols Chemical class 0.000 description 2
- 235000003702 sterols Nutrition 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- -1 sulfo, hydroxy Chemical class 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound CC(F)(F)C(O)(F)F CSUFEOXMCRPQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXOZSRCVHASUCW-UHFFFAOYSA-N 1,3,3,3-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound OC(F)CC(F)(F)F TXOZSRCVHASUCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMSVBNQVZVQSND-UHFFFAOYSA-N 1,5-bis(sulfanyl)pentan-3-one Chemical compound SCCC(=O)CCS IMSVBNQVZVQSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000283973 Oryctolagus cuniculus Species 0.000 description 1
- VZNANTUPCZTTFR-UHFFFAOYSA-N SC(C(C)C)C(=O)C(C(C)C)S Chemical compound SC(C(C)C)C(=O)C(C(C)C)S VZNANTUPCZTTFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZZSDCJQCLYLLL-UHFFFAOYSA-N Secalonsaeure A Natural products COC(=O)C12OC3C(CC1=C(O)CC(C)C2O)C(=CC=C3c4ccc(O)c5C(=O)C6=C(O)CC(C)C(O)C6(Oc45)C(=O)OC)O MZZSDCJQCLYLLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004644 alkyl sulfinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004656 alkyl sulfonylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005135 aryl sulfinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004657 aryl sulfonyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 150000001851 cinnamic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetone Chemical compound CC(=O)CO XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229930003658 monoterpene Natural products 0.000 description 1
- 150000002773 monoterpene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 235000002577 monoterpenes Nutrition 0.000 description 1
- GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N n-decyldecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCNCCCCCCCCCC GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical class [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940051201 quinoline yellow Drugs 0.000 description 1
- 235000012752 quinoline yellow Nutrition 0.000 description 1
- 239000004172 quinoline yellow Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical class [H]S* 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
- B41C1/00—Forme preparation
- B41C1/10—Forme preparation for lithographic printing; Master sheets for transferring a lithographic image to the forme
- B41C1/1008—Forme preparation for lithographic printing; Master sheets for transferring a lithographic image to the forme by removal or destruction of lithographic material on the lithographic support, e.g. by laser or spark ablation; by the use of materials rendered soluble or insoluble by heat exposure, e.g. by heat produced from a light to heat transforming system; by on-the-press exposure or on-the-press development, e.g. by the fountain of photolithographic materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
- B41C2210/00—Preparation or type or constituents of the imaging layers, in relation to lithographic printing forme preparation
- B41C2210/04—Negative working, i.e. the non-exposed (non-imaged) areas are removed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
- B41C2210/00—Preparation or type or constituents of the imaging layers, in relation to lithographic printing forme preparation
- B41C2210/12—Developable by an organic solution
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
201224648 六、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種藉由熱微影術來 的圖案形成方法。而且，本發明 圖案形成方法所形成的圖案來形成戸处 使用由此種 下，稱為金屬環）的金屬結構形成方^。的金屬結構（以 【先前技術】 最近，對包含光的電磁波表現出具有 然界的物質所不具備的性曾 、<、斤射率專自 (Metamaterial；)的人工物質J稱為超材料 象的_波的波長更小的金屬環來 於專利文獻1中，接屮古 顆粒的狀態下，對其側面實於」^ 2片基板爽持並壓碎 材料的金屬環的方法。 &、、’、佈，藉此形成構成超 [先前技術文獻] [專利文獻] 號公報 所述的特雜的= 粒紐的電顧顯示如上 的大小的金屬環。超材料’需要形成數百謂級以下 中，Ιιΐ山Γ上述專利文獻】中所記載的金屬環形成方法 屈泠佑’數微米或其以上的大小的顆粒的側面實施金 ^佈來形成金屬環’故結果所形成的金屬環的大小的下 201224648 jyyoapif 限最多亦僅為數微米，由該金屬環所製作的超材料雖 微波或波長比微波更長的電磁波顯示如上所述的作為 料的特徵性的性質，但對波長更短的可見光 料 材料的性質。 【發明内容】 雲於上述情況，本發明的目的在於提供一種可 百nm級以下的環狀的圖案的圖案形成方法、及使用由此 種圖案形成方法所形成的圖案來形成環狀的金屬 屬結構形成方法。 的生 本發明的圖案形成方法是藉由熱微影 圖案的圖案形成方法，其特徵在於：於基板上成^的 包含氧雜㈣色素、且對於波長獨^層的 以上、1,6以下；於所形成的光阻層上以3 _ 上m/s以下的掃描速度掃描雷射光；以及利用 為主成分的顯影液對經雷射光掃描的光阻層進行顯影。 此處’將主成分定義為含量為5()莫= 另外，亦可利用水等溶劑來稀釋顯影液。i的成为。 於上述方法中，亦可更進一步於光阻層 10 nm以下的你罐爲 0 .. 子度為 行雷射光的掃描^ 〇成有_制的光阻層上進 另外’掃描速度亦可為3.8 m/s以上、9 2 m/s以下 另外，醇可為〒醇，亦可為乙醇。 金屬^==結構戦絲是形__金屬結構的 金屬、、，°觀成方法，其特徵在於：於基板上形成金屬層 201224648 ^yy^cpii 於所形成的金屬層上形成光阻層，此光阻層 色素、且對於波長580 nm的光的OD值為 以下，於所形成的光阻層上以3 m/s以上、1〇 _以下的 2速度掃描雷射光；㈣為主成分_影液對經該 雷射光掃描的光阻層進行聽，藉聽金屬層上形成環狀 的圖案；以及將所形成的環狀的圖案作為遮罩來對金屬層 進行I虫刻。 、曰 [發明的效果] ，據本發_目案形成方法，於基板上形成包含氧雜 、色素、且對於波長58〇nm的光的〇D值為丨〇以上、 Μ以下的光阻層，於所形成的光阻層上以3 _以上、1〇 域以下的掃描速度掃描雷射光，且利用以醇為主成分的 顯影液對經雷射光掃描的絲層進行顯影 百nm級以下的環狀的圖案。 」域數 严声ttn述方法中’ #更進-步於所形成的光阻層上形成 尽度為l〇nm以下的保護層，且於形成有保護層的光阻層 上進行雷射光的掃描時，可使環狀的圖案形成為更良好二 形狀。 v 根據本發明的金屬結構形成方法，於基板上形成 曰’於所形成的金屬層上形成包含氧料純素、且對於 波長湖nm的光的0D值為^上、】相下的光阻屏、， ::形成的光阻層上以3 m/s以上、1〇 m/s以下的掃描曰速 二掃描雷射光，利用以醇為主成分的顯影液對經雷射光 S的光阻層進行㈣，藉此於上述金屬層上形成環狀的圖 201224648 39958pif 案，且將所形成的環狀的圖案作為遮罩來對上述 行㈣’藉此可形成數百⑽級以下的環狀的金屬^進 【實施方式】 ^ …Μ下，參關式對本判賴案軸方法的實施形態 進行說明。® 1表示利用本發明的圖案的形成過程。本發 =的圖案形成方法是藉由熱微影術來形成環狀的圖案的圖 ^形成方法，其包括：於基板1G上形成光阻層3〇的光阻 三形成步驟、於光阻層30上形成保護層4〇的保護層形成 4、於光阻層30上掃描雷射光的#射紐描步驟以及利 =顯影液對經㈣光掃描的雜層3G進行顯影的顯影步 驟。以下，對各步驟進行詳細說明。 [光阻層形成步驟] 首先’如圖1的（a)及⑻所示，準備平坦的基板 並於基板10上形成包含氧雜菁系色素的光阻層30。 基板10例如使用石夕基板。 2阻们G是藉由如下方式形成：使氧料色素溶解於 中來製備塗佈液’將所調整的塗佈液塗佈於基板1〇 表面而形成塗膜後’對所形成的塗膜進行乾燥。此時，光 阻層30的厚度是以其對於波長彻nm的光的光學密度 Density ’ 0D)值）成為1〇以上、16以下的 ^决^：。其原因在於：若QD值過低或過高，則最終所 j的環狀的圓案的形狀會產生偏差。此處，所謂〇D值， 疋指以對數來表示光通過光阻層3〇時被吸收的程度的值。 作為氧雜菁色素，例如可使用曰本專利特開 201224648 2006-212790號公報中所記載的氧雜菁色素。例如，作為 氧雜菁色素的較佳的結構的一例，有由下述通式（丨）所^ 示的結構。
Ma1—Ma2^=Wla3—^
Qy 通式（1) 上述通式（1)巾，Za1及Za2分賴錢表示形成酸 性核的原子群。Ma1、Ma2、Ma3分翻立地表轉取代 未經取代的次曱基。ka表示〇至3為止的整數’當“為二 以上時，存在多個的Mal、Ma2可相㈤，亦可不㈤。另外， Q表不中和電荷的離子，y表示電荷財和所需的數。 作為氧雜菁色素的較佳的結構的-例，有由下 述k式（2)所表示的結構。 (R*9 R30 R21 R22、R2兔於妒 R27 R2« R25 R24 /1/2 通式（2) 通式（2)中，Ri、R2、R3、R4分別獨立地表示經取 代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的芳基、經取代 或未經取代的雜環基。r21、R22、r23、r24、r25、r26、r27、 s 8 201224648 jyy^spif R28、R29、r3G分賴立地表示氫原子或取代基。 再者，除上述以外，作為氧雜菁色素，亦可使用以下 所說明的氧雜菁系色素A及氧雜菁系色素丑。作為氧雜菁 色素A，較佳為由下述通式（3)所表示的化合物。
«m+2)/x>2*+
通式（3) 通式（3)中’ R11、R12 ' Rn、pu分別獨立地表示氫 原子、經取代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的芳 基、以及經取代或未經取代的雜環基的任一者，p21、R22、 R3表示氫原子、經取代或未經取代的烷基、經取代或未經 取代的烷氧基、經取代或未經取代的芳基、經取代或未經 取代的芳氧基、經取代或未經取代的雜環基、鹵素原子、 羧基、經取代或未經取代的烷氧基羰基、氰基、經取代或 未經取代的醯基、經取代或未經取代的胺甲醯基、胺基、 取代胺基、磺基、羥基、硝基、經取代或未經取代的烷基 磺醯基胺基、經取代或未經取代的芳基磺醯基胺基、經取 代或未經取代的胺甲醯基胺基、經取代或未經取代的烷基 續醯基、經取代或未經取代的芳基只水二爪基、經取代或 未經取代的烷基亞磺醯基、經取代或未經取代的芳基亞磺 酿基、以及經取代或未經取代的胺續醯基的任一者。m表 示0以上的整數，當m為2以上時，多個R3可相同，亦 201224648 可不同〇 2X+表千陪私7 ± _ # a &衣除離子，x表示1以上的整數 (4)所表示的 化合物 為氧雜菁色素B，較佳為由下述通式 〇 Ό ,^ Ο** 2a25 /C^ft/Ia27〜Ma28sj=Ma29—(/
Ka 23
Za26
Q 通式（4) 通式（4)中，Za25、Za26分別獨立為形成酸性核的原 子群，Ma27、Ma28、Ma29分別獨立為經取代或未經取代的 -人曱基。Ka23表示0至3之間的整數。q表示中和電荷的 離子。 作為塗佈液的溶劑，可列舉：乙酸丁酯、乳酸乙酯、 溶纖劑乙酸酯等酯；曱基乙基酮、環己酮、曱基異丁基酮 等酮；二氣曱烷、1，2-二氣乙烷、氣仿等氣化烴；二曱基 曱醯胺等醢胺；環己烷等烴；四氫呋喃、乙醚、 醚；乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醢、->一心寻 此』醇、一丙酮醇等醇；2233 四氟丙醇等氟系溶劑；乙二醇單㈣m^醇單 乙醚、7。口 tf k > >二醇單曱醚等二醇醚類等。 作為塗佈方法’可列舉：噴霧法、旋塗法、浸潰法、 輕塗法、刮刀塗佈法、刮刀輥法、網版印刷法等。 [保護層形成步驟] 其次，如圖1的（C)所示，於光阻層30上形成保護 201224648 39958pif
LnO ί 是藉由以舰或蒸鍍、塗佈等成膜方法 L 、Ta0x、Nb0x、siN等材料成膜來形成。作 ^可列舉舰法等。此時，保護層4G是以其厚 =為U) nm以下的方式形成。其原因在於：若保 〇 形成環狀的圖#。另外，較佳為保護“於 、雷射波長為透明。另外，亦可對應於保護層的折 射率’調錢述的雷射光掃糾的f射功率。 [雷射光掃描步驟] 其次，如圖1的（d)所示，於光阻層3〇上 j系統40的透鏡而聚光的雷射光進行掃据。例如，二面 使帶有光阻層3〇及保護層4〇的圓盤狀的基板1〇旋轉，一 =學系統50於半徑方向上移動’藉此使雷射光遍及整 個基板10進行掃描。 此時’以使於光阻層3〇上進行掃描的雷射光的相對的 ，田速度成為3 m/s以上、1〇 m/s以下的方式，控制基板 光學祕4〇的任—者或兩者的舉動4原因在於： 右^描速度過低或過高’則無法形成環狀的圖案。另外， 該掃4田速度更佳為3.8 m/s以上、9.2 m/s以下的範圍内。 雷射光的功率γ於將光阻層30的〇D值設為丨23、 且不設置魏層的情況下’ 相躲雷射光的掃描速度 Χ ’滿足下述式（1)的條件的方式設定。其原因在於：若 功率過低或過高，則不會形成環狀的圖案。 201224648 Υ>-0.033ΐχ2 +1.3475χ + 21〇81 ⑴ [Υ <-0.0552Χ2 +2.2458Χ +3.5136 雷射光的功率γ更佳為以進而滿足下述式（2)的條 件的方式設定，進而更佳為以滿足下述式（3)的條件的方 式3免疋。當雷射光的功率γ滿足式（2 )的條件時，可更 穩定地形成高解析度的環狀的圖案，當雷射光的功率Υ滿 足式（3)的條件時，可將高解析度的環狀的圖案形成為最 良好的形狀。 Υ > -0.0353Χ2 +1.4373Χ + 2.2487 < Υ < -0.053Χ2 + 2.156Χ + 3.373 ⑵ Υ = _〇.〇442Χ2 +1.7966Χ +2.8109 ⑶ 另外，雷射光的功率Υ於不設置保護層、且將雷射光 的婦插速度設為9.2 m/s的情況下，較佳為以相對於光阻層 30的OD值T，滿足下述式（4)的條件的方式設定。 V = 12.303T2 - 25.236T + 28.026 (4) 另外’雷射光的功率Y於將光阻層30的〇D值設為 、將保護層的厚度設為5 nm、將雷射光的掃描速$設 為9.2 m/s的情況下，較佳為以相對於保護層4〇 :折=率
S 12 201224648 39958pif R，滿足下述式（5)的條件的方式設定。 Y = 18.284R2 - 68.221 R +77.53 (5) [顯影步驟] 最後’如圖1的（e)所示，利 液對經上__物且層3Q進行^ 射有雷射光的部分形率環狀的圖案3〇a。 Ty於疋於”
Uthyulc0h0l)等。作為顯影方法，有如下方法 有 ==掃描的光阻層30的基板10於顯影槽中所蓄 二的貝規定時間。當顯影液為甲醇時，浸潰時 =為5分鐘〜20分鐘的範圍内。其原因在於若浸潰 解财會形成環狀賴案，若過長，則環狀的圖 枯山下述表1是表示於上述本發明的圖案形成方法中，將 由下述化學式所麵的「氧㈣色素A」2.GG g溶解於 f，3,3-四氟丙醇1〇〇 ml中而成的塗佈液旋塗於包含石夕
Sl)的基板10上，藉此形成〇D值為1.23的光阻層3〇， 且不形成保護層4〇，於使雷射光的掃描速度分別以3 8、 9·2、15·4 (m/s)固定的狀態下，使雷射光的功率變化成 6·5、7·0、7·5.....20 (mW)來形成圖案，並評價所形成 的圖案的結果的表。 13 201224648
S 14 201224648 J-aoog66e
1^^ 1 cn /—N Xi X 〇 /-~N cd S—/ X r^5i /<—s x> X 〇 cd Sw/ X <N \ Xi X < /*~N (¾ X 1 11-5 1 /*~N x> X /-~N cd X v—/ X < X X | 10.5 | 〇 /•—V cd X /—N cd X o 〇 cd X s—✓ X w yn Os 〇 \ cd X cd X 〇\ 〇 /—N CQ X •s—X X «r> 00 〇 cd X Q 'v-/ X 00 o /-~N cd X /-N cd X in 〇 -^~N cd X S-/ X 卜 < /^N Λ X V—/ X v〇 /--N οϋ X /-*n cd X a X 00 rn <N On 15.4 線速 Γ— /^1 7 H
Vw/ X X /-"N S—✓ X 功率[m\V] 卜 9.5 1 X /-N 二 X /-N X 〇\ JD X < \ o X 1 18·5 1 /-"N x> X o /-~s o Vw/ X OO Xi X 〇 /-N o V-X X 1 17·5 1 JD v-/ X 〇 〇 X 卜 /*~N X) X 〇 o s—✓ X | 16.5 | x> X 〇 /^N o v—/ X VO \ Xi X o /^s 〇 S-X X | 15.5 I Xi X 〇 /*~N (J / X -D X o /"N cd X 1 14.5 I /-N X 〇 /-N cd V—/ X 二 /^S X> X 〇 /-~s cd S-X X 13_5 I x> X 〇 /-"s cd Nw^ X 00 cn (N 〇\ 15.4 線速 Γ— /内 1 τ 2 201224648 表1中，將於經雷射光掃描的光阻層部分形成有光學 系統4 0的點徑以下的環狀的圖案的情況設為〇，將雖然形 成裱形狀，但其形狀有較大的偏差的情況設為△，將不形 成環形狀的情況設為X (a)，將形成有光學系統3〇的點徑 以上的環狀的圖案的情況設為x (b)，將未利用甲醇進行 顯影、且於經雷射光掃描的整個光阻層部分形成有孔部（凹 部）的情況設為X (C)。 如表1所示 稽田將无阻層30的OD值設為1.23，將 雷射光的掃描速度X設為38_以上、9 2m/s以下且 =雷射光的功率γ滿足上述式⑴的條件，可形成光學 系統30的點徑以下的環狀的圖案。 音上述實施形態中，對光阻層3G是包含氧雜菁色 雜菩$ ^況物了朗，但可認為於光阻層30是包含氧 阻；30 /外的其他材料的層的情況下，藉由適宜設定光 值、雷射光的掃描條件等圖案形成條件，亦 色此處，作為其他材料， 色素、氣轉色、半料色素、苯己· 萘酞菁色音、卩t月素4)、大環狀色素（酞菁色素、 物色辛I素等）、偶氣色素（包含偶氮金屬螯合 素、香豆素色素、销 喹啉黃系色素等。 土丁—烯何生物、桂皮酸衍生物、 明。、人對確林發明的效果的實例、及味例進行說 201224648 39958pif [實例1] •光阻層的形成 將使上述「氧料色素A」2⑻g 丙醇酬W中而成的塗佈液旋塗於包切（si)，的基板ι〇 上，藉此形成光阻層30。此時，光阻層3〇是以對於波長 580細的光的光學密度（〇D值）成為12〇的方式形成。 再者，光阻層30的折射率為22。 •保護層的形成 於上述光阻層30上濺鍍Zn〇_Ga2〇3 (靶材組成
ZnO : 以2〇3 = 30 Wt% : 70加％)，形成膜厚為5.6 nm的保護層 4〇。再者，保護層40的折射率為i8。 •雷射光的掃描 於形成有上述光阻層3〇及保護層4〇的基板1〇上，使 用雷射曝光裝置（雷射波長λ:66〇ηπι，物鏡數值孔徑NA: 0.60雷射光束點控D . 0.66 um ( = 0.6 λ/ΝΑ)) ’以下述 條件掃描雷射光。 掃描速度 9.2 m/s， 功率 15.6 m\V， 雷射脈衝 10.43 MHz (負載比（Duty ratio)為 26%) ' •顯影 使帶有經雷射光掃描的光阻層30的基板10於曱醇中 浸潰10分鐘。 •評價 17 201224648 利用知為型電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope’SEM)觀察顯影後的基板1〇的表面。其結果， 可確認於經雷射光掃描的部位形成有如圖2所示的雷射掃 描方向的寬度為0.51 um、與雷射掃描方向正交的方向的 寬度為0.46 um、線寬為〇·〇8 um的環狀的圖案3〇a。 [實例2] ^ 作為保護層40，濺鍍TaOx (折射率：2 0)來形成膜 厚為2.8 nm的薄膜，並將雷射光的掃描時的功率設為18 mW ’除此以外’以與實例1相同的條件進行加工、評價。 其結果，可確認於經雷射光掃描的部位形成有如圖3所示 的雷射掃描方向的寬度為〇.5〇 um、與雷射掃描方向正交 的方向的寬度為0.46 um、線寬為〇.〇6 um的環狀的圖案 30a。 ' [實例3] 、作為保護層40，錢鍍NbOx (折射率：2.υ來形成膜 厚為iaGnm的薄膜，並將雷射摘掃描時的功率設為20.7 mW，除此以外’以與實例2相同的條件進行加卫、評價。 其、”σ果可確5心於經雷射光掃描的部位形成有如圖4所示 的雷射掃描方向的寬度為0.51 um、與雷射掃描方向正交 =方向的寬度為〇 46 um、線寬為〇.〇5 um的環狀的圖案 [實例4] 形成保護層4G(省略保護層形成步驟），並將雷射 光的掃描時的功率設為17_6 mW，除此以外，以與實例i 201224648 3yy58Pif 相同的條件進行加工、評價。 掃搞的部位形成有如圖5所示的雷，於經雷射光 0.46 Um、財崎财心交时向=的寬度為 線寬為0.05 um的環狀的圖案3〇a。 X為um、 [實例5] ^ 以使OD值成為丨1G的方式形 外，以與實例4相同的條件進行加工 層3〇，除此以 確5忍於經雷射光播描66细A W _L、_l_ A ▲…負其結果，可 um 確認於經雷射铸描的部位形成㈣射以:其結果，可 0.45 mn、與雷射掃描方向正交的方向的寬=向的寬度為 線寬為0.06 m的環狀的圖案3〇a。 0.39 [實例6] 以使OD值成為1 4〇的方式形成光阻層 外，以與實例4相同的條件進行加工、評價' 沾除此以 確認於經雷射光掃描的部位形成有雷射掃描方向、’、°果，可 0.47 um、與雷射掃描方向正交的方向的寬度為。的寬度為 線寬為0.07 m的環狀的圖案3〇a。 41 Um ' [實例7] 以使OD值成為1 50的方式形成光卩且層 外，以與實例4相同的條件進行加工、評價。其鈐除此以 確認於經雷射光掃描的部位形成有雷射掃插方向，可 0.46 um、與雷射掃描方向正交的方向的寬度為〇4〇見度為 線寬為0.06 m的環狀的圖案3〇a。 、 [比較例1] 以使膜厚成為16.7 nm的方式形成保護屑4n 噌40 ’並將雷 201224648 射光的掃描時的功率設為16 3 mW，除此以外，以與 1一相同的條件進行加工、評價。其結果，如圖6所示，於 經雷射光掃描的部位未觀察到環狀的圖案。 [比較例2] 、以使獏厚成為33 〇nm的方式形成保護層4〇，並將雷 射光的掃描時的功率設為15 8 mW，除此以外以與實例 2目同=條件進行加工、評價。其結果，於經雷射光掃描 的。IM立未觀察到環狀的圖案。 [比較例3] 、作為保護層40，滅鍍SiN (折射率：16)來形成獏厚 為48 nm的薄臈，並將雷射光的掃描時的功率設為^予6 mW ’除此以外’以與實例】相同的條件進行加工、評價·。 其結果，於經雷射光掃描的雜未觀_環狀的圖案。、 [比較例4] 以下述條件進行雷射光的掃描，除此以外，以與 1相同的條件進行加工、評價。 掃描速度 15.4 m/s， 功率 18.7 m\V， 雷射脈衝 17.47 MHz (負載比為33%) 其結果，於經雷射光掃描的部位未觀察到環狀的圖案。 本發明者根據以上的實例及比較例的評價结果，發現 於基板1〇上形成包含氧雜菁系色素 '且對於波長580 nm 的光的OD值為1,〇以上、16以下的光阻層％，並於所形 成的光阻層3〇上以3 m/s以上、1G m/s以下的掃描速度掃 20 20122464839958pif = ^==液對:雷射光掃描 案，其理由並不十心;==可， 例中進行評價的範圍内^ 際上’精由至少於實 円滿足上述條件，而可於基板10表面 形成數百n m級以下的環狀的圖案3 〇 a。 施料:行:明、圖J ’對本發明的金屬結構形成方法的實 的金屬結構的金屬結構形成方法， == 成包全括:下步驟:於光阻』^ ί Μ後/ 2G的金屬層形成步驟；以及於顯影 々驟之後將所形成的環狀的圖案作為遮罩來對金屬声2〇 , 丁# 對於與圖案形成方法相同的構成，標註 相同的符號並省略其說明。 首先’於金屬層形成步驟中，如圖7的⑴及⑻ 二2基ί 1〇上形成金屬層2〇。金屬層20是藉由以賤 开:等成膜方法使Ag、Au、Cu等材料成膜來 心成。於錢屬層形成步驟之後，如圖7❺⑷〜⑺ == 欠進行上述光阻層形成步驟、保護層形成步驟、 描步驟、以及顯影步驟。於是，於金屬層20上的 …、射有雷射光的光阻部分形成環狀的光阻圖案。 所开於顯影步驟之後，如圖7的⑷所示，實施將 所域的％狀的光阻圖案作為遮罩來對金屬層2〇進行蝕 21 201224648 jyyoopir ，，步驟’藉此形成環狀的金屬結構2Ga。此處，餘 刻量是以使基板10於金屬層20上所形成的光阻圖案的所 有孔部中露出的方式，對應於金屬層20的厚度來決定。 其次’對確認本發明的效果的實例進行說明。 [實例] b於形成光阻層30之前，濺鍍Ag而在基板10上形成 ，厚為2〇nm的Ag的金屬層2〇，於顯影後，將所形成的 =狀的圖案3〇a作為遮罩並藉由Ar離子銑削來對金屬層 /進行蝕刻，除此以外，以與實例丨相同的條件進行加工、 平價其結果’可確認形成有雷射掃描方向的寬度為0.53 T、與雷射掃描方向正交的方向的寬度為0.48 um、線寬 為〇.〇9 rnn的包含Ag的金屬環。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的圖案形成方法的步驟圖 圖2是表示藉由實例1所形成的圖案的加工狀態的圖 圖3是表示藉由實例2所形成的圖案的加工狀態的圖 圖4是表示藉由實例3所形成的圖案的加工狀態的圖 圖5是表示藉由實例4所形成的圖案的加工狀態的圖 圖6是表示藉由比較例1所形成的圖案的加工狀態的 圖 圖7是表示本發明的金屬結構形成方法的步驟圖 【主要元件符號說明】 10 :基板 :金屬層
S 22 201224648 iyy^spif 30 ： 40 : 50 : 20a 30a 光阻層 保護層 光學系統 :環狀的金屬結構 :環狀的圖案 23
Claims (1)
- 201224648 七、申請專利範圍： 1. -種圖絲成方法’其藉由熱微景彡術來形成環狀的 圖案，其特徵在於： 於基板上形成光阻層，上述光阻層包含氧雜菁系色 素、且對於波長580 nm的光的OD值為i 〇以上、i 6 下； 於所形成的上述光阻層上以3 m/s以上、1〇 _以下 的掃描速度掃描雷射光；以及 利用以醇為主成分的顯影液對經上述雷射光掃描的上 述光阻層進行顯影。 2. 如申請專利範圍帛i項所述之圖案形成方法，盆中 更包括於卿成的上述細層上形成厚度為1()應以下的 保s蒦層；以及 於形成有上述賴層的上述級層上進行上述雷射光 的知指。 3 计如申請專利範圍第！項或第2項所述之圖案形成方 法’其中上述掃指速度為3.8 m/s以上、9 2 _以下。 =如巾請專利範圍第2項或第2項所述之圖案形成方 法，其中上述醇為曱醇或乙醇。 其特金屬結構形成方法，其形成環狀的金屬結構， 於基板上形成金屬層； 含氧rc述金屬層上形成光阻層，上述光阻層包 乳雜普糸色素、且對於波長580 nm的光的OD值為i 0 24 201224648 ^yy^spif 以上、1.6以下； 於所形成的上述光阻層上以3 m/s以上、10 m/s以下 的掃描速度掃描雷射光； 利用以醇為主成分的顯影液對經上述雷射光掃描的上 ，光阻層進行顯影，藉此於上述金屬層上形成環狀的圖 案；以及 、將所形成的上述環狀的圖 進行触刻。 案作為遮罩軸上述金屬層 25
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010218305A JP5395023B2 (ja) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | パターン形成方法、及び金属構造形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201224648A true TW201224648A (en) | 2012-06-16 |
Family
ID=45892311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100134163A TW201224648A (en) | 2010-09-29 | 2011-09-22 | Method of forming pattern and method of forming metal structure |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130213932A1 (zh) |
| JP (1) | JP5395023B2 (zh) |
| TW (1) | TW201224648A (zh) |
| WO (1) | WO2012042819A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6183199B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2017-08-23 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及び化合物 |
| DE102014204171A1 (de) * | 2014-03-06 | 2015-09-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element und optische Anordnung damit |
| JP6756541B2 (ja) * | 2016-08-08 | 2020-09-16 | 東京応化工業株式会社 | 基板の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9508031D0 (en) * | 1995-04-20 | 1995-06-07 | Minnesota Mining & Mfg | UV-absorbing media bleachable by IR-radiation |
| JP4137771B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2008-08-20 | 富士フイルム株式会社 | 光情報記録媒体および新規オキソノール化合物 |
| US20060210917A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Positive-working, thermally sensitive imageable element |
| JP2006315299A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JP5111305B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-01-09 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成体およびその製造方法 |
| JP5214696B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | パタン形成方法、基板製造方法、及びモールド製造方法 |
| JP5395022B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2014-01-22 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
-
2010
- 2010-09-29 JP JP2010218305A patent/JP5395023B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-22 TW TW100134163A patent/TW201224648A/zh unknown
- 2011-09-26 WO PCT/JP2011/005383 patent/WO2012042819A1/ja active Application Filing
-
2013
- 2013-03-27 US US13/851,607 patent/US20130213932A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130213932A1 (en) | 2013-08-22 |
| JP2012073432A (ja) | 2012-04-12 |
| WO2012042819A1 (ja) | 2012-04-05 |
| JP5395023B2 (ja) | 2014-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6119544B2 (ja) | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
| JP5046236B2 (ja) | 改善された性能を有する液浸トップコート材料 | |
| TWI374342B (en) | Water soluble resin composition and method for pattern formation using the same | |
| TWI303449B (en) | Resist pattern thickening material and process for forming resist pattern, and semiconductor device and process for manufacturing the same | |
| JP5229228B2 (ja) | 液浸用上層膜形成用組成物及び液浸用上層膜並びにフォトレジストパターン形成方法 | |
| US7419759B2 (en) | Photoresist composition and method of forming a pattern using the same | |
| KR20120093781A (ko) | 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 | |
| JP2008083527A (ja) | 表示デバイスの製法 | |
| JP2003255564A (ja) | レジストパターン改善化材料およびそれを用いたパターンの製造方法 | |
| TW201106094A (en) | Mask blank and transfer mask | |
| TWI358748B (en) | Method for forming resist pattern, semiconductor d | |
| TWI533090B (zh) | 樹脂組成物、硬化物的製造方法、樹脂圖案製造方法、硬化物及光學部件 | |
| TW201224648A (en) | Method of forming pattern and method of forming metal structure | |
| TWI674298B (zh) | 著色感光樹脂組合物、彩色濾光片和使用其之圖像顯示裝置 | |
| EP3465346A1 (en) | Gap filling composition and pattern forming method using composition containing polymer | |
| US6866973B2 (en) | Photosensitive resin composition, resist composition, fabricating method for patterned substrate, and device | |
| KR20160132979A (ko) | 레지스트층을 구비한 블랭크, 그 제조 방법, 마스크 블랭크 및 임프린트용 몰드 블랭크와, 전사용 마스크, 임프린트용 몰드 및 그들의 제조 방법 | |
| JP5611907B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
| JP5395022B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP4594174B2 (ja) | バリア膜形成用材料及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JP2019201079A (ja) | テンプレートの製造方法およびテンプレート | |
| WO2017207452A1 (en) | Gap filling composition and pattern forming method using composition containing polymer | |
| US20220342307A1 (en) | Radiation-sensitive resin composition and method for forming resist pattern | |
| US20150268555A1 (en) | Positive resist composition and patterning process | |
| TW200408916A (en) | Stripper composition for photoresist |